vabariigi valitsuse 5. oktoobri 1994. a. määruse nr. 356 ... · leht 2 / 53 vabariigi valitsuse...

Väljaandja: Vabariigi ValitsusAkti liik: määrusTeksti liik: algtekstAvaldamismärge: RT I 1997, 17, 295

Vabariigi Valitsuse 5. oktoobri 1994. a.määruse nr. 356 "Strateegilise kauba välja- jatransiitveo seaduse rakendamine" muutmine

ja strateegiliste kaupade nimekirja kinnitamine

Vastu võetud 18.02.1997 nr 38

Strateegilise kauba välja- ja transiitveo seaduse (RT I 1994, 30, 466) paragrahvi 2 lõike 2 ja paragrahvi 3 lõike 2alusel Vabariigi Valitsus määrab:1.Muuta Vabariigi Valitsuse 5. oktoobri 1994. a. määrusega nr. 356 «Strateegilise kauba välja- ja transiitveoseaduse rakendamine» (RT I 1994, 70, 1220; 1996, 11, 235) kinnitatud «Strateegilise kauba välja- ja transiitveokorra» punkti 5 alapunkti 2 ning sõnastada see järgmiselt:

«2) läbi Eesti tolliterritooriumi veetava transiitveose korral, kui kauba saaja ja sihtriik on samad, millest kaubalähteriigi eksportija on informeerinud Välisministeeriumi, juhul kui kaup seati väljaveoks valmis eksportivasriigis. See erand kehtib ainult juhul kui lähteriigi eksportija on Välisministeeriumile edastanud rahvusvaheliseimpordisertifikaadi, mille on väljastanud sihtriigi vastav asutus. See erand ei kehti relvade, laskemoona jamuu sõjalise varustuse (nimekiri 4) kohta ning nimekirja 5 alapunktide 5.1.6; 5.1.16.2; 5.1.16.6; 5.2.6; 5.3.1.1kohta».

2.Kinnitada juurdelisatud «Strateegiliste kaupade nimekiri».

3.Tunnistada kehtetuks Vabariigi Valitsuse 26. jaanuari 1996. a. määruse nr. 30 «Vabariigi Valitsuse 5. oktoobri1994. a. määruse nr. 356 muutmine ja strateegiliste kaupade nimekirja kinnitamine» (RT I 1996, 11, 235) punkt2.

Peaminister Tiit VÄHIKaitseminister välisministriülesannetes Andrus Öövel

Riigisekretär Uno VEERING

KinnitatudVabariigi Valitsuse 18. veebruari 1997. a.

määrusega nr. 38

Strateegiliste kaupade nimekiri

1) Nimekiri 1: Keemiliste või bioloogiliste relvadega seotud kaubadja uimastite ebaseadusliku valmistamisega seotudkemikaalid

2) Nimekiri 2: Aatomitehnoloogia, sellega seotud materjalid javarustus

3) Nimekiri 3: Raketid ja nende juurde kuuluvad seadmed jatehnoloogia

4) Nimekiri 4: Relvad, laskemoon ja muu sõjaline varustus5) Nimekiri 5: Kahese kasutusega kaupade ja materjalide nimekiri

Nimekiri 1: Keemiliste või bioloogiliste relvadega seotudkaubad (Austraalia Grupi (edaspidi AG) nimekiri);keemiarelvade täiustamise, tootmise, varumiseja kasutamise keelustamise ning hävitamisekonventsiooni (CWC) nimekirjas sätestatud

Vabariigi Valitsuse 5. oktoobri 1994. a. määruse nr. 356 "Strateegilise kauba... Leht 1 / 53

mürgised kemikaalid ja uimastite ebaseaduslikuvalmistamisega seotud kemikaalid

Nimekirja positsiooninumber

Nimetus

1.1 Keemiarelvavalmistamisega seotudkaubad

1.1.1 Kemikaalid: 1.1.1.1 Vesinikfluoriid 1.1.1.32 Metüülfosfonüüldikloriid1.1.1.2 Fosforoksükloriid 1.1.1.33 Dimetüülfosfit1.1.1.3 Fosfortrikloriid 1.1.1.34 Trimetüülfosfit1.1.1.4 Tionüülkloriid 1.1.1.35 Dietüül-etüülfosfonaat1.1.1.5 Fosforpentakloriid 1.1.1.36 Dietüül-N,N-

dimetüülfosforamidaat1.1.1.6 Kaaliumfluoriid 1.1.1.37 Dietüülfosfit1.1.1.7 Arseentrikloriid 1.1.1.38 Etüülfosfinüüldikloriid1.1.1.8 Naatriumsulfiid 1.1.1.39 Etüülfosfonüüldikloriid1.1.1.9 Kaaliumtsüaniid 1.1.1.40 Etüülfosfonüüldifluoriid1.1.1.10 2-kloroetanool 1.1.1.41 Metüülfosfinüüldikloriid1.1.1.11 3,3-dimetüül-2-butanool 1.1.1.42 QL(O-etüül-2-

diisopropüülamino-etüülmetüülfosfoniit)

1.1.1.12 3,3-dimetüül-2-butanoon 1.1.1.43 Trietüülfosfit1.1.1.13 Ammooniumvesinikfluoriid1.1.1.44 Dietoksümetüülfosfiin1.1.1.14 Kaaliumvesinikfluoriid 1.1.1.45 Dimetüületüülfosfonaat1.1.1.15 Naatriumfluoriid 1.1.1.46 Etüülfosfonüüldifluoriid

(etüülfosfordifluoriid)1.1.1.16 Naatriumvesinikfluoriid 1.1.1.47 Metüülfosfinüüldifluoriid

(metüülfosfordifluoriid)1.1.1.17 Fosforpentasulfiid 1.1.1.48 3-hüdroksü-1-

metüülpiperidiin1.1.1.18 Naatriumtsüaniid 1.1.1.49 3-kinoklidinool1.1.1.19 Metüülbensilaat 1.1.1.50 1-asabitsüklo [2,2,2.]

oktaan-3-oon1.1.1.20 Bensüülhape

(2,2-difenüül-2-hüdroksüetaanhape)

1.1.1.51 Väävelmonokloriid

1.1.1.21 Dimetüülamiin 1.1.1.52 Vääveldikloriid1.1.1.22 Dimetüülamiin

hüdrokloriid1.1.1.53 Trietanoolamiini

hüdrokloriid1.1.1.23 N,N-diisopropüül-ß-

aminoetanool1.1.1.54 N,N-diisopropüül-2-

aminoetüülkloriidihüdrokloriid

1.1.1.24 Diisopropüülamiin 1.1.1.25 Trietanoolamiin 1.1.1.26 N,N-diisopropüül-ß-

aminoetüülkloriid

1.1.1.27 Dietüülamiinoetanool 1.1.1.28 Tiodiglükool 1.1.1.29 N,N-diisopropüül-ß-

aminoetaantiool

1.1.1.30 Dimetüül-metüülfosfaat 1.1.1.31 Metüülfosfonüüldifluoriid

1.1.2 Kahese kasutusega kemikaalide, tootmisseadmete, -varustuse ja tehnoloogia kontrollnimekiri

1.1.2.I Tootmisseadmed ja -varustus:

Tehniline märkus:Punktis 1.1.2.I kirjeldatud varustus, seadmed ja komponendid kuuluvad ainult sel juhulstrateegilistele kaupadele kehtestatud kontrollparameetrite alla, kui kõik nendega toodetavate või nendeskasutatavate kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest:

Leht 2 / 53 Vabariigi Valitsuse 5. oktoobri 1994. a. määruse nr. 356 "Strateegilise kauba...

a) nikkel või sulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit;

b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi;

c) fluorpolümeerid;

d) klaas või klaaskiud (kaasa arvatud klaasiga kaetud kiud ja emaileeritud kangas);

e) grafiit (rakendatakse ainult soojusvahetite, kondensaatorite, rektifikatsiooni- või absorptsioonikolonnide,mitmeseinaliste torude ja pumpade suhtes);

f) tantaal või tantaalisulamid;

g) titaan või titaanisulamid;

h) tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

i) keraamika (rakendatakse ainult pumpade suhtes);

j) ferrosilikoon (rakendatakse ainult pumpade suhtes).

1.1.2.I.1 Reaktsioonianumad, reaktorid ja segistid:

1.1.2.I.1.1 Segajatega või ilma segajateta reaktsioonianumad või reaktorid, mille geomeetriline maht on suuremkui 0,1 m3(100 l), kuid ei ületa 20 m3(20 000 l).

1.1.2.I.1.2 Punktis 1.1.2.I.1.1 nimetatud reaktsioonianumates või reaktorites kasutamiseks ettenähtud segajad.

1.1.2.I.2 Säilituspaagid, konteinerid või survepaagid:

1.1.2.I.2 Säilituspaagid, konteinerid või survepaagid, mille geomeetriline maht on suurem kui 0,1m3(100 l).

1.1.2.I.3 Soojusvahetid või kondensaatorid:

1.1.2.I.3 Soojusvahetid või kondensaatorid, mille tööpind ei ületa 20 m2.

1.1.2.I.4 Rektifikatsiooni- või absorptsioonikolonnid:

1.1.2.I.4 Rektifikatsioonikolonnid või absorptsioonikolonnid, mille sisediameeter on suurem kui 0,1 m.

1.1.2.I.5 Ventiilid:

1.1.2.I.5 Mitmekordse tihendusega ventiilid, mille üheks konstruktsioonielemendiks on lekkedetekteerimissõlm,lõõtstihendiga ventiilid, pidurdusventiilid ja membraanventiilid.

1.1.2.I.6 Mitmeseinalised torud:

1.1.2.I.6 Mitmeseinalised torud, mille üheks konstruktsioonielemendiks on lekkedetekteerimissõlm.

1.1.2.I.7 Pumbad:

1.1.2.I.7 Mitmetihendilised, isoleeritud pumpava osaga, magnetajamiga lõõts- või membraanpumbad tootjapoolt garanteeritud maksimaalse tootlikkusega üle 0,6 m3/h või vaakumpumbad tootja poolt garanteeritudmaksimaalse tootlikkusega üle 5 m3/h (temperatuuril 0°C ja rõhul 101,30 kPa).

1.1.2.II Tankimisaparatuur:

1.1.2.II Kaugjuhitav tankimisaparatuur, mille kõik toodetavate või kasutatavate kemikaalidega otseseltkokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest:

a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit;

b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi.

1.1.2.III Mürgiste gaaside jälgimise süsteemid ja detektorid:

1.1.2.III Mürgiste gaaside jälgimise süsteemid ja detektorid, mis on projekteeritud:


a) keemiliste ründerelvade lähtematerjalide, AG poolt kontrollitavate toimeainete ja fosforit, väävlit, fluorivõi kloori sisaldavate orgaaniliste ühendite (kontsentratsiooniga alla 0,3 mg/m3) pidevaks jälgimiseks jaavastamiseks;

b) selliste ainete avastamiseks, mille füsioloogiline mõju baseerub koliinesteraasi inhibeerival funktsioonil.

1.1.2.IV Tuhastusseadmed:

1.1.2.IV Üle 1000 °C keskmise põletustemperatuuriga tuhastusseadmed, mis on projekteeritud keemiarelvadekomponentide, AG poolt kontrollitavate toimeainete või keemiarelvade hävitamiseks ning millel on spetsiaalseltprojekteeritud jäätmete transportimise seadmed ja mille kõik jäätmetega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad onvalmistatud järgmistest materjalidest või kaetud nendega:

a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit;

b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi;

c) keraamika.

1.1.2.V Tehnoloogia:

Tehnoloogia, mis on otseselt seotud:

– keemiarelvade toimeainetega;

– AG poolt kontrollitavate toimeainetega;

– AG poolt kontrollitavate kahese kasutusega seadmetega.

Tehnoloogia leviku kontroll ei hõlma informatsiooni, mis on mõeldud avalikuks kasutamiseks või mis onseotud üldteaduslike uuringutega. Ükskõik millise AG poolt kontrollitava kauba ekspordi heakskiitminetähendab automaatselt selle kauba paigaldamiseks, ekspluateerimiseks või parandamiseks vajaliku minimaalsetehnoloogia ülekandmise lubamist samale lõppkasutajale.

1.2 Bioloogilise relva valmistamisega seotud kaubad

1.2.1 Bioloogiliste toimeainete kontrollnimekiri

1.2.1.1 Inimpatogeenid:

a) Põhinimekiri:

1.2.1.1.a.I Viirused:

V1. Chikungunya viirus

V2. Kongo-Krimmi hemorraagilise palaviku viirus

V3. Dengue'i palaviku viirus

V4. Hobuste ida entsefalomüeliidi viirus

V5. Ebola viirus

V6. Hantaan-viirus

V7. Junin-viirus

V8. Lassa palaviku viirus

V9. Lümfotsütaarse koriomeningiidi viirus

V10. Machupo viirus

V11. Marburgi viirus

V12. Ahvide rõugeviirus

V13. Rift Valley palaviku viirus

V14. Puukentsefaliidi viirus/vene kevadsuvine entsefaliidi viirus


V15. Rõugeviirus

V16. Hobuste venetsueela entsefalomüeliidi viirus

V17. Hobuste lääne entsefalomüeliidi viirus

V18. White-pox'i viirus

V19. Kollapalaviku viirus

V20. Jaapani entsefalomüeliidi viirus

1.2.1.1.a.II Riketsiad:

R1. Coxiella burnetii

R2. Rickettsia quintana (tuntud kui Rochalimea quintana)

R3. Rickettsia prowasecki

R4. Rickettsia rickettssii

1.2.1.1.a.III Bakterid:

B1. Bacillus anthracis

B2. Brucella abortus

B3. Brucella melitensis

B4. Brucella suis

B5. Chlamydia psittaci

B6. Clostridium botulinium

B7. Francisella tularensis

B8. Pseudomonas mallei

B9. Pseudomonas pseudomallei

B10. Salmonella typhi

B11. Shigella dysenteriae

B12. Vibrio cholerae

B13. Yersina pestis

1.2.1.1.a.IV Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid:

G1. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusegaseotud nukleiinhappejärjestusi ja pärinevad ükskõik millistest põhinimekirjas loetletud patogeenidest.

G2. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavadnukleiinhappejärjestusi, mis kodeerivad ükskõik millist põhinimekirja toksiini.

1.2.1.1.a.V Toksiinid:

T1. Botulismitoksiin

T2. Clostridium perfringens toksiin

T3. Konotoksiin

T4. Ritsiin


T5. Saksitoksiin

T6. Shigatoksiin

T7. Staphylococcus aureus toksiin

T8. Tetrodotoksiin

T9. Verotoksiin

T10. Microcystin

b) Hoiatusnimekiri:

1.2.1.1.b.I Viirused:

WV1. Kyasanuri metsaviirus

WV2. Loupingilli viirus

WV3. Murray Valley entsefaliidi viirus

WV4. Omski hemorraagilise põletiku viirus

WV5. Oropouche'i viirus

WV6. Powassani viirus

WV7. Rocio viirus

WV8. St. Louis entsefaliidi viirus

1.2.1.1.b.II Bakterid:

WB1. Clostridium perfringens

WB2. Clostridium tetani

WB3. Enterohemoraagiline Escherichia coli serotüüp 0157 ja muud verotoksiini produtseerivad serotüübid

WB4. Legionella pneumophila

WB5. Yersinia pseudotuberculosis

1.2.1.1.b.III Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid:

WG1. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusegaseotud nukleiinhappejärjestusi ja pärinevad ükskõik millistest hoiatusnimekirjas loetletud patogeenidest.

WG2. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad selliseidnukleiinhappejärjestusi, mis kodeerivad ükskõik millist hoiatusnimekirja toksiini.

1.2.1.1.b.IV Toksiinid:

WT1. Abrin

WT2. Kooleratoksiin

WT3. Teetanustoksiin

WT4. Trichothecene mycotoksiin

1.2.1.2 Loompatogeenid:

1.2.1.2.I Viirused:

AV1. Sigade aafrika palaviku viirus

AV2. Lindude gripiviirus*

AV3. Bluetongue'i viirus


AV4. Suu- ja sõrataudi viirus

AV5. Kitsede rõugeviirus

AV6. Herpesviirus/Aujeszky haiguse viirus

AV7. Sigade punataudi viirus

AV8. Marutaudiviirus

AV9. Newcastle'i haiguse viirus

AV10. Väikeste mäletsejate katku viirus

AV11. Sigade enteroviirus tüüp 9

AV12. Veisekatku viirus

AV13. Lammaste rõugeviirus

AV14. Tescheni haiguse viirus

AV15. Vesikulaarstomatiidi viirus

* See hõlmab vaid neid kõrgpatogeenseid lindude gripiviirusi, mis on defineeritud Euroopa Ühendusedirektiiviga 92/40/EC:

1) tüüp A viirused, mille IVPI (intravenous pathogenicity index) kuue nädala vanustel tibudel on suurem kui 1,2või

2) tüüp A viiruste alatüübid H5 või H7, mille sekveneerimine on näidanud mitmete põhiaminohapete olemasoluhaemegglutinini lõikekohas.

1.2.1.2.II Bakterid:

AB3. Mycoplasma mycoides

1.2.1.2.III Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid:

AG1. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusegaseotud nukleiinhappejärjestusi ja pärinevad ükskõik millistest nimekirjas loetletud patogeenidest.

1.2.1.3 Taimpatogeenid:

a) Põhinimekiri:

1.2.1.3.a.I Bakterid:

PB1. Xanthomonas albilineans

PB2. Xanthomonas campestris pv. citri

1.2.1.3.a.II Seened:

PF1. Colletotrichum coffeanum var. virulans

PF2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae)

PF3. Microcycolus ulei (syn. Dothidella ulei)

PF4. Puccinia graminis (syn. Puccinia glumarum)

PF5. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum)

PF6. Pyricularia grisea / Pyricularia oryzae

1.2.1.3.a.III Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid:


PG1. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusegaseotud nukleiinhappejärjestusi ja pärinevad ükskõik millistest taimpatogeenide nimekirjas loetletudpatogeenidest.

b) Hoiatusnimekiri:

1.2.1.3.b.I Bakterid:

PWB1. Xanhomonas campestris pv. oryzae

PWB2. Xylella fastidiosa

1.2.1.3.b.II Seened:

PWF1. Deuterophoma tracheiphila (syn. Phoma tracheiphila)

PWF2. Monilia rorei (syn. Moniliophthora rorei)

1.2.1.3.b.III Viirused:

PWV1. Banana bunchy top virus

1.2.1.3.b.IV Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid:

PWG1. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavadpatogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi ja pärinevad ükskõik millistest taimpatogeenide soovitatavasnimekirjas loetletud patogeenidest.

1.2.2 Kahese kasutusega biotehnoloogiline varustus:

1.2.2.1 Komplektsed isolaatorid isoleerimistasemega P3, P4:

Komplektsed isolaatorid, mis vastavad «WHO's Laboratory Biosafety Manual» (Genf 1983) sisalduvateleturvalisusnõuetele P3 või P4 (BL3, BL4, L3, L4).

