本屆「台俄覯訷奈米宄構犕光電應用研討會」,將於2007年11...

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活動日:11月 21-22日 活動地點:大電資學院博理館 報名資訊:http://www.mse.ntu.edu.tw/indexchinese.html 本屆「台俄奈米構光電應用研討會」,將於2007年11月21、22兩日,假台 灣大學電資學院博理館舉行。籌辦單位除邀請莫科科技大學(Moscow State Technical University, MIREA)電子系、莫科大學(Moscow State University, MSU)物理、化學系從事 奈米材光電元件研究之相域生(本次來訪13人,由俄科學院院士、莫 科科技大學長爾博士率),並擴大邀請前俄聯邦、今摩爾多瓦共和國

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活動日期:11月 21-22日

活動地點:臺大電資學院博理館

報名資訊:http://www.mse.ntu.edu.tw/indexchinese.html

本屆「台俄雙邊奈米結構與光電應用研討會」,將於2007年11月21、22兩日,假台

灣大學電資學院博理館舉行。籌辦單位除邀請莫斯科科技大學(Moscow State Technical

University, MIREA)電子系、莫斯科大學(Moscow State University, MSU)物理、化學系從事

奈米材料與光電元件研究之相關領域師生(本次來訪13人,由俄羅斯科學院院士、莫斯

科科技大學校長席格爾博士率領),並擴大邀請前俄羅斯聯邦、今摩爾多瓦共和國

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(Moldova)科學院副院長/應用物理所所長Dr. Leonid L. Kulyuk (莫斯科科技大學教授),以

及國內從事奈米光電科研之團隊:中研院原分所王玉麟所長、中央大學資電學院綦振瀛

院長、成功大學電資院李清庭院長等與會並發表演講。期望藉由此研討會之舉辦、邀請

各校奈米光電科技研究師生之參與、以及相關實驗室之參訪,促成台俄雙邊從事奈米光

電研究團隊與師生之交流,使得更多有可能媒合台俄雙邊奈米科技合作之計畫,藉由研

討會密集的討論與交流下自然水到渠成。此次會議相關討論題綱有:奈米結構與製造、

奈米元件與光電技術應用、奈米元件與光子技術應用及數值模型與分析。會議內容,乃

就上述奈米材料、結構之製備、元件特性、以及理論模型之分析,作深入之探討。更多

訊息

活動日期:11月 28-30日

活動地點:Howard International House Taipei

The ISEV2007 Symposium is aimed at bringing together specialists, researchers and

practitioners in environment vibrations, to review recent achievements in the advancement of

knowledge and understanding in these areas, to share the latest developments, and to address the

challenges faced by the related engineering works. Similar to the previous symposia, topics covered

will include the predictions, mitigation, and monitoring of ground and structural vibrations caused

by train/road traffic, construction activities, and factory operations. more info

本院材料系執行教育部「影像顯示科技設備與材料特色人才培育計畫」,先前已於

96年10月13日舉辦「2007平面顯示器科技研習營」,現因應眾多受名額限制未能參加之

高中職學生要求,將於96年12月8日再加辦一梯次。詳細活動及報名資訊請見活動網

址。

時間地點時間地點時間地點時間地點 題目題目題目題目

11111111月月月月30303030日日日日

(18:30~20:30)

文學院演講廳

題目題目題目題目::::夢與自我覺察

夢是通往潛意識的皇家道路。

它會告訴我們真正的自己,而不是我們想像的自己。

主講人主講人主講人主講人::::汪淑媛( 暨南大學社會政策與社會工作學系教授,致

力於夢教學與推展讀夢團體)

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12121212月月月月5555日日日日

(18:30~20:30)

文學院演講廳

題目題目題目題目::::生命的轉彎處

他—生命充滿了轉折,對生命充滿熱情的他如何通過種種考驗?

