class-c vcoを用いたクロック発生器 の位相雑音特性の解析 · 2010-04-02 ·...
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Matsuzawa& Okada Lab.Matsuzawa& Okada Lab.2009/09/17
Class-C VCOを用いたクロック発生器の位相雑音特性の解析
○浅田大樹* ,原 翔一** ,岡田健一** ,松澤昭**
*東京工業大学工学部電気電子工学科**東京工業大学大学院理工学研究科
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Matsuzawa& Okada Lab.Matsuzawa& Okada Lab.2009/09/17
発表の流れ
• 背景・目的• Class-C VCOとFoM• 低消費電力Class-C VCOの問題• シミュレーション結果• まとめ
2009/09/17
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Matsuzawa& Okada Lab.Matsuzawa& Okada Lab.2009/09/17
背景・目的
• 低消費電力ではリング型よりLC型の発振器が有利。
• 高性能で低消費電力なClass-C VCOを更に低消費電力化したい。
• 低消費電力動作ではFoMが劣化する。
Class-C VCOの低消費電力化に伴う問題点の解析
目的
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Class-C VCO[1]
VDD
Vgbias
L
C
Ibias Ctail
InIp
0
0
Veff =Vgs –Vth
I
0
p p p
従来のLC-VCO
0
I n n
t
t
t
t
[1] A. Mazzanti, et al.,JSSC 2008
p n p n p
Veff =Vgs –Vth Class-C VCO
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Impulse Sensitivity Function (ISF)
2009/09/15
位相雑音にならない
位相雑音として残る
[2] A.Hajimiri, and T.Lee, JSSC 1998
ISF 0
Case 1
Case 2
出力振幅
t
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クロスカップルの電流
理想的な電流
0
0
p n p n p
ISF 0 t
t
Class-C VCOの電流 t
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Class-C VCO と従来のLC-VCO
0
p n p n p
Class-CVCOの電流
0p n p n p従来の
LC-VCOの電流 3.9+α [dB]
2
0 114bias
bias
I I
Iω
⎛ ⎞Φ≅ −⎜ ⎟
⎝ ⎠≅
02
biasπI Iω =
ISF 0
2Φt
t
t
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Class-C VCOのFoMの理論式
⎟⎠⎞
⎜⎝⎛+⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛∆
−⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛∆
⋅)+
=mW1
log10log201(log10FoM DC02
20
2t
2t
tB Pf
fff
ANQRTk γ
kB : ボルツマン定数, T : 絶対温度, N : 共振器数, γ : 雑音指数, Rt : 共振器の抵抗, f0: 発振周波数, ∆f : 離調周波数,Qt : 共振器のQ値, At : 出力振幅, PDC : 消費電力
[3] P.Kinget, KAP 1999
, 2/)( biasDDDCODDDbiastt IVPVVIRA =+≤≅ より、VOD=Vgbias-Vth=0において
FoMはQ値のみの関数となる
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛⋅
)+=
mW11(log10FoM 2
t
B
QTk γ
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シミュレーションの条件
• 0.18um CMOSプロセス• VDD=1.8V、 VOD=0.1V• f0=5GHz、 ∆f=1MHz• Qt=12.9、 γ =2• テールのトランジスタのサイズを変えてIbiasを
変化させた。
VDD
Vgbias
Ibias
InIp
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-195
-190
-185
-180
1.5 2 2.5
FoM [dBc/Hz]
消費電流 [mA]
シミュレーション
理論値
低電流VCOの課題
低電流時に理論値よりも雑音が劣化する
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0
10
20
30
40
50
1.5 2 2.5
雑音電力[fW/Hz]
消費電流 [mA]
全体の雑音
クロスカップルの熱雑音
クロスカップルの1/f雑音
インダクタの雑音
雑音の理論値
クロスカップルの熱雑音が低電流でも減少しない
VCOの雑音成分の構成
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低振幅時の雑音劣化
弱反転領域のgmによる雑音
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結論
• Class-C VCOのFoMの理論値はQ値のみで決まる関数となることを示した。
• 実際は低消費電流においてFoMが劣化することを示した。
• その原因がクロスカップルの弱反転動作によるgmの増大にあることを明らかに
した。