アナログic ＆ ディスクリート カタログ - renesas …...02-03...
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2019.06
アナログIC ＆ ディスクリートカタログ
アナログ
インテグレーテッドアナログソリューション
デジタル電力モニタ____________________ 4
マルチセル・バッテリ管理_______________ 5
アンプ
高精度オペアンプ_____________________ 6
バイポーラおよびCMOSオペアンプ／コンパレータ____ 8
電流検出アンプ______________________ 10
高速オペアンプ______________________ 12
CONTENT
インタフェース_ _______________________ 14
データコンバータ
高速ADC／DAC_ ____________________ 16
高精度データコンバータ_______________ 17
基準電圧___________________________ 18
デジタルポテンショメータ______________ 19
リアルタイム・クロック__________________ 20
ディスクリート
フォトカプラ__________________________ 22
アナログ＆ディスクリート
高精度シグナルチェーン設計用高性能ソリューション
トライアック／サイリスタ_ _______________ 24
IGBT________________________________ 26
パワーMOSFET________________________ 28
メモリ
低消費電力SRAM____________________ 30
02-03
完全なシグナルチェーンソリューションルネサスの広範な高精度アナログ製品ポートフォリオは、アナログ設計における革新性と信頼性が重要となる、次世代の精密機器、医療、通信、および産業プロセス制御などの幅広いアプリケーションを実現します。
RTC-リアルタイム・クロック
信号センサ
AMP
AMP
DCP
DCP
ADC DAC
インタフェース
DCP
AMP
基準電圧
スイ
ッチ
/MUX
電力モニタ電流検出
マルチセル・バランシング
（MCB）
インテグレーテッドソリューション
RL78, RX, RZ, Renesas Synergy™
MCU
高精度高速計器類
高速
低ドリフト低電力低ノイズ
最大+/-20V電源過電圧保護USB/オーディオ
RS-232RS-485/422絶縁型RS-485フォトカプラ
24ビットデルタシグマ8～12ビットSAR8～16ビット高速
低コスト低電力高精度
16～1024タップI2C/SPI揮発性/不揮発性
4-bit
8-bit
16-bit(ローエンド)
32-bit(ミドルレンジ)
32-bit(ハイエンド)
幅広い分野で活躍する信頼の超低消費電力マイクロコントローラシステムの省エネルギー化、小型化、低コスト化をサポート
産業・家電分野の幅広い用途に適した、実績と信頼を誇る32_ビットマイクロコントローラ32MHz_～_240MHzまでシームレスな展開でお客様の製品展開をサポート
スマート社会の切り札となる先進の組込みマイクロプロセッサ300MHz_～1.5GHzとシステムの高性能・高機能化に対応
RZ ファミリ
RX ファミリ
RL78 ファミリ
ルネサスMCU/MPUファミリ
デジタル電力モニタインテグレーテッドアナログソリューション
電流、電圧、電力を高精度で検出
高電圧監視および双方向電流検出用のインテグレーテッドアナログフロントエンドISL28023/25ISL28023/25デジタル電力モニタは、シリアルインタフェースを備えたハイサイドおよびローサイドデジタル電流検出・電圧モニタです。「デジタル電力モニタ」(DPM)は、電源、RFシステム、その他の高電圧アプリケーションの供給電力を監視します。
最大60Vの入力コモンモード高精度_–_誤差0.05%（16ビットADC）ユーザ定義アラート_–_OV、UV、OC追加機能（マージンDAC、電圧レギュレータ、内部温度センサ、補助チャネル）
高精度デジタル電力モニタ
ベーシック フル機能 小型パッケージ
ISL28022 ISL28023 ISL28025入力範囲 0～60V オプション1:_0～60V
オプション2:_0～16Vオプション1:_0～60Vオプション2:_0～16V
プライマリチャネル Yes Yes YesLV補助チャネル – Yes 電圧のみ内部温度センサ – Yes Yes外部温度センサ – Yes –高電圧内部レギュレータ（3.3Vout） – Yes Yes高速OC/OV/UVアラート出力 – 2 2マージンDAC – Yes –スレーブアドレス利用可能 16 55 55ユーザ選択変換モード/サンプリングレート Yes Yes Yesユーザ選択固定周期平均化 – Yes Yesピーク最小/最大電流レジスタ – Yes YesI2C/SMBus Yes Yes YesPMBus – Yes Yes1.2V_I2Cレベルトランスレータ – Yes Yes高速（3.4MHz）_I2Cモード Yes Yes Yes外部クロック入力 Yes Yes Yesパワーシャットダウンモード Yes Yes Yesパッケージ 10_Ld_MSOP、16_Ld_QFN 24_Ld_QFN 16_Ld_WLCSP
I2 CSM
BUS
A1
SCL
SDA
VIN_P
GND
ADC16-Bit
A0
ISL28023 VCC
VIN_M
V_BUS
A2
8-BitDACDAC OUT
SMBALERT 1
I2CVCC
3.3VVreg
VREG
_OUT
AUX_V
AUX_P
AUX_M
TempSense
PMBusREGMAP
SW M
UX
4.5V to 60V
VREG
_IN
SMBALERT 2
04-05
マルチセル・バッテリ管理
インテグレーテッドアナログソリューション
充電式バッテリパックの保護、監視、およびセル・バランス制御ルネサスのバッテリ管理システム（BMS）は、バッテリの寿命を監視し、壊滅的な状況を未然に防止します。BMS回路により、バッテリの持続時間と寿命を延ばすことができます。
診断と保護
バッテリパックとICを保護-セル電圧および温度の自動スキャン
フォルト検出機能を内蔵診断情報を提供堅牢なホットプラグ性能
セル・バランス制御
セル・バランス制御用FETドライバを内蔵IC過熱時に自動セル・バランス制御をオフ
モニタ
パックの電流と方向を監視
マルチセル・バッテリ管理
マルチセル・バッテリ管理およびセル・バランス制御
3～8セルのリチウムイオン・ バッテリパックマネージャ
4～6セルのリチウムイオン・バッテリ管理アナログ・フロントエンド
ISL94212 ISL94202/03 ISL94208直列セル数 6～12セル 3～8セル 4～6セル
通信インタフェース SPI I2C I2Cセル・バランス制御 外部（FETドライバ内蔵） 外部（FETドライバ内蔵） 内部（外付けFETも可）パック電圧 最大63V/デバイス 6V～36V 8V～27V絶対セル電圧測定精度 最大10mV（0～50） 最大15mV（0～60） 最大30mV（-40～85）充電/放電FETドライバ No Yes Yes電流測定/検出 No Yes（ハイサイドで測定） Yes（ローサイドで検出）温度測定 Yes Yes Yes回路電流 最大5mA 最大370µA 最大510µA静止電流 通常1.2µA 最大1µA 通常1µA内蔵電源出力電圧 3.3V 2.5V 3.3V基準電圧出力 2.5V 2.5V 3V温度範囲 -40～85 -40～85 -40～85
特殊機能
_–最大14台のデバイス（168セル）をデイジーチェーン接続_–堅牢なホットプラグ性能_–診断情報を提供_– 20µs/セルの高速スキャンレート
_–完全なスタンドアロン動作または外部µCでの動作_–診断情報を提供_–堅牢なホットプラグ性能_– 10µs/セルの高速スキャンレート
_–アナログ電圧出力_–堅牢なホットプラグ性能_–診断情報を提供
パッケージ 64_Ld_TQFP_(12×12mm) 48_Ld_TQFN_(6×6mm) 32_Ld_QFN_(5×5mm)
高精度オペアンプアンプ
VOS < 1mVのオペアンプ
ゼロドリフトアンプ（低電圧高精度オペアンプ）ISL28x33、ISL28x34チョッパ安定化アンプ（ゼロドリフトアンプ）は、最も低いオフセット電圧とドリフト向けの最高のソリューションを実現します。これらのアンプは、連続動作する校正メカニズムをオンチップで搭載し、高いDC精度を達成します。
温度変化に対して低ドリフト
低オフセット電圧
1/fノイズなし
低ノイズ
高CMRR/PSRR
極小パッケージ
主な特長_低ドリフト/温度に応じてオフセット電圧を低減（Typ._<_0.5nV/）_[図1]
低ドリフト/時間に応じてオフセット電圧を低減_[図2]_低オフセット電圧/オフセット電圧を低減_（Typ._<_1µV)_[図3]
_コモンモードレンジおよび電源に応じて低オフセット電圧を低減（CMRRおよびPSRR、Typ._>_125dB）[図4]
1/fノイズを低減／除去_[図5]非常に高いオープンループゲイン
アプリケーション双方向の電流測定温度検出医療機器電子計量器
比類のない精度を実現
オフ
セッ
ト電
圧(µ
V)
温度 (°C)-15 10 35 60 85-40
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VS = ±1.125VVCM = 0V
ISL28134
図1. VOSと温度 図2. 入力ノイズ電圧0.1Hz～10Hz
電圧
(nV)
時間 (s)011 2 3 4 5 6 7 8 90
-300
-200
-100
0
100
200
300
Vs = ±2.5VAV = 10,000Rg = 10, Rf = 100k
ISL28134
オフセットドリフト_=_0.5nV/
オフ
セッ
ト電
圧(µ
V)
供給電圧 (V)
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
1.5 2.0 2.5 3.01.0 3.5
ISL28134
温度 (°C)
CMRR
/PSR
R (d
B)
100
110
120
130
140
150
160
-15 10 35 60 85-40
VCM = 0VVs = ±1.125V ～ ±3VPSRR
VCM = -2.6V ～ +2.6VVs = ±2.5VCMRR
PSRR
CMRR
ISL28134
図4. CMRRと温度
5 Ld SOT-23 (2.9mm x 2.8mm)
図3. VOSと供給電圧
図5. 5V CMOS ISL28134とCMOSアンプノイズ電圧密度の比較
入力
電圧
ノイ
ズ密
度(n
V/√
Hz)
周波数 (Hz)
1
10
100
1k
10k
100m 1 10 100 1k 10k 100k
チョッパ安定化アンプ(ISL28134)
従来のCMOSアンプ
06-07
高精度オペアンプ高精度 低電力 低ノイズ
タイプ 品名 供給電圧(V)
オフセット電圧
オフセット電圧 TCVOS
入力バイアス電流
供給電流 スルーレート 電圧ノイズ
超高精度 低ノイズ 低電力低入力
バイアス電流
シングル デュアル クワッド Min Max Max@25 最高温度 Max Max@
25 最高温度 V/µs 1kHz時
低電圧
（ゼロドリフト） ISL28134 – – 2.25 6 2.5µV 3.4µV 15nV/ 300pA 1.05mA 1.5 10nV/√Hz
