catalogo de dispositivos semiconductores
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Estudiante: Loreana GómezElectrotecnia: 5-9
Construido con una unión PN este tipo de diodo normalmente los que
están hechos de silicio soportan elevadas temperaturas siendo su
resistencia muy baja y la corriente de tensión inversa muy pequeña por lo
que se pueden construir diodos de pequeñas dimensiones.
Curva característica Símbolo
La corriente en la
región Zener tiene
una dirección opuesta
a la de un diodo
polarizado
directamente. El diodo
Zener es un diodo que
ha sido diseñado para
trabajar en la región
Zener.
Se utilizan con frecuencia en los circuitos osciladores, con el
fin de contrarrestar la resistencia propia del circuito y minimizar
la amortiguación de la onda a través del tiempo.
Símbolo Curva característica
Un diodo de este tipo presenta un comportamiento muy
parecido al de un diodo rectificador pero su tensión de
umbral se encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo del color
de diodo.
Curva característica Símbolo
Son dispositivos semiconductores construidos con una
unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible e
infrarroja. Para su buen funcionamiento se deberá polarizar
inversamente.
Símbolo curva característica
(“Bipolar Junction Transistor”)Se trata de interruptores de
potencia controlados por corriente. El BJT no soporta
tensiones en el sentido opuesto porque la elevada
concentración de impurezas del emisor provoca la ruptura
de J1 en bajas tensiones (5 a 20 V).
Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor
en paralelo.
Transistores de efecto de campo. (Field Effect Transistor)
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-
effect transistor) es utilizado para amplificar o conmutar
señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o
digitales.
En la realidad Símbolo
(Rectificador Controlado de Silicio) es un dispositivo
semiconductor biestable formado por tres uniones PN con
la disposición PNP. Está formado por tres terminales,
llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre
ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es
un elemento unidireccional (sentido de la corriente es
único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a
la vez.
Es un tiristor capaz de conducir corriente en ambos
sentidos. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a
la disposición que formarían dos SCR en direcciones
opuestas. El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de
los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre los
terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo.
Símbolo Real
Disparable que conduce la corriente sólo tras haberse
superado su tensión de disparo, y mientras la corriente
circulante no sea inferior al valor característico para ese
dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el
mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayoría
de los DIAC tienen una tensión de disparo de alrededor de
30 V. Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan
normalmente para disparar los triac.
(Insulated Gate Bipolar Transistor) generalmente se aplica
como interruptor controlado en circuitos de electrónica de
potencia. Es adecuado para velocidades de conmutación de
hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas
aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias
energía como fuente conmutada, control de la tracción en
motores y cocina de inducción.
