inversor monofásico para painéis fotovoltaicos com controlo de tensão e de … · funcionamento...

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Inversor Monofásico para Painéis Fotovoltaicos com Controlo de Tensão e de Corrente Filipe Carlos de Oliveira Simões Dissertação para obtenção do Grau de Mestre em Engenharia Electrotécnica e de Computadores Orientadores: Profª. Maria Beatriz Mendes Batalha Vieira Vieira Borges Prof. Hugo dos Santos Marques Júri Presidente: Prof. Gonçalo Nuno Gomes Tavares Orientador: Profª. Maria Beatriz Mendes Batalha Vieira Vieira Borges Vogal: Doutor Hugo Eduardo dos Santos Ribeiro Novembro 2015

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Page 1: Inversor Monofásico para Painéis Fotovoltaicos com Controlo de Tensão e de … · Funcionamento em Regime Permanente.....37 3.3 Dimensionamento do Inversor ... Inversor de Ponte-Completa

Inversor Monofásico para Painéis Fotovoltaicos com

Controlo de Tensão e de Corrente

Filipe Carlos de Oliveira Simões

Dissertação para obtenção do Grau de Mestre em

Engenharia Electrotécnica e de Computadores

Orientadores: Profª. Maria Beatriz Mendes Batalha Vieira Vieira Borges

Prof. Hugo dos Santos Marques

Júri

Presidente: Prof. Gonçalo Nuno Gomes Tavares

Orientador: Profª. Maria Beatriz Mendes Batalha Vieira Vieira Borges

Vogal: Doutor Hugo Eduardo dos Santos Ribeiro

Novembro 2015

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Agradecimentos

Gostaria de agradecer a todas as pessoas que possibilitaram o sucesso deste projecto. Agradeço em

especial à persistência do meu colega e amigo, Daniel Lemos, por toda a ajuda prestada em todos os

momentos e pelo companheirismo que sempre nos acompanhou neste percurso. Agradeço também à

Professora Beatriz Borges e ao Professor Hugo Marques pelo tempo despendido neste meu

crescimento como pessoa e como aluno, e também pelo voto de confiança depositado em mim.

Agradeço em especial à minha família e às pessoas que têm um lugar especial na minha vida, pelo

apoio incondicional em todos os momentos e pelas palavras de apreço e força que tanto me ajudaram

a chegar ao fim deste caminho.

Obrigado por tudo.

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Resumo

As energias renováveis, têm ganho cada vez mais relevância tendo em conta a escassez de

combustíveis fósseis, bem como o facto de serem “amigas do ambiente” por não produzirem resíduos.

A energia fotovoltaica, mais propriamente, tem sido uma das energias renováveis com mais afluência,

sendo cada vez mais acessível ao público geral podendo já ser usada para autoconsumo e auto-

produção.

Nesta dissertação far-se-á o estudo e dimensionamento de um conversor monofásico de corrente

contínua para corrente alternada, também denominado de inversor, com controlo de tensão de entrada

e corrente de saída. Portanto, o conversor CC-CA assume um papel importante na transmissão de

potência dos painéis fotovoltaicos para a rede eléctrica.

A topologia implementada foi a de ponte completa também denominada de H4, por ser a topologia que

oferece um melhor compromisso entre eficiência e custo, sendo amplamente estudado e com bons

resultados na sua aplicabilidade prática. O controlo da corrente de saída do inversor foi implementado

recorrendo a um método de controlo não linear com limitação de frequência, em alternativa ao mais

comummente usado controlador histerético. No respeitante à tensão de entrada, o controlo adoptado

foi um compensador proporcional integral, garantindo-se um erro em regime estacionário nulo.

Palavras-Chave:

Inversor em Ponte-Completa, Conversor CC-CA, Conversor Electrónico de Potência, Controlo do

Inversor, Sistema Fotovoltaico, PWM 3 níveis.

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Abstract

Renewable energies have become increasingly more relevant considering the fossil fuels shortage and

the fact of being eco-friendly, with no waste emissions. Photovoltaics, in particular, has been one of the

most required renewable energy, more and more accessible to the general public, available for self-

-consumption and self-production.

This thesis will be focused on the analysis and design of a single phase DC-AC converter, often called

inverter, using input voltage and output current control methodologies. Therefore the DC-AC converter

assumes an important role in the photovoltaic to grid power transmitting process.

The implemented topology consists on a H4 full bridge inverter since this is the topology that offers the

best trade-off between efficiency and cost. The last advantages have been widely studied with positive

results in several practical applications. The inverter output current control was assured by a nonlinear

control methodology combined with frequency limiting block, in alternative to the use of the most popular

hysteretic methodologies. On the other hand the input voltage control consists on a proportional integral

linear compensator, assuring steady-state zero error performance.

Keywords:

Full-Bridge Inverter, DC-AC Converter, Power Electric Converter, Inverter Control, Photovoltaic System,

3 Level PWM.

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Índice

Agradecimentos ...................................................................................................... iii

Resumo ..................................................................................................................... v

Abstract ................................................................................................................... vii

Índice ........................................................................................................................ ix

Lista de Figuras ..................................................................................................... xiii

Lista de Tabelas .................................................................................................... xvii

Lista de Acrónimos ............................................................................................... xix

Capítulo 1 Introdução ............................................................................................... 1

1.1. Motivação ................................................................................................................ 2

1.2. Objectivos ............................................................................................................... 3

1.3. Organização da Dissertação .................................................................................. 3

Capítulo 2 Estado da Arte e Conceitos Teóricos ................................................... 5

2.1. Sistemas Fotovoltaicos .......................................................................................... 6

2.2. Topologias de Sistemas Fotovoltaicos ................................................................. 7

2.2.1. Topologia de dois andares de conversão .......................................................................... 7

2.2.2. Topologia de um andar de conversão ............................................................................... 8

2.2.3. Topologias com transformador .......................................................................................... 8

2.2.3.1. Transformador de baixa frequência ............................................................................ 9

2.2.3.2. Transformador de alta frequência no inversor ........................................................... 9

2.2.3.3. Transformador de alta frequência no conversor CC-CC .......................................... 10

2.2.4. Tipos de filtro na ligação à rede ....................................................................................... 10

2.3. Tipos de Conversores CC-CA ...............................................................................12

2.4. Topologias de inversores......................................................................................13

2.4.1. Inversor em Meia Ponte ................................................................................................... 13

2.4.2. Inversor NPC ................................................................................................................... 14

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2.4.3. Inversor de Ponte-Completa ............................................................................................ 16

2.4.4. Inversores derivados do Inversor de Ponte-Completa .................................................... 18

2.4.4.1. Inversor HERIC ........................................................................................................ 18

2.4.4.2. Inversor H5 ............................................................................................................... 20

2.4.4.3. Inversor H6 ............................................................................................................... 22

2.4.5. Inversor Push-Pull ........................................................................................................... 24

2.4.6. Inversor Flying Inductor (Karschny) ................................................................................. 25

2.5. Métodos de controlo e modulação do inversor ...................................................27

2.5.1 Controlo Histerético de Corrente ..................................................................................... 27

2.5.2 Modulação por Largura de Impulso ................................................................................. 28

2.5.2.1. Modulação por um Impulso ...................................................................................... 29

2.5.2.1.1 Modulação por um impulso de plena onda - 2 níveis ............................................ 29

2.5.2.1.2 Modulação por um impulso 3 níveis....................................................................... 29

2.5.2.2. Modulação Sinusoidal por Largura de Impulso ........................................................ 31

2.5.2.2.1 Modulação Sinusoidal por Largura de Impulso de 2 níveis ................................... 32

2.5.2.2.2 Modulação Sinusoidal por Largura de Impulso de 3 níveis ................................... 33

Capítulo 3 Conversor CC-CA - Inversor ................................................................ 35

3.1. Introdução ..............................................................................................................36

3.2. Funcionamento em Regime Permanente .............................................................37

3.3 Dimensionamento do Inversor .............................................................................40

3.3.1. Dimensionamento da Bobina LR ...................................................................................... 40

3.3.2. Frequência de comutação ............................................................................................... 42

3.3.3. Dimensionamento físico da bobina LR ............................................................................. 45

3.3.4. Dimensionamento do Condensador C ............................................................................ 47

Capítulo 4 Controlo do Conversor CC-CA ............................................................ 49

4.1. Introdução ..............................................................................................................50

4.2. Controlo da corrente iR..........................................................................................52

4.2.1. Controlo não linear com limitação de frequência ............................................................ 52

4.3. Controlo da tensão vC ...........................................................................................54

Capítulo 5 Circuito de Controlo ............................................................................. 59

5.1. Circuito de Controlo Inversor VC=30V ..................................................................60

5.1.1. Dados relativos ao inversor com VC=30V ........................................................................ 60

5.1.2. Esquema completo do circuito de controlo ...................................................................... 61

5.1.3. Formas de onda do circuito de controlo .......................................................................... 62

5.1.4. Amostragem do sinal da corrente de saída ..................................................................... 63

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5.1.3. Amostragem do sinal da tensão de entrada .................................................................... 64

5.1.4. Subtractores ..................................................................................................................... 65

5.1.5. Circuito de erromáx e erromin .............................................................................................. 65

5.1.6. Comparadores ................................................................................................................. 66

5.1.7. Multiplicador de sincronismo com a tensão da rede ....................................................... 66

5.1.8. Circuito do compensador proporcional integral ............................................................... 67

5.1.9. Circuito de relógio ............................................................................................................ 68

5.1.10. Circuito de amostragem da tensão da rede .................................................................... 69

Capítulo 6 Simulações e Resultados .................................................................... 71

6.1. Simulações e Resultados Teóricos VC=400V .......................................................72

6.2. Simulações VC=30V ...............................................................................................74

6.3. Resultados Experimentais VC=30V .......................................................................76

Capítulo 7 Conclusão e Trabalho Futuro .............................................................. 79

7.1. Conclusões ............................................................................................................80

7.2. Trabalho Futuro .....................................................................................................80

Referências ............................................................................................................. 81

Anexo A ................................................................................................................... 83

A.1. Circuito de Potência ..............................................................................................83

A.1.1. Resistência de descarga do condensador para VC=400V .............................................. 83

A.1.2. Circuitos de disparo dos transístores .............................................................................. 84

A.1.2.1. Acopladores ópticos ................................................................................................. 84

A.1.2.2. Circuito de atraso ..................................................................................................... 84

Anexo B ................................................................................................................... 85

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Lista de Figuras

Figura 1 - Tipos de Sistemas Fotovoltaicos ............................................................................................ 6

Figura 2 - Elementos constituintes de um sistema fotovoltaico convencional ........................................ 7

Figura 3 - Topologia de um sistema fotovoltaico com 2 andares de conversão ..................................... 7

Figura 4 - Topologia de um sistema fotovoltaico com 1 andar de conversão ......................................... 8

Figura 5 - Sistema fotovoltaico de 1 estágio com transformador de baixa frequência ........................... 9

Figura 6 - Sistema fotovoltaico de 2 estágios com transformador de baixa frequência ......................... 9

Figura 7- Sistema fotovoltaico de 2 estágios com transformador de baixa frequência .......................... 9

Figura 8 - Sistema fotovoltaico de 2 estágios com transformador de baixa frequência ....................... 10

Figura 9 - Filtro composto apenas por uma bobina em série ................................................................ 10

Figura 10 - Filtro composto apenas por uma bobina em série e um condensador em paralelo ............ 11

Figura 11 - Filtro composto apenas por duas bobinas em série e um condensador em paralelo ......... 11

Figura 12 – Inversor em Meia Ponte ..................................................................................................... 14

Figura 13 - Operação do inversor de meia ponte nos ciclos positivo e negativo de PWM ................... 14

Figura 14 - Inversor NPC ....................................................................................................................... 15

Figura 15 - Operação do inversor NPC nos ciclos positivo e negativo de PWM .................................. 15

Figura 16 – Inversor de Ponte-Completa .............................................................................................. 16

Figura 17 - Operação do inversor ponte-completa no ciclo positivo de PWM ...................................... 17

Figura 18 - Operação do inversor ponte-completa no ciclo negativo de PWM ..................................... 17

Figura 19 - Inversor HERIC ................................................................................................................... 18

Figura 20 - Operação do inversor HERIC no ciclo positivo de PWM .................................................... 19

Figura 21 - Operação do inversor HERIC no ciclo negativo de PWM .................................................. 19

Figura 22 - Inversor H5 .......................................................................................................................... 20

Figura 23 - Operação do inversor H5 no ciclo positivo de PWM .......................................................... 20

Figura 24 - Operação do inversor H5 no ciclo negativo de PWM ......................................................... 21

Figura 25 - Inversor H6 .......................................................................................................................... 22

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Figura 26 - Operação do inversor H6 no ciclo positivo de PWM .......................................................... 22

Figura 27 - Operação do inversor H6 no ciclo negativo de PWM ......................................................... 23

Figura 28 - Inversor Push-Pull ............................................................................................................... 24

Figura 29 - Operação do inversor push-pull no ciclo positivo de PWM ................................................ 24

Figura 30 - Operação do inversor push-pull no ciclo negativo de PWM ............................................... 25

Figura 31 - Inversor Flying Inductor ...................................................................................................... 25

Figura 32 - Operação do inversor flying inductor no ciclo positivo de PWM para o modo buck ........... 26

Figura 33 - Operação do inversor flying inductor no ciclo positivo de PWM para o modo boost ......... 26

Figura 34 - Operação do inversor flying inductor no ciclo negativo de PWM para o modo…..

buck-boost ............................................................................................................................27

Figura 35 - Comparador com janela de histerese para efectuar o controlo histerético de iLR .............. 28

Figura 36 - Forma de onda da modulação por um impulso de 2 níveis ................................................ 29

Figura 37 - Forma de onda da modulação por um impulso de 3 níveis ................................................ 30

Figura 38 - Exemplo de modulação sinusoidal por largura de impulso a 2 níveis ................................ 31

Figura 39 - Formas de onda da moduladora sinusoidal e da portadora triangular ............................... 32

Figura 40 - Circuito com comparadores para gerar sinais de disparo para SPWM de 2 níveis ........... 32

Figura 41 - Formas de onda e sinais de disparo da modulação sinusoidal por largura de impulso…..

de 2 níveis ........................................................................................................................... 33

Figura 42 - Circuito com comparadores e amplificador operacional para gerar sinais de disparo…..

para SPWM de 3 níveis ....................................................................................................... 33

Figura 43 - Formas de onda e sinais de disparo da modulação sinusoidal por largura de impulso…..

de 3 níveis ........................................................................................................................... 34

Figura 44 - Topologia do sistema fotovoltaico implementado ............................................................... 36

Figura 45 - Conversor CC-CA (Inversor) ............................................................................................... 36

Figura 46 - Conversor CC-CA (Inversor) ............................................................................................... 37

Figura 47 - Ilustração da tensão vrede em fase com a corrente iR obtendo um factor de potência…..

unitário ................................................................................................................................. 40

Figura 48 - Ilustração do circuito para o cálculo da queda de tensão vLR ............................................. 41

Figura 49 - Formas de onda vAB para três valores de bobina ............................................................... 42

Figura 50 - Definição do tremor ............................................................................................................. 43

Figura 51 – Esquema que define a variação de tensão aos terminais da bobina LR ........................... 43

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Figura 52 - Esquema que define a tensão mais desfavorável aos terminais da bobina LR .................. 43

Figura 53 - Formas de onda da tensão vAB ideal, tensão vAB real, modulada em largura de impulso…..

e da tensão vRede ................................................................................................................. 44

Figura 54 - Tensão vLR real com o ponto máximo de tensão ................................................................ 44

Figura 55 - Circuito magnético da bobina [Fonte: Daniel Lemos] ......................................................... 45

Figura 56 - Esquema para dimensionamento do condensador C ........................................................ 47

Figura 57 - Tensão no condensador C .................................................................................................. 48

Figura 58 - Esquemático do sistema de controlo do conversor ............................................................ 50

Figura 59 - Diagrama de blocos do controlo do inversor em Matlab .................................................... 51

Figura 60 - Diagrama de blocos do inversor (ver equação (51)) .......................................................... 51

Figura 61 - Forma de onda do erro nas diferentes zonas de comparação ........................................... 52

Figura 62 - Diagrama de blocos do circuito de controlo não linear com limitação de frequência ......... 53

Figura 63 - Circuito lógico para controlar os transístores ..................................................................... 54

Figura 64 - Diagrama de blocos do sistema de controlo ....................................................................... 55

Figura 65 - Resposta do Sistema para um ganho Kp=1,4 e Ki=37,31 .................................................. 57

Figura 66 - Resposta do Sistema para um ganho Kp=7 e Ki=100 ........................................................ 57

Figura 67 - Resposta do Sistema para um ganho Kp=3 e Ki=50 .......................................................... 58

Figura 68 - Esquema completo do circuito de controlo ......................................................................... 61

Figura 69 - Formas de onda das grandezas do circuito de controlo ..................................................... 62

Figura 70 - Formas de onda das grandezas do circuito de controlo ..................................................... 63

Figura 71 - Circuito do transdutor de corrente ...................................................................................... 64

Figura 72 – Circuito montagem diferenciadora para efectuar a amostragem da tensão VC................. 64

Figura 73 - Circuitos montagem subtractora ......................................................................................... 65

Figura 74 - Circuito de erromáx e erromin ................................................................................................. 65

Figura 75 - Circuito dos comparadores implementados ....................................................................... 66

Figura 76 - Circuito do Compensador Proporcional Integral ................................................................. 67

Figura 77 - Circuito de relógio 555 ........................................................................................................ 68

Figura 78 - Circuito de amostragem da rentão da rede ........................................................................ 69

Figura 79 - Formas de onda das tensões VC e vAB, e das correntes iR, iRref e ii para VC=400V com…..

duas perturbações ............................................................................................................... 72

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Figura 80 - Formas de onda das tensões VC e vAB, e das correntes iR, iRref e ii para VC=400V…..

sem perturbações ................................................................................................................ 73

Figura 81 - Formas de onda das tensões VC e vAB, e das correntes iR, iRref e ii para VC=30V com…..

duas perturbações ............................................................................................................... 74

Figura 82 - Formas de onda das tensões VC e vAB, e das correntes iR, iRref e ii para VC=30V…..

sem perturbações ................................................................................................................ 75

Figura 83 - Formas de onda da sobreelevação e tempo de estabelecimento de VC com 500mV/div…..

............................................................................................................................................. 76

Figura 84 - Formas de onda da sobreelevação e tempo de estabelecimento de VC no caso de…..

variações bruscas da corrente iD com 500mV/div. Diminuição da corrente iD…..

(imagem do meio) e aumento da corrente iD (imagem à direita) ........................................ 76

Figura 85 – Forma de onda da tensão de referência da rede VRedeRef a azul com 5V/div, e tensão…..

vAB a verde com 25V/div ...................................................................................................... 77

Figura 86 – Forma de onda da corrente de referência iRef a azul com 5V/div, corrente iR a…..

cor-de-rosa com 100mV/A e tensão vAB a verde com 25V/div ............................................ 77

Figura 87 - Forma de onda da tensão vAB a verde com 25V/div, sinal 1 a amarelo e 2 a azul ........... 77

Figura 88 - Esquema do acoplador óptico ............................................................................................ 84

Figura 89 - Circuito de atraso ................................................................................................................ 84

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Lista de Tabelas

Tabela 1 – Estados de funcionamento de todos os semicondutores do inversor de ponte-…..

-completa…………………………………………………………………………………………...38

Tabela 2 – Estados de funcionamento dos transístores do inversor de ponte-completa ..................... 38

Tabela 3 – Comportamento das grandezas do circuito nos vários estados de comutação .................. 39

Tabela 4 - Valores base para o dimensionamento do inversor ............................................................. 40

Tabela 5 – Tabela de verdade do circuito lógico a ser implementado................................................... 53

Tabela 6 – Tabela de verdade da porta lógica XNOR ........................................................................... 54

Tabela 7 - Sobreelevação e tempo de estabelecimento em função dos ganhos Kp e Ki e do…..

factor de amortecimento ................................................................................................... 57

Tabela 8 - Valores do inversor de baixa potência onde será implementado o circuito de…..

controlo dimensionado ........................................................................................................ 60

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_________________________________________________________________________________ xix

Lista de Acrónimos

PWM

CC

CA

PV

MPPT

UPS

THD

MOSFET

IGBT

GTO

JFET

BJT

MESFET

HCC

Pulse Width Modulation (Modulação por Largura de Impulso)

Corrente Contínua (Direct Current)

Corrente Alternada (Alternate Current)

Photovoltaic (Fotovoltaico)

Maximum Power Pointing Tracker (Seguimento do Ponto de Potência Máxima)

Uninterruptible Power Supply (Fonte de Alimentação Ininterrupta)

Total Harmonic Distortion (Taxa de Distorção Harmónica)

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (Transístor de Metal-Óxido de

Efeito de Campo)

Insulated Gate Bipolar Transistor (Transistor Bipolar de Porta Isolada)

Gate turn-off Thyristor (Tiristor GTO)

Junction Gate field-effect Transistor (Transistor de Efeito de Campo com Junção de

Porta)

Bipolar Junction Transistor (Transistor Bipolar de Junção)

Metal-Semiconductor Field Effect Transistor (Transístor de Metal-Semicondutor de

Efeito de Campo)

Hysteresis Current Control (Controlo de Corrente Histerético)

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_________________________________________________________________________________ 1

Capítulo 1

Introdução

Este capítulo servirá para dar uma visão geral do trabalho, apresentando-se a motivação e as razões

que estimularam a execução do mesmo. Apresentar-se-ão os objectivos definidos para a execução da

dissertação, bem como a organização de trabalhos da mesma.

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_________________________________________________________________________________ 2

1.1. Motivação

Ao longo de décadas, desde a sua descoberta, a energia eléctrica tem "sustentado" o mundo,

permitindo a sua constante evolução e sobrevivência. De uma maneira geral, até há bem pouco tempo,

a sua produção implicava o uso de meios poluentes, acima de tudo combustíveis fosseis, sendo estes

os mais prejudiciais para o meio ambiente. Este tipo de energia acarreta complicações ambientais que

afectam o mundo onde vivemos. Não obstante, o uso de combustíveis fósseis é limitada na produção

de energia, pois as reservas escasseiam.

Tendo em conta este suplício, cada vez mais se observa o incremento na pesquisa e uso de fontes de

energia renováveis de todos os tipos, sendo a energia fotovoltaica uma das mais proeminentes. As

vantagens imediatas deste tipo de fontes de energia alternativas residem no facto de serem ilimitadas

e limpas, não produzindo resíduos sólidos poluentes nem contribuindo para o aumento do efeito estufa.