1.2.2.2 Fermentaatorid*:

Fermentaatorid, mida on ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimalik kasutada mikroobide ja viirustekultiveerimiseks või toksiinide valmistamiseks ja millel on kõik järgmised näitajad:

a) maht 300 liitrit või suurem;

b) topelt- või mitmekordse tihendusega ühendused auru sisaldavas keskkonnas;

c) auruga steriliseerimise võimalus ilma seadme eelneva demontaažita.

* Fermentaatorite alamgrupid sisaldavad bioreaktoreid, kemostaate ja pidevvoolusüsteeme.

1.2.2.3 Tsentrifugaalseparaatorid**:

Tsentrifugaalseparaatorid, mis ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimaldavad patogeensetemikroobide kontsentratsiooni pidevat tõstmist ja millel on kõik järgmised näitajad:

a) läbivoolukiirus 100 l või enam tunnis;

b) seade on tervikuna või osaliselt valmistatud poleeritud roostevabast terasest või titaanist;

c) topelt- või mitmekordse tihendusega ühendused auru sisaldavas keskkonnas;

d) auruga steriliseerimise võimalus ilma seadme eelneva demontaažita.

** Tsentrifugaalseparaatorid sisaldavad dekanteerimisseadmeid.

1.2.2.4 Ristvoolu filtratsiooniaparatuur:

Ristvoolu filtratsiooniaparatuur, mis on konstrueeritud pidevaks patogeensete mikroobide, viiruste, toksiinideja rakukultuuride kontsentratsiooni tõstmiseks ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita ja millel on kõikjärgmised näitajad:

a) filtripindala 5 m2või suurem;

b) auruga steriliseerimise võimalus ilma seadme eelneva demontaažita.


1.2.2.5 Lüofiliseerimisaparatuur:

Auruga steriliseeritav lüofiliseerimisaparatuur kondensaatori tootlikkusega 50 kuni 1000 kg jääd 24 tunnijooksul.

1.2.2.6 Varustus, mida on võimalik kasutada P3- ja P4- (BL3, BL4, L3, L4) isolaatorite koostises või miskuulub nende koostisesse:

1.2.2.6.1 Tervikuna või osaliselt katvad hermeetilised kaitseülikonnad.

1.2.2.6.2 Klassi 3 bioloogialaboratooriumide varustus või isolaatorid, mis vastavad samale standardile.

1.2.2.7 Aerosoolide inhalatsioonikambrid:

Kambrid, mis on konstrueeritud loomkatseteks patogeensete mikroobide, viiruste või toksiinide aerosoolidega jamille suurus on 1 m3või üle selle.

1.2.2.8 Muud seadmed ja varustus:

1.2.2.8.1 Elusorganismide ja mürkide (osakeste suurus 1...10 µm) mikrokapseldamiseks vajalik varustus, eriti:

a) faasidevahelised polükondensaatorid;

b) faaside separaaorid.

1.2.2.8.2 Kombineeritud süsteemides kasutamiseks ettenähtud, väiksema kui 300 l mahuga fermentaatorid, missisaldavad erikonstruktsiooniga sõlmi.

1.2.2.8.3 Tavalised või turbulentse õhuvooluga steriilsed ruumid ja HEPA-filtersõlmed, mida on võimalikkasutada P3 või P4 (BL3, BL4, L3, L4) nõuetele vastavates rajatistes.

1.3 Keemiarelvade täiustamise, tootmise, varumise ja kasutamise keelustamise ning hävitamisekonventsiooni (CWC) nimekirjas sätestatud mürgised kemikaalid

1.3.1 CWC nimekirja 1A kuuluvadd mürgised kemikaalid:

1.3.1.1 O-alküül (kuni C10alküülid, sealhulgas ka tsükloalküülid) alküül (metüül, etüül, n-propüül võiisopropüül) - fosfonofluoridaat [alküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) - fluorofosfiinhappe O-alküül(kuni C10alküülid) estrid].

Näit.:

a) sariin (GB): O-isopropüül, metüülfosfonofluoridaat (metüülfluorofosfiinhappe O-isopropüülester);

b) somaan (GD): O-pinakolüülmetüülfosfonofluoridaat (metüülfluorofosfiinhappe-O-pinakolüülester).

1.3.1.2 O-alküül (kuni C10alküülid, sealhulgas ka tsükloalküülid), N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) fosforamidotsüanidaadid [tsüano-N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüül võiisopropüül) aminofosfiinhappe-O-alküül (kuni C10alküül) estrid]. Näit. tabuun (GA): O-etüül-N,N-dimetüülfosforamidotsüanidaat (tsüano-N,N-dimetüülaminofosfiinhappe-O-etüülester).

1.3.1.3 O-alküül (H ja alküülid kuni C10, sealhulgas tsükloalküül) S-2-dialküül (metüül, etüül, n-propüülvõi isopropüül) aminoetüülalküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) fosfonotiolaadid või vastavadalküleeritud või protoneeritud soolad. Näit. VX: O-etüül-S-2-diisopropüülaminoetüülmetüülfosfonotiolaat.

1.3.1.4 Väävlit sisaldavad «sinepid»:

1.3.1.4.1 2-kloroetüülklorometüülsulfiid;

1.3.1.4.2 bis(2-kloroetüül)sulfiid (ipriit);

1.3.1.4.3 bis(2-klorometüültio)metaan;

1.3.1.4.4 1,2-bis(2-kloroetüültio)etaan;

1.3.1.4.5 1,3-bis(2-kloroetüültio)-n-propaan;


1.3.1.4.6 1,4-bis(2-kloroetüültio)-n-butaan;

1.3.1.4.7 1,5-bis(2-kloroetüültio)-n-pentaan;

1.3.1.4.8 bis(2-kloroetüültiometüül)eeter;

1.3.1.4.9 bis(2-klorometüültioetüül)eeter.

1.3.1.5 Ljuisiidid:

1.3.1.5.1 2-klorovinüülkloroarsiin;

1.3.1.5.2 bis(2-klorovinüül)kloroarsiin;

1.3.1.5.3 tris(2-klorovinüül)arsiin.

1.3.1.6 Lämmastikku sisaldavad «sinepid»:

HN1: bis(2-kloroetüül)etüülamiin;

HN2: bis(2-kloroetüül)metüülamiin;

HN3: tris(2-kloroetüül)amiin.

1.3.1.7 Saksitoksiin

1.3.1.8 Ritsiin

1.3.2 CWC nimekirja 1B kuuluvad lähteained:

1.3.2.1 Alküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) fosfonüüldifluoriidid, näit. DF:metüülfosfonüüldifluoriid.

1.3.2.2 O-alküül (H või alküülid kuni C10, sealhulgas ka tsükloalküülid) O-2-dialküül (metüül, etüül, n-propüülvõi isopropüül) aminoetüülalküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) fosfoniidid ja vastavad alküleeritudvõi protoneeritud soolad. Näit. QL: O-etüül-2-diisopropüülaminoetüülmetüülfosfoniit.

1.3.2.3 Klorosariin: O-isopropüülmetüülfosfonokloridaat (metüülklorofosfiinhappe O-isopropüülester).

1.3.2.4 Klorosomaan: O-pinakolüülmetüülfosfonokloridaat (metüülklorofosfiinhappe O-pinakolüülester).

1.3.3 CWC nimekirja 2A kuuluvad mürgised kemikaalid:

1.3.3.1 Amiton: O,O-dietüül-S-[2-(dietüülamino)etüül] fosforotiolaat ja vastavad protoneeritud soolad.

1.3.3.2 PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluorometüül-1-propeen

1.3.3.3 BZ: 3-kinoklidinüülbensülaat

Märkus: Punktis 1.3.3.3 sätestatud kontrollitavate kemikaalide hulka ei kuulu: fenofos: O-etüül-S-fenüül-etüülfosfonotionaat.


1.3.4.1 Dimetüülmetüülfosfonaat Metüülfosfonüüldikloriid

Märkus: Punktis 1.3.4.1 nimetatud kontrollitavate kemikaalide hulka ei kuulu: fenofos: O-etüül-S-fenüül-etüülfosfonotionaat.

1.3.4.2 N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) fosforamiidi dihalogeniidid.

1.3.4.3 Dialküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüül võiisopropüül) fosforamidaadid.

1.3.4.4 Arseentrikloriid

1.3.4.5 Bensiilhape (2,2-difenüül-2-hüdroksüäädikhape) (2,2-difenüülglükoolhape).

1.3.4.6 3-kinoklidinool

1.3.4.7 N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) aminoetüül-2-kloriidid ja vastavad protoneeritudsoolad.


1.3.4.8 N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) aminoetaan-2-oolid ja vastavad protoneeritudsoolad.

Märkus: Punktis 1.3.4.8 nimetatud kontrollitavate kemikaalide hulka ei kuulu:

a) N,N-dimetüülaminoetanol ja vastavad protoneeritud soolad;

b) N,N-dietüülaminoetanol.

1.3.4.9 N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) aminoetaan-2-tioolid ja vastavad protoneeritudsoolad.

1.3.4.10 Tiodiglükool

1.3.4.11 Pinakolüülalkohol

1.3.5 CWC nimekirja 3A kuuluvad mürgised kemikaalid:

1.3.5.1 Fosgeen: süsinikdikloriid

1.3.5.2 Tsüaankloriid

1.3.5.3 Vesiniktsüaniid

1.3.5.4 Kloropikriin


1.3.6.1 Fosforoksükloriid

1.3.6.2 Fosfortrikloriid

1.3.6.3 Fosforpentakloriid

1.3.6.4 Trimetüülfosfit

1.3.6.5 Trietüülfosfit

1.3.6.6 Dimetüülfosfit

1.3.6.7 Dietüülfosfit

1.3.6.8 Väävelmonokloriid

1.3.6.9 Vääveldikloriid

1.3.6.10 Tionüülkloriid

1.3.6.11 Etüüldietanoolamiin

1.3.6.12 Metüüldietanoolamiin

1.3.6.13 Trietanoolamiin

1.4 Uimastite ebaseadusliku valmistamisega seotud kemikaalid

Märkus: Punktis 1.4 loetletud kemikaalid kuuluvad strateegiliste kaupade suhtes rakendatava kontrolli alla, kuinende ekspordiks või transiidiks deklareeritav kogus ületab kemikaali nimetuse järel olevates sulgudes märgitudkoguse.

1.4.1 Kemikaalid:

1.4.1.1 Efedriin (1 kg) (kõik otstarbed).

1.4.1.2 Ergometriin (10 g).

1.4.1.3 Ergotamiin (10 g).


1.4.1.4 Lüsergiinhape (10 g).

1.4.1.5 1-fenüül-2-propanoon (20 kg).

1.4.1.6 Pseudoefedriin (1 kg) (kõik otstarbed).

1.4.1.7 N-atsetüülantraniilhape (40 kg).

1.4.1.8 3,4-metüleendioksüfenüül-2-propanoon (4 kg).

1.4.1.9 Piperidiin (0,5 kg).

1.4.1.10 Safrool (4 kg).

1.4.1.11 Isosafrool (4 kg).

1.4.1.12 Piperonaal (4 kg).

1.4.1.13 Antraniilhape (30 kg).

1.4.1.14 Fenüüläädikhape (1 kg).

1.4.1.15 Atsetoon (2000 l).

1.4.1.16 Etüüleeter (2000 l).

1.4.1.17 Metüületüülketoon (2000 l).

1.4.1.18 Tolueen (2000 l).

1.4.1.19 Kaaliumpermanganaat (500 kg).

1.4.1.20 Väävelhape (2000 l).

1.4.1.21 Vesinikkloriidhape (soolhape) (2000 l).

1.4.1.22 Äädikanhüdriid (1000 l).

Märkus: Punktis 1.4 loetletud kemikaalide segud ei kuulu strateegiliste kaupade suhtes rakendatava kontrollialla, kui nimetatud segudesse kuulub ka mõni teine aine, mis ei ole märgitud punktis 1.4.

Nimekiri 2: Aatomitehnoloogia, sellega seotud materjalid javarustus

Nimekirjapositsiooninumber

Nimetus

I. Tuuma mitte-proliferatsiooni nimekiri

2.1 Spetsiaalsed lõhustuvad materjalid

2.1.1 Plutoonium, kõik tema isotoobid, sulamid ja segud.

2.1.2 Uraan 238, uraan, mis on rikastatud isotoobi 235 ja isotoobi 233 suhtes ning kõik sulamid ja segud, missisaldavad nimetatud ühendeid.

2.2 Lähtematerjalid

2.2.1 Lähtematerjalid on maagi, kontsentraadi, segu, metalli või sulami kujul esinevad materjalid, misvõivad ka olla liidetud ükskõik missuguseks aineks (välja arvatud ravimid), milles alljärgnevate materjalidekontsentratsioon on suurem kui 0,05% (kaalu järgi):

a) uraan, mis sisaldab looduses esinevaid isotoopide segusid;

b) uraan, mis on vaesustatud isotoobi 235 suhtes;

c) uraanimaak;

d) toorium.


2.3 Deuteerium (raske vesinik)

2.3.1 Deuteerium ja seda sisaldavad segud, kaasa arvatud raske vesi, milles deuteeriumi aatomite proportsioonvesiniku aatomite suhtes on suurem kui 1 : 5000.

2.4 Tuumakvaliteediga grafiit

2.4.1 Grafiit, mille puhtusaste boori suhtes on kõrgem kui 5 : 1 000 000 ja tihedus suurem kui 1,50 g/cm3.

2.5 Triitium

2.5.1 Triitium ja seda sisaldavad segud, milles triitiumi aatomite proportsioon vesiniku aatomite suhtes onsuurem kui 1 : 1000.

2.6 Tuumareaktorid ja spetsiaalselt nende tarbeks valmistatud varustus

2.6.1 Tuumareaktorite survekatlad

2.6.1 Tuumareaktorite survekatlad tervikuna või poolfabrikaatidest osadena.

2.6.2 Aparatuur tuumareaktorite kütuse käitlemiseks

2.6.2 Seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud tuumakütuse reaktorisse sisseviimiseks või sealteemaldamiseks.

2.6.3 Reaktori juhtimisvardad

2.6.3 Spetsiaalselt tuumareaktoris toimuva reaktsiooni kiiruse kontrollimiseks määratud vardad.

2.6.4 Reaktori survetorud

2.6.4 Tuumareaktoris spetsiaalselt tuumakütuse elementide ja esmajahutusaine mahutamiseks määratud torud,mille töörõhk on üle 5,1 MPa (740 psi).

2.6.5 Tsirkooniumtorud

2.6.5 Tsirkooniumi metallist ja selle sulamitest valmistatud torud, mis on spetsiaalselt määratud kasutamisekstuumareaktorites ja mille materjalis hafniumi ja tsirkooniumi suhe on väiksem kui 1 : 500.

2.6.6 Esmajahutusaine tsirkulatsioonipumbad

2.6.6 Pumbad, mis on spetsiaalselt valmistatud esmajahutusaine tsirkulatsiooni tekitamiseks tuumareaktoris.

2.7 Tuumakütuse töötlemise seadmed ja aparatuur

2.7.1 Käitatud tuumakütuse ümbertöötamise seadmed ja varustus:

2.7.1.1 Kaugjuhitav aparatuur, mis on spetsiaalselt valmistatud kasutamiseks käitatud tuumakütuseümbertöötamise vabrikutes.

2.7.1.2 Spetsiaalsed mahutid, mis on valmistatud kasutamiseks käitatud tuumakütuse lahustamisel ja milletööpinnad on vastupidavad kuumuse ning ülimalt korrosiivse vedeliku suhtes.

2.7.1.3 Lahustite ekstraktorid ja ekstraheerimise seadmed.

2.7.1.4 Plutooniumoksiidist metalli tootmise süsteem.

2.7.1.5 Plutooniumnitraadi oksiidiks konverteerimise süsteem.

2.8 Tuumakütuse tootmise seadmed ja aparatuur

2.9 Seadmed ja aparatuur uraani- ja plutooniumiisotoopide eraldamiseks:

2.9.1 Gaasitsentrifuugid ja nende komponendid, mis on valmistatud või kaetud UF6-kindlatest materjalidest.

2.9.2 Süsteemid, seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks uraani ja plutooniumirikastamise protsessis gaasdifusiooni meetodil.


2.9.3 Süsteemid, seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks uraani ja plutooniumirikastamise protsessis aerodünaamilise rikastamise meetodil.

2.9.4 Süsteemid, seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks uraani ja plutooniumirikastamise protsessis keemilise või ioonvahetuse meetodil.

2.9.5 Süsteemid, seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks uraani ja plutooniumirikastamise protsessis laserite kasutamisel põhineval rikastamismeetodil.

2.9.6 Süsteemid, seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks uraani ja plutooniumirikastamise protsessis plasmaeraldusmeetodil.

2.9.7 Süsteemid, seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks uraani ja plutooniumirikastamise protsessis elektromagnetilise rikastamise meetodil.

2.9.7.1 Elektromagnetilised isotoopseparaatorid.

2.9.8 Soojusvahetid gaasi jahutamiseks, mis on valmistatud või kaetud UF6-kindlatest materjalidest.

2.9.9 Vaakumpumbad, mille imamisvõime on 5 m3/min või enam, mis on spetsiaalselt valmistatud töötamiseksUF6-rikkas keskkonnas.

2.9.10 Vaakumpumbad sisendiava suurusega 38 cm või enam, pumpamiskiirusega 15 000 liitrit/s või enam,maksimaalse vaakumitootlusega 10–4torri (0,76x10–4) või enam.

2.9.11 Alalisvooluallikad, mis on võimelised vähemalt 8 tunni vältel tootma voolu tugevusega 500 A või enam,pingega 100 V või enam, mille voolutugevuse või pinge reguleerimise täpsus on enam kui 0,1%.

2.9.12 Kõrgepinge alalisvooluallikad, mis on võimelised vähemalt 8 tunni vältel tootma voolu tugevusega 1Avõi enam, pingega 20 000 V või enam, mille pinge või voolutugevuse reguleerimise täpsus on enam kui 0,1%.

2.10 Raske vee, deuteeriumi ja deuteeriumisegude tootmise seadmed ja varustus

2.10.1 Lahja või kontsentreeritud kaaliumamiidi ammoniaagilahuse (KNH2/NH3) pumpamiseks ettenähtudpumbad, millel on järgmised tehnilised omadused:

a) hermeetiliselt suletud;

b) kontsentreeritud KNH2/NH3lahuse (üle 1%) puhul töörõhuga 1,5...60 MPa (15...600 atm) ja lahja KNH2/NH3lahuse (alla 1%) puhul töörõhuga 20...60 MPa (200...600 atm);

c) tootlikkus enam kui 8,5 m3/h.

2.10.2 Vesiniku krüogeense destillatsiooni kolonnid, millel on järgmised parameetrid:

a) töötemperatuur 35 K (-238 °C) või madalam;

b) siserõhk töö ajal 0,5...5 MPa (5...50 atm);

c) valmistatud väikese süsinikusisaldusega roostevabast terasest või muust materjalist, mis talub krüogeensetprotsessi ja H2manulust keskkonnas.