（ゼロドリフト） ISL28133* ISL28233 ISL28433 1.8 5.5 6µV 11µV 50nV/ 180pA 35µA 0.2 65nV/√Hz
ISL28130 ISL28230 ISL28430 1.8 5.5 40µV 55µV 150nV/ 250pA 35µA 0.2 65nV/√Hz
ISL28136 ISL28236 – 2.4 5.5 150µV 270µV – 35nA 1.4mA 1.9 15nV/√Hz
ISL28158 – – 2.4 5.5 300µV 650µV – 30pA 55µA 0.1 64nV/√Hz
ISL28191 ISL28291 – 3 5.5 630µV 840µV – 6µA 3.9mA 17 1.7nV/√Hz
（最小ノイズ） – ISL28290 – 3 5.5 700µV 900µV – 16µA 13mA 50 1nV/√Hz
– ISL28288 ISL28488 2.4 5.5 1.5mV 2mV – 30pA 175µA 0.14 48nV/√Hz
ISL28148 ISL28248 – 2.4 5.5 1.8mV 2mV – 30pA 1.4mA 4 28nV/√Hz
（ナノパワー） ISL28194 – – 1.8 5.5 2mV 2.5mV – 80pA 500nA 0.0012 265nV/√Hz*
ISL28113 ISL28213 ISL28413 1.8 5.5 5mV 6mV 10µV/ 20pA 170µA 1 55nV/√Hz
ISL28114 ISL28214 ISL28414 1.8 5.5 5mV 6mV 10µV/ 20pA 400µA 2.5 40nV/√Hz
高電圧（PR40）
ISL28117B ISL28217B ISL28417B 4.5 40 50µV 110µV 0.6µV/ 1nA 680µA 0.5 8nV/√Hz
ISL28127 ISL28227 – 4.5 40 70µV 120µV 0.5µV/ 10nA 3.7mA 3.6 2.5nV/√Hz
ISL28107 ISL28207 ISL28407 4.5 40 75µV 140µV 0.65µV/ 300pA 350µA 0.32 13nV/√Hz
ISL28118 ISL28218 – 3 40 150µV 270µV 1.2µV/ 575nA 1.4mA 1.2 5.6nV/√Hz
ISL28108 ISL28208 ISL28408 3 40 150µV 330µV 1.1µV/ 43nA 1.4mA 0.45 15.8nV/√Hz
（JFET入力） ISL28110 ISL28210 – 9 40 300µV 1.3mV 10µV/ 2pA 3.8mA 20 6nV/√Hz
ISL28177 – – 4.5 40 150µV 250µV 1.4µV/ 1nA – 0.2 9.5nV/√Hz
– ISL28325 ISL28345 5 40 1mV – 15µV/ 5nA – 0.4 9nV/√Hz
*データシートの条件を確認してください。
バイポーラおよびCMOSオペアンプ/コンパレータ
アンプ
設計上の課題を解決
ルネサスのオペアンプソリューション
ルネサスのオペアンプソリューション
ルネサスのオペアンプソリューション
_省エネ製品に対する強い要求_電流センサ、圧力センサ、ガスセンサなど省エネ用センサへの採用
_小型パッケージを応用した_各種センサシステム
ルネサスは、入力および出力CMOS高精度アンプ製品を各種取り揃えており、高精度の検知性能を求める産業界の厳しい要求に応えます。
ルネサスは、MCUおよびオペアンプなどトータルキットソリューションを提供しています。これらを活用することで設計期間の大幅な削減が可能です。
ルネサスの新製品の小型MSOPパッケージ品は高性能なオペアンプのラインアップを拡充していきます。
タイプ VDD VIO max. SR typ. Is typ. レールツーレール デュアル クワッド
低電力 1.8～5.5V ±6mV 0.35V/µs 1mA 入力＆出力 READ2351JSP_(産業用/自動車用) 近日リリース
高スルーレート 2.5～5.5V ±6mV 8V/µs 10mA 入力＆出力
READ2302GSP(汎用)
近日リリースREAD2352JSP_
(産業用/自動車用)
省エネ製品
開発期間の短縮
BOMリストへの掲載
CMOSオペアンプ
MCUADC
PWM
オペアンプREAD2302UPC4742
フォトカプラ
モータドライバ
2.8
2.9
4.0
0.65
MSOP
+-
M
コンプレッサ用モータファンモータ
65%の
小型化
42%の
小型化
8 ピン SOP実サイズ_
（5.2x6.5mm）
8 ピン TSSOP実サイズ_
（3.15x6.4mm）
8 ピン MSOP実サイズ_
（2.9x4.0mm）
キットソリューションの例：インバータエアコン
設計上の課題その1
設計上の課題その3
設計上の課題その2
08-09
8ピン 14ピンSOP_
(5.2x6.5)TSSOP_
(3.15x6.4) MSOP_(2.9x4.0)
MMPAK_(2.95x4.0)
SOP_(10.2x6.5)
TSSOP_(5.2x6.4)
CMOS オペアンプ
タイプ レールツーレール 品名 電源電圧 (V) VIO (max)(mV)
IDD (typ)(µA/ch)
SR (typ)(V/µs) チャネル パッケージ
低電力 入力/出力 READ2351J_(産業用/自動車用) 1.8～5.5_ ±6_ 40 0.35 2 8ピンTSSOP_
高スルーレート
入力/出力 READ2302G_(汎用) 2.5～5.5_ ±6_ 750 8 2 8ピンTSSOP_
入力/出力 READ2352J_(産業用/自動車用) 2.5～5.5_ ±6_ 750 8 2 8ピンTSSOP
バイポーラオペアンプ
タイプ品名
電源電圧 (V) VIO (max)(mV)
ICC (max)(mA)
SR (typ)(V/µs) チャネル パッケージ
産業用 汎用
単電源
uPC451_ – 3～30_ ±7_ 2 0.3 4 14ピンSOP/TSSOP_
uPC452_ uPC3403_ 3～32_ ±7_ 7 0.8 4 14ピンSOP_
uPC842_ uPC4742_ 3～32_ ±5_ 4.5 7 2 8ピンSOP/TSSOP_
uPC844_ uPC4744_ 3～32_ ±5_ 9 7 4 14ピンSOP/TSSOP_
uPC1251_ – 3～30_ ±7_ 1.2 0.3 2 8ピンSOP/TSSOP/MSOP
低ノイズ
uPC258_ uPC4558_ ±4～±16_ ±6_ 5.7 1 2 8ピンSOP_
uPC259_ uPC4560_ ±4～±16_ ±6_ 5.7 2.8 2 8ピンSOP_
uPC458_ uPC4741_ ±4～±16_ ±5_ 7 1 4 14ピンSOP_
– uPC4570_ ±4～±16_ ±5_ 8 7 2 8ピンSOP/TSSOP_
– uPC4572_ ±2～±7_ ±5_ 7 6 2 8ピンSOP_
– uPC4574_ ±4～±16_ ±5_ 12 6 4 8ピンSOP/TSSOP_
J-FET_
uPC811_ – ±5～±16_ ±2.5_ 3.4 15 1 8ピンSOP/TSSOP_
uPC812_ uPC4092_ ±5～±16_ ±3_ 6.8 15 2 8ピンSOP/TSSOP_
uPC813_ – ±5～±16_ ±2.5_ 3.5 25 1 8ピンSOP/TSSOP_
uPC814_ uPC4094_ ±5～±16_ ±3_ 6.8 25 2 8ピンSOP/TSSOP_
uPC822_ uPC4072_ ±5～±16_ ±10_ 5 13 2 8ピンSOP/TSSOP_
uPC824_ uPC4074_ ±5～±16_ ±10_ 10 13 4 14ピンSOP/TSSOP_
uPC832_ uPC4062_ ±2～±16_ ±10_ 0.5 3 2 8ピンSOP/TSSOP_
uPC834_ uPC4064_ ±2～±16_ ±10_ 1 3 4 14ピンSOP/TSSOP_
uPC835_ – ±5～±16_ ±3_ 2.2 5.5 2 8ピンTSSOP_
低電力 uPC802_ – ±1～±16_ ±6_ ≤0.1_ ≤1.0_ 1 8ピンSOP_
汎用 uPC251_ uPC1458_ ±7.5～±16_ ±6_ 5.6 0.5 1 8ピンSOP_
バイポーラコンパレータ
タイプ品名
電源電圧 (V) VIO (max)(mV)
ICC (max)(mA)
Tr/Tf (typ)(µs) チャネル パッケージ
産業用 汎用
汎用
uPC177_ – 2～32_ ±5_ 2 1.3 4 14ピンSOP/TSSOP_uPC271_ – 5～32_ ±7.5_ 7.5 0.2 1 8ピンSOP_uPC272_ uPC319_ 5～16_ ±8_ 12.5 0.08 2 14ピンSOP_uPC277_ – 2～32_ ±5_ 1 1.3 2 8ピンSOP/TSSOP/MSOP
＊産業用：許容温度幅の広い製品（125°C）
電流検出アンプアンプ
複雑な電流監視回路を簡素化電流検出アンプ（電流シャントアンプ）は、パワーレールを流れる電流量に比例した電圧を出力する特別なオペレーションアンプ（オペアンプ）です。これらのアンプは、「検出抵抗器」を利用して、パワーレールの負荷電流を低電圧に変換し、その電圧を電流検出アンプによって増幅します。ルネサスでは、ディスクリートソリューションとインテグレーテッドソリューションの両方を用意しています。
差動アンプとして設定されたA1検出抵抗器の差分電圧をA1で増幅ゲイン_=_RF/RIアンプはV1とV2間のコモンモード電圧を除去
Eq. 1: VOUT =（RF/RI）* [V2-V1]Eq. 2: VOUT =（RF/RI）* [ILOAD * RSENSE]Eq. 3: ILOAD =（RI/RF）* [VOUT * RSENSE]
電流検出用高精度オペアンプ
最も一般的なディスクリートソリューション
タイプ 品名 TCVOSVos Max
(25)注意
低ノイズ ISL28290 – 700µV 低コスト（ローサイド）
低ドリフト ISL28x30 150nV/ 40µV やや良_–_比較的低コスト
ゼロドリフト ISL28x33 75nV/ 8µV 良
ゼロドリフト ISL28x34 15nV/ 2.5µV 世界クラス
標準CMOS ISL28113/114 2000nV/ 5mV
BJT ISL28136 400nV/ 150µV
基本の電流検出アンプは差動アンプとしてセットアップされます。このアンプは、V1およびV2の間のコモンモード電圧を除去し、検出抵抗器（Eq._1）前後の差分のみを増幅します。オームの法則から、差分Vを「負荷電流×検出抵抗器（Eq._2）」に置き換え、負荷電流（Eq._3）を求めます。
ディスクリートソリューション
低オフセット電圧のオペアンプを検出回路に組み込むことにより、検出抵抗器と無駄な電力を大幅に低減。
例 – 20mAの分解能、5Aのフル電流
ソリューション VOS Rsense Rsense電力損失 ルネサスの利点
汎用 500µV 25mΩ 625mW –
ISL28x30 40µV 2mΩ 50mW 無駄な電力を92%削減
ISL28x34 2.5µV 125µΩ 3mW 無駄な電力を99.5%削減
汎用ソリューションとルネサスの高精度ソリューションの比較 マイクロパワー、低ドリフト、RRIOオペアンプISL28x30
_低電力ハイサイドまたはローサイド電流検出アプリケーションに理想的
最大40µVのオフセット電圧1.8V～5.5Vの供給電圧静止時の低消費電力20µA（標準）
RSENSE
RFRI
A1
RI
V1
V2
ILOAD
RF
VOUT+
-
+
-
V+
