sg6841/2 應用研討
DESCRIPTION
SG6841/2 應用研討. 林乾元 /Lawrence Lin System General Corp. Outline. SG6841/2 應用注意事項 Layout 與 EMC 常見問題 Q & A. SG6841/2 參考電路. Sense pin 加 RC filter. 100~200 . 100~470pF. 1. 把 sense pin 的負壓壓制在 -0.3V 以內 2.C 儘可能靠近 IC 的 sense-GND 3.R 太大會造成斜率補償過重 , 影響正常操作 4. 太大的 RC 常數值會造成高壓過載點太高. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
SG6841/2應用研討
林乾元 /Lawrence Lin
System General Corp.
1. SG6841/2應用注意事項2. Layout與 EMC常見問題3. Q & A
OutlineOutline
SG6841/2參考電路
Sense pin加 RC filter
100~200100~200
100~470pF100~470pF
1.1.把把 sense pinsense pin 的負壓壓制在的負壓壓制在 -0.3V-0.3V以內以內2.C2.C儘可能靠近儘可能靠近 ICIC的的 sense-GNDsense-GND3.R3.R太大會造成斜率補償過重太大會造成斜率補償過重 ,,影響正常操作影響正常操作4.4.太大的太大的 RCRC常數值會造成高壓過載點太高常數值會造成高壓過載點太高
FB pin的 RC filter
FBFBpinpin
Opto-Opto-couplercoupler
1.1.適當的適當的 RCRC值基本上不影響電路操作值基本上不影響電路操作2.2.太大的太大的 RCRC常數將使迴路反應變慢常數將使迴路反應變慢3.3.加加 RCRC在降頻時會看到較穩定的頻率在降頻時會看到較穩定的頻率
RT pin的濾波電容
1. RT pin若因干擾出現雜訊 ,建議加電容濾除 (47pF~1000pF)
2. 電容若加太大將造成無法開機3. 若不使用 RT pin,直接 open即可 ,但是如果出現上述現象 ,請並聯電容 .
其他注意事項• 除 Vin,VDD,Gate pin之外 ,其餘耐壓僅 7
V
• RI pin勿做其他應用• Vin pin不使用 open即可 ,或接 C對地 .
Layout與 EMC
Layout的注意事項• 小訊號與大電流迴路必須分開• Sense pin的訊號線勿經過變壓器下方 ,或與 Drain平行且太接近 .
• 地線的分配必須考慮到 EMC
• 零件的配置需考量到耦合問題
零件的配置 (錯誤 )
INLETINLET
EMIEMIfilterfilter
Power StagePower Stage
小訊號迴路小訊號迴路
SecondarySecondary&&
InverterInverter
MOSFETMOSFET
雜訊將跳過濾波電路偶合到線端雜訊將跳過濾波電路偶合到線端
零件的配置 (錯誤 )
INLETINLET
EMIEMIfilterfilter
Power StagePower Stage
小訊號迴路小訊號迴路 SecondarySecondary
InverterInverter
shieldingshielding
零件的配置
INLETINLET
EMIEMIfilterfilter
Power StagePower Stage
小訊號迴路小訊號迴路
SecondarySecondary&&
InverterInverter
MOSFETMOSFET
Surge放電路徑 (L/N-F.G)
跨在初次級的 Y電容 ,在初級應直接且獨立連接到整流後的濾波電容 ;次極端應接近輸出地線或螺絲孔
• VDD迴路應注意零件順序 ,如下圖 .
• 若 VDD電容無法靠近 IC,請在 VDD前再加 RC filter.
Lightening Surge:VDD注意事項
222 1
AUX +
0.1uFPWMVDD
GND
ESD放電路徑
FBFB
Vo+
GND
33
11
22
1
2
3 4
5
6GND
FB
Ri SENSE
VDD
GATE
7,8
3
4
1
9,10
2
21
+
2
1
3
4
+
2 1
LINE
3
1
2
NATURE
Varistor
12
1
23
1 2
CM Choke21
3 4
21
+
+
XC1 2
1
23
4
NTC
1 2
地線的配置
Q & A