Exercise‐5 

1.  A bulb in a staircase has two switches, one switch being at the ground floor 

and the other one at the first floor. The bulb can be turned ON and also can 

be  turned OFF by any one of  the switches  irrespective of  the state of  the 

other switch. The logic of switching of the bulb resembles 

  a. an AND gate      b. an OR gate 

  c. an XOR gate      d. a NAND gate 

2.  Consider  a  vector  field  ( )A r .  The  closed  loop  line  integral  A dl∫ i  can  be 

expressed as 

  a.  ( )A ds∇ ×∫ i  over the closed surface bounded by the loop 

  b.  ( )A dv∇∫∫∫ i  over the closed volume bounded by the loop 

  c.  ( )A dv∇∫∫∫ i  over the open volume bounded by the loop 

  d.  ( )A ds∇ ×∫ i  over the open surface bounded by the loop 

3.  Two  systems  with  impulse  responses  h1(t)  and  h2(t)  are  connected  in 

cascade. Then the overall impulse response of the cascaded system is given 

by 

  a. product of h1(t) and h2( t) 

  b. sum of h1(t) and h2(t) 

  c. convolution of h1(t) and h2(t) 

  d. subtraction of h2(t) from h1( t ) 

4.  In a  forward biased p‐n  junction diode,  the  sequence of events  that best 

describes the mechanism of current flow is 

  a.  injection,  and  subsequent  diffusion  and  recombination  of  minority 

carriers 

  b. injection, and subsequent drift and generation of minority carriers 

  c. extraction, and subsequent diffusion and generation of minority carriers 

  d. extraction, and subsequent drift and recombination of minority carriers 

5.  In  IC  technology,  dry  oxidation  (using  dry  oxygen)  as  compared  to  wet 

oxidation (using steam or water vapor) produces 

  a. superior quality oxide with a higher growth rate 

  b. inferior quality oxide with a higher growth rate 

  c. inferior quality oxide with a lower growth rate 

  d. superior quality oxide with a lower growth rate 

6.  The maximum value of θ until which the approximation sin θ ≈ θ holds to 

within 10% error is 

  a. 10°     b. 18°     c. 50°      d. 90° 

7.  The divergence of the vector field  ˆ ˆ ˆx y zA xa ya za= + +  is 

  a. 0      b. 1/3     c. 1      d. 3 

8.  The  impulse response of a system  is h(t) = t u(t). For an  input u(t – 1), the 

output is 

  a

  c

9.  T

  T

re

  a

10.  In

tr

. 2

( )2t u t  

. 2( 1) (

2t u−

The Bode p

The  gain  (

espectively

. 39.8

s 

n  the  circu

ransistor Q

   

( 1)t −    

lot of a tra

20  log  |G

y. The pha

  b. 

uit  shown

Q and an id

ansfer func

G(s)|)  is  3

se is negat

2

39.8s

  below w

deal op‐am

b. ( 1)

2t t −

d. 2 1 (2

t u−

ction G(s) i

2  dB  and 

tive for all 

  c. 3

hat  is  the

mp are used

( 1)u t −  

( 1)t −  

s shown in

–8  dB  at

ω. Then G

32s  

e  output  v

d? 

n the figure

t  1  rad/s 

(s) is 

d.  2

32s

voltage  (Vo

e below. 

 

and  10  r

2

2 

out)  if  a  sil

rad/s 

licon 

  a

11.  C

a

fa

sc

  a

12.  F

   

   

  P

   

   

. –15 V 

Consider a 

s  shown  b

actor k, k 

caled by a 

. k2   

or 8085 m

MVI A

MVI 

PTR: ADD B

DCR 

JNZ P

  b. 

delta conn

below.  If  a

> 0,  the e

factor of 

  b. 

icroproces

A, 05H; 

B, 05H; 

B; 

B; 

PTR; 

–0.7 V

nection of

all  elemen

elements o

k 

ssor, the fo

 

f resistors 

nts  of  the 

of  the corr

  c. 1

ollowing pr

c. +0.7 

and  its eq

delta  con

responding

/k   

rogram is e

 

V   

uivalent st

nection  ar

g  star equ

 

d.  k

executed. 

d. +15 V

tar connec

re  scaled 

ivalent wi

k  

ction 

by  a 

ll be 

   

   

  A

  a

13.  T

u

is

  a

14.  F

th

  a

15.  In

st

  a

  b

ADI 0

HLT; 

