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Tipos de memorias DRAM Memoria TSOP TSOP.- proviene de (" Thin Small Out-line Package "), lo que traducido significa conjunto de bajo perfil fuera de línea. Son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores ), los primeros módulos de memoria aislados que se introducían en zócalos especiales de la tarjeta principal (" Motherboard ") . Estos chips en conjunto iban sumando las cantidades de memoria RAM del equipo. Memoria SIP SIP.- es la sigla de (" Single In-line Package "), lo que traducido significa soporte simple en línea: son los primeros tipos de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores ), que integraron en una sola tarjeta varios módulos de memoria TSOP, lográndose comercializar mayores capacidades en una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta principal ( Motherboard ) .

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Tipos de memorias DRAM

Memoria TSOP

TSOP.- proviene de ("Thin Small Out-line Package"), lo que traducido significa conjunto de bajo perfil fuera de línea. Son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), los primeros módulos de memoria aislados que se introducían en zócalos especiales de la tarjeta principal ("Motherboard"). Estos chips en conjunto iban sumando las cantidades de memoria RAM del equipo.

Memoria SIP

SIP.- es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte simple en línea: son los primeros tipos de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), que integraron en una sola tarjeta varios módulos de memoria TSOP, lográndose comercializar mayores capacidades en una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta principal (Motherboard).

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Memoria SIMM

SIMM.- proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de únicamente una línea (este nombre es debido a que sus contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 30o72 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).

Memoria DIMM - SDRAM

DIMM.- proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de línea dual (este nombre es debido a que sus contactos de cada lado son independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles pueden tener chips de memoria en ambos lados de la tarjetaosolo de un lado, cuentan con un conector especial de 168 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Cabe destacar que la característica de las memorias de línea dual, es precursora de los estándares modernos RIMM y DDR-X), por ello no es de extrañarse que también se les denomine DIMM - SDRAM tipo RIMMoDIMM - SDRAM DDR-X.

SDRAM proviene de (Synchronous Dynamic Random Access Memory), memoria de acceso aleatorio sincrónico, esto significa que existe un cierto tiempo entre el cambio de estado de la misma sincronizado con el reloj y bus del sistema, en la práctica se le denomina solo DIMM.

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Reemplazaron a las memorias RAM tipo SIMM.

Las memorias DIMM - SDRAM fueron reemplazadas por las memorias tipo RIMM y las memorias tipo DDR ("Double Data Rate").

Características Generales de la memoria DIMM – SDRAM:

Cuenta con conectores físicamente independientes en ambas caras de la tarjeta de memoria, de allí que se les denomina duales.

Todas las memorias DIMM - SDRAM cuentan con 168 terminales. Cuentan con un par de muescas en un lugar estratégico del conector, para que al

insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. La memoria DIMM - SDRAM permite el manejo de 32 y 64 bits. La medida del DIMM - SDRAM es de 13.76 cm. de largo X 2.54 cm. de alto. Puede convivir con SIMM en la misma tarjeta principal ("Motherboard") si esta cuenta

con ambas ranuras.

Memoria DDR/DDR1 y SO-DDR

DDR.- proviene de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa transmisión doble de datos (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

Compitió directamente contra las memorias RAM tipo RIMM.

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Estas memorias están siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2 ("Double Data Rate - 2").

Características generales de memoria DDR:

Todas las memorias DDR cuentan con 184 terminales. Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas,

no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. La medida del DDR mide 13.3 cm. de largo X 3.1 cm. de alto y 1 mm. de espesor. Como sus antecesores (excepto la memoria RIMM), pueden estarono ocupadas todas

sus ranuras para memoria.

Velocidad de la memoria DDR

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DDR, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidadde trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

Nombre asignado Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")

PC-2100 266 MHzPC-2700 333 MHzPC-3200 400 MHz

Tiempo de Acceso de la memoria DDR:

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoria Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)

DDR PC2100 7.5 nsegDDR PC2700 6 nseg, DDR PC3200 5 nseg

SODDR.- proviene de ("Small Outline Dual Data Rate"), siendo la variante de memoria DDR para computadoras portátiles. Otro tipo de memorias DDR para computadoras portátiles son las microDRR, utilizadas en ciertos modelos de portátiles de las marcas Toshiba® y Sony®.

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Características de la memoria SODDR:

Todas las memorias SODDR cuentan con 200 terminales, especiales para computadoras portátiles, mientras que las microDDR cuentan con 172 terminales.

Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato DDR para computadora de escritorio.

