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  • 8/16/2019 IMFORME PREVIO 2

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    UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

    FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA

    AV. TÚPAC AMARU 210 - RIMAC / LIMA 25 – PERÚ TELEFONO: 481 -

    100

    INFORME PREVIO DE ELECTRONICA INDUSTRIAL (ML-837)

    CURSO: ELECTRONICA INDU!TRIAL

    TEMA: A"#$%&'()*+ ,%'* A T+(%*+

    ESTUDIANTE:

      G*" R3 C(+$*2012205D

    DOCENTE:  I. E)%$6+* 7("(% 7("(%

    L%"(9 1 ) "(3* )$ 201

    C*%)*

    Pequeña Reseña Historia del Diodo..............................................................................1

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    • ¿Por qué se construyeron los primeros transistores?.................................................1

    • El pensador, el experimentador y el visionario..........................................................

    • Choque de egos...................................................................................................4

    Como Funciona Físicamente El Transistor ....................................................................5

    • CIRCUI! "E P!#$RI%$CI&' ($)E C!*+'.......................................................

    PU'! "E !PER$CI&' ............................................................................................;

    ANALISIS GRFIC! DE LA P!LARI"ACI#N DEL TRANSIST!R....................................11

    • Curvas del Colector ............................................................................................11

    • Curvas de la (ase..............................................................................................12

    • Curvas de -anancia de Corriente.........................................................................12

    • Corte y ruptura...................................................................................................1

    ACCI!N A$PLIFICAD!RA DEL TRANSIST!R.............................................................14

    • Con.iguraci/n del $mpli.icador Emisor Com0n........................................................1

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     $dem@s pod7a utiliarse como recti.icador para convertir corriente alterna en continuaF y como unapuerta que permitiese pasar la corriente o no on-off F, la 6ase de la electr/nica y computaci/n

    posterior> Es m@s, uno de los limitantes en las primeras computadoras era la gran cantidad de triodosque necesita6an> Pero lo que no se les puede negar es que revolucionaron su época al permitirampli.icar las se1ales de radio dando un impulso a este medio de comunicaci/n que le llev/ a ser elm@s importante durante la primera mitad del siglo ==>

     $G r@pidamente compr/ la patente y meAor/ el tu6o> Pero surgi/ un pro6lema> #os tu6os devac7o produc7an mucho calor, necesita6an mucha energ7a y de67an ser reemplaadoscontinuamente> Era necesario otro método para ampli.icar la se1al> (uscando respuestas lacompa17a cre/ en 23H5 un centro de investigaci/n conocido como #a6oratorios ele./nicos (ellBell LabsF, responsa6le de descu6rimientos tan importantes como el lenguaAe de programaci/nC, la astronom7a radial, el sistema operativo Unix, y lo que nos ata1e, el transistor>

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    • El (ensador* el e+(erimentador ' el ,isionario"espués de .inaliada la )egunda -uerra *undial el director del la6oratorio*ervin elly 6usc/ ungrupo de cient7.icos que dieran con la soluci/n a los pro6lemas que causa6a el tu6o de vac7o y ten7aalgo en mente para reemplaarlo8los semiconductores> ¿ué es un semiconductor? Un elemento queen determinadas condiciones puede conducir la electricidad por eAemplo, a una temperatura altaF,pero si cam6iamos esas condiciones deAa de permitir el paso de electrones> #os m@s importantes sonel silicio )iF y el germanio -eF>

    El director del nuevo equipo de investigadores .ue 9illiam )hoc:ley, un visionario capa de ver laimportancia de los transistores antes que nadie, 9alter (rattain, un .7sico experimental capa deconstruir y reparar pr@cticamente cualquier cosa y;ohn (ardeen, capa de ir m@s all@ en la

    comprensi/n de los .en/menos aparentemente compleAos y exponerlos de la manera m@s sencillaposi6le> res personaAes con una marcada personalidad, lo que les llevar7a a alguna que otracon.rontaci/n, lo que se mani.est/ a la hora de repartirse los méritos>

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    UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍAFacultad de ingeniería mecánicaLabratri de Electr!nica Indu"trialEn 23JK, durante el conocido como L*es milagrosoL entre el 2K de noviem6re y el HM dediciem6re realiaron in.inidad de prue6as para meAorar el dispositivo hasta llegar a conseguir su

    o6Aetivo8 el primer  transistor de contacto puntual, hecho con dos p0as de metal oroF que se presionanso6re la super.icie de material semiconductor germanioF en posiciones muy pr/ximas entre s7>