At the end 

. 17H 

The bit rate

sed is 32‐Q

s 

. R/10 Hz 

or a perio

he fundam

. 100  

n a voltage

tatements

. The input

b. The inpu

03H; 

of program

  b. 

e of a digit

QAM. The 

  b. 

dic signal 

mental freq

  b. 

e‐voltage f

s is TRUE if 

t impedan

t impedan

m, accumu

20H

tal commu

minimum 

R/10 kHz

v(t) = 30 s

quency in r

300 

feedback a

the gain k

ce increas

ce increas

lator conta

  c. 2

nication sy

bandwidth

  c. R

sin 100t +

ad/s is 

  c. 5

as shown b

k is increase

es and out

es and out

ains 

3H   d

ystem is R 

h required

R/5 Hz 

10 cos 30

00  

below, wh

ed? 

tput imped

tput imped

d. 05H 

kbits/s. Th

 for ISI fre

d. R/

0t + 6 sin 

d. 15

ich one of

 

dance decr

dance also 

he modula

e transmis

/5 kHz 

(500t + π

500 

f the follow

reases. 

increases.

ation 

ssion 

/ 4), 

wing 

. 

  c. The input impedance decreases and output impedance also decreases. 

  d. The input impedance decreases and output impedance increases. 

16.  A band‐limited signal with a maximum frequency of 5 kHz is to be sampled. 

According  to  the  sampling  theorem,  the  sampling  frequency which  is not 

valid is 

  a. 5 kHz    b. 12 kHz    c. 15 kHz    d. 20 kHz 

17.  In  a  MOSFET  operating  in  the  saturation  region,  the  channel  length 

modulation effect causes 

  a. an increase in the gate‐source capacitance 

  b. a decrease in the transconductance 

  c. a decrease in the unity‐gain cutoff frequency 

  d. a decrease in the output resistance 

18.  Which one of the following statements  is NOT TRUE for a continuous time 

causal and stable LTI system? 

  a. All the poles of the system must lie on the left side of the jω axis. 

  b. Zeros of the system can lie anywhere in the s‐plane. 

  c. All the poles must lie within |s| = 1. 

  d. All  the  roots of  the characteristic equation must be  located on  the  left 

side of the jω axis. 

 

19.  T

  a

20.  A

h

  a

  b

  c

  d

21.  A

b

  a

22.  T

 

 

The minimu

. 0   

A polynomi

has 

. no real ro

b. no negat

. odd num

. at least o

Assuming  z

below to a 

. u(t)  

The transfe

um eigen v

  b. 

ial f(x) = a4

oots 

tive real ro

ber of real

one positiv

zero  initia

unit step i

  b. 

er function 

value of the

352

⎡⎢⎢⎢⎣

1 

4x4 + a3x

3 +

ot 

l roots 

ve and one 

l  conditio

nput u(t) is

tu(t)

2

1

( )( )

V sV s

 of t

e following

5 212 7

2 7 5

⎤⎥⎥⎥⎦

  c. 2

+ a2x2 + a1

negative r

n,  the  res

s 

  c. 2t

the circuit 

g matrix is

   

x – a0 with

real root 

sponse  y 

 

2

( )2t u t  

shown be

d. 3 

h all coeffi

(t)  of  the 

d. e–

low is 

cients pos

system  g

–t u(t) 

sitive 

given 

                    a. 0.5 1

1s

s+

+        b. 

3 62

ss

++

      c. 21

ss

++

         d.  12

ss

++

 

23.  A  source Vs(t) = V  cos100πt has an  internal  impedance of  (4 +  j3) Ω.  If a 

purely resistive  load connected to this source has to extract the maximum 

power out of the source, its value in Ω should be 

  a. 3      b. 4      c. 5      d. 7 

24.  The return loss of a device is found to be 20 dB. The voltage standing wave 

ratio (VSWR) and magnitude of reflection coefficient are respectively 

  a. 1.22 and 0.1      b. 0.81 and 0.1 

  c. –1.22 and 0.1      d. 2.44 and 0.2 

25.  Let g(t) = e–πt2 , and h(t) is a filter matched to g(t) . If g(t) is applied as input 

to h(t) , then the Fourier transform of the output is 

  a. 2fe−π     b. 