No entanto, as mesmas apresentam limitações, relacionadas essencialmente com o facto de

dependerem completamente dos factores ambientais, ou seja, caso não exista vento, sol ou bacias

hidrográficas, as fontes de energia renovável mais comuns não serão devidamente aproveitadas. O

crescimento deste tipo de aproveitamento energético, padece particularmente do facto de

apresentarem um custo de produção do equipamento elevado, o que limita numa primeira fase a

viabilidade de todo o processo.

O factor ambiental define na sua totalidade a possível captação deste tipo de energia, e como tal há a

necessidade de aproveitar da melhor forma possível os períodos em que há possibilidade de a captar,

sendo que neste caso específico se trata da energia fotovoltaica. A tecnologia em que se baseia este

tipo de energia utiliza células semicondutoras, na generalidade feitas de silício, que convertem, através

de um processo electroquímico, a energia que incide em forma de radiação solar em energia eléctrica.

Sabendo que a quantidade de energia da radiação solar é bastante superior ao consumo global de

energia eléctrica, este é um mercado que permite uma larga expansão, tal como se tem vindo a

observar na última década.

De modo a permitir converter a energia captada pelos painéis fotovoltaicos com o objectivo de a enviar

para a rede eléctrica, é necessário recorrer ao uso de conversores de energia eléctrica. Tendo em conta

que a energia proveniente dos painéis fotovoltaicos está associada a uma tensão e corrente contínuas,

há a necessidade de converter essa energia para corrente alternada de modo a possibilitar a ligação à

rede eléctrica de tensão alternada convencional, ou simplesmente para uso doméstico, uma vez que

os equipamentos estão dimensionados para este tipo de energia. Como tal é necessário usar um

conversor CC-CA, denominado igualmente de inversor, que permite a conversão da energia em

corrente contínua para corrente alternada.

Sabendo que a captação de energia fotovoltaica ainda apresenta rendimentos reduzidos, os estágios

intermédios de conversão da energia eléctrica resultantes têm que apresentar o máximo de rendimento

possível, de modo a incrementar o rácio de custo x benefício deste tipo de aproveitamento energético.

Como tal define-se o compromisso de diminuir as perdas de potência inerentes aos diversos estágios

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_________________________________________________________________________________ 3

de conversão, dando especial ênfase, nesta dissertação ao conversor de corrente contínua para

corrente alternada (CC-CA).

1.2. Objectivos

O objectivo desta dissertação passa por desenvolver um conversor CC-CA, englobando o

dimensionamento dos circuitos de potência e de controlo. Este conversor faz parte do projecto de um

sistema fotovoltaico que engloba dois estágios de conversão. No primeiro estágio de conversão tem-

se um conjunto de painéis fotovoltaicos ligados a um conversor CC-CC elevador. No segundo estágio

de conversão tem-se um conversor CC-CA, responsável por converter as grandezas contínuas em

grandezas alternadas a fim de serem injectadas na rede eléctrica monofásica.

As etapas da execução deste trabalho subentendem o estudo, dimensionamento e respectiva

simulação do conversor CC-CA, a simulação do controlo da tensão de entrada e da corrente de saída,

e a consequente implementação prática do protótipo do conversor CC-CA ligado ao 1º estágio de

conversão, observando os resultados experimentais recorrentes.

1.3. Organização da Dissertação

A presente dissertação encontra-se estruturada em sete capítulos. No primeiro capítulo é apresentada

a introdução, onde se descrevem os aspectos que motivaram à realização deste trabalho bem como

os objectivos do mesmo, sendo igualmente enunciada a estrutura da dissertação. O segundo capítulo

apresenta o estado da arte relativo ao projecto em estudo, bem como os conceitos teóricos adjacentes

ao mesmo. O terceiro capítulo explica o funcionamento do conversor em estudo bem como o respectivo

dimensionamento dos seus componentes. No quarto capítulo estuda-se o controlo do conversor, e no

quinto capítulo procede-se ao dimensionamento desse mesmo controlo. Os resultados teóricos, de

simulação e experimentais relativos ao projecto em questão são apresentados no sexto capítulo, sendo

as conclusões do projecto descritas no sétimo e último capítulo.

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_________________________________________________________________________________ 4

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_________________________________________________________________________________ 5

Capítulo 2

Estado da Arte e Conceitos Teóricos

Neste capítulo enunciam-se os sistemas de produção fotovoltaica actualmente existentes,

apresentando-se de forma geral o estado da arte relativo a esta área, dando especial ênfase às diversas

topologias de conversores CC-CA existentes e mais frequentemente usadas. Será feita uma

comparação dessas topologias identificando as vantagens e desvantagens, de modo selecionar a

topologia que melhor se adapte à aplicação em questão.

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_________________________________________________________________________________ 6

2.1. Sistemas Fotovoltaicos

Na figura 1 apresentam-se diferentes categorias de sistemas fotovoltaicos de acordo com a finalidade

a que se destina.

Figura 1 - Tipos de Sistemas Fotovoltaicos

Nos sistemas fotovoltaicos ligados à rede eléctrica, a energia captada e convertida é injectada na rede

eléctrica, seja ela monofásica, para potências inferiores a 10kW, ou trifásica para potências superiores

a 10kW, podendo ser desta forma ser distribuída para os restantes consumidores. A potência instalada,

na generalidade destes sistemas ligados à rede, é muito elevada, à excepção do caso de serem micro

produtores. No caso destes sistemas ligados à rede, o seu controlo deverá ser robusto e bem

dimensionado, de modo a garantir a qualidade que é exigida pela rede eléctrica, com factor de potência

próximo do unitário e com taxas de distorção harmónica (o mais reduzidas possível) baixas por forma

a cumprir as normas em vigor.

Nos sistemas fotovoltaicos isolados da rede eléctrica, a energia captada serve essencialmente para

alimentar directamente cargas, ou sistemas de armazenamento de energia eléctrica que não tenham

acesso à rede eléctrica. Actualmente este tipo de sistemas fotovoltaicos é usado legalmente por

pequenos consumidores para autoconsumo, até uma potência máxima de 1,5kW1, sem necessidade

de licença especial, seja para complementar os gastos energéticos, ou para o caso de fornecimento de

energia numa zona remota onde não haja distribuição da rede eléctrica, o que se torna uma mais-valia.

Além disso, estes sistemas não têm que ser exclusivamente fotovoltaicos, podendo haver uma outra

fonte de energia renovável que permita complementar a fotovoltaica (por exemplo turbina eólica). Este

sistema tem ainda a particularidade de (em caso de quebra de energia eléctrica da rede) poder operar

como fonte de energia ininterrupta2. O controlo neste caso específico terá que ser cuidadosamente bem

dimensionado, de modo a permitir um sistema de transtorno mínimo, com um aproveitamento o mais

eficiente possível de cada uma das fontes de energia.

1 Decreto-Lei n.º 153/2014, de 20 de Outubro de 2014 1 Portarias n.º 14/2015 e n.º 15/2015, de 23 de Janeiro de 2015 2 Uninterruptible Power Supply (UPS)

Sistemas Fotovoltaicos

Ligados à Rede

Monofásicos Trifásicos

Isolados da Rede

Sem Armazenamento

Com Armazenamento

Híbridos

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_________________________________________________________________________________ 7

Assim sendo, de uma forma geral, o sistema fotovoltaico3 convencional pode ser descrito com base no

sistema representado na figura 2.

PV

CC

CC

CC

CA

Filtro Carga

Conversor CC-CA

(Inversor)Conversor CC-CC

Figura 2 - Elementos constituintes de um sistema fotovoltaico convencional

Um sistema fotovoltaico como o da figura 2 é essencialmente constituído pelos painéis fotovoltaicos4

ligados a um conversor CC-CC, responsável por aumentar ou reduzir a tensão contínua vinda dos

painéis e permitindo simultaneamente extrair a máxima potência possível dos mesmos. O andar

seguinte consiste num conversor CC-CA, responsável por converter todas as grandezas contínuas

anteriormente descritas, em grandezas alternadas, de modo a permitir injectá-las na rede eléctrica.

2.2. Topologias de Sistemas Fotovoltaicos

Neste caso específico requere-se que o tipo de carga seja a própria rede eléctrica. As topologias mais

usuais apresentam-se de seguida, tendo em conta características como o número de andares de

conversão, a existência ou não de transformador e o tipo de filtro usado na saída.

2.2.1. Topologia de dois andares de conversão

A topologia de dois andares representada na figura 3 é composta por dois estágios de conversão, sendo

constituído pelos painéis fotovoltaicos, seguido do conversor CC-CC e do conversor CC-CA,

conversores estes distintos, finalizando com a ligação à rede efectuada por meio de um filtro.

PV

CC

CC

Rede

CC

CA

Conversor CC-CA

(Inversor)Conversor CC-CC

Filtro

Figura 3 - Topologia de um sistema fotovoltaico com 2 andares de conversão

O conversor CC-CC é usado de modo a permitir aumentar o nível de tensão vinda dos painéis

fotovoltaicos, de modo a garantir o nível de tensão necessário para a injecção de potência na rede.

Neste tipo de topologia, o controlo de MPPT5 e a amplificação da tensão vinda dos painéis é efectuada

no conversor CC-CC, sendo que o conversor CC-CA trata de efectuar o controlo da corrente injectada

3 Photovoltaic System 4 Photovoltaic Panel 5 Maximum Power Pointing Tracker

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_________________________________________________________________________________ 8

na rede, podendo igualmente efectuar amplificação da tensão, para posterior injecção na rede. O

condensador de entrada permite efectuar o desacoplamento energético entre os painéis fotovoltaicos

e o inversor. O condensador intermédio, entre os dois conversores, assume o papel de elemento de

armazenamento intermédio de energia entre os dois estágios, pretendendo-se que a sua tensão

assuma um valor quase constante com baixo tremor.

2.2.2. Topologia de um andar de conversão6

A topologia representada na figura 4 é composta por um só andar de conversão de energia, sendo

constituída pelos painéis fotovoltaicos, pelo conversor CC-CA, finalizada com a ligação à rede

efectuada por meio de um filtro, visível na figura 4.

PV Rede

CC

CA

Conversor CC-CA

(Inversor)

Filtro

Figura 4 - Topologia de um sistema fotovoltaico com 1 andar de conversão

Neste tipo de topologia, caso o nível de tensão à saída dos painéis seja o necessário para a injecção

de potência na rede, pode-se utilizar apenas o conversor CC-CA sem qualquer tipo de conversão CC-

CC intrínseca. No entanto, caso o nível de tensão à saída dos painéis seja reduzido, recorre-se ao uso

de um conversor CC-CC intrínseco ao conversor CC-CA. Neste caso, continua a ser considerada uma

topologia de estágio único, tendo em conta que não há conversores distintos, mas sim um único

conversor que permite versatilidade entre conversão CC-CC e conversão CC-CA. Nesta topologia, o

controlo de MPPT, a amplificação da tensão vinda dos painéis e o controlo da corrente injectada na

rede são inteiramente efectuados no conversor CC-CA.

2.2.3. Topologias com transformador

Apresenta-se de seguida as topologias mais conhecidas que usam transformadores, seja para usar

como isolamento galvânico dos conversores relativamente à da rede eléctrica, ou simplesmente para

adaptação das grandezas eléctricas aos seus terminais. Este tipo de topologia não é fundamental,

ainda mais tendo em conta que influencia directamente no custo final do sistema, bem como no

rendimento do mesmo. No entanto, caso se queira assegurar um bom isolamento da rede, o uso de

transformador é imprescindível, quer do ponto de vista da segurança, quer do ponto de vista da

qualidade de energia eléctrica na interação entre o lado CC do sistema fotovoltaico e o lado CA da rede

eléctrica.

6 Single Stage

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_________________________________________________________________________________ 9

2.2.3.1. Transformador de baixa frequência

Nas topologias apresentadas nas figuras 5 e 6, utiliza-se um transformador entre o inversor e a rede,

que opera à frequência da rede eléctrica, ou seja, a baixa frequência, sendo que neste caso o

transformador tende a ter dimensões, peso7 e um custo elevados, apresentando igualmente mais

perdas o que influencia directamente o rendimento final de todo o sistema. No entanto, caso a tensão

no inversor não seja suficientemente elevada para ser injectada na rede, pode-se usar uma relação de

número de espiras do transformador, apropriada para colmatar a tensão reduzida.

PV Rede

CC

CA

Conversor CC-CA

(Inversor)

Filtro

Transformador

Baixa Frequência

Figura 5 - Sistema fotovoltaico de 1 estágio com transformador de baixa frequência

PV

CC

CC

Rede

CC

CA

Conversor CC-CA

(Inversor)Conversor CC-CC

Filtro

Transformador

Baixa Frequência

Figura 6 - Sistema fotovoltaico de 2 estágios com transformador de baixa frequência

2.2.3.2. Transformador de alta frequência no inversor

Na topologia apresentada na figura 7 utiliza-se um transformador de alta frequência no inversor, sendo

que neste caso há a possibilidade de ter isolamento galvânico usando um transformador com

dimensões e custos mais reduzidos, tendo em conta que as dimensões decrescem decresce

linearmente com o aumento da frequência. Neste caso, tendo o transformador no inversor, há a

vantagem de, relativamente à topologia apresentada na figura 8, apenas se ter grandezas CA.

PV

CC

CA

Rede

CA

CA

Conversor DC-AC

Filtro

Transformador

Alta Frequência

Conversor CA-CA

Figura 7- Sistema fotovoltaico de 2 estágios com transformador de baixa frequência

7 5–10 kg/kW

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_________________________________________________________________________________ 10

2.2.3.3. Transformador de alta frequência no conversor CC-CC

Na topologia apresentada na figura 8 utiliza-se um transformador de alta frequência no conversor CC-

CC, sendo vulgarmente chamado por conversor CC-CC com isolamento galvânico8. Este tipo de

transformador além de permitir isolamento galvânico, permite essencialmente adaptar as grandezas

eléctricas aos seus terminais. Este tipo de conversores são usados quando os seus congéneres, sem

transformador, não têm capacidade de incrementar ou decrementar as grandezas desejadas, no

entanto estes apresentam um rendimento reduzido.

PV

CC

CA

Rede

CA

CC

Conversor CA-CC

(Rectificador)

Filtro

Transformador

Alta Frequência CC

CA

Conversor CC-CA

(Inversor)

Conversor CC-CA

(Inversor)

Figura 8 - Sistema fotovoltaico de 2 estágios com transformador de baixa frequência

De uma forma simplificada, tem-se basicamente um inversor do lado primário do transformador, e um

rectificador no lado secundário do transformador, que em conjunto formam um conversor CC-CC com

isolamento galvânico. O inconveniente directo é que este tipo de topologia é a que apresenta um

rendimento mais baixo pois, adicionalmente, tem um transformador de alta frequência. Tendo em conta

que existem quatro estágios de conversão de energia, o rendimento decresce quando comparado a

topologias com menor número de estágios.

2.2.4. Tipos de filtro na ligação à rede

De modo a filtrar as harmónicas de corrente e tensão superiores à fundamental (frequência de 50Hz)

causadas pela frequência de comutação, os inversores usados em sistemas fotovoltaicos necessitam

de um filtro passa baixo para efectuar a conexão com a rede eléctrica. Neste caso, são considerados

três tipos de topologias de filtros passa-baixo passivos, sendo o filtro L, LC e o filtro LCL, apresentados

seguidamente.

O filtro mais usual para a ligação à rede é composto apenas por uma bobina em série, que permite a

injecção de corrente vinda do inversor, na rede eléctrica, tal como é apresentado na figura 9.

Rede

L

+

vAB

iL

Figura 9 - Filtro composto apenas por uma bobina em série

Este tipo de filtro é um circuito linear de primeira ordem, apresentando uma atenuação de 20dB/década.

Esta topologia necessita que a comutação seja feita a alta frequência, se modo a garantir a atenuação

8 i.e. Flyback Converter, Forward Converter, Push-Pull Converter

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_________________________________________________________________________________ 11

das harmónicas da tensão, e como tal, usa-se em geral inversores de baixa potência, quando os

sistemas são monofásicos. Esta bobina funciona igualmente como um combinador, permitindo separar

a tensão com alta frequência vinda do inversor, da tensão de baixa frequência existente no lado da

rede. A vantagem desta topologia face à topologia de filtro LCL prende-se essencialmente com o seu

custo diminuto, caso a potência a sim o permita.

O filtro LC, apresentado na figura 10 é composto por uma bobina em série e um condensador em

paralelo, sendo neste caso um filtro de segunda ordem. Assim, este filtro apresenta um melhor

comportamento que o anterior, apresentando uma atenuação de 12dB/oitava a partir da sua frequência

de corte, sendo que antes da mesma não apresenta qualquer ganho.

Rede

L

+

vAB C

iL

Figura 10 - Filtro composto apenas por uma bobina em série e um condensador em paralelo

À frequência de ressonância, este filtro apresenta um pico. O comportamento de um filtro deste tipo

prende-se essencialmente com os valores da capacidade do condensador e do coeficiente de

autoindução da bobina usados.

Como o nome indica, o filtro LCL, apresentado na figura 11, é composto por duas bobinas em série e

por um condensador em paralelo, sendo que a sua função é a mesma que os anteriores, mas o circuito

é agora de terceira ordem. Apresenta uma atenuação maior das harmónicas, tendo uma atenuação de

60dB/década para as frequências acima da frequência de ressonância, e uma atenuação de

20dB/década abaixo da frequência de ressonância, permitindo desta forma que a comutação do

inversor seja feita com frequências mais reduzidas, sendo que o uso deste filtro resulta num melhor

desempenho do sistema [1].

Rede

L1

+

vAB C

L2

iL1 iL2

Figura 11 - Filtro composto apenas por duas bobinas em série e um condensador em paralelo

Além disso, este filtro permite um melhor desacoplamento entre a impedância do inversor e da rede.

Um dos parâmetros a ter atenção aquando do dimensionamento deste filtro, é a frequência de corte do

mesmo, sendo que essa frequência deve ser dimensionada tendo em conta aproximadamente metade

da frequência de comutação do inversor, de modo a que o filtro tenha atenuação suficiente dentro do

intervalo de comutação.

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No entanto, apesar dos aspectos vantajosos enumerados anteriormente, o facto de se usarem mais

componentes neste filtro, há um aumento directo no custo final, limitando em parte a utilização deste

tipo de filtro a sistemas de potências muito elevadas.

2.3. Tipos de Conversores CC-CA

O conversor CC-CA usado na topologia de dois estágios, não é nada mais do que um inversor, sem

qualquer andar interno de conversão de energia tendo em vista o aumento ou diminuição de tensão.

Os inversores são responsáveis por converter as grandezas eléctricas contínuas, em grandezas

eléctricas alternadas, tendo como objectivo, tal como já foi referido anteriormente, permitir injectar

energia proveniente dos painéis fotovoltaicos e consecutivamente do conversor CC-CC, na rede ou

numa carga definida num sistema isolado da rede elétrica.

Num sistema fotovoltaico os inversores representam entre 5 a 10% do custo total de um sistema

fotovoltaico comercial com ligação à rede eléctrica, e cerca de 15 a 25% do custo total de um sistema

fotovoltaico residencial, isolado da rede [2]. Como tal há a necessidade de construir um inversor que

exerça a sua função adequadamente, mas que possibilite manter o custo reduzido.

Atendendo à forma de como é feita a comutação dos semicondutores, os inversores podem ser

divididos primordialmente em dois grupos. Os primeiros a surgir, foram os inversores comutados pela

rede9, sendo que para tal, os semicondutores usados são os tirístores, dispositivos estes que têm a

particularidade de apenas poderem ser comandados à condução, não sendo possível comandá-los ao

corte, sendo por isso denominados de semicondutores semicomandados. De modo a comandar os

tirístores ao corte, a corrente deve-se anular, sendo que para que isso seja possível, há a intervenção

directa da tensão da rede e daí foi criada a denominação para este tipo de inversores. O problema

deste tipo de inversores deve-se essencialmente à elevada taxa de distorção harmónica10, fruto directo

da potência reactiva que o mesmo necessita.

Tendo em conta estes inconvenientes, e sabendo que começavam a existir cada vez mais

semicondutores totalmente controlados, surgiu o segundo tipo de inversores, denominados de

inversores totalmente comutados11. Este tipo de inversor usa dispositivos totalmente comutados, ou

seja, tanto permitem ser comandados à condução como ao corte. A lista de dispositivos a serem

empregues neste tipo de inversor é extensa, sendo que os mesmos apresentam uma elevada

diversidade, tendo em conta os intervalos de frequência de comutação, que pode ir de poucos MHz até

GHz, o intervalo de potência que os mesmos suportam. Os dispositivos mais usuais são os MOSFET12,

9 Line-Commutated Inverters 10 Total Harmonic Distortion (THD) 11 Self-Commutated Inverters 12 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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_________________________________________________________________________________ 13

IGBT13, GTO14, JFET15 BJT16, MESFET17, entre outros que vão surgindo. A desvantagem directa da

operação a alta frequência, resume-se essencialmente ao facto de poder haver problemas

electromagnéticos. A vantagem principal dos inversores totalmente comutados relaciona-se com o seu

baixo conteúdo harmónico, devido ao facto de operarem a alta frequência. Permitem ainda que se

controle totalmente as formas de onda da tensão e corrente no lado CA permitindo reduzir a distorção

e consequentemente, minimizando a desfasagem entre ambas o que permite incrementar

drasticamente o factor de potência para valores perto da unidade.

No que respeita ao estado da arte dos inversores totalmente comutados ligados à sabe-se que estes

apresentam geralmente rendimentos da ordem de 95%. Caso se usem materiais mais nobres como

nas topologias mais optimizadas, usando semicondutores baseados em carboneto de silício18, o

rendimento do inversor chega a ser maior que 99% [3]. No entanto, apesar do rendimento ser um

aspecto importante, não se devem descurar as restantes características tais como a rentabilidade, a

fácil manutenção, pouco ruído, pouco peso, simplicidade e compatibilidades electromagnéticas.

2.4. Topologias de inversores

Nesta secção serão apresentadas as diversas topologias mais predominantes de inversores

monofásicos, dando especial enfâse em topologias recentes totalmente comutadas, usando

dispositivos totalmente controlados, que já tenham aplicabilidade no mercado.

2.4.1. Inversor em Meia Ponte

O inversor em meia ponte é o inversor mais simples e o que apresenta, naturalmente, um custo mais

reduzido. A desvantagem deste inversor prende-se com o facto de, apenas apresentar dois níveis de

tensão, e não obstante, as tensões variam entre +VC / 2 e -VC / 2, ou seja, a tensão à saída deste

inversor é metade da tensão à saída dos restantes inversores, tais como o inversor em ponte-completa,

NPC19, push-pull, entre outros.

Como enunciado anteriormente, este tipo de inversor não tem a particularidade de ter um estágio de

roda-livre, o que inviabiliza o uso de um terceiro nível de tensão na sua modulação. Como tal, este

inversor é usado acima de tudo em aplicações de baixa potência.

À semelhança do inversor NPC, este inversor também tem os díodos ligados ao ponto de neutro.

