introducción a la electrónica de dispositivos materiales
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Introducción a la Electrónica
de Dispositivos
•Materiales semiconductores
•La unión PN y los diodos
semiconductores
•Transistores
Departamento de Ingeniería Eléctrica,Electrónica, de Computadores y de Sistemas
Universidadde Oviedo
Área deTecnologíaElectrónica
ATE-UO PN 00
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Germanio tipo P
-
Sb+
Germanio
-Sb+ Sb+
-
Sb+ Sb+
Sb+ -Sb+ Sb+ Sb+ Sb+
-
-
--
-
-- +
Donador
Aceptador
+
++
Al-
+
Germanio
Al- Al-+ Al-
+
Al-
Al- + Al-
+
Al- Al-
+
Al-
+
++-
Germanio tipo N
• Ambos son neutros• Compensación de cargas e iones
• Ambos son neutros• Compensación de cargas e iones
+-
electrónhueco
ATE-UO PN 01
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Germanio tipo P Germanio tipo N
+
Al-
+
Al- Al-+
Al- + Al-
+
Al-+
Sb+ -Sb+ Sb+
Sb+ Sb+ Sb+
-
-
--
-
Barrera que impide la difusión
Unión PN
Se produce difusión de huecos de lazona P en la zona N y viceversa
Se produce difusión de huecos de lazona P en la zona N y viceversa
Germanio tipo P Germanio tipo N
+
Al-
+
Al- Al-
Al- + Al-
+
Al-
Sb+ -Sb+ Sb+
Sb+ Sb+ Sb+-
--
+
+
-
-
ATE-UO PN 02
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Zonas de la unión PN
Zona P NEUTRA(huecos compensados
con iones “-”)
Zona N NEUTRA(electrones compensados
con iones “+”)
Zona de TransiciónExiste carga espacial y no
existen casi portadores
Zona de TransiciónExiste carga espacial y no
existen casi portadores
+
Al-
+
Al-
Al-+ Al-
+
Al-
Al-
Sb+
Sb+
-Sb+ Sb+
Sb+ Sb+-
--
+-
VO
P N
+ -
- +Zona P
Muchos huecos yneutra
Zona PMuchos huecos y
neutra
Zona NMuchos electrones y
neutra
Zona NMuchos electrones y
neutra
ATE-UO PN 03
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Equilibrio en la unión PN (I)
MUY IMPORTANTE:
¿Se difunden todos los huecos de lazona P en la zona N y viceversa?
No, ya que la carga espacial presente enla zona de transición lo impide.
SE LLEGA A UN EQUILIBRIO
MUY IMPORTANTE:
¿Se difunden todos los huecos de lazona P en la zona N y viceversa?
No, ya que la carga espacial presente enla zona de transición lo impide.
SE LLEGA A UN EQUILIBRIO
P N-
- por campo
+por campo
por difusión
+ por difusión
- +
- +
- +
- +
- +jp campo
jp difusión
jn difusión
jn campo
}
}
Se compensan
Se compensan
ATE-UO PN 04
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jp campo=- jp difusión
VO=VT·ln(pP/pN)
jp campo=- jp difusión
VO=VT·ln(pP/pN)
Equilibrio en la unión PN (II)
++
++++++++++++++++++
+ + +
+
+ -+ -+ -+ -
--
pP pN+ -+ -+ -+ -
-- - - -
- - -
- - -- - -
- - -
-
-
-
-- -
----
-
jn campo= - jn difusión VO=VT·ln(nN/nP)jn campo= - jn difusión VO=VT·ln(nN/nP)
nPnN
ATE-UO PN 05
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Variables la unión PNen equilibrio
VO
- +
P N- +
ρρρρ(x)
E(x)
-EmaxO
Densidadde carga
VU(x)VO
Tensión
Campoeléctrico
x
x
x
ATE-UO PN 06
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Unión abrupta e hipótesisde vaciamiento
P N- +ρρρρ(x)
E(x)
-EmaxO
x
x
Situación real
-q·NA
q·ND
Se admite que:
•Hay cambio brusco dezona P a zona N
•No hay portadores en lazona de transición
ATE-UO PN 07
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Unión PN en equilibriocon NA<ND (I)
Al-
+
Al-+
Al-
Al-
Sb+
Sb+
Sb+
Sb+Sb+
-
-Sb+
Al-
Al-
Al-
Al-
Sb+
Sb+
Sb+-
LZTPO LZTNO
LZTO
UniónZona P Zona N
NAND
La neutralidad de la carga totalen la zona de transición exige:
NA· LZTPO = ND· LZTNO
La neutralidad de la carga totalen la zona de transición exige:
NA· LZTPO = ND· LZTNO
ATE-UO PN 08
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Unión PN en equilibriocon NA<ND (II)
VO
- +
P N- +
VU(x)
VO
ρρρρ(x)
E(x)
-EmaxO
Áreasiguales
x
x
x
ATE-UO PN 09
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Ecuaciones en equilibrio(sin polarizar) (I)
•Equilibrio difusión-campo en la zona detransición:
NA· LZTPO = ND· LZTNO
•Neutralidad neta entre ambas partes dela zona de transición:
•Teorema de Gauss en la zona de
transición ( ·E(x)=ρρρρ(x) ):
∆∆∆∆
E(x)=-(LZTPO+x)·q·NA/ε ε ε ε (zona P)
E(x)=-(LZTNO-x)·q·ND/εεεε (zona N)
VO=VT·ln(pP/pN) VT=k·T/q, 26mV a 300ºK
•Definición de diferencia de potencial
( E(x)=- V ):
∆∆∆∆
EmaxO =-LZTNO·q·ND/ε ε ε ε =-LZTPO·q·NA/εεεε
VO=q·(L2ZTPO·NA+L2
ZTNO·ND)/(2·ε)ε)ε)ε)
ATE-UO PN 10
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NA· LZTPO = ND· LZTNO
VO=q·(L2ZTPO·NA+L2
ZTNO·ND)/(2·ε)ε)ε)ε)
VO=q·L2ZTO·NA·ND·/(2·εεεε·(NA+ND)))))
VO=VT·ln(pP/pN)
LZTO =LZTPO+ LZTNO
Partiendo de :
se obtiene:
y con las ecuaciones:
pP=NA pP·nP =ni2
nN=ND nN·pN =ni2
se obtiene:VO=VT·ln(NA·ND/ni
2)
2·εεεε·(NA+ND)·VT·ln(NA·ND/ni2)
LZTO=q·NA·ND
Ecuaciones en equilibrio(sin polarizar) (II)
ATE-UO PN 11
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2·εεεε·(NA+ND)·VT·ln(NA·ND/ni2)
LZTO=q·NA·ND
LZTPO = ND· LZTO/(NA+ND)
LZTNO = NA· LZTO/(NA+ND)
Ancho de la zona de transiciónen equilibrio (sin polarizar)
•La función LZTO(NA,ND) es decreciente,
por lo que grandes dopados generan
pequeñas zonas de transición.