V-
双方向電流検出アンプ
I-SENSE +
I-SENSE -
0.14.99k
4.99k
499k
499k
GND
VSENSEOUT
VREF
V++1.8V ～ +5.5V
10-11
インテグレーテッドソリューション
電圧出力付きマイクロパワー、電流測定アンプISL28005/6ハイサイドまたはローサイドの単方向電流検出低消費電力、50µA（標準）TIAアーキテクチャ:-入力検出電圧を電流に変換-電流をADCドライブ用に5V_TIAに供給-ゲインに拘わらず安定した100kHz_BW
内部固定ゲインによる高精度および低TCVos
最もシンプルなタイプの電流検出アンプ ISL28005およびISL28006は、1Ω未満の検出抵抗器で発生したミリボルトの電流信号を増幅するグランドセンス電流検出アンプです。この最もシンプルなタイプの電流検出アンプは、シングルステージのオペアンプ回路を使用して、測定する電流を生成するのと同じ電圧ソースから電力の供給を受けます。_
GND
R S-
gmHI
gmLO
VS E NSE
1.35V
IMIR ROR
+
-OUT
R f
R g
R 1
R 5
VC C
VSE NSE
R 2
R 3
I = 2.86µA
R S+
R 4
VC C
3V ～ 5V
TIA
R SENSE
ハイサイドおよびローサイド測定
ローサイド測定
ハイサイド測定
28Vコモンモード入力範囲
電流検出アンプ
品名供給電圧
範囲入力コモンモード範囲
Vos Max(25)
Vos Max(温度)
CMRR Min(温度)
PSRR Min(温度) ゲイン範囲 ゲイン精度
(25)ゲイン精度
(温度)Is Max(25)
Is Max(温度) パッケージ
V V µV µV dB dB V/V % % µA µA
ISL28005 2.7～28 0～28 500 500 105 90 20、50、100 2 3 59 59 5_Ld_SOT-23
ISL28006 2.7～28 0～28 250 300 105 9020、50、100、
可変（20～100）
0.7 1 62 62 5_Ld_SOT-23、6_Ld_SOT-23
比類のないSFDR/電力比
高速オペアンプアンプ
ISL55210、ISL55211ISL55210は、非常に広い帯域幅を持つ電圧フィードバック完全差動アンプ（FDA）で、高ダイナミックレンジのADC入力インタフェースアプリケーション向けに設計されています。この電圧フィードバックFDAデザインは、独立した出力コモンモード電圧制御を備えています。_非常に高いダイナミックレンジのADCインタフェースアプリケーションに最も低い静止電力（115mW）で対応するISL55210は、入力ノイズを0.85nV/√（Hz）と非常に低く抑えた4.0GHzゲイン帯域幅製品です。バランス差動I/Oコンフィギュレーションでは、200Ω負荷への2VP-P出力を15dBのゲインに合わせて設定することで、IM3を110MHzで100dBc以下に抑えています。2V/V（6dB）の最小動作ゲインを持つISL55210は、BWやSFDRの劣化を最小限に抑えたままで幅広い高ゲインアプリケーションに対応します。5,600V/µsという超高差動スルーレートは、大信号のSFDRパフォーマンスや高速安定ステップレスポンスを保証します。_
ルネサスの高速オペアンプ製品ポートフォリオは、全帯域幅に渡り優れたドライブおよびスルーレート性能により、クラス最高の性能/電力比を実現します。このため、ルネサスのオペアンプは、ビデオおよび高速データ伝送、A/Dバッファリング、および高周波フィルタリングに最適なチョイスとなっています。_
主な特長 ゲイン帯域幅製品：4.0GHz入力電圧ノイズ：0.85nV/√（Hz）差動スルーレート：5,600V/µs2VP-P、2-tone_IM3（200Ω）_100MHz:_-109dBc供給電圧範囲：3.0V～4.2V静止電力（3.3V供給時）：115mW
アプリケーション 低電力、高ダイナミックレンジADCインタフェース差動ミキサー出力アンプSAWフィルタ_プリ/ポスト_ドライバ差動comms-DAC出力ドライバ
完全差動アンプ
品名 チャネル数 トポロジ VS Min (V)
VS Max (V)
BW(MHz)
ゲイン(V/V)
スルーレート(V/μsec)
ノイズ(nV/√Hz)
IS Max (mA)
IOUT(mA)
VOS Max (mV)
IB Max (µA)
RR入力
RR出力
ヘッドルーム(V) シャットダウン
ISL55210 1 FDA 3 4.2 4000 RES 5600 0.85 38.5 30 1.6 140 No No 1 Yes
ISL55211 1 FDA 3 4.2 1400 2、4、5 5600 0.85 38.5 30 1.6 140 No No 1 Yes
40
50
60
70
80
90
100
110
90 140 190 240 290 340
SFD
R (d
Bc)
消費電力（mW）
競合他社ISL55210
ISL55210は業界最高のSFDR/電力比を実現
IM3 1VP-P
IM3 2VP-P
IM3 3VP-P
IM2 1VP-P
IM2 2VP-P
IM2 3VP-P
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
20010020
テスト周波数中央値（MHz）
IM2およびIM3スプリアス（dBc）
超低歪1次以上のナイキストゾーンアプリケーションでの高速ADCの駆動に最適
世界最高のSFDRを最小の消費電力で実現
12-13
高速オペアンプ
品名 テクノロジ
供給電圧（V） 最小
ゲイン帯域幅 スルー
レート
電圧ノイズ(10kHz)
Vos Max
(25)
Is Max(25) パッケージ
シングル デュアル トリプル クワッド Min Max -3dB（MHz） 0.1dB（MHz） (V/µs) (nV/√Hz) （mV） (mA) シングル デュアル トリプル クワッドレールツーレール、電圧フィードバックアンプ
EL8101 EL8201 – – VFA 3 5/5.5 1 200 20 200 10 6 2.4SOIC-8、SOT23-6_SOT23-5
MSOP-10_SOIC-8 – –
– – EL8302* – VFA 3 5.5 1 500 35/36 600 12 8/7 6.2 – – SOIC-16、QSOP-16 –
電流フィードバックアンプ
EL5160*_EL5161 – – – CFA 5 10 1 200 10 1700/
1300 4 5 0.85SOIC-8、SOT23-6_SOT23-5
– – –
EL5162*_EL5163
EL5262*_EL5263 EL5362* EL5462 CFA 5 12 1 500 30 4000/
2500 3 5 2
SOIC-8、SOT23-6_SC70-5、SOT23-5
MSOP-10_SOIC-8、MSOP-8
SOIC-16、QSOP-16 SOIC-14_
EL5164*_EL5165 – EL5364* – CFA 5 12 1 600 50 4700 2.1 5 4.2
SOIC-8、SOT23-6_SOT23-5
– SOIC-16、QSOP-16 –
EL5166*_EL5167 – – – CFA 5 12 1 1.4GHz 100 6000 1.7 5 9.3
SOIC-8、SOT23-6_SC70-5、SOT23-5
– – –
スルー強化、電圧フィードバックアンプ
– EL5202*_EL5203 – – VFA 3 10 1 400 – 2200 12 5 5.8 –
MSOP-10_SOIC-8、MSOP-8
– –
EL5104*_EL5105
EL5204*_EL5205 – – VFA 4 13 1 700 – 3000 10 10/18 11
SOIC-8、SOT23-6_SOT23-5
MSOP-10_SOIC-8、MSOP-8
– –
高電圧（最大30V）
ISL55001 ISL55002 – ISL55004 VFA 5 30 1 200、220 – 280/300 12 3 9.25 SOIC-8 SOIC-8 – SOIC-14
完全差動アンプISL55210、ISL55211 – – – FDA 3 4.2 RES/_
2、4、54GHz、1.4GHz – 5600 0.85 1.6 38.5 TQFN-16 – – –
固定ゲインアンプ
EL5106* – EL5306* – ゲイン 5 12 固定：+1、+2、-1 350 20 4500 2.8 10 1.82 SOT23-6 – SOIC-16、QSOP-16 –
– – EL5308* – ゲイン 5 12 固定：+1、+2、-1 450 40 4500 2 8 4.35 – – SOIC-16、QSOP-16 –
– – ISL55033* – ゲイン 3 5.5 固定：+2、+4 400 40/60 2350/2500 35/50 9/10 8.5 – – TQFN-12 –差動ラインドライバ/レシーバドライバ
EL5170* – – – 差動 4.75 11 2 100 12 1100 28 25 8.4 SOIC-8、MSOP-8 – – –
EL5171 – – – 差動 4.75 11 2 250 50 700/800 26 25 8.2 SOIC-8_ – – –– – EL5373* – 差動 4.75 11 2 450 60 900/1100 25 30 14 – – QSOP-24 –
EL5174 – – – 差動 4.75 11 2 550 120 1100 21 25 14 SOIC-8_ – – –EL5177* – – – 差動 4.75 11 ADJ 550 120 1100 21 25 14 MSOP-10 – – –
– – EL5378* – 差動 4.75 11 2 700 45 850/1000 18 30 14 – – QSOP-28 –レシーバ
EL5172* – – – 差動 4.75 11 ADJ 250 25 800 26 25 7 SOIC-8、MSOP-8 – – –
EL5175* – EL5375* – 差動 4.75 11 ADJ 550 60 900 21 30/40 11 SOIC-8、MSOP-8 – QSOP-24 –
RFゲインブロック/アンプISL55012、ISL55014、ISL55015
– – – シングルエンド 3 5.5
18、17.2、13.5
2.4、2.75、2.9GHz
– – – – 63.5、63 SC70-6 – – –
ISL55016 – – – 差動 4.5 5.5 17.1 2.2GHz – – – – 104 TDFN-6 – – –
*=イネーブルピン付き
インタフェース
高いノイズ・イミュニティノイズ・イミュニティを強化し、より長いケーブルあるいはより多くのケーブル終端に対応します。
超低供給電流ISL328xEおよびISL329xEは、消費電力を競合製品の1/30に抑えました。
省スペースの小型パッケージ小型パッケージにより製品の小型化に貢献します。
1/30の電力2
1
0
3
4
5
温度（°C）
供給
電流（
mA）
-50 -25 0 25 50 75 100 125
競合製品M
RenesasISL329xE
ICC = 150µA（最大）
ICC = 5mA（最大）
1 1.5 2 2.5
RS-485標準
RenesasISL315xE
出力電圧（V）
2.4V
1.5V
60%高い出力電圧 50% の小型化
45% の小型化
8 Ld SOIC実サイズ_
（6.2mm_×_5mm）
8 Ld MSOP実サイズ_
（5.05mm_×_3.05mm）
10 Ld DFN実サイズ_
（3mm_×_3mm）