Apresenta assim a capacidade de eliminar as correntes de fuga para o caso de serem efectuadas

ligações directas aos painéis fotovoltaicos sem qualquer estágio intermédio de conversão CC-CC, pois

13 Insulated Gate Bipolar Transistor 14 Gate turn-off Thyristor 15 Junction Gate field-effect Transistor 16 Bipolar Junction Transistor 17 Metal-Semiconductor Field Effect Transistor 18 Silicon Carbide (SiC) 19 Neutral point diode clamped inverter

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_________________________________________________________________________________ 14

possibilita a ligação ao à massa do arranjo de painéis fotovoltaicos. O esquema deste inversor é

apresentado na figura 12.

T1

T2

C +

C -

D1

D2

VC

2

VC

2

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC Fil

tro

Red

eN

Figura 12 – Inversor em Meia Ponte

Os dois condensadores onde a tensão é VC / 2, têm que ter uma elevada capacidade energética, para

permitir produzir o ponto neutro N.

De seguida mostra-se na figura 13 os modos de operação deste circuito, tanto para o seu ciclo positivo

como ciclo negativo de PWM.

T1

T2

C +

C -

D1

D2

VC

2

VC

2

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC Fil

tro

Red

e

T1

T2

C +

C -

D1

D2

VC

2

VC

2

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC Fil

tro

Rede

a) b)

N N

Figura 13 - Operação do inversor de meia ponte nos ciclos positivo e negativo de PWM

No ciclo de operação positivo, representado no esquema a), o semicondutor T2 é comandado ao corte

e o semicondutor T1 é comandado à condução, permitindo desta forma obter tensão positiva. No caso

do esquema b), representando o ciclo de operação negativo, o semicondutor T1 é comandado ao corte

e o T2 comandado à condução, permitindo desta forma obter tensão negativa.

Caso ambos os semicondutores sejam comandados ao corte, a tensão à saída poderá ser definida

tanto por +VC / 2 como por -VC / 2, dependendo da corrente imediatamente anterior à abertura dos dois

semicondutores. Caso dos dois semicondutores sejam comandados à condução ao mesmo tempo, é

feito um curto-circuito à fonte, pelo que este estado nunca deve ser considerado.

2.4.2. Inversor NPC

O inversor NPC, apresentado na figura 14, também conhecido como inversor em meia ponte a três

níveis [4], é baseado no inversor em meia ponte, apresentando neste caso semicondutores adicionais

que permitem ter mais níveis de tensão. A tensão de saída a três níveis, tem um valor de distorção

harmónica que é metade do valor de distorção harmónica da topologia anterior. As desvantagens deste

conversor consistem no facto de necessitar de mais componentes, conduzindo a maiores perdas, e na

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_________________________________________________________________________________ 15

dificuldade de conseguir equalizar a tensão nos dois condensadores. Além disso, os díodos de ligação

ao ponto neutro devem suportar uma corrente que é igual à corrente que flui pela carga, sendo que

também devem ser de comutação rápida, o que influencia directamente o seu custo.

T2

T3

C +

C -

D2

D3

VC

2

VC

2

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

Fil

tro

Red

e

T1

D1

T4

D4

D5

D6

Figura 14 - Inversor NPC

No tipo de topologias diode clamped, e à semelhança do inversor de meia ponte, são usados

condensadores em cascata que actuam como fontes de corrente contínua, tendo díodos ligados ao seu

ponto intermédio de modo a criar o ponto neutro do circuito. Este tipo de topologia pode ainda ser

estendido para quatro ou cinco níveis, no entanto a estrutura de três níveis é a mais usada para

aplicações em média tensão [5].

De seguida pode ver-se o modo de operação deste inversor durante os ciclos positivo e negativo de

PWM, apresentados na figura 15.

T2

T3

C +

C -

D2

D3

VC

2

VC

2

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

Fil

tro

Red

e

T1

D1

T4

D4

N

T2

T3

C +

C -

D2

D3

VC

2

VC

2

Fil

tro

Red

e

T1

D1

T4

D4

N

T2

T3

C +

C -

D2

D3

VC

2

VC

2

Fil

tro

Red

e

T1

D1

T4

D4

N

D5

D6

D5

D6

D5

D6

a) b) c)

Figura 15 - Operação do inversor NPC nos ciclos positivo e negativo de PWM

No ciclo de operação positivo, demonstrado em a), os semicondutores T1 e T2 são comandados à

condução, sendo T3 e T4 comandados ao corte, obtendo a forma a tensão na saída igual a +VC / 2.

Relativamente ciclo de operação negativo demonstrado em b), os semicondutores T1 e T2 são

comandados ao corte, enquanto que T3 e T4 são comandados à condução, permitindo obter desta forma

a tensão na saída igual a -VC / 2. Na fase representada em c), denominada de fase de roda-livre, os

semicondutores T2 e T3 são comandados à condução, sendo que T1 e T4 são comandados ao corte,

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_________________________________________________________________________________ 16

fechando-se desta forma o circuito de roda-livre pelos díodos D5 e D6, permitindo obter desta forma a

tensão nula na saída do inversor.

2.4.3. Inversor de Ponte-Completa20

O inversor em ponte-completa monofásico constitui uma evolução do inversor de meia-ponte, a

topologia base dos inversores de ponte-completa modificados nas suas mais diversas topologias.

Permite ter uma grande versatilidade, pelo que é utilizado intensivamente pela indústria, pois permite

fazer o que é pretendido sem apresentar uma grande complexidade, permitindo ter melhor

aproveitamento que os inversores de meia ponte.

Este inversor também pode ser denominado de inversor H4, pois os dois braços do inversor de ponte-

completa formam um H, e os mesmos têm quatro semicondutores no total. Algumas das variantes deste

inversor, têm por base esta denominação, apresentando diferenças quanto ao número de

semicondutores e a forma de os ligar, sendo as mesmas apresentadas mais adiante nesta secção. O

esquema deste inversor é apresentado na figura 16.

C

T1 T2

T3T4

D2

D3

VC

D1

D4

vAB

A

B

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC Fil

tro

Red

e

Figura 16 – Inversor de Ponte-Completa

Comparando com o inversor de meia ponte, este inversor apresenta a desvantagem de ter dois

semicondutores à condução em cada fase de operação, e como tal as perdas de condução serão

maiores. Além disso, a tensão a que os semicondutores são submetidos aquando do seu corte, é no

máximo VC, havendo a necessidade de usar semicondutores robustos.

Por outro lado, a vantagem desta topologia relativamente à topologia de meia-ponte, passa pelo facto

de à saída se poder ter tensões a variar entre –VC e +VC, que é o dobro das tensões à saída do inversor

de meia ponte.

Como se evidencia na figura 17, este tipo de inversor tem, em cada ciclo de operação, duas abordagens

possíveis. De uma forma geral não há diferenças ao usar a fase b) ou a fase c), no que respeita à

realização de tensão nula entre os pontos A e B: através de ligação conseguinte dos semicondutores

T1 e D2 b) ou T3 e D4 c).

20 Inversor H4

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_________________________________________________________________________________ 17

Na figura 17 apresenta-se o modo de operação do inversor durante o seu ciclo positivo de PWM.

CVC

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

vAB

A

B

Red

e

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

vAB

A

B

Red

e

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

vAB

A

B

Red

e

a) b) c)

Figura 17 - Operação do inversor ponte-completa no ciclo positivo de PWM

Durante este ciclo de operação as tensões variam entre +VC e zero, sabendo à priori que se usa uma

modulação de largura de impulso de três níveis, que permite ter uma onda mais próxima da sinusóide

que se pretende à saída, e como tal apresentando melhor taxa de distorção harmónica.

Quando os semicondutores T2 e T4 são comandados ao corte, e o semicondutor T1 fica à condução

durante todo o ciclo, sendo que durante a fase a) o semicondutor T3 é comandado à condução,

permitindo desta forma que a corrente circule do conversor CC-CC para a rede eléctrica, sendo obtida

a tensão vAB = +VC. Na fase b), sendo esta a uma das fases de roda-livre do circuito, o semicondutor

T3 é comandado ao corte e como tal o circuito de roda-livre fecha-se pelo semicondutor T1 e pelo díodo

D2, obtendo desta forma a tensão vAB = 0. Nesta fase a tensão VC fica aplicada ao equivalente paralelo

de T3 e T4.

Na segunda abordagem o semicondutor T3 fica sempre activo, e o semicondutor T1 é que é comandado

durante as fases, apresentando o mesmo modo de funcionamento da fase a) anteriormente descrita na

primeira abordagem. Relativamente à fase c), o semicondutor T1 é comandado ao corte e como tal o

circuito de roda-livre fecha-se pelo semicondutor T3 e pelo díodo D4, obtendo-se mais uma vez a tensão

vAB nula. Neste caso a tensão VC fica aplicada ao equivalente paralelo de T1 e T2.

Para o ciclo de operação negativo, apresentado na figura 18, os fundamentos são semelhantes aos do

ciclo positivo, variando apenas os semicondutores que devem estar activos, de modo a obter o intervalo

de tensões vAB entre -VC e zero. À semelhança do ciclo positivo, neste caso também se podem ter duas

abordagens distintas, mas com o mesmo fim.

CVC

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

vAB

A

B

Red

e

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

vAB

A

B

Red

e

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

vAB

A

B

Red

e

a) b) c)

Figura 18 - Operação do inversor ponte-completa no ciclo negativo de PWM

Page 38: Inversor Monofásico para Painéis Fotovoltaicos com Controlo de Tensão e de … · Funcionamento em Regime Permanente.....37 3.3 Dimensionamento do Inversor ... Inversor de Ponte-Completa

_________________________________________________________________________________ 18

Ou seja, numa primeira abordagem, tem-se os semicondutores T1 e T3 ao corte durante todo o ciclo, e

o semicondutor T2 sempre activo. O semicondutor T4 será comandado dependendo da fase de

operação, estando à condução durante a fase a), permitindo, juntamente com o semicondutor T2, obter

a tensão vAB = -VC. Na fase b), o semicondutor T4 é comandado ao corte, formando-se o circuito de

roda-livre através do semicondutor T2 juntamente com o díodo D1, obtendo a tensão vAB = 0.

Na segunda abordagem a fase a) apenas difere pelo facto do semicondutor T4 ser o que está sempre

activo e o T2 é que é comandado. Quando se passa para a fase c) há a necessidade de levar o

semicondutor T2 ao corte de modo a que o circuito de roda-livre se possa fechar pelo semicondutor T4

e díodo D3. À semelhança do ciclo positivo, na fase b) a tensão VC fica aplicada ao equivalente paralelo

de T3 e T4, e na fase c) fica aplicada ao equivalente paralelo de T1 e T2.

2.4.4. Inversores derivados do Inversor de Ponte-Completa

Partindo do inversor de ponte-completa, sendo a topologia mais usual, a comunidade procurou

melhorar o mesmo. Apresenta-se de seguida cinco das topologias mais proeminentes na literatura com

aplicabilidade prática no mercado, que têm por base o inversor de ponte-completa.

2.4.4.1. Inversor HERIC

O inversor HERIC21 consiste numa topologia de inversor em ponte-completa, juntamente com um

circuito para efectuar desacoplamento CA. O desacoplamento resulta da adição de dois

semicondutores ligados com sentidos opostos entre si, estando em paralelo com a saída do circuito

inversor de ponte-completa e com o filtro de saída, como se evidencia na figura 19.

C

T1 T2

T3T4

D2

D3

VC

D1

D4

vAB

A

B

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

Fil

tro

Red

e

D5

D6

T6

T5

Figura 19 - Inversor HERIC

Este circuito, tendo semicondutores T5 e T6 aliados aos díodos D5 e D6, cria um caminho alternativo

que permite, durante as etapas de roda-livre do inversor, o não retorno da corrente para o conversor

CC-CC havendo assim um desacoplamento CA. Estes semicondutores permitem implementar as

etapas de roda-livre do inversor, eliminando desta forma a energia reactiva e diminuindo as correntes

de fuga no caso de ligação directa aos painéis fotovoltaicos.

As desvantagens desta topologia devem-se ao uso de mais semicondutores que a topologia em ponte-

completa convencional. A vantagem prende-se com o facto de apresentar um desacoplamento CA que

permite isolar a rede do inversor, eliminando eventuais correntes indesejadas a percorrer o circuito e

21 Highly Efficient Reliable Inverter Concept

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_________________________________________________________________________________ 19

melhorando o rendimento. Esta topologia é actualmente usada pela empresa Sunways, na sua linha

de inversores NT-series [6].

Na figura 20 pode ver-se o modo de operação deste inversor durante o seu ciclo positivo de PWM.

C

T1 T2

T3T4

D2

D3

VC

D1

D4

vAB

A

B

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

Fil

tro

Red

e

D5

D6

T6

T5

C

T1 T2

T3T4

D2

D3

VC

D1

D4

vAB

A

B

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

Fil

tro

Red

e

D5

D6

T6

T5

Figura 20 - Operação do inversor HERIC no ciclo positivo de PWM

Neste ciclo de operação, o intervalo de tensões de vAB varia entre +VC e zero, sendo que o PWM, numa

primeira fase, comanda os semicondutores T1 e T3 à condução, para tensão vAB = +VC, onde a corrente

circula do conversor CC-CC para a rede. Nesta fase os semicondutores T2 e T4 estão sempre ao corte.

Numa segunda fase os semicondutores T1 e T3 são comandados ao corte para vAB = 0, sendo que a

corrente circula pelo circuito de roda-livre composto pelo semicondutor T6 e o díodo D5. Nesta fase de

roda-livre a tensão VC é aplicada na impedância série formada pelo equivalente paralelo de T1-T2 e do

equivalente paralelo T3-T4, tendo como tal a tensão vAB = 0. Durante todo este ciclo de operação, o

semicondutor T5 permanece à condução, comandado pela baixa frequência, sendo que o semicondutor

T6 fica sempre ao corte.

No ciclo de operação negativo, apresentado na figura 21, o intervalo de tensões de vAB varia entre -VC

e zero, sendo que o semicondutor T5 fica sempre à condução, comandado em baixa frequência. Nesta

primeira fase o PWM comanda os semicondutores T2 e T4 à condução, enquanto que os

semicondutores T1, T3 e T6 permanecem ao corte, isto para obter a tensão vAB = -VC.

C

T1 T2

T3T4

D2

D3

VC

D1

D4

vAB

A

B

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

Fil

tro

Red

e

D5

D6

T6

T5

C

T1 T2

T3T4

D2

D3

VC

D1

D4

vAB

A

B

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

Fil

tro

Red

e

D5

D6

T6

T5

Figura 21 - Operação do inversor HERIC no ciclo negativo de PWM

Na segunda fase, de roda-livre, os semicondutores T2 e T4 são comandados ao corte para vAB = 0,

sendo que a corrente circula pelo circuito de roda-livre composto pelo semicondutor T5 e o díodo D6.À

semelhança do ciclo positivo, nesta fase a tensão VC é aplicada às mesmas impedâncias série, de

modo a obter a tensão vAB = 0.

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_________________________________________________________________________________ 20

2.4.4.2. Inversor H5

O inversor H5, apresentado no esquema da figura 22, é uma topologia de inversor que consiste numa

topologia de inversor em ponte-completa, complementada por um quinto semicondutor existente entre

o barramento CC e o circuito em ponte-completa. O nome deste inversor deriva desse quinto

semicondutor auxiliar, que tem a finalidade de efectuar o desacoplamento eléctrico entre o andar CC

do sistema fotovoltaico e a rede eléctrica, evitando desta forma as correntes de fuga.

CVC

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

Red

e

Figura 22 - Inversor H5

A desvantagem desta topologia prende-se com o facto de apresentar mais perdas por condução, tendo

em conta que na sua fase activa, onde entrega potência à rede, o mesmo necessita de ter três

semicondutores ligados, fazendo com que as perdas de condução aumentem. Esta topologia é usada

pela empresa SMA, na sua linha de inversores Sunny Mini Central series e na linha SunnyBoy TL

series22 [6].

De seguida pode-se ver o modo de operação deste inversor durante o seu ciclo positivo de PWM,

evidenciado pelas duas fases de operação da figura 23.

CVC

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

Red

e CVC

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

Red

e

a) b)

Figura 23 - Operação do inversor H5 no ciclo positivo de PWM

Tal como os inversores anteriores, neste ciclo de operação, o intervalo de tensões varia entre +VC e

zero, tendo em conta que se usa um PWM de três níveis. Dentro deste ciclo de operação, poderia haver

dois tipos de abordagem, uma tendo em conta as duas fases de operação demonstradas na figura 23,

bem como uma terceira fase de roda-livre, que faria a mesma função que a fase b), sendo que neste

caso o semicondutor T3 ficava à condução e o semicondutor T1 ao corte, e como tal o circuito de roda-

livre ficava garantido pelo semicondutor T3 e díodo D4. No entanto, esta terceira fase não deve ser

22 Para sistemas fotovoltaicos acima de 3,2 kW

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_________________________________________________________________________________ 21

considerada, pois o desacoplamento CC apenas é efectuado no braço superior através do

semicondutor T5, e como tal, caso se usasse uma terceira fase onde o circuito de roda-livre fosse

fechado pelo braço inferior, já não haveria desacoplamento CC e assim sendo, o intuído principal deste

conversor, de permitir desacoplamento, não era plenamente usado.

Neste ciclo de operação, os semicondutores T2 e T4 são comandados ao corte, sendo o comando PWM

responsável por comandar simultaneamente os semicondutores T3 e T5, sendo que o semicondutor T1

fica activo durante todo o ciclo. Durante a fase a) os semicondutores T3 e T5 são comandados à

condução, que juntamente com o semicondutor T1 a conduzir, permitem que a corrente circule do

conversor CC-CC para a rede eléctrica, sendo neste caso a tensão vAB = +VC. Na fase b), sendo esta

uma fase de roda-livre, os semicondutores T3 e T5 são comandados ao corte, e a corrente circula pelo

semicondutor T1 e pelo díodo D2, sendo que neste caso a tensão VC fica aplicada ao equivalente

paralelo dos semicondutores T3 e T4, e ao semicondutor T5.

No caso do ciclo de operação negativo, o intervalo de tensões de vAB varia, naturalmente, entre -VC e

zero. Tal como no ciclo de operação positivo, este ciclo negativo também tem duas fases, a) e b),

demonstradas de seguida na figura 24.

CVC

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

Red

e CVC

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

Red

e

a) b)

Figura 24 - Operação do inversor H5 no ciclo negativo de PWM

Neste ciclo de operação, o que acontece é exactamente o contrário que acontece no ciclo positivo, ou

seja, na fase a) os semicondutores T4 e T5 são comandados à condução, que juntamente com o T2, que

estará sempre a conduzir, permite que vAB = -VC. Na fase b) os semicondutores T4 e T5 são comandados

ao corte, e tendo em conta que esta é uma fase de roda-livre, a corrente circula pelo semicondutor T2

e pelo díodo D1, e como tal a tensão VC fica aplicada ao semicondutor T5 e consequentemente ao

equivalente paralelo de T3 e T4.

Desta forma, usando estes ciclos de operação apenas com estas duas fases de comutação, o objetivo

principal deste inversor, tendo o quinto semicondutor para fazer o desacoplamento eléctrico, é

garantido.

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_________________________________________________________________________________ 22

2.4.4.3. Inversor H6

O inversor H6, apresentado na figura 25, é uma topologia de inversor que deriva directamente do

inversor H5, sendo que além do quinto semicondutor no braço superior, existe um sexto semicondutor

também no braço inferior entre o barramento CC e o circuito de ponte-completa, e ambos são

responsáveis por realizar o desacoplamento CC na fase de roda-livre do circuito.

CVC

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

T6

D6

Red

e

Figura 25 - Inversor H6

A desvantagem deste inversor face aos demais, mais particularmente ao inversor H5, é o facto de

apresentar mais perdas por condução, pois na sua fase activa há quatro semicondutores ligados, por

onde a corrente tem que passar, fazendo com que as perdas de condução aumentem. A vantagem

desta topologia face à H5 é que uma vez tendo um semicondutor no braço inferior, faz com que seja

possível ter a fase de roda-livre com desacoplamento CC, tanto nos semicondutores superiores como

nos semicondutores inferiores, podendo neste caso haver três fases de comutação para cada ciclo de

PWM.

Na figura 26 pode-se ver esse mesmo modo de operação para o inversor H6, mais concretamente para

o ciclo positivo de PWM, evidenciando as três fases de operação do mesmo.

T6

D6

CVC

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

Red

e

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

Red

e

T6

D6

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

Red

e

T6

D6a) b) c)

Figura 26 - Operação do inversor H6 no ciclo positivo de PWM

À semelhança dos inversores anteriores, neste ciclo de operação, o intervalo de tensões varia entre

+VC e zero, tendo em conta um PWM de três níveis. Dentro deste ciclo de operação, e tendo em conta

que há dois semicondutores de desacoplamento CC (T5 e T6), há dois tipos de abordagem que pode

ser usada, uma tendo em conta as fases de operação a) e b), e outra tendo em conta as fases a) e c).

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_________________________________________________________________________________ 23

Na primeira abordagem os semicondutores T2 e T4 são comandados ao corte, sendo o comando PWM

responsável por comandar simultaneamente os semicondutores T3, T5 e T6, sendo que o semicondutor

T1 fica activo durante todo o ciclo. Durante a fase a) os semicondutores T3, T5 e T6 são comandados à

condução, que juntamente com o semicondutor T1 a conduzir, permitem que a corrente circule do

conversor CC-CC para a rede eléctrica, sendo neste caso a tensão vAB = +VC. Na fase b), sendo esta

uma fase de roda-livre, os semicondutores T3, T5 e T6 são comandados ao corte, e a corrente circula

pelo semicondutor T1 e pelo díodo D2, sendo que neste caso a tensão VC fica aplicada ao equivalente

série-paralelo dos semicondutores T3, T4 e T6, e ao semicondutor T5.

Na segunda abordagem a fase os semicondutores T2 e T4 são igualmente comandados ao corte, sendo

neste caso o comando PWM é responsável por comandar simultaneamente os semicondutores T1, T5

e T6, sendo que nesta abordagem o semicondutor T3 fica activo durante todo o ciclo. Durante a fase a)

a entrega de potência à rede faz-se da mesma forma que anteriormente descrito, havendo apenas a

diferença de que o semicondutor T1 é que é comandado à condução, e o T3 está sempre a conduzir.

Na fase c), igualmente de roda-livre tal como a b), os semicondutores T1, T5 e T6 são comandados ao

corte, e a corrente circula pelo semicondutor T3 e díodo D4, sendo que neste caso a tensão VC fica

aplicada ao equivalente série-paralelo dos semicondutores T1, T2 e T5, bem como ao semicondutor T6.