•Si el dopado en ambas zonas es muy
distinto, la zona de transición en la
zona muy dopada es pequeña y la zona
de transición en la zona poco dopada
es grande.
•La función LZTO(NA,ND) es decreciente,
por lo que grandes dopados generan
pequeñas zonas de transición.
•Si el dopado en ambas zonas es muy
distinto, la zona de transición en la
zona muy dopada es pequeña y la zona
de transición en la zona poco dopada
es grande.
ATE-UO PN 12
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EmaxO =-LZTNO·q·ND/εεεεLZTNO =NA· LZTO·(NA+ND)
EmaxO =-q·LZTO·ND·NA/((NA+ND)·ε) ε) ε) ε)
Partiendo de :
se obtiene:
y con la ecuación:
εεεε·(NA+ND)EmaxO=
2·q·NA·ND·VO
se obtiene:
VO=q·L2ZTO·NA·ND·/(2·εεεε·(NA+ND)))))
Campo eléctrico máximo en lazona de transición en equilibrio
(sin polarizar)
ATE-UO PN 13
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V = VmP - VU + VNm = VO - VU
Luego: VU = VO - V
V = VmP - VU + VNm = VO - VU
Luego: VU = VO - V
VU
P N
+ -
- + VNmVmP
-+ -+
i ≠≠≠≠ 0
V-+
VmP + VNm = VO
V = 0
VO
P N
+ -
- +VmP VNm
-+ -+
i=0
Baja resistividad:VN=0
Baja resistividad:VP=0
La unión PN polarizada
ATE-UO PN 14
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La unión PN polarizadadirectamente (“+” a P, “-” a N)
ρρρρ(x)
E(x)
-EmaxO
VU(x)VO
x
x
x
-Emax
VO-V
VO-V
P - + N
Zona de transición más estrechay campo eléctrico menos intenso
Zona de transición más estrechay campo eléctrico menos intenso
V
ATE-UO PN 15
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ρρρρ(x)
x
VU(x)
VO
VO+V
x
E(x)
-EmaxO
x
-Emax
La unión PN polarizadainversamente (“-” a P, “+” a N)
VO+V
P - + N
V
ATE-UO PN 16
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Conclusiones parciales (I):
Polarización directa:
•Disminuye la tensión interna
que frena la difusión
•Disminuye el campo eléctrico
en la zona de transición
•Disminuye el ancho de la zona
de transición
Polarización inversa:
•Aumenta la tensión interna que
frena la difusión
•Aumenta el campo eléctrico en
la zona de transición
•Aumenta el ancho de la zonade transición
ATE-UO PN 17
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Cálculo de las variables eléctricas
P N
V-+
Tensiones normalizadas:V>0 ⇒⇒⇒⇒ Polarización directaV<0 ⇒⇒⇒⇒ Polarización inversa
Regla general ( válida para V<VO):
Sustituir VO por VO - VRegla general ( válida para V<VO):
Sustituir VO por VO - V
NOTA: la ecuación de equilibrio decorrientes de difusión y campo en lazona de transición se considera válidaaunque la corriente neta no sea nula.