広範なポートフォリオでお客様のニーズに対応
RS-232 RS-232/RS-485 絶縁型RS-485
シングルトランシーバ（1_Tx/1_Rx）デュアルトランシーバ（2_Tx/2_Rx）デュアルトランシーバ_+
追加レシーバ（2_Tx/3_Rx）トリプルトランシーバ（3_Tx/3_Rx）8チャネルトランシーバ（5_Tx/3_Rx）8チャネルトランシーバ（3_Tx/5_Rx）
標準5V/3V_RS-485トランシーバ超低電力RS-485トランシーバ
ISL3260XE1.8V～3.3V、マイクロパワー±15kV_ESD過電圧保護RS-485トランシーバデュアルプロトコルトランシーバ-プログラマブル
ISL813xx、ISL413xx、ISL333x-固定
ISL333xxE（次ページ参照）
40Mbps、超低EMI_絶縁型RS-485トランシーバ_ISL32740E/41E
業界最小パッケージの絶縁型RS-485トランシーバ_ISL32704E（次ページ参照）
R
GPD
VCC2
GND2
絶縁バリア
MCURxD
GND2-ISO
GND2
VCC2-ISO
ISO
VCC1
GND1
MCU TxD
GND2-ISO VCM
VBIAS GND2RISOVOC
D
VS1 VSn
VS2GND1
GND2
GND3
VOD RT2
VS1RB
RB
Z0 RT1
VID
VOC
VCMVGPD
VN
VN ULXCVR
マスタ スレーブ
スレーブ
データ出力
コモン接地リターン
信号ラインデータ入力
レシーバドライバ
VOVGND
VCM
VIN
5k
14-15
C1+
C1-
V
R1IN
R2IN
T1OUT
T2OUT
*GND
*VCC
Y
Z
A
B
SLOW485
C2+
VCC
R2OUT
R1OUT
T2IN
SHDN
DE485
RO
V-
RE485
GND
C2-
T1IN
DI
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
D
R
D
D
R
R
PORT 1
PORT 2
2 x RS-232高速400 kbpsトランシーバ
1 x RS-485半二重に設定可能な全二重トランシーバ
+
固定デュアルプロトコルトランシーバ（ISL33334E）
2ポート、デュアルプロトコルトランシーバにより、2個のチップをシングルデバイスに置き換えISL3333xE/5xE固定ポートデバイス-さらに費用対効果に優れたシンプルなデバイス-QFNパッケージによりさらにスペースを節約
デュアルプロトコルをサポート-RS-232とRS-485で1本ずつの2ポート-RS-485ではデータレートを選択可能
デュアルプロトコルトランシーバ
デュアルプロトコルRS485/RS-232（固定および設定可能）品名 ポート数 ポート割り当て VCC (V) DR (Mbps) RS-485 DR (kbps) RS-232 パッケージ
ISL33334E/37E 2 固定 3.3 20、0.115 400 28_Ld_SSOP、40_Ld_QFN
ISL33354E/57E 2 固定 5 20、0.115 460 28_Ld_SSOP、40_Ld_QFN
ISL3330E/1E 1 設定可能 3.3 20、0.46、0.115 400 20_Ld_SSOP、28_Ld_SSOP、40_Ld_QFN
ISL3332E/3E 2 設定可能 3.3 20、0.46、0.115 400 20_Ld_SSOP、28_Ld_SSOP、40_Ld_QFN
ISL41334E 2 設定可能 5 20、0.46、0.115 650 40_Ld_QFN
ISL81334E 2 設定可能 5 20、0.46、0.115 650 28_Ld_SSOP、28_Ld_SOIC
ISL41387E 1 設定可能 5 20、0.46、0.115 650 40_Ld_QFN
ISL81387E 1 設定可能 5 20、0.46、0.115 650 20_Ld_SSOP、20_Ld_SOIC
16
11
10
15
14
VDD2
B
VDD2X
ISODE
GND2
1
4
2
5
6
3
VDD1
R
DE
D
RE
GND1
542R
542R
135R
100n5V
100n
3.3V
9A
13ISOR
12XDE
16
11
10
15
14
VDD2
B
VDD2X
ISODE
GND2
1
4
2
5
6
3
VDD1
R
DE
D
RE
GND1
120R
100n5V
100n
3.3V
9A
13ISOR
12XDE
絶縁バリア
絶縁バリア
ISL32704EIAZ ISL32704EIAZ
ガルバニック絶縁型RS-485トランシーバ品名 データレート デュプレックス 絶縁定格 使用電圧 VDD1 VDD2 IDD1 IDD2 パッケージ
ISL32740E 40Mbps 半二重 2.5kV 600Vrms 3V～5.5V 4.5V～5.5V 3～4mA 5mA 16_Ld_SOIC
ISL32741E 40Mbps 半二重 6kV 1000Vrms 3V～5.5V 4.5V～5.5V 3～4mA 5mA 16_Ld_SOIC
ISL32704E 4Mbps 半二重 2.5kV 600Vrms 3V～5.5V 4.5V～5.5V 3～4mA 5mA 16_Ld_QSOP、16_Ld_WSOIC
巨大磁気抵抗（GMR）テクノロジによるガルバニック絶縁業界最小の絶縁型RS-485トランシーバISL32704E絶縁型RS-485トランシーバISL32704Eは、産業用IoT（Internet_of_Things：モノのインターネット）で4Mbpsの双方向データ伝送を実現します。この高速デバイスは、業界をリードするEMIおよびコモンモード過渡電圧耐性を4mmx5mmという小型のQSOPパッケージで実現、競合製品より70%も小型化しています。__巨大磁気抵抗（GMR：Giant_Magnetoresistance）テクノロジによるガルバニック絶縁
_2.5kVRMS絶縁、最も近い競合製品より50%も高い600VRMSの使用電圧
非常に低いEMIにより、ボードレベルのシールドが不要3V～5V電源をサポート
ガルバニック絶縁型RS-485トランシーバ
高速ADC/DACデータコンバータ
高速ADC
高速DAC
革新的なFemtoCharge® CMOSテクノロジによって実現した超高性能ADC。消費電力は競合製品の数分の一。
競争上の優位性_14ビット：高いサンプリングレート（250MSPS）、_競合製品の1/3の消費電力（390mW）
_12ビット：高いサンプリングレート（500MSPS）、_競合製品の1/5の消費電力（432mW）
_8/10ビット：高いサンプリングレート（500MSPS）、競合製品の約半分の消費電力（428mW）
優れた広帯域性能コンパクトなフットプリント_-業界初のデュアル12ビット250MSPS_ADCファミリ-_500MSPSオプションは、競合製品の1/2～1/3.6の小型設計
アプリケーション通信ネットワーク計器類産業_ビデオおよび_イメージング
8ビット 10ビット 12ビット 14ビット
250-350MSPS
5512-505510-50
5612-215612-17
5514-215514-17
5612-25
5514-25
5514-12
5512-12
ISLA110P50 ISLA112P50
ISLA118P50
5610-215610-17
シングル デュアル
KAD55XX KAD56XX
5512-215512-17
5512-25
5610-25
5612-125610-12
5512H-25
5512H-215512H-17
5512H-12
500+MSPS
130-210MSPS
最大 125MSPS
ピン互換ファミリ選択プロセスを簡素化し、デザインの再利用を可能に
主な特長 優れたダイナミック性能（ISL5957）：_-10MHzのナイキストSFDR_=_75dBc_-19.2MHzのUMTS_ACPR_=_71dB
11MHz（20MHzウィンドウ）のGSM_SFDR_=_94dBc+3.3Vの供給電圧、103mW_@130MSPSの低消費電力調整可能なフルスケール出力電流（2～20mA）_シングルおよびデュアルでピン互換性のあるファミリ
分解能 品名 速度
14ビット
ISL5957 260MSPSISL5927 260MSPS、デュアルISL5961 210/130MSPSISL5929 210/130MSPS、デュアル
12ビット
ISL5857 260MSPSISL5827 260MSPS、デュアルISL5861 210/130MSPSISL5829 210/130MSPS、デュアル
10ビット
ISL5757 260MSPSISL5727 260MSPS、デュアルISL5761 210/130MSPSISL5729 210/130MSPS、デュアル
8ビットISL5627 260MSPS、デュアルISL5629 210/130MSPS、デュアルHI5660 125/60MSPS
アプリケーションワイヤレス通信_広帯域マイクロ波_中継装置
軍事およびSDR無線
16-17
高精度データコンバータデータコンバータ
逐次比較型（SAR）ADC中～高分解能ADC（最大12ビット）高変換レート低電力
アプリケーションプロセスコントローラHMIデバイス圧力およびフローセンサ開閉装置安全モニタロボティック制御車載システム
12
14
16
18
24
22
20
測定
精度（
ビッ
ト）
変換レート、サンプル数/秒1 10 100 1k 10k 100k 1M
ISL26102/104デルタシグマ
ISL2631x SARISL267xx SAR
ISL26132/134デルタシグマ
19～24ビット、1kSPS～4kSPS
12～18ビット、10kSPS～1MSPS
24 ビット デルタシグマ・コンバータ
分解能 最大変換レート 2チャネル 4チャネル INL
(%FS) ノイズ 消費電力 アナログ供給電圧レンジ
デジタル供給電圧レンジ パッケージ 技術的な特長
24ビット
4kSPS ISL26102 ISL26104 0.0002 7nV/√Hz_ 33.75mW 4.75～5.25V 2.7～5.25V 24および28Ld_TSSOP
ゲイン1～128のプログラマブルゲインアンプ
10SPSおよび_80SPS
ISL26132 ISL26134 0.0002 1.2μV/√Hz 50mW 5V 2.7V 24および28Ld_TSSOP_ 最大21.6ノイズフリービット
SAR ADC
分解能 最大変換レート
シングルチャネル 2チャネル 4チャネル 8チャネル
±INL(積分非直線性誤差)
(LSB)SFDR 消費電力
アナログ供給電圧
(Min)
アナログ供給電圧
(Max) パッケージ
タイプ温度範囲
()
8ビット 1MSPS ISL26708_ – – – 0.03 -68dB 3.75mW 2.7V 5.25V DFN8、SOT8 -40～+85
10ビット 1MSPSISL267440_ – – – 0.5 -76dB 2mW 2.7V 5.25V MSOP8、
SOT8 -40～+85
ISL26710_ – – – 0.1 -82dB 3.75mW 2.7V 5.25V DFN8、SOT8 -40～+85
12ビット
20kSPS ISL2671286_ – 1 -83dB 1.4mW 4.5V 5.25V SOIC8 -40～+85
125kSPS – ISL26312、ISL26313
ISL26314、ISL26315 ISL26319 0.7 96dB 11mW 2.7V 5.25V SOIC8、
TSSOP16 -40～+125
200kSPS ISL267817_ – – – 1 -85dB 2.15mW 4.75V 5.25V MSOP8、SOIC8 -40～+85