    • C-oque de e.os)hoc:ley pensa6a que él era el merecedor de la gloria, era el supervisor y ha67a aportado la ideainicial> $s7 que decidi/ patentar el transistor a su nom6re> $ decir verdad )hoc:ley meAor/considera6lemente el transistor en un mes, creando eltransistor de uni/n> (ardeen pronto descri6i/ lasituaci/n como intolera6le>

    Eran ha6ituales las im@genes de prensa en las que aparec7a en un primer plano )hoc:ley sentado allado de un microscopio con (ardeen y (rattain detr@s de él mir@ndole> (rattain admiti/ después queodia6a esa .oto> Na no pod7an seguir tra6aAando Auntos>

    N cada uno sigui/ su camino, (rattain como pro.esor en el Whitman College, (ardeen como .7sicote/rico en la Universidad de Illinois, y )hoc:ley .und/ su propia compa17a de semiconductores, laprimera de su tipo en lo que lleg/ a ser Silicon Valley , aunque conocida por no ser nunca capa desacar un producto comercialmente via6le>

    El impacto de los transistores .ue enorme, trans.ormaron el mundo de la electr/nica y el dise1ode computadoras al permitir disminuir in.initamente su tama1o al li6rarse de los voluminosos y.r@giles triodos de vac7o> N as7 comenaron a disminuir las tallas de nuestros dispositivos electr/nicos> ¿

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    UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍAFacultad de ingeniería mecánicaLabratri de Electr!nica Indu"trial(@sicamente existen dos tipos de transistores 6iAuntura8 npn y pnp>

      En un un cristal tipo npn ( .igura aF, el emisor est@ altamente impuri.icado y su .unci/nconsiste en emitir o inyectar electrones en la 6ase> #a 6ase est@ ligeramente impuri.icada yes muy delgadaO por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor yque se dirigen hacia el colector> El nivel de impuri.icaci/n de éste es intermedio y se le da

    ese nom6re porque reci6e o capta los electrones provenientes de la 6aseO el colector es lamayor de las tres regiones y disipa m@s calor que el emisor o la 6ase> El transistor npn tienedos uniones, una entre el emisor y la 6ase y otra entre la 6ase y el colector> Por esto, untransistor es similar a dos diodos8 el de la iquierda diodo emisor6ase, o simplementediodoemisor, y el de la derecha es el diodo colector6ase, o diodocolector>

     

    /a0 n(n /10 (n(

     

    El transistor pnp .igura 6F es el complemento del transistor npn #os portadores mayoritariosen el emisor son huecos en ve de electrones li6res> Esto signi.ica que intervienencorrientes y voltaAes opuestos en la acci/n de un transistor pnp> Para evitar con.usi/n, seconcentrar@ la atenci/n en el transistor npn durante el estudio preliminar>

    #a di.usi/n de electrones li6res a través de la uni/n produce dos capas de agotamiento> Paracada una de estas capas de agotamiento, el potencial de 6arrera es aproximadamente igual aB>K D a H4QC, para un transistor de silicio B>M D para un transistor de germanioF> "e6ido a que

    las tres regiones citadas tienen di.erentes niveles de contaminaci/n o impuri.icaci/n, estascapas de agotamiento no tienen el mismo ancho> Cuanto mayor es la contaminaci/n de laregi/n, mayor ser@ la concentraci/n de iones cerca de la uni/n> Esto signi.ica que las capas deagotamiento penetran s/lo ligeramente en la regi/n del emisor altamente contaminadoF, perose pro.undian en la 6ase, donde la contaminaci/n es ligera> #a otra capa de agotamiento seinterna 6astante en la 6ase y penetra en la regi/n del colector en una proporci/n mucho menor>se resume esta idea> #a capa de agotamiento del emisor es peque1a y la del colector esgrande> #as capas de agotamiento est@n som6readas para indicar la escase de portadoresmayoritarios>

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    • CIRC2IT! DE P!LARI"ACI#N 3ASE C!$4N

     $l polariar directamente al diodo emisor y en .orma inversa al diodo colector, con.iguraci/n de6ase com0n ya que la 6ase y las dos .uentes de voltaAe se conectan a un punto tal como se

    muestra , se espera una corriente grande de emisor, porque el diodo emisor est@ polariadodirectamente> Pero no se espera una corriente grande del colector porque el diodo colector est@ polariado inversamente> )in em6argo, la corriente del colector es tan grande como lacorriente del emisor>