ATE-UO PN 18
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Ecuaciones de la unión PN
•Sin polarizar
VO=VT·ln(pP/pN)
εεεε·(NA+ND)EmaxO=
2·q·NA·ND·VO
LZTO =2·εεεε·(NA+ND)·VO
q·NA·ND
•Con polarización
VO ⇒ ⇒ ⇒ ⇒ VO-VpN ⇒ ⇒ ⇒ ⇒ pN(0) (pN(x) varía en las zonas neutras)
pP ⇒ ⇒ ⇒ ⇒ pP (no varía)
VO-V = VT·ln(pP/pN(0))
Emax= εεεε·(NA+ND)
2·q·NA·ND·(VO-V)
LZT =2·εεεε·(NA+ND)·(VO-V)
q·NA·ND
ATE-UO PN 19
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Dp=50 cm2/s Dn=100 cm2/s
µµµµp=1900 cm2/V·s µµµµn=3900 cm2/V·s
ni=2.5·1013 port/cm2εεεεr=16
Datos del Ge a 300ºK
ττττp=10 µµµµsNA=1016 átm/cm2
Lp=0.22 mm
ττττn=10 µµµµsND=1016 átm/cm2
Ln=0.32 mm
varios mm
0.313µµµµm
1010
1012
1014
1016
Po
rtad
./cm
3
pP
pN
nN
nP
P N
1µµµµm-1µµµµm 0
VO=0.31 V
+ -
Ejemplo 1: unión de Germanio
ATE-UO PN 20
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Concentraciones conpolarización directa
V=180mV
P N
1010
1012
1014
1016
pP
pN
nN
nP
Po
rtad
./cm
3
1016
5·1015
0
pP
pN
nN
nP
Po
rtad
./cm
3
8·1013
4·1013
0pN
nP
Po
rtad
./cm
3
Escalalogarítmica
Escalalineal
Escala lineal(sólo minoritarios)
-3 -2 -1 0 1 2 3Longitud [mm]
ATE-UO PN 21
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Exceso de concentración deminoritarios con polarización directa
Importante aumento de minoritarios en
los bordes externos de la zona de
transición
Importante aumento de minoritarios en
los bordes externos de la zona de
transición
-3 -2 -1 0 1 2 3
8·1013
4·1013
0pN
nP
Po
rtad
./cm
3
1010
1012
1014
1016
pP
pN
nN
nP
Po
rtad
./cm
3
Escalalogarítmica
Escala lineal(sólo minoritarios)
V=180mV
UniónP N
ATE-UO PN 22
![Page 24: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/24.jpg)
Concentraciones conpolarización inversa
V=-180mV
P N
-3 -2 -1 0 1 2 3
8·1010
4·1010
0Po
rtad
./cm
3
nP pN
Escala lineal(sólo minoritarios)
1010
1012
1014
1016
Po
rtad
./cm
3
108
pP
pN
nN
nP
Escalalogarítmica
Disminución de minoritarios en los
bordes externos de la zona de transición
Disminución de minoritarios en los
bordes externos de la zona de transición
[mm]
ATE-UO PN 23
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Unión
Concentraciones de portadoresen las tres situaciones
1010
1012
1014
1016
pP
pN
nN
nP
Po
rtad
./cm
3
1010
1012
1014
1016
pP
pN
nN
nPPo
rtad
./cm
3
1010
1012
1014
1016
Po
rtad
./cm
3
108
pP
pN
nN
nP
V=180mV(pol. directa)
V=-180mV(pol. inversa)
Sin polarizar
-3 -2 -1 0 1 2 3Longitud [mm]
ATE-UO PN 24
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Ancho de la zona de transición (I)• Sin polarizar
varios mm
0.313µµµµm
1010
1012
1014
1016
Po
rtad
./cm
3
pP
pN
nN
nP
P N
1µµµµm-1µµµµm 0
- +
• V=180mV (pol. directa)
0.215µµµµm
V=180mV
P N
1010
1012
1014
1016
Po
rtad
./cm
3
pP
pN
nN
nP
1µµµµm-1µµµµm 0
Se estrecha en polarización directaSe estrecha en polarización directa
-+
ATE-UO PN 25
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Ancho de la zona de transición (II)• Sin polarizar
varios mm0.313µµµµm
pP
pN
nN
nP
P N
1µµµµm-1µµµµm 0104
108
1012
1016
Po
rtad
./cm
3
- +
• V=-180mV (pol. inversa)
0.416µµµµm
180mV
P N
pP
pN
nN
nP
1µµµµm-1µµµµm 0104
108
1012
1016
Po
rtad
./cm
3
- +
ATE-UO PN 26
![Page 28: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/28.jpg)
• V=-400mV (pol. inversa)
Ancho de la zona de transición (III)
Se ensancha en polarización inversaSe ensancha en polarización inversa
Ecuación del ancho de la zona de transición
LZT =2·εεεε·(NA+ND)·(VO-V)
q·NA·ND
0.5µµµµm
400mV
P N
pP
pN
nN
nP
1µµµµm-1µµµµm 0104
108
1012
1016
Po
rtad
./cm
3
- +
ATE-UO PN 27
![Page 29: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/29.jpg)
El gradiente de la concentración deminoritarios es grande en polarizacióndirecta y muy pequeño en inversa. Sinembargo, se ve mal en esta escala.
El gradiente de la concentración deminoritarios es grande en polarizacióndirecta y muy pequeño en inversa. Sinembargo, se ve mal en esta escala.
pNnP
8·1013
4·1013
0Po
rtad
./cm
3
V=180mV(pol. directa)
8·1010
4·1010
0Po
rtad
./cm
3
nP pN
V=-180mV(pol. inversa)
Concentraciones de minoritarioscon ambas polarizaciones (I)
Unión
ATE-UO PN 28
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Concentraciones de minoritarioscon ambas polarizaciones (II):
Escala lineal
0 1 2 3
8·1013
4·1013
0
Po
rtad
./cm
3
pNnP
V=180mV(pol. directa)
V=-180mV(pol. inversa)
Gradiente grandeGradiente grande
Gradiente pequeñoGradiente pequeño
Zona NZona P
ATE-UO PN 29
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Conclusiones parciales (II):
Polarización directa:
•Aumenta mucho la concentración
de minoritarios en los bordes
externos de la zona de transición
•El gradiente de dicha
concentración es muy grande
Polarización inversa:
•Disminuye la concentración de
minoritarios en los bordes externos
de la zona de transición
•El gradiente de dicha
concentración es muy pequeño
ATE-UO PN 30
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0.215µµµµm
V=180mV
P N
Conocida la concentración deminoritarios, se calcula la corriente
debida a esos minoritarios
0 0.5 1 1.5
Longitud [mm]
40
20
0Den
sid
ad d
eco
rrie
nte
[mA
/cm
2]
jpN
8·1013
4·1013
0
Po
rtad
./cm
3
pN
0 0.5 1 1.5
Corriente de huecos en zona N
ATE-UO PN 31
![Page 33: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/33.jpg)
40
20
0Den
sid
ad d
eco
rrie
nte
[mA
/cm
2]
-1.5 -1 -0.5 0Longitud [mm]
jnP
8·1013
4·1013
0Po
rtad
./cm
3
nP
0.215µµµµm
V=180mV
P N
Corriente de electrones enla zona P
Lo mismo que en el caso anteriorLo mismo que en el caso anterior
ATE-UO PN 32
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0-
Longitud [mm]-1.5 -1 -0.5
40
20
0
Den
sid
ad d
eco
rrie
nte
[m
A/c
m2]
jnP
0.5 1 1.5
jpN
0+
V=180mV
P N
¿Qué pasa en la zona de transición?