250kSPSISL26320、ISL26321、ISL26322
ISL26323 ISL26325、ISL26324 ISL26329 0.7 96dB 11mW、
15mW 2.7V 5.25V SOIC8、TSSOP16 -40～+125
555kSPS ISL267452_ – – – 1 -76dB 3.75mW 2.7V 5.25V SOT8 -40～+85
1MSPS ISL267450/A_ – – – 1 -82dB 3.75mW 3V 5.25V MSOP8、SOIC8 -40～+85
1MSPS ISL26712_ – – – 0.4 -87dB 3.75mW 2.7V 5.25V DFN8、SOT8 -40～+85
24ビット デルタシグマ・コンバータ_高分解能（24ビット）_低変換レート
アプリケーション_計量器_ダイナミック軽量_製造システム_温度および負荷センサ_負荷安全システム_科学計器類
基準電圧データコンバータ
ルネサスは、幅広い精度基準電圧をFGA™およびバンドギャップテクノロジの両方で提供します。
フローティングゲートアナログテクノロジ（FGA™）による高精度で安定した基準電圧ルネサスの革新的なフローティングゲートアナログ（FGA™）基準電圧回路は、シリコンジャンクションで発生する電圧には依存しません。FGAテクノロジは、温度や入力電圧の変動、あるいは経時的な変動といった外部要因の影響を基本的に受けないフローティングゲートセル上に電荷を正確に溜めることで、極めて正確で安定した基準電圧を発生させます。__フローティングゲート電圧は、図1に示すように、高品質のCMOSアンプでバッファリングされます。
超低ノイズ、精度基準電圧ISL21090ISL21090は、超低ノイズの高精度DC基準電圧で、3.7V～36Vという幅広い入力電圧範囲に対応します。ISL21090は、高いDC精度を必要とし、低ノイズ性能が重要となるハイエンドの計器類、データ収集および処理アプリケーションなどに理想的です。
出力基準電圧オプション：1.25V、2.5V、5.0V、7.5V_
初期精度：±0.003%（1.25Vオプション）
出力電圧ノイズ：標準1µVP-P（0.1Hz～10Hz）（1.25Vオプション）
供給電流：標準750µA（1.25Vオプション）
温度係数：最大7ppm/出力電流容量：20mAラインレギュレーション：8ppm/V（1.25Vオプション）
負荷レギュレーション：2.5ppm/mA（1.25Vオプション）
高精度基準電圧
タイプ 品名VOUT
温度係数(Max)
IS (Typ)
IS (Max)
VS (Min)
VS (Max)
初期精度(% VOUT @2.5V)
出力ノイズ(0.1Hz～10Hz)
(Typ)ヒステリシス
(ppm)パッケージ
タイプ温度範囲
()0.9V
1.024
V1.
2V1.
25V
1.5V
1.8V
2.048
V2.
5V2.
6V 3V 3.3V
4.096
V5V 7.5
V
低ノイズ ISL21090 7ppm/750µA（1.25V
オプション）1.28mA 3.7V 36V ±0.03%_
（1.25Vオプション）1.0µVPP
（1.25Vオプション） - SOIC8 -40～125
低コスト ISL21010 50ppm/ 48µA 100µA 2.2V 5.5V 0.2% 58µVPP（2.048Vオプション） 100 SOT3 -40～125
ISL21080 50ppm/ 300nA 1.5µA 2.7V 5.5V <0.7% 30µVPP 100 SOT3 -40～85
ナノパワーISL60002 20ppm/ 350nA 900nA 2.7V 5.5V <0.49% 30µVPP 100 SOT3 -40～85
X60003 10ppm/_（Bグレード） 500nA 900nA 4.5V 9V <0.1% 30µVPP 150/100 SOT3 -40～85
コンパレータ付き ISL21440 1.182V_±0.5%、コンパレータ付き - 0.46µA 6.5µA 2V 11V 0.5% - プログラマ
ブルDFN8、MSOP8 -40～125
Vcc
Cstore
Vref出力
I
図1
PPM
時間（時間）
4030
2010
0
200 400 600 800 1000
-10
-20-300
-55 -35 -15 25 455 65 85 105 125 145
2.5010
2.5005
2.5000
2.4995
2.4990
2.4985
2.4980
温度（）
VOU
T (V)
標準的な10ユニットの温度係数曲線
温度ドリフト（係数） ISL21090_標準温度係数
PPM
時間（時間）
4030
2010
0
200 400 600 800 1000
-10
-20-300
-55 -35 -15 25 455 65 85 105 125 145
2.5010
2.5005
2.5000
2.4995
2.4990
2.4985
2.4980
温度（）
VOU
T (V)
標準的な10ユニットの温度係数曲線
長期ドリフト ISL21090長期ドリフトデータ（1000時間）
18-19
デジタルポテンショメータデータコンバータ
デジタルポテンショメータは、デジタル制御によってマイクロプロセッサとのインタフェースや機能拡張が可能になるアプリケーションにおいて、機械式ポテンショメータやトリム抵抗の替わりとなります。機械式ポテンショメータと比較して、デジタルポテンショメータはより正確で、調整が簡単で、製造の複雑さも低減します。
最小電圧
仕様 ルネサスのDCP 競合製品 ルネサスの利点
アナログ電圧 1.7V～5.5V 1.8V～5.5V_2.7V～5.5V_
バッテリが消耗し始めても動作可能
デジタル電圧 1.2V～5.5V アナログ電圧と同じ、最小1.8V
マイクロコントローラに低電圧I/Oピンがある場合はI2C/SPI用のレベルシフタは不要
低消費電流2.5µA_-_1チャネル_3µA_-_2チャネル_5µA_-_4チャネル
最大2xの消費電力 バッテリ消費電力を最大50%低減。
小型パッケージ
タイプ ルネサス品名 ルネサスDCP 競合製品 ルネサスの
利点
シングルISL23315、ISL23415、ISL23318、ISL23418 µTQFN（2.1x1.6mm）
_SC-70（2x2.1mm）
20%の小型化
デュアルISL23325、ISL23425、ISL23328、ISL23428
_µTQFN（2.6x1.8mm）
_QFN（4x4mm）
48%の小型化
クワッドISL23345、ISL23445、ISL23348、ISL23448
_QFN（3x4mm）
_QFN（4x4mm）
25%の小型化
揮発性（EEPROMメモリなし）シングル32タップ（5ビット）ISL23511_–_10kΩ、プッシュボタンISL90461_–_10kΩ/50kΩ/100kΩ、アップ/ダウン、2ピン、加減抵抗器_ISL90462_–_10kΩ/50kΩ、アップ/ダウン、2ピン、分圧器のみシングル128タップ（7ビット）ISL90726_–_10kΩ/50kΩ、I2C、加減抵抗器ISL90727/28_–_10kΩ/50kΩ、I2C、分圧器のみISL23318_–_10kΩ/50kΩ/100kΩ、I2C、低電圧ISL23418_–_100kΩ、SPI、低電圧シングル256タップ（8ビット）ISL23315_–_100kΩ、I2C、低電圧ISL23415_–_100kΩ、SPI、低電圧
クワッド256タップ（8ビット）ISL90841_–_50kΩ、I2CISL90842_–_10kΩ/50kΩ、I2C
デュアル32タップ（5ビット）ISL22102_–_32kΩ、ログテーパ、オーディオ検知、プッシュボタンデュアル128タップ（7ビット）ISL23328_–_10kΩ/100kΩ、I2C、低電圧ISL23428_–_10kΩ/100kΩ、SPI、低電圧
デュアル256タップ（8ビット）ISL23325_–_10kΩ/100kΩ、I2C、低電圧ISL23425_–_10kΩ/100kΩ、SPI、低電圧
正および負端子電圧拡張正端子電圧E
D
特殊機能DCP
シングル16タップ（4ビット）X9116_–_10kΩ、アップ/ダウンシングル32タップ（5ビット）X9314_–_10kΩ、ログテーパ、アップ/ダウンX9315_–_10kΩ/50kΩ/100kΩ、アップ/ダウンX9511_–_10kΩ、プッシュボタンシングル100タップ（～6.65ビット）X9317_–_10kΩ/50kΩ/100kΩ、アップ/ダウンX9318_–_10kΩ、アップ/ダウンX9319_–_10kΩ/50kΩ、アップ/ダウンX9C102_–_1kΩ、アップ/ダウンX9C103_–_10kΩ、アップ/ダウンX9C104_–_100kΩ、アップ/ダウンX9C503_–_50kΩ、アップ/ダウンX9C303_–_32kΩ、ログテーパ、アップ/ダウンシングル128タップ（7ビット）ISL22316_–_10kΩ、I2CISL22317_–_10kΩ、1%許容誤差、I2CISL95311_–_10kΩ、I2CISL95310_–__50kΩ、アップ/ダウンシングル256タップ（8ビット）ISL95810_–_10kΩ/50kΩ、I2Cシングル1024タップ（10ビット）X9110_–_100kΩ、SPIX9111_–_100kΩ、SPIX9118_–_100kΩ、2線式X9119_–_100kΩ、2線式
デュアル128タップ（7ビット）ISL22326_–_10kΩ、I2Cデュアル256タップ（8ビット）X95820_–_10kΩ/50kΩ、I2CX9268_–_50kΩ/100kΩ、2線式ISL22424_–_10kΩ、SPI
クワッド64タップ（6ビット）X9408_–_2.5kΩ/10kΩ、2線式クワッド128タップ（7ビット）ISL22346_–_10kΩ/50kΩ、I2C366クワッド256タップ（8ビット）X95840_–_10kΩ/50kΩ、I2CX9250_–_50kΩ/100kΩ、SPIX9251_–_50kΩ、SPIX9252_–_2kΩ/10kΩ、2線式X9258_–_50kΩ/100kΩ、2線式X9259_–_50kΩ、2線式
デュアルオーディオDCP –出力バッファアンプおよびオーディオ検知内蔵ISL22102_–_32kΩ、ログテーパ、プッシュボタン、__ 0～-72dBのダイナミックレンジ低電圧1%許容誤差の高精度DCPおよび低温度係数ISL22317_–_10kΩ、I2CTFT/LCDプログラマブルVCOMキャリブレータ
（128ステップ）ISL45041_–_I2CISL45042_–_アップ/ダウン軍事温度（-55°C～125°C） 不揮発性DCPISL22316WM（シングル）_–_10kΩ、I2CISL22326WM（デュアル）_–_10kΩ、I2CISL22346WM（クワッド）_–_10kΩ、I2C
デジタルポテンショメータ製品のポートフォリオ
DDDDD
EE
D
D
D
D
D
D
D
DD
ISL12022M
水晶発振子 周波数制御
組み込み温度センサ
温度センサ
シングルアラーム
補正レジスタ
ブラウンアウトアラーム
Battery Reseal™
µP時計
カレンダー
POR
スイッチ± バッテリバックアップ
ユーザSRAM
バッテリーまたはスーパーキャップ
2.7V～5.5V
1.8V～5.5V
VTRIP
電力制御
VDD
VBAT
IRQ/FOUT
組み込み水晶発振子
I2C
リアルタイム・クロック
デザインのニーズに合った最適なRTCを
ベーシック 外部水晶（外部コンデンサ不要）、最小限の機能
低コスト 外部水晶、バッテリバックアップ、1～8バイトのSRAM
豊富な機能外部水晶、温度補正、＞128バイトのSRAMまたはEEPROMメモリ、改ざん/イベント検知、固有ID、等
