Chequeo de transistores Bipolares, MosFet e IGBT

La manera mas fácil de aprender y recordar como chequear transistores, es aprendiendo a chequear los

Diodos.

Un Diodo es un semiconductor de dos terminales como el de la siguiente figura:

Aunque se fabrican en distintos tamaños, capacidades, características y formas físicas; el chequeo básico es

el mismo. Consiste en averiguar que no este corto, con fugas o abierto.

El anillo gris claro en uno de sus extremos, señala la terminal K que traduce a nuestro idioma Cátodo. El

extremo contrario viene a ser el Ánodo.

La siguiente figura, nos recuerda el símbolo usado en los diagramas:

Una manera excelente de ilustrar esto es con los Diodos LED. Un Diodo LED para que encienda debe estar

correctamente polarizado. Observe la siguiente captura realizada con el simulador Crocodile:

Note como el LED del lado derecho tiene invertida la polaridad del voltaje entregado por la batería, razón

por la cual no conduce y por lo tanto no enciende!

Ahora si pasemos a los Diodos convencionales usados comúnmente como rectificadores.

Dijimos que las tres pruebas a realizar son:

1. Que no este corto

2. Con fugas

3. Abierto.

Repasemos como hacerlo. Coloque la llave de su Téster en la posición para chequeos de Diodos.

Asegúrese de colocar las puntas en el plug correspondiente: Punta negra en el conector negro o COM, y la

punta roja en el conector rojo o marcado V, Ω, mA. Esto es muy importante, para obtener más confiabilidad

de los chequeos.

Coloque la punta roja en el Ánodo y la negra en el Cátodo. Estando así, polarizamos el Diodo en prueba de

modo correcto, y por lo tanto el debe conducir y el Téster nos indicará una medida aproximada de 500 a no

ser que se trate de un Diodo especial como los Schottky que miden menos.

Esto sea dicho de paso porque los Diodos convencionales de Silicio con una tensión directa de 0,7 V se hace

conductor, mientras que los Diodos Schottky conducen con una tensión inferior que va desde los 0,2 a los

0,4 voltios. De modo que si la medida es muy baja, probablemente el Diodo este en corto. Para asegurarnos,

simplemente invertimos las puntas; los Diodos polarizados inversamente no deben conducir a no ser que se

trate de un Diodo Zéner de tan bajo valor en Voltios, que el voltaje entregado por el Téster de su batería

interna, lo alcance a activar.

Así que si al polarizar el Diodo en sentido contrario nos da alguna lectura, el Diodo tiene fugas; hay que

reemplazarlo!

Con esto ya hemos realizado las tres pruebas: Corto, fugas o que este abierto. Si, porque si el Diodo al

polarizarlo de modo correcto conduce, pero al invertir su polarización no lo hace, el Diodo esta

respondiendo correctamente a la polarización.

Pasemos ahora a los transistores comunes de Silicio.

Un transistor para efectos de prueba se puede entender como dos Diodos en contraparte. Pero antes debemos

tener bien claro el tipo de polaridad del transistor, es decir si es NPN o PNP; porque de lo contrario vamos a

estar perdidos para concluir al final de las pruebas, si el transistor esta bueno o malo.

Las siguientes figuras ilustran el circuito equivalente únicamente para realizar las pruebas; no se quiere decir

que un transistor se pueda reemplazar con un par de Diodos. El transistor del lado izquierdo es NPN y el de

la derecha PNP.

Empecemos entonces con los transistores más comunes, los del tipo NPN.

Si fuésemos a chequear este transistor, debemos asegurarnos de los mismos tres conceptos estudiados con

los Diodos: que no este corto, con fugas y que este conduciendo al polarizarlo correctamente. Veamos

como hacerlo…

El orden no importa, pero se podría empezar por chequear la juntura C – E que es la que más se daña

poniéndose en corto circuito.

Note que hemos colocado la punta roja en el pin correspondiente al Colector y la punta negra al pin

Emisor. De este modo estamos polarizando esas junturas que corresponden al equivalente a dos Diodos en

serie pero en contraparte, con lo cual los Diodos nunca conducirán por no quedar completamente polarizado.

Por eso el micro-amperímetro del simulador indica 0 uA. En otras palabras no hay circulación de corriente.

Lo mismo ocurrirá con la prueba al invertir las puntas…

Observe que la captura indica nuevamente 0 uA. Eso nos confirma que el transistor tiene en buen estado esas

junturas. Pero si nos ha dado alguna indicación de circulación de corriente, es porque esta con defectos o

fugas.

La siguiente prueba que debemos hacer, es la correspondiente a las junturas que incluyan la Base. (B – E y

B – C)

Prueba de juntura B – E

Observe que hemos colocado la punta roja (+) en la terminal E y la punta negra (-) en la terminal B.

Sabemos que de esta manera nos queda la juntura o (diodo equivalente) inversamente polarizado, por lo

tanto no debe conducir y el amperímetro no indicara circulación alguna de corriente si se encuentra en buen

estado. Si invertimos las puntas…

Note como ahora hay circulación de corriente y el miliamperímetro indica 8,32 mA. Si no hubiese

circulación de corriente, indicaría que esa juntura está abierta, o no se está activando.

Vayamos ahora a la juntura B – C.

Ahí nuevamente la juntura o Diodo equivalente nos quedara inversamente polarizado. Por lo tanto si esta

buena, no debe indicar circulación de corriente.

Cualquier indicación mínima de circulación de corriente, es un claro indicio que el transistor tiene problemas

en esa parte. Contario a si lo polarizamos de modo correcto. Véalo en la siguiente captura:

Así, el simulador indico una circulación de corriente de 8,32 mA.