Memoria RIMM

RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de línea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir, también  están basadas en almacenamiento por medio de capacitores), que integran circuitos integrados y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal (Motherboard).  También se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

Se buscaba que fueran el estándar que reemplazaría a las memorias RAM tipo DIMM.

Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR ("Double Data Rate") las cuáles eran más económicas.

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Características generales de la memoria RIMM:

Este tipo de memorias siempre deben ir por pares, no funcionan si se coloca solamente un módulo de memoria.

Todas las memorias RIMM cuentan con 184 terminales. Cuentan con 2 muescas centrales en el conector, para que al insertarlas, no haya

riesgo de colocarlas de manera incorrecta. La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits. Tiene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que estos tienden a

calentarse mucho y esta placa actúa como disipador de calor. Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para ellas

estén ocupadas.

Velocidad de la memoria RIMM

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los RIMM, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente fueron las siguientes:

Nombre asignado Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")

PC600 300 MegaHertz (MHz)PC700 356 MHzPC800 400 MHzPC1066 533 MHz

(...) 800 MHz

Tiempo de acceso de la memoria RIMM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoria Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)RIMM 184 terminales 40 nseg aproximadamente

Memoria G-RAM / V-RAM

Las tarjetas de vídeo, además de integrar su propio microprocesador, también integran cierta cantidad de memoria RAM especial llamada VRAMoGRAM ("Video Read Only MemoryoGraphic Read Only Memory"), la cual se encarga exclusivamente de almacenar datos referentes a gráficos mientras una aplicación gráfica los solicite, esto permite que la memoria RAM principal se mantenga disponible para otros procesos, aunque es importante mencionar que mientras la VRAM no sea solicitada, esta se utilizara como RAM por la computadora.

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Memorias GDDRGDDR: ("Graphics Double Data Rate"),  la memoria integrada en las tarjetas de video es de tipo RAM ("Read Aleatory Memory"), por lo que es volátil, es decir, al apagar la computadora, todos los datos almacenados en ella se pierden. Se muestra en la siguiente tabla los tipos básicos de memoria que se han integrado actualmente, en este momento es la GDDR5 la que comienza a ser introducida al mercado comercial.

Tipo de RAM Características Capacidad comercial instalada Mb/Gb

GDDR5 "Graphics Double Data Rate 5"

Basada en tecnología DDR2, esta nueva especificación para tarjetas gráficas de alto rendimiento, provee un doble ancho de banda a diferencia de GDDR4, que permite ser configurada a 32 y 64 bits.

1.024 Gb, 1.536 Gb, 3.072 Gb hasta 4 Gb

GDDR4 "Graphics Double Data Rate 4"

Es un tipo de memoria que también se basa en la tecnología DDR2, que mejora las características de consumo y ventilación con respecto a la GDDR3.

256 Mb

GDDR3 "Graphics Double Data Rate 3"

Es un tipo de memoria adaptada para el uso con tarjetas de video, con características de la memoria DDR-2, mejoradas para reducir consumo eléctrico y hacer eficiente la disipación de calor.

256 Mb, 384 Mb, 512 Mb, 768 Mb, 896 Mb, 1 Gb, 1.792 Gb

GDDR2 "Graphics Double Data Rate 2"

Es un tipo de memoria adaptada para tarjetas de video, con características de la memoria DDR y DDR2.

256 Mb, 512 Mb, 1 Gb

GDDR "Graphics Double Data Rate"

Es un estándar de RAM que transmite datos de manera doble por canales distintos de manera simultánea, en este caso está diseñada para el uso en tarjetas de video.

64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb

Memoria DDR2

DDR2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

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Actualmente se encuentra desplazando a la memoria DDR.

Actualmente compite contra un nuevo estándar: las memorias RAM tipo DDR-3.

Características generales de la memoria DDR2:

Todas las memorias DDR-2 cuentan con 240 terminales. Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas,

no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. Como sus antecesores, pueden estarono ocupadas todas sus ranuras para memoria. Tiene un voltaje de alimentación de 1.8 Volts.

Conectores - terminales para la ranura:

 Solo hay una versión física:

Conector FigurasDDR-2 240 terminales

Conector de la memoria

Ranura de la tarjeta principal

Velocidad de la memoria DDR2:

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DDR-2, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

Nombre asignado Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")PC5300 667 MHzPC6400 800 MHz

Tiempo de acceso a la memoria DDR-2:

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

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Tipo de memoria Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)DDR-2 PC5300 6 nsegDDR-2 PC6400 5 nseg, 

Usos específicos de la memoria DDR2:

 Los DDR-2 de 240 terminales se utilizan en equipos con microprocesadores de la firma AMD®: Athlon 64, Athlon 64 X2, Athlon 64 X2 Dual Core. En el caso de Intel® se utilizan en equipos: Pentium 4, Core 2 Duo,  Core 2 Quad y Core Quad.

