RAM

Clase 4

Contenido

Clase 4 RAM Clasificación SDRAM Identificación Características DIMM Software Instalación física Consideraciones finales

RAM

Tipo de memoria para almacenar los datos y programas a los que se necesita tener un acceso rápido.

Es volátil, es decir, que se borra cuando apagamos la PC.

Posee tiempos de acceso y un ancho de banda mucho más rápido que el disco duro.

Están conectados a la tarjeta madre.

Clasificación (posición contactos)

SIMM (Single In-line Memory Module): Contactos en una sola de sus caras (30

contactos los primeros y posteriormente pasaron a ser de 72 contactos).

Bus de datos 16 a 32 bits. DIMM (Dual In-line Memory Module):

Tipo de memoria que se utiliza en la actualidad (168-240 contactos).

Reconocibles por poseer sus contactos separados en ambos lados.

Bus de datos 64 bits.

Clasificación

DRAM (Dynamic RAM): Utilizadas en los primeros módulos (tanto

en los SIMM como en los primeros DIMM). Es más barata, pero más lenta. Asíncrona (80ns y 70ns, últimas versiones

40 ns y 30 ns).

Clasificación

SDRAM (Synchronous Dynamic RAM): Síncronas (10ns y 5ns).

SDRAM

SDR (Single Data Rate): DIMM. 168 contactos. Velocidad de bus de 66MHz a los 133MHz. Pentium II hasta la salida de los Pentium 4

y Athlon XP. Se denominan por su frecuencia (PC66,

PC100 o PC133).

SDRAM

DDR (Double Data Rate): DIMM. 184 contactos. Velocidad de bus de memoria de entre

100MHz y 200MHz. Pentium 4 y Athlon XP. Sólo se comercializan módulos DDR de

hasta 400MHz. Consumo de entre 0 y 2.5 voltios.

SDRAM

DDR2 DIMM. 240 contactos. Velocidades de bus de memoria real de entre 100MHz y

266MHz. Consumo entre los 0 y 1.8 voltios. Se denominan de acuerdo a su velocidad de bus de

memoria efectiva (DDR2-533, DDR2-667, DDR2- 800) o bien por su ancho de banda teórico, es decir, por su máxima capacidad de transferencia (PC-4200, PC-5300 y PC-6400).

El ancho de banda se puede calcular multiplicando su velocidad de bus de memoria efectiva por 8 (DDR-400 por 8 = PC-3200).

SDRAM

DDR3 DIMM. 240 contactos. No son compatibles con las memorias DDR2 (otra

tecnología y físicamente llevan la muesca de posicionamiento en otra ubicación).

Velocidad de bus de memoria efectiva de entre 800MHz y 2000MHz (el doble que una memoria DDR2), con un consumo de entre 0 y 1.5 voltios (entre un 16% y un 25% menor que una DDR2).

Capacidad máxima de transferencia de datos de 15.0GB/s.

SDRAM

DDR4 DIMM. 30 nm. Frecuencia de 1.600MHz y 3.200MHz. Eficiencia energética (1.2 V). Aún no existen CPUs que las soporten.

Fuente: http://www.chw.net/2011/01/samsung-presenta-el-primer-modulo-de-memoria-ddr4/

Identificación SIMM

En desuso. Dos muescas de posicionamiento, una a

2.5 cms del lateral izquierdo y el otro prácticamente en el centro.

Longitud es de 133 mm. Número de contactos 168.

Identificación DDR y DDR2

133 mm. Una sola muesca. Número de contactos: DDR 184, DDR2

240.

Identificación DDR3

240 contactos.

Características

Módulos ECC o NON-ECC: ECC, memoria con código corrector de errores.

Módulos Buffered y Unbuffered: La memoria unbuffered (también conocida como

Unregistered) se comunica directamente con el Northbridge, en vez de usar un sistema store-and-forward como hace la memoria Registered. Esto hace que la memoria sea mas rápida, aunque menos segura que la registered.

El uso de la memoria buffered (registered) aumenta la fiabilidad del sistema, pero también retarda al mismo . Este tipo de memoria se suele usar sobre todo en servidores. No se pueden mezclar módulos de ambos tipos.

Características

Latencia CAS: CL, es el tiempo que transcurre después de

que el controlador de memoria envía una petición para leer una posición de memoria y antes de que los datos sean enviados a los pines de salida del módulo.

Voltaje del módulo: Una diferencia acusada de voltaje entre dos

módulos de memoria también puede hacer que tan sólo uno de ellos funcione (normalmente el de menor voltaje).

Identificar memoria

Instalación

Consideraciones

Eliminar electricidad estática de nuestro cuerpo. Desconectarlo de la corriente. Nunca tocar un módulo de memoria con un

objeto metálico. No colocar el módulo sobre una superficie

metálica. No forzar nunca un módulo. Tener mucho cuidado con los componentes que

haya cerca de los bancos de memoria. Es conveniente que instalemos memorias de

marca.

RAM

Práctica 4