主講人主講人主講人主講人::::孫效智( 本校哲學系教授,積極推動生命教育)

12121212月月月月13131313日日日日

(18:30~20:30)

文學院演講廳

題目題目題目題目::::晚安,祝您好眠

良好的睡眠,是可以經由正確的態度而達成的。

讓我們與你一起守護自己的睡眠。

主講人主講人主講人主講人::::連玉如(本校學輔中心臨床心理師,一個對熟眠與失眠

充滿好奇的人)

日期日期日期日期 演講者演講者演講者演講者 服務單位服務單位服務單位服務單位 題目題目題目題目 地點地點地點地點

11111111月月月月16161616日日日日

(14:20-17:20) 徐秀福 教授 淡江化學

Maneuver of Long-Range

Molecular Order

共同309教

11111111月月月月16161616日日日日

(15:30-17:00) 黃隆洲 總經理

車輛研究測

試中心

我國車輛電子化系統之研

發最新進展(含CASE說

明)

工綜B02

講堂

11111111月月月月19191919日日日日

(10:10-12:00) 廖豊雄 先生

東勳國際股

份有限公司 Carbon Black

工綜B01

11111111月月月月19191919日日日日

(14:00-17:00) 李柱 教授

華中科技大

頂天立地—

做人、做事、做學問

工綜B01

11111111月月月月19191919日日日日

(14:20) 林葉增 顧問

普誠科技股

份有限公司

電子紙顯示器發展現況與

展望

應力館國

際會議廳

11111111月月月月23232323日日日日

(14:20-17:20) 葉瑞銘 教授 中原化學

高分子/黏土奈米複合材料

在金屬防腐蝕塗料上之應

用研究

共同309教

11111111月月月月23232323日日日日

(15:30-17:00) 莊曜宇教授 生醫電資所

Development of a

Normalization Algorithm for

array Comparative Genomic

Hybridization (aCGH)

工綜B02

講堂

11111111月月月月26262626日日日日

(10:10-12:00) 賴逸少 先生

日月光集團

研發中心經

電子封裝及其應力可靠度

測試與分析

工綜B01

11111111月月月月26262626日日日日 台大教師參加國際車展簡 工綜B01

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(14:00-17:00) 黃漢邦 教授 臺大機械系 報研討 室

11111111月月月月28282828日日日日

(15:30) 陳敏慧 教授

台灣大學臨

床牙醫系

幹細胞與組織工程在牙科

的應用

化工一教

11111111月月月月30303030日日日日

(14:20-17:20) 李文福 教授 大同化工

智慧型凝膠材料之研究概

共同309教

11111111月月月月30303030日日日日

(15:30-17:00)

林伯峯

專案經理

力鋼工業股

份有限公司 離岸風力發電

工綜B02

講堂

12121212月月月月3333日日日日

(10:10-12:00) 郭 福 先生

北京工業大

學教授

高強度高可靠性無鉛銲料

和無鉛助銲劑的研究

工綜B01

12121212月月月月3333日日日日

(14:20)

李祖聖

特聘教授

成功大學電

機系

車型機器人之智慧型控制

法之設計與實現

應力館國

際會議廳

12121212月月月月5555日日日日

(15:30) 洪賑城 教授

大同大學化

工系

混合氣中之氫氣滲透鈀膜

管研究

化工一教

12121212月月月月7777日日日日

(14:20-17:20) 蔡世榮 副主任

工研院南分

院奈米粒體

與薄膜科技

中心

Optical Grade Polymers and

Applications

共同309教

12121212月月月月7777日日日日

(15:30-17:00) 趙茂吉 博士

中山科學研

究院第一研

究所氣動力

學組

無人飛行載具(UAV)的運用

與設計

工綜B02

講堂

12121212月月月月10101010日日日日

(10:10-12:00) 周銘俊 先生

晶元光電股

份有限公司

執行副總

LED原理與技術發展 工綜B01

12121212月月月月10101010日日日日 (14:20)