Cálculo de la corriente total (I)
0-
Longitud [mm]
40
20
0
-1.5 -1 -0.5
Den
sid
ad d
eco
rrie
nte
[m
A/c
m2]
jnP
0.5 1 1.5
jpN
0+
Al no haber recombinaciones en la zona detransición, no se modifican las corrientes
Al no haber recombinaciones en la zona detransición, no se modifican las corrientes
ATE-UO PN 33
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V=180mV
P N
Cálculo de la corriente total (II)
•En la zona de transición:
jTotal = jnP(0) + jpN(0)
•En el resto del cristal:Lo mismo
•En la zona de transición:
jTotal = jnP(0) + jpN(0)
•En el resto del cristal:Lo mismo
0--1.5 -1 -0.5 0.5 1 1.50+
40
20
0jnP jpN
jnP(0)jpN(0)
Den
sid
ad d
eco
rrie
nte
[m
A/c
m2]
jnP jpN
jnP(0)jpN(0)
0--1.5 -1 -0.5 0.5 1 1.50+
40
20
0
80
60jTotal
Den
sid
ad d
eco
rrie
nte
[m
A/c
m2]
ATE-UO PN 34
![Page 36: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/36.jpg)
1ª conclusión importantísima:
Basta conocer la concentraciónde los minoritarios en los bordes
de la zona de transición paraconocer la corriente total.
1ª conclusión importantísima:
Basta conocer la concentraciónde los minoritarios en los bordes
de la zona de transición paraconocer la corriente total.
Polarización directa:
•El gradiente de dicha
concentración es muy grande
!!!! Corriente total muy grande
Polarización inversa:
•El gradiente de dicha
concentración es muy pequeño
!!!! Corriente total muy pequeña
2ª conclusión importantísima:
ATE-UO PN 35
![Page 37: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/37.jpg)
Cálculo de la corriente debidaa los mayoritarios
-1.5 -1 -0.5 0.5 1 1.50
Longitud [mm]
0
20
40
60
Den
sid
ad d
eco
rrie
nte
[m
A/c
m2]
jnP jpN
jnNjpP
jpP = jTotal - jnP jnN = jTotal - jpN jpP = jTotal - jnP jnN = jTotal - jpN
jTotal
V=180mV
P N
jTotal
jnP
-1.5 -1 -0.5 0
40
20
0
80
60jTotal
jpP
jpN
0.5 1 1.5
jnN
Den
sid
ad d
eco
rrie
nte
[m
A/c
m2]
ATE-UO PN 36
![Page 38: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/38.jpg)
Todas las corrientes
180mV
P N
jTotal
-1.5 -1 -0.5 0.5 1 1.50
Longitud [mm]
0
20
40
60
Den
sid
ad d
eco
rrie
nte
[m
A/c
m2]
jnP jpN
jnNjpPjTotal
V=180mV(pol. directa)
180mV
P N
jTotal
Longitud [mm]
0
0.02
0.04
0.06
Den
sid
ad d
eco
rrie
nte
[m
A/c
m2]
-1.5 -1 -0.5 0.5 1 1.50
jnP jpN
jnNjpP jTotal
V=-180mV(pol. inversa)
Diferencia de 1000 a 1 al pasarde +180mV a -180mV
Diferencia de 1000 a 1 al pasarde +180mV a -180mV
ATE-UO PN 37
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1- Se calcula el salto de concentraciónde cada tipo de portador de un extremoal otro de la zona de transición.
2- Se calcula el exceso de minoritariosen los bordes externos de la zona detransición.
3- Se calcula la distribuciónexponencial de los minoritarios al lolargo de las zonas neutras.
4- Se calcula el gradiente de dichaconcentración justo en los bordes de lazona de transición.
5- Se calculan las corrientes deminoritarios en los bordes de la zonade transición (corriente de huecos enel borde de la zona N y de electronesen el borde de la zona P).
6- La suma de las dos corrientesanteriores es la corriente total.
1- Se calcula el salto de concentraciónde cada tipo de portador de un extremoal otro de la zona de transición.
2- Se calcula el exceso de minoritariosen los bordes externos de la zona detransición.
3- Se calcula la distribuciónexponencial de los minoritarios al lolargo de las zonas neutras.
4- Se calcula el gradiente de dichaconcentración justo en los bordes de lazona de transición.
5- Se calculan las corrientes deminoritarios en los bordes de la zonade transición (corriente de huecos enel borde de la zona N y de electronesen el borde de la zona P).
6- La suma de las dos corrientesanteriores es la corriente total.