    En el momento en que se aplica la polariaci/n directa al diodo emisor, los electrones delemisor no han entrado a0n en la regi/n de la 6ase igura M6F )i DE( es mayor que el potencialde 6arrera B>5 a B>K D para transistores de silicioF, muchos electrones del emisor entran en laregi/n de la 6ase como se muestra> Estos electrones, una ve que se encuentran en la 6ase,pueden .luir en cualquiera de estas dos direcciones8 hacia a6aAo por la delgada 6ase hasta elcontacto externo, o 6ien a través de la uni/n del colector hacia la regi/n del colector>O Estecomponente de la corriente de 6ase que .luye hacia a6aAo se llama corrientede recombinaci!n Es peque1a porque la 6ase est@ ligeramente contaminada con s/lo unoscuantos huecos>

    Una segunda idea crucial de la operaci/n del transistor es que la 6ase es muy delgada> la6ase se satura con los electrones de la 6anda de conducci/n inyectados, lo cual provoca una

    di.usi/n hacia la capa de agotamiento del colector> Una ve dentro de esta capa, sonempuAados por el campo de la capa de agotamiento hacia la regi/n del colector> Estoselectrones del colector pueden .luir hacia los contactos externos del colector>

    En concreto, puede decirse lo siguiente8 se o6serva un paso constante de electrones que deAanel terminal negativo de la .uente para ingresar en la regi/n del emisor> #a polariaci/n directaDE(, .uera a estos electrones del emisor a entrar en la regi/n de 6ase> Una ve que seencuentran en la 6ase, delgada y poco contaminada, permite a los electrones su.iciente tiempode vida para di.undirse a> la capa de agotamiento del colector> El campo de la capa de

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    UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍAFacultad de ingeniería mecánicaLabratri de Electr!nica Indu"trialagotamiento empuAa a éstos en una corriente constante de electrones hacia la regi/n delcolectorO éstos a6andonan al colector, entran en los contactos externos de éste y .luyen

    hacia el terminal positivo de la .uente de voltaAe> En la mayor parte de los transistores, m@s del34 de electrones inyectados en el emisor circulan hacia el colectorO menos del 4 caen enlos huecos de la 6ase y .luyen hacia a.uera por los contactos externos de la 6ase>

    #a polariaci/n directa del diodo emisor permite que algunos de los electrones li6res semuevan del emisor a la 6ase> En otras pala6ras, las /r6itas de algunos electrones del emisor son ahor su.icientemente grandes para acoplarse a algunas de las /r6itas que se encuentrandisponi6les en la 6ase> "e6ido a esto, los electrones se pueden di.undir de la 6anda deconducci/n del emisor a la 6anda de conducci/n de la 6ase>

    Una ve que penetran en la 6anda de conducci/n de la 6ase, los electrones se trans.orman enportadores minoritarios porque se encuentran en el interior de una regi/n p> En esta .orma, la6ase tiene una densidad mayor de portadores minoritarios> En casi todos los transistores, m@sdel 34 de estos portadores minoritarios tienen una vida promedio su.icientemente grandecomo para di.undirse hasta la capa de agotamiento del colector y caer por la colina de energ7a

    de éste> Con.orme caen, producen energ7a, la mayor parte de ésta es en .orma de calor> Elcolector de6e ser capa de disipar este calor y, por lo tanto, normalmente es la mayor de lastres regiones contaminadas> *enos del 4 de los electrones inyectados desde el emisor,caenen la trayectoria de recom6inaci/n que se muestraO aquellos que se recom6inan se trans.ormanen electrones de valencia y .luyen a través de los huecos de la 6ase hacia el terminal externode la 6ase>

    "e lo anterior se puede hacer el siguiente resumen8

    #a polariaci/n directa en el diodo emisor controla el n0mero de electrones que se inyectan enla 6aseO cuanto mayor es el D(E mayor ser@ el n0mero de electrones inyectados>

      #a polariaci/n inversa en el diodo colector tiene m7nima in.luencia en el n0mero deelectrones que llegan al colector> $l aumentar el DC(, se eleva la colina de energ7a delcolector, pero esto no cam6ia signi.icativamente el n0mero de electrones li6res que llegana la capa de agotamiento del colector>