陳鐵城 教授 成功大學機

械工程學系

從宏觀到微奈米力學--淺談

個人的研究心路歷程

應力館國

際會議廳

12121212月月月月12121212日日日日

(15:30) 賴進此 博士

食品工業發

展研究所

高抗氧化物質之開發與應

化工一教

12121212月月月月14141414日日日日

(14:20-17:20) 潘金平 組長

工研院材化

所 高分子在儲能原件的應用

共同309教

12121212月月月月14141414日日日日

(15:30-17:00) 楊鏡堂 教授

清華大學動

力機械工程

學系

仿生力學與推進 工綜B02

講堂

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本院葛院長與化工系陳立仁主任、徐治平教授及吳紀聖教授於10月24-27日訪問越

南胡志明市百科大學,參加該校慶祝建校五十周年及相關研討會活動,其中參觀化工、

環境及材料三學院,與該校學生座談介紹申請入學臺大相關事宜,並於 10 月 25 日與該

校簽署合作交流備忘錄。

自右起為百科大學環境學院副院長 Nguyen The Vinh、研發與國際事務處副處長

Nguyen Tan Tien、材料學院副院長 Vo-Huu Thao、環境學院院長 Nguyen Phuoc

Dan、副校長(研發與國際事務) Phan Dinh Tuan、校長 Vu Dinh Thanh、本院 葛院

長、化工系陳立仁主任、徐治平教授及吳紀聖教授。

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財團法人宗倬章先生教育基金會為提升本院各工程領域之水準,獎勵學術地位崇高

或產學合作績效優良之教授,特設立「宗倬章先生講座」,每年提供至多二個名額,每

位獎金新台幣四十萬元。講座任期一年,期滿可再重新接受推薦或評選。曾獲二屆講座

者,即成為終生榮譽,不再接受推薦或評選。本年度獲獎人為機械系范光照教授和土木

系楊永斌教授等兩位。更多內容

葛院長(左起)、范光照教授、楊永斌教授夫人(黃如宛女士)、楊永斌教授、宗董

事長及工學院莊副院長。

本校法律學院與工學院於96年10月27日在臺大法律學院國際會議廳聯合舉辦工程與

法律學術研討會,莊副院長代表葛院長出席,與法律學院蔡明誠院長共同主持開幕式,

土木系鄭富書及曾惠斌教授與法律學院同仁於會中聯合擔任與談人。

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應力所郭茂坤所長(左起)、工工所吳政鴻教授、機械系李志中教授、機械系林沛群

教授及工學院葛院長。

工學院莊副院長(左起)、機械系傅增棣教授及材料系高振宏教授。

1 應力所李世光教授榮任工業技術研究院副院長

應力所沈弘俊教授之研究成果「三叉型管道粒子分離裝置」獲頒中華民國發明

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2 專利證書

3 應力所吳恩柏教授之研究成果「可調式長週期光柵結構及其製造方法」獲頒中

華民國發明專利證書

4 化工系吳乃立教授之研究成果「電化學電容器的電極材料」獲頒中華民國發明

專利證書

5 應力所沈弘俊教授、李雨教授共同研究成果「微混合器」獲頒中華民國發明專

利證書

打線接合(Wire Bonding)屬於晶片層級電子構裝技術(Chip Level Packaging)的聯

線方法(Interconnection)之一,雖然相較於其他兩種聯線技術—捲帶自動接合(TAB)

與覆晶接合(Flip Chip),打線接合屬於較傳統技術,但仍是電子封裝產業的主要製

程,甚至成為封裝廠規模大小的衡量指標。工學院材料系擁有圖1a熱壓接合方式

(Thermal Compression Bonding)及圖1b超音波接合方式(Ultrasonic Bonding)兩種打線

接合機,前者主要用於金線材料,其打線接點為球形(圖2a),後者則用於鋁線材料,

其打線接點為楔形(圖2b)。此設備目前正進行IC金線材料改用銅線材料或銀鍍金複合

線材料之打線製程研究,設備放置地點:工綜館345室,負責教授:莊東漢 教授

[email protected])。

圖1a 熱壓接合打線機 圖1b 超音波接合打線機

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圖2a 熱壓打線接點

圖2b 超音波打線接點

(為了促進院內老師對相互研究領域的了解,增加未來合作機會,工學院簡訊嘗試每期邀請大約3~5位相近

領域教授提供最近發表論文摘要刊登。如果您有研究成果願意與大家分享,亦隨時竭誠歡迎來稿。)