Cálculo de la corriente enfunción de la tensión (I)
ATE-UO PN 38
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1010
1012
1014
1016
pP
pN(x)
Po
rtad
./cm
3
-3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm]
pN(0) pN(∞∞∞∞)
VO = VT·ln(pP/pN(∞∞∞∞))
1- Salto de concentraciones
Cálculo de la corriente enfunción de la tensión (II)
VO-V = VT·ln(pP/pN(0000))2- Exceso de minoritarios en el borde
V = VT·ln(pN(0000) /pN(∞∞∞∞))
ATE-UO PN 39
![Page 41: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/41.jpg)
3- Distribución de los minoritarios
pN(x) = pN(∞∞∞∞)+(pN(0000) -pN(∞∞∞∞))·e-x/Lp
4- Gradiente en los bordes
∆∆∆∆
pN(x)=p-(pN(0000) -pN(∞∞∞∞))·e-x/L
Lp∆∆∆∆[ pN(x)]0=
-(pN(0000) -pN(∞∞∞∞))
Lp
5- Corrientes de minoritarios
Cálculo de la corriente enfunción de la tensión (III)
jpN(0)=q·Dp·(pN(0000) -pN(∞∞∞∞))
Lp
jnP(0)=q·Dn·(nP(0000) -nP(∞∞∞∞))
Ln
ATE-UO PN 40
![Page 42: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/42.jpg)
6-Corriente total
i=A·jTotal=A·(jpN(0)+ jnP(0))
Cálculo de la corriente enfunción de la tensión (IV)
pN(0000) -pN(∞∞∞∞)=pN(∞∞∞∞)·(eV/V -1)T
nP(0000) -nP(∞∞∞∞)=nP(∞∞∞∞)·(eV/V -1)T
De la ecuación del apartado #2:
Sustituyendo, queda:
i=IS·(eV/V -1)
IS=A·q·(Dp·pN(∞∞∞∞)/Lp+Dn·nP(∞∞∞∞)/Ln)
pN(∞∞∞∞)=ni2/ND nP(∞∞∞∞)=ni
2/NA
T
Ecuación característica deuna unión PN:
ATE-UO PN 41
![Page 43: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/43.jpg)
Ecuación característicade una unión PN
i IS
eq Vk T≅≅≅≅ ⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅
• Polarización directa
(dependencia exponencial)
i IS
≅≅≅≅ −−−−• Polarización inversa
Corriente inversa de saturación(constante)
i IS
eq Vk T==== ⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅ −−−−( )1
IS
q A ni
DpLp N
D
DnLn N
A
==== ⋅⋅⋅⋅ ⋅⋅⋅⋅ ⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅
++++⋅⋅⋅⋅
2
donde:
Resumen:
ATE-UO PN 42
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0 1-4
30i [mA]
V [Volt.]
Efecto de laresistencia de las
zonas neutras
30
0 5-20
i [mA]
V [Volt.]
Comportamientocasi ideal
Curva característica adiferentes escalas (I)
0
1
0.25-0.25
i [mA]
V [Volt.]
Sin efectosadicionales
PN
+
-
i
V
ATE-UO PN 43
![Page 45: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/45.jpg)
Curva característica adiferentes escalas (II)
-40
0
-2
i [µµµµA]V [Volt.]
Generación en lazona de transición
i [µµµµA]
-60 0
-2
V [Volt.]
Ruptura poravalancha
-0.8
-0.5 0
i [µµµµA]
V [Volt.]
Sin efectosadicionales
PN
+
-
i
V
ATE-UO PN 44
![Page 46: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/46.jpg)
Diodo semiconductor (I)
Ánodo
Cátodo
Terminales
Terminales
P
N
Diodo de señal
ATE-UO PN 45
![Page 47: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/47.jpg)
Vγγγγ
rdreal
ideal
0
i
V
Vγγγγ
pend.=1/rd
Diodo semiconductor (II)
+
-
i
V
0
Diodo ideal i
V
•Con polarización directa, un corto circuito.•Con polarización inversa, un circuito abierto.
•Con polarización directa, un corto circuito.•Con polarización inversa, un circuito abierto.
Circuito equivalenteasintótico
Curva característicaasintótica
ATE-UO PN 46
![Page 48: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/48.jpg)
Ruptura por avalancha (I)
Se debe a una fuerte generación deportadores en la zona de transición(donde teóricamente casi no hay) debidoa una de estas dos causas, ligadas a quela intensidad de campo eléctrico alcanceun valor suficientemente grande:
•Multiplicación por avalancha
•Ruptura Zener
i [µµµµA]
-60 0
-2
V [Volt.]PN
+
-
i
V
¿A qué se debe este efecto?
VZ
ATE-UO PN 47
![Page 49: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/49.jpg)
Ruptura por avalancha (II)
•Multiplicación por avalancha
•Mecanismo: El campo eléctrico acelera losportadores que atraviesan la zona detransición. Algunos chocan y generan másportadores. Si el campo es suficientementeintenso, los nuevos portadores vuelven achocar y vuelven a generar más portadores.Se produce una reacción en cadena quegenera muchísimos portadores (una fuertecorriente).
•Es el mecanismo típico si VZ>6.5V.
•El coeficiente térmico es positivo.
•El campo eléctrico Eaval al que se produce es2-8·105 V/cm, que se relaciona con la tensiónpor la expresión:
•El dopado más débil controla el fenómeno deavalancha. Cuanto más débil es, a mayortensión se produce.
Eaval= εεεε·(NA+ND)
2·q·NA·ND·(VO-V)
ATE-UO PN 48
![Page 50: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/50.jpg)
Ruptura por avalancha (III)
•Ruptura Zener
•El campo eléctrico es suficientementeintenso como para romper directamenteenlaces.
•Es el mecanismo típico si VZ<4.5V.
•El coeficiente térmico es negativo.
•La multiplicación por avalancha y rupturaZener conviven a veces.
•El campo eléctrico Eaval al que se produce esdel orden de 106 V/cm.
•Ambos dopados deben ser muy intensos(1018-1019 átom/cm3).
En la práctica, ambos fenómenos seconfunden y ambos nombres seusan indistintamente. Se habla de“zona zener” y de “tensión zener” yde “zona de avalancha” y de“tensión de avalancha”
ATE-UO PN 49
![Page 51: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/51.jpg)
Diodos zener (I)Son diodos diseñados para
trabajar en zona zener
i
V0
VZ
Vγγγγ
pend.=1/rd
pendiente=1/rZ
i+
-V
Símbolo
Curva característica
Circuito equivalenteasintótico
VZ
Vγγγγ
rdrZ
ideal
ideal
ATE-UO PN 50
![Page 52: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/52.jpg)
Diodos zener (II)
Curva característicadel zener ideal
i
V0
VZ
VZ
ideal
ideal
Circuito equivalenteideal
VR ≅≅≅≅ VZ
RRS
VB
VZ
+
-
Circuito estabilizador con zener
ATE-UO PN 51
![Page 53: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/53.jpg)
Efectos térmicos sobre la unión (I)
Polarización directa
Polarización inversa
IS
q A ni
DpLp N
D
DnLn N
A
==== ⋅⋅⋅⋅ ⋅⋅⋅⋅ ⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅
++++⋅⋅⋅⋅
2
ni
K T e
EGkT==== ⋅⋅⋅⋅ ⋅⋅⋅⋅
−−−−
1
32 2
i IS
≅≅≅≅ −−−−
La corriente IS depende fuertemente de T(se dobla cada 10ºC)
La corriente IS depende fuertemente de T(se dobla cada 10ºC)
i IS
eqVk T≅≅≅≅ ⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅ Decrece con T
Crece con T
La corriente i aumenta con T(prevalece la tendencia de IS)
La corriente i aumenta con T(prevalece la tendencia de IS)
ATE-UO PN 52
![Page 54: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/54.jpg)
Efectos térmicos sobre la unión (II)
30
0.30
27ºC
37ºC
i [mA]
V [Volt.]