2 /2fe−π     c.  | |fe−π     d. 22 fe− π  

26  Let U and  V be two independent zero mean Gaussian random variables of 

variances 14 and 

19 respectively. The probability P(3V ≥ 2U) is 

  a. 4/9     b. 1/2     c. 2/3     d. 5/9 

27.  Let A be an m × n matrix and B an n × m matrix. It is given that determinant 

(Im + AB) = determinant  (In + BA), where  Ik  is the k × k determinant of the 

matrix  given  below  is  identity  matrix.  Using  the  above  property,  the 

determinant of the matrix given below is 

  a

28.  In

th

is

  a

29.  T

W

th

h

  a

. 2   

n the circu

he Theven

s 

. 100 ∠ 90

The open‐lo

When conn

hat  will  re

hundred tim

. 1   

  b. 

uit shown b

in’s equiva

0°    

oop  transf

nected in f

educe  the

mes as com

  b. 

2111

⎡⎢⎢⎢⎢⎣

5 

below,  if t

alent volta

b. 800

fer  functio

eedback a

e  time  co

mpared to 

5 

1 1 12 1 11 2 11 1 2

⎤⎥⎥⎥⎥⎦

  c. 8

he source 

age in Volt

0 ∠ 0° 

on of a dc 

s shown b

nstant  of 

that of the

  c. 1

⎤

⎦

 

8   

voltage V

s as seen b

c. 800 ∠

motor  is g

below, the 

the  close

e open‐loo

0   

d. 16

VS = 100 ∠ 

by the load

∠ 90°  

given as Vω

approxima

ed  loop  sy

op system i

d. 10

6 

53.13° V t

d resistanc

d. 100 ∠

( ) 1( ) 1a

sV sω

=+

ate value o

ystem  by 

s 

 

00 

then 

ce RL 

 

∠ 60° 

010s

. 

of Ka 

one 

30.  In

m

m

  a

2

31.  T

a

a

v

a

   

n the circu

mA.  To ma

minimum p

. 125 and 

50   

The  follow

ttenuator 

pplied acr

oltage VYZ2

cross WX. 

uit shown b

aintain  5V

power ratin

125   

wing  arran

which atte

oss WX to

2 = 100V  is

Then, VYZ1

below, the

V  across  R

ng of the Z

b. 125

ngement  c

enuates by

 get an op

s applied a

1 / VWX1 , VW

e knee curr

L,  the min

ener diode

5 and 250

consists  o

y a factor o

pen circuit 

across YZ t

WX 2 / VYZ2 a

rent of the

nimum  val

e in mW, re

c. 250 a

of  an  idea

of 0.8. An a

voltage VY

to get an o

are respect

e ideal Zen

lue  of  RL 

espectively

 

and 125 

al  transfo

ac voltage 

YZ1 across Y

open circu

tively, 

ner diode i

in  Ω  and 

y, are 

d.  250 

ormer  and

VWX1 = 100

YZ. Next, a

it voltage 

is 10 

the 

and 

d  an 

0V is 

an ac 

VWX2 

a. 125/1

  c

32.  T

c

W

fr

  a

  c

33.  T

+

  a

34.  T

M

d

μ

le

100 and 80

. 100/100 

Two magne

hosen  ope

When  conn

requency i

. q1 + q2 

. (q1R1 + q2

The impulse

+ δ (t – 3). T

. 0   

The  small‐s

MOSFET M

ata  for M

μA/V2,  thre

ength mod

0/100   

and 100/1

etically unc

erating  fre

nected  in  s

s 

   

2R2) / (R1 +

e response

The value o

  b. 

signal  resis

 shown  in 

M:  device  t

eshold  vol

dulation eff

b. 100

100 

coupled in

equency.  T

series,  the

 R2) 

e of a cont

of the step

1 

stance  (i.e

the figure

transcond

tage  VTN  =

fects) 

0/100 and 8

d. 80/100 

ductive co

Their  resp

eir effectiv

  b. (

d. (q1R2 +

tinuous tim

p response 

  c. 2

e.,  dVB/dID

e below, at

uctance  p

=  1V,  and 

80/100 

and 80/10

oils have Q

ective  res

ve Q  facto

1 / q1) + (1

q2R1) / (R1

me system 

at t = 2 is

   

)  in  kΩ  of

t a bias po

parameter

neglect  b

 

00 

Q factors q1

sistances  a

r at  the  sa

1 / q2) 

+ R2) 

is given by

d. 3 

ffered  by 

oint of VB =

kN  =  μnC’

body  effec

1 and q2 at

are  R1  and

ame opera

y h(t) = δ(t

the  n‐cha

= 2V  is (de

’ox  (W/L)  =

t  and  cha

t the 

d  R2. 