    Cuando se dice que m@s del 34 de los electrones inyectados alcana el colector, se est@diciendo que la corriente del colector es casi igual a la del emisor> #a ccF al.a de CCcorriente continuaF del transistor indica qué tan semeAantes son los valores de las doscorrientesO esto se de.ine de la siguiente .orma8

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    La αcc e" má" ele#ada cuant má" delgada $ men" cntaminada e" la ba"e% Idealmente& "i td" l"

    electrne" in$ectad" circulan 'r el clectr& αcc "eria igual a la unidad% (uc)" tran"i"tre" tienenunaαcc ma$r de *%++ $ ca"i td" 're"entan una αcc ma$r de *%+,% -r e"ta ra.!n& αcc 'uede a'r/imar"ea la unidad en la ma$r 'arte de l" análi"i"%

    PU'! "E !PER$CI&'

    Puede traarse una l7nea de carga en las curvas del colector para tener m@s in.ormaci/n so6reel .uncionamiento del transistor y de la regi/n en que opera> En el circuito de la .igura 5a, elvoltaAe proporcionadoV cc  polaria inversamente el diodo colector a través de " C  El voltaAeaplicado a este resistor es V CC  - V #C  Por lo tanto, la corriente a través de éste, que en si es lal7nea de carga CC, es igual a8

     

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    Una .orma alternativa para encontrar la parte superior de la l7nea de carga, es visualiar losterminales de colectoremisor en cortocircuito$ y calcular la corriente resultante de colector, lacual esV CC %" C  Para encontrar el extremo in.erior de la l7nea de carga, se visualian losterminales a6iertos y se calcula el voltaAe resultante colectoremisor, que es igual a V CC 

    #os extremos de la l7nea de carga, son8

      y V C#  S V CC 

    muestra la l7nea de carga de CC so6repuesta a las curvas del colector> #a intersecci/n verticales V CC  %" C  y la intersecci/n horiontal es V CC  #a intersecci/n de la l7nea de carga de CC con lacorriente de 6ase  B calculada como  B S  C % cc  , es el p'nto del transistor tam6ién llamado elpunto de operaci/n o punto est@tico de operaci/nF>

    Es com0n colocar el punto cerca de la mitad de la l7nea de carga de CC por lo que en el casoanterior est@ dado por8

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    y V C# S V CC % 

    El punto donde la l7nea de carga interseca a  B * B se conoce como el p'nto de corte En este

    punto, la corriente de 6ase es cero y la del colector es extremadamente peque1a s/lo circulala corriente de .uga C#+ ) En el punto de corte, el diodo emisor ha salido de polariaci/n directay la operaci/n normal del transistor se ha perdido>

    #a intersecci/n de la l7nea de carga y la curva para  B *  B(sat) se denomina sat'raci!n En estepunto, la corriente de 6ase es igual a  B(sat), y la corriente que circula por el colector esm@xima> En saturaci/n, el diodo colector sale de la polariaci/n inversa y la acci/n normal deltransistor se pierde otra ve>

     B(sat) representa la cantidad de corriente de 6ase que es su.iciente para producir saturaci/nO sila corriente de 6ase es menor que  B(sat) el transistor opera en la regi/n activa en alg0n puntosituado entre saturaci/n y corte>

     

    ANALISIS GRFIC! DE LA P!LARI"ACI#N DELTRANSIST!RUna .orma de visualiar c/mo opera un transistor es a través de [email protected] que indiquen losvoltaAes y corrientes del transistor>

    • Cur,as del Colector 

    muestra una de las curvas de colectorO los comentarios que siguen pueden aplicarse acualquier curva de colector> #a parte inicial de la curva se llama regi/n de sat'raci!n$ quecomprende toda la curva entre el origen y el codo> #a parte plana de la curva es laregi/n acti,a$ que es donde el transistor de6e operar si se desea que act0e como una .uente

    controlada de corriente> #a parte .inal de la curva es la regi/n de r'pt'ra$ la cual de6e evitarsea toda costa>

    En la regi/n de saturaci/n el diodo colector est@ en polariaci/n directa, la acci/n normal deltransistor se pierde y el transistor act0a como resistencia /hmica peque1a en lugar de .uentede corriente> Un aumento adicional en la corriente de 6ase no puede producir un incrementoadicional en la corriente de colector> El voltaAe colectoremisor en la regi/n de saturaci/n esgeneralmente de unos cuantos décimos de volt, dependiendo de la cantidad de corriente decolector que haya>