高精度モジュール統合水晶および温度補正
高精度3-in-1 RTCモジュール（RTC + 組み込み水晶 +温度センサ）
ISL12022M ±5ppmの精度（-40～+85）-最適な精度になるよう工場設定されたRTC-オンボードの温度センサ-組み込み水晶-信頼性の高い時間管理と電力管理-バックアップバッテリ管理-VDDおよびバッテリステータスモニタおよび切替タイムスタンプ-Battery Reseal™機能によるバッテリの長寿命化
ユーザープログラマビリティ-I2Cインタフェース-128バイトのバッテリバックアップユーザーSRAM
産業用アプリケーション向けソリューション-患者のイベントタイムスタンプ用の低ドリフト時間ソースを提供-患者モニタ用の信頼性の高いクロックソリューション（ECG）
ブロック図
超高温環境でも高精度を維持
-5-4-3-2-1012345
温度（）
FOU
T周波
数エ
ラー（
ppm
）
-40 -20 0 20 40 60 80
ISL12022M補正水晶ドリフト非補正水晶ドリフト
-40～+85で±5.0ppm以内
-160.0
-140.0
-120.0
-100.0
-80.0
-60.0
-40.0
-20.0
0.0
-40 -20 0 20 40 60 80 100温度（）
F OU
T (p
pm)
20-21
リアルタイム・クロック
カテゴリ/特殊機能 品名
その他の機能
メモリ パッケージ
イベント検知
タイムスタンプ
バッテリ切替タイムスタンプ
自動DST調整
温度補正
電力モニタ
固有のID
水晶内蔵
水晶コンデンサ
高精度RTCモジュール
組み込み水晶および
温度補正付き
ISL12020M 128バイトのSRAM 20_Ld_DFN
ISL12022M 128バイトのSRAM 20_Ld_SOIC
多機能RTC
オンチップ温度センサ搭載 ISL12022 128バイトのSRAM 20_Ld_SOIC
固有IDを内蔵ISL12024 512×8ビット
EEPROM 8_Ld_SOIC、8_Ld_TSSOP
ISL12025 512×8ビットEEPROM 8_Ld_SOIC
EEPROMおよび
CPU監視機能内蔵
ISL12026A 512×8ビットEEPROM 8_Ld_SOIC、8_Ld_TSSOP
ISL12027A 512×8ビットEEPROM 8_Ld_TSSOP
ISL12028 512×8ビットEEPROM 14_Ld_SOIC、14_Ld_TSSOP
低コスト
バッテリバックアップ付き
ISL12008 8_Ld_SOIC
ISL12082 8_Ld_SOIC
バッテリバックアップSRAM付き
ISL1208 2バイトのSRAM 8_Ld_MSOP、8_Ld_SOIC、8_Ld_TDFN
ISL1218 8バイトのSRAM 8_Ld_MSOP、8_Ld_SOIC_
ISL1220 8バイトのSRAM 10_Ld_MSOP
バッテリバックアップSRAM付き、イベント検知
ISL1209 2バイトのSRAM 10_Ld_MSOP
ISL1219 2バイトのSRAM 10_Ld_MSOP
ISL1221 2バイトのSRAM 10_Ld_MSOP
ベーシック IRQ、アラーム、タイマ付き
ISL12057 8_Ld_MSOP、8_Ld_SOIC_
ISL12058 8_Ld_MSOP、8_Ld_SOIC、8_Ld_µTDFN
フォトカプラディスクリート
高信頼性、高精度の小型ソリューション
ルネサスのMCU ルネサスフォトカプラ ルネサスのパワーデバイス
フィードバック ドライブ信号
低電圧 高電圧
高信頼性
ルネサスの強み
SHIELD
VCLA
MP
1
4
3
2
8
5
6
7
IGBT駆動（PS9332） アイソレーションアンプ
過電流に対するIGBT保護
ミラークランプおよびDESAT検知
ゲイン誤差<1%高温動作（TA_=_110）
高精度 小型パッケージ + 高温動作PS8352A
VDD
VIN+
VIN‒
GND
VDD2VOUT+
VOUT‒
GND2
MCU
Amp A/D
Sinc3フィルタ
PS9352AVDD
VIN+
VIN‒
GND
VDD2CLK
データ
GND2
ASIC
デジタルフィルタ
MCU A/Dに接続
アナログ差動出力
デジタル出力（1ビットデータ）
SO16（8mm） LSDIP（14.5mm）LSO5（8mm）TA_=_125保証
CMR min. (kV/μs)
消費
電力
(mW
)
15
15
従来品PS9151
低電力高耐ノイズ RV1S9160ANew
50
35
8.2 mm従来パッケージの1/2のピッチを実現
0.65 mm
35%
LSO5 LSSO5
実装面積の縮小
LSO5 LSSO5New
8.0 mm
業界初のパッケージ
削減可能エリア
実装面積
注) パッケージ名称 品名 沿面距離
LSSO5RV1S9260A8.2mm
SO5RV1S9160A4.2mm
LSO5RV1S9060A8mm
LSDIP8RV1S9960A14.5mm
絶縁
耐圧
(kVr
ms)
5
3.75
7.5
低消費電力、高速_15Mbps、高耐ノイズの_バランスで産業機器に_最適
長沿面を確保しながら小型化を実現_(当社LSO5比_35%削減)
15Mbps、IPM駆動、トランジスタ出力をラインアップ
アプリケーションに_最適なパッケージを_選択可能
主な製品
低入力 15Mbps 通信用カプラ LSSO5, LSSOP パッケージ
22-23
DIP47 / 8mm
LSOP8mm
SOP5mm
LSSOP8.2mm
SSOP1ch/4ch4.5 / 5mm
SSOP共通リード
4mm
フラットリード4mm
PS2701A-1 PS2801C-1PS2801C-4
PS2561D-1PS2561F-1 PS2381-1 PS2761B-1
NEWRV1S2281A PS2861B-1
PS2703-1
PS2711-1NEW
RV1S2211A
NEWRV1S2285A
PS2811-1PS2811-4
PS2841-4APS2841-4B
PS2911-1PS2913-1
PS2514-1
PS2562-1 PS2702-1 PS2802-1PS2802-4
PS2533-1PS2535-1 PS2733-1 PS2833-1
PS2833-4
PS2565-1 PS2705A-1 PS2805C-1PS2805C-4
PS2715-1 PS2815-1PS2815-4 PS2845-4A PS2915-1
PS2506-1 PS2706-1
DIP87 / 8 mm
SDIP6/87 / 8 mm
LSDIP814.5 mm
LSO58 mm
SO54.2 mm
LSSO58.2 mm
SO168 mm
PS9531 PS9331 PS9905 PS9031
PS9506 PS9307A
PS9332 PS9402
PS9513 PS9313PS9303PS9309
PS9013
PS9009
PS9113 NEWRV1S9213
PS8551A PS8352A SO84 mm
PS9551A PS9352A
PS9351 NEWRV1S9960A
NEWRV1S9060A
PS9151NEWRV1S9160A
NEWRV1S9260A
PS9851-1PS9851-2
PS9123
PS9587 PS9317 PS9001 PS9117A PS9817A-1PS9817A-2
PS9324 PS9924 PS9124 PS9821-1PS9821-2
PS9122 PS9822-1PS9822-2
PS8501PS8502 PS8302 PS8902 PS8101
SingleDC
Darlington
SingleAC
Darlington
IsolationAmplifier
IPM Driver
IGBTGate Driver
15 Mbps
10 Mbps
1 Mbps
35V, ≧2.0A
5V
5V
>20V
35V,0.6A
5V
5V
5V
3.3V/5V
3.3V, 5V
35V
Analog
Digital
Digital
CMOS
Totem PoleOpen
Collector
Digital
Analog
Digital
Δ-Σ Modulator
MotorDrive
Current /VoltageSensing
High SpeedCommunication
with ProtectionFunction
汎用
高温110、115
高耐圧 120V
低入力
高速 (20kbps)
汎用
高耐圧 350V
汎用
低入力
汎用
トランジスタ出力
IC出力 上段：パッケージ名下段：沿面距離
トライアック/サイリスタディスクリート
新しい平面構造を持つ信頼性の高いトライアック/サイリスタ 低い故障率実際の故障率：0.01ppm以下（長寿命）
電圧ストレスへの耐性チャネルストッパ構造により安定した性能と耐電圧性を実現
ルネサスの平面構造 1980年代からの古い構造 古い平面構造
構造の比較
平面構造電圧耐性の余裕 メサガラス構造 平面構造
電圧耐性の余裕のない構造
高品質および耐電圧性
T1
T2
P
P
P P
Gn+ n+ n+
n+
n+
チャネルストッパ
空乏層
ラッチアップ電流
(a)
チャネルストッパ
壊れやすいガラス構造
T2
T1 G
n-
空乏層n+ n+P
n+P
鉛ガラス
鉛ガラス
ガラスの気泡特性
電圧ストレスに耐えられない
T1
T2
P P
P
P
G
n+ n+
n+n-
(a)電圧印加時に水平方向に破壊
空乏層
比較
詳細
_–チャネルストッパは、安定した電圧耐性を実現します（高温、高電圧テストでも安定する高い信頼性）。_–電圧耐性を示す距離（a）が長い（耐電圧性が高くて堅牢）
_–異物（鉛ガラス）を使用することで、高温での高オフ電流（電流漏れ）が発生します。_–ガラスの気泡特性により、物理的なストレスへの耐性が低減し、壊れやすさ（もろさ）が増します。
_–対策なしでの安定しない電圧耐性（高温、高電圧テストに合格しない低い信頼性）_–電圧耐性を示す距離（a）が短い（耐電圧性が低くて壊れやすい）
電圧
ストレス
雷サージテスト（3Aバージョン）12kVで破損なし
雷サージテスト（3Aバージョン）12kVで破損なし
雷サージテスト（3Aバージョン）8kVで破損
トライアック品名主電圧
AC100V～120V AC200V～240V
_洗浄モータ BCR8PM-14LJBCR8FM-14LJBCR10PM-14LJBCR10FM-14LJ
BCR8PM-14LJBCR8FM-14LJ
_給水弁_排水弁_ターンオフリレー
BCR1AM-12A#FD0BCR08DS-14A
BCR08AM-14A#FD0
BCR08DS-14A
風呂水ポンプ BCR3FM-12RB#FA0BCR5FM-14LJ
BCR3FM-12RB#FA0BCR3FM-14LBBCR3AS-14B
モータ、バルブ、およびリレー用トライアック
~
M
V
M
RY
洗浄モータ
給水弁
排水モータ
自動オフリレー
MCU
Vcc
トライアック
洗濯機の例
24-25
トライアック（600V）品名 VDRM (V) IT (RSM) (A) ITSM (A) IGT (mA) Tj () パッケージ
BCR08AM-12A_ 600 0.8 8 5 125 TO-92
BCR08AS-12A_ 600 0.8 8 5 125 UPAK
BCR1AM-12A_ 600 1 10 7 125 TO-92
BCR3AS-12B_ 600 3 30 15 150 MP-3A
BCR5AS-12B_ 600 5 50 30 150 MP-3A_
BCR3PM-12LG_ 600 3 30 20 150 TO-220F_
BCR30AM-12LB_ 600 30 300 50 150 TO-3P