ating 

 – 1) 

nnel 

evice 

=  40 

nnel 

  a

35.  T

b

F

e

c

  a

36.  A

  L

  x

  A

   

. 12.5 

The ac sche

below, whe

or the n‐ch

ffect and c

utoff frequ

. 8   

A system is 

et x(t) be a

1( )

0x t ⎧

= ⎨⎩

Assuming t

  b. 

ematic of a

ere part o

hannel MO

channel le

uency in H

  b. 

described

a rectangu

0 totherw

< <

hat y(0) = 0

25 

an NMOS c

f  the biasi

OSFET M, t

ngth modu

z of the cir

32 

d by the dif

lar pulse g

2ise

 

0 and dydt

=

  c. 5

common‐s

ing  circuits

the transco

ulation eff

rcuit is app

  c. 5

fferential e

given by 

0=  at t = 0

0   

source stag

s has been

onductance

ect are to 

proximately

 

0   

equationdd

0, the Lapla

d. 10

ge is show

n omitted 

e gm = 1 m

be neglect

y at 

d. 20

2

2 5y dydt dy

+ +

ace transfo

00 

wn in the fig

for  simpli

mA/V, and b

ted. The lo

00 

6 ( )y t x+ =

orm of y(t) 

gure 

icity. 

body 

ower 

( )t .  

is 

a. 2

( 2)( 3)

ses s s

−

+ +      b. 

21( 2)( 3)

ses s s

−−+ +

      c. 2

( 2)( 3)

ses s

−

+ +  d. 

21( 2)( 3)

ses s

−−+ +

 

37.  A  system  described by  a  linear,  constant  coefficient, ordinary,  first order 

differential equation has an exact solution given by y(t) for t > 0, when the 

forcing  function  is   x(  t)   and  the  initial condition  is y(0).  If one wishes  to 

modify the system so that the   solution becomes –2y(t) for t > 0, we need 

to 

  a. change the initial condition to –y(0) and the forcing function to 2x(t) 

  b. change the initial condition to 2y(0) and the forcing function to –x(t) 

  c.  change  the  initial  condition  to  2 (0)j y  and  the  forcing  function  to 

2 ( )j x t  

  d. change the initial condition to –2y(0) and the forcing function to –2x(t) 

38.  Consider two  identically distributed zero‐mean random variables U and V. 

Let  the  cumulative  distribution  functions  of  U  and  2V  be  F(x)  and  G(x) 

respectively. Then, for all values of x 

  a. F(x) – G(x) ≤ 0      b. F(x) – G(x) ≥ 0 

  c. (F(x) – G(x)) × x ≤ 0    d. (F(x) – G(x))⋅ x ≥ 0 

39.  The DFT of a vector [ ]a b c d  is the vector [ ]α β γ δ . Consider the 

product 

   [ ] [ ]

a b c dd a b c

p q r s a b c dc d a bb c d a

⎡ ⎤⎢ ⎥⎢ ⎥=⎢ ⎥⎢ ⎥⎣ ⎦

 

  T

  a

  c

40.  T

YU

 

   

 

 

 

a.  25s

s +

41.  In

  a

The DFT of 

.  2 2⎡α β⎣

. [α + β β

The  signal 

( )( )

Y sU s

 for th

16 2

ss

++ +

     

n the circu

. 4   

the vector

2 2 ⎤γ δ ⎦

β + δ δ +

flow  grap

his system 

       b.  2s +

it shown b

  b. 

r [ p q r

 

]γ γ + α

h  for  a  sy

is 

16 2

ss

++ +

     

below the o

6 

]r s  is a s

  b.  ⎡⎣

  d. [

ystem  is  gi

    c.  2 4s

s+

+

op‐amps a

  c. 8

scaled vers

⎡ α β⎣

α β γ

iven  below

14 2s+

+   

re ideal. Th

8   

sion of 

γ δ

]δ  

w.  The  tra

        d. 5s

hen Vout in

 

d. 10

⎤⎦   

nsfer  func

2

16 2s+ +

 Volts is 

0 

ction 

42.  In

v

If

th

  a

43.  A

v

  a

  c

44.  T

re

th

n the circu

oltage and

f Vcc is + 5 V

hen the Bo

. XY   

A voltage 1

oltage me

. sin ωt 

. (sin ωt – 

Three  capa

espectively

he  interco

it shown b

d the diode

V, X and Y 

oolean exp

  b. 