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    Para que el transistor opere en la regi/n activa, el diodo colector de6e estar polariadoinversamenteO esto requiere un V C#  mayor a 2 volt, aproximadamente> Como una gu7a, muchas

    hoAas de in.ormaci/n técnica indican un V C#(sat) yTo el valor de V C# $ en alg0n punto de la regi/nde saturaci/n> 'ormalmente V C#(sat) es de s/lo unos cuantos décimos de volt, por lo que unaoperaci/n normal requiere un V C# mayor que V C#(sat)>

    • Cur,as de la 3ase

    muestra una [email protected] de la corriente de 6ase contra el voltaAe 6aseemisor> Por ser un diodo la

    secci/n 6aseemisor de un transistor, se esperar7a ver la [email protected] parecida a la curva de undiodoO eso es casi lo que se o6tiene>

    Un voltaAe alto de colector hace que éste gane unos electrones m@s, lo cual reduce la corrientede 6ase> En la .igura 6 se muestra esta idea> #a curva con el V C#  m@s alto tiene ligeramentemenos corriente de 6ase para un V B#  dado> Este .en/meno, llamado efecto #arly$ proviene dela retroalimentaci/n interna del transistor del diodo colector al diodo emisor> #a separaci/nentre las curvas es realmente tan peque1a, que ni con un osciloscopio puede o6servarse> Por esta ra/n, el e.ecto Early no se toma en consideraci/n en an@lisis normales>

     

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    • Cur,as de Ganancia de Corriente

    #acc de un transistor, tam6ién llamada ganancia de corriente$ var7a enormemente> muestrauna variaci/n t7pica encc O a temperatura constante,cc  aumenta a un valor m@ximo cuandola corriente de colector se incrementaO para incrementos adicionales en  C $ lacc  disminuye> #avariaci/n encc  puede ser hasta de M82 so6re el margen de corriente usual del transistorO esto

    depende del tipo de transistor> Un cam6io en la temperatura am6iente tiene e.ectos so6re cc >

    En el peor de los casos, donde tanto la corriente de colector como la temperatura var7ensigni.icativamente,cc  puede variar en una proporci/n de 382> "e6e considerarse esto porquecualquier dise1o en que se requiera un valor exacto decc  est@ condenado al .racaso desde elprincipio> Un 6uen dise1o comprende circuitos que no dependen mucho del valor exactodecc >

    • Corte ' ru(tura

    #a condici/n  B S B es equivalente a tener a6ierto el terminal de la 6ase del transistor, como semuestra> #a corriente que circula por el colector cuando la 6ase est@ a6ierta se denomina  C# !,donde el su67ndice CE! indica colector a emisor con 6ase a6ierta>  C#+ es la corrienteprovocada en parte por los portadores que se generan térmicamente y en parte por la corrientesuper.icial de .uga> muestra la curva  B * B> Con un voltaAe de colector su.icientemente grande,se alcana el voltaAe de ruptura denominado BV C#+$ en donde el su67ndice nos vuelve a indicar 

    colector a emisor con 6ase a6ierta> Para operaci/n normal de transistor, se de6e mantener DCE menor que BV C#+

    Por regla general, un 6uen dise1o incluye un .actor de seguridad para conservar V C#  muy a6aAode BV C#+ #a vida 0til del transistor puede acortarse con un dise1o que .uerce los valoresm@ximos a6solutos nominales del transistor> Un .actor de seguridad de H (V C#  menor a la mitadde BV C#+ ) es com0n>

     

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    ACCI!N A$PLIFICAD!RA DEL TRANSIST!R"espués que un transistor se haya polariado con un punto de operaci/n cerca de la mitadde la l7nea de carga de CC, se puede acoplar una peque1a se1al de ca en la 6ase> Estoproduce alternancias o .luctuaciones de igual .orma y .recuencia en la corriente decolector> Por eAemplo, si la entrada es una onda senoidal con una .recuencia de 2 : )i la amplitud de la se1al espeque1a, el transistor s/lo usar@ una peque1a parte de la l7nea de carga y la operaci/n ser@lineal> )i la se1al de entrada es demasiado grande, las .luctuaciones en la l7nea de cargaexcitar@n al transistor a saturaci/n y corte> Esto cortar@ los picos de una onda senoidal y el

    ampli.icador ya no ser@ lineal con lo que la se1al se distorsiona grandemente>

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    UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍAFacultad de ingeniería mecánicaLabratri de Electr!nica Indu"trialdonde8 r e S resistencia de emisor a la C$>