Con esto podemos dar por terminada las pruebas a un transistor bipolar tipo NPN. Para los transistores tipo

PNP, es el mismo procedimiento, solo que la polarización es inversa tal como lo indica la siguiente grafica.

MUY IMPORTANTE!

Si al hacer la medición E-C o C-E la lectura es equivalente a un Diodo, probablemente se trate de un

transistor que internamente tiene un Diodo de protección Damper.

Obviamente el Diodo Damper registrara en la posición correcta, es decir para el transistor tipo NPN, como

el de la figura anterior. Cátodo en el Colector y Ánodo en el Emisor. Si es tipo PNP estará exactamente al

contrario.

Si en las medidas realizadas a un transistor mide una ligera circulación de corriente o medida en ohmios de

Base a Emisor, pudiera tratarse de un transistor con resistencia de B –E como lo ilustra la grafica siguiente:

En este caso es una resistencia de 40 ohmios que se puede medir con el Téster en la escala para Ohmios y

que lógicamente medirá en ambos sentidos.

Otra probabilidad que pudiera darse es que al medir entre B – E no de medida alguna en ningún sentido.

Esto porque se puede tratar de un transistor tipo Darlington.

Es razonable deducir que bien podemos medir la juntura B – C del primer transistor de la izquierda, mas no

la juntura B – E de este y mucho menos la del transistor de la derecha. Lo único que se puede medir por el

método convencional en este tipo de transistor es: la juntura antes mencionada (B – C; y la juntura C – E del

transistor del lado derecha.

Y para termianr con este apartado de posibilidades, cabe mencionar los transistores llamados “digitales”.

Estos transistores tal como lo muestra la imagen superior, tienen dentro de su encapsulado dos resistencias.

Una conectada a la Base y la otra entre Base y Emisor. Es de lógica calcular que nuestro Tester no alcance a

polarizarlo y por lo tanto nos de una medida errónea de “abierto”. Para esos casos hay que “probarlo en

caliente”, es decir en el mismo circuito energizado y buscar la manera de “ver” que este primeramente bien

polarizado, y segundo que este haciendo su trabajo.

Otra posibilidad, seria hacernos un circuito “Probador dinamico” para estos, junto con los Darlington.

Seria lago asi como un circuito que nos permita colocarlo, polarizarlo, activarlo y “verlo” en accion.

Observa la

captura hecha al simulador en accion:

Y ahora como seria nuestro “Probador de transistores Darlington”

Todo lo anterior hay que confirmarlo con la ayuda de la hoja de datos del fabricante o Datasheet para estar

seguros que la medida registrada realmente corresponda a esos tipos de transistores “especiales” y que si

estén dañados.

Ahora que se tiene un buen refrescamiento de cómo probar o chequear transistores, podemos pasar a

aprender a chequear los transistores que pudiéramos llamar de “última generación” aunque en realidad solo

lo es para la tecnología domestica: Los transistores MOSFET e IGBT.

Chequeo de transistores MOSFET e IGBT

Últimamente nos hemos visto como técnicos electrónicos de aparatos domesticos, enfrentados a una familia

de transistores no tan comunes llamados MOSFET e IGBT. La pregunta de siempre es: ¿Cómo se

chequean?

En este artículo voy a indicarle el método que utilizo para saber con certeza su estado. Empezare con los

transistores MOSFET.

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo

que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción.

Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. La

siguiente figura ilustra los símbolos usados en los diagramas:

Sus terminales físicas se identifican así:

Viendo el transistor de frente, se cuentan las terminales de izquierda a derecha donde el

1 corresponde al Gate,

2 al Drenaje

3 al Source.

Las terminales que soportan el paso mayor de corriente son el D (Drenaje) y el S (Source). En otras palabras

como estos transistores son usados comúnmente como suiches, el interruptor estará entre esas terminales. La

terminal Gate (puerta) es la de control.

La falla mas común de los transistores MOSFET es que se corto-circuite sus terminales D – S quedando

como un interruptor siempre cerrado. De modo que lo primero a chequear en la escala para Diodos es que

esa juntura este infinita o en algunos casos, que mida un Diodo Damper con el Cátodo en la terminal D y el

Ánodo en la terminal S para los de canal N. En los de canal P, el diodo estará inverso. La presencia o no del

Diodo Damper la confirmara el Datasheet como ya menciono arriba.

Sin embargo habrá casos en los que necesitemos asegurarnos que el transistor se esté activando al recibir la

orden de disparo. La manera de hacerlo es como a continuación se la describo:

Primero mido en la escala para Diodos que no haya corto circuito entre las terminales D y S. Si tiene

Damper (no todos los tienen), dará un valor alrededor de 500. Si no lo tiene, debe indicar infinito; lo mismo

que al invertir las puntas.

Luego sin retirar la punta COM (negra), colocamos la punta “Roja” en la terminal G del transistor en

prueba.

Esto con el fin de “cargar” la compuerta o terminal G, de modo que cuando volvamos a colocar la punta

roja en la terminal D, encontremos el transistor activo al menos por unos segundos.

Si corto-circuitamos las terminales G – S, el MOSFET volverá a su estado de reposo, es decir que al tomar

la medida entre D y S indicara infinito o nuevamente el Damper si lo tiene.

Y… con los IGBT?

Buena noticia! Exactamente lo mismo!!!

La imagen superior enseña los diferentes símbolos usados en los diagramas, y al lado derecho, un circuito

equivalente para entender lo que se dice de los IGBT; que son una combinación de transistor bipolar con los

MOSFET.

ADVERTENCIA: Si tu Multímetro no alcanza a activar los MOSFET o lo IGBT, es porque el voltaje

entregado es muy bajo. Los más óptimos son los que internamente tienen batería de 9V.

Pero no se preocupe! El transistor lo puede activar con una batería de 9V desechada, que al menos este

entregando unos 6V.