非晶質鎳磷合金具備優異的機械性質與抗腐蝕特性,廣泛應用於模具表面改質,對

於精密車削加工之壓花輪模具表面所鍍覆的材料,期望合金成份和組織是屬於均質的鍍

膜,以利於單點鑽石車削加工精細的紋路。直流電鍍鎳磷合金可藉由鍍浴系統亞磷酸濃

度提高來增加鍍層磷含量與形成非晶質結構,然而,亞磷酸濃度過高造成鍍液pH值降

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低,電鍍過程氫離子產生劇烈的還原反應,電流效率變差,同時電極表面pH值也會產

生週期性的變動,造成成份不均勻層狀組織的鎳磷鍍層。欲在壓花輪模具表面披覆高磷

含量和微結構均質的大厚度鎳磷合金,可藉由脈衝電鍍製程參數調控來改善,並以

ANSYS電腦輔助工程分析來模擬鍍槽系統的電場均勻性,製作均質結構的鎳磷合金。實

驗結果顯示脈衝電鍍製程有助於提昇磷共鍍量並維持高電流效率,經鎳磷共鍍機制推論

在沒有通電的休鍍週期,亞磷酸仍與吸附於電極表面的氫產生磷化氫氣體(PH3),爾後

再與鍍液鎳離子還原成鎳和磷以形成鎳磷合金,而且脈衝休鍍週期亦有助於電極表面離

子濃度的回復與維持pH值穩定,故可消除直流電鍍製程所造成成份不均勻的層狀鎳磷

合金,形成均質化組織的鎳磷鍍層。接著,進行大厚度(~1000µm)、低內應力的鎳磷合

金披覆,同時脈衝電鍍層具備成份和組織均勻的特性,故精密車削加工後可得到完美的

微米級紋路。(林招松林招松林招松林招松教教教教授授授授 提供 [email protected]

圖1 提升鍍層磷含量且維持高電流效率的脈衝電鍍製程。

圖2 脈衝參數對電解液/陰極界面pH值變動影響。

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圖3 直流電鍍製程所製作的層狀組織鎳磷合

金:(a)明視野;(b)暗視野。

圖4 脈衝電鍍製程所製作的非層狀結

鎳磷合金:(a)負載率50%,

f=10Hz; (b)負載率10%,f=10Hz;

(c)負載率10%,f=100Hz。

圖5 調控鎳磷合金組織與內應力之脈衝電鍍。

圖6 電鍍槽體電場均勻性之模擬與精密車削加工後之壓花輪模具。

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應用儲氫合金來儲存與運輸氫氣是目前極力開發之儲氫新技術,在各種儲氫合金

中,以鑭鎳系合金最為優越,其具有活化容易、吸放氫速率快、儲氫量大及吸放氫平衡

壓力遲滯小等優越性能。本研究以鑭鎳儲氫合金為基礎,並添加適量鋁元素,探討合金

之活化、吸放氫效能與毒化過程等。實驗結果顯示添加微量Al元素取代LmNi5儲氫合金

中的Ni,其平台區氫壓大幅下降,甚至低於一大氣壓。LmNi4.8Al0.2儲氫合金在20 ℃活

化潛伏期長達8小時,若將溫度提高至40 ℃,其活化潛伏期大幅縮減至45分鐘,並隨著

溫度提高,活化所需時間逐漸減少。LmNi4.8Al0.2儲氫合金於CO毒性氫氣中吸放氫會產

生毒化現象,CO分子濃度愈高,或是吸放氫循環次數愈多,合金被毒化的現象更加嚴

重;提高吸放氫溫度,可有效降低儲氫合金之毒化現象。H2S毒性氫氣對於

LmNi4.8Al0.2儲氫合金之毒化作用遠低於CO毒性氫氣。經過循環毒化之LmNi4.8Al0.2儲

氫合金,於高純度氫氣中施予再活化處理,可有效恢復儲氫合金之吸放氫特性。(林新林新林新林新

智智智智教教教教授授授授 提供 [email protected]