No caso do ciclo de operação negativo da figura 27, e tal como se vem observando anteriormente, o

intervalo de tensões de vAB varia entre -VC e zero. Tal como no ciclo de operação positivo, neste ciclo

também pode ter dois tipos de abordagem, uma usando a fase a) e b) e a outra usando a fase a) e c).

CVC

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

Red

e

T6

D6

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

Red

e

T6

D6

T1 T2

T3T4 Fil

tro

D2

D3

D1

D4

T5

D5

vAB

A

B

Red

eT6

D6a) b) c)

Figura 27 - Operação do inversor H6 no ciclo negativo de PWM

Nestas abordagens, o que acontece é exactamente o contrário que acontece no ciclo positivo, ou seja,

relativamente à primeira abordagem, na fase a) os semicondutores T4, T5 e T6 são comandados à

condução, que juntamente com o T2 que estará sempre a conduzir, permite que vAB = -VC. Na fase b)

os semicondutores T4, T5 e T6 são comandados ao corte, e tendo em conta que esta é uma fase de

roda-livre, a corrente circula pelo semicondutor T2 e pelo díodo D1, e como tal a tensão VC fica aplicada

ao semicondutor T5 e ao equivalente série-paralelo dos semicondutores T3, T4 e T6.

Na segunda abordagem, na fase a) o semicondutor T4 estará sempre a conduzir, e os semicondutores

T2, T5 e T6 serão comandados à condução. Na fase c) estes semicondutores serão comandados ao

corte, e como tal a corrente de roda-livre irá fluir pelo semicondutor T4 e pelo díodo D3, definindo neste

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_________________________________________________________________________________ 24

caso vAB = 0, e evitando que haja retorno da corrente para o conversor CC-CC. Nesta fase a tensão VC

fica aplicada ao semicondutor T6 e ao equivalente série-paralelo dos semicondutores T1, T2 e T5.

2.4.5. Inversor Push-Pull

Na topologia de inversor push-pull da figura 28 o sinal de saída é aproximadamente rectangular, tendo

em conta que os semicondutores conduzem de forma alternada, sendo que este tipo de inversor recorre

ao uso de um transformador, tendo este um ponto médio no seu primário, com as extremidades ligadas

a cada um dos semicondutores. Como tal é uma carga que é eletricamente isolada da fonte de tensão.

C

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

VC

T1 T2

D2D1

n : 1

n : 1

Fil

tro

Red

e

iO

vO

iC

Figura 28 - Inversor Push-Pull

Neste inversor, só há basicamente dois estágios de funcionamento, sendo os mesmos definidos por

qual dos semicondutores é que conduz e qual está ao corte. De seguida são apresentados os dois

estágios de funcionamento nas figuras 29 e 30, definindo assim os ciclos positivo e negativo de PWM.

Assume-se previamente que iO tem um fluxo contínuo, e como tal pode-se afirmar que no ciclo positivo,

o semicondutor que está à condução é o T1, e como tal o semicondutor T2 está ao corte, sendo que

neste caso o semicondutor T1 conduz para um valor positivo de iO e o díodo D1 conduz para um valor

negativo de iO, dependendo do sentido desta corrente.

C

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

VC

T1 T2

D2D1

n : 1

n : 1

Fil

tro

Red

e

iO

vO

iC

Figura 29 - Operação do inversor push-pull no ciclo positivo de PWM

No entanto, independentemente do sentido da corrente iO, no secundário do transformador tem-se a

tensão vO = +VC / n, sendo que n representa a relação de número de espiras entre o primário e o

secundário do transformador.

Para o ciclo negativo de PWM, o semicondutor que está à condução é o T2, tendo como tal o T1 ao

corte, sendo que neste caso o semicondutor T2 conduz para um valor negativo de iO e o díodo D1 conduz

para um valor positivo de iO, dependendo uma vez mais do sentido desta corrente.

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_________________________________________________________________________________ 25

C

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

VC

T1 T2

D2D1

n : 1

n : 1

Fil

tro

Red

e

iO

vO

iC

Figura 30 - Operação do inversor push-pull no ciclo negativo de PWM

Assim sendo, mais uma vez independentemente do sentido da corrente iO, tem-se a tensão no

secundário do transformador vO = -VC / n.

As desvantagens deste inversor prendem-se com o facto de ter um custo mais elevado pela presença

intrínseca de um transformador, o que por outro lado é uma mais-valia pois já fornece isolamento

galvânico. Além disso este conversor pode ter problemas de simetria dos impulsos, pelo facto de ter

dois enrolamentos no primário, sendo que tende também a apresentar ruído.

2.4.6. Inversor Flying Inductor (Karschny)

A topologia de inversor flying inductor, também denominada por inversor Karschny, derivado do nome

do seu inventor [7], é um tipo de topologia que consiste num circuito buck-boost juntamente com o

circuito inversor, necessitando desta forma de semicondutores adicionais relativamente às restantes

topologias, para permitir que a corrente flua pelo circuito. Além disso, também é constituído por uma

bobina de elevada capacidade de modo a permitir armazenar toda a energia necessária para o estágio

de conversão CC-CC. O esquema deste inversor é apresentado na figura 31.

C

T1

T2

VC

D1

D2

T4

T5T3

D3

C

D7

D6D4

D5Painéis

Fotovoltaicos

Fil

tro

Red

e

L

Figura 31 - Inversor Flying Inductor

A vantagem deste tipo de inversor relativamente aos demais enunciados anteriormente, prende-se com

o facto de já ter um estágio interno de conversão CC-CC. Além disso, este conversor apresenta a

vantagem de que o terminal negativo dos painéis fotovoltaicos poder ligado directamente ao ground da

rede, fazendo com que as flutuações de tensão indesejadas sejam drasticamente reduzidas. No

entanto, ao ter este estágio de conversão, faz com que se usem muitos componentes, reduzindo desta

forma o rendimento global do conversor, aumentando igualmente o seu custo e tamanho. Este tipo de

inversor é actualmente usado pela Siemens na sua série de inversores Sitop Solar [6].

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_________________________________________________________________________________ 26

Este tipo de inversor pode operar em três tipos de configurações, sendo que cada uma define um nível

de tensão à saída do inversor.

No caso do ciclo de operação positivo de PWM apresentado na figura 32, tendo em conta que este

conversor tem um andar buck-boost, há dois modos de operação possíveis, um para quando a tensão

dos painéis é superior à tensão da rede, operando no modo buck, e outro para quando a tensão da

rede é superior à dos painéis, operando no modo boost.

C

T1

T2

VC

D1

D2

T4

T5T3

D3

C

D7

D6D4

D5Painéis

Fotovoltaicos

Fil

tro

Red

e

L C

T1

T2

VC

D1

D2

T4

T5T3

D3

C

D7

D6D4

D5

Fil

tro

Red

e

L

a) b)

Figura 32 - Operação do inversor flying inductor no ciclo positivo de PWM para o modo buck

Neste primeiro ciclo positivo de PWM, descriminado na figura 32, o conversor opera no modo buck, ou

seja, redutor de tensão, pelo que a tensão nos painéis fotovoltaicos é superior à da rede eléctrica. Neste

caso, os semicondutores T2 e T4 estão sempre ao corte e os semicondutores T3 e T5 estão sempre à

condução. Por sua vez, o semicondutor T1, que é responsável pelo andar CC-CC de conversão, é

controlado por um determinado factor de ciclo consoante a tensão que se deseje, sendo que quando o

mesmo estiver ao corte, o circuito de roda-livre fecha-se pelo díodo D6, representado em b).

Para o caso do ciclo positivo de PWM da figura 33, tendo o conversor a operar no modo boost, ou seja,

ampliador de tensão, onde a rede tem tensão superior à dos painéis fotovoltaicos, os semicondutores

T3 e T5 estão sempre à condução, sendo que o semicondutor T4 está sempre ao corte.

C

T1

T2

VC

D1

D2

T4

T5T3

D3

C

D7

D6D4

D5Painéis

Fotovoltaicos

Fil

tro

Red

e

L C

T1

T2

VC

D1

D2

T4

T5T3

D3

C

D7

D6D4

D5

Fil

tro

Red

e

L

a) b)

Figura 33 - Operação do inversor flying inductor no ciclo positivo de PWM para o modo boost

Neste caso tanto o semicondutor T1 como o semicondutor T2 são comandados simultaneamente, pelo

factor de ciclo definido para a parte de conversão CC-CC, sendo que no estágio a), com ambos a

conduzir, dá-se o carregamento da bobina L, enquanto que o condensador C descarrega a energia para

a rede. No estágio b), os semicondutores T1 e T2 são comandados ao corte, sendo que o circuito de

roda-livre se fecha mais uma vez pelo díodo D6, descarregando a energia da bobina para a saída.

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_________________________________________________________________________________ 27

Relativamente ao ciclo negativo de PWM apresentado na figura 34, o conversor funciona

permanentemente no modo de buck-boost, sendo que o factor de ciclo do semicondutor T1 é que define

se funciona como ampliador ou redutor de tensão.

C

T1

T2

VC

D1

D2

T4

T5T3

D3

C

D7

D6D4

D5Painéis

Fotovoltaicos

Fil

tro

Red

e

L VC

a) b)

C

T1

T2

VC

D1

D2

T4

T5T3

D3

C

D7

D6D4

D5

Fil

tro

Red

e

L

Figura 34 - Operação do inversor flying inductor no ciclo negativo de PWM para o modo buck-boost

Neste modo de operação, os semicondutores T2 e T4 estão constantemente à condução e os

semicondutores T3 e T5 estão sempre ao corte. No estágio de conversão a), com o semicondutor T1 à

condução, a bobina L é carregada, enquanto que o condensador C descarrega para a saída. No estágio

b) o semicondutor T1 é comandado ao corte, o que leva a que o circuito de roda-livre se feche pelo

díodo D6, descarregando desta forma a energia da bobina L para a saída.

2.5. Métodos de controlo e modulação do inversor

Considera-se a existência de dois processos de controlo divididos em controlo em modo de corrente e

controlo em modo de tensão. No primeiro caso, a corrente que se pretende obter é dada como

referência e os semicondutores são comandados de modo a variar a tensão de saída, até que se

obtenha uma forma de onda da corrente igual à de referência. No caso do controlo em modo de tensão,

a tensão que se pretende obter é dada como referência, e de modo a obter essa mesma tensão na

saída, usa-se geralmente um controlo por modulação de largura de impulso23.

A configuração mais usada é composta por um inversor de tensão com controlo de corrente de saída e

tensão de entrada, uma vez que permite uma regulação mais eficaz do factor de potência, evitando o

desfasamento entre a tensão e corrente de saída. Além disso, observa-se uma menor taxa de distorção

harmónica. Existem diversos métodos de modulação da tensão e corrente de entrada e de saída do

inversor, sendo que os mais usuais em inversores monofásicos são a modulação por largura de impulso

e controlo por histerese24 sendo os mesmos caracterizadas relativamente ao seu desempenho, na

capacidade de reduzir a taxa de distorção harmónica, componentes de filtragem necessários e

aplicabilidade em cada caso específico.

2.5.1 Controlo Histerético de Corrente

No controlo histerético de corrente, como o próprio nome indica, o controlo é efectuado em modo de

corrente. Neste método efectua-se uma comparação do valor da corrente amostrada, tendo em conta

23 Pulse Width Modulation (PWM) 24 Hysteresis Current Control (HCC)

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_________________________________________________________________________________ 28

dois níveis de referência, sendo que cada vez que esses níveis são ultrapassados, o controlo actua em

conformidade para manter a corrente dentro da referência desejada.

Neste tipo de controlo, quando a corrente medida na saída do inversor é menor que a corrente do limite

inferior de referência da histerese, o inversor é controlado de modo a que haja um incremento da sua

tensão de saída, aumentando a corrente e permitindo manter a mesma dentro do nível de referência.

Quando a corrente da saída do inversor é mais elevada que a corrente do limite superior de referência

da histerese, há um ajuste no inversor de modo a permitir decrementar a tensão na saída e

consequentemente a corrente. Como referido anteriormente, o controlo é feito relativamente à corrente,

que é medida na bobina de saída LR, consistindo em comparar a corrente iLR com a corrente de

referência iLRref, usando um comparador com janela de histerese (figura 35), sendo a amplitude da

histerese dada por ∆iLR.

+

-iLR ref.

iLR

Output

Figura 35 - Comparador com janela de histerese para efectuar o controlo histerético de iLR

Este tipo de controlo tem a vantagem de ter uma elevada robustez aliada à sua simplicidade. No entanto

apresenta a desvantagem de provocar operação a frequência de comutação variável para compensar

discrepâncias, uma vez tendo uma largura de banda da histerese fixa. O valor da largura de banda da

histerese é representativo de uma tolerância para o erro de corrente, e assim sendo, tendo em conta

que o conteúdo harmónico é proporcional à largura de banda, quanto menor for a largura de banda,

menor será o conteúdo harmónico associado à corrente a ser controlada. De modo a colmatar esta

lacuna, já foram estudados controlos histeréticos de corrente adaptativos, que permitem com que a

frequência de comutação se mantenha quase constante [8].

2.5.2 Modulação por Largura de Impulso

A modulação por largura de impulso é o método mais comum no comando de inversores monofásicos,

permitindo controlar a tensão de saída de um inversor, que quando usado juntamente com o controlo

histerético de corrente, permite o controlo total do inversor. Este tipo de modulação é subdividido em

vários tipos de modulações, consoante as técnicas empregues em cada caso, variando o conteúdo

harmónico de caso para caso, bem como a sua complexidade. Os vários tipos de modulação PWM

permitem obter uma forma de onda à saída do inversor de baixo conteúdo harmónico, sendo como tal

empregue métodos distintos em cada caso. As modulações PWM mais usadas e apresentadas

seguidamente, são a modulação PWM por um impulso25 e a modulação sinusoidal por largura de

impulso26.

25 Single Pulse Width Modulation (SPWM) 26 Sinusoidal Pulse Width Modulation (SPWM)

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_________________________________________________________________________________ 29

2.5.2.1. Modulação por um Impulso

Na modulação por um impulso, como o próprio nome o indica, há apenas um impulso por cada meio

período. Este impulso comanda os semicondutores permitindo obter na saída do inversor uma tensão

e corrente, positiva, negativa, ou no caso da modulação a três níveis, nula, obtendo um tipo de sinusóide

primordial.

2.5.2.1.1 Modulação por um impulso de plena onda - 2 níveis

Relativamente à modulação por um impulso de plena onda, apenas existem dois níveis de tensão, +VC

ou –VC, podendo esta modulação ser aproximada a uma onda quadrada, pois não tem nível intermédio

de tensão oscilando apenas entre +VC e –VC em cada semi-alternância de período.

t

+VC

-VC

T/2 T

Figura 36 - Forma de onda da modulação por um impulso de 2 níveis

Tendo em conta que há apenas dois níveis de tensão e sabendo que a forma de onda é quadrada,

conclui-se que não é possível controlar a potência injectada na carga, pois a tensão na saída do

inversor, quando controlada por uma modulação por um impulso de plena onda será dada por:

𝑣𝑂 = 4𝑉𝐶𝜋 ∑

1

𝑛

𝑛=1

sin (𝑛𝜔𝑡) (1)

A tensão vO inclui assim a presença das harmónicas de tensão respectivas, apresentando portanto um

conteúdo harmónico elevado, em especial a 3ª e 5ª harmónicas. A tensão eficaz à saída do inversor

neste caso, é dada pela tensão de entrada, ou seja:

𝑣𝑂 𝑟𝑚𝑠 = 𝑉𝐶 (2)

Esta modulação é pouco utilizada por ser uma má aproximação de uma sinusóide, o que constitui um

elevado conteúdo harmónico, havendo igualmente perdas de potência elevadas.

2.5.2.1.2 Modulação por um impulso 3 níveis

A modulação por um impulso de três níveis, permite obter três níveis de tensão, tomando os valores de

+VC, –VC ou nula. A diferença fundamental relativamente à modulação referida anteriormente, prende-

se com o facto de neste caso existir uma zona onde a tensão é nula, permitindo aproximar mais

eficazmente a forma de onda obtida, a uma sinusóide. Na figura 37 é apresentada a forma de onda

desta modulação.

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_________________________________________________________________________________ 30

t

+VC

-VC

T/2 T

2

-

2

+

2

Figura 37 - Forma de onda da modulação por um impulso de 3 níveis

Neste caso, há a possibilidade de controlar a potência injectada na carga, bastando para isso apenas

variar A tensão eficaz na saída do inversor, quando controlado por uma modulação por um impulso

de três níveis será dada por:

𝑣𝑂 𝑟𝑚𝑠 = √1

𝑛∫ 𝑉𝐶

2

𝑛+

2

𝑛−

2

𝑑𝜔𝑡 = 𝑉𝐶√

𝜋 (3)

Ou seja, variando entre 0º e 180º, obtém-se a variação da tensão de saída com uma forma de onda

mais próxima de uma sinusóide, tendo menos conteúdo harmónico e menos perdas. Efectivamente

para 120º a 3ª harmónica e todas as harmónicas de ordem múltiplas de três são nulas.

Em ambas das modulações por um impulso apresentadas, o conteúdo harmónico de baixa frequência

é muito elevado, sendo que neste caso há a necessidade de usar filtro de saída de elevadas dimensões.

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_________________________________________________________________________________ 31

2.5.2.2. Modulação Sinusoidal por Largura de Impulso

Na modulação sinusoidal por largura de impulso, ao contrário da modulação apresentada

anteriormente, tem por base a existência de diversos impulsos, com larguras variáveis (função

sinusoidal da posição do impulso), que permitem obter uma melhor aproximação de uma forma de onda

sinusoidal. Neste tipo de modulação, os instantes de comutação são determinados pela comparação

de uma moduladora de baixa frequência sinusoidal com uma forma de onda triangular de alta

frequência, denominada de portadora, obtendo desta forma os sinais de controlo dos semicondutores.

Define-se assim um trem de impulsos de amplitude constante mas com uma largura variável. Na figura

38 apresenta-se um exemplo desta modulação.

2

t

t

t

t

+VC

-VC

Vmodulante

Vportadora

1

0

1

0

a)

b)

c)

d)

Figura 38 - Exemplo de modulação sinusoidal por largura de impulso a 2 níveis

Em a) mostra-se as formas de onda da portadora triangular e da modulante sinusoidal, que ao serem

comparadas dão origem aos sinais de comando mostrados em b), para a alternância positiva e em c)

para a alternância negativa, sinais estes que podem ser 1 ou 0. Em d) pode ver-se a modulação

resultante dos pontos anteriores, tendo a amplitude a variar entre +VC e –VC, tendo em conta que o

exemplo se refere a uma modulação a dois níveis.

Geralmente é adoptada para a portadora uma frequência de cerca de dez vezes a modulante, tendo

em vista a redução do conteúdo harmónico de baixa frequência na tensão de saída. Neste tipo de

modulação por vários impulsos, o conteúdo harmónico de baixa frequência é mais reduzido que na

modulação por um impulso, o que também permite diminuir consideravelmente o tamanho do filtro de

saída, sendo a modulação ideal para injecção de corrente na rede.

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_________________________________________________________________________________ 32

A relação entre a amplitude da onda modulante com a amplitude da portadora é designada por índice

de modulação ma sendo dado por:

𝑚𝑎 = 𝐴𝑚𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑛𝑡𝑒𝐴𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎

(4)

Onde Aportadora define a amplitude da onda portadora e Amodulante define a amplitude da modulante. Este

índice também é aplicável à relação de frequência entre a portadora e a modulante, sendo:

𝑚𝑓 = 𝑓𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎

𝑓𝑚𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑛𝑡𝑒=

𝑓𝑆𝑓𝑚𝑜𝑑𝑢𝑙𝑎𝑛𝑡𝑒

(5)

Na literatura [9], recomenda-se usar modulação síncrona caso 𝑚𝑓seja menor ou igual a 21, e usar

modulação assíncrona caso 𝑚𝑓seja maior do que 21. A desvantagem da modulação assíncrona prende-

se com o facto de criar sub-harmónicas. No entanto a alta frequência, a diferença de amplitude das

sub-harmónicas entre a modulação assíncrona e a síncrona é marginal.

A figura 39 pretende demonstrar os conceitos enunciados anteriormente, elucidando relativamente às

variáveis que são analisadas.

fS

1Tmodulante

Amodulante

Aportadora

2

t

Figura 39 - Formas de onda da moduladora sinusoidal e da portadora triangular

2.5.2.2.1 Modulação Sinusoidal por Largura de Impulso de 2 níveis

Na modulação sinusoidal por largura de impulso de dois níveis, as tensões apresentam dois níveis de

variação, sendo +VC e +VC, sendo que esta modulação pode ser gerada a partir da comparação de uma

modulante sinusoidal em fase com a tensão da rede eléctrica, com uma portadora triangular. A

frequência da modulante deve ser igual à da rede, ou seja, 50Hz, enquanto que a frequência da

portadora pode adoptar valores na ordem dos kHz. Na figura 40 é apresentado o circuito.

+

-

+

- T1

T3

T2

T4

Figura 40 - Circuito com comparadores para gerar sinais de disparo para SPWM de 2 níveis

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_________________________________________________________________________________ 33

Como enunciado, a figura 40 apresenta o circuito que pode ser usado para obter a modulação

sinusoidal de dois níveis, sendo composto por dois comparadores, um usado para obter o sinal de

comando dos transístores que realizam a alternância positiva e o outro faz o complementar, obtendo-

se o sinal de comando dos transístores que realizam a da alternância negativa.

As formas de onda resultantes desta modulação podem ser observadas de seguida na figura 41:

Figura 41 - Formas de onda e sinais de disparo da modulação sinusoidal por largura de impulso de 2 níveis

A partir das formas de onda da figura 41, pode-se ver as formas de onda da portadora e da modulante

em a) e, partindo da comparação destas duas formas de onda obtêm-se os sinais de comando

presentes em b), para a alternância positiva onde são comandados os semicondutores T1 e T3, e em

c) para a alternância negativa onde são comandados os semicondutores T2 e T4. Os sinais de comando

são dados por 1 quando o semicondutor é comandado à condução e 0 quando o semicondutor é

comandado ao corte. Em d) estão presentes a forma de onda sinusoidal da rede, bem como a forma

de onda modulada vAB vinda da saída do inversor, tendo a frequência definida pela portadora triangular.

Como se pode observar, com a utilização da modulação a dois níveis a tensão vAB assume apenas dois

valores, +VC e –VC. Neste caso a variação de tensão no filtro de saída tem uma amplitude de 2VC.

2.5.2.2.2 Modulação Sinusoidal por Largura de Impulso de 3 níveis

Na modulação sinusoidal por largura de impulso de três níveis, as tensões apresentam os níveis +VC,

0 e –VC, para o que é necessário de usar duas ondas modulantes sinusoidais, desfasadas de 180º,

juntamente com a portadora triangular. A figura 42 apresenta o circuito que permite implementar esta

modulação.