2.11 Spetsiaalselt uraani- ja plutooniumiisotoopide eraldamise aparatuuri konstrueerimiseks,varustamiseks ja käigushoidmiseks valmistatud seadmed ja materjalid

II. Tuumatehnoloogiaga seotud kahese kasutusega kaupade ja materjalide nimekiri

2.12 Tuumatehnoloogiaga seotud kahese kasutusega materjalid ja seadmed:2.12.1 Alumiiniumisulamist torud või silindrid välisdiameetriga enam kui 75 mm, tõmbetugevusega 460 MPavõi enam, 293 K (20 °C) juures.

2.12.2 Berülliumi metall, sulamid, segud ja tooted nendest, mis sisaldavad 50% või enam berülliumi (kaalujärgi),välja arvatud:

a) berülliumi metallist aknad röntgenikiirtemasinatel;

b) berüll smaragdide või akvamariini kujul;

c) oksiidide või poolfabrikaatide kujul, mis on spetsiaalselt määratud elektrooniliste komponentide tootmiseks.


2.12.3 Vismut ning tooted sellest puhtusastmega 99,99% või enam ning hõbedasisaldusega vähem kui 1 : 100000.

2.12.4 Boor, boorisegud ja -ühendid, milles boor-10 isotoopide sisaldus on suurem kui 20% (kaalu järgi)

2.12.5 Kaltsium (kõrge puhtusega), mis sisaldab vähem kui 1000 osa miljonist (kaalu järgi) metallilisi lisandeid(v.a. magneesium) ja vähem kui 10 osa miljonist boori.

2.12.6 Kloortrifluoriid (CIF3).

2.12.7 Tiiglid (metallisulatusnõud), mis on valmistatud vedelate aktiniidide kindlatest materjalidest:

a) tiiglid mahutavusega 150 ml kuni 8 liitrit, mis on valmistatud või kaetud järgmiste materjalidega, millepuhtuseaste on 98% või enam:

1. kaltsiumfluoriid (Ca F2);

2. kaltsiumtsirkonaat (Ca2ZrO3);

3. tseeriumsulfiid (Ce2S3);

4. erbiumoksiid (Er2O3);

5. hafniumoksiid (Hf02);

6. magneesiumoksiid (MgO);

7. nitriiditud nioobiumi-titaani-volframi sulam, milles on ligikaudu 50% Nb, 30% Ti ja 20% W;

8. tsirkooniumoksiid (ZrO2);

9. ütriumoksiid (Y2O3).

b) tiiglid mahutavusega 50 ml kuni 2 liitrit, mis on valmistatud või kaetud tantaaliga, mille puhtuseaste on99,9% või enam.

2.12.8 Hafniumi metall, sulamid, segud ja tooted nendest, mis sisaldavad 60% või enam (kaalu järgi) hafniumi.

2.12.9 Heelium, mis on rikastatud heelium-3 suhtes.

2.12.10 Liitium, mis on rikastatud Li-6 suhtes (s.t. rohkem kui 7,5% Li-6 aatomite arvu järgi), segud ja ühendid,mis sisaldavad liitiumi, mis on rikastatud Li-6 suhtes ja seadmed ning komponendid, mis sisaldavad eelnevaltkirjeldatud segusid ja ühendeid.

2.12.11 Magneesium (99%-lise puhtusega), mis sisaldab vähem kui 200 osa miljonist (kaalu järgi) metallilisilisandeid ja vähem kui 10 osa miljonist boori.

2.12.12 Raadium-226, kaasa arvatud segud ja ühendid, mis sisaldavad raadium-226, välja arvatud segud jaühendid, mida kasutatakse meditsiinis ja mille radioaktiivsus ei ületa 0,37 Gbq (10 milliküriid).

2.12.13 Titaanisulamist torud või silindrid välisdiameetriga enam kui 75 mm, tõmbetugevusega 900 MPa (9x10N/m2) või enam, 293 K (20 °C) juures.

2.12.14 Volframist, volframisulamitest või volframkarbiidist valmistatud silindrid puhtusastmega 90% (kaalujärgi) või enam, kogumassiga enam kui 20 kg, sisediameetriga enam kui 100 mm, kuid vähem kui 300 mm.

2.12.15 Tsirkoonium, milles hafniumi osa on väiksem kui 1 : 500 (kaalu järgi), kaasa arvatud tsirkooniumimetall, -sulamid ja nendest valmistatud tooted, mis sisaldavad enam kui 50% (kaalu järgi) tsirkooniumi.

2.12.16 Niklipulber ja poorne (urbne) nikkel:

a) niklipulber puhtusastmega 99,0% või enam ja osakeste suurusega 10 µm või vähem;

b) poorne niklimetall.

2.12.17 Röntgenikiirte generaatorid või elektronide kiirendid, mille tippenergia on 500 keV või enam, väljaarvatud meditsiinis kasutatavad seadmed ja varustus.


2.12.18 Kiirfotokaamerad kaadrivahetuskiirusega 225 000 kaadrit sekundis.

2.12.19 Neutronite genereerimise süsteemid, sealhulgas seadmed, mis on ette nähtud töötamiseks välisevaakumsüsteemita ja mis kasutavad elektrostaatilist kiirendust triitium-deuteerium tuumareaktsiooniindutseerimiseks.

2.12.20 Muu kahese kasutusega aparatuur:

a) kaugjuhitavad manipulaatorid;

b) suure tihedusega materjalist (pliiklaasist v.m.s.) radiatsioonikaitseaknad küljepikkusega enam kui 0,3 m,paksusega üle 100 mm ning tihedusega enam kui 3 g/cm3;

c) radiatsioonikindlad TV-kaamerad.

2.12.21 Alfa-, beeta- ja gammakiirgusel töötavad aparaadid.

2.12.22 Seadmed ja aparatuur uraanheksafluoriidi tootmiseks.

2.12.23 Legeeritud teras tõmbetugevusega 2050 MPa temperatuuril 293 K, välja arvatudvormid (detailid),mille ükski lineaarmõõde ei ületa 75 mm.

2.13 Aparatuur tuumareaktorite kütuse transpordiks

2.14 Seadmed ja materjalid, mis on spetsiaalselt valmistatud uraani- ja plutooniumiisotoopide eraldamiseaparatuuri konstrueerimiseks, varustamiseks ja käigushoidmiseks:

2.14.1 Seadmed ja aparatuur triitiumi tootmiseks.

2.14.2 Seadmed ja aparatuur liitiumi isotoopide eraldamiseks.

2.14.3 Käesolevas nimekirjas loetletud seadmete ja aparatuuri osad.

Nimekiri 3: Raketid ja nende juurde kuuluvad seadmed jatehnoloogia(Rakettrelvastuse kontrollrežiimi lühendatudnimekiri)


Nimetus

NB! Nimekiri ei ole identne dokumendiga «Equipmentand Technology Annex», mis reguleerib rakettideja nende juurde kuuluvate seadmete ja tehnoloogiaeksporti vastavalt Raketitehnoloogia Kontrollrežiimile(Missile Technology Control Regime B MTCR).Kahtluse korral, kas tooted/ tehnoloogia kuulubkäesolevas nimekirjas toodud kategooriatesse, oneksportija kohustatud kontrollima seda dokumendist«Equipment and Technology Annex», mille saamisekstuleb pöörduda Välisministeeriumi juurde moodustatudstrateegilise kauba väljaveo kontrolli komisjoni poole.

3.1 Terviklikud raketisüsteemid (k.a. ballistilised raketisüsteemid, kosmosesse lennutamise süsteemidja sondeerimisraketid) ja mehitamata õhusõidukid (k.a. tiibraketid ja luureraketid), mis suudavadtransportida vähemalt 500 kg kasulikku laadungit vähemalt 300 km kaugusele.

3.2 Komplektsed alamsüsteemid punktis 3.1 nimetatud süsteemidele ning tootmisseadmed ja -aparatuurspetsiaalselt sellistele seadmetele:

3.2.1 Üksikud raketiastmed.

3.2.2 Atmosfääri tungimiseks valmistatud kanderaketid.

3.2.3 Vedel- ja tahkekütusel töötavad raketimootorid.

3.2.4 «Thrust-vector» printsiibil põhinevad kontrollsüsteemid.

3.2.5 Punktis 3.1 nimetatud süsteemidele lõhkepea installeerimiseks, lahinguvalmidusse viimiseks ja lõhkepeaeemaldamiseks ettenähtud seadmed.


3.3 Punktis 3.1 nimetatud süsteemide energiasüsteemid, nende energiasüsteemide osad ja sellistesüsteemide või komponentide jaoks spetsiaalselt ettenähtud tootmisaparatuur ja seadmed

3.4 Kütused punktis 3.1 nimetatud rakettide energiasüsteemidele, sellistele kütustele spetsiaalseltvalmistatud vaheproduktid ning selliste kütuste ja vaheproduktide valmistamiseks spetsiaalseltettenähtud tehnoloogia ja tootmisaparatuur:

3.4.1 Kütused punktis 3.1 nimetatud rakettide energiasüsteemidele ja sellistele kütustele spetsiaalseltvalmistatud vaheproduktid.

3.4.2 Punktis 3.1 nimetatud rakettide energiasüsteemidele kütuse ning selle vaheproduktide valmistamiseksspetsiaalselt ettenähtud tehnoloogia ja tootmisaparatuur.

3.5 Aparatuur ja tehnoloogia komposiitmaterjalide valmistamiseks punktis 3.1 nimetatud süsteemidestruktuuridele ning sellise aparatuuri komponendid ja spetsiaalne tarkvara.

3.6 Struktuurmaterjalid punktis 3.1 nimetatud süsteemidele:

3.6.1 Komposiitstruktuurid, laminaadid ja nendest valmistatud osad.

3.6.2 Süsinik-süsinikmaterjalid spetsiaalselt raketisüsteemide jaoks.

3.6.3 Peeneksjahvatatud tehisgrafiit mootoridüüsidele ja muuks kasutamiseks rakettides.

3.6.4 Keraamilised komposiitmaterjalid spetsiaalselt raketikorpustele.

3.6.5 Volfram, molübdeen ja nende sulamid, mis koosnevad sfäärilistest või pihustatud osakestest suurusega 500µm või vähem ja puhtusega 97% või enam.

3.6.6 Legeeritud teras purunemistugevusega 1,5x109Pa või suurem (mõõdetud 20 °C juures).

3.7 Güro- ja astrokompassid, güroskoobid, kiirendusmõõtjad ja inertsiaalnavigatsiooniseadmed punktis3.1 nimetatud rakettidele ning komponendid ja tarkvara nende jaoks.

3.8 Lennukontrollisüsteemid punktis 3.1 nimetatud süsteemidele ja selliste lennukontrollisüsteemidekatsetamiseks, kalibreerimiseks ja tsentreerimiseks spetsiaalselt ettenähtud aparatuur.

3.9 Elektrooniline aparatuur, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud punktis 3.1nimetatud süsteemidele ning komponendid ja tarkvara spetsiaalselt sellisele elektroonilisele aparatuurile:

3.9.1 Radarid ja laserradarid, kaasa arvatud altimeetrid (kõrgusmõõturid);

3.9.2 Globaalse positsioneerimise süsteemid (GPS) või sellised satelliitvastuvõtjad, mis on võimelised andmanavigeerimisalast informatsiooni:

a) kiirustel, mis ületavad 515 m/s;

b) kõrgustel, mis ületavad 18 km.

3.10 Stardiseadmed ja varuaparatuur punktis 3.1 nimetatud süsteemidele

3.11 Analoogarvutid, digitaalarvutid ja digitaalsed diferentsiaalanalüsaatorid, mis on spetsiaalseltkonstrueeritud või modifitseeritud õhusõidukite või rakettide jaoks ja on kasutatavad punktis 3.1nimetatud süsteemide juures

3.12 Analoogdigitaalmuundurid punktis 3.1 nimetatud süsteemidele

3.13 Katseaparatuur ja seadmed (k.a. spetsiaalne tarkvara) punktis 3.1 nimetatud süsteemide jaoks:

3.13.1 Katseaparatuur ja seadmed punktis 3.1 nimetatud süsteemide jaoks:

a) vibratsioonikatsetusaparatuur sagedusvahemikule 20 Hz ... 2 kHz edastatava jõuga 50 kN või enam;

b) aerodünaamilised tuuletunnelid kiirustele Mach 0,9 või enam;

c) raketimootorite katsepingid tõukejõuga enam kui 90 kN;

d) kliimakambrid ja summutuskambrid järgmiste tingimustega aerodünaamilise keskkonna simuleerimiseks:


1. temperatuurivahemik –50 °C ... +125 °C;

2. kõrgus 15 000 m;

3. vibratsioon sagedusvahemikus 20 Hz ... 2 kHz;

4. akustiline keskkond helirõhuga 140 dB või enam.

3.13.2 Spetsiaalne tarkvara punktis 3.1 nimetatud süsteemide jaoks.

3.13.3 Radiograafiline aparatuur, v.a. spetsiaalselt meditsiiniliseks kasutuseks ettenähtud aparatuur.

3.14 Tarkvara ja arvutid spetsiaalselt punktis 3.1 ja punktis 3.2 nimetatud süsteemide modelleerimiseks,simuleerimiseks ja süsteemintegreerimiseks:

3.14.1 Arvutid spetsiaalselt punktis 3.1 ja punktis 3.2 nimetatud süsteemide modelleerimiseks, simuleerimiseksja süsteemintegreerimiseks.

3.14.2 Tarkvara spetsiaalselt punktis 3.1 ja punktis 3.2 nimetatud süsteemide modelleerimiseks, simuleerimiseksja süsteemintegreerimiseks.

3.15 Tehnoloogia, materjalid ja seadmed punktis 3.1 nimetatud süsteemide avastatavuse vähendamiseks,nt. avastatavus radarite abil või optiliselt:

3.15.1 Materjalid ja seadmed punktis 3.1 nimetatud süsteemide avastatavuse vähendamiseks, nt. avastatavusradarite abil või optiliselt.

3.15.2 Tehnoloogia punktis 3.1 nimetatud süsteemide avastatavuse vähendamiseks, nt. avastatavus radarite abilvõi optiliselt.

3.16 Tehnoloogia ja seadmed punktis 3.1 nimetatud süsteemide kaitseks tuumaplahvatuse mõjude eest:

3.16.1 Seadmed punktis 3.1 nimetatud süsteemide kaitseks tuumaplahvatuse mõjude eest.

3.16.2 Tehnoloogia punktis 3.1 nimetatud süsteemide kaitseks tuumaplahvatuse mõjude eest.

3.17 Terviklikud raketisüsteemid (k.a. ballistilised raketisüsteemid, kosmosesse lennutamise süsteemid jasondeerimisraketid) ja mehitamata õhusõidukid (k.a. tiibraketid, rakettmärklauad ja luureraketid), midaei ole nimetatud punktis 3.1 ja mille tegevusulatus on vähemalt 300 km.

Nimekiri 4: Relvad, laskemoon ja muu sõjaline varustus


Nimetus

4.1 Käsirelvad, automaat-tulirelvad sõjaliseks ja muuks otstarbeks, välja arvatud antiiksed käsirelvad,mis on valmistatud enne 1880. aastat:

4.1.1 Vintpüssid, automaat-tulirelvad, siledaraudsed relvad spetsiaalselt sõjaliseks kasutamiseks.

4.1.2 Revolvrid ja püstolid, välja arvatud raketi- ja õhupüstolid.

4.1.3 Spordi- ja jahirelvad.

4.1.4 Helisummutid tulirelvadele.

4.2 Suurekaliibrilised relvad:

4.2.1 Suurtükid, k.a. kahurid, miinipildujad, mortiirid, haubitsad, tagasilöögita relvasüsteemid ninggranaadiheitjad, tankitõrjevahendid, portatiivsete rakettide stardiseadmed, raketisüsteemid.

4.2.2 Leegiheitjad.

4.3 Laskemoon, osad ja lisaseadmed käesoleva nimekirja punktides 4.1 ja 4.2 nimetatud toodetele:

4.3.1 Laskemoon käesoleva nimekirja punktides 4.1 ja 4.2 nimetatud toodetele.

4.3.2 Osad ja lisaseadmed käesoleva nimekirja punktides 4.1 ja 4.2 nimetatud toodetele.

4.4 Reaktiivmürsud, pommid, raketid, torpeedod, maa- ja meremiinid, käsigranaadid


4.5 Tulejuhtimisvarustus, otsinguvarustus, juhtimisvarustus, mis on spetsiaalselt modifitseeritud võikonstrueeritud militaarseks kasutamiseks:

4.5.1 Spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud varustus tulejuhtimiseks, kontrolliks, lahinguvalmidusseviimiseks, laskmiseks, jälgimiseks.

4.5.2 Kajaloodid, navigatsiooni- ja elektriseadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritudmilitaarseks kasutamiseks.

4.6 Tuumarelvad, bioloogilised või keemiarelvad:

4.6.1 Varustus, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud nimetatud relvade paigutamiseks,väljalaskmiseks, levitamiseks, jälgimiseks ja hävitamiseks.

4.7 Toksilised ühendid, «pisargaasid» ja nendega seotud varustus, komponendid ja materjalid:

4.7.1 Bioloogilised ühendid ja radioaktiivsed materjalid, mis on kohaldatud sõjas kasutamiseks, et põhjustadakaotusi inimeste ja loomade hulgas:

4.7.1.1 Keemiarelvas kasutatavad närvisüsteemi mürgid:

a) O-alküül (kuni C10alküülid, sealhulgas ka tsükloalküülid) alküül(metüül, etüül, n-propüül võiisopropüül)fosfonofluoridaat; [alküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) fluorofosfiinhappe O-alküül(kuni C10alküülid) estrid]. Nt.: sariin (GB): O-isopropüül, metüülfosfonofluoridaat(metüülfluorofosfiinhappeO-isopropüülester); somaan (GD): O-pinakolüülmetüülfosfonofluoridaat (metüülfluorofosfiinhappe-O-pinakolüülester).

b) O-alküül (kuni C10alküülid, sealhulgas ka tsükloalküül), N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüülvõi isopropüül) fosforamidotsüanidaadid [tsüano-N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüül võiisopropüül) aminofosfiinhappe-O-alküül (kuni C10alküül) estrid]. Nt.: tabuun (GA): O-etüül-N,N-dimetüülfosforamidotsüanidaat (tsüano-N,N-dimetüülaminofosfiinhappe-O-etüülester).

c) O-alküül (H ja alküülid kuni C10, sealhulgas tsükloalküül) S-2-dialküül (metüül, etüül, n-propüül võiisopropüül) aminoetüülalküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) fosfonotiolaadid või vastavadalküleeritud või protoneeritud soolad. Nt.: VX: O-etüül-S-2-diisopropüülaminoetüülmetüülfosfonotiolaat.

