Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI Đ LETKEN ELEMANLARIN

TANI MLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

1

2.1. Deneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET ’in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi

2.2. Teorik bilgiler:

2.2.1. BJT’nin özelliklerinin tanımlanması: Aşağıda devre sembolü ve bağlantı uçları gösterilen BJT elektronik devrelerde en sık kullanılan, n ve p tipi malzeme tabakalarından oluşan üç katmanlı yarı iletken bir elemandır. npn ve pnp olmak üzere 2 çeşit BJT transistör vardır. Her ikisi de uygun DC öngerilimleme durumunda anahtarlama ve yükseltme etkisi gösterirler. Aşağıda “npn” ve “pnp” tipi transistörlerin devre sembolleri gösterilmiştir.

npn transistör pnp transistör Bir npn bipolar jonksiyonlu transistörün baz–emiter ve baz–kolektör gerilimleri değerlendirildiğinde, sahip olabileceği 4 farklı çalışma rejiminin Şekil 2.1’de gösterildiği gibi olduğu bilinmelidir. Aslında akım kontrol elemanı olan BJT, kuvvetlendirici olarak kullanıldığı uygulamalarda ileri yönde (aktif) çalışma bölgesinde kalacak şekilde kutuplanır. Şekil 2.1’den anlaşılacağı üzere bu bölgede VBE>0 ve VBC<0 olmalı yani baz-emiter jonksiyonu geçirme, baz-kollektör jonksiyonu tıkama yönünde kutuplanmalıdır. Bir anahtar elamanı olarak kullanıldığı uygulamalarda (dijital) ise çalışma bölgeleri doyma (anahtar kapalı) ve kesimdir (anahtar açık). Şekil 2.1 üzerinde bu duruma ilişkin baz-emiter ve baz- kolektör gerilimini inceleyiniz.

Şekil 2.1 Transistör çalışma bölgeleri

BJT’nin akım-gerilim karakteristiğine geçmeden önce; bir npn tipi OE (ortak emiter) bağlantılı transistor’ün baz–emiter arasının Elbers_moll modeli gereği normal bir diyot

C

E

BB

C

E

DoymaTers

yöndeçalışma

KesimĐleri

yöndeçalışma

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI Đ LETKEN ELEMANLARIN

TANIM LANMASI (BJT, FET, MOSFET)

2

davranışı göstereceği göz önünde bulundurulmalıdır. Ancak, ikiden çok değişkeni olan bu elemanın giriş karakteristiğinin elde edilmesi için diğer değişkenlerinin sabit tutulması gerektiğinde bilinmelidir. Aşağıda transistörün değişik baz akımı ve değerlerine göre çizilmiş IC-VCE karakteristiği verilmiştir.

Şekil 2.2 Transistörün IC-VCE karakteristiği

2.2. FET’in özelliklerin tanımlanması: npn veya pnp olarak yapılan iki kutuplu jonksiyon, transistörü (BJT) hem elektron akımı hem de delik akımının kullanıldığı akım kontrollü transistördür. Alan etkili transistör (FET) ise tek kutuplu bir elemandır. n kanallı bir FET’de elektron akımıyla veya p kanallı delik akımıyla çalışan gerilim kontrollü bir transistor dür. Hem BJT hem de FET’ler farklı öngerilim varsayımlarıyla bir yükselteç devresinde (veya benzeri devrede) kullanılabilirler. Bir n kanallı JFET’in sembolü ve karakteristiği Şekil 2.3’de verilmiştir.

IDSS

VP

2)1(P

GSDSSD

V

VII −=

VGS (V)

ID (mA)

-1V

-2V

VGS=0V

ID (mA)

VDS (V)

S

Transfer karekteristiği Akaç karekteristiği

Doyumbölgesi

Voltaj kontrollü direnç bölgesi

(a) n kanallı JFET (b) JFET karakteristikleri

Şekil 2.3. JFET sembolü ve karakteristikleri

Şekilde JFET sembolü ve görünümü üzerinde verilen bacak isimleri şöyledir;

G:Gate (kapı) D:Drain(akaç) S:Source (kaynak)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI Đ LETKEN ELEMANLARIN

TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

3

MOSFET’in özelliklerinin tanımlanması: Alan etkili bir transistörün geçiş ucu kanaldan izole edilmiş olarak yapılabilirler. Popüler Metal-Oksit–Yarıiletken FET (MOSFET) ya kanal ayarlamalı MOSFET veya kanal oluşturmalı olarak üretilmektedir.

Şekil 2.4’te kanal ayarlamalı bir n kanal MOSFET’in sembolü ve karakteristikleri verilmiştir. Eleman hem pozitif hem de negatif kapı-kaynak gerilimiyle çalışırken görülmektedir. VGS’nin negatif değerleri akaç akımını kısma gerilimine kadar düşürür ve bu noktadan sonra hiç akaç akımı akmaz. Transfer karakteristiği negatif kapı-kaynak gerilimleri için aynıdır ancak VGS’nin pozitif değerleri için devam eder. Kapı, VGS’nin hem pozitif hem de negatif değerleri için kanaldan izole edilmiş olduğundan, eleman VGS’nin her iki polaritesiyle çalışabilir ve hiçbir durumda kapıdan akım akmaz.