BCR40RM-12LB_ 600 40 400 50 150 TO-3PFM_
トライアック（700V および高電圧耐性）品名 VDRM (V) IT (RSM) (A) ITSM (A) IGT (mA) Tj () パッケージ
BCR08AM-14A_ 700 0.8 8 5 125 TO-92_
BCR3AS-14B_ 700 3 30 30 150 MP-3A_
BCR3PM-14LG 700 3 30 30 150 TO-220F_
BCR5AS-14LJ_ 700 5 50 30 150 MP-3A_
BCR5PM-14LJBCR5FM-14LJ_ 700 5 50 30 150 TO-220F
TO-220FP_
BCR8AS-14LJ_ 700 8 80 30 150 MP-3A_
BCR8PM-14LJBCR8FM-14LJ_ 700 8 80 30 150 TO-220F
TO-220FP_
BCR10PM-14LJBCR10FM-14LJ_ 700 10 100 30 150 TO-220F
TO-220FP_
BCR12PM-14LJBCR12FM-14LJ_ 700 12 120 30 150 TO-220F
TO-220FP_
BCR16PM-14LJBCR16FM-14LJ_ 700 16 160 30 150 TO-220F
TO-220FP_
BCR20PM-14LJBCR20FM-14LJ_ 700 20 200 30 150 TO-220F
TO-220FP_
BCR25PM-14LJBCR25FM-14LJ 700 25 250 50 150 TO-220F
TO-220FP_
BCR20RM-30LA_ 1,500 20 200 50 150 TO-3PFM_
トライアック製品ラインアップ
パッケージラインアップ
IGBTディスクリート
電力効率を改善した超低損失テクノロジ。発熱を低減。
注意：1. IGBT構造ではゲートがウェーハ表面でチャネルのような形となっていて、電界緩和構造が薄型ウェーハの裏面に相対的に形成されています。
超低損失、高速スイッチング 超薄型ウェーハテクノロジ
保証された堅牢性により信頼性の高いアプリケーションを実現
新しいトレンチフィールドストップ構造であるIGBT1テクノロジは、低損失と高速スイッチングを可能にします。
ルネサスはウェーハプロセスを継続的に改善することで常にトップの性能を維持しています。
伝導損失の少ない超薄型ウェーハ
最適化されたセルおよびガードリング構造
アプリケーションごとにさまざまなtsc
Tj_=_175度保証
Vge_=_±30V保証
A 社
C 社
第 6 世代Renesas
最大-30%
第 7 世代
第 8 世代 NEW
B 社
RBN50H65T1FPQ-A0
飽和
電圧
Vce（
sat）
[V]
スイッチング損失（Eon+Eoff）[mJ]性能向上
性能
向上
高い効率
薄型ウェーハ
高い 堅牢性
チョークコイルヒートシンク
ブリッジダイオード
入力AC170 ～ 264V
制御 ICサブボード
IC PS 出力390V/7.7A
IGBT ダイオード ダイオードIGBT
インターリーブ
インターリーブ
ファン
1000 1500 2000 2500 30005000
97.5
97.0
96.5
Renesas IGBT競合製品
Pout (W)
効率（
%）
IGBTを搭載したPFC評価ボード
優れたIGBT効率ルネサスのIGBTは、ピーク時や高負荷時のどちらでも競合製品より高い効率を実現します。
26-27
Gen. 品名VCE (V)
VGE (V)
IC (A) @100°C
IF (A)
VCE(sat) (V) VF (V) Tsc (μs)
Tj max (°C)
パッケージ 用途Typ Max Typ Max
G8H
RBN40H65T1FPQ-A0 650 ±30 40 30 1.5 2 1.7 2.2 - 175 TO-247A
Inverter_PFC
RBN50H65T1FPQ-A0 650 ±30 50 50 1.5 2 2 2.6 - 175 TO-247A
RBN75H65T1FPQ-A0 650 ±30 75 50 1.5 2 1.7 2.2 - 175 TO-247A
RBN25H125S1FPQ-A0 1250 ±30 25 15 1.8 2.34 2.9 3.77 10 175 TO-247A
RBN40H125S1FPQ-A0 1250 ±30 40 25 1.8 2.34 2.8 3.64 10 175 TO-247A
RBN75H125S1FP4-A0 1250 ±30 75 50 1.8 2.34 2.4 3.2 10 175 TO-247Plus
G7H
RJP65T43DPM-00 650 ±30 20 - 1.8 2.4 - - - 175 TO-3PFM
PFC
RJH65T04BDPM-A0 650 ±30 30 30 1.5 1.95 1.4 1.8 - 175 TO-3PFP
RJP65T54DPM-A0 650 ±30 30 - 1.35 1.68 - - - 175 TO-3PFP
RJP65T43DPQ-A0 650 ±30 30 - 1.8 2.4 - - - 175 TO-247A
RJH65T46DPQ-A0 650 ±30 40 15 1.8 2.4 1.7 2.3 - 175 TO-247A
RJH60T04DPQ-A1 600 ±30 30 20 1.5 1.95 1.2 1.6 - 150 TO-247AIH
RJH65T14DPQ-A0 650 ±30 50 20 1.45 1.75 1.2 1.6 - 175 TO-247A
IGBT 製品ラインアップ
TO-3PFM TO-247A TO-247Plus
パッケージ 品名 VDSS (V) ID (A) 標準QG (nC)最大RDS (on) (Ω)
標準Ciss (pF)10V [8V] 4V [4.5V] 2.5V [1.8V]
6-pin HUSON 2020
UPA2660T1R 20 4 4.5 - 0.042 0.062 330UPA2690T1R 20/-20 4/-3 4.5/5.1 - 0.042/0.079 0.062/0.105 330/473UPA2600T1R 20 7 7.9 - 0.0138 0.0191 870UPA2672T1R -12 -4 5 - 0.067 0.092 486UPA2670T1R -20 -3 5.1 - 0.079 0.105 473UPA2631T1R -20 -6 12.5 - 0.032 0.041 1240
8-pin HVSON-3333
UPA2821T1L 30 26 51 0.0038 0.0105 - 2490UPA2822T1L 30 34 83 0.0026 0.0075 - 4660UPA2813T1L -30 -27 80 0.0062 0.013 - 3130UPA2812T1L -30 -30 100 0.0048 0.0099 - 3740
8-pin HVSON-6051UPA2739T1A -30 -85 153 0.0028 0.0057 - 6050UPA2764T1A 30 130 180 0.0011 0.00245 - 7930
HSON-8 dual NP30N04QUK 40 30 27 0.008 - - 1600
HWSON-8
UPA2826T1S 20 27 37 0.0043 0.0048 0.0099 3610UPA2820T1S 30 22 50 0.0053 0.014 - 2330RJK03M5DNS 30 25 10.4 0.0063 0.0084 - 1350RJK1028DNS 100 4 3.7 0.165 0.18 - 450UPA2816T1S -30 -17 33.4 0.0155 0.045 - 1160UPA2815T1S -30 -21 47 0.011 0.023 - 1760UPA2814T1S -30 -24 74 0.0078 0.0145 - 2800
LFPAK
RJK0332DPB-01 30 35 14 0.0047 0.007 - 2180RJK0330DPB-01 30 45 27 0.0027 0.0039 - 4300RJK0328DPB-01 30 60 42 0.0021 0.0029 - 6380RJK0451DPB 40 35 14 0.007 0.0096 - 2010RJK0454DPB 40 40 25 0.0049 - - 2000RJK0452DPB 40 45 26 0.0035 0.0047 - 4030RJK0455DPB 40 45 34 0.0038 - - 2550RJK0456DPB 40 50 39 0.0032 - - 3000RJK0651DPB 60 25 15 0.014 0.018 - 2030RJK0654DPB 60 30 27 0.0083 - - 2000RJK0652DPB 60 35 29 0.007 0.009 - 4100RJK0656DPB 60 40 40 0.0056 - - 3000RJK0653DPB 60 45 42 0.0048 0.0061 - 6100RJK0851DPB 80 20 14 0.023 0.028 - 2050RJK0854DPB 80 25 27 0.013 - - 2000RJK0852DPB 80 30 28 0.012 0.014 - 4150RJK0855DPB 80 30 35 0.011 - - 2550RJK1051DPB 100 15 15 0.039 0.046 - 2060RJK1054DPB 100 20 27 0.022 - - 2000RJK1055DPB 100 23 35 0.017 - - 2550RJK1053DPB 100 25 43 0.013 0.015 - 6160RJK1056DPB 100 25 41 0.014 - - 3000
MP-25ZP/TO-263
NP60N04PDK 40 60 42 0.00395 0.0088 - 2450NP89N04PDK 40 90 68 0.00295 0.0062 - 3900NP60N06PDK 60 60 37 0.0079 0.012 - 24002SK3812-ZP 60 110 250 0.0028 0.0037 - 16800
パワーMOSFETディスクリート
28-29
パッケージ 品名 VDSS (V) ID (A) 標準QG (nC)最大RDS (on) (Ω)
標準Ciss (pF)10V [8V] 4V [4.5V] 2.5V [1.8V]
MP-3Z/TO-252 2SK3814-Z 60 60 95 0.0087 0.0105 - 5450
MP-3ZK/TO-252
2SJ687-ZK -20 -20 57 - 0.007 0.02 4400N0400P -40 -15 16 - 0.04 0.073 1400
2SJ598-ZK -60 -12 15 0.13 0.19 - 7202SJ601-ZK -60 -36 63 0.031 0.046 - 3300
MP-3ZP/TO-252
NP60N04VDK 40 60 42 0.00385 0.0086 - 2450NP75N04VDK 40 75 27 0.0057 0.0126 - 1630NP90N04VLK 40 90 68 0.0028 0.006 - 3800NP45N06VDK 60 45 25 0.0116 0.0196 - 1530NP90N06VDK 60 90 63 0.0053 0.0082 - 4000
Power SOP8UPA3753GR 60 5 13.4 0.056 0.072 - 640UPA2736GR -30 -14 80 0.007 0.0135 - 3400UPA2735GR -30 -16 195 0.005 0.0078 - 6250
SOP8 RJK0354DSP 30 16 12 0.007 0.0105 - 1740
TO-220
N0439N 40 90 68 0.0033 - - 3900N0412N 40 100 100 0.0037 - - 5550N0604N 60 82 75 0.0065 - - 4150N0602N 60 100 133 0.0046 - - 7730
TO-220FLRJK5030DPP-M0 500 5 13 1.6 - - 550RJK5033DPP-M0 500 6 - 1.3 - - 600
TO-220FP
RJK0703DPP-A0 75 70 56 0.0067 - - 4150RJK1003DPP-A0 100 50 59 0.011 - - 4150RJK1002DPP-A0 100 70 94 0.0076 - - 6450RJK1001DPP-A0 100 80 147 0.0055 - - 10000RJK5035DPP-A0 500 10 23 0.85 - - 765RJK6006DPP-A0 600 5 19 1.6 - - 600RJK6035DPP-A0 600 6 20 1.37 - - 765
TO-262N0434N 40 100 100 0.0037 - - 5550N0603N 60 100 133 0.0046 - - 7730
TO-263N0413N 40 100 100 0.0033 - - 5550N0601N 60 100 133 0.0042 - - 7730
WPAK
RJK03M5DPA 30 30 10.4 0.0065 0.0086 - 1350RJK0353DPA 30 35 14 0.0052 0.0076 - 2180RJK03M2DPA 30 45 21.2 0.0028 0.0037 - 2750RJK03M1DPA 30 50 25 0.0023 0.0031 - 3370RJK0346DPA 30 65 49 0.002 0.0027 - 7650RJK0658DPA 60 25 19.4 0.0111 - - 1580
WPAK（3F） RJK2075DPA 200 20 38 0.069 - - 2200
ルネサス低消費電力SRAMはすべてがソフトエラー対策品
ルネサスはソフトエラーフリーと低スタンバイ電流を両立
ロードマップ
SRAM type
低消費電力SRAM
256Kb 5V/3V, 1Mb 5V/3V,2Mb 3V, 4Mb 5V4Mb 3V, 8Mb 3V,16Mb 3V, 32Mb 3V(16Mbx2)
16Mb 3V
32Mb 3V
64Mb 3V
容量・電源電圧 CY2018 2019 2020 2021 2122 2023
0.15μm Advanced LPSRAM
0.11μm Advanced LPSRAM
0.13μm CMOS (ECC内蔵)
0.11μm Advanced LPSRAM0.15μm
量産中 新製品
0.15μm 0.11μm Advanced LPSRAM
低消費電力SRAMメモリ
高信頼性と長期安定供給／幅広い産業分野で採用実績
高信頼性・高品質_ルネサス独自のAdvanced_LPSRAM技術_ソフトエラー率実力値：0.1FIT/Mbit以下*
長期安定供給_一般産業分野で30年以上の実績**
豊富な製品ラインアップ_メモリ容量：256Kbから_業界最大容量64Mbまで
_容量互換性のあるパッケージ_ラインアップ*: α線および中性子線 加速試験に基づく推定値
**: 256Kビット製品以降の採用・サポート実績
会社名 ウエハプロセス 256Kb 1Mb 2Mb 4Mb 8Mb 16Mb 32Mb 64Mb
ルネサス
0.13μm_ECC内蔵
0.15μm_Advanced _(5V) 0.11μm_Advanced_へ世代交代
0.11μm_Advanced _(3V) 開発中
他社90nm_ECC無し
65nm_ECC内蔵 計画中 計画中
vs. ルネサス 0.11μm Advanced LPSRAM 他社 90nm品 (ECC 非内蔵)
ソフトエラー率 0.1 FIT / Mbit 以下 × 500～1,000_FIT_/_Mbit
vs. ルネサス 0.11μm Advanced LPSRAM 他社 65nm品 (ECC 内蔵)
スタンバイ電流 0.5μA (16Mb, typ.) × 5.5μA_(16Mb,_typ.)
ソフトエラー対策有無：対策有り 対策無し
30-31
低消費電力SRAM製品ラインアップ
プロセス メモリ容量 語構成 品名 パッケージ (ピン数) アクセス時間 動作電圧 動作温度
0.15μm Advanced 256Kbit 32K_x_8
R1LP5256ESP SOP_(28) 55ns 4.5V～5.5V -40～+85°C
R1LP5256ESA TSOP-I_(28) 55ns 4.5V～5.5V -40～+85°C
R1LV5256ESP SOP_(28) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°CR1LV5256ESA TSOP-I_(28) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
0.15μm Advanced 1Mbit 128K_x_8
R1LP0108ESN SOP_(32) 55ns 4.5V～5.5V -40～+85°CR1LP0108ESF TSOP-I_(32) 55ns 4.5V～5.5V -40～+85°CR1LP0108ESA sTSOP_(32) 55ns 4.5V～5.5V -40～+85°CR1LV0108ESN SOP_(32) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°CR1LV0108ESF TSOP-I_(32) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°CR1LV0108ESA sTSOP_(32) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
0.15μm Advanced 2Mbit
256K_x_8 R1LV0208BSA sTSOP_(32) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°C128K_x_16 R1LV0216BSB TSOP-II_(44) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
0.15μm Advanced 4Mbit 512K_x_8
R1LP0408DSP SOP_(32) 55ns 4.5V～5.5V -40～+85°C
R1LP0408DSB TSOP-II_(32) 55ns 4.5V～5.5V -40～+85°C
0.11μm Advanced 4Mbit
512K_x_8RMLV0408EGSP SOP_(32) 45ns 2.7V～3.6V -40～+85°CRMLV0408EGSB TSOP-II_(32) 45ns 2.7V～3.6V -40～+85°CRMLV0408EGSA sTSOP_(32) 45ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
256K_x_16RMLV0414EGSB TSOP-II_(44) 45ns 2.7V～3.6V -40～+85°CRMLV0416EGSB TSOP-II_(44) 45ns 2.7V～3.6V -40～+85°CRMLV0416EGBG FBGA_(48) 45ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
0.11μm Advanced 8Mbit
1M_x_8 RMLV0808BGSB TSOP-II_(44)45ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
55ns 2.4V～3.6V -40～+85°C
512K_x_16RMLV0816BGSB TSOP-II_(44)
45ns 2.7V～3.6V -40～+85°C55ns 2.4V～3.6V -40～+85°C
RMLV0816BGBG FBGA_(48)45ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
55ns 2.4V～3.6V -40～+85°C
512K_x_16_/_1M_x_8RMLV0816BGSA TSOP-I_(48)
45ns 2.7V～3.6V -40～+85°C55ns 2.4V～3.6V -40～+85°C
RMLV0816BGSD μTSOP_(52)45ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
55ns 2.4V～3.6V -40～+85°C
0.13μm CMOS
16Mbit_(ECC内蔵)
1M_x_16_/_2M_x_8 R1LV1616HSA TSOP-I_(48) 45ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
1M_x_16 R1LV1616HBG FBGA_(48) 45ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
0.11μm Advanced 16Mbit
1M_x_16_/_2M_x_8RMLV1616AGSA TSOP-I_(48) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°CRMLV1616AGSD μTSOP_(52) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
1M_x_16 RMLV1616AGBG FBGA_(48) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
0.11μm Advanced 32Mbit
2M_x_16_/_4M_x_8RMLV3216AGSA TSOP-I_(48) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°CRMLV3216AGSD μTSOP_(52) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
2M_x_16 RMLV3216AGBG FBGA_(48) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°C0.11μm
Advanced 32Mbit 2M_x_16 RMWV3216AGBG FBGA_(48) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
0.11μm Advanced 64Mbit
4M_x_16_/_8M_x_8RMWV6416AGSA TSOP-I_(48) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°CRMWV6416AGSD μTSOP_(52) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
4M_x_16 RMWV6416AGBG FBGA_(48) 55ns 2.7V～3.6V -40～+85°C
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