4.7.1.2 Keemiarelvas kasutatavad nahamürgid:

a) väävlit sisaldavad «sinepid», sealhulgas:

1. 2-kloroetüülklorometüülsulfiid;

2. bis(2-kloroetüül)sulfiid;

3. bis(2-klorometüültio)metaan;

4. 1,2-bis(2-kloroetüültio)etaan;

5. 1,3-bis(2-kloroetüültio)-n-propaan;

6. 1,4-bis(2-kloroetüültio)-n-butaan;

7. 1,5-bis(2-kloroetüültio)-n-pentaan;

8. bis(2-kloroetüültiometüül)eeter;

9. bis(2-klorometüültioetüül)eeter.

b) ljuisiidid, näit.: 1. 2-klorovinüülkloroarsiin;

2. bis(2-klorovinüül)kloroarsiin;

3. tris(2-klorovinüül)arsiin.

c) lämmastikku sisaldavad «sinepid», nt.:

1. HN1: bis(2-kloroetüül)etüülamiin;


2. HN2: bis(2-kloroetüül)metüülamiin;

3. HN3: tris(2-kloroetüül)amiin.

4.7.1.3 Keemiarelvas kasutatavad teovõimetuks muutvad ained, nt.: 3-kinoklidinüülbensülaat (BZ).

4.7.1.4 Keemiarelvas kasutatavad defoliandid (taimelehtede varisemist põhjustavad ained).

Nt.:

a) butüül-2-kloro-4-fluorofenoksüatsetaat (LNF);

b) 2,4,5-triklorofenoksüäädikhape segus 2,4-diklorofenoksüäädikhappega (agent «orange»).

4.7.2 Keemiarelvade binaarsed ja põhilised lähteained:

a) alküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) fosfonüüldifluoriidid nagu DF: metüülfosfonüüldifluoriid;

b) O-alküül (H või alküülid kuni C10, sealhulgas tsükloalküül) O-2-dialküül (metüül, etüül, n-propüül võiisopropüül) aminoetüülalküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) fosfoniit ja vastavad alküleeritud japrotoneeritud soolad.

Nt.: QL: O-etüül-2-diisopropüülaminoetüülmetüülfosfoniit.

c) klorosariin: O-isopropüülmetüülfosfonokloridaat (metüülklorofosfiinhappe O-isopropüülester);

d) klorosomaan: O-pinakolüülmetüülfosfonokloridaat (metüülklorofosfiinhappe O-pinakolüülester).

4.7.3 «Pisargaasid» ja silmi ning limaskesti ärritavad ained:

a) bromobensüültsüaniid;

b) O-klorobensülideenmalononitriil (o-klorobensaalmalononitriil);

c) fenüülatsüülkloriid (w-kloroatsetofenoon);

d) dibens-(h,f)-1,4-oksasefiin.

Märkus: Punktis 4.7.3 sätestatud kontrollparameetrid ei kehti pisargaasi või silmi ja limaskesti ärritavate ainetekohta, mis on pakitud kui individuaalsed enesekaitsevahendid.

4.7.4 Varustus ja seadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud ja modifitseeritud punkti 4.7.1 all sätestatudmaterjalide ja ühendite levitamiseks.

Märkus: Punktis 4.7.4 sätestatud kontrollparameetrid kehtivad varustuse ja seadmete kohta, mis on spetsiaalseltprojekteeritud ja modifitseeritud militaarseks otstarbeks.

4.7.5 Varustus ja seadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud ja modifitseeritud kaitseks punkti 4.7.1 allsätestatud materjalide ja ühendite eest, nt.: õhukonditsioneerimise seadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritudtuuma-, bioloogilise või keemilise saaste filtreerimiseks.

Märkus: Punkt 4.7.5 kehtib ka kaitseriietuse kohta.

4.7.6 Varustus ja seadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud ja modifitseeritud punkti 4.7.1 all sätestatudmaterjalide ja ühendite avastamiseks ja identifitseerimiseks.

Märkus: Punktis 4.7.6 sätestatud kontrollparameetrid ei kehti personaalsete radiatsioonidosimeetrite kohta.

4.7.7 «Biopolümeerid», mis on spetsiaalselt töödeldud ja määratud punktis 4.7.1 sätestatud keemiarelvadeühendite avastamiseks ja identifitseerimiseks.

4.7.8 «Biokatalüsaatorid» keemiarelvade ühenditest ja bioloogilistest süsteemidest põhjustatud saastekõrvaldamiseks.

4.8 Militaarsed lõhkeained, kaasa arvatud viskelaengud ja nendega otseses seoses olevad ained:

4.8.1 Sfäärilistest osakestest alumiiniumpulber, mille osakeste suurus on 60 µm või vähem ja mis on toodetudmaterjalist, mille alumiiniumisisaldus on 99% või enam.

4.8.2 Metallist põletusained, mille osakesed on sfäärilised või helbekujulised ning on valmistatud materjalidest,mis sisaldavad 99% või enam järgmisi aineid:


a) metallid ja metallisegud:

1. berüllium, mille osakeste suurus on vähem kui 60 µm;

2. rauapulber, mille osakeste suurus on vähem kui 3 µm ning mis on saadud raudoksiidi redutseerumiselvesinikuga.

b) segud, mis sisaldavad ükskõik millist järgmistest ainetest:

1. tsirkoonium, magneesium ja nende sulamid, mille osakeste suurus on vähem kui 60 µm;

2. boorist või boorkarbiidist põletusained puhtusega 85% või enam, mille osakeste suurus on 60 µm või vähem;

3. perkloraadid, kloraadid ja kromaadid segus pulbriliste metallidega või teiste kõrge energiasisaldusega kütusekomponentidega;

4. nitroguanidiin;

5. fluori ühendid teiste halogeenidega, hapnikuga, lämmastikuga;

6. karboraanid, dekarboraanid, pentaboraan ja tema derivaadid;

7. tsüklotetrametüleentetranitramiin, oktahüdro-1,3,5,7-tetranitro-1,3,5,7-tetrasiin, 1,3,5,7-tetranitro-1,3,5,7-tetraasa-tsüklooktaan (oktogeen);

8. heksanitrostilbeen (HNS);

9. diaminodinitrobenseen (DATB);

10. triaminotrinitrobenseen (TATB);

11. triaminoguanidiinnitraat (TAGN);

12. titaani stöhhiomeetriline alahüdriid;

13. dinitroglükooluriil (DNGU, DINGU), tetranitroglükouriil (TNGU, SORGUYL);

14. tetranitrobensotriasolobensotriasool (TACOT);

15. diaminoheksanitrobifenüül (DIPAM);

16. pikrüülaminodinitropüridiin (PYX);

17. 3-nitro-1,2,4-triasool-5-oon (NTO või ONTA);

18. hüdrasiin hüdraat kontsentratsioonis 70% või enam, hüdrasiinnitraat, hüdrasiin perkloraat, ebasümmeetrilinedimetüülhüdrasiin, monometüülhüdrasiin, sümmeetriline dimetüülhüdrasiin;

19. ammoonium perkloraat;

20. tsüklotrimetüleentrinitramiin (RDX); tsükloniit; T4; heksahüdro-1,3,5-trinitro-1,3,5-triasiin; 1,3,5-trinitro-1,3,5-triasa-tsükloheksaan (heksogeen);

21. hüdroksüülammooniumnitraat (HAN), hüdroksüülammooniumperkloraat (HAP);

22. 2-(5-tsüanotetrasolaat) pentaamiinkoobalt (III) perkloraat (CP);

23. cis-bis(5-nitrotetrasolaat)-tetraamiinkoobalt (III) perkloraat;

24. 7-amino-4,6-dinitrobensofurasaan-1-oksiid (ADNBF), aminodinitrobensofuroksaan;

25. 5,7-diamino-4,6-dinitrobensofurasaan-1-oksiid või diamino dinitrobensofuroksaan;

26. 2,4,6-trinitro-2,4,6-triasatsükloheksanoon (K-6 või keto-RDX);

27. 2,4,6,8-tetranitro-2,4,6,8-tetraasabitsüklo [3,3,0]-oktanoon-3 (tetranitrosemiglükouriil, K-55 või ketobitsükloHMX);


28. 1,1,3-trinitroasetidiin (TNAZ);

29. 1,4,5,8-tetranitro-1,4,5,8-tetraasadekaliin (TNAD);

30. heksanitroheksaasaisowurtsitaan (CL-20) või HNIW ja tema klatraadid;

31. polünitrokubaanid enam kui nelja nitrorühmaga;

32. ammooniumdinitramiid (ADN või SR 12);

33. trinitrofenüülmetüülnitramiin (tetrüül).

4.8.3 Järgmised «lisandid» ja «lähteained»:

1. asiidometüülmetüüloksetaan (AMMO) ja tema polümeerid;

2. aluseline vasksalitsülaat, pliisalitsülaat;

3. bis(2,2-dinitropropüül)formaal või bis(2,2-dinitropropüül)atsetaal;

4. bis(2-fluoro-2,2-dinitroetüül)formaal (FEFO);

5. bis(2-hüdroksüetüül)glükoolamiid (BHEGA);

6. bis(2-metüülasiridinüül) metüülaminofosfiinoksiid(metüül BAPO);

7. bis-asiidometüüloksüetaan ja tema polümeerid;

8. bis-klorometüüloksüetaan (BCMO); 9. butadieennitriiloksiid (BNO);

10. butaantriooltrinitraat (BTTN);

11. katotseen (2,2-bis-etüülferrotsenüülpropaan); ferrotseenkarboksüülhapped; N-butüülferrotseen; butatseen jateised polümeerse ferrotseeni derivaadid;

12. dinitroasetidiin-t-butüülsool;

13. energeetilised monomeerid, plastifikaatorid ja polümeerid, mis sisaldavad nitro-, asiido-, nitraat- võidifluoroamiinorühmi;

14. polü-2,2,3,3,4,4-heksafluoropentaan- 1,5-dioolformaal (FPF-1);

15. polü-2,4,4,5,5,6,6-heptafluoro-2- trifluorometüül-3-oksaheptaan-1,7-dioolformaal (FPF-3);

16. glütsidüülasiid-polümeer (GAP) ja tema derivaadid;

17. heksabensüülheksaasaisowurtsitaan (HBIW);

18. hüdroksüüliga termineeritud (lõpetatud) polübutadieen (HTPB), milles hüdroksüülrühmade arv on võrdnevõi suurem kui 2,2 ja väiksem või võrdne kui 2,4, s.o. 2,2 ≤ [OH–] ≤ 2,4 või hüdroksüülrühmade arv on väiksemkui 0,77 mgekv/g ja viskoossus 30 °C juures väiksem kui 47 puaasi;

19. ülipeen raudoksiid (Fe2O3; bematiit), mille eripinda on rohkem kui 250 m2/g ja keskmine osakeste suurus≤,003 µm;

20. plii-ß-resortsilaat;

21. pliistannaat, pliimaleaat, pliitsitraat;

22. plii-vask ß-resortsilaadi või salitsülaatide kelaadid;

23. nitratometüülmetüüloksüetaan või polü(3-nitratometüül-3-metüül-oksüetaan) (polü-NIMMO) (NMMO);

24. 3-nitrasa-1,5-pentaan-diisotsüanaat;

25. N-metüül-p-nitroaniliin;

26. metallorgaanilised siduvad agendid, eriti:

a. neopentüül[diallüül]oksü- tri[dioktüül]fosfatotitanaat; samuti tuntud kui titaan IV, 2,2[bis-2-propenolato-metüülbutanolato, tris(dioktüül)fosfaat] või LICA 12;


b. titaan IV, [(2-propenolato-1)metüül, n-propanolatometüül]butanolato-1, tris(dioktüül)pürofosfaat või KR3538;

c. titaan IV, [(2-propenolato-1)metüül, n-propanolatometüül]butanolato-1, tris(dioktüül)fosfaat;

27. polütsüanodifluoroaminoetüleenoksiid (PCDE);

28. polüfunktsionaalsed asiridiini amiidid isoftaal-, trimesüül- (BITA või butüleenimiintrimesamiid) isotsüanuurvõi trimetüüladipiin skelettstruktuuridega ja 2-metüül- või 2-etüülasendajatega asiridiinringil;

29. polüglütsidüülnitraat või polünitraatometüüloksüraan, (polü-GLYN) (PGN);

30. polünitroortokarbonaadid;

31. polüpropüleenimiin, 2-metüülasiridiin;

32. tetraatsetüüldibensüülheksaasaisowurtsitaan (TAIW);

33. tetraetüleenpentaaminoakrüülonitriil (TEPAN); tsüanoetüleeritud polüamiin ja tema soolad;

34. tetraetüleenpentaaminoakrüülo- nitriilglütsidool (TEPANOL); tsüanoetüleeritud polüamiini aduktglütsidooliga ja tema soolad;

35. trifenüülvismut (TPB);

36. tris-1-(2-metüül)-asiridinüülfosfiinoksiid (MAPO); bis(2-metüülasiridinüül) 2-(2-hüdroksüpropaanoksü)propüülaminofosfiinoksiid (BOBBA 8) ja teised MAPO derivaadid;

37. 1,2,3-tris[1,2-bis(difluoroamino) etoksü]propaan; tris-vinoksüpropaanadukt (TVOPA);

38. 1,3,5-triklorobenseen;

39. 1,2,4-trihüdroksübutaan (1,2,4-butaantriool);

40. 1,3,5,7-tetraatsetüül-, 1,3,5,7-tetra-asatsüklo-oktaan (TAT);

41. 1,4,5,8-tetraasadekaliin;

42. madala molekulkaaluga (vähem kui 10 000) alkohol-funktsionaalne polüepikloorhüdriin;polüepikloorhüdriindiool ja -triool.

4.8.4 Püssirohud, valmislõhkeained, mürskude viskelaengud.

4.8.5 Lõhkelaengud, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud sõjaliseks otstarbeks, jalõhkamisvahendid selliste laengute jaoks.

4.8.6 Süütenöörid, detoneerivad nöörid, detonaatorid ja sütikud.

4.8.7 Pürotehnilised tooted, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks.

4.9 Elektrooniline varustus jms., mida pole nimetatud punktis 4.5:

4.9.1 Sidevahendid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks.

4.9.2 Elektrooniline sõjapidamisvarustus, sealhulgas antiradarsüsteemid ja radaridetektorid.

4.9.3 Radarseadmed.

4.9.4 Raadionavigatsiooniseadmed, raadiokaugjuhtimisseadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud võimodifitseeritud militaarseks kasutamiseks.

4.9.5 Geodeetilised instrumendid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarsekskasutamiseks.

4.9.6 Muu elektrooniline varustus, spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks.

4.10 Laevad jms.:


4.10.1 Ujuvkonstruktsioonid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks.

4.10.2 Laevad ja paadid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks.

4.10.3 Allveelaevad.

4.10.4 Allveelaeva- ja torpeedovõrgud.

4.11 Lennuaparaadid või kosmoselaevad, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritudmilitaarseks kasutamiseks:

4.11.1 Lennuaparaadid (näit. helikopterid, lennukid); kosmoselaevad (sealhulgas satelliidid) ja kanderaketid.

4.11.2 Detailid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud kasutamiseks käesoleva nimekirja punktis 4.11.1 loetletudaparaatides.

4.11.3 Lennukite stardiseadmed, pidurdusseadmed jms. seadmed; maapealsed lennutreeninguseadmed;nimetatud seadmete osad.

4.12 Maismaatranspordivahendid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarsekskasutamiseks:

4.12.1 Tankid ja muud iseliikuvad soomusmasinad, relvadega varustatud või mitte, nende osad.

4.12.2 Eriotstarbelised mootorveokid, v.a. sõidukid reisijate- või kaubaveoks (nt. tehnoabiautod, autokraanad,tuletõrjeautod, betoonisegamisautod, tänavapühkimis- ja kastmisautod, liikuvad töökojad jms.).

4.12.3 Muud maismaatranspordivahendid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarsekskasutamiseks.

4.13 Kineetilise energia relvasüsteemid ja nendega seotud varustus ning seadmed

4.14 Suunatud energia relvasüsteemid ja nendega seotud varustus ning seadmed

4.15 Kaitse- ja päästevarustus jms.:

4.15.1 Hermeetiline riietus, isolatsiooniriietus, kaitseriietus, mis on spetsiaalselt modifitseeritud militaarsekskasutamiseks.

4.15.2 Kiivrid, mis on modifitseeritud militaarseks kasutamiseks.

4.15.3 Hapnikuaparatuur, hingamisaparatuur, mis on spetsiaalselt modifitseeritud militaarseks kasutamiseks.

4.15.4 Langevarjud.

4.15.5 Katapuldid, jm. heitevahendid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseksotstarbeks.

4.15.6 Binoklid elektroonika baasil, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarsekskasutamiseks.

4.16 Fotomaterjalid:

4.16.1 Kaamerad, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks.

4.16.2 Foto- ja filmilaboratooriumide aparatuur ja sisseseade, mis on spetsiaalselt konstrueeritud võimodifitseeritud militaarseks kasutamiseks.

4.17 Sõjalise personali väljaõpetamiseks spetsiaalselt väljatöötatud või modifitseeritud materjalid

4.18 Sõjalise rakendusega materjalide ja varustuse kohta käiv dokumentatsioon

4.19 Komponendid, osad, moodulid ja lisaseadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud võimodifitseeritud käesolevasse nimekirja kuuluvate toodete jaoks

4.20 Tarkvara:

4.20.1 Tarkvara, mis on spetsiaalselt välja töötatud või modifitseeritud kasutamiseks käesolevasse nimekirjakuuluvates toodetes.

4.20.2 Tarkvara, mis on spetsiaalselt välja töötatud või modifitseeritud käesolevasse nimekirja kuuluvate toodetekonstrueerimiseks, valmistamiseks, hooldamiseks ja kasutamiseks.


4.21 Materjalid, masinad, tööriistad jms.:

4.21.1 Materjalid, mis on spetsiaalselt välja töötatud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks.

4.21.2 Masinad, tööriistad ja varustus, mis on spetsiaalselt välja töötatud või modifitseeritud käesolevassenimekirja kuuluvate toodete konstrueerimiseks, tootmiseks, hooldamiseks või kontrolliks.

Nimekiri 5: Kahese kasutusega kaupade ja materjalide nimekiri

Nimekirja positsiooni number Nimetus

Tehniline märkus: Sõnade «metall» ja «sulam» alla kuuluvad järgnevad töötlemata ja pooltöödeldud metallide jasulamite vormid:

Töötlemata vormid: kangid, latid, pallid, blokid, brikett, anoodid, katoodid, kristallid, graanulid, kamakad,kuubikud, kuulikesed, haavlid, plaadid.

Pooltöödeldud vormid:

a) sepistatud või töödeldud (rullitud, venitatud, pressitud jne.) materjalid: plaadid, lehed, pulbrid, helbed,vardad, kettad, torud jne.;

b) valumaterjalid, mis on vormitud valuvormidega või matriitsidega ning pulbermetallurgia produktid.