圖一 LmNi4.8

Al0.2

儲氫合金活化前(a)、後(b)之SEM圖

圖二LmNi4.8

Al0.2

儲氫合金於1000 ppm CO與H2S毒性氫氣中之循環毒化曲線 (a)40 ℃ (b)60 ℃

(c)80 ℃

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最近兩年,微電子元件內常觀察到一種所謂『大規模剝離』(Massive spalling) 之失

效現象,對電子元件之可靠度造成嚴重之威脅。此一現象指的是原位於界面之介金屬往

銲點內部剝離(圖一)。此一現象已經在許多不同的材料系統中普遍被觀察到,包括錫銀

銅銲料與鎳基材之反應、錫鋅銲料與銅基材之反應、高鉛銲料與銅基材之反應、以及高

鉛銲料與鎳基材之反應。產業界與學術界對此一獨特之現象迄今皆無合理之解釋。本研

究藉由熱力學的觀點對於此一現象給予一合理的解釋。本研究發現,當系統同時具有以

下兩種條件時,spalling的現象就會發生。一是參與反應之銲料組成中,至少有一種成份

(X)由於在銲料中所佔的比例太少,或者是因為銲點體積太小使得X的供應量受到限制。

二是銲料與基材間的反應對X組成的微小改變相當敏感,X組成的些微改變會造成界面

反應物的種類的不同。此兩種因素的結合造成隨著反應生成物的生長,越來越多X原子

被納入介金屬中,進而造成銲料中X濃度的下降。由於X濃度的改變,原本穩定存在於

界面的介金屬會變得不穩定而以spalling的方式脫離了界面。Spalling會導致微電子元件可

靠度下降已廣為人知,因此如何避免spalling的發生是提高銲點品質的重要方向之一。本

研究提供一個評估spalling是否會發生的方法,並提出可行敵改進方案。(高振宏高振宏高振宏高振宏教教教教授授授授提

[email protected]

圖一、微電子元件內所謂『大規模剝離』(Massive spalling) 之失效現象。

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圖二、240oC Sn-Cu-Ni的三元相圖。由相圖可知,當銲料中的Cu濃度高

時,tie-line走勢落在L與Cu6Sn

5的二元相區,生成介金屬Cu

6Sn

5。若銲料中

的Cu濃度低時,tie-line走勢則落在L與Ni3Sn

4的二元相圖區,生成介金屬

Ni3Sn

4。

本研究使用MOCVD技術在sapphire上成長的p型GaN,於其上再以ALD技術成長n型

ZnO,並進行高溫退火,而後再鍍上電極,製成發光二極體(LED),其元件結構如圖一

所示。圖二顯示此發光二極體電流密度對電壓之關係,顯示此元件具有明顯的整流特

性。圖三為此ZnO與GaN薄膜之X光繞射(X-ray diffraction)圖,圖中顯示ZnO (0002) 峰之半

高寬為0.05o,而GaN (0002) 峰之半高寬為0.03o,顯示此ZnO薄膜具有良好的結晶品質。

圖四是此ZnO及GaN薄膜在室溫下之PL(Photoluminescence)的發光頻譜。圖五是此LED在

室溫下通電流後之發光頻譜。由圖四與圖五的比較可以發現在低電流密度時,發光由

GaN所主導;而在高電流密度時,ZnO的發光逐漸增強,進而主導整個發光頻譜,發光

波長位於紫外光的範圍。由此可見,利用ALD技術可以磊晶高品質之ZnO,並利用ZnO

優秀的發光特性,成功的製作出效能良好的紫外光LED。(陳敏璋陳敏璋陳敏璋陳敏璋教教教教授授授授 提供

[email protected]

圖一 圖二

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圖三 圖四

圖五