los dispositivos semiconductores consisten de un cristal conformado de átomos de silicio o germanio...
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Los dispositivos semiconductoresLos dispositivos semiconductores•Consisten de un cristal conformado de átomos de silicio o germanio
si si- - si- - si- - si- -
si si- - si- - si- - si- -
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si si- - si- - si- - si- -
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si si- - si- - si- - si- -
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Enlaces covalentes
si si- - si- - si- - si- -
si si- - si- - si- - si- -
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si si- - si- - si- - si- -
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si si- - si- - si- - si- -
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Se somete un cristal a temperatura
si si- - si- - si- - si- -
si si- - si-
-
si- - si- -
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si si- - si- - si--
si- -
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si si- - si- - si- - si- -
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Valencia
Conducción
Bandas de energía
- -
-
Hueco
Electrón
Se somete un cristal a temperatura
si si- - si- - si- - si- -
si si- - si-
-
si- - si- -
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si si- - si- - si--
si- -
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si si- - si- - si- - si- -
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--
Valencia
Conducción
Bandas de energía
- -
-E
+ -
E
Los huecos y electronesse conocen como portadores
si si- - si- - si- - si- -
si si- - si-
-
Br- - si-
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--
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si Br- - si- - si--
si- -
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si si- - si- - si- - si- -
-- -
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Contaminación de un cristal (Dopado) con atomos trivalentes: 3e- (boro, indio,aluminio)
Se tienen más huecos en la banda de valencia
Los portadores mayoritarios son huecos
Este tipo de cristal se conoce comomaterial tipo P
Hueco extra
si si- - si- - si- - si- -
si si- - si-
-
Sb- - si-
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--
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--
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si Sb- - si- - si--
si- -
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si si- - si- - si- - si- -
-- -
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Contaminación de un cristal (Dopado) con atomos pentavalentes: 5e- (fósforo, arsénico, antimonio)
Se tienen más electrones en la banda de conducción
Los portadores mayoritarios son electrones
Este tipo de cristal se conoce comomaterial tipo n
-
- -
-
Electrón extra
-- -- --
--np
Estos son materiales electricamente neutros
-- -- --
--np
-- -- --
--n
p
Los electrones buscanlos huecos que están del otro lado dela unión y se recombinan ...
- -- --
-
np
Los electrones buscanlos huecos que están del otro lado dela unión y se recombinan ...
--
+
+
produciendo cargas netas positivas del lado de la unión ny cargas netas negativas del lado de la unión p
La barrera que formanlos iones negativos no permiten que continue la recombinanción de electrones y huecos
Zona de agotamiento
- -- --
-
np -
-+
+
El diodo:
Polarización a favor
p n
+ - La barrera es superada por lapresencia del campo eléctrico
ID
- -- --
-
np -
-+
+
El diodo:
Polarización en contra
p n
+-La barrera es favorecida por lapresencia del campo eléctrico
Io
ID
VD
0.7V
Polarización en contra
Polarización a favor