5.1 KAHESE KASUTUSEGA MATERJALID

Süsteemid, varustus ja komponendid

5.1.1 Komponendid, mis on valmistatud fluoriidsetest segudest:

a) tihendid, mansetid, muud tihendmaterjalid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks õhusõidukitel ja mison valmistatud enam kui 50% ulatuses (kaalu järgi) punktis 5.1.15.b ja punktis 5.1.15.c nimetatud materjalidest;

b) piesoelektrilised polümeerid paksusega enam kui 200 µm, mis on valmistatud punktis 5.1.15.a nimetatudmaterjalidest.

5.1.2 Komposiitstruktuurid või laminaadid.

5.1.3 Fluoreerimata polümeersetest ainetest (punktis 5.1.14.c nimetatud materjalid) valmistatud tööstustootedfilmi, kilelindi või lehe kujul:

a) paksusega enam kui 0,254 mm või

b) kaetud või lamineeritud metallidega, magneetiliste ainetega, grafiidiga või süsinikuga.

5.1.4 Kaitse- ja avastamisseadmed ning spetsiaalselt neile määratud komponendid:

a) gaasimaskid ja mürkainete saaste kõrvaldamise varustus, mis on määratud kaitseks sõjalisel otstarbelkasutatavate bioloogiliste ainete ja radioktiivsete materjalide vastu;

b) kaitseülikonnad, kindad ja saapad, mis on määratud kaitseks sõjalisel otstarbel kasutatavate bioloogilisteainete ja radioktiivsete materjalide vastu;

c) tuuma-, keemilise ja bioloogilise saaste avastamise süsteemid (NBC), mis on spetsiaalselt määratud sõjaliselotstarbel kasutatavate bioloogiliste ainete ja radioktiivsete materjalide avastamiseks ja identifitseerimiseks.

Testimis- ja tootmisvahendid

5.1.5 Aparatuur materjalide eraldamiseks veejoa abil, selle jaoks spetsiaalselt konstrueeritud osad.

5.1.6 Aparatuur materjalide eraldamiseks elektronkiire või laseri abil, nende jaoks spetsiaalselt konstrueeritudosad.

5.1.7 Lämmastikust ja hapnikust ammoniaagi valmistamise aparatuur.

5.1.8 Mass-spektromeetrid, mis võimaldavad mõõta ioone aatommassiga 230 või enam ja mille lahutusvõime onparem kui 2 osa 230-st.


5.1.9 Manomeetrid kuni 13 kPa-lise rõhu mõõtmiseks täpsusega üle (täpsus on suurem kui) 1% (koguskaala ulatuses), mis sisaldavad korrosioonikindlaid elemente niklist, niklisulamitest, roostevabast terasest,alumiiniumist või alumiiniumisulamitest.

Materjalid

5.1.10 Materjalid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks kui elektromagnetiliste lainete absorbeerijad:

5.1.10.1 Materjalid, mis absorbeerivad sagedusi vahemikus 2x108Hz ... 3x1012Hz.

5.1.10.2 Materjalid, mis absorbeerivad sagedusi vahemikus 1,5x1014Hz ... 3,7x1014Hz.

5.1.11 Metallide sulamid, pulbrid metallide sulamitest:

5.1.11.1 Metallide sulamid:

5.1.11.1.1 Sulamid nikli või titaani baasil, aluminiidide vormis, töötlemata või pooltöödeldud kujul:

a) nikkelaluminiidid, mis sisaldavad vähemalt 15% (kaalu järgi), kuid mitte enam kui 38% (kaalu järgi)alumiiniumi ja vähemalt ühte muud sulami elementi;

b) titaanaluminiidid, mis sisaldavad 10% (kaalu järgi) või enam alumiiniumi ja vähemalt ühte muud sulamielementi.

5.1.11.1.2 Metallide sulamid, mis on valmistatud metallide sulamite pulbrist:

a) niklisulamid:

1. purunemistsükliga 10 000 tundi või enam, paindepingel 676 MPa ja temperatuuril 923 K (650 °C) või

2. madaltsüklilise väsimusega 10 000 tsüklit või enam, maksimaalsel paindepingel 1095 MPa ja temperatuuril823 K (550 °C).

b) nioobiumisulamid:



c) titaanisulamid:



d) alumiiniumisulamid:

1. tõmbetugevusele 240 MPa või enam, temperatuuril 473 K (200 °C);

2. tõmbetugevusele 415 MPa või enam, temperatuuril 298 K (25 °C).

e) magneesiumisulamid tõmbetugevusele 345 MPa või enam, korrosioonimääraga vähem kui 1 mm/aastas 3%-lises naatriumkloriidi vesilahuses mõõdetuna ASTM (American Society for Testing and Materials) standardiG-31 järgi.

5.1.11.2 Pulbrid metallide sulamitest:

5.1.11.2.1 Pulbrid metallide sulamitest, mis on valmistatud järgmistest ühendikombinatsioonidest:

Tehniline märkus: X väljendab järgmistes ühendikombinatsioonides ühte või enamat sulami elementi.

a) niklisulamid (Ni-Al-X, Ni-X-Al), mis on määratud turbiinmootorite osade või komponentide valmistamiseks;

b) nioobiumisulamid (Nb-Al-X või Nb-X-Al, Ni-Si-X või Nb-X-Si, Nb-Ti-X või Nb-X-Ti);

c) titaanisulamid (Ti-Al-X või Ti-X-Al);

d) alumiiniumisulamid (Al-Mg-X või Al-X-Mg, Al-Zn-X või Al-X-Zn, Al-Fe-X või Al-X-Fe)või

e) magneesiumisulamid (Mg-Al-X või Mg-X-Al).


5.1.12 Magnetilised metallid, millel on järgmised tunnused:

a) suhtelise algläbitavusega 120 000 või enam;

b) paksusega 0,05 mm või vähem.

5.1.13 Raua, nikli või vase baasil uraantitaani- või volframisulamid:

a) tihedusega enam kui 17,5 g/cm3;

b) elastsuspiiriga enam kui 1250 MPa;

c) tõmbetugevusele enam kui 1270 MPa;

d) venivusega 8% või enam.

5.1.14 Fluoreerimata polümeersed ained:

a) bismaleimiidid;

b) aromaatsed polüamiidimiidid;

c) aromaatsed polüimiidid;

d) aromaatsed polüeeterimiidid.

5.1.15 Töötlemata fluoreeritud liitühendid:

a) vinülidiinfluoriidi polümeerid;

b) fluoreeritud polüimiidid, mis sisaldavad 10% või enam fluori;

c) fluoreeritud fosfaseen, mis sisaldab 30% või enam fluori.

5.1.16 Metallid ja liitühendid:

5.1.16.1 Boor ja boorkarbiid puhtusega 85% või enam, mille osakeste suurus on 60 µm või vähem.

5.1.16.2 Kloorfluoriid.

5.1.16.3 Ränikarbiid.

5.1.16.4 Neptuunium-237 kõikides vormides.

5.1.16.5 Koobalti toorsulam jm koobaltmetallurgia vaheproduktid, koobalt ja sellest valmistatud tooted.

5.1.16.6 Radioaktiivsed keemilised elemendid ja radioaktiivsed isotoobid (k.a. lõhustuvad ja rikastatavadkeemilised elemendid ja isotoobid), nende ühendid, neid sisaldavad segud ja jäägid.

5.2 MATERJALIDE TÖÖTLEMINE


5.2.1 Antifriktsioonlaagrid ja -laagrisüsteemid:

Tehnilised märkused punktide 5.2.1.1-5.2.1.6 juurde:

1. DN on laagri ava diameetri (millimeetrites) ja laagri pöörlemiskiiruse (p/min) korrutis.

2. Töötemperatuuri all on mõeldud temperatuuri, mis on saavutatud pöörleva masinaosa ja laagrikokkupuutepinnal masina seiskamise hetkel.

5.2.1.1 Kuullaagrid või tervikrull-laagrid (v.a. koonusrull-laagrid), mille tolerantsid kooskõlas Annular BearingEngineers Commitee poolt kehtestatud standarditega vastavad täpsusklassidele ABEC 7, ABEC 7P, ABEC7T või vastavad ISO poolt kehtestatud standardite järgi täpsusklassile 4 või paremad ja millel on järgmisedtunnused:

a) berülliumist või monelmetallist valmistatud kuulide või rullidega;


b) määratud kasutamiseks töötemperatuuril üle 573 K (300 °C);

c) varustatud määrimiselementide või komponentidega, mis võimaldavad laagreid ekspluateerida kiirustel, misületavad 2,3 miljonit DN.

5.2.1.2 Muud kuullaagrid või tervikrull-laagrid (v.a. koonusrull-laagrid), mille tolerantsid kooskõlas AnnularBearing Engineers Commitee poolt kehtestatud standarditega vastavad täpsusklassidele ABEC 9, ABEC 9P võiISO poolt kehtestatud standardite järgi täpsusklassile 2 või paremad.

5.2.1.3 Terviklikud rull-laagrid, mille tolerantsid kooskõlas American National Standards Institute / Anti-Friction Bearing Manufacturers Association'i poolt kehtestatud standarditega vastavad täpsusklassidele 00(tollmõõdustik) või A (meetermõõdustik) või paremad ja millel on järgmised tunnused:

a) varustatud määrimiselementide või komponentidega, mis võimaldavad laagreid ekspluateerida kiirustel, misületavad 2,3 miljonit DN või on

b) määratud kasutamiseks töötemperatuuril alla 219 K (–54 °C) või üle 423 K (150 °C).

5.2.1.4 Gaasikeskkonnas (gaaslaagerdustes kasutatavad laagrid) töötavad laagrid, mida kasutataksetöötemperatuuril 561 K (288 °C) või üle selle, mille kandevõime pikkusühiku kohta ületab 1 MPa.

5.2.1.5 Magnetlaagerdussüsteemid.

5.2.1.6 Iseseaduvad laagrid või liugelaagrid, mis on määratud kasutamiseks töötemperatuuril alla 219 K (–54°C) või üle 423 K (150 °C).


5.2.2 Arvprogrammjuhtimisega tööpingid metallide, keraamika ja optiliste materjalide töötlemiseks:

5.2.2.1 Arvprogrammjuhtimisega metallitreipingid, millel on järgmised tehnilised omadused:

a) positsioneerimise täpsusega vähem (parem) kui 6 µm (mõõdetuna piki ükskõik millist lineaartelge);

b) varustatud kahe- või mitmeteljelise arvjuhtimisega mõõteaparatuuriga.

5.2.2.2 Arvprogrammjuhtimisega freespingid, millel on järgmised tehnilised omadused:

a) 1. positsioneerimise täpsusega vähem (parem) kui 6 µm (mõõdetuna piki ükskõik millist lineaartelge) ja

2. varustatud kolme lineaarse ja ühe pöörlevateljelise arvjuhtimisega mõõteaparatuuriga;

b) varustatud viie- või enamateljelise arvjuhtimisega mõõteaparatuuriga.

5.2.2.3 Sügavate aukude puurimiseks modifitseeritud puurimis- ja treimispingid, kusjuures puuraugumaksimaalne sügavus ületab 5000 mm.

5.2.3 Arvprogrammjuhtimiseta tööpingid optilise kvaliteediga pindade valmistamiseks ja spetsiaalselt nendejaoks valmistatud komponendid:

5.2.3.1 Ühe lõiketeraga treipingid, mis vastavad järgmistele tehnilistele omadustele:

a) positsioneerimise täpsusega vähem (parem) kui 0,0005 mm (300 mm sammu kohta);

b) kahesuunalisel liikumisel positsioneerimise kordamisvõime täpsus väiksem (parem) kui 0,00025 mm (300mm sammu kohta);

c) liugtee perpendikulaarsus väiksem (parem) kui 0,001 mm (300 mm sammu kohta).

5.2.4 «Isostaatilised pressid» koos nende juurde kuuluvate matriitside ja valuvormidega:

a) termiliselt kontrollitava töökambriga, mille siseläbimõõt on 406 mm ja enam;

b) 1. maksimaalne töörõhk ületab 207 MPa;

2. kontrollitava termilise keskkonna temperatuur ületab 1773 K (1500 °C).

5.2.5 Elektrilised tööstus- ja laboratooriumiahjud:

5.2.5.1 Seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud või kohandatav tugevdatud tehiskiudude tootmiseks:


a) seadmed, mille abil on võimalik muundada polümeerkiudu (näit. kunstsiid) süsinik- või ränikarbiidkiuks,kaasa arvatud seadmed, mis võimaldavad kiudu kuumutamisprotsessis deformeerida (pingutada, väänata jne.);

b) seadmed ränikarbiidkiu tootmiseks elementide või ühendite keemilise aursadestamise (CVD) teel kuumutatudkiudsubstraatidele;

c) seadmed valgustmurdva keraamika (näit. alumiiniumoksiid) märgtsentrifuugimiseks;

d) seadmed, mille abil on kuumtöötlemise käigus võimalik muundada alumiiniumi sisaldavat eelkiudualumiiniumoksiidkiuks.

5.2.5.2 Installeeritud ohjeprogrammiga keemilise aursadestamise (CVD) seadmed, mis on kas:

a) modifitseeritud järgmisteks protsessideks:

1. impulss-CVD;

2. reguleeritav termiline nukleatsioonlagundamine (CNTD) või

3. plasmatõhustusega või plasmaosalusega CVD;

b) või:

1. sisaldavad pöörlemisläbiviigiga kõrgvaakumtihendeid (vaakumile jääkrõhuga alla 0,01 Pa);

2. varustatud pinnakattepaksuse in situ kontrollseadmega.

5.2.5.3 Installeeritud ohjeprogrammiga elektronkiire füüsilise aursadestamise (EB-PVD) seadmed.

5.2.5.4 Installeeritud ohjeprogrammiga plasmapihustusseadmed

5.2.5.5 Installeeritud ohjeprogrammiga ioonplateerimisseadmed.

5.2.6 Robotid, s.t. manipuleeritavad mehhanismid, mis on elektrooniliselt programmeeritavad jamultifunktsionaalsed ning millel on järgmised tehnilised omadused:

a) kõrgendatud vastupanuvõimega radiatsioonile, radiatsioonitasemele 5x103Gy (Si) või enam;

b) spetsiaalselt määratud tööoperatsioonide täitmiseks kõrgustel 30 000 m ja enam.

5.2.7 «Spin-forming» või «flow-forming/flow-turning» masinad, mis vastavalt tootja tehniliselespetsifikatsioonile võivad olla käitatavad arvprogrammjuhtimisüksuse või arvutikontrolli kaudu ja millel onjärgmised tehnilised omadused:

a) varustatud kahe või enama kontrollteljega, millest vähemalt kaks on koordineeritavadarvjuhtimismõõteaparatuuriga ja

b) rulliku jõud on enam kui 60 kN.

5.3 ELEKTROONIKA


Märkused:

1. Punktis 5.3.1 või punktis 5.3.2 kirjeldatud varustus, seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratudvõi millel on muudele seadmetele sarnased tunnused, kuuluvad muudele seadmetele esitatavate kontrollnõuetealla (välja arvatud seadmed, mida on kirjeldatud punktides 5.3.1.1.3–5.3.1.1.10 või punktis 5.3.1.1.12).

2. Integraallülitused, mida on kirjeldatud punktides 5.3.1.1.3–5.3.1.1.9 või punktis 5.3.1.1.12 ja mis onpüsivalt (mittemuudetavalt) programmeeritud või määratud mingite spetsiifiliste funktsioonide täitmiseksja mille teisaldamine või ümberprogrammeerimine on võimatu, kuuluvad nendele seadmetele kehtestatudkontrollpiirangute alla, kus neid kasutatakse.

NB!Kui tootja või väljaveolitsentsi taotleja ei suuda kindlaks määrata nn. muude seadmete väljaveokontrollipiirangu ala, kehtivad nendele integraallülituste suhtes punktides 5.3.1.1.3–5.3.1.1.9 või punktis 5.3.1.1.12kehtestatud piirangud.


5.3.1 Elektroonilised seadmed ja komponendid

5.3.1.1 Üldise kasutusega integraalskeemid:

Märkused:

1. Pooljuhtmaterjalist töödeldud või töötlemata plaadid, mille funktsioon on kindlaks määratud ning miskuuluvad punktis 5.3.1.1 kehtestatud nõuete alla.

2. Integraallülituste tüübid:

a) monoliitintegraallülitused;

b) hübriidintegraallülitused;

c) ühitatud mitmikkristallintegraallülitused;

d) kile tüüpi integraallülitused, kaasa arvatud safiiralusel ränist integraallülitused (SOS);

e) optilised integraallülitused.

1.Integraallülitused, millel on kõrgendatud vastupanuvõime kiirguse (radiatsiooni) suhtes:

a) maksimaalne radiatsioonitase 5x103Gy (Si) või rohkem või

b) radiatsioonitase üle 5x106Gy (Si)/s või rohkem.

2.Integraallülitused, mida on kirjeldatud punktides 5.3.1.1.3–5.3.1.1.10 või punktis 5.3.1.1.12 ja millel onjärgmised omadused:

a) määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur ületab 398 K (+125 °C);

b) määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 218 K (–55 °C);

c) määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur võib kõikuda vahemikus 218 K (–55 °C)kuni 398 K (+125 °C).

Märkus: Punkt 5.3.1.1.2 ei kehti integraallülituste kohta, mida kasutatakse tsiviiltranspordivahendites võirongides.

3.Mikroprotsessorite mikroskeemid, mikroarvutite mikroskeemid ja mikrokontrollerite mikroskeemid:

Märkused: Punkt 5.3.1.1.3 ei kehti kuni 8-bitiste räni baasil valmistatud mikrokompuutrite mikroskeemidevõi mikrokontrollerite mikroskeemide kohta. Punkt 5.3.1.1.3 kehtib ka signaalide muundurite(signaaliprotsessorite), digitaalandmesisestus- ja andmeväljastusprotsessorite kohta.

a) otsese juurdepääsuga aritmeetika-loogikalülitused juurdepääsulaiusega 32 bitti või enam ja mille kiirus(composite theoretical performance – CTP) on 260 miljonit või enam teoreetilist operatsiooni sekundis;

b) valmistatud liitpooljuhist, töösagedusega üle 40 MHz või

c) rohkem kui ühe andme- või käsusiiniga (data or instruction bus) või järjestikuse kommunikatsioonipesaga,väliseks ühenduseks paralleelprotsessoris ülekandekiirusega üle 2,5 Mbyte/s.

4.Elektrilise kustutusega programmeeritavad püsimälud (EEPROM-id), staatilise otsese juurdepääsuga (SRAM)mälud ja liitpooljuhist valmistatud salvestavad integraallülitused:

a) EEPROM-id mälumahuga:

1. enam kui 16 Mbitti FLASH püsimälu kohta või

2. kõigi ülejäänud EEPROM tüüpi püsimälude kohta, mis ületavad järgmisi parameetreid:

a. 4 Mbitti või b.

1 Mbitti ja maksimaalse otsese juurdepääsuajaga vähem kui 80 ns;

b) SRAM-id mälumahuga:

1. enam kui 4-Mbitised või

2. enam kui 1-Mbitised ja maksimaalse otsese juurdepääsuajaga vähem kui 20 ns;


c) liitpooljuhist salvestavad integraallülitused (mäluseadmed).