Memoria SO-DDR2

SO-DDR2 proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 2"), siendo la variante de memoria DDR2 para computadoras portátiles.

Características de la memoria SODDR2:

Todas las memorias SODDR2 cuentan con 200 terminales, especiales para computadoras portátiles.

Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato DDR2 para computadora de escritorio.

Memoria DDR3

DDR3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión doble de datos tercer generación: son el más moderno estándar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su gran mayoría de modelos con disipadores de calor, debido

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a que se sobrecalientan.

Actualmente compite contra el estándar de memorias RAM tipo DDR-2 y se busca que lo reemplace.

Características generales de la memoria DDR3:

Todas las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales. Una característica es que si no todas, la mayoría cuentan con disipadores de calor. Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas,

no haya riesgo de colocarlas de manera incorrectaopara evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.

Como sus antecesores, pueden estarono ocupadas todas sus ranuras para memoria. Tiene un voltaje de alimentación de 1.5 Volts hacia abajo. Con los sistemas operativos Microsoft® Windows más recientes en sus versiones de 32

bits , es posible que no se reconozca la cantidad de memoria DDR3 total instalada, ya que solo se reconocerán como máximo 2 GBo3 GB, sin embargo el problema puede ser resuelto instalando las versiones de 64 bits.

Conectores - terminales para la ranura:

 Solo hay una versión física:

Conector FigurasDDR-3 240 terminales

Conector de la memoria

Ranura de la tarjeta principal

Velocidad de la memoria DDR3:

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DDR-3, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

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Nombre asignado Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")DDR3 PC3-8500 1066 MHz

DDR3 PC3-10666 1333 MHzDDR3 PC3-12800 1600 MHzDDR3 PC3-14900 1866 MHzDDR3 PC3-16000 2000 MHz

Tiempo de acceso en la memoria DDR3:

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoria Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)DDR3 PC3-8500 7.5 nseg.

DDR3 PC3-10666 6 nseg, DDR3 PC3-12800 5 nseg, DDR3 PC3-14900 ±4 nseg, DDR3 PC3-16000 ± No disponible nseg, 

Uso específico de la memoria DDR3:

Los DDR-3 de 240 terminales se comienzan a utilizar en equipos con el procesador iX (i5 e i7) de la firma Intel® y también en equipos con procesador AMD® Phenom y AMD® FX-74.

Memoria SO-DDR3SODDR3 proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 3"), siendo la variante de memoria DDR3 para computadoras portátiles.

Características de la memoria SODDR3:

Todas las memorias SODDR3 cuentan con 204 terminales, especiales para computadoras portátiles.

Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento, velocidad, etc. son iguales a la del formato DDR3 para computadora de escritorio.

Memoria DDR4

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DDR4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta generación: se trata del estándar desarrollado por la firma Samsung® para el uso con futuras tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y según las imágenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación. También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

Actualmente está en fase de presentación y no se comercializa, pero se espera que sea el reemplazo del estándar de memorias RAM tipo DDR3.

Características generales de la memoria DDR4:

Cuentan con 240 terminales para la conexión a la Motherboard. Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas,

no haya riesgo de colocarlas de manera incorrectaopara evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.

Como sus antecesores, pueden estarono ocupadas todas sus ranuras para memoria. Utiliza la tecnología de 30 nanómetros para su fabricación. Tiene un voltaje de alimentación de 1.2 Volts, menor a las anteriores por lo que según

la firma, es más ecológica.

Velocidad de la memoria DDR4:

 La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DDR-4, tiene principalmente una velocidad dada a conocer, a la cual se tienen que adaptar los demás componentes del resto del sistema. Básicamente se presentó la siguiente:

Nombre asignado Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")DDR4 PC4-14900E 2133 MHz - 4266 Mhz

Usos específicos de la memoria DDR4:

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Los DDR-4 de 240 terminales se busca sea el formato futuro de memorias RAM, compatibles con modelos próximos de procesadores y placas en el año 2015 aproximadamente.

Memoria SO-DDR4

SODDR4 proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 4"), siendo la variante de memoria DDR4 para computadoras portátiles.

Características de la memoria SODDR4:

Cuentan con 204 terminales, especiales para computadoras portátiles. Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento, velocidad,

etc. son iguales a la del formato DDR4 para computadora de escritorio.