Polarizacióndirecta
PN
+
-
i
V
-0.25
-237ºC
27ºC
V [Volt.]
i [µµµµA]Polarización
inversa
En ambos caso, para la mismatensión, la corriente aumenta
con la temperatura
En ambos caso, para la mismatensión, la corriente aumenta
con la temperatura
ATE-UO PN 53
![Page 55: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/55.jpg)
Ejemplo 2: unión de Silicio
Dp=50 cm2/s Dn=100 cm2/s
µµµµp=1900 cm2/V·s µµµµn=3900 cm2/V·sni=2.5·1013 port/cm2εεεεr=16
Datos del Ejemplo 1 (Ge)
ττττp=10 µµµµsNA=1016 átm/cm2
Lp=0.22 mm
ττττn=10 µµµµs
ND=1016 átm/cm2
Ln=0.32 mm
VO=0.31 V
ττττp=100 nsNA=1015 átm/cm2
Lp=0.01 mmττττn=100 ns
ND=1015 átm/cm2
Ln=0.02 mm
Datos del Si a 300ºKDp=12.5 cm2/s Dn=35 cm2/sµµµµp=480 cm2/V·s µµµµn=1350 cm2/V·s
ni=1010 port/cm2εεεεr=11.8
VO=0.596 V
ATE-UO PN 54
![Page 56: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/56.jpg)
1010
1012
1014
1016
pP
pN
nN
nP
Po
rtad
./cm
3
-3 -2 -1 0 1 2 3Longitud [mm]
Ejemplo 2 (Si) con V=0.48(i=544µµµµA)
Ejemplo 1 (Ge) con V=0.18(i=566µµµµA)
104
1012
1014
1016
pP
pN
nN
nP
Po
rtad
./cm
3
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3Longitud [mm]
1010
108
106
ATE-UO PN 55
![Page 57: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/57.jpg)
V [Volt.]
0
1
0.25-0.25
i [mA]
0.5
Ge Si
0 1-4
30
i [mA]
V [Volt.]
GeSi
-0.8
-0.5 0
i [µµµµA]
V [Volt.]
-10
-0.5 0
i [pA]
V [Volt.]
Ge Si
Comparación Ge/Si:curvas características
Ge: mejor en conducciónSi: mejor en bloqueo
Ge: mejor en conducciónSi: mejor en bloqueo
PN
+
-
i
V
ATE-UO PN 56
![Page 58: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/58.jpg)
Efectos dinámicos
Al cambiar las condiciones depolarización, ¿cambia al instantela conducción?
No, ya que la conducción está ligada
a la concentración de portadores de
carga en los bordes externos de la
zona de transición y al ancho de la
zona de transición, siendo en ambos
casos necesario crear, destruir o
mover portadores de carga, lo que
requiere tiempo.
No, ya que la conducción está ligada
a la concentración de portadores de
carga en los bordes externos de la
zona de transición y al ancho de la
zona de transición, siendo en ambos
casos necesario crear, destruir o
mover portadores de carga, lo que
requiere tiempo.
Se caracterizan como:
•Capacidades parásitas(aplicaciones lineales).
•Tiempos de conmutación(en conmutación).
ATE-UO PN 57
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Capacidades parásitas (I)
Capacidad de transición (I)dominante con polarización inversa
ρρρρ(x)
x
VO+V+∆∆∆∆V
P - + N
V + ∆∆∆∆V
Al producirse ∆∆∆∆V, hay queextraer portadores de cargapara generar esta carga espacial
ATE-UO PN 58
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Capacidades parásitas (II)Capacidad de transición (II)
Con V + ∆∆∆∆V
- +P N
- +P N
Con VUnión PN
Con V + + +- - -
+ + + + +- - - - -
Con V + ∆∆∆∆VCondensador
Condensador: nuevas cargas ala misma distancia (C=cte.)
Unión PN: nuevas cargas adistinta distancia (C ≠ ≠ ≠ ≠ cte.)
Condensador: nuevas cargas ala misma distancia (C=cte.)
Unión PN: nuevas cargas adistinta distancia (C ≠ ≠ ≠ ≠ cte.)
ATE-UO PN 59
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Capacidades parásitas (III)Capacidad de transición (III)
Es una función deltipo K·(VO-V)-1/2
Es una función deltipo K·(VO-V)-1/2
Ctrans=dQ/dV=εεεε·A/LZT
LZT =2·εεεε·(NA+ND)·(VO-V)
q·NA·ND
Ctrans = A·2·(NA+ND)·(VO-V)
εεεε·q·NA·ND
ρρρρ(x)
LZT-dQ
dQ
Partiendo de :
Se obtiene:
0
V
Ctrans
ATE-UO PN 60
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Capacidades parásitas (IV)Capacidad de transición (IV)
Los diodos varicap o varactoresson diodos que se utilizan como
condensadores variables controlados
por por tensión.
•Se basan en la capacidad de
transición de una unión PN polarizada
inversamente.
