دانشکده برق ، رایانه و فن آوری اطالعاتدانشگاه آزاد اسالمی واحد قزوین

موضوع : ارائه مقاله

دانشجو: فرامرز آقائی استاد: دکتر شاه حسینی

92زمستان

Hasina F. Huq, Bashirul Polash, Oscar Machado and Nora Espinoza (2010). Study of Carbon NanoTube Field Effect Transistors for NEMS, Carbon Nanotubes, Jose Mauricio Marulanda (Ed.), ISBN: 978-953-307-054-4, InTech,

موضوع ارائه :مقاله

مقدمه1..2CNTFET , NEMSCNTFETSساختار 3.CNTFETSمدل سازی 4.نتایج شبیه سازی5.

I-V مشخصات 5.1رفتار انتقالی5.2 تجزیه و تحلیل نتایج6.نتیجه گیری7.مراجع8.

1/16

o.CNTFET ها به دلیل ساختار کربنی محکم خود می توانند برای مفید باشند.NEMSکاربردهای

o اتصال فلز-نانولوله درCNTFET ها یک سد شاتکی تلقی می شود و).Natori et al., 2005 (با استفاده از یک مدل بالستیک تحلیل می شود

o در اتصال محل سورس درین مکانیزم خوبی برای عملکرد بهترNEMS-مورد نیاز است. جایگزینی فلز CNT (SB) اتصال با آالیش باالی

CNT اتصال سورس درین )حالت اهمی( می تواند عملکرد NEMS را بهبود ببخشد.

. مقدمه1

Natori K., Kimura Y. and Shimizu T., (2005) “Characteristics of a carbon nanotube fieldeffect transistor analyzed as a ballistic nanowire field-effect transistor,” Journal of Applied Physics 97,. 2/16

o CNT ها اتم های کربن در اندازه نانو هستند و لوله هایی به ساختارنانو و با شکل استوانه با ورق گرافن پیچیده شده ساخته می شوند.

نانو لوله تک دیواره و SWNTدوتا ساختار لوله ای اصلی وجود دارد: MWNTنانو لوله چند دیواره ) Reich et al., 2004 (

o برخی از ویژگی های CNTFET: ها است. با توجه FETهدایت انتقالی باال، این ویژگی تعیین عملکرد هر •

به اینکه نتیجه هدایت انتقالی گین بیشتر یا تقویت کنندگی بیشتر است.

ولتاژ آستانه بهتر•شیب زیر آستانه خوب، این ویژگی برای کاربردهای قدرت کم بسیار •

مهم است.تحرک باال•انتقال بالستیک، خصوصیت این نتیجه در ادوات سرعت باال است.•چگالی جریان باال•نرخ جریان قطع و وصل باال•

2 .CNTFET , NEMS

Reich S., Thomsen C., Maultzsch J., (2004) ‘Carbon Nanotubes BasicConcepts and Physical Propertie’s Wiley-VCH, Weinheim, 3/16

CNTFETS. ساختار 3

4/16

هاCNTFET مدل سازی. 4

2 ccg

dE

D

(5

)

5/16

I=GV: رسانایی بین سورس و درین منجر به تعریف رابطه جریان و ولتاژ می شود

(6)

(7)

(8)

22   /G q T h

0 0  r as DT trace G G

1

0r

S DG EI H

6/16

. نتایج شبیه سازی5

Fig. 2. I-V charecteristics of CNTFET at a diameter of 0.1nm 7/16

Fig. 3. I-V charecteristics of CNTFET at a diameter of 10 nm 8/16

Fig. 4. Transconductance behavior of CNTFET ( VD= 0.5V) 9/16

Fig. 5. Transconductance behavior of CNTFET ( VD= 0.8V) 10/16

. تجزیه و تحلیل نتایج6

Fig. 6. (a): Energy Density of state (DOS); (b): Energy gap of different types of nanotubes 11/16

12/16

Fig. 7. (a): Output characteristics indicate MOSFET like behavior; (b): Average velocity vs. Gate voltage

13/16

Fig. 8. (a): Mobile charge vs. Gate voltage; (b): Mobile charge vs. Drain voltage 14/16

Fig. 9. (a): QC/Insulator Capacitance vs. Gate voltage; (b): Tranceconductance behavior as a function of Gate voltage

15/16

Fig. 10. (a): Channel conductance is saturated after certain gate voltage; (b): Transfer characteristics of the CNTFET shows on current for small bias voltage

16/16

THE END