IDSS

VPVGS (V)

ID (mA)

G

S

D

+1V

-1V

-2V

VGS=0V

ID (mA)

VDS (V)

Transfer karakteristiği Akaç karakteristiği

Şekil 2.4. n kanallı kanal ayarlamalı MOSFET sembolü ve karakteristikleri

Kanal oluşturmalı MOSFET ise akaç ile kaynak arasında temel eleman yapısı olarak bir kanala sahip değildir. Pozitif bir kapı-kaynak geriliminin uygulanması, kapının altındaki alt tabakadaki delikleri iterek boşaltılmış bir bölge oluşturmasını sağlar. Kapı gerilimi yeterince pozitif olduğu zaman akaç ile kaynak arasında bir akım akar yani kapı-kaynak gerilimi VT eşik değerini aşıncaya kadar akaç akımı akmayacaktır. Bu eşik değerini aşan pozitif gerilimler artan bir akaç akımını yol açacaktır. Aşağıda bir n kanallı kanal oluşturmalı MOSFET’e ait karakteristikler ve karakteristik denklemi verilmiştir, burada K (tipik olarak 0.3 mA/V2) elemanın yapısına ilişkin bir değerdir.

ID=K(VGS - VT )²

2.3. Deneyin yapılışı

2.3.1. BJT’nin Akım Gerilim Karakteristi ğinin Elde Edilmesi

BJT’nin giriş karakteristiğini elde etmek için aşağıdaki işlemleri gerçekleştiriniz. 1) Şekil 2.5’deki devreyi kurunuz.2) VCE’yi 5 V’a ayarlayarak bu değerin deneyin sonuna kadar sabit kalmasını sağlayınız.

)21(P

GSDSSD

VII −=

V

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI Đ LETKEN ELEMANLARIN

TANIMLANMA SI (BJT, FET, MOSFET)

4

3)

4)

P1 potansiyometresi yardımıyla VBE gerilimini 0 V’tan 0.8 V’a kadar 0.1 V aralıklarla arttırınızHer VBE değerine karşı gelen IB ve IC akımlarını ölçüp, bunları Tablo 2.1’deki yerinekaydediniz.

5) Giriş karakteris tiğini elde etmek için tablodaki bu akım ve gerilim değerini X-eksenineVBE ve Y- ekseni de IB olmak üzere ölçekli olarak çiziniz.

6) Ortak Emitörlü devrede akım kazancı β=hFE=∆Ic/∆IB V CE sabit olduğuna göre X-eksenine de ∆IC ve Y-eksenine de ∆IB akımları alınarak hFE eğrisini çiziniz.

Şekil 2.5 OE’li bir BJT’nin I-V karakteristiğinin elde edilmesinde kullanılan uygulama devresi (P1=10K-100K, P2=1K-100K, BJT=2N2222)

Tablo 2.1 OE’li bir BJT’nin I-V karakteristiğinin elde edilmesinde kullanılan ölçüm tablosu

VBE (V) IB (µA) IC (mA) VBE/IB=hĐE0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI Đ LETKEN ELEMANLARI N

TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

5

2.3.2. nJFET’in Akım Gerilim Karakteristi ğinin Elde Edilmesi:

Şekil 2.6. nJFET uygulama devresi

nJFET’in karakteristiğini elde etmek için aşağıdaki işlemleri gerçekleştiriniz. 1) Şekil 2.6’daki devreyi kurunuz.2) Devrede sabit bir VGS değeri (-2V) seçip ID-VDS değişimini elde etmeye çalışınız.3) Devrede sabit bir VDS değeri (5V) seçip ID-VGS değişimini elde etmeye çalışınız.4) Bulduğunuz değerleri Tablo 2.3’e kaydedip sonuçları tartışınız.

Tablo 2.3. nJFET ölçüm tablosu

2.4. BJT Transistörün Çıkış Karakteristiklerinin Osiloskop ile Elde Edilmesi a) Şekil 2.7’deki devreyi kurunuz.b) Devreye enerji veriniz.c) Osiloskobun X-Y uçlarını devrede gösterildiği gibi bağlayınız. Osiloskobun dikey ekseniakım değerine göre kalibre edilecektir.d) Transistörün çıkış karakteristiklerini osiloskop ekranında elde edinceye kadar osiloskobunyatay ve dikey kademelerini ayarlayınız.e) Farklı Ib değerleri için Ic akım değerlerini tespit ediniz. Çıkış özeğrileri yardımıylatransistor ün hFE akım kazancını hesaplayınız.f) Osiloskop ekranında görülen karakteristik eğrileri milimetrik kağıda çiziniz. (Yatayskala=VCE; dikey skala=IC)

• Bu deney ve hesaplamalar sırasında, osiloskobun Y kanalındaki volt/div kademesiyardımıyla bulunan ∆IC akımı için IE=IC olduğu ve Y ekseninde gerçekte 100Ω’lukdirenç üzerindeki voltajın okunduğu, bunun IC akımının bulunması sırasında 100Ω’abölünmesi gerektiği unutulmamalıdır.

10

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI Đ LETKEN ELEMANLA RIN

TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

6

Şekil 2.7. Transistörün çıkış karakteristiklerinin elde edilmesinde kullanılacak devre şeması

2.4. Deneyde kullanılacak malzemeler

1) Ayarlı güç kaynağı2) Voltmetre, ampermetre3) Potansiyometre (10 K, 100 K)4) Direnç(10 K, 47 K, 100 K, 100, 330 ohm)5) 2N2222 transistör ve MOSFET