000 sin co

asured acr

   

|sin ωt|) /

acitors  C1,

y, have bre

nnection s

below, Q1 h

e drops ne

are digita

pression fo

XY

ot Volts is a

ross WX in 

/2 

  C2  and  C

eakdown v

shown bel

has negligi

egligible vo

l signals w

r Z is 

  c. X

applied acr

Volts, is 

b. (sin ωt 

d. 0 for all

C3  whose 

voltages of

ow, the m

ible collect

oltage acro

with 0 V as 

XY  

ross YZ. As

+ |sin ωt|)

l t 

values  a

f 10V, 5V, 

maximum s

tor‐to‐emit

oss it under

logic 0 and

d. X

suming ide

) /2 

re  10µF, 

and 2V re

afe voltag

tter satura

r forward 

d Vcc as log

XY  

eal diodes,

5µF,  and 

spectively

e  in Volts 

ation 

bias. 

gic 1, 

, the 

2µF 

. For 

that 

c

in

re

  a

  c

45.  T

a

to

an be app

n  µC  sto

espectively

. 2.8 and 3

. 2.8 and 3

There are f

s shown  in

o addresse

lied across

red  in  th

y, 

36   

32   

four chips 

n the figur

es 

s the comb

he  effectiv

each of 10

re below. R

bination, a

ve  capaci

  b. 7

  d. 7

024 bytes 

RAMs 1, 2,

nd the cor

tance  acr

 

7 and 119

7 and 80 

connected

, 3 and 4 r

rrespondin

ross  the 

d to a 16 b

respective

ng total ch

terminals 

bit address

ly are map

arge 

are 

s bus 

pped 

 

  a

  b

  c

  d

46.  In

v

  a

47.  L

v

  a

 

. 0C00H‐0F

b. 1800H‐1

. 0500H‐08

. 0800H‐0

n  the  circu

alue of β. T

. 20   

et  U  and

ariables su

. 3/4  

FFFH, 1C00

FFFH, 2800

8FFH, 1500

BFFH, 1800

uit  shown 

The requir

  b. 

  V  be  tw

uch that P(

  b. 

0H‐1FFFH, 

0H‐2FFFH,

0H‐18FFH,

0H‐1BFFH,

below,  th

red value o

30 

wo  indepe

U = +1) = P

1 

2C00H‐2F

3800H‐3F

3500H‐38

, 2800H‐2B

he  silicon 

of R2 in kΩ

  c. 4

endent  an

P(U = –1) =

  c. 3

FFH, 3C00

FFH, 4800

8FFH, 5500

BFFH, 3800

npn  trans

to produc

 

40   

d  identica

= 12. The e

/2  

H‐3FFFH 

H‐4FFFH 

H‐58FFH 

0H‐3BFFH 

sistor Q  ha

e IC = 1 mA

d. 50

ally  distrib

ntropy H(U

d. log

as  a  very 

A is 

0 

buted  ran

U + V) in bi

g23 

high 

dom 

its is 

Comm

Bits 1 a

respect

48.  If

  a

49.  T

  a

Commo

Conside

50.  T

th

on Data 

nd 0 are tr

ive receive

f the detec

. 12   

The optimu

. 12   

on Data for

er the follo

The current

he current

Question

ransmitted

ed signals f

ction thres

  b. 

um thresho

  b. 

r Question

owing figur

t IS in Amp

t source re

ns: Commo

d with equ

for both bi

hold is 1, t

14 

old to achie

45 

ns 50 and 5

re 

ps in the vo

spectively,

on Data fo

al probabi

its are as s

the BER wi

  c. 18

eve minim

  c. 1

51: 

oltage sou

, are 

or Question

lity. At the

hown belo

ll be 

18   

um bit err

   

urce, and v

ns 48 and 4

e receiver, 

ow. 

d. 1

16

ror rate (BE

d. 32

 

voltage VS 

49: 

the pdf of

 

6 

ER) is 

 

in Volts ac

f the 

cross 

  a

51.  T

  a

Linked

Stateme

A mono

directio

and tran

52.  T

  a

  b

  c

. 13, –20  

The current

. 2   

d Answer 

ent for Lin

ochromatic

on as show

nsmitted e

The angle o

. 60 and E°

b. 45 and°

. 45 and E°

   

t in the 1Q

  b. 