5.Integraalsed analoogdigitaal- ja digitaalanaloogmuundurid:

a) integraalsed analoogdigitaalmuundurid:

1. 8–12-bitise eraldusvõime puhul täieliku muundamise kestus maksimaalse eraldusvõimeni vähem kui 10 ns;

2. 12-bitise puhul on täieliku muundamise kestus maksimaalse eraldusvõimeni vähem kui 200 ns;

3. enam kui 12-bitise puhul on täieliku muundamise kestus maksimaalse eraldusvõimeni vähem kui 2mikrosekundit;

b) integraalsed digitaalanaloogmuundurid, mis on 12-bitise või enama eraldusvõimega ja näidustabiliseerumisajaga vähem kui 10 ns.

6.Elektro-optilised ja optilised integraallülitused signaalide töötlemiseks, mis on:

a) ühe või mitme sisemise laserdioodiga; b) ühe või mitme sisemist valgust detekteeriva elemendiga;

c) optilised lainejuhid.

7.Programmeeritavad, elektrisignaalide võimendamiseks või genereerimiseks kasutatavad maatriksid (FPGA-d):

a) maatriksi moodustamisel kasutatavate elementide arv on enam kui 30 000 (kahe sisendiga);

b) sisend- või väljundviivitus on alla 0,4 ns.

8.Programmeeritavad loogikalülitustest maatriksid:

a) maatriksi moodustamisel kasutatavate elementide arv on enam kui 30 000 (kahe sisendiga) või

b) taktsagedus ületab 133 MHz.

9.Mikrolülituste võrgud.

10.Järgmiste omadustega üldkasutatavad integraallülitused, mille funktsioon on teadmata või kui seadmestiku(milles neid kasutatakse) väljaveo piirangu staatus on tootjale teadmata:

a) enam kui 208 sisestus- ja väljastusklemmiga;

b) sisend- või väljundviivitusajaga alla 0,35 ns või

c) töösagedus ületab 3 GHz.

11.Digitaalintegraallülitused, mis ei kuulu punktides 5.3.1.1.3–5.3.1.1.10 või punktis 5.3.1.1.12 kirjeldatute alla,ning on valmistatud liitpooljuhtide baasil:

a) maatriksi moodustamisel kasutatavate elementide arv on enam kui 300 (kahe sisendiga);

b) taktsagedus ületab 1,2 GHz.

12.Kiireks Fourier' teisendamiseks (FFT) määratud protsessorid:

a) 1024-punktilise FFT teostamise aeg vähem kui 1 ms;

b) N-punktilise (muu kui 1024-punktilise) teostamise aeg vähem kui N log2N/10240 ms, kus N on punktide arvvõi

c) jooksev läbilaskevõime enam kui 5,12 MHz.

5.3.1.2 Kõrg- ja ülikõrgsagedusseadmed:

1.Elektroonilised vaakumtorud ja katoodid:

Märkused:


1. Punktis 5.3.1.2.1 sätestatud nõuded ei kehti selliste elektronseadmete suhtes, mis on konstrueeritud võimääratud kasutamiseks standardsetes tsiviiltelekommunikatsiooni sagedusvahemikes (töösagedus kuni 31 GHz).

a) pulsseeriva või pidevlainega mittestatsionaarsed kiirtetorud: 1. töösagedusega enam kui 31 GHz;

2. varustatud katoodi kuumutuselemendiga ja käivitusaeg raadiosagedusliku (RF) võimsuse saavutamiseks onvähem kui 3 sekundit;

3. sidestatud ruumilised resonaatorid või nende modifikatsioonid hetkelise raadiosagedusliku ribalaiusega üle7% või piirvõimsusega üle 2,5 kW;

4. kiirekujulised (Solar, Helix) torud või nende modifikatsioonid: a. hetkeline ribalaius on enam kui üks oktaav,keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-ides) on enam kui 0,5;

b. hetkeline ribalaius on üks oktaav või väiksem, keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatudsagedusega (väljendatud GHz-ides) on suurem kui 1 või

c. «kosmosekvaliteediga» (viitab toodetele, mis leiavad kasutust eriti rasketes elektrilistes, mehhaanilistes jakeskkonnatingimustes ja on määratud kasutamiseks satelliitidel või suurtes kõrgustes (100 km ja kõrgemal)lendavatel lennuaparaatidel;

b) ristuvate väljadega võimenduslambid võimendusega üle 17 dB;

c) impregneeritud katoodid elektrontorudele:

1. käivitusaeg vajaliku emissiooni saamiseks vähem kui 3 sekundit või

2. tagavad pideva emissioonivoolutiheduse üle 5 A/cm2etteantud tööoludes.

2.Kõrgsagedusintegraallülitused või -moodulid, mis sisaldavad monoliitintegraallülitusi ja mille töösagedus onenam kui 3 GHz.

Märkus: Punkt 5.3.1.2.2 ei hõlma lülitusi või mooduleid, mis on määratud kasutamiseks standardsetestsiviiltelekommunikatsioonile ettenähtud sagedusvahemikes, mille töösagedus ei ületa 31 GHz.

3.Ülikõrgsagedustransistorid piirsagedusega üle 31 GHz.

4.Ülikõrgsageduslikud integraalsed võimendid:

a) töösagedus enam kui 10,5 GHz ja hetkeline ribalaius enam kui pool oktaavi;

b) töösagedus enam kui 31 GHz.

5.Elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribafiltrid (band-pass) või režektorid (band-stop) (lasevad läbi(band-pass) või tõkestavad (band-stop) kõik signaalid kindlaksmääratud sagedusriba ulatuses), millel on enamkui 5 häälestatavat resonaatorit, mis on võimelised vähem kui 10 mikrosekundi jooksul ristihäälestama 1,5:1sagedusega laineala (fmax/fmin):

a) ribafiltrid (band-pass) sagedusriba laiusega enam kui 0,5% kesksagedusest või

b) režektorid (band-stop) sagedusriba laiusega vähem kui 0,5% kesksagedusest.

6.Ülikõrgsageduslikud agregaadid töösagedusega enam kui 31 GHz.

7.Segistid ja muundurid, mis on konstrueeritud sagedusriba laiendamiseks seadmetele, mida kirjeldataksepunktides 5.3.2.3, 5.3.2.5 või 5.3.2.6 ja mille tehnilised näitajad ületavad kontrollivabade kaupade normidepiirid.

8.Ülikõrgsageduslikud jõuvõimendid, mis sisaldavad punktis 5.3.1.2.1 kirjeldatud torusid ja vastavadjärgmistele tehnilistele omadustele:

a) töösagedus enam kui 3 GHz;

b) keskmine väljundvõimsuse tihedus ületab 80 W/kg.

5.3.1.3 Akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks määratud komponendid.

1. Pinnaakustilise laine ja libiseva akustilise laine seadmed (s.t. signaalitöötlusseadmed, mille tööpõhimõtebaseerub elastsete lainete levitamisel materjalis):

a) kandesagedus ületab 2,5 GHz;


b) kandesagedus ületab 1 GHz, kuid on väiksem kui 2,5 GHz ning:

1. kõrvalriba mahasurumine ületab 55 dB;

2. maksimaalse viivitusaja ja sagedusriba korrutis (aeg mikrosekundites ja sagedus MHz-des) ületab 100 või

3. hajutamise hilistumine on üle 10 mikrosekundi;

4. sagedusriba laiusega enam kui 250 MHz;

c) kandesagedusega vähem kui 1 GHz ning:

1. maksimaalse viivitusaja ja sagedusriba korrutis (aeg mikrosekundites ja sagedus MHz-des) ületab 100;

2. hajutamise hilistumine on üle 10 mikrosekundi;

3. kõrvalriba mahasurumine ületab 55 dB ja sagedusriba laius on 50 MHz või enam.

2. Mahulised akustilise laine seadmed (st signaali töötlemise seadmed, mis kasutavad elastseid laineid), millekasutamine võimaldab vahetult töödelda signaale, mille sagedus ületab 1 GHz.

3. Akustilis-optilised signaali töötlemise seadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumilaine (bulk wave) võipinnalaine (surface wave)) ja valguslainete omavahelist efekti, mis võimaldab vahetult töödelda signaale võikujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvulutsioon.

5.3.1.4 Elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest valmistatudkomponente ja on spetsiaalselt määratud kasutamiseks allpool vähemalt ühe ülijuhtiva koostisosa kriitilisttemperatuuri.

1. Elektromagnetiline võimendus:

a) töösagedustel 31 GHz või vähem, müratasemega alla 0,5 dB või

b) töösagedustel enam kui 31 GHz.

2. Voolulülitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse ülijuhtivaid elemente, mille viivitusaja (sekundites) jahajutusvõimsuse korrutis pordi kohta (vattides) on vähem kui 10 -14J.

3. Sageduse selekteerimine kõikidel sagedustel, kasutades resoneerivaid vooluahelaid, mille hüveteguri Qväärtus ületab 10 000.

5.3.1.5 Energiaallikad:

1. Patareid:

Märkus: Punkt 5.3.1.5.1 ei hõlma patareisid ruumalaga alla 27 cm3(näiteks standardsed C-kuivelemendid võiR14 patareid).

a) primaarsed kuivelemendid või patareid, mille energia tihedus on suurem kui 480 Wh/kg ja mis on määratudkasutamiseks temperatuurivahemikus 243 K (–30 °C) ... 343 K (+70 °C);

b) korduvlaetavad kuivelemendid ja patareid, mille energiatihedus ületab 150 Wh/kg pärast 75 laadimis/tühjendamistsüklit, kusjuures tühjendamisvool on võrdne suurusega C/5 tundi (C – nominaalse mahtuvuseväärtus ampertundides), temperatuurivahemikus 253 K (–20 °C) ... 333 K (+60 °C);

Tehniline märkus:Energiatihedus saadakse, kui korrutatakse omavahel kaks suurust, millest üks võrdubkeskmise võimsusega vattides (W) (keskmine pinge voltides korrutatud keskmise voolutugevusega amprites)jagatuna tühjenemise kestusega tundides ning teine võrdub 75%-ga avatud vooluringi pingest jagatuna akukogumassiga kg-des;

c) «kosmosekvaliteediga» ja kõrgendatud radiatsioonivastupanuvõimega fotogalvaanilised maatriksiderivõimsusega üle 160 W/m2(töötemperatuuril 301 K (+28 °C)) volframi kiirgusega 1 kW/m2temperatuuril 2800K (2527 °C).

2. Suure mahtuvusega kondensaatorid:

a) ühekordselt koormatavad kondensaatorid töösagedusega vähem kui 10 Hz:


1. pinge piirkond 5 kV või enam;

2. energiatihedus 250 J/kg või enam; 3. koguenergia 25 kJ või enam.

b) korduvalt koormatavad kondensaatorid töösagedusega 10 Hz või enam:

1. pinge piirkond 5 kV või enam;

2. energiatihedus 50 J/kg või enam;

3. koguenergia 100 J või enam; 4. laadimis/tühjenemistsükli suurus 10 000 korda või enam.

3. Ülijuhtivad elektromagnetid või solenoidid, mille laadimis- või tühjenemiskestus on alla ühe sekundi:

a) energia, mis vabaneb tühjenemisel 1 sekundi jooksul, ületab 10 kJ;

b) voolu ülekandva mähise sisemine diameeter on enam kui 250 mm;

c) magnetilise induktsiooni piirkond ületab 8 T, kui üldine voolutihedus mähises on 300 A/mm2.

Märkus: Punkt 5.3.1.5.3 ei hõlma spetsiifilisi ülijuhtivaid elektromagneteid või solenoide, mis on konstrueeritudmagnetilise resonantsi kujutisel (MRI) baseeruvate meditsiiniseadmete tarbeks.

5.3.1.6 Rotatsioonilise sisenditüübiga kiirte täieliku asendi kodeerijad:

a) eraldusvõime parem kui 1 osa 265 000-st (eraldusvõime 18 bitti) täisskaala ulatuses või

b) täpsus ületab enam kui ±2,5 kaaresekundit.

5.3.2 Üldotstarbelised elektroonilised seadmed:

5.3.2.1 Salvestusseadmed:

1. Magnetlindiga analoogsalvestusaparatuur, kaasa arvatud seadmed, mis võimaldavad salvestadadigitaalsignaale [s.t. kasutatakse kõrgsagedusdigitaalsalvestuse moodulit (HDDR)]:

a) sagedusribaga enam kui 4 MHz elektroonilise kanali või lindi riba kohta;

b) sagedusribaga enam kui 2 MHz elektroonilise kanali või lindi riba kohta ja millel on enam kui 42 riba või

c) ajaline nihkeviga (base error), mis on vastavuses Inter Range Instrumentation'i (IRIG) või ElectronicIndustries Association'i (EIA) dokumentidega ei ületa ±0,1 mikrosekundit.

2. Digitaalne magnetlindiga videosalvestusaparatuur, mille digitaalliidese maksimaalne ülekandekiirus on üle180 Mbit/s.

Välja arvatud:

Seadmed, mis on spetsiaalselt määratud televisiooni tarbeks ja mille salvestussignaalide formaadid onstandardiseeritud või soovitatud International Radio Consultative Committee (CCIR) või International TechnicalCommission'i poolt tsiviiltelevisiooni tarbeks.

3. Digitaalne magnetlindiga salvestusaparatuur, kus kasutatakse spiraalset skanneeriva või paigalseisvasalvestuspeaga töötlusviisi:

a) digitaalliidese maksimaalne ülekandekiirus on üle 175 Mbit/s või

b) «kosmosekvaliteediga».

Märkus: Punkt 5.3.2.1.3 ei hõlma magnetlindiga analoog-salvestusaparatuuri, mis on varustatud HDDR-imuundamise vahenditega ja määratud ainult digitaalse informatsiooni salvestamiseks.

4. Seadmed, mille digitaalliidese maksimaalne ülekandekiirus on üle 175 Mbit/s ja mille abil saab magnetlindigadigitaalset videosalvestusaparatuuri kasutada digitaalse informatsiooni salvestajana.

5. Lainekuju digitaalmuundurid ja salvestid:

a) digitaalse muundamise määraga 200 miljonit või enam tulemit sekundis ja eraldusvõimega 10 bitti või enam;

b) pideva läbilaskevõimega 2 Gbit/s või enam.


Tehnilised märkused:Nende seadmete puhul, mis põhinevad paralleelsiini (parallel bus) arhitektuuril, on pidevläbilaskekiirus suurus, mis saadakse, korrutades sõna ülekandekiiruse biti numbritega selles sõnas. Punktis5.3.2.1.5 nimetatakse pidevaks läbilaskevõimeks andmete suurimat väljastuskiirust, mida seade võib arendadailma mingi informatsiooni kaota andmekandjal, säilitades edastamise kiiruse ja analoogdigitaalmuundamise.

5.3.2.2 Elektroonilised sagedussüntesaatorid, mille sageduse ümberlülitusaeg ühelt väljaselekteeritud sageduseltteisele on alla 1 ms.

5.3.2.3 Signaalianalüsaatorid:

a) võimelised analüüsima signaale sagedustel 31 GHz ja enam;

b) dünaamilised signaalianalüsaatorid tegeliku sagedusribaga enam kui 25,6 kHz.

Välja arvatud:

Seadmed, kus kasutatakse konstantse sagedusribaga filtreid (samuti filtreid, mida tuntakse oktaav- võifraktsiooniliste oktaavfiltritena).

5.3.2.4 Sagedussünteesiga signaaligeneraatorid, mille väljundsageduse täpsus ning lühi- ja pikaajaline püsivustagatakse sisemise etalonsageduse poolt:

a) maksimaalne sünteesitav sagedus ületab 31 GHz;

b) sageduse ümberlülitusaeg ühelt väljaselekteeritud sageduselt teisele on alla 1 ms või

c) ühe külgriba (SSB) faasimüra enam kui

– (126 + 20 log10F – 20 log10f) dBc/Hz, kus F on kõrvalehäälestuse sagedus töösagedusest hertsides ja f ontöösagedus MHz-des.

Märkus: Punkt 5.3.2.4 ei hõlma seadmeid, mille väljundsagedus saadakse kahe või enama kristallostsillaatorisageduste lisamisel või mahaarvamisel või tulemuse korrutise lisamisel või mahaarvamisel.

5.3.2.5 Võrguanalüsaatorid, mille maksimaalne töösagedus ületab 40 GHz.

Märkus: Punkt 5.3.2.5 ei hõlma ulatusliku sagedusega võrguanalüsaatoreid, mille maksimaalne töösagedus eiületa 40 GHz ja mis ei sisalda andmesiini distantsjuhtimise sidestamiseks.

5.3.2.6 Ülikõrgsageduslikud vastuvõtjad testimiseks: a) maksimaalse töösagedusega enam kui 40 GHz; b)võimelised mõõtma amplituudi ja faasi üheaegselt.

5.3.2.7 Tuumasageduse standardid: a) pikaajalise püsikindlusega (vananemine) vähem (parem) kui 1H10 B11/kuu või

Märkus: Punkt 5.3.2.7.a ei hõlma «mittekosmosekvaliteediga» rubiidiumi standardeid.

b) «kosmosekvaliteediga».

5.3.3 Kondensaatorid, millel on järgmised tehnilised omadused:

a) tööpinge enam kui 1,4 kV, mahtuvus enam kui 0,5 µF, induktiivtakistus 50 nH või vähem ja energiaakumuleerimisega 10 J või enam või

b) tööpinge enam kui 750 V, mahtuvus enam kui 0,25 µF ja induktiivtakistus 10 nH või vähem.

5.3.4 Ülijuhtivad solenoidelektromagnetid, millel on järgmised tehnilised omadused:

a) võimelised tekitama magnetvälja tugevusega 2 teslat või enam;

b) L/D suhtega (pikkus jagatud sisediameeter) 2 või enam;

c) sisediameeter üle 300 mm.

5.3.5 Ostsilloskoobid ja ostsillograafid:

a) mittemoodulkoostisega analoogostsilloskoobid ribalaiusega 1 GHz või enam;


b) moodulkoostisega (üksikagregaatidest koosnevad) analoog-ostsilloskoobid, millel on:

1. põhibloki ribalaius 1 GHz või enam või

2. juurdelülitatavad moodulid, mille ribalaius on 4 GHz või enam;

c) strobeerivad analoogostsilloskoobid, mis on määratud korduvate nähtuste uurimiseks, ribalaiusega enam kui 4GHz;

d) digitaalostsilloskoobid ja ostsillograafid, mis on varustatud analoog-digitaalmuunduritega ja võimelisedsalvestama siirdeprotsesse väljaselekteeritavate elektriliste suuruste intervalliga vähem kui 1 ns (üle 1gigavalimi sekundis), 8-bitise või enama eraldusvõimega ja 256 või enama seose salvestusvõimega.

Märkus: Selle punkti alla kuuluvad ka eelmainitud spetsiifilistele analoogostsilloskoopidele määratudkomponendid:

a) juurdelülitatavad blokid;

b) lõppvõimendid (välisvõimendid);

c) eelvõimendid;

d) elektriliste või elektrilisteks muundatud suuruste funktsionaalsete seoste väljaselekteerimisseadmed(strobeerimisseadmed);

e) elektronkiirtetorud.