-

+

+

- T1

T4

T3

T2

+

-OpAmp

10k 10k

Figura 42 - Circuito com comparadores e amplificador operacional para gerar sinais de disparo para SPWM de 3 níveis

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_________________________________________________________________________________ 34

Esta modulação de três níveis pode também ser gerada através da comparação de uma portadora

triangular com duas moduladoras sinusoidais, à mesma frequência da rede, desfasadas em 180º entre

si. Concretamente, a modulação é criada recorrendo a dois comparadores que, juntamente com um

amplificador operacional em modo de amplificador inversor, permite inverter a forma de onda da

sinusóide de entrada em 180º, criando desta forma uma segunda moduladora a ser utilizada nesta

modulação. Na saída dos comparadores, o sinal original é enviado para os semicondutores T1 e T3, e

os sinais que vão para os semicondutores T2 e T4 são negados, usando portas lógicas NOT.

As formas de onda resultantes desta modulação podem ser observadas de seguida na figura 43:

Figura 43 - Formas de onda e sinais de disparo da modulação sinusoidal por largura de impulso de 3 níveis

Como se pode observar, em a) são apresentadas as formas de onda das duas moduladoras sinusoidais

desfasadas de 180º entre si, juntamente com a portadora triangular. Partindo da comparação dessas

três formas de onda, obtêm-se os sinais de comando para os quatro transístores, sendo que os sinais

presentes em b) e f) são responsáveis pela alternância positiva da tensão, variando entre +VC e zero.

Relativamente aos sinais presentes em c) e e), os mesmo são responsáveis pela alternância negativa

da tensão, variando entre zero e –VC.

Ao se usar as portas lógicas NOT, pode constactar-se através das formas de onda, que o sinal de PWM

enviado para o semicondutor T1 é complementar do sinal enviado para T4, enquanto que o sinal enviado

para T2 é complementar de T3.

Por último, em d) estão representadas a forma de onda sinusoidal da rede, bem como a forma de onda

modulada vAB, variando entre +VC, zero e –VC. Neste caso, a frequência de saída do inversor é o dobro

da frequência de operação dos semicondutores e como tal o dobro da frequência da portadora. Nesta

modulação, tendo em conta que tem três níveis, e que nunca se passa de +VC para –VC sem antes

passar por zero, as variações de tensão no filtro de saída têm uma amplitude de VC.

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_________________________________________________________________________________ 35

Capítulo 3

Conversor CC-CA - Inversor

Este capítulo analisa todos os aspectos relacionados com o conversor CC-CA, explicando o seu

funcionamento e descrevendo o seu dimensionamento. Começa-se por explicar o funcionamento em

regime permanente do conversor, apresentando de seguida as especificações do projecto. Partindo

dessas especificações, apresenta-se todos os dimensionamentos e opções tomadas para a

implementação do conversor.

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_________________________________________________________________________________ 36

3.1. Introdução

Como forma introdutória para este capítulo, começa-se por apresentar a topologia de sistema

fotovoltaico adoptada para o desenvolvimento deste trabalho, bem como o conversor CC-CA a ser

usado e o filtro de ligação à rede eléctrica.

O sistema fotovoltaico usado é composto por dois estágios de conversão (figura 44) sendo constituído

pelos painéis fotovoltaicos, seguido do conversor CC-CC e do conversor CC-CA, finalizando com a

ligação à rede por meio de um filtro que, no caso deste projecto, será de 1ª ordem, composto apenas

por uma bobina. Como referido anteriormente, nesta topologia o condensador de entrada CA permite

efectuar o desacoplamento CA entre os painéis fotovoltaicos e o inversor. O condensador intermédio

CB, entre os dois conversores, serve para obter uma tensão aproximadamente constante à saída do

conversor CC-CC e à entrada do conversor CC-CA.

PV

CC

CC

Rede

CC

CA

Conversor CC-CA

(Inversor)Conversor CC-CC

LR

CBCA

Figura 44 - Topologia do sistema fotovoltaico implementado

Nesta topologia, a energia fornecida pelo painel fotovoltaico é aplicada à entrada do conversor CC-CC.

O condensador CA tem como objectivo filtrar a componente de tremor da corrente de entrada do

conversor CC-CC, fazendo com que o painel, idealmente, veja apenas o valor médio desta. Uma vez

que se pretende que a tensão à saída do conversor CC-CC seja superior à do painel, este último

conversor deverá ser do tipo elevador. O valor estabelecido para a tensão à saída do conversor CC-

CC deverá ser o mais constante possível, tendo CB o papel de atenuar o tremor dessa tensão.

A topologia do bloco relativo ao conversor CC-CA, será responsável pela conversão da energia

contínua à sua entrada na energia alternada a ser injectada na rede. O esquema da topologia

implementada é apresentado na figura 45.

C

T1 T2

T3T4

D2

D3

VC

D1

D4

vAB

A

B

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

VRede

LRiR

iC

InversorCC-Link

Figura 45 - Conversor CC-CA (Inversor)

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_________________________________________________________________________________ 37

O bloco delimitado a tracejado faz transparecer o conversor CC-CA objecto deste estudo e o filtro de

1ª ordem composto por uma bobina de acoplamento entre o conversor e a rede.

O tipo de inversor a ser usado é o inversor em ponte-completa do tipo H4, pois o intuito do projecto

passa por implementar um inversor que tenha bom rendimento, fiabilidade e baixo custo.

Outra das razões que levou à escolha deste conversor foi o facto de se pretender validar os resultados

obtidos num projecto desenvolvido anteriormente pelo grupo de Electrónica de Potência do Instituto de

Telecomunicações [10], que fazia recurso deste tipo de conversor.

3.2. Funcionamento em Regime Permanente

Na análise do inversor são tidos em conta todos componentes constituintes do mesmo, ou seja, os

semicondutores T1, T2, T3 e T4, bem como os respectivos díodos em antiparalelo, sendo denominado

cada conjunto formado pelo transístor mais o respectivo díodo, por S1, S2, S3 e S4 (switchs),

respectivamente. O condensador C, à entrada, pode ser aproximado de forma simplificada a uma fonte

de tensão contínua, visto que o estágio anterior garante essa tensão. Na ligação à rede tem-se uma

bobina LR que faz o acoplamento entre a rede e a tensão aos terminais do inversor.

C

T1 T2

T3T4

D2

D3

VC

D1

D4

vAB

A

B

VRede

LRiR

iC

S4S3

S2S1

Figura 46 - Conversor CC-CA (Inversor)

Sabendo que se vai usar uma modulação sinusoidal de largura de impulso de três níveis, a tensão de

saída do inversor, vAB, pode assumir três valores distintos: +VC, zero e –VC. Assim sendo, partindo da

análise efectuada no capitulo 2 relativamente ao inversor em ponte-completa, tem-se que:

𝛾1 = { 1 𝑠𝑒 𝑆1𝑂𝑁 𝑒 𝑆4𝑂𝐹𝐹

0 𝑠𝑒 𝑆4𝑂𝑁 𝑒 𝑆1𝑂𝐹𝐹 , (6)

e

𝛾2 = { 1 𝑠𝑒 𝑆2𝑂𝑁 𝑒 𝑆3𝑂𝐹𝐹

0 𝑠𝑒 𝑆3𝑂𝑁 𝑒 𝑆2𝑂𝐹𝐹 , (7)

onde 𝛾1representa o valor lógico da tensão vA e 𝛾2representa o valor lógico da tensão vB. Partindo da

expressão que dá a tensão entre os dois braços do inversor, vAB, apresentada de seguida;

𝑣𝐴𝐵 = 𝑉𝐶 (𝛾1 − 𝛾2), (8)

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_________________________________________________________________________________ 38

obtêm-se os quatro estados possíveis de funcionamento para uma modulação a três níveis:

𝑣𝐴𝐵 =

{

+𝑉𝐶 𝑠𝑒 𝛾1 = 1 𝛾2 = 0

0 𝑠𝑒 𝛾1 = 0 𝛾2 = 0

0 𝑠𝑒 𝛾1 = 1 𝛾2 = 1

−𝑉𝐶 𝑠𝑒 𝛾1 = 0 𝛾2 = 1 .

(9)

Pela análise feita, é possível obter-se um resumo do funcionamento do inversor em ponte-completa, tal

como se ilustra nas tabelas 1 e 2.

Tabela 1 – Estados de funcionamento de todos os semicondutores do inversor de ponte-completa

Note-se que a tabela 1 representa os estados de comutação descriminados por todos dispositivos à

condução (díodos + transístores). A tabela 2 apresenta a mesma análise, tomando apenas os estados

de condução das células formadas pelo conjunto transístor mais díodo, definidos pelas variáveis S1,

S2, S3 e S4.

Tabela 2 – Estados de funcionamento dos transístores do inversor de ponte-completa

Nome

Estados

Estados S1 S2 S3 S4

S10 𝛾1 = 1 𝛾2 = 0 ON OFF ON OFF

S00 𝛾1 = 0 𝛾2 = 0 OFF OFF ON ON

S11 𝛾1 = 1 𝛾2 = 1 ON ON OFF OFF

S01 𝛾1 = 0 𝛾2 = 1 OFF ON OFF ON

Assim sendo, na tabela 2 indica-se os quatro estados necessários a considerar no decorrer do trabalho.

Efectivamente é apenas necessário considerar o controlo dos transístores sem qualquer preocupação

com os díodos (estes entrarão à condução quando as condições do circuito o exigirem).

Essas condições são, ainda que resumidamente, descritas pela tabela 3 onde se descreve o

comportamento das grandezas do circuito, para cada estado de comutação dos semicondutores. Nesta

S1 S2 S3 S4

Nome

Estado

s

Estados T1 D1 T2 D2 T3 D3 T4 D4 iR VA VB vAB

S10 𝛾1 = 1 𝛾2 = 0 ON OFF OFF OFF ON OFF OFF OFF Pos.

VC 0 +VC

OFF ON OFF OFF OFF ON OFF OFF Neg.

S00 𝛾1 = 0 𝛾2 = 0 OFF OFF OFF OFF ON OFF OFF ON Pos.

0 0 0

OFF OFF OFF OFF OFF ON ON OFF Neg.

S11 𝛾1 = 1 𝛾2 = 1 ON OFF OFF ON OFF OFF OFF OFF Pos.

VC VC 0

OFF ON ON OFF OFF OFF OFF OFF Neg.

S01 𝛾1 = 0 𝛾2 = 1 OFF OFF OFF ON OFF OFF OFF ON Pos.

0 VC -VC

OFF OFF ON OFF OFF OFF ON OFF Neg.

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_________________________________________________________________________________ 39

tabela são apresentados os estados de funcionamento do circuito com a respectiva caracterização de

cada grandeza.

Tabela 3 – Comportamento das grandezas do circuito nos vários estados de comutação

𝜸𝟏 𝜸𝟐 vAB vRede vLR 𝒅𝒊𝑳𝑹𝒅𝒕

0 0 0 0 0

0 1 -VC 0 0

1 0 +VC 0 0

1 1 0 0 0

0 0 0 0 0

0 1 -VC 0 0

1 0 +VC 0 0

1 1 0 0 0

a) Tensão vRede 0

Estado S00 - Quando a tensão vAB é nula e a tensão da rede é positiva, a tensão vLR aos terminais da

bobina LR é negativa, sendo a derivada da corrente na mesma, igualmente negativa;

Estado S01 – Para o caso da tensão vAB ser negativa e a tensão da rede ser positiva, a tensão vLR aos

terminais da bobina LR é negativa, sendo a derivada da corrente negativa;

Estado S10 – Se as tensões vAB e vRede forem ambas positivas, a tensão vLR aos terminais da bobina LR

é positiva. Nestas condições, a derivada da corrente na bobina é positiva;

Estado S11 – À semelhança do estado S00, quando a tensão vAB é nula e a tensão da rede é positiva, a

tensão vLR aos terminais da bobina LR é negativa, sendo a derivada da corrente na mesma igualmente

negativa.

b) Tensão vRede 0

Estado S00 - Se a tensão vAB for nula e a tensão da rede negativa, a tensão vLR aos terminais da bobina

LR é positiva, logo, a derivada da corrente na mesma é igualmente positiva.

Estado S01 - Quando ambas as tensões aplicadas aos terminais da bobina (vAB e vRede) são negativas,

a tensão vLR aos terminais da bobina LR é negativa, sendo a derivada da corrente em LR negativa;

Estado S10 - Quando a tensão vAB é positiva e a tensão da rede é negativa, a tensão vLR aos terminais

da bobina LR é positiva, e como tal, a derivada da corrente na bobina é positiva.

Estado S11 – Tal como o estado S00, quando a tensão vAB é nula e a tensão da rede é negativa, a tensão

vLR aos terminais da bobina LR é positiva, e a derivada da corrente em LR é positiva.

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_________________________________________________________________________________ 40

3.3 Dimensionamento do Inversor

Para efectuar o dimensionamento dos parâmetros subjacentes ao circuito de potência (inversor),

começou-se por considerar as especificações do inversor, nomeadamente a potência de entrada

máxima e mínima, bem como a tensão desejada no condensador de entrada C.

Tabela 4 - Valores base para o dimensionamento do inversor

Pmáx - Potência máxima 200W

Pmin - Potência mínima 10W

VC - Tensão de entrada do inversor 400V

VRedeRMS - Tensão da rede eficaz 230V

fRede - Frequência da rede 50Hz

iR - Corrente na bobina LR 0,87A

∆iR - Tremor da corrente na bobina

LR

5%

3.3.1. Dimensionamento da Bobina LR

Para o dimensionamento da bobina LR à saída do inversor, com ligação à rede, usou-se um método

com base na análise a 50Hz das grandezas implicantes, tendo por base procedimento que se passa a

descrever:

Começou-se por definir a tensão vrede conforme se apresenta na equação 10.

𝑣𝑟𝑒𝑑𝑒(𝑡) = 𝐴 ⋅ sin(𝜔𝑡 + 𝜑) . (10)

Sabendo que de A corresponde à tensão máxima da rede, ou seja,

𝐴 = √2 ⋅ 𝑉𝑒𝑓 , (11)

em que 𝑉𝑒𝑓 corresponde ao valor de 230V. Sabendo que 𝜔 é descrito por 2𝜋𝑓, em que f=50Hz e que 𝜑

representa a fase da tensão e a corrente, tem-se a expressão final representada na expressão (12).

𝑣𝑟𝑒𝑑𝑒(𝑡) = √2 ⋅ 𝑉𝑒𝑓 ⋅ sin (2𝜋𝑓𝑡 + 𝜑) (12)

Uma vez definida a tensão da rede, define-se a corrente da rede que se pretende para um período.

Tendo em conta que se deseja obter um factor de potência o mais próximo possível do unitário, admite-

se que a corrente está em fase com a tensão. Como tal, a fase da corrente iR será igual a 𝜑 representada

na figura 47.

t

vRede

iR

φ

Figura 47 - Ilustração da tensão vrede em fase com a corrente iR obtendo um factor de potência unitário

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Com base nesta definição anteriormente descrita, define-se então a corrente iR.

𝑖𝑅(𝑡) = √2 ⋅ 𝐼𝑒𝑓 ⋅ sin (2𝜋𝑓𝑡 + 𝜑) (13)

Estando a tensão e corrente definidas, calculou-se a corrente máxima a que está sujeita a bobina LR,

com base na potência anteriormente definida, 200W, e na tensão eficaz da rede Vef =230V.

𝑖𝑅 𝑒𝑓 = 𝑃

𝑉𝑒𝑓 ⋅ cos (0o)

(14)

𝑖𝑅 𝑒𝑓 = 200

230≅ 0,87𝐴 𝑖𝑅 𝑚á𝑥 = √2 × 0,87 (15)

De seguida definiu-se a queda de tensão 𝑣𝐿𝑅 na bobina LR, para o mesmo período, tendo em conta um

valor de bobina arbitrário. A análise da queda de tensão na bobina permite o seu dimensionamento

tendo em conta as grandezas representadas no esquema da figura 48.

vRede

LRiR

Inversor vAB

vLR

Figura 48 - Ilustração do circuito para o cálculo da queda de tensão vLR

onde 𝑣𝐴𝐵 corresponde à tensão entre os pontos médios dos braços do inversor, tensão essa que deverá

ser igual à tensão resultante da soma da queda de tensão na bobina juntamente com a tensão da rede.

A partir do esquema ilustrado na figura 48 é possível ter uma ideia mais concreta das variáveis a

considerar para o cálculo da bobina: partindo da equação diferencial que define a variação de tensão

na bobina ao longo do tempo:

𝑣𝐿𝑅(𝑡) = 𝐿𝑅𝑑𝑖𝑟(𝑡)

𝑑𝑡 (16)

e derivando esta expressão, obtém-se a expressão final de 𝑣𝐿𝑅, mostrada em (17):

𝑣𝐿𝑅(𝑡) = 𝐿𝑅 ⋅ √2 ⋅ 𝑖𝑅 𝑒𝑓 ⋅ cos(𝜔𝑡 + 𝜑) ⋅ 𝜔 (17)

Para simplificar arbitra-se que 𝜑=0. Das expressões da tensão na bobina (17) e da tensão da rede (12),

obtém-se o valor da bobina LR através do seguinte método:

Sabendo de antemão que a tensão do inversor será igual à tensão no condensador de entrada VC, ou

simétrico desta, ou nula, conclui-se que o valor da tensão 𝑣𝐴𝐵 à saída do inversor, num qualquer

instante, nunca poderá exceder o intervalo [+VC, -VC]. Como é necessário dimensionar o valor LR para

que topologicamente a corrente desejada seja possível. Isto porque, a tensão da bobina quando

somada à tensão da rede poderá conduzir a valores de tensão vAB superiores às tensões possíveis da

ponte no condensador de entrada para valores da bobina superiores ao máximo admissível.

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Fazendo a análise contrária, pretende-se conhecer o valor da tensão no inversor, vAB, para um

determinado valor de LR . O valor de LR deve ser tal, que permita cumprir o intervalo de valores de vAB

definidos na expressão (18).

Assim sendo, partindo deste pressuposto, pode-se obter o valor de indutância máximo tendo em conta

as seguintes expressões:

𝑣𝐴𝐵[ − 𝑉𝐶, +𝑉𝐶] (18)

𝑣𝐴𝐵 = 𝑣𝐿𝑅 + 𝑣𝑟𝑒𝑑𝑒 (19)

𝑣𝐴𝐵 = [𝐿𝑅 ⋅ √2 ⋅ 𝑖𝑅 𝑒𝑓 ⋅ cos(𝜔𝑡) ⋅ 𝜔 + √2 ⋅ 𝑉𝑒𝑓 ⋅ sin (2𝜋𝑓𝑡)] (20)

A partir da expressão (20), efectuou-se a análise e simulação da mesma em ambiente Matlab, de modo

a determinar o valor máximo da bobina LR que permita comprovar os pontos anteriormente descritos.

Neste caso, admitiram-se sucessivos valores para a bobina até se verificar o caso de fronteira onde

𝑣𝐴𝐵𝑚á𝑥 = 400𝑉 e 𝑣𝐴𝐵𝑚𝑖𝑛 = −400𝑉.

A figura 49 apresenta três valores distintos de indutância para a bobina LR, onde se pode observar os

valores da tensão vAB obtidos para os três valores de bobinas admitidos.

Figura 49 - Formas de onda vAB para três valores de bobina

Considerando a expressão (20) e atendendo aos três valores de indutância para a bobina LR, obteve-

se um valor de LR=600mH, tendo-se adoptado este valor como sendo o valor óptimo.

3.3.2. Frequência de comutação

Partindo do cálculo da bobina LR, pôde-se calcular a frequência de comutação do inversor, com base

na análise em alta frequência das grandezas implicantes. Partindo da equação diferencial que define a

variação de tensão na bobina ao longo do tempo dada por (16), é possível linearizar o tremor da

corrente para frequências elevadas, por troços de rectas.

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Neste contexto, a equação (16) é reescrita por:

∆𝑖𝑅∆𝑇𝑆

=𝑣𝐿𝑅𝐿𝑅

(21)

Pode então ser calculado 𝑇𝑆 tendo em conta um determinado tremor de corrente definido com base na

corrente 𝑖𝑟𝑚á𝑥, ou seja, a corrente na saída do inversor para a potência máxima.

O tremor que se obtém da corrente iR, mostrado na figura 50, é definido essencialmente tendo por base

o declive da corrente, em ordem ao tempo.

TS

iR

Figura 50 - Definição do tremor

Tendo por base a definição do tremor da corrente na bobina, e usando a expressão (21), pode-se obter

a equação que permite calcular 𝑇𝑆.

∆𝑇𝑆 =𝐿𝑅 ⋅ ∆𝑖𝑅𝑚á𝑥𝑣𝐿𝑅𝑚á𝑥

, (22)

em que 𝑣𝐿𝑅𝑚á𝑥, neste caso, deve ser definido com base na diferença de potencial máxima que pode

ser observada, de modo a garantir o dimensionamento da bobina para o caso mais desfavorável.

Analisando o esquema da figura 51, pode-se constactar que a tensão no inversor 𝑣𝐴𝐵, pode tomar os

valores de +VC, -VC ou zero, para o caso de PWM de três níveis. Por outro lado, a rede pode tomar

valores máximos de tensão no intervalo [-325V a +325V].

VC

VC

0

+VC

-VC

vRede

LRiR

vAB

vLR

Figura 51 – Esquema que define a variação de tensão aos terminais da bobina LR

No entanto, uma vez que o circuito é composto por uma carga indutiva, há um desfasamento entre a

tensão 𝑣𝐴𝐵 e a tensão 𝑣𝑟𝑒𝑑𝑒, pelo que vão existir momentos em que a queda de tensão 𝑣𝐿𝑅 será maior

do que 400V. O que acontece neste caso específico, pode ser descrito pelo conteúdo da figura 52:

vRede 191V

LRiR

vLRmáx 591VvAB = 400V

Figura 52 - Esquema que define a tensão mais desfavorável aos terminais da bobina LR

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As formas de onda apresentadas na figura 53 permitem demonstrar o desfasamento entre a tensão

vRede e a tensão vAB ideal.

Figura 53 - Formas de onda da tensão vAB ideal, tensão vAB real, modulada em largura de impulso e da tensão vRede

O resultado da soma da forma de onda da tensão vRede com a tensão vAB real, permite obter a forma de

onda da tensão vLR real apresentada na figura 54, de onde se pode tirar o seu ponto máximo de tensão.

Figura 54 - Tensão vLR real com o ponto máximo de tensão

Retira-se da figura 54 o ponto máximo, 𝑣𝐿𝑅𝑚á𝑥 ≈ 591V, sendo esta tensão dada analiticamente por:

𝑣𝐿𝑅𝑚á𝑥 = 𝑣𝐴𝐵 − 𝑣𝑟𝑒𝑑𝑒 (23)

𝑣𝐿𝑅𝑚á𝑥 = 400 − (−191) ≅ 591𝑉 (24)

pelo que será esse valor a ter em consideração no cálculo da frequência de comutação por se tratar do

caso mais desfavorável. Denote-se que a forma de onda sinusoidal ideal de 𝑣𝐴𝐵 = 𝑣𝐿𝑅 + 𝑣𝑟𝑒𝑑𝑒,

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representada na figura 53 é meramente ilustrativa, tendo apenas o propósito de demonstrar que esta

forma de onda está desfasada de 𝑣𝑟𝑒𝑑𝑒.