      V B#  S cam6io de voltaAe de 6ase emisor 

       #  S cam6io correspondiente en la corriente de emisor>

    muestra una [email protected] caracter7stica de  C  en .unci/n de  B cc  es la ra/n de la corriente decolector de CC  C  a la corriente de 6ase a CC  B Como la [email protected] no es lineal,  CC  depende delas coordenadas del punto > Por eso, en las hoAas técnicas cc  queda especi.icada para unvalor particular de  C 

    #a beta de ca designada comoca o simplementeF es una cantidad de peque1a se1al quedepende de la localiaci/n de ,se de.ine como8

     

    o, como las corrientes alternas son las mismas que los cam6ios en las corrientes totales,

     

    [email protected], es la pendiente de la curva en el punto O por esta ra/n, tiene di.erentesvalores a di.erentes u6icaciones del punto > En las hoAas técnicas es identi.icada como hfe>

     

    • Con5i.uraci6n del Am(li5icador Emisor Com7n

    muestra un ampli.icador de emisor com0n> Como el emisor est@ acoplado a tierra por medio deun capacitor, a este ampli.icador algunas veces se le llama amplificador con emisor atierra$ esto signi.ica que el emisor est@ a tierra de C$, pero no a tierra de CC> iene acoplada ala 6ase una peque1a onda senoidal, lo cual produce variaciones en la corriente de 6ase> #a

    corriente de colector es una .orma de onda senoidal ampli.icada de la misma .recuencia, de6idaa> Esta corriente senoidal de colector, .luye por la resistencia de colector y produce unvoltaAe ampli.icado de salida>

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    "e6ido a las .luctuaciones de C$ en la corriente de colector, el voltaAe de salida var7asenoidalmente en la parte superior e in.erior del voltaAe est@tico o de reposo> "e6e notarse queel voltaAe de salida de C$ est@ invertido con respecto al voltaAe de C$ de entrada, lo cualsigni.ica que est@ 2BQ .uera de .ase con respecto a la entrada> "urante el primer semiciclopositivo del voltaAe de entrada aumenta la corriente de 6ase, dando origen a un incremento enla corriente del colector> Esto produce una ca7da de voltaAe mayor en el resistor de colectorO por lo tanto, el voltaAe de colector disminuye y se o6tiene el primer semiciclo negativo del voltaAe desalida> Por el contrario, en el semiciclo negativo del voltaAe de entrada, .luye menos corrientede colector y disminuye la ca7da de voltaAe en el resistor de colector> Por esta ra/n, el voltaAede colector a tierra aumenta y se o6tiene el semiciclo positivo del voltaAe de salida>

    muestra la l7nea de carga de C$ y el punto > El voltaAe de C$ de entrada produce variacionesde C$ en la corriente de 6ase> Esto da origen a variaciones senoidales alrededor del punto ,

    como se muestra> Para operaci/n de peque1a se1al, la variaci/n de pico a pico en la corrientede colector de6er@ ser menor del 2B de la corriente de colector est@tica o de reposo estomantiene la distorsi/n muy a6aAo de los niveles acepta6les en la mayor parte de lasaplicacionesF>

    Para grandes se1ales, el punto de operaci/n var7a m@s a lo largo de la l7nea de carga> )i lase1al es muy grande, el transistor va hacia saturaci/n y corte, lo que recortar@ los picosnegativos y positivos de la se1al> En algunas aplicaciones el recorte ser@ aceptado, pero conampli.icadores lineales el transistor de6er@ operar en la regi/n activa todo el tiempo> Esosigni.ica que nunca ir@ a saturaci/n o corte durante el ciclo>

    #a ganancia de voltaAe de un ampli.icador es la relaci/n del voltaAe de C$ de salida al voltaAe deC$ de entrada> )im6/licamente,

     

    muestra el circuito equivalente de ca> #a resistencia RC de colector va hacia tierra porque elpunto de voltaAe de alimentaci/n act0a como un cortocircuito para C$> "e la misma .orma, el

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     Z ent  ≅  R1  R2   β  r e0

    "e la .igura 2J6 puede determinarse gra.icamente que la impedancia de salida es . sal   " C >

    muestra un eAemplo de en un circuito de ampli.icador en con.igurado como emisor com0n y

    c/mo son vistas las se1ales C$ a traves de un osciloscopio>

     $mpli.icador de (ase Com0n)imulaci/n