Tehniline märkus:Ribalaius on määratletud kui sagedusriba, mille ulatuses signaal elektronkiirtetoru ekraanil eilange alla 70,7% maksimaalsest ja mis on mõõdetud ostsilloskoobi võimendi konstantsel sisendpingel.

5.3.6 Sagedusmuundurid või generaatorid:

a) väljundvõimsusega 40 W või enam;

b) töösagedusvahemikule 600...2000 Hz;

c) sageduskontrolliga parem kui 0,1%.

5.3.7 Voolutransformaatorid, staatilised muundurid, induktiivpoolid ja drosselid:

a) väljundvoolutugevusega 500 A või enam;

b) pingele 100 V või enam

5.3.8 Pingemuundurid:

a) pingele 20 kV või enam;

b) väljundvoolutugevusega 1 A või enam.

5.3.9 Mass-spektromeetrid:

a) termilised ionisatsioonmass-spektromeetrid (TIMS);

b) induktiivsed plasmamass-spektromeetrid (ICP/MS);

c) elektronpommitusega mass-spektromeetrid, mis on valmistatud UF6kindlatest materjalidest.


5.3.2 Varustus ja seadmed pooljuhtseadmete tootmiseks:

5.3.2.1 Installeeritud ohjeprogrammiga seadmed:

a) seadmed, millega on võimalik valmistada ühtlast (±2,5%) pinnakattematerjali;

b) metalli orgaaniliskeemilise aursadestamise reaktorid (MOCVD), mis võimaldavad punktides 5.3.4 või 5.3.5kirjeldatud materjalide vahelise keemilise reaktsiooni läbi liitpooljuhtide kristallide juurdekasvu.

5.3.2.2 Installeeritud ohjeprogrammiga ioonplateerimisseadmed:

a) kiirenduspinge ületab 200 keV;


b) spetsiaalselt määratud ja optimeeritud töötamaks kiirenduspingel alla 10 keV;

5.3.2.3 Installeeritud ohjeprogrammiga isotroopse plasma kuivsöövitusseadmed.

5.3.2.4 Installeeritud ohjeprogrammiga kõrgendatud plasma CVD seadmed.

5.3.3 Installeeritud ohjeprogrammiga kontrollseadmed pooljuhtseadmete testimiseks:

a) transistorite testimiseks sagedustel üle 31 GHz;

b) kõrgsagedusintegraallülituste testimiseks sagedustel üle 3 GHz.

Materjalid

5.3.4 Orgaanilis-anorgaanilised liitühendid:

a) alumiiniumi, galliumi või indiumi orgaanilis-metallilised liitühendid puhtusega (metalli baasil) enam kui99,999%;

b) arseeni, antimoni ja fosfori orgaanilised liitühendid puhtusega (anorgaanilise elemendi baasil) 99,999%.

5.3.5 Fosfori, arseeni või antimoni hüdriidid puhtusega 99,999% või enam.

5.4 ARVUTID


5.4.1 Elektronarvutid, nendega seotud varustus ja elektroonilised agregaadid neile spetsiaalselt määratudkomponentidega:

a) määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 228 K (–45 °C) või üle358 K (85 °C);

b) kõrgendatud vastupanuvõimega radiatsioonile:

1. maksimaalne radiatsioonitase 5x103Gy (Si);

2. radiatsioonimäärale 5x106Gy (Si)/s või enam.

5.4.2 «Hübriidarvutid» ja elektroonilised agregaadid spetsiaalselt neile määratud komponentidega:

a) sisaldavad «digitaalarvuteid», mis vastavad punktis

5.4.3. kirjeldatavatele;

b) sisaldavad analoogdigitaalmuundureid, mis vastavad kõikidele järgmistele tehnilistele näitajatele:

1. 32 või enam kanalit;

2. 14-bitise või enama eraldusvõimega ning muundamismääraga 200 000 muundamist sekundis või enam.

Tehniline märkus:Hübriidarvutiteks nimetatakse arvuteid, mis võimaldavad:

a) andmeid vastu võtta;

b) töödelda andmeid nii analoog- kui digitaalvormis;

c) andmeid väljastada.

5.4.3 «Digitaalarvutid», elektroonilised agregaadid spetsiaalselt neile määratud komponentidega:

a) digitaalarvutid kiirusega (composite theoretical performance) üle 710 miljoni teoreetilise operatsioonisekundis (Mtops);

b) elektroonilised agregaadid, mis võimaldvad suurendada punktis 5.4.3.a kirjeldatud arvutite kiirust üle samaspunktis sätestatud määra.


5.4.4 Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud kindlustamaks «digitaalarvutite» vahelist interühendust, võiühendatud seadmestik, mis võimaldab andmeid vahetada andmeülekandekiirusega enam kui 80 Mbyt/s.

5.5 TELEKOMMUNIKATSIOONID


5.5.1 Igasugune telekommunikatsioonidega seotud varustus, millel on järgmised tehnilised omadused:

a) on spetsiaalselt määratud ja modifitseeritud talumaks ajutisi elektroonilise ja elektromagnetilise impulsimõjusid, mis tekivad tuumaplahvatuse järel;

b) kõrgendatud vastupanuvõime gamma-, neutroni- või ioonradiatsioonile;

c) spetsiaalselt määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 218 K (–55°C) ja enam kui 397 K (124 °C).

Märkus: Punkt 5.5.1.c kehtib ainult elektroonilise varustuse kohta.

5.5.2 Telekommunikatsiooniseadmed ja süsteemid, spetsiaalselt nendele süsteemidele ja varustusele mõeldudkomponendid:

Märkus: Telekommunikatsioonivarustuse alla kuuluvad kategooriad:

a) erinevad kategooriad ja nende kombinatsioonid:

1. raadiosidevarustus (saatjad, vastuvõtjad ja vastuvõtu-saatejaamad);

2. vahepealse võimenduse seadmed;

3. modulaatorid/demodulaatorid (modemid);

4. repiitrid;

5. regeneraatorid;

6. ülekande kodeerijad (transkodeerijad);

7. installeeritud ohjeprogrammiga digitaalse ristühendusega seadmed;

8. «media access unit» B varustus, mis sisaldab vähemalt üht või enamat sideliidest (interfeis), et ühendadaterminaali võrku;

9. LAN-võrgu terminaatorid;

b) määratud kasutamiseks ühe või mitmekanalilistes ühendustes:

1. koaksiaalkaablid;

2. juhtmed.

5.5.2.1 Digitaaltehnika, mis sisaldab analoogdigitaalmuundureid ja mille digitaalne ülekandekiirus kõrgemalmitmekordsuse tasemel ületab 45 Mbit/s või mille «täielik digitaalne ülekandekiirus» ületab 90 Mbit/s.

Märkus: «Täielik digitaalne ülekandekiirus» on bittide arv, mis kulub andmete edastamiseks, kodeerimiseks jne.,s.t. terviklikuks transmissiooniks.

Märkus: Punktis 5.5.2.1 sätestatud kontrollparameetrid ei kehti seadmete kohta, mis on spetsiaalselt määratudkasutamiseks tsiviilotstarbelistes satelliitsidesüsteemides.

5.5.2.2 Veealuse side süsteemid, millel on ükskõik millised järgmistest tehnilistest omadustest:

a) akustiliste lainete edastajad väljaspool sagedusvahemikku 20 kHz ... 60 kHz;

b) elektromagnetiliste lainete edastajad sagedustel 30 KHz ja alla selle;

c) elektroonilist kiirejuhtimist kasutavad veealuse side süsteemid.

5.5.2.3 Varustus, mis sisaldab järgnevat:

a) võrgukaardid ja nendega seotud vahelülid, mille digitaalne ülekandekiirus ületab 156 Mbit/s või


b) digitaalse väljundiga «sidekanaliliidesed», mille andmeülekandekiirus ületab 2,1 Mbit/s.

5.5.2.4 Telekommunikatsioonivarustus, mille üheks agregaadiks on «laser», mis võimaldab tekitada nii pidevatkui ka ajutist koherentset valgust radiatsiooni emissiooni stimuleerimise teel ning millel on ükskõik millinejärgmistest tehnilistest omadustest:

a) ülekande lainepikkus ületab 1000 nm;

b) sisaldab analoogtehnikat ja sagedusriba laius ületab 45 MHz;

c) sisaldab koherentse optilise ülekande või koherentse optilise avastamise tehnikat;

d) teostab optilist võimendust.

5.5.2.5 Raadioseadmestik, mille töö sisend- ja väljundsagedused ületavad 31 GHz.

5.5.2.6 Raadioseadmestik, millel on ükskõik milline järgmine tehniline omadus:

a) kvadratuur-amplituud-modulatsioonitehnika (QAM) (4. tase või enam), mille «täielik digitaalneülekandekiirus» ületab 8,5 Mbit/s;

b) QAM tehnika (16. tase või enam), mille «täielik digitaalne ülekandekiirus» on 8,5 Mbit/s või vähem või

c) muu digitaalne modulatsioonitehnika, mis omab «spektraaltõhusust» 3 bit/s/Hz või enam.

Märkus: Punktis 5.5.2.6 sätestatud kontrollparameetrid ei kehti seadmete kohta, mis on spetsiaalselt määratudkasutamiseks tsiviilotstarbelistes satelliitsidesüsteemides.

5.5.2.7 Digitaalselt kontrollitavad raadiovastuvõtjad, millel on:

a) enam kui 1000 kanalit;

b) sageduse ümberlülitusaeg vähem kui 1 ms;

c) elektromagnetilise spektriosa automaatne otsimis- või skanneerimisvõime;

d) vastuvõetud signaalide või saatejaamade identifitseerimisvõime.

5.5.3 Kiudoptilised kaablid, optilised kiud, optiliste kiudude kimbud ja spetsiaalselt nende jaoks konstrueerituddetailid.

5.5.3.1 Optilised kiud, kiudoptilised kaablid, mis on enam kui 50 m pikad ja on vastupidavad tõmbetugevusele2x109N/m2või enam.

5.5.3.2 Kiudoptilised kaablid, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks.

5.5.4 Elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antennid töösagedustele üle 31 GHz.

5.6 INFORMATSIOONI KAITSE JA JUGEOLEKU SÜSTEEMID


5.6.1 Süsteemid, varustus, spetsiifilised elektroonilised komponendid, moodulid või integraallülitused«informatsiooni kaitse tagamiseks» ja muud selleks otstarbeks kasutatavad komponendid:

a) krüptograafiliselt või krüptoanalüütiliselt funktsioneeriv digitaaltehnika, mis on kavandatud võimodifitseeritud «informatsiooni kaitse või julgeoleku» tagamiseks;

b) kavandatud või modifitseeritud krüptoanalüütiliste funktsioonide täitmiseks;

c) krüptograafiliselt või krüptoanalüütiliselt funktsioneeriv analoogtehnika, mis on kavandatud võimodifitseeritud «informatsiooni kaitse või julgeoleku» tagamiseks;

Märkus: Punktis 5.6.1.c sätestatud kontrollparameetrid ei kehti seadmete kohta, mis on spetsiaalselt määratudkasutamiseks tsiviiltelevisioonis või käivad faksiimile seadmete alla.

d) sidekaabelsüsteemid, mis on kavandatud või modifitseeritud selleks, et avastada mehaaniliste, elektriliste võielektrooniliste vahenditega kõrvalist (illegaalset) sisenemist süsteemi.


Märkus: Punktis 5.6.1.d sätestatud kontrollparameetrid ei kehti:

a) krüptograafiat kasutavate seadmete kohta, mis on spetsiaalselt kavandatud pangandusalaste teenusteosutamiseks;

b) portatiivsed või mobiiltelefonid (mõeldud kasutamiseks kommertsiaalsetes kärgstruktuurigaeraraadiosidesüsteemides), mis ei ole võimelised salastama kõnet kahe osapoole vahel täies ulatuses.

5.7 SENSORID JA LASERID

Varustus, seadmed ja komponendid

5.7.1 Akustika:

5.7.1.1 Mereakustikasüsteemid, varustus ja spetsiaalselt neile määratud komponendid:

5.7.1.1.1 Aktiivsüsteemid (saate- või saate- ja vastuvõtusüsteemid), varustus ja spetsiaalselt neile määratudkomponendid:

a) batümeetrilised mõõtesüsteemid, mis on määratud merepõhja topograafiliseks kaardistamiseks ja millel onjärgmised tehnilised omadused:

1. määratud mõõtmiste läbiviimiseks nurga all, mis ületab 20° vertikaali suhtes;

2. määratud mõõtmiste läbiviimiseks sügavustes, mis ületavad 600 m vee pealispinna suhtes;

b) objektide avastamise ja asukoha kindlaksmääramise süsteemid, millel on ükskõik milline järgmistestomadustest:

1. saatesagedus alla 10 kHz;

2. hääle rõhu nivoo ületab 224 dB ja seda varustuse puhul, mille töösagedus on vahemikus 10 kHz ... 24 kHz;

3. hääle rõhu nivoo ületab 235 dB ja seda varustuse puhul, mille töösagedus on vahemikus 24 kHz ... 30 kHz;

4. määratud taluma rõhku vastavate tööoperatsioonide jooksul, sügavustes, mis ületavad 1000 m, omades rõhudünaamilise kompensatsiooni muundureid.

c) akustikaprojektorid, kaasa arvatud andurid, mis inkorporeerivad piesoelektrilisi, magnetilisi, elektrilisi,elektrodünaamilisi või hüdraulilisi elemente, mis toimivad individuaalselt või kombineeritult:

1. seadmed töösagedusele alla 10 kHz, mille hetkeline hääle intensiivsuse tihedus ületab 0,01 mW/mm2/Hz;

2. seadmed töösagedusele alla 10 kHz, mille pideva hääle intensiivsuse tihedus ületab 0,001 mW/mm2/Hz;

3. määratud taluma rõhku vastavate tööoperatsioonide jooksul, sügavustes, mis ületavad 1000 m.

d) akustikasüsteemid, seadmed ja spetsiaalselt neile määratud varustus, mis on määratud laevade jaallveelaevade asukoha kindlaksmääramiseks:

1. määratud vastavate tööoperatsioonide läbiviimiseks sügavustes, mis ületavad 1000 m, asukohakindlaksmääramise täpsusega ±10 m või

2. määratud taluma rõhku vastavate tööoperatsioonide jooksul, sügavustes, mis ületavad 1000 m.

5.7.1.1.2 Passiivsüsteemid (vastuvõtusüsteemid), varustus ja spetsiaalselt neile määratud komponendid:

a) hüdrofonid (andurid), millel on ükskõik milline järgmistest omadustest:

1. inkorporeerivad tundlikke sensoreid või sensori elemente;

2. omavad ükskõik milliseid järgnevaid tundlikke elemente:

(a) optilisi fiibreid;

(b) piesoelektrilisi polümeere või

(c) tundlikke piesoelektrilisi keraamilisi materjale;

3. hüdrofonid sensitiivsusega enam kui 180 dB – igal sügavusel ilma igasuguse kiirenduse kompensatsioonita;


4. määratud vastavate tööoperatsioonide läbiviimiseks sügavustes, mis ei ületa 35 m, hüdrofoonsesensitiivsusega enam kui 186 dB koos kiirenduse kompensatsiooniga;

5. määranud vastavate tööoperatsioonide läbiviimiseks sügavustes, mis ületavad 35 m, hüdrofoonsesensitiivsusega enam kui 192 dB koos kiirenduse kompensatsiooniga;

6. määratud vastavate tööoperatsioonide läbiviimiseks sügavustes, mis ületavad 100 m, hüdrofoonsesensitiivsusega enam kui 204 dB või

7. määratud vastavate tööoperatsioonide läbiviimiseks sügavustes, mis ületavad 1000 m.

5.7.1.2 Korrelatsiooni kiiruse hüdrolokatsiooni seadmed, mis on määratud seadmete kandja horisontaalkiirusemõõtmiseks merepõhja suhtes, kui vahemik merepõhja ja kandja vahel ületab 500 m.

5.7.2 Optilised sensorid:

5.7.2.1 Optilised detektorid:

Märkus: Punktis 5.7.2.1 sätestatud kontrollparameetrid ei kehti germaaniumist ja ränist fotograafiaseadmetekohta.

5.7.2.1.1 «Kosmosekvaliteediga» tahkisdetektorid, mille:

a) parim väljundsuurus lainepikkuse ulatuses ületab 10 nm, kuid on väiksem kui 300 nm;

b) parim väljundsuurus lainepikkuse ulatuses ületab 900 nm, kuid on väiksem kui 1200 nm;

c) parim väljundsuurus lainepikkuse ulatuses ületab 1200 nm, kuid on väiksem kui 30 000 nm.

5.7.2.2 Kujutiste tihendustorud ja spetsiaalselt nende jaoks määratud komponendid, mille:

a) parim väljundsuurus lainepikkuse ulatuses ületab 400 nm, kuid ei ületa 1050 nm;

b) mikrokanaliplaat elektrooniliste kujutiste võimendamiseks (centre-to-centre spacing 15 µm);

c) fotokatoodid:

1. S-20, S-25 või multialkali fotokatoodid, mille valgustandev tundlikkus ületab 240 µA/lm;

2. GaAs või GaInAs fotokatoodid;

3. teised III/V liitpooljuhtfotokatoodid.

5.7.2.3 «Monospektraalsed sensorid» ja «multispektraalsed sensorid», mille:

a) «hetkeline vaateväli» (IFOV) on väiksem kui 200 µrad või

b) ekspluatatsioonilainepikkuse ulatus on enam kui 400 nm, kuid ei ületa 30 000 nm.

5.7.2.4 Spetsiaalselt optiliste sensorite tarbeks mõeldud krüogeenne sügavjahutustehnika.

5.7.2.5 Valgustundlikud pooljuhtelemendid (valgusdioodid, valgustransistorid, valgustüristorid,valgustrinistorid, valgustrioodid jne.) parima väljundsuurusega sagedusvahemikus 1200...30 000 nm.

5.7.3 Kaamerad:

5.7.3.1 Kiirfotokaamerad:

a) kiirfotokaamerad, mis kasutavad 8...16 mm filmiformaati, milles film salvestamisperioodi jooksul keritakseautomaatselt edasi ja mille kaadrivahetuskiirus ületab 13 150 kaadrit sekundis;

b) mehaanilised kiirfotokaamerad, milles film ei liigu ja mille kaadrivahetuskiirus ületab 1 000 000 kaadritsekundis;

c) mehaanilised või elektroonilised kaamerad, mille kirjutamiskiirus ületab 10 mm/µs;

d) elektroonilised kaamerad:


1. mille kiirus ületab 1 000 000 kaadrit sekundis;

2. elektroonilise katiku kiirus on väiksem kui 1 µs ühe täiskaadri kohta.

5.7.3.2 Muud kaamerad:

Märkus: Punktis 5.7.3.2 sätestatud kontrollparameetrid ei kehti spetsiaalselt televisiooni jaoks määratudkaamerate kohta.

a) skanneerivad kaamerad ja skanneerivate kaamerate süsteemid.