Partindo desta análise, já é possível calcular a frequência de comutação do inversor, sendo que só

resta definir o tremor da corrente 𝑖𝑅𝑚á𝑥 a ser considerado. Neste caso, considerou-se um tremor de 5%

da corrente 𝑖𝑅𝑚á𝑥= √2 ×0,87A e como tal, tendo por base a equação 22, tem-se:

𝐿𝑅 = 600 𝑚𝐻 (25)

𝑣𝐿𝑅𝑚á𝑥 ≅ 591 𝑉 (26)

∆𝑖𝑅𝑚á𝑥 = 0,05 ⋅ 𝑖𝑅𝑚á𝑥 (27)

∆𝑇𝑆 =

(600 × 10−3) × (0,05 × 0,87 × √2)

591≅ 62,4µ𝑠

(28)

Para que o tremor não vá além dos 5% quaisquer que sejam as condições, o tempo máximo em que

se vão manter os estados de comutação de cada um dos dispositivos não poderá ser maior do que o

calculado em (28). Este será o critério a ter em conta no processo de comando descrito no subcapítulo

4.2. Repare-se ainda que este critério fará com que a frequência de comutação nunca exceda, a 16kHz

como se pode observar em (29). O que não quer dizer que não possa ser inferior a essa, o que se

verificará na maior parte das situações.

𝑓𝑆 = 1

∆𝑇𝑆= 16𝑘𝐻𝑧 (29)

3.3.3. Dimensionamento físico da bobina LR

Para proceder ao dimensionamento teórico da bobina, teve-se em conta a caracterização do circuito

magnético da bobina, feita na figura 55.

ϕAB

B

Área efectiva

da secção, Ae

Comprimento

efectivo do

núcleo, le Permeabilidade

magnética do

núcleo, µ

iR

vLR

Nº de espiras

da bobina N

Entreferro, g

Figura 55 - Circuito magnético da bobina [Fonte: Daniel Lemos]

Para dimensionar os parâmetros da bobina tomou-se em conta os seguintes critérios: a densidade de

fluxo magnético B é dada por:

𝐵𝑚á𝑥 = 𝐿 ⋅ 𝑖𝑚á𝑥𝑁 ⋅ 𝐴𝑒

(30)

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Sendo que imáx é dado pela equação (13), Ae é a área efectiva da secção do núcleo e N é o número de

espiras. Para o dimensionamento adequado da bobina deve-se ter em conta que, para núcleos

ferromagnéticos, a densidade máxima de fluxo magnético não deve exceder Bmáx 1,5T, garantindo a

linearidade da bobina e não saturando.

Reescrevendo a equação (30) em ordem à área efectiva tem-se que:

𝐴𝑒 𝑚𝑖𝑛 = 𝐿 ⋅ 𝑖𝑚á𝑥𝑁 ⋅ 𝐵𝑚á𝑥

(31)

Um outro aspecto que permite assegurar a linearidade da bobina é o entreferro. Para calcular o

entreferro necessário para cumprir os parâmetros definidos para a bobina, deve-se ter em conta que a

espessura do mesmo deverá ser o menor possível para reduzir a dispersão de fluxo. A expressão que

permite calcular o entreferro g apresenta-se em (32).

𝑔 = 𝑁2 ⋅

0⋅ 𝐴𝑒

𝐿 , (32)

em que g é o entreferro, é a permeabilidade magnética do meio e N é o número de espiras.

Por fim, a área necessária da janela para acomodar o enrolamento é dada pela expressão (33):

𝐴𝑗𝑎𝑛𝑒𝑙𝑎 = 𝑁 ⋅ 𝑆𝑒𝑐çã𝑜𝑓𝑖𝑜

𝐾𝑢 , (33)

Para determinar a secção do enrolamento toma-se em conta que a corrente na bobina será de 1A tendo

como referência uma densidade de corrente máxima de 7A/mm2, optando-se por usar a secção para o

fio usado na bobina de 0,2mm2, que assegura já uma margem de segurança.

Assim sendo, partindo das equações (30), (31) e (32), calcularam-se as dimensões ideais da fôrma,

chapas e entreferro a ser usado, considerando os seguintes parâmetros:

O factor de ocupação Ku admitido foi de 0,7;

A permitividade magnética do ar é 0= 4𝜋 × 10−7𝐻𝑚−1, sendo usada esta uma vez que que é

no entreferro que se encontra concentrado o campo magnético;

A indutância da bobina é LR = 600mH;

A densidade máxima de fluxo magnético admitida foi de B = 1,3T;

Tendo em conta os parâmetros definidos, a fôrma que melhor se adequa para o dimensionamento desta

bobine é a ZETTI 18x18 que conduz às seguintes características:

Entreferro g=1,04mm;

Área efectiva Ae=324mm2;

Área da janela Ajanela=354mm2

Número de espiras N=1239 espiras

No entanto, devido à disponibilidade existente no laboratório, optou-se por uma fôrma ZETTI 20x20,

com chapas EI60. Os valores finais para o dimensionamento da bobina são os seguintes:

Entreferro g=0,84mm;

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Área efectiva Ae=400mm2;

Área da janela Ajanela=286,6mm2.

Número de espiras N=1003 espiras

3.3.4. Dimensionamento do Condensador C

Partindo do esquema da figura 56 pode-se começar a analisar as grandezas que afectam o

comportamento do condensador de entrada do inversor que assegura o baixo tremor da tensão.

CC

CA

Conversor CC-CA

(Inversor)LR

ppainel pin prede

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

C

iD ii

iC

vRede

Figura 56 - Esquema para dimensionamento do condensador C

A potência dos painéis fotovoltaicos é definida como ppainel e a potência à entrada do inversor é definida

como pin. pC corresponde à potência instantânea do condensador e é dada pela expressão (34):

𝑝𝐶 = 𝑝𝑝𝑎𝑖𝑛𝑒𝑙 − 𝑝𝑖𝑛 , (34)

em que ppainel pode ser considerado aproximadamente contínua e igual ao valor médio da potência

Prede=<prede>, considerando que o rendimento do sistema é próximo da unidade. pin, por sua vez, vai

corresponder à potência instantânea na rede, prede, pois no conversor CC-CA não existe nenhum

elemento armazenador de energia.

Para uma dada corrente na rede, em fase com a tensão, com um valor eficaz IRef, tem-se:

𝑃𝑟𝑒𝑑𝑒 = 𝑉𝑅𝑒𝑓 ⋅ 𝐼𝑅𝑒𝑓 ⋅ cos (0) (35)

A potência instantânea do lado CA, prede, será então descrita segundo o produto da tensão com a

corrente da rede:

𝑝𝑟𝑒𝑑𝑒(𝑡) = 𝑣𝑟𝑒𝑑𝑒(𝑡) ⋅ 𝑖𝑟𝑒𝑑𝑒(𝑡) = √2 ⋅ 𝑉𝑒𝑓 ⋅ sin (𝜔𝑡) ⋅ √2 ⋅ 𝐼𝑒𝑓 ⋅ sin (𝜔𝑡) (36)

Sabe-se também que a potência instantânea CA fornecida pelo condensador, pcondensador, é dada por:

𝑝𝐶(𝑡) = 𝑣𝑐(𝑡) ⋅ 𝑖𝑐(𝑡) = 𝐶 ⋅ 𝑣𝑐(𝑡)𝑑𝑣𝐶(𝑡)

𝑑𝑡 (37)

Partindo da equação (37), é possível desenvolve-la recorrendo ao caso notável descrito por (38):

𝑓(𝑡) = 𝑘 ⋅ 𝑥(𝑡)𝑑𝑥(𝑡)

𝑑𝑡 . (38)

Resolvendo em ordem a x obtém-se:

𝑥(𝑡) = √𝑘𝑎∫ 𝑓(𝑡) 𝑑𝑡 + 𝑡

0

𝑘𝑏 . (39)

Substituindo o resultado (39) pelas variáveis desejadas tem-se finalmente:

𝑣𝐶(𝑡) = √𝑘𝑎∫ 𝑝𝐶(𝑡) 𝑑𝑡 + 𝑡

0

𝑘𝑏 , (40)

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onde 𝑘𝑎 =2

𝐶 e 𝑘𝑏representa a constante resultante da integração, o valor de 𝑘𝑏será determinado mais

à frente, após se comprovar que 𝑘𝑎é, efectivamente, dado por 2

𝐶.

De modo a comprovar o valor de 𝑘𝑎, usa-se a relação definida pela equação (40), para reescrever a

expressão (37), ficando esta na forma:

𝑝𝐶(𝑡) = 𝐶√𝑘𝑎∫ 𝑝𝐶(𝑡) 𝑑𝑡 + 𝑡

0

𝑘𝑏 ⋅ 𝑘𝑎. 𝑝𝐶(𝑡)

2√𝑘𝑎 ∫ 𝑝𝐶(𝑡) 𝑑𝑡 + 𝑡

0𝑘𝑏

(41)

Resolvendo a expressão (41) em ordem a 𝑘𝑎, obtém-se:

𝑘𝑎 =2

𝐶 , (42)

comprovando-se, desta forma, o valor de 𝑘𝑎. Para a obter 𝑘𝑏, recorre-se à expressão (40) para t = 0,

obtendo-se:

𝑣𝐶(0) = √𝑘𝑏 (43)

e

𝑘𝑏 = 𝑣𝐶(0)2 (44)

Partindo das equações definidas em (35) e (36) tem-se que:

𝑝𝐶(𝑡) = 𝑃𝑟𝑒𝑑𝑒 − 𝑝𝑟𝑒𝑑𝑒(𝑡) = 𝑉𝑅 ⋅ 𝐼𝑅 − 2 ⋅ 𝑉𝑒𝑓 ⋅ 𝐼𝑒𝑓 ⋅ sin2 (𝜔𝑡)

𝑝𝐶(𝑡) = 𝑉𝑒𝑓 . 𝐼𝑒𝑓 . sin (2𝜔𝑡) (45)

Integrando ambas as partes de (45) obtém-se:

∫ 𝑝𝐶 𝑑𝑡𝑡

0

= ∫ 𝑉𝑒𝑓 ⋅ 𝐼𝑒𝑓 ⋅ sin (2𝜔𝑡)𝑡

0

𝑑𝑡 = 𝑉𝑒𝑓 ⋅ 𝐼𝑒𝑓 ⋅ −cos (2𝜔𝑡)

2𝜔 (46)

Usando a expressão (40), a tensão no condensador será dada por:

𝑣𝐶(𝑡) = √2

𝐶

𝑉𝑒𝑓 ⋅ 𝐼𝑒𝑓 ⋅ (− cos(2𝜔𝑡))

2𝜔+ 𝑣𝐶(0)

2 (47)

Através da equação (47) foi possível calcular o valor do condensador que conduz a um tremor de 𝑣𝐶

igual a 4% do valor máximo dessa mesma tensão (∆𝑣𝐶 = 4%). Como se pode comprovar pelo resultado

obtido na figura 57, o valor de C que satisfaz esse requisito é C = 100F.

Figura 57 - Tensão no condensador C

Na figura 57 é ainda possível observar uma onda sinusoidal com frequência de 100Hz com valor médio

de 400V e com o ripple desejado de ∆𝑣𝐶 = 4%.

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Capítulo 4

Controlo do Conversor CC-CA

Neste capítulo serão abordados os métodos a adoptar para o controlo do conversor, tendo em conta

que será necessário controlar tanto a entrada, como a saída do mesmo. Este balanço será responsável

por estabelecer qual a energia adequada a fornecer à rede. Começar-se-á por fazer uma breve

introdução onde serão explicadas as grandezas a ser controladas, bem como os métodos que se

podem implementar. Seguidamente proceder-se-á ao dimensionamento do controlo propriamente dito,

apresentando as decisões tomadas e as criticas que conduziram à sua escolha.

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4.1. Introdução

Como forma introdutória para este capítulo, começa-se por apresentar o esquema completo do sistema

de controlo a ser implementado para o conversor em estudo, evidenciado na figura 58. O controlo é

fundamental para garantir o funcionamento adequado do conversor, pois permite controlar as variáveis

de entrada e saída do circuito, actuando directamente nos transístores.

Neste caso específico é necessário controlar duas variáveis, sendo uma a tensão aplicada ao

condensador na entrada do conversor, onde é necessário garantir o equilíbrio energético no mesmo,

com uma tensão relativamente constante; e a corrente a ser injectada da rede, que é controlada de

modo que esta esteja em fase com a tensão da rede, e com uma amplitude que depende das condições

energéticas disponibilizadas pelos painéis.

De forma resumida é necessário controlar:

Tensão no condensador C, denominada de VC, garantindo o equilíbrio energético do circuito e

mantendo a tensão no condensador constante.

Corrente a ser injectada na rede, denominada de iR, permitindo que se controle a potência a ser

injectada à rede

CC

CA

Conversor CC-CA

(Inversor)LR

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

C

iD ii

iC

VC

T1 T2 T3 T4

Controlo da

corrente iR

γ1 γ2

iR

Ganho αv

Controlo da

tensão vC

Controlo da

corrente iR

sin(ωt)

-

+PI

iRiRref

VCref

vRede

Figura 58 - Esquemático do sistema de controlo do conversor

Nos próximos subcapítulos serão apresentados os sistemas de controlo implementados ao longo do

projecto, bem como os métodos de dimensionamento e implementação dos mesmos, tendo em conta

os resultados desejados.

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_________________________________________________________________________________ 51

Como forma de introdução para os próximos subcapítulos, apresenta-se na figura 59 o diagrama de

blocos em Matlab do controlo implementado.

Figura 59 - Diagrama de blocos do controlo do inversor em Matlab

Sendo que o bloco “Conversor CC-CC” tem como finalidade simular o conversor CC-CC ligado antes

do inversor. Relativamente ao bloco “Inversor”, o mesmo foi implementado em Matlab tendo por base

o estudo do seu modelo, chegando-se às equações que regem o seu funcionamento, sendo:

𝑣𝐴 = 𝛾1 ⋅ 𝑉𝐶 𝑣𝐵 = 𝛾2 ⋅ 𝑉𝐶 (48)

A tensão vAB é representada por:

𝑣𝐴𝐵 = 𝑣𝐴 − 𝑣𝐵 = 𝑉𝐶(𝛾1 − 𝛾2) (49)

O modelo do inversor implementado no diagrama de blocos rege-se pela equação (49). Não obstante,

de modo a simular as correntes do circuito houve a necessidade de determinar a equação que permite

definir a corrente de entrada do inversor ii, sendo esta obtida pela análise das correntes em cada célula

de díodo mais transístor.

𝑖𝑆1 = { 𝑖𝑅 𝑠𝑒 𝛾1 = 1

0 𝑠𝑒 𝛾1= 0

𝑖𝑆4 = {−𝑖𝑅 𝑠𝑒 𝛾1 = 0

0 𝑠𝑒 𝛾1= 1

𝑖𝑆2 = {−𝑖𝑅 𝑠𝑒 𝛾2 = 1

0 𝑠𝑒 𝛾2= 0

𝑖𝑆3 = { 𝑖𝑅 𝑠𝑒 𝛾2 = 0

0 𝑠𝑒 𝛾2= 1

(50)

a corrente de entrada é então dada por:

𝑖𝑖 = 𝑖𝑆1 + 𝑖𝑆2 = 𝑖𝑆3 + 𝑖𝑆4 = 𝑖𝑅( 𝛾1 − 𝛾2) (51)

A figura 60 ilustra o diagrama de blocos em Matlab do inversor.

Figura 60 - Diagrama de blocos do inversor (ver equação (51))

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_________________________________________________________________________________ 52

4.2. Controlo da corrente iR

A forma mais convencional de controlar a corrente iR no inversor é através de um controlo histerético,

tal como explicado no capítulo 3. Neste trabalho recorreu-se a uma derivação desse tipo de controlo,

com outras características, como é explicado a possibilidade de haver a limitação de frequência dos

semicondutores, permitindo um maior controlo da velocidade de comutação dos semicondutores.

4.2.1. Controlo não linear com limitação de frequência

No controlo não linear com limitação de frequência, a comparação é efectuada tendo em conta limites

constantes, havendo de igual forma três tipos distintos de comutação, tendo em conta a zona em que

se está a operar.

Este sistema de controlo tem como base os seguintes critérios:

Se a corrente iR iRref, então vLR deve ser 0, tal que a corrente iR tem que aumentar,

Se a corrente iR iRref, então vLR deve ser 0, tal que a corrente iR tem que diminuir.

Partindo da figura 61 onde se apresenta as zonas de operação bem como os limites de comparação,

sabe-se, à priori, que o erro é dado por:

𝑒𝑟𝑟𝑜 = 𝑖𝑅𝑟𝑒𝑓 − 𝑖𝑅 (52)

Sendo iRref a corrente de referência e iR a corrente real à saída do circuito. A primeira corrente é uma

onda sinusoidal sem tremor, (mas com um componente interna sinusoidal a 100Hz derivada do tremor

da tensão no condensador C), resultante da multiplicação do sinal vindo do controlo proporcional

integral, com a referência de tensão da rede vRedeRef. A segunda, devido ao carácter discreto da tensão

no inversor, assume um comportamento por troços de rectas associadas a um dado tremor, tendo um

aspecto sinusoidal.

Assim sendo, o erro será resultante da subtracção da forma de onda de iRref pela forma de onda de iR

tal como é mostrado na figura 61, onde são também apresentadas as zonas de operação bem como

os limites de comparação.

erromáx

ZA

erromin

erro

ZB

ZC

ZA

0

Figura 61 - Forma de onda do erro nas diferentes zonas de comparação

Pode-se discernir que as três zonas de funcionamento do controlo são dadas por;

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_________________________________________________________________________________ 53

𝑍𝑜𝑛𝑎 𝐴 𝑒𝑟𝑟𝑜 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑚á𝑥 𝑣𝐴𝐵 = +𝑉𝐶 (53)

𝑍𝑜𝑛𝑎 𝐶 𝑒𝑟𝑟𝑜 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑚𝑖𝑛 𝑣𝐴𝐵 = −𝑉𝐶 (54)

𝑍𝑜𝑛𝑎 𝐵 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑚𝑖𝑛 𝑒𝑟𝑟𝑜 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑚á𝑥 𝑣𝐴𝐵 = 0 (55)

De modo a compreender melhor o circuito responsável pelo controlo da corrente de saída, apresenta-

se na figura 62 o diagrama de blocos em Matlab correspondente ao mesmo.

Figura 62 - Diagrama de blocos do circuito de controlo não linear com limitação de frequência

As correntes iRref e iR são subtraídas uma à outra, obtendo desta forma o erro de corrente. Esse erro é

posteriormente comparado com os erromáx e erromin definidos, obtendo os sinais que dão entrada na

tabela lógica, responsável por definir os estados 𝛾1e 𝛾2.

Os flip-flops g1 e g2 ligados à saída da tabela lógica têm a função de limitar a frequência de comutação,

tal como se definiu nos cálculos do subcapítulo 3.3.1. O flip-flop flag fará com que, nos estados de roda

livre do inversor (S00 e S11), haja alternância entre os semicondutores superiores e inferiores de cada

braço, garantindo o equilíbrio dos semicondutores à condução. A alternância dos seus estados é

atualizada pela saída da porta XNOR usada, que detecta os estados S00 e S11. A explicação relativa à

utilização desta porta lógica advém da análise da tabela 5. Os sinais C1 e C2 correspondem aos

comparadores usados.

Tabela 5 – Tabela de verdade do circuito lógico a ser implementado

C1 C2 Flag 𝟏

𝟐 VAB

0 0 0 0 0

0

0 1

0 1 N.A 0 1 -VC

1 0 N.A 1 0 +VC

1 1 N.A N.A. N.A. N.A.

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_________________________________________________________________________________ 54

Tendo em conta a tabela 5, pôde-se achar as equações correspondentes a cada variável gama, as

quais permitem achar o circuito lógico que implementa a função pretendida.

1= C1. C2̅̅̅̅ + C1̅̅̅̅ . C2̅̅̅̅ . 𝐹𝑙𝑎𝑔 (56)

2= C1̅̅̅̅ . C2 + C1̅̅̅̅ . C2̅̅̅̅ . 𝐹𝑙𝑎𝑔 (57)

Assim sendo é possível implementar o circuito lógico que permite comandar os transístores, evitando

a condução simultânea dos transístores do mesmo braço do inversor, circuito este relativo ao bloco

“tabela lógica” da figura 62, sendo o mesmo apresentado de seguida na figura 63.

Figura 63 - Circuito lógico para controlar os transístores

O sinal de flag advém do flip-flop flag, o qual é actualizado pelo sinal de saída da porta lógica XNOR.

Tendo em conta que o sinal de flag só é usado nos estados de roda livre do circuito, é necessário um

sinal lógico que é 1 quando os 1e 2são iguais, ou seja, a função lógica ou-exclusivo-negado, como se

pode ver pela tabela de verdade 6.

Tabela 6 – Tabela de verdade da porta lógica XNOR

𝟏

𝟐 XNORout

0 0 0

0 1 1

1 0 1

1 1 0

O sinal de relógio do flip-flop flag só será activado quando os flip-flops g1 e g2 tiverem o mesmo sinal

à saída, permitindo desta forma alternar o estágio de roda livre entre os transístores superiores e

inferiores do inversor.

4.3. Controlo da tensão VC

O controlo da tensão VC permite que a tensão média aplicada aos terminais do condensador seja

constante sem variações bruscas, independentemente da potência vinda do conversor CC-CC.

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_________________________________________________________________________________ 55

Para a garantir que a potência injectada na rede eléctrica é máxima, há a necessidade de controlar a

tensão aos terminais do condensador, sendo que apenas se irá controlar o valor médio da mesma,

havendo uma componente alternada em torno da tensão VC, com uma frequência de 100Hz

Para controlar a tensão no condensador, tem-se em conta a amplitude da corrente a ser injectada na

rede eléctrica, sendo que, caso a potência vinda do conversor CC-CC aumente, a corrente injectada

na rede deverá igualmente aumentar, e vice-versa. Ou seja, se a amplitude dessa corrente aumenta, a

mesma é aplicada ao controlo de tensão do condensador de modo a que a tensão aos terminais do

mesmo desça, injectando desta forma a potência na rede.

O tipo de compensador a ser usado neste caso será proporcional integral, uma vez que se pretende

um erro em regime estacionário nulo, sendo esse o principal problema do compensador proporcional.

Não obstante, sabendo que a dinâmica do andar CC é mais lenta que a do lado CA do conversor, esta

é a melhor opção.

Como ponto de partida para o dimensionamento do controlador, começa-se por apresentar o diagrama

de blocos do sistema de controlo na figura 64.

VCref

αv

C(s)1

1 + sTd-

+

iD

iC

+- 1

sC

vCGi

Figura 64 - Diagrama de blocos do sistema de controlo

Sendo que C(s) define a função de transferência do compensador e v é um ganho que permite reduzir

a tensão VC de modo a que possa ser comparado com a tensão de referência VCref. No caso deste

projecto, VCref = 10V e como tal, o ganho será v = 0,025 de modo a ter a mesma amplitude em VC que

tem valor médio de 400V. Relativamente ao ganho Gi, o mesmo é usado para obter o equilíbrio

energético no sistema, permitindo garantir que a amplitude da corrente de referência à saída do

compensador, é igual à amplitude da corrente na bobina, sendo considerado Gi=0,1.

A função de transferência do inversor é dada por:

1

1 + 𝑠𝑇𝑑 (58)

Sendo que o atraso Td é metade do período da rede eléctrica, ficando Td=0,01s.

Relativamente ao compensador propriamente dito, o mesmo deve garantir que o sistema seja estável

em malha fechada, tendo uma resposta rápida, de preferência não oscilatória, reduzindo o efeito das

perturbações e eliminando igualmente o erro estático.

O compensador a ser usado será o proporcional integral, ou seja 𝐶(𝑠) = 𝐾𝑝 +𝐾𝑖

𝑠, pois, tal como se verá

no decorrer da análise dos resultados, só assim se pode garantir os pontos definidos anteriormente.

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_________________________________________________________________________________ 56

Havendo uma perturbação no andar CC causada pela corrente iD, pode-se definir a resposta de tensão

como sendo:

𝑉𝐶(𝑠)

𝑖𝐷(𝑠)=

1

𝑠𝐶

1 + (𝐾𝑝 +𝐾𝑖

𝑠) ⋅ (

1

1+𝑠𝑇𝑑) ⋅ (

1

𝑠𝐶) ⋅ 𝑉 ⋅ 𝐺𝑖

(59)

Escrevendo a equação (59) na forma canónica tem-se:

𝑉𝐶(𝑠)

𝑖𝐷(𝑠)=

𝑠(𝑠𝑇𝑑+1)

𝑇𝑑.𝐶

𝑠3 +1

𝑠𝑇𝑑𝑠2 +

𝐾𝑝.𝑉 .𝐺𝑖

𝑇𝑑.𝐶𝑠 +

𝐾𝑖.𝑉 .𝐺𝑖

𝑇𝑑.𝐶

(60)

Como tal, de modo a obter os ganhos do compensador, tendo em conta que se trata de um sistema de

3ª ordem, deve-se comparar o dominador da equação (60) com o polinómio de 3ª ordem apresentado

na equação (61).

𝑠3 + 𝑠21,75𝜔𝑛 + 𝑠2,15𝜔𝑛2 + 𝜔𝑛

3 (61)

Comparando os polinómios (60) e (61) obtém-se:

{

1,75𝜔𝑛 =

1

𝑇𝑑

2,15𝜔𝑛2 =

𝐾𝑝 ⋅ 𝑉 ⋅ 𝐺𝑖

𝑇𝑑 ⋅ 𝐶

𝜔𝑛3 =

𝐾𝑖 ⋅ 𝑉 ⋅ 𝐺𝑖𝑇𝑑 ⋅ 𝐶

(62)

Resolvendo a equação (62) em ordem aos ganhos proporcional Kp e integral Ki, tem-se que:

{

𝐾𝑝 =2,15 ⋅ 𝐶

𝑉 ⋅ 𝐺𝑖 ⋅ (1,75)2 ⋅ 𝑇𝑑

𝐾𝑖 =𝐶

𝑉 ⋅ 𝐺𝑖 ⋅ (1,75)3 ⋅ (𝑇𝑑)

2

(63)

De onde resulta:

{𝐾𝑝 = 1,4

𝐾𝑖 = 37,31 (64)

Pode-se então, analisar o sistema quanto à sobreelevação e tempo de estabelecimento da tensão final,

ou seja, do regime estacionário.

Começou-se por analisar o sistema com os ganhos Kp e Ki calculados, de modo a ver a resposta do

mesmo, tendo como método de análise o factor de amortecimento, bem como a respectiva

sobreelevação. A sobreelevação deverá ser o mais reduzida possível, uma vez que tensões de pico

elevadas podem ser prejudiciais para o circuito.

Assim sendo, partindo da expressão da sobreelevação da por:

𝑆𝑜𝑏𝑟𝑒𝑒𝑙𝑒𝑣𝑎çã𝑜 = 100𝑒

−.𝜋

√1−2

= 100 ×𝑉𝐶𝑚á𝑥 − 𝑉𝐶𝑓𝑖𝑛𝑎𝑙

𝑉𝐶𝑓𝑖𝑛𝑎𝑙 , (65)

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_________________________________________________________________________________ 57

sabe-se, à priori, que o factor de amortecimento desejável é dado por = √2

2 = 0,707, permitindo obter

simultaneamente uma resposta rápida e com menores oscilações. Na tabela 7 apresentam-se a

variações da sobreelevação e do tempo de estabelecimento, em função dos ganhos e do factor de

amortecimento.

Tabela 7 - Sobreelevação e tempo de estabelecimento em função dos ganhos Kp e Ki e do factor de amortecimento

Ki Kp Sobreelevação Tempo de

estabelecimento

100 7 4,33% 0,35s 0,707

50 3 9% 0,25s 0,61

37,31 1,4 17% 0,5s 0,49

Tendo em conta que deve existir um compromisso entre a sobreelevação e o tempo de

estabelecimento, traçaram-se prioridades e, como tal, os ganhos calculados inicialmente não garantiam

a resposta mais rápida, tendo também uma sobreelevação elevada, atingindo um pico de mais 17% da

tensão desejada, como se pode ver na figura 65. Não obstante, verifica-se ainda um overshoot e uma

ligeira oscilação entre os 0 e os 3,5s, algo que é indesejável.

Figura 65 - Resposta do Sistema para um ganho Kp=1,4 e Ki=37,31

De seguida, decidiu-se simular a resposta do sistema para os ganhos Kp=7 e Ki=100, correspondentes

ao factor de amortecimento padrão, demonstrada na figura 66. Pode-se ver que a sobreelevação é

mínima e a resposta é rápida. No entanto, estes ganhos fazem com que haja alguma deformação da

corrente da rede, e como tal decidiu-se tentar ajustar novamente os ganhos, obtendo um forma de onda

mais sinusoidal para essa corrente.

Figura 66 - Resposta do Sistema para um ganho Kp=7 e Ki=100

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Assim sendo, decidiu-se considerar um meio-termo, ou seja, usar ganhos que permitissem uma rápida

resposta do sistema com baixo tempo de estabelecimento e com pouca sobreelevação. Como tal os

ganhos implementados são Kp=3 e Ki=50, sendo a resposta dos mesmos apresentada na figura 67.

Figura 67 - Resposta do Sistema para um ganho Kp=3 e Ki=50

Neste caso, a deformação da corrente da rede é mínima ao contrário do caso anterior, pelo que foram

usados estes ganhos. Deste modo foi possível dimensionar o controlo da corrente para melhor relação

entre sobreelevação e tempo de estabelecimento.

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_________________________________________________________________________________ 59

Capítulo 5

Circuito de Controlo

Neste capítulo serão apresentados os dimensionamentos dos circuitos de controlo. Relativamente aos

circuitos de ajuda à comutação e de potência, não foi possível implementar os mesmos em tempo útil

para a potência e tensão originalmente definidas, sendo que ainda assim os mesmos foram

devidamente dimensionados no anexo A. O circuito de potência a ser efectivamente usado terá uma

tensão cerca de dez vezes menor, sendo como tal necessário escalonar todas as variáveis adjacentes

ao circuito de controlo do mesmo, de modo a obter resultados semelhantes aos esperados para a

versão original.

Como enunciado, o circuito de controlo foi dimensionado tendo em conta novos valores de potência e

tensão. Ou seja, as características mantêm-se, mudando as grandezas tais como ganhos, referências,

valores de bobina e condensador, bem como os respectivos tremores.

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_________________________________________________________________________________ 60

5.1. Circuito de Controlo Inversor VC=30V

O circuito de controlo apenas foi dimensionado tendo em conta o inversor a ser efectivamente testado,

com uma tensão de entrada de 30V, tendo o mesmo as características apresentadas na tabela 8.

5.1.1. Dados relativos ao inversor com VC=30V

Tabela 8 - Valores do inversor de baixa potência onde será implementado o circuito de controlo dimensionado

Pmáx - Potência máxima 15W

VC - Tensão de entrada do inversor 30V

VRedeRMS – Tensão da rede eficaz 17,25V

fRede Frequência da rede 50Hz

iR – Corrente na bobina LR 0,87A

∆iR – Ripple da corrente na bobina

LR

5%

Note-se que a tensão da rede descrita na tabela 8 refere-se ao escalonamento feito tendo em conta os

valores de tensão originais, mantendo assim a proporcionalidade. Ainda assim é possível obter uma

tensão eficaz de 230V usando um autotransformador na ligação à rede.

Assim sendo, tendo por base os valores da tabela 8 é possível obter os valores do filtro de entrada e

saída do conversor, bem como da frequência de operação, sendo apresentados de seguida.

Partindo dos cálculos efectuados no subcapítulo 3.3.1. relativo ao dimensionamento da bobina LR,

obteve-se o seguinte valor de indutância para a bobina a ser usada no inversor de 30V.

𝐿𝑅30𝑉 = 45𝑚𝐻 (66)

Sendo a frequência resultante:

𝑓𝑆30𝑉 = 15,9𝑘𝐻𝑧 (67)

Relativamente ao filtro de entrada, o mesmo foi redimensionado tendo por base os cálculos efectuados

no subcapítulo 3.3.4., obtendo-se o seguinte valor para a capacidade de entrada:

𝐶30𝑉 = 660𝐹 (68)

Assim sendo, tendo os valores dos filtros e da frequência de comutação do conversor, já é possível

dimensionar os circuitos de controlo adjacentes.

De modo a efectuar o controlo, além dos componentes activos do mesmo, tais como comparadores,

ampops, multiplicadores, entre outros, é necessário dimensionar igualmente os transdutores de tensão

e corrente, de modo a permitir obter a tensão no condensador de entrada e a corrente de saída do

inversor.

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5.1.2. Esquema completo do circuito de controlo

Para que haja concordância com os subcapítulos seguintes, onde se fará o dimensionamento dos

circuitos implementados, começa-se por apresentar, na figura 68, o esquema completo do circuito de

controlo.

CC

CA

Conversor CC-CA

(Inversor)LR

Painéis

Fotovoltaicos

+

Conversor

CC-CC

C

iD ii

iC

vC

γ1 γ2

VCref

vRede

57

+Vcc

-Vcc

VAmostr agem

corr ente saída iR

RM

iR

+

-

R1 R2

R3 R4

Amostra vC

V1

vC

+15V

-15V

Amostragem do s inal da

corrente de saída iR

Amostragem do s inal da

tensão de entrada vC

+

-

R1 R2

R3 R4

OutSubtr ac tor

vc-Vcre f

+15V

-15V

Subtractor da tensão vC

pela tensão VCref

+

-

R1

R2

V2

+15V

-15V

+

-

R5

R6

V1

+15V

-15V

C

+

-

+15V

-15V

R4

R3

R7

PI out

Compensador Proporcional Integral

vRede

R1

R2

R1

vR

edeR

ef

Amostragem da tensão da rede

+

-

R1R2

R3R4

+15V

-15V

Subtractor da corrente iRef pela

corrente VAmostr agem corre nte saída iR

iRef

VAmostr agem corre nte saída iR

Tabela Lógica + Flip-Flops

+

-

R3

R4

erromin

erromáx

+15V

-15V

+15V

R1

R2

Circuito de erromáx e erromin

Comparador

Comparador

C1 C2

erro

Multiplicador

Figura 68 - Esquema completo do circuito de controlo

Os blocos constituintes deste esquema foram ligados desta maneira, tal como é apresentado nos

esquemas do capítulo 4. Os dimensionamentos apresentados são relativos aos blocos a tracejado,

circuitos estes que devem ser dimensionados tendo em conta a sua função, ganhos bem como tipo de

topologia.

O bloco contendo a tabela lógica e os flip-flops não necessitou de dimensionamento, pois apenas se

tratam de circuitos com função bem definida.

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No subcapítulo 5.1.3. apresentam-se as formas de onda dos sinais mais relevantes, de saída e entrada,

dos diversos blocos.

5.1.3. Formas de onda do circuito de controlo

As formas de onda relativas às entradas e saídas que se deseja observar, estão representadas nas

figuras 69 e 70, para um período de comutação da rede.

Figura 69 - Formas de onda das grandezas do circuito de controlo

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Figura 70 - Formas de onda das grandezas do circuito de controlo

5.1.4. Amostragem do sinal da corrente de saída

Relativamente à amostragem da corrente de saída, usou-se um transdutor de corrente LA55-P, que

funciona com base no efeito de hall.

Segundo o datasheet, a proporcionalidade deste transdutor é dada por uma relação de 1:1000, e como

tal, a expressão que define a corrente do à entrada e à saída, com o numero de espiras da entrada e

da saída é dada por:

𝑖𝑅𝑖𝑜𝑢𝑡

=1000

𝑁 (69)

Onde iR define a corrente de entrada do transdutor e N define o número de espiras a ter no primário do

transdutor para uma dada corrente definida para o secundário do mesmo. Segundo o mesmo

datasheet, a corrente nominal no secundário é de 50mA, ficando:

𝑁 =1000 ∗ 𝑖𝑜𝑢𝑡

𝑖𝑅= 1000 × 50 × 10−3

0,87= 57 𝑒𝑠𝑝𝑖𝑟𝑎𝑠 (70)

Assim sendo, de modo a haver proporcionalidade para o resto do circuito a ser implementado, a tensão

à saída deste transdutor tem que ser aproximadamente 11,5V.

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Como tal, a tensão de saída pretendida será dada pelo produto da corrente no secundário, multiplicada

por uma resistência ligada à massa, denominada de resistência de medida RM, tal como a figura 71

demonstra, ou seja:

57

+Vcc

-Vcc

VAmostr agem

corr ente saída iR

RM

iR

iout

Figura 71 - Circuito do transdutor de corrente

Tendo por base o esquema da figura 71, sabe-se que a tensão à saída do transdutor será dada por:

𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑀. 𝑖𝑜𝑢𝑡 (71)

Ou seja, a resistência de medida será dada por:

𝑅𝑀 =𝑉𝑜𝑢𝑡𝑖𝑜𝑢𝑡

= 11,5

50 × 10−3= 230 (72)

A potência dissipada nesta resistência será:

𝑃𝑑𝑖𝑠𝑠𝑖𝑝𝑎𝑑𝑎 = 𝑅𝑀. 𝑖𝑜𝑢𝑡2 = 230 × 50 × 10−3 = 0,575𝑊 (73)

5.1.5. Amostragem do sinal da tensão de entrada

De modo a obter a o sinal da tensão de entrada geralmente é usado um transdutor de tensão LV25-P,

no entanto, tendo em conta que a tensão do inversor implementado é baixa comparada à tensão de

alimentação dos circuitos integrados, usou-se uma montagem diferenciadora de modo a obter a

amostragem necessária de tensão, sem que os ampops saturem.

O diferenciador será usado para amostrar a tensão Vc à entrada do condensador, onde o valor médio

é de 30V. À saída do diferenciador é desejável ter-se uma tensão de aproximadamente 10V, tensão

esta que será subtraída à tensão VCref, com o mesmo valor mas com amplitude constante. Ao se subtrair

estas duas tensões, é possível obter o erro que irá para o compensador proporcional integral.

O circuito do diferenciador a ser implementado é mostrado na figura 72, tendo a entrada V1 ligada à

massa, pois não precisamos de efectuar a subtracção dessa tensão, mas sim apenas a atenuação da

tensão VC, partindo do divisor de tensão que se tem com esta montagem.

+

-

R1 R2

R3 R4

Amostra VC

V1

VC

+15V

-15V

Figura 72 – Circuito montagem diferenciadora para efectuar a amostragem da tensão VC

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Ou seja, a tensão de saída desta montagem diferenciadora é dada pela equação seguinte:

𝐴𝑚𝑜𝑠𝑡𝑟𝑎 𝑉𝐶 = (1 +𝑅2𝑅1) (

𝑅4𝑅3 + 𝑅4

) 𝑉𝐶 (74)

Sendo que, manipulando a equação anterior é possível determinar o valor das resistências a usar para

obter o ganho desejado, ficando as mesmas com os seguintes valores:

𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅4 = 100𝑘 (75)

𝑅3 = 490𝑘 (76)

5.1.6. Subtractores

De modo a implementar os subtractores, à semelhança do caso anterior, usou-se uma topologia

diferenciadora, no entanto, neste caso igualaram-se as quatro resistências, tornando a montagem

numa montagem subtractora. O circuito desta montagem é mostrado na figura 73, tanto para a

subtracção da tensão “Amostra vC” com “VCref”, como para “VAmostragem corrente saída iR” com “iRef”.

Amostra vC

(V2)

+

-

R1 R2

R3 R4

OutSubtr ac tor

vc-Vcre f

(Vout)+15V

-15V

+

-

R1 R2

R3 R4

+15V

-15ViRef (V2)

VAmostr agem

corr ente saída iR

(V1) erro

(Vout)

VCref (V1)

Figura 73 - Circuitos montagem subtractora

Ou seja, se 𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅3 = 𝑅4, ou 𝑅1 = 𝑅3 𝑅2 = 𝑅4, a tensão de saída da montagem subtractora é

dada pela equação seguinte:

𝑉𝑜𝑢𝑡 = (𝑅2𝑅1) (𝑉2 − 𝑉1) (77)

Em ambos os subtractores implementados as resistências usadas tomaram o seguinte valor:

𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅3 = 𝑅4 = 390𝑘 (78)

5.1.7. Circuito de erromáx e erromin

De modo a obter o erromáx e erromin, que definem os intervalos constantes de comparação com o erro,

usou-se um divisor de tensão seguido de um amplificador operacional em montagem inversora,

mostrado na figura 74, permitindo obter desta forma os dois níveis de tensão desejados, um positivo e

um negativo, com a mesma amplitude.

+

-

R3

R4

erromin

erromáx

+15V

-15V

+15V

R1

R2

Figura 74 - Circuito de erromáx e erromin

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_________________________________________________________________________________ 66

Denote-se que as resistências R3 e R4 têm o mesmo valor, sendo o mesmo necessariamente maior que

200k, uma vez que com valores abaixo disso, a tensão de entrada é atenuada, não mantendo a

amplitude desejada desse sinal.

5.1.8. Comparadores

No circuito de controlo implementado foram usados dois comparadores, de modo a comparar o erro

resultante da subtracção da corrente iRref pela corrente iR, com os valores de tremor desejados, enviando

os sinais resultantes para a tabela lógica descrita anteriormente. Os comparadores farão comparações

complementares, sendo que um será maior ou igual e o outro será menor ou igual.

O esquema do circuito a ser implementado é mostrado na figura 75, sendo que o pino 1 fica ligado à

massa pois apenas se quer obter sinais +Vcc ou 0 à saída do comparador. Relativamente à resistência

R1, a mesma terá um valor de 1k de modo a dar a corrente necessária na saída do comparador.

-

+

+15V

-15V

R1

Out

+15V

+15V

V1

V2

2

3

8

4 1

7

Figura 75 - Circuito dos comparadores implementados

Atendendo ao circuito da figura 75, os dois comparadores a ser usados têm as seguintes entradas:

Comparador ≥ - O erro entrará em V1 e o erromáx entrará em V2

Comparador ≤ - O erro entrará em V2 e o erromin entrará em V1

5.1.9. Multiplicador de sincronismo com a tensão da rede

De modo a que a corrente a ser injectada na rede esteja em fase com a tensão, permitindo obter um

factor de potência unitário, há a necessidade implementar um circuito que permita o sincronismo da

mesma. Assim sendo, recorreu-se ao uso de um multiplicador, que tem como função multiplicar o sinal

vindo do compensador proporcional integral, PI out, com uma tensão de referência da rede eléctrica

VRedeRef. A tensão de referência da rede pode ser obtida usando um transdutor de tensão ou um

transformador, tendo sido usado este último, uma vez que tem um custo diminuto face ao transdutor

de tensão, permitindo obter igualmente o sinal de referência da rede desejado.

A operação definida pelo multiplicador tem por base a equação (79), definida pelo fabricante do mesmo:

𝑊 =(𝑋1 − 𝑋2)(𝑌1 − 𝑌2)

10𝑉+ 𝑍 (79)

Sendo que o sinal PI out entrará em X1 e a tensão de referência VredeRef entrará em Y1. As entraras X2,

Y2 e Z ficarão ligadas à massa pois não serão usadas. A saída W é dada por iRef. Note-se que o

multiplicador faz, internamente, uma divisão por 10, sendo que o sinal à saída do mesmo terá esta

proporcionalidade.

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_________________________________________________________________________________ 67

5.1.10. Circuito do compensador proporcional integral

O compensador proporcional integral foi implementado tendo em conta o circuito apresentado na figura

76, composto por três amplificadores operacionais, sendo um em montagem integradora, um outro em

montagem inversora e por fim, o ampop de saída, em montagem somadora inversora.

+

-

R1

R2

V2

+15V

-15V

+

-

R5

R6

V1

+15V

-15V

C

+

-

+15V

-15V

R4

R3

R7

Montagem Integradora

(Ganho Integral)

Montagem Inversora

(Ganho Proporcional)

Montagem Somadora

Inversora

OutSubtr ac tor

vc-Vcre f

PI out

Figura 76 - Circuito do Compensador Proporcional Integral

De modo a obter o ganho proporcional Kp usa-se uma montagem amplificadora inversora, sendo que a

relação é dada pela seguinte equação:

𝑉𝑜𝑢𝑡 = −𝑉𝑖𝑛𝑅2𝑅1

(80)

Assim sendo, tendo em conta que se quer obter um ganho Kp=1,96, então as resistências escolhidas

têm os seguintes valores:

𝑅1 = 51 𝑘 (81)

𝑅2 = 100 𝑘 (82)

Relativamente ao ganho integral Ki, usou-se uma montagem integradora, sendo a expressão que a

define apresentada de seguida.

𝑉𝑜𝑢𝑡 = −1

𝑅5. 𝐶𝑉𝑖𝑛 𝑑𝑡 (83)

A função de transferência resultante da equação anterior é dada por:

𝑉𝑜𝑢𝑡

𝑉𝑖𝑛= −

1

𝑠𝐶. 𝑅5 (84)

Assim sendo, tendo em conta o ganho Ki=11,79 calculado pelos métodos do capítulo 4, partindo da

equação anterior e definindo um valor para a capacidade de C=1F, que definirá a constante de tempo

do circuito, tem-se um valor de R5 = 85 𝑘, tendo-se usado na prática uma resistência com 91 𝑘.

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Relativamente à resistência R6 em paralelo com o condensador, a mesma é usada de modo a limitar o

ganho em baixas frequências, pois caso contrário tende a integrar componentes com tempos de

integração de longa duração.

Assim sendo, um critério a adoptar para o dimensionamento da resistência R6 passa por multiplicar o

valor do ganho da montagem integradora pelo valor da resistência R5, resultando num valor de

R6=1 𝑀.

Por fim, na saída do circuito compensador, tem-se um ampop a operar como somador inversor, que

fará a soma dos dois sinais vindos dos ampops. Tendo em conta que tanto a montagem inversora onde

se insere o ganho Kp, como a montagem integradora onde se insere o ganho Ki, invertem o sinal, há a

necessidade que a montagem somadora de saída inverta esses sinais, como tal, esta montagem

somadora não terá qualquer ganho, apenas sendo usada para efectuar a soma propriamente dita e

inverter o sinal negativo, para obter um sinal positivo na saída.

A equação relativa a esta montagem é mostrada de seguida, bem como o seu dimensionamento:

𝑉𝑜𝑢𝑡 = −𝑅4 (𝑉1𝑅7+𝑉2𝑅3) (85)

Relativamente ao dimensionamento, uma vez que esta montagem não deverá ter ganho, as

resistências devem possuir todas do mesmo valor, sendo que neste caso 𝑅3 = 𝑅4 = 𝑅7 = 100 𝑘, tendo

sido escolhido este valor de modo a obter correntes baixas no ampop.

5.1.11. Circuito de relógio

De modo a criar o sinal de relógio necessário para comandar os flip flops, usou-se um circuito de relógio

555, com a montagem A-stable, sendo apresentada no esquema da figura 77:

RL

+Vcc

RA

RB

Open

1

2

6

7

4

5 8

3

Reset

Cont

Discharge

Threshold

TriggerGnd

Out

Vcc

Output

C

0.01µF

Figura 77 - Circuito de relógio 555

De modo a obter a frequência desejada, deve-se dimensionar o circuito tendo em conta a equação

fornecida pelo fabricante, apresentada de seguida.

𝑓𝑟𝑒𝑞𝑢ê𝑛𝑐𝑖𝑎 ≈1,44

(𝑅𝐴 + 2𝑅𝐵)𝐶 (86)

Sendo que para obter uma frequência de 15,9 kHz os valores dos componentes a serem usados são:

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𝑅𝐴 = 100𝑘 (87)

𝑅𝐵 = 390𝑘 (88)

𝐶 = 100𝑝𝐹 (89)

5.1.12. Circuito de amostragem da tensão da rede

Como referido anteriormente, de modo a receber a amostragem da tensão da rede, para depois

multiplicá-la com o sinal vindo do compensador proporcional integral, utilizou-se um transformador de

isolamento de 230V para 12V, tendo como tal uma relação de número de espiras de 0,052. De modo

a reduzir essa tensão, permitindo que tenha a amplitude desejada, é usado o esquema da figura 78.

vRede

Primário

230V

Secundário

12VR1

R2 VOut

R1 vRedeRef

Figura 78 - Circuito de amostragem da tensão da rede

Ou seja, à saída do secundário do transformador usa-se um divisor de tensão de modo a permitir o

decréscimo da mesma para os valores desejáveis. Tendo em conta que à entrada do multiplicador se

quer no máximo uma tensão de 6,5V usa-se o divisor tensão para dimensionar as resistências.

𝑉𝑂𝑢𝑡 =𝑅1

(𝑅1 + 𝑅2)× 0,052 × 𝑣𝑅𝑒𝑑𝑒 (90)

Sendo os valores das resistências, R1=30k e R2=27k.

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Capítulo 6

Simulações e Resultados

Neste capítulo serão apresentadas as simulações e os resultados correspondentes, que permitem

comprovar o funcionamento adequado do controlo e respectivo conversor. Denote-se que são

apresentadas simulações e resultados teóricos tanto para VC=400V como para VC=30V, no entanto os

resultados práticos apenas correspondem ao projecto secundário, para uma tensão de entrada VC=30V

e uma potência de 15W. Os resultados práticos serão apresentados para este caso, tendo em conta

que foi o projecto efectivamente implementado.

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6.1. Simulações e Resultados Teóricos VC=400V

As simulações e respectivos resultados teóricos relativos ao projecto com tensão VC=400V são

apresentados de seguida neste subcapítulo.

Na figura 79 são apresentadas as formas de onda da corrente de entrada iD, com um decréscimo

substancial aos 0,33s de modo a simular o decréscimo de radiação nos painéis fotovoltaicos e

consequente decréscimo de potência à entrada do inversor. É também mostrada a tensão aos terminais

do condensador VC, a tensão vAB à saída do inversor, bem como as correntes iR e iRref.

Tanto as formas de onda da figura 79 como as da figura 80 foram retiradas das simulações efectuadas

no Matlab, tendo em conta todos os dimensionamentos efectuados, e usando os ganhos óptimos

obtidos, sendo Kp=3 e Ki=50.

Figura 79 - Formas de onda das tensões VC e vAB, e das correntes iR, iRref e ii para VC=400V com duas perturbações

Da análise feita à figura 79 é possível discernir o bom funcionamento do circuito, tendo uma resposta

rápida e com pouca sobreelevação perante as perturbações. Foram impostas duas perturbações nesta

simulação, uma onde a corrente de entrada iD desce instantaneamente para metade e outra onde essa

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mesma corrente sobe instantaneamente para sensivelmente 0,45A. Em ambos os casos o circuito

respondeu adequadamente tal como era esperado

Na figura 80 pode-se ver mais pormenorizadamente as formas de onda correspondentes às correntes

e tensões do sistema, mas desta feita sem perturbações e para poucos períodos.

Figura 80 - Formas de onda das tensões VC e vAB, e das correntes iR, iRref e ii para VC=400V sem perturbações

Neste caso a corrente iD é constante, havendo o intuito de apenas se observar as comutações da

tensão vAB e consequentemente da corrente ii. O sinal VC permite visualizar o tremor da tensão aplicada

ao condensador C, com uma frequência de 100Hz.

Relativamente à corrente iR, a mesma apresenta os troços de recta, modulados numa sinusoide,

relativos ao tremor da corrente. Note-se que a corrente iD tem uma frequência de comutação de 100kHz

permitindo simular o conversor CC-CC. Por esta razão, não é possível observar adequadamente as

comutações, ficando apenas uma marca negra no valor de corrente definido para a simulação, iD=0,5A.

São assim apresentados os resultados teóricos para VC=400V, dando enfase no subcapítulo seguinte

aos resultados práticos relativos a VC=30V.

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_________________________________________________________________________________ 74

6.2. Simulações VC=30V

As simulações do escalonamento efectuado para VC=30V, que permitiu implementar o circuito de

controlo fisicamente, são apresentadas de seguida nas figuras 81 e 82.

Na figura 81 são apresentadas as formas de onda da corrente de entrada iD, com o mesmo decréscimo

aos 0,33s tal como no subcapítulo anterior. É igualmente mostrada a tensão aos terminais do

condensador VC, a tensão vAB à saída do inversor, bem como as correntes iR e iRref.

Neste caso os resultados das simulações são igualmente satisfatórios, apesar do tempo de

estabelecimento ser maior que no caso anterior.

As formas de ondas relativas à tensão VC=30V são apresentadas nas figuras 81 e 82.

Figura 81 - Formas de onda das tensões VC e vAB, e das correntes iR, iRref e ii para VC=30V com duas perturbações

Da análise feita à figura 81 comprova-se que o circuito à semelhança do anterior, funciona

adequadamente mesmo com a existência das mesmas duas perturbações. No entanto é um pouco

mais lento a chegar ao ponto de estabelecimento. Ainda assim tem resultados adequados,

apresentando o comportamento desejado.

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_________________________________________________________________________________ 75

Na figura 82 pode-se ver mais pormenorizadamente as formas de onda correspondentes às correntes

e tensões do sistema, mas desta feita sem perturbações.

Figura 82 - Formas de onda das tensões VC e vAB, e das correntes iR, iRref e ii para VC=30V sem perturbações

O comportamento deste circuito é em tudo idêntico ao observado para VC=400V. A corrente iD é mais

uma vez constante tendo a mesma frequência de 100kHz não havendo possibilidade útil de mostrar

essas comutações. A corrente iR tem o tremor característico da mesma, tal como já foi mencionado,

estando em fase com a corrente iRef, permitindo obter assim o erro a ser posteriormente comparado

para controlar o conversor.

Estes resultados teóricos podem ser complementados com as formas de onda apresentadas no

subcapítulo 5.1.3., mais concretamente nas figuras 69 e 70, onde são caracterizados todos os sinais

importantes do circuito de controlo.

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_________________________________________________________________________________ 76

6.3. Resultados Experimentais VC=30V

São apresentados neste capítulo os resultados práticos do controlo implementado. Começa-se por

apresentar, na figura 83, os resultados da sobreelevação da tensão VC, após se ligar o conversor.

Figura 83 - Formas de onda da sobreelevação e tempo de estabelecimento de VC com 500mV/div

Analisando as formas de onda da figura 83 percebe-se que a sobreelevação imposta é de

aproximadamente 2,5V ou seja, cerca de 9% da tensão de operação do circuito, cumprindo assim os

objectivos impostos. Relativamente ao tempo de estabelecimento, analisando as formas de onda,

denota-se que demora cerca de 500ms, pelo que é maior que o valor simulado. Tal pode dever-se ao

ganho do integrador não ser suficientemente elevado para compensar mas rapidamente a

sobreelevação, podendo mesmo saturar.

Tendo o circuito ligado, procedeu-se a outro teste, onde se estudou a resposta dinâmica do circuito,

variando-se bruscamente a corrente de entrada do inversor para valores menores do que a corrente

média desejada, e vice-versa. Essas formas de onda são apresentadas na figura 84.

Figura 84 - Formas de onda da sobreelevação e tempo de estabelecimento de VC no caso de variações bruscas da corrente iD com 500mV/div. Diminuição da corrente iD (imagem do meio) e aumento da corrente iD (imagem à direita)

Para o caso das variações da corrente iD já é possível observar adequadamente o tempo de

estabelecimento do circuito, demorando cerca de 250ms. As imagens do meio e da direita permitem

ver essas mesmas formas de onda, ampliadas, para o caso onde houve diminuição da corrente iD e

aumento da mesma, respectivamente.

Partindo das formas de onda das figuras 84, conclui-se que, quando há um decréscimo da corrente de

entrada iD, a sublevação é de menos de 1V. Para o caso de haver um aumento dessa corrente, a

sobreelevação é de aproximadamente 2V.

O tempo de estabelecimento é idêntico em ambos os casos, sendo maior que o teoricamente definido,

pelas mesmas razões que foram explicadas para a figura 83.

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_________________________________________________________________________________ 77

As formas de onda da figura 85 correspondem à tensão de referência da rede VRedeRef a azul e à tensão

aos terminais de saída do inversor vAB a verde.

Figura 85 – Forma de onda da tensão de referência da rede VRedeRef a azul com 5V/div, e tensão vAB a verde com 25V/div

A primeira conclusão que se pode retirar da análise das formas de onda da figura 85 é que a tensão

VRedeRef está em fase com a tensão vAB. Não obstante, a tensão vAB apresenta o comportamento

desejado, tendo a modulação por largura de impulso que se pretende.

Na figura 86 apresentam-se as formas de onda da corrente de referência iRef a azul, a corrente iR a cor-

de-rosa, e a tensão vAB a verde.

Figura 86 – Forma de onda da corrente de referência iRef a azul com 5V/div, corrente iR a cor-de-rosa com 100mV/A e tensão vAB a verde com 25V/div

Da primeira imagem pode-se discernir que a as correntes iRef e iR estão em fase e têm aproximadamente

a mesma amplitude. Assim sendo, o erro resultante da subtracção destas duas formas de onda será

definido apenas pelo tremor da corrente iR, tal como se pretende. Na segunda imagem pode-se ver

igualmente a tensão vAB em fase com ambas as correntes. Denote-se, pela análise da terceira imagem,

onde apenas é apresentada a corrente iR e a tensão vAB, que a resposta da corrente é a desejada.

Por fim, apresentam-se na figura 87 as formas de onda dos sinais de comando, 1 a amarelo e 2 a azul.

A forma de onda verde é, uma vez mais, a tensão vAB.

Figura 87 - Forma de onda da tensão vAB a verde com 25V/div, sinal 1 a amarelo e 2 a azul

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_________________________________________________________________________________ 78

Do decorrer da análise destas formas de onda, comprova-se que o sinal PWM da tensão vAB é,

efectivamente, dado pelos sinais vindos dos gamas, havendo concordância com as análises

apresentadas no capítulo 3.

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_________________________________________________________________________________ 79

Capítulo 7

Conclusão e Trabalho Futuro

Neste capítulo serão apresentadas as conclusões relativas ao trabalho apresentado, bem como o

trabalho futuro relativo ao conversor implementado.

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7.1. Conclusões

Neste trabalho estudou-se e caracterizou-se um conversor CC-CA, que faz parte dum sistema

composto por dois estágios de conversão de energia. Com este conversor, pretende-se injectar a

corrente contínua vinda de painéis fotovoltaicos, na rede eléctrica monofásica de corrente alternada.

Para controlar o inversor, usou-se um controlo não linear com limitação de frequência em vez do

convencional, histerético, tendo-se obtido bons resultados resultantes desta escolha. O facto da

frequência máxima ficar limitada pelos flip-flops ajuda a obter um melhor controlo sob os

semicondutores. Para controlar a tensão de entrada usou-se um controlador proporcional integral, o

qual permitiu obter bons resultados teóricos e igualmente práticos, apresentando boa resposta

dinâmica à existência de variações.

Para comprovar o bom funcionamento do circuito variou-se a corrente de entrada, simulando o

comportamento dos painéis fotovoltaicos, obtendo-se os resultados apresentados no capítulo 6.

Apesar de não ter havido aplicabilidade prática do projecto original para VC=400V, a decisão de escalar

o circuito de controlo para VC=30V revelou-se um sucesso, pois foi possível testar o sistema de controlo

dimensionado, mesmo sendo para uma potência menor. Apesar dos contratempos ocorrido no decorrer

do projecto e da limitação de tempo, os resultados obtidos são satisfatórios pois foi possível concretizar

o objectivo principal do projecto, ou seja, controlar um inversor monofásico.

7.2. Trabalho Futuro

O inversor para VC=400V, ficou devidamente dimensionado e o seu funcionamento provado através

das simulações. No entanto não foi possível implementar o circuito de potência a nível físico, o que fez

com que também não se pudesse implementar o respectivo controlo. Assim, seria importante

implementar o circuito de potência para esta tensão, para poder comprovar os resultados teóricos.

Relativamente ao escalonamento feito para VC=30V, tal foi possível devido à existência de um circuito

de potência dimensionado para esta tensão. No entanto o circuito de controlo ficou a funcionar apenas

em breadboard pelo que seria interessante implementar esse circuito em PCB. Tal também ajudaria a

reduzir os ruídos que se observaram nos resultados práticos, resultantes das frequências de operação

e das más conexões da breadboard.

Apesar de não se ter cumprido o objectivo inicialmente traçado, o dimensionamento de um controlo

para as placas de VC=30V pode apresentar uma mais-valia académica, caso se use o controlo

dimensionado para fins didácticos.

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_________________________________________________________________________________ 81

Referências

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rectifier.,” IEEE Transactions on Industry Applications, Vol. 41, September/October 2005.

[2] A. Luque, S. Hegedus, Handbook of Photovoltaic Science and Engineering, 2nd ed., 2011.

[3] B. Burger et al., “Highly Efficient PV-Inverters with Silicon Carbide Transistors,” em Proc. 24nd

European Photovoltaic Solar Energy Conference, Hamburg, 2009.

[4] S.B. Kjaer, J.K. Pedersen, F. Blaabjerg, “A Review of Single-Phase Grid-Connected Inverters,”

IEEE Transactions on Industry Applications, vol. 41, nº Issue: 5, 19 September 2005.

[5] B. Wu, “High-Power Converters and AC Drives,” John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey,

2006.

[6] B. Burger, “Power electronics for grid connected photovoltaic,” Proc. Otti Workshop, pp. 163-216,

June 2008.

[7] D. Karschny, “Wechselrichter,” German Patent DE19 642 522 C1, April 1998.

[8] G. Vazquez, P. Rodriguez, R. Ordonez, T. Kerekes, R. Teodorescu, “Adaptive hysteresis band

current control for transformerless single-phase pv inverters,” Industrial Electronics, 2009. IECON

’09. 35th Annual Conference of IEEE, November 2009.

[9] N. Mohan, T. M. Undeland, W. P. Robbins, Power Electronics: Converters, Applications, and

Design, 3rd ed., 2012.

[10] M. H. Rashid, Power Electronics: Circuits, Devices and Applications, 3rd ed., 2011.

[11] R. Castro, Uma Introdução às Energias Renováveis Eólica, Fotovoltaica e Mini-hídrica, 1ª ed.,

2011.

[12] H. Ribeiro, F. Silva, S. Pinto, B. Borges, “Single Stage, Inverter for PV Applications with One Cycle

Sampling Technique in the MPPT Algorithm,” IEEE Industrial Electronics Conf. - IECON,

November 2009.

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Anexo A

Circuitos de ajuda à comutação e componentes de potência

A.1. Circuito de Potência

Apesar de não ter havido uma aplicabilidade prática do circuito de potência do conversor dimensionado,

os circuitos adjacentes ao mesmo foram devidamente dimensionados, tal como é demonstrado de

seguida.

A.1.1. Resistência de descarga do condensador para VC=400V

De modo a garantir a descarga completa do condensador de entrada do conversor quando o mesmo

não está a ser utilizado, dimensionou-se a resistência de descarga do mesmo, tendo em conta os dados

relativos ao mesmo anteriormente dimensionados.

De modo a calcular a resistência adequada, terá que se definir o tempo de descarga dos mesmos,

sendo que a resistência é calculada tendo em conta as seguintes equações:

𝑄𝑓 = 𝑄0 𝑒𝑡

𝑅.𝐶 (91)

Onde:

𝑄𝑓 = 0.1 ∗ 𝑄0 (92)

Manipulando a equação anterior em ordem à resistência, tem-se que:

𝑅𝑑𝑒𝑠𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = −𝑡

ln(0,1) ⋅ 𝐶 (93)

Admitindo um determinado tempo de descarga, para o valor do condensador calculado:

𝑡 = 60𝑠 (94)

𝐶 = 100𝐹 (95)

Como tal, a resistência de descarga terá um valor de:

𝑅𝑑𝑒𝑠𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = 520𝑘 (96)

Sabendo-se o valor da resistência, há ainda a necessidade de saber a potência que a mesma tem que

dissipar nesse intervalo de tempo, sendo a mesma dada por:

𝑃𝑑𝑒𝑠𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 =𝑉𝐶

2

𝑅𝑑𝑒𝑠𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 (97)

Resultando numa potência de descarga de:

𝑃𝑑𝑒𝑠𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = 0,308𝑊 (98)

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A.1.2. Circuitos de disparo dos transístores

De modo a efectuar a comutação adequada dos transístores é necessário usar acopladores ópticos de

modo a isolar as alimentações dos mesmos, bem como circuitos de atraso à comutação de modo a

garantir a inexistência de condução simultânea de transístores do mesmo braço, impedindo desta forma

curto-circuitos.

A.1.2.1. Acopladores ópticos

Os acopladores ópticos são usados de modo a aplicar os sinais de disparo aos quatro transístores do

inversor, permitindo desta forma obter isolamento do resto do circuito. O isolamento é necessário pois

os circuitos de comando e de potência têm tensões diferentes com referências também elas diferentes,

tendo também a função de garantir que o circuito de potência não interfere com o circuito de disparo

por meio de interferências electromagnéticas.

O esquema do acoplador óptico é apresentado na figura 88.

Figura 88 - Esquema do acoplador óptico

Denote-se que este tipo de semicondutor é alimentado por fontes comutadas CC-CC de modo a garantir

o isolamento do restante circuito. Ou seja, tendo em conta que o inversor é constituído por quatro

transístores, há a necessidade de utilizar quatro acopladores ópticos bem como quatro fontes

comutadas de isolamento.

A.1.2.2. Circuito de atraso

Antes dos acopladores ópticos é necessário usar circuitos de atraso, um para cada acoplador, sendo

que estes circuitos são fundamentais para garantir que não há condução simultânea de transístores do

mesmo braço do inversor. Estes circuitos permitem atrasar o sinal de disparo, evitando desta forma

que, mal um transístor passe ao corte o outro passe à condução, evitando desta forma condução

simultânea.

O esquema do circuito de atraso é mostrado de seguida na figura 89.

RC

Sinal

Lógico

D

Sinal Out

Figura 89 - Circuito de atraso

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Anexo B

Parâmetros das simulações do sistema de controlo para Vc=400V

Lista de componentes usados

Componente Quantidade Preço

Sensor de corrente LA55-P 1 25,37€

Transformador de Isolamento 230-12V 1 5,30 €

Comparador - LM311P - Comparador 2 0,62€

Ampop - TL074ING4 3 0,88€

CD4013BE- Flip-Flop 2 0,66€

Porta Lógica XNOR - CD4077BE 1 0,37€

Porta Lógica AND de 2 entradas 2 1,90€

Porta Lógica AND de 3 entradas 1 0,44€

Porta Lógica OR - HEF4071BP 1 1,16€

Porta Lógica NOT - CD4007UBE 1 0,40€

Regulador de tensão 15V - MC7815ACTG 1 0,41€

Regulador de tensão -15V - MC7915ACTG 1 0,63€

Circuito de Relógio – LM555CN 1 0,65€

Multiplicador – AD633JNZ 1 9,04€

Resistências 31 0,62€

Condensadores 12 0,36€

TOTAL 48,81€

iref=1 %Corrente referência

fref=50 %Frequência da referência

f=50 %Frequência da rede

vrede=230 %Tensão eficaz da rede

fs=16e3 %Frequência de comutação

VC=400 %Tensão no condensador

step=1E-2 %Step da simulação

Lr=600e-3 %Valor da indutância

C=50E-6 %Valor da capacidade

tf=1 %Tempo de simulação

rip=iref*1/100 %Ripple da corrente na bobine

Kp=3 %Ganho proporcional

Ki=50 %Ganho integral

VCref=VC*(1/40) %Tensão de referência = 10V

VCganho=(1/40) %Ganho tensão VC = 0,025

refRede=1/(vrede*sqrt(2)) %Tensão referência da rede sin(wt)