los dispositivos semiconductores consisten de un cristal conformado de átomos de silicio o germanio...

Los dispositivos semiconductoresLos dispositivos semiconductores•Consisten de un cristal conformado de átomos de silicio o germanio

si si- - si- - si- - si- -

si si- - si- - si- - si- -

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si si- - si- - si- - si- -

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si si- - si- - si- - si- -

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Enlaces covalentes

si si- - si- - si- - si- -

si si- - si- - si- - si- -

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si si- - si- - si- - si- -

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si si- - si- - si- - si- -

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Se somete un cristal a temperatura

si si- - si- - si- - si- -

si si- - si-

-

si- - si- -

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si si- - si- - si--

si- -

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si si- - si- - si- - si- -

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Valencia

Conducción

Bandas de energía

- -

-

Hueco

Electrón

Se somete un cristal a temperatura

si si- - si- - si- - si- -

si si- - si-

-

si- - si- -

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si si- - si- - si--

si- -

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--

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si si- - si- - si- - si- -

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--

--

Valencia

Conducción

Bandas de energía

- -

-E

+ -

E

Los huecos y electronesse conocen como portadores

si si- - si- - si- - si- -

si si- - si-

-

Br- - si-

--

--

--

--

--

si Br- - si- - si--

si- -

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--

--

si si- - si- - si- - si- -

-- -

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--

Contaminación de un cristal (Dopado) con atomos trivalentes: 3e- (boro, indio,aluminio)

Se tienen más huecos en la banda de valencia

Los portadores mayoritarios son huecos

Este tipo de cristal se conoce comomaterial tipo P

Hueco extra

si si- - si- - si- - si- -

si si- - si-

-

Sb- - si-

--

--

--

--

--

si Sb- - si- - si--

si- -

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--

--

--

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si si- - si- - si- - si- -

-- -

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--

Contaminación de un cristal (Dopado) con atomos pentavalentes: 5e- (fósforo, arsénico, antimonio)

Se tienen más electrones en la banda de conducción

Los portadores mayoritarios son electrones

Este tipo de cristal se conoce comomaterial tipo n

-

- -

-

Electrón extra

-- -- --

--np

Estos son materiales electricamente neutros

-- -- --

--np

-- -- --

--n

p

Los electrones buscanlos huecos que están del otro lado dela unión y se recombinan ...

- -- --

-

np

Los electrones buscanlos huecos que están del otro lado dela unión y se recombinan ...

--

+

+

produciendo cargas netas positivas del lado de la unión ny cargas netas negativas del lado de la unión p

La barrera que formanlos iones negativos no permiten que continue la recombinanción de electrones y huecos

Zona de agotamiento

- -- --

-

np -

-+

+

El diodo:

Polarización a favor

p n

+ - La barrera es superada por lapresencia del campo eléctrico

ID

- -- --

-

np -

-+

+

El diodo:

Polarización en contra

p n

+-La barrera es favorecida por lapresencia del campo eléctrico

Io

ID

VD

0.7V

Polarización en contra

Polarización a favor