5.7.4 Optilised komponendid:

5.7.4.1 Optilised peeglid (reflektorid):

a) deformeeruvad peeglid pideva või paljuelemendilise välispinnaga ja spetsiaalselt nende tarbeks määratudkomponendid, millega saab dünaamiliselt muuta peegli välispinna kuju, sagedustempoga enam kui 100 Hz;

b) kergekaalulised monoliitsed peeglid keskmise ekvivalenttihedusega (pindtihedusega) alla 30 kg/m2, milletäismass ületab 10 kg;

c) kergekaalulised komposiitse või vahtstruktuuriga peeglid, mille keskmine ekvivalenttihedus on alla 30 kg/m2ja mille täismass ületab 2 kg;

d) kiirejuhtimispeeglid diameetriga või peatelje pikkusega üle 100 mm, pinna siledusega λ/2 või enam (λ onvõrdne 633 nm-ga), mille kiirehälvitussageduse ribalaius on üle 100 Hz.

5.7.4.2 Tsinkseleniidist (ZnSe) või tsinksulfiidist (ZnS) optilised komponendid, mille läbilaskvuspiirkond on üle3000 nm, kuid alla 25 000 nm:

a) mahuga enam kui 100 cm3või

b) diameetri või peatelje pikkusega üle 80 mm ja paksusega üle 20 mm.

5.7.4.3 «Kosmosekvaliteediga» optikasüsteemide komponendid:

a) mille ekvivalenttihedus on viidud alla 20% sama paksuse ja apertuuriga tooriku omast;

b) optikakomponentide katmata või ühe- ja mitmekihiliste metalsete, dielektriliste, juhtivate, pooljuhtivate võiisoleerivate katetega või kaitsekelmetega alused;

c) peeglisegmendid või -komplektid, mis on määratud montaažiks kosmoses optikasüsteemidele, mille koondavapertuur on võrdväärne 1-meetrise või sellest suurema läbimõõduga monoliitoptikakomponendi omaga;

d) komponendid komposiitmaterjalidest, mille joonpaisumistegur mis tahes suunas ei ületa 5x10-6.

5.7.4.4 Optilised kontrollseadmed:

a) spetsiaalselt kavandatud, punktides 5.7.4.3.a ja 5.7.4.3.c nimetatud «kosmosekvaliteediga» komponentidepinna kuju või orientatsiooni säilitamiseks;

b) suunamis-, jälgimis-, stabiliseerimis- või resonaatori justeerimise seadmed sagedusribaga 100 Hz või enam,tüürimisveaga 10 mikroradiaani või vähem;

c) kardaanriplid maksimaalse pöördenurgaga enam kui 5° ja sagedusribaga 100 Hz või enam:

a: 1. diameetriga või peatelje pikkusega vahemikus 0,15 m kuni 1 m;

2. nurkkiirendusvõimega enam kui 2 rad/s2;

3. nurga fikseerimise veaga 200 mikroradiaani või vähem;

b:1. diameetri või peatelje pikkusega enam kui 1 m;

2. nurkkiirendusvõimega enam kui 0,5 rad/s2;

3. nurga fikseerimise veaga 200 mikroradiaani või vähem;

d) seadmed, mis on spetsiaalselt määratud justeeringu hoidmiseks faseeritud peegelsüsteemidele, millesegmendi diameeter või peatelje pikkus on 1 m või üle selle.


5.7.5 Laserid:

Märkused:

1. Impulsslaserid, kaasa arvatud laserid, mis töötavad pidevlaine (CW) moodusel koos lisatud impulssidega.

2. Impulssergastusega laserid, kaasa arvatud laserid, mis töötavad pidevergastusmoodusel koos lisatudimpulssergastusega.

3. Kombinatsioon- ehk RAMAN-laserite kontrollistaatus on esitatud pumpamismeetodil toimivate laserite all.Pumpamismeetodil toimivate laseritena võib käsitleda iga allpool kirjeldatud laserit.

5.7.5.1 Gaaslaserid:

1. Eksimeerlaserid:

a) laserkiirguse lainepikkus ei ületa 150 nm ja:

1. impulsi energia ületab 50 mJ või

2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W;

b) laserkiirguse lainepikkus ületab 150 nm, kuid on lühem kui 190 nm ja:

1. impulsi energia ületab 1,5 J või


c) laserkiirguse lainepikkus ületab 190 nm, kuid on lühem kui 360 nm ja:

1. impulsi energia ületab 10 J või


d) laserkiirguse lainepikkus ületab 360 nm ja:

1. impulsi energia ületab 1,5 J või

2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 30 W.

2. Metalliaurudel töötavad laserid:

a) Cu laserid, mille keskmine või CW väljundvõimsus ületab 20 W;

b) Au laserid, mille keskmine või CW väljundvõimsus ületab 5 W;

c) Na laserid, mille väljundvõimsus ületab 5 W;

d) Ba laserid, mille keskmine või CW väljundvõimsus ületab 2 W.

3. Süsinikoksiidlaserid (CO):

a) impulsienergia ületab 2 J ja impulsi tippvõimsus ületab 5 kW või

b) keskmine võimsus või CW väljundvõimsus ületab 5 kW.

4. Süsinikdioksiidlaserid (CO2):

a) CW väljundvõimsus ületab 10 kW;

b) laserkiirguse impulsi pikkus ületab 10 s ja:

1. keskmine väljundvõimsus ületab 10 kW või

2. impulsi tippvõimsus ületab 100 kW;

c) impulsi väljastamine koos impulsikestusega 200 ns või vähem;


1. keskmine väljundvõimsus ületab 500 W;

2. impulsi lainepikkus vahemikus 9000...11 000 nm;

3. impulsside väljastamise sagedus suurem kui 250 Hz.

5. Kemolaserid:

a) vesinikfluoriidlaserid (HF);

b) deuteeriumfluoriidlaserid (DF);

c) molekulaarlaserid:

1. hapnikjood(O2-I)laserid;

2. deuteeriumfluoriid-süsinikdioksiidlaserid (DF-CO2).

6. Gaaslahendus- ja ioonlaserid (s.t. krüptoonioon- ja argoonioonlaserid):

a) impulsienergia ületab 1,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 50 W;

b) keskmine või CW väljundvõimsus ületab 50 W;

c) keskmine väljundvõimsus ületab 40 W ja:

1. impulsi lainepikkus vahemikus 400...515 nm.

7. Muud gaaslaserid, välja arvatud lämmastiklaserid:

a) laserkiirguse lainepikkus ei ületa 150 nm ja:

1. impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1W või


b) laserkpiirguse lainepikkus ületab 150 nm, kuid on lühem kui 800 nm ja:

1. impulsiväljundenergia ületab 1,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 30 W või


c) laserkiirguse lainepikkus ületab 800 nm, kuid on lühem kui 1400 nm ja:

1. impulsienergia ületab 0,25 J ja impulsi tippvõimsus ületab 10 W või


d) laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm ja keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W.

5.7.5.2 Pooljuhtlaserid:

Tehniline märkus: Pooljuhtlasereid nimetatakse üldiselt dioodlaseriteks.

Märkused: Kontrollparameetrid pooljuhtlaseritele, mis on spetsiaalselt määratud mingitele teistele seadmetele,on sätestatud nendele seadmetele kehtestatud kontrollparameetritega.

1. Üksikud üheristmoodilised pooljuhtlaserid:

a) keskmine väljundvõimsus ületab 100 mW või

b) laserkiirguse lainepikkus ületab 1050 nm.

2. Üksikud mitmeristmoodilised pooljuhtlaserid:

a) impulsienergia ületab 500 µJ ja impulsi tippvõimsus ületab 10W;

b) keskmine või CW väljundvõimsus ületab 10 W või

c) laserkiirguse lainepikkus ületab 1050 nm.

5.7.5.3 Tahkislaserid:


1. Muudetava laserkiirguse lainepikkusega laserid:

Märkus: Punkt 5.7.5.3.1 hõlmab titaan-safiir-(Ti: Al2O3), tuulium-YAG-(Tm: YAG), tuulium-YSGG-(Tm:YSGG), aleksandriit-(Cr: BeAl2O4) ja värvustsenterlasereid.

a) laserkiirguse lainepikkus lühem kui 600 nm ja:

1. impulsiväljundenergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või


b) laserkiirguse lainepikkus vahemikus 600 nm kuni 1400 nm ja:

1. impulsienergia ületab 1 J ja impulsi tippvõimsus ületab 20 W või


c) laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm ja:

1. impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või

2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W.

2. Mittehäälestatavad laserid:

Märkus: Punkt 5.7.5.3.2 hõlmab ka aatomsiirdetahkislasereid.

a) rubiinlaserid, mille impulsi energia ületab 20 J;

b) neodüümklaaslaserid:

1. Q-lülitusega laserid:

a. impulsienergia ületab 20 J, kuid on väiksem kui 50 J ja keskmine väljundvõimsus ületab 10 W või b. impulsienergia ületab 50 J;

2. mitte-Q-lülitusega laserid:

a. impulsienergia ületab 50 J, kuid on väiksem kui 100 J ja keskmine väljundvõimsus ületab 20 W või

b. impulsienergia ületab 100 J;

c) neodüümergastusega laserid (välja arvatud neodüümklaaslaserid), mille laserkiirguse lainepikkus ületab 1000nm, kuid ei ületa 1100 nm:

1. impulssergastusega kitsaribalised Q-lülitusega laserid, mille laserkiirguse impulsipikkus on lühem kui 1 ns ja:

a. impulsi tippvõimsus ületab 5 GW;

b. keskmine väljundvõimsus ületab 10 W või

c. impulsienergia ületab 0,1 J;

2. impulssergastusega Q-lülitusega laserid laserkiirguse impulsi pikkusega 1 ns või enam ja:

a. üheristmoodilise väljundkiirgusega:

1. tippvõimsus ületab 100 MW;

2. keskmine väljundvõimsus ületab 20 W või

3. impulsi energia ületab 2 J;

b. mitmeristmoodilise väljundkiirgusega:

1. tippvõimsus ületab 400 MW;

2. keskmine väljundvõimsus ületab 2 kW või


3. impulsi energia ületab 2 J;

3. impulssergutusega mitte-Q-lülitusega laserid:


1. tippvõimsus ületab 500 kW või

2. keskmine väljundvõimsus ületab 150 W;


1. tippvõimsus ületab 1 MW või

2. keskmine võimsus ületab 2 kW;

4. pidevergastamisega laserid:


1. tippvõimsus ületab 500 kW või



1. tippvõimsus ületab 1 MW või

2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 2 kW;

d) muud mittehäälestatavad laserid:

1. laserkiirguse lainepikkus lühem kui 150 nm ja:

a. impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või

b. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W;

2. laserkiirguse lainepikkus vahemikus 150 nm kuni 800 nm ja:

a. impulsienergia ületab 1,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 30 W või

b. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 30 W;

3. laserkiirguse lainepikkus ületab 800 nm, kuid ei ületa 1400 nm:

a. Q-lülitusega laserid:

1. impulsienergia ületab 0,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 50 W või

2. keskmine väljundvõimsus ületab:

a. 10 W ühemoodilistel laseritel;

b. 30 W mitmemoodilistel laseritel;

b. mitte-Q-lülitusega laserid:

1. impulsienergia ületab 2 J ja impulsi tippvõimsus ületab 50 W või


4. laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm ja:

a. impulsienergia ületab 100 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või

b. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W.

5.7.5.4 Värvlaserid ja muud vedeliklaserid:

1. Laserkiirguse lainepikkus lühem kui 150 nm ja:


a) impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või

b) keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W.

2. Laserkiirguse lainepikkus vahemikus 150 nm kuni 800 nm ja:

a) impulsienergia ületab 1,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 20 W;

b) keskmine või CW väljundvõimsus ületab 20 W või

c) üksik-longitudinaalne generaator keskmise väljundvõimsusega enam kui 1 W ja impulsside kordussagedusegaüle 1 kHz, kui impulsi pikkus on lühem kui 100 ns.

3. Laserkiirguse lainepikkus vahemikus 800 nm kuni 1400 nm ja:

a) impulsienergia ületab 0,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 10 W või


4. Laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm ja:

a) impulsienergia ületab 100 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1W või


5.7.5.5 Komponendid:

1. Peeglid, mille jahutamine toimub kas aktiivjahutuse või soojustoru meetodil.

Tehniline märkus:Aktiivjahutus on spetsiifiline optilistele komponentidele määratud jahutusviis, mille käiguskõrvaldatakse optilise komponendi pinnal tekkiv soojus tema välispinna alt madalamalt kui 1 mm optilisekomponendi pinnast läbivoolava vedeliku abil.

2. Optilised peeglid, täielikult või osaliselt peegeldavad optilised või elektro--optilised komponendid, mis onspetsiaalselt määratud kasutamiseks eelpoolloetletud laserites.

5.7.5.6 Optilised seadmed:

1. Lainefrondi dünaamikat mõõtvad seadmed, mis on võimelised mõõtma laserkiirguse lainefronti vähemalt 50-nes erinevas punktis:

a) mõõtmissagedusega 100 Hz või enam ja vähemalt 5%-lise laserkiirguse lainepikkuse faasi moonutusega või

b) mõõtmissagedusega 1000 Hz või enam ja vähemalt 20%-lise laserkiirguse lainepikkuse faasi moonutusega.

2. Laserdiagnostika seadmed, mis on võimelised mõõtma Super-High Power Laseri (SHPL) laserkiirgusejuhtimise nurgavigu vähemalt 10 mikroradiaani täpsusega.

3. Optilised seadmed, agregaadid või komponendid, mis on spetsiaalselt määratud hajutatud paigutusega SHPLsüsteemile, koherentsete kiirte koondamiseks täpsusega 1/10 0,1-mikromeetrise või väiksema lainepikkusejuures.

4. Projektsioonteleskoobid, mis on spetsiaalselt määratud rakendamiseks SHPL süsteemides.

5.7.6 Magnetomeetrid:

Magnetomeetrid, magnetgradiomeetrid ja kompensatsiooni süsteemid ning spetsiaalselt neile määratudkomponendid:

Märkus: Punktis 5.7.6 kehtestatud kontrollparameetrid ei kehti seadmete kohta, mis on määratudmeditsiinidiagnostikas biomagnetiliste mõõtmiste korraldamiseks.

5.7.6.1 Magnetomeetrid, milles kasutatakse «ülijuhtivat», optiliselt pumbatud- või tuumapretsessioonitehnoloogiat, mille «termiline müra» (tundlikkus) on väiksem (parem) kui 0,05 nT Uef/

Hz;

5.7.6.2 Induktsioonpoolmagnetomeetrid, mille «termiline müra» (tundlikkus) on väiksem (parem) kui:


a) 0,05 nT Uef/

Hz, sagedustel alla 1 Hz;

b) 1x10-3nT Uef/

Hz, sagedustel 1 Hz või enam, kuid mitte enam kui 10 Hz;

c) 1x10-4nT Uef/

Hz, sagedustel, mis ületavad 10 Hz.

5.7.6.3 Optilisest kiust magnetomeetrid, mille «termiline müra» (tundlikkus) on väiksem (parem) kui 1 nT Uef/

Hz

5.7.6.4 Magnetgradiomeetrid:

5.7.6.5 Magnetsensorite magneetilise kompensatsiooni süsteemid, mis on mõeldud tööks liikuvatelplatvormidel.

5.7.6.6 Ülijuhtivad elektromagnetsensorid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest komponente:

a) määratud tööks vähemalt ühe ülijuhtiva koostisosa «kriitilisest temperatuurist» madalamal temperatuuril;

Tehniline märkus:«kriitiline temperatuur» B temperatuur, mille juures materjal kaotab täielikult oma elektrilisetakistuse.

b) määratud tajuma elektromagnetilise välja muutust sagedustel 1 kHz või vähem.

5.7.7 Gravimeetrid:

Gravitatsiooni mõõtjad (gravimeetrid) ja gravitatsiooni gradiomeetrid:

5.7.7.1 Gravimeetrid maapealseks kasutamiseks staatilise täpsusega vähem (parem) kui 10 µGal.

Märkus: Punktis 5.7.7.1 sätestatud kontrollparameetrite alla ei kuulu kvartselemendist gravimeetrid, mis onmõeldud maapealseks kasutamiseks.

5.7.7.2 Gravimeetrid, mis on mõeldud kasutamiseks maa peal liikuvatel platvormidel, laevadel, vee all,kosmoses ja õhus, staatilise täpsusega vähem (parem) kui 0,7 mGal ja operatsioonitäpsusega vähem (parem) kui0,7 mGal.

5.7.7.3 Gravitatsiooni gradiomeetrid.

5.7.8 Radarid:

5.7.8.1 Radarisüsteemid, varustus ja seadmed ning komponendid spetsiaalselt nende tarbeks:

Märkus: Punktis 5.7.8.1 sätestatud kontrollparameetrite alla ei kuulu:

1. kokkupõrgete ärahoidmiseks määratud autoradarid;

2. meteoroloogia(ilmastiku)radarid; 3. maantee- ja õhuliikluse kontrolliks määratud radarid.

a) keskmise väljundvõimsusega enam kui 100 mW ja töösagedusega vahemikus 40...230 GHz;

b) muudetava sagedusribaga, kusjuures sagedusriba variatsioon keskmise töösageduse suhtes ületab ±6,25%;

c) võimeline töötama üheaegselt kahe või enama kandja sagedustel;

d) spetsiaalselt määratud õhus kasutamiseks, omavad interferomeetrit (näit. doppler laser) suuremate kui 1 km/skiiruste mõõtmiseks, et avastada liikuvaid sihtmärke;

e) maksimaalne tegevusraadius radarikuvaril ületab 185 km;

f) «laserradarid»:

1. «kosmosekõlblikud»;

2. omavad koherentset heterodüün- või homodüünavastamistehnikat;


g) omavad järgnevaid andmete töötlemise alamsüsteeme:

1. automaatne sihtmärgi jälitussüsteem, mille väljund näitab iga antennipöörde jooksul sihtmärgi kõige enamtõenäolisema asukoha reaalajas;

2. sihtmärgi hetkelise kiiruse arvutamise süsteem;

3. kahe või enama geograafiliselt eraldatud sensori andmete kokkuliitmissüsteem, mis võimaldab suurendada jaeraldada sihtmärkke.

Materjalid

5.7.9 Optilised materjalid:

5.7.9.1 Optiliste sensorite materjalid:

a) telluur puhtusega 99,999% või enam;

b) kaadmiumtelluriid (CdTe), kaadmiumtsinktelluriid (CdZnTe), elavhõbekaadmiumtelluriid (HgCdTe).

5.7.9.2 Tsinkseleniidi (ZnSe) või tsinksulfiidi (ZnS) keemilise aursadestamisega valmistatud toorikud:

a) mahuga enam kui 100 cm3või

b) diameetriga enam kui 80 mm ja paksusega 20 mm või enam.

5.7.9.3 Järgmiste elektro-optiliste materjalide buulid (kristalltoorikud):

a) kaaliumtitