INSTITUTO TECNOLGICO DE MRIDA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICACARRERA: INGENIERA ELECTRNICA

MATERIA: DISEO CON TRANSOISTORESGRUPO: 6EM

NOMBRE MAESTRO: JOS AGUSTN HERNNDEZ BENTEZ

NM. PRCTICA:2

NOMBRE DE LA PRCTICA: AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON BJT

INTEGRANTES DEL EQUIPOMATRCULA

Cristobal Arellano HernandezE1

Carlos castellanosE1

Angel Nicols Bonilla OrtegnE1

La rocaE1

E1

REPORTE DE LA PRCTICA

INTRODUCCINRealizar el diseo de un circuito amplificador diferencial con BJTs, cumpliendo ciertas caractersticas.

OBJETIVOS DE LA PRCTICARealizar el diseo y verificacin de un amplificador diferencial con transistores bipolares.

MARCO TERICOTransistor de unin bipolar

BJT (Bipolar Junction Transistor). El trmino bipolar hace referencia al hecho de que en la conduccin de la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El termino junction (unin) hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como veremos a continuacin tenemos dos uniones pn en el transistor y mediante la polarizacin de estas uniones conseguiremos controlar el funcionamiento del dispositivo.

El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaramos hablando de un transistor npn.

Tipos de Transistor de Unin BipolarNPN

El NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.PNP

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa.

Amplificador diferencialEl amplificador diferencial es un circuito que constituye parte fundamental demuchos amplificadores y comparadores y es la etapa clave de la familia lgicaECL. En este tema se describen y analizan diferentes tipos de amplificadores diferenciales basados en dispositivos bipolares y FET. Se abordan tcnicas de polarizacin y anlisis de pequea seal introduciendo los conceptos en modo diferencial y modo comn que permiten simplificar el anlisis de estos amplificadores. Por ltimo, se presentan y estudian amplificadores diferenciales integrados complejos que resultan muy tiles como introduccin a los amplificadores operacionales.

MATERIAL UTILIZADO BJT NPN 2N3904 x 3. Resistores: segn diseo en pre-laboratorio.

DESARROLLO EXPERIMENTAL*Disear el siguiente circuito tomando en cuenta las siguientes especificaciones:Vic = 0 VExcursin sin recortar 0-a-pico en Vo1 2.5 VVCC = VEE = 5 V|Adm| 40Frecuencia de operacin: 1 kHzRid 20 kCMRR 70 dB

*Con las restricciones que se tienen, procedemos a realizar los clculos correspondientes para obtener los valores de las cargas resistivas correctas:

*Cabe resaltar que esto fue un diseo, por lo que cada equipo es libre de disear su propio circuito amplificador diferencial

RESULTADOSEn esta seccin se debe incluir los resultados y mediciones obtenidas en el desarrollo experimental, debe contener tablas, grficas

PREGUNTASEn esta seccin se contestarn las preguntas indicadas por el maestro

CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES Para poder disear un amplificador diferencial, es importante conocer sus peculiaridades. Como por ejemplo, que los transistores son iguales, por lo tanto tienen la misma transconductancia, resistencia de colector y emisor, resistencia Pi. Esto nos beneficia de gran manera, ya que reducimos el nmero de variables a considerar. Despus, se suman las corrientes de ambos transistores, por ejemplo, en nuestro diseo asumimos que tendramos 10 miliamperios, por lo que en el transistor de la siguiente etapa, tendr una corriente de colector de 20 miliamperios.Es importante tener un amplio dominio de los temas como lo son anlisis de transistores en corriente directa y corriente alterna, ya que con esto podemos proceder a analizar un circuito diferencial.

COMENTARIOSEste apartado es donde el equipo se comunica con el profesor para hacer las recomendaciones necesarias para mejorar la prctica, avisar sobre la baja participacin de algn miembro del equipo, proporcionar datos fuera del tema pero que estn en contexto con el desarrollo de la prctica como por ejemplo, falta de herramientas en el laboratorio, fallas de algn equipo o propuestas de mejora. Deben ser breves y concretos.

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAShttp://cenicasol.chica.org.ni/wp-content/uploads/2012/07/Tema6.pdfhttp://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf

Aqu se deben incluir todas las referencias bibliogrficas y electrnicas que se hayan utilizado para el desarrollo del documento. El apartado de desarrollo y la bibliografa deben estar debidamente referenciados. Sugerencia: seguir la norma IEEE, hoja anexa con las indicaciones para las referencias bibliogrficas.

* NOTA IMPORTANTE: PARA LA ENTREGA FINAL PRESENTAR EN UN FOLDER O ENGARGOLADO TODAS LAS PRCTICAS, EN EL CASO DEL FOLDER DEBE TENER UN BROCHE BACCO PARA SUJETAR LAS HOJAS.

VALORACION DEL PROFESOREn esta seccin se debe incluir la valoracin de los diferentes aspectos que el profesor evala para cada prctica y que indic al inicio del semestre.

Referencias bibliogrficas (IEEE)

El encabezado de la seccin de referencias debe seguir las normas del nivel ttulo sin embargo, no debe tener numeracin. Todas las referencias se hacen en letra de 8 puntos. Utilice cursiva para distinguir los diferentes campos de la referencia. Utilice los ejemplos adjuntos en este documento. Todas las referencias estn numeradas con nmeros arbigos consecutivos que inician en 1 y siempre estn encerrados en parntesis cuadrados (p.e. [1]).Si en el cuerpo del artculo hace referencia a alguna de estas referencias, utilice solamente los parntesis cuadrados y el nmero correspondiente. Nunca use trminos como ver referencia [4], en su lugar use ver [4]. Si son varias referencias juntas, seprelas con comas. Las referencias cambian segn el tipo de fuente. Los ejemplos enumerados en la seccin de referencias de este documento incluyen:

ejemplo de un libro [1] ejemplo de un libro parte de una serie [2] ejemplo de otro artculo de revista [3] ejemplo de un artculo de conferencia [4] ejemplo de una patente [5] ejemplo de un sitio web [6] ejemplo de una pgina de un sitio web [7] ejemplo de un manual [8] ejemplo de una hoja de datos [9] ejemplo de una tesis [10] ejemplo de un reporte tcnico [11] ejemplo de un estndar [12]REFERENCIAS

[1] S. M. Metev and V. P. Veiko, Laser Assisted Microtechnology, 2nd ed., R. M. Osgood, Jr., Ed. Berlin, Germany: Springer-Verlag, 1998.[2] J. Breckling, Ed., The Analysis of Directional Time Series: Applications to Wind Speed and Direction, ser. Lecture Notes inStatistics. Berlin, Germany: Springer, 1989, vol. 61.[3] S. Zhang, C. Zhu, J. K. O. Sin, and P. K. T. Mok, A novel ultrathin elevated channel low-temperature poly-Si TFT, IEEE Electron Device Lett., vol. 20, pp. 569571, Nov. 1999.[4] M. Wegmuller, J. P. von der Weid, P. Oberson, and N. Gisin, High resolution fiber distributed measurements with coherent OFDR, in Proc. ECOC00, 2000, paper 11.3.4, p. 109.[5] R. E. Sorace, V. S. Reinhardt, and S. A. Vaughn, High-speed digitalto- RF converter, U.S. Patent 5 668 842, Sept. 16, 1997.[6] (2002) The IEEE website. [Online]. Available: http://www.ieee.org/[7] M. Shell. (2002) IEEEtran homepage on CTAN. [Online]. Available: http://www.ctan.org/texarchive/ macros/latex/contrib/supported/IEEEtran/[8] FLEXChip Signal Processor (MC68175/D), Motorola, 1996.[9] PDCA12-70 data sheet, Opto Speed SA, Mezzovico, Switzerland.[10] A. Karnik, Performance of TCP congestion control with rate feedback: TCP/ABR and rate adaptive TCP/IP, M. Eng. thesis, Indian Institute of Science, Bangalore, India, Jan. 1999.[11] J. Padhye, V. Firoiu, and D. Towsley, A stochastic model of TCP Reno congestion avoidance and control, Univ. of Massachusetts,Amherst, MA, CMPSCI Tech. Rep. 99-02, 1999.[12] Wireless LAN Medium Access Control (MAC) and Physical Layer (PHY) Specification, IEEE Std. 802.11, 1997.

1