Question

nked Answ

c plane wa

wn in the fig

electric fiel

of incidenc

0 ˆ ˆ(2 x z

E a a−

0 ˆ ˆ(2 x z

E a a+

0 ˆ ˆ(2 x z

E a a−

b. 8, –

Q resistor in

3.33

ns 

wer Questio

ave of wa

gure below

d vectors a

e θi and th

410 (3 2)

xj

z eπ× +

−

410 (3)

xj

z eπ× +−

410 (3 2)

xj

z eπ× +

−

–10 

n Amps is

  c. 1

ons 52 and

velength λ

w.  ,i rE E , 

associated

he expressi

)

V/mz+

 

)

V/mz+

 

)

V/mz

 

c. –8, 2

0   

d 53: 

λ = 600 μ

and  tE  de

d with the w

 

ion for  iE

0   

d. 12

m  is prop

enote incid

wave. 

are 

d. –13, 2

2 

pagating  in

dent, reflec

20 

n  the 

cted, 

  d

53.  T

  a

  b

  c

  d

Stateme

The stat

variable

54.  T

  a

. 60 and°

The express

.  00.23 (2

E

b.  0 ˆ(2 x

E a−

.  00.44 (2

E

.  0 ˆ(2 x

E a +

ent for Lin

te diagram

e equation

The state‐v

. 

[

1X

1

1y

−⎡= ⎢

⎣= −

i

0 ˆ ˆ(2 x z

E a a−

sion  rE  is 

ˆ ˆ( )x za a e−

+

103ˆ )

j

za eπ×

+

ˆ ˆ( )j

x za a e−

+

4103ˆ )

j

za eπ×−

+

nked Answ

m of a syste

s 

ariable eq

]

0X

1

1 X u

⎤ ⎡+⎥ ⎢− ⎦ ⎣

− +

4103) V

zj

z eπ×−

410 ( )3 2 V/

x zj π× −

40

V/mz

 

410 ( )3 2 V/

x zj π× −

( )3 V/m

x z+

 

wer Questio

em is show

uations of 

11

u−⎡ ⎤

⎥⎣ ⎦

V/m  

/m  

/m  

ons 54 and

wn below. A

the system

  b. X

y

d 55: 

A system i

m shown in

[

1X

1

1y

−⎡= ⎢− −⎣= − −

i

s describe

n the figure

]

0 1X

1 1

1 X u

−⎤ ⎡+⎥ ⎢− ⎦ ⎣

+

d by the st

e above ar

1u⎤

⎥⎦  

tate‐

 

re 

  c. 

[ ]

1 0 1X X

1 1 1

1 1 X

u

y u

− −⎡ ⎤ ⎡ ⎤= +⎢ ⎥ ⎢ ⎥− −⎣ ⎦ ⎣ ⎦= − − −

i

    d. 

[ ]

1 1 1X X

0 1 1

1 1 X

u

y u

− − −⎡ ⎤ ⎡ ⎤= +⎢ ⎥ ⎢ ⎥−⎣ ⎦ ⎣ ⎦= − −

i

 

55.  The state transition matrix eAt of the system shown in the figure above is 

  a. 0t

t t

ete e

−

− −

⎡ ⎤⎢ ⎥⎣ ⎦

  b. 0t

t t

ete e

−

− −

⎡ ⎤⎢ ⎥−⎣ ⎦

  c. 0t

t t

ee e

−

− −

⎡ ⎤⎢ ⎥⎣ ⎦

  d. 0

t t

t

e tee

− −

−

⎡ ⎤−⎢ ⎥⎣ ⎦

 

 

Key for Excerise‐5 

 

Q.NO  KEY 

1.          C 

2.          D 

3.          C 

4.          A 

5.          D 

6.          C 

7.          D 

8.          C 

9.          B 

10.      B 

11.      B 

12.      A 

13.      B 

14.      A 

15.      A 

16.      A 

17.      D 

18.      C 

19.      A 

20.      D 

21.      B 

22.      D 

23.      C 

24.      A 

25.      D 

26.      B 

27.      B 

28.      C 

29.      C 

30.      B 

31.      B 

32.      C 

33.      B 

34.      B 

35.      A 

36.      B 

37.      D 

38.      D 

39.      A 

40.      A 

41.      C 

42.      B 

43.      D 

44.      C 

45.      D 

46.      C 

47.      C 

48.      D 

49.      B 

50.      D 

51.      C 

52.      C 

53.      A 

54.      A 

55.      A