•Se utilizan frecuentemente en
electrónica de comunicaciones para
realizar moduladores de frecuencia,
control automático de sintonía, etc.Símbolo
Se usa polarizadoinversamente
ATE-UO PN 61
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Capacidad de difusión (I)dominante con polarización directa
Capacidades parásitas (V)
0 V
Ctrans
Polarizacióninversa
Polarizacióndirecta
En polarización directa, Ctrans crece
mucho. Sin embargo, carece de
importancia porque aparece otro efecto
capacitivo:
La capacidad de difusión.
Esta capacidad está ligada a la
concentración de minoritarios en los
bordes externos de la zona de transición.
ATE-UO PN 62
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Capacidad de difusión (II)Capacidades parásitas (VI)
1010
1012
1014
1016
Po
rtad
./cm
3
-3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm]
pP
pN
nN
nP
V=180mV
V=240mV
Incremento de concentración deminoritarios debido al aumento de 60mV.
Al incrementar la tensión tiene
que producirse un aumento de
concentración de minoritarios,
que tarda tiempo en producirse,
lo que se asocia a la llamada
capacidad de difusión
Al incrementar la tensión tiene
que producirse un aumento de
concentración de minoritarios,
que tarda tiempo en producirse,
lo que se asocia a la llamada
capacidad de difusión
ATE-UO PN 63
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Tiempos de conmutación (I)
a bV1
V2
Ri
V+
-
Comportamiento dinámicamente idealComportamiento dinámicamente ideal
Transición de “a” a “b” (apagado),en una escala amplia (ms o s).
i
V
t
t
V1/R
-V2
ATE-UO PN 64
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Tiempos de conmutación (II)
Transición de “a” a “b” (apagado),en una escala detallada (µµµµs o ns).
pNnP
8·1013
4·1013
0
Po
rtad
./cm
3
-1 0 1Longitud [mm]
t0
tS
t1
t2
V1/R
-V2/R
i
V
t
t
tS
tf (i=-0.1·V2/R)
trr
t0 t1 t2
tS= t. almacenamientotrr= t. recuperación inv.
ATE-UO PN 65
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Tiempos de conmutación (III)
Transición de “b” a “a” (encendido)
td= tiempo de retrasotr= tiempo de subida
t0 a td
t3=td+tr
t1
t2
pNnP
8·1013
4·1013
0
Po
rtad
./cm
3
-1 0 1Longitud [mm]
t0 td
0.9·V1/R
0.1·V1/R
tr
i
En los diodos de señal, el proceso deencendido es más rápido que el apagado.
En los diodos de señal, el proceso deencendido es más rápido que el apagado.
ATE-UO PN 66
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Contactos metal-semiconductor (I)
Existen 4 posibilidades dependiendo dela naturaleza del metal y del semiconductor(de la “función de trabajo” del metal y delsemiconductor):
Zona N
+++
+++
------
Metal
N
Zona P
---
---
Metal
P+++++
+
1. El semiconductor N cede electrones al metal
2. El semiconductor P roba electrones al metal
En ambos casos se crea una zona detransición en el semiconductor
En ambos casos se crea una zona detransición en el semiconductor
ATE-UO PN 67
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Contactos metal-semiconductor (II)
3. El semiconductor N roba electrones al metal
4. El semiconductor P cede electrones al metal
En ambos casos no se crea una zona detransición en el semiconductor. Hay unaespecie de zona de transición en elmetal que es extremadamente estrechay que los portadores atraviesan porefecto “túnel”.
En ambos casos no se crea una zona detransición en el semiconductor. Hay unaespecie de zona de transición en elmetal que es extremadamente estrechay que los portadores atraviesan porefecto “túnel”.
Zona NMetal
N++++++
------
Zona PMetal
P++++++
------
ATE-UO PN 68
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Contactos metal-semiconductor (III)
• Los casos 1 y 2 dan origen a un
comportamiento de tipo “unión
semiconductora” (existe barrera de potencial
que evita la difusión y cuya altura se controla
con la tensión exterior aplicada), dando origen
a los diodos Schottky.
• Los casos 3 y 4 dan origen a contactos
óhmicos (no rectificadores).
• Los casos 1 y 2 dan origen a un
comportamiento de tipo “unión
semiconductora” (existe barrera de potencial
que evita la difusión y cuya altura se controla
con la tensión exterior aplicada), dando origen
a los diodos Schottky.
• Los casos 3 y 4 dan origen a contactos
óhmicos (no rectificadores).
Diodos Schottky•Menor caída de tensión en conducciónque un diodo de unión.
•Mayor rapidez de conmutación (losminoritarios no intervienen en laconducción).
•Mayor corriente inversa.
•Menor tensión inversa máxima.
Símbolo
ATE-UO PN 69
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Unión dopada asimétricamente (I)(Unión P+N-)
Efecto conocido ya: la zona de transiciónen la zona P+ es mucho más estrechaque en la zona N-.
Análisis a realizar: ¿qué ocurre con lascomponentes de corriente de huecos yde electrones?
ττττp=100 nsNA=1015 átm/cm2
Lp=0.01 mmττττn=100 ns
ND=1013 átm/cm2
Ln=0.02 mm
VO=0.477 V
Unión de Si P+N-
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3Longitud [mm]
104
1012
1016
Po
rtad
./cm
3
108
pP
pN
nN
nP
V=0.3, escala logarítmica
ATE-UO PN 70
![Page 72: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/72.jpg)
Unión dopada asimétricamente (II)(Unión P+N-)
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3Longitud [mm]
1015
0.5·1015
0Po
rtad
./cm
3 pP
pNnPnN
V=0.3, escala lineal con mayoritarios yminoritarios (no se aprecia la variación enla concentración de los minoritarios).
Unión
1012
0.5·1012
0
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3Longitud [mm]
Po
rtad
./cm
3
nP pN
Unión
Gradientemuy grandeGradiente
muy pequeño
V=0.3, escala lineal con sólo minoritarios.Se aprecia la gran diferencia en losvalores de los gradientes.
ATE-UO PN 71
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3·10-3
2·10-3
10-3
0
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3Longitud [mm]
De
ns
idad
de
corr
ien
te [
A/c
m2 ]
Unión dopada asimétricamente (III)
Calculamos las densidades de corrientede cada tipo de portador.
jpjn
Zona P Zona N
-1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5Longitud [µµµµm]
3·10-3
2·10-3
10-3
0
De
ns
idad
de
corr
ien
te [
A/c
m2 ]
jp
jn
Zona P Zona N
Unión
jTotal
La corriente que atraviesa la unión se
debe fundamentalmente al mayoritariode la zona muy dopada
La corriente que atraviesa la unión se
debe fundamentalmente al mayoritariode la zona muy dopada
ATE-UO PN 72
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Efectos ópticos en la unión PN (I)
La unión PN puede:
• Ser sensible a la luz ⇒ ⇒ ⇒ ⇒ fotodiodosy células solares
• Emitir luz ⇒ ⇒ ⇒ ⇒ Diodos Emisores deLuz (LED)
Fotodiodos yc. solares (I)
P N- +8·1010
4·1010
0Po
rtad
./cm
3
nP pN
+
-- +
Difus. Difus.
Campo
La luz genera pares electrón-hueco queoriginan una corriente iopt que se suma ala de equilibrio térmico
La luz genera pares electrón-hueco queoriginan una corriente iopt que se suma ala de equilibrio térmico
iopt
ATE-UO PN 73
![Page 75: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/75.jpg)
Efectos ópticos en la unión PN (II)
Fotodiodos y células solares(II)
0
i
V
iopt
i
0
V T1
T2>T1
Comparación del efecto del aumento detemperatura y de la aplicación de luz sobre
una unión PN polarizada inversamente
Símbolo
Los fotodiodos sirven paradetectar y medir luz
0
i
V
Uso como fotodiodo Uso como célula solar
ATE-UO PN 74
![Page 76: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/76.jpg)
Se comporta como generador alestar en el segundo cuadrante
Se comporta como generador alestar en el segundo cuadrante
Efectos ópticos en la unión PN (III)
Fotodiodos y células solares(III)
0
i
V VCA
iCC
i+
-V
Pmax
Paneles de célulassolares
ATE-UO PN 75
![Page 77: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/77.jpg)
Efectos ópticos en la unión PN (IV)
Diodos Emisores de Luz (I)
pNnP
8·1013
4·1013
0
Po
rtad
./cm
3
-1 0 1Longitud [mm]
Zona P Zona N
Recombinaciones
•En el Ge y en el Si las recombinaciones
producen calor.
•En compuestos III-V pueden producir
radiación luminosa.
•Compuestos Ga As1-x Px ( siendo 0<x<1)
sirven para generar radiación desde el
infrarrojo (Ga As, 1.43eV) al verde (GaP,
2.26eV). Con x=0.4 es rojo (1.9eV).
•En el Ge y en el Si las recombinaciones
producen calor.
•En compuestos III-V pueden producir
radiación luminosa.
•Compuestos Ga As1-x Px ( siendo 0<x<1)
sirven para generar radiación desde el
infrarrojo (Ga As, 1.43eV) al verde (GaP,
2.26eV). Con x=0.4 es rojo (1.9eV).
ATE-UO PN 76
![Page 78: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/78.jpg)
Efectos ópticos en la unión PN (V)
Diodos Emisores de Luz(II)
A K
Símbolo
A
K
Diodo LED“Display” de 7
segmentos
a
c
b
d
f
e
g
p.d.
Numeraciónde los “8”
segmentos
Indicador de “displays” de 7 segmentos
ATE-UO PN 77
![Page 79: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/79.jpg)
Nivel de inyecciónHasta ahora hemos considerado que
nN(0+)>> pN(0+), lo que se llama
“bajo nivel de inyección”.
104
1012
1016
Po
rtad
./cm
3
108
pP
pN
nN
nP
nN(0+)
pN(0+)
0.03-0.03 -0.02 -0.01 0 0.01 0.02
Longitud [mm]
104
1012
1016
Po
rtad
./cm
3
108
pP
pN
nNnP
nN(0+)
pN(0+)
En una unión dopada asimétricamente (P+ N-)muy polarizada directamente, la concentraciónde los mayoritarios de la zona poco dopada(electrones) llega a aumentar con respecto alequilibrio, aumentando su conductividad(modulación de la conductividad)
En una unión dopada asimétricamente (P+ N-)muy polarizada directamente, la concentraciónde los mayoritarios de la zona poco dopada(electrones) llega a aumentar con respecto alequilibrio, aumentando su conductividad(modulación de la conductividad)
“Alto nivel de inyección”.
ATE-UO PN 78
![Page 80: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/80.jpg)
VO-V- +
P+ N-- + N+
Uniones PN de potencia
Zona poco dopada parasoportar mucha tensióninversa, según lafórmula:
Vinv max =E2
aval· εεεε·(NA+ND)
2·q·NA·ND
La resistencia en conducción sereduce por modulación de laconductividad (aumento en laconcentración de mayoritarios por
alta inyección desde P+ y N+ )
La resistencia en conducción sereduce por modulación de laconductividad (aumento en laconcentración de mayoritarios por
alta inyección desde P+ y N+ )
ATE-UO PN 79
![Page 81: Introducción a la Electrónica de Dispositivos Materiales](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022012412/616c66eca119e971036512f8/html5/thumbnails/81.jpg)
Ánodo
Cátodo
n+
p+
n-
Diodo de potencia
• Diodos de tres capas
• Mayor sección
• Problemas de velocidad
• Problemas térmicos
• Diodos de tres capas
• Mayor sección
• Problemas de velocidad
• Problemas térmicos
ATE-UO PN 80