BJT

IDEAS PREVIAS

Bulbo mas utilizado entre 1904 y 1947.Fleming 1904- Lee De Forest 1906.1947: Walter H Brattain y Joseph BardeenIndustrias Bell Telephone Laboratories.

William Shockley (1987)

John Bardeen (1991)Dos premios Nobel

Walter Brattain (1987)

VENTAJASMas pequeño y ligeroNo requerimiento de calentamientoNo disipación de calor.Resistente.Consume menos potencia.Voltajes de operación más bajos.Dispositivos de tres o mas terminales.

NPN PNP

PARAMETROS

PARAMETROS

CONSTRUCCION Transistor de Unión Bipolar- Bipolar Junction

Transistor.El Transistor es un dispositivo de 3 patillas:

base (B), colector (C) y emisor (E). Base (B):ligeramente dopadaColector (C): muy poco dopada.Emisor (E): fuertemente dopada.Diferentes espesores

CONSTRUCCION

IDEAS PREVIAS

IDEAS PREVIAS

ZONA ACTIVA

Activa: Esta región de operación se considera de corriente constante, se cumple aproximadamente la relación : Ic = hFE . Ib(En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de la construcción del transistor.)Aunque en la practica Ic varía levemente para diferentes valores de Vce, para esta región se puede pensar que: la corriente Ic es una versión amplificada de la corriente Ib.

ZONA DE CORTE

Corte: Cuando Ib es muy pequeña o nula, implicará además Ic = 0.Lo que equivale a decir que no hay conducción entre colector y emisor.En esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja “como una llave abierta”.

ZONA DE SATURACION

Saturación: Si Vce es demasiado pequeño, Ic ya no es proporcional a Ib, es decir, aunque Ib aumente, Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE . IbLa tensión Vce permanece prácticamente constante en un valor llamado Vsat,para esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistortrabaja “como una llave cerrada”.

REGIONES DE OPERACION

BASE COMUN

IE = IC + IB

BASE COMUN

COLECTOR COMUN

EMISOR COMUN

EMISOR COMUN

LIMITES DE OPERACION

PRUEBA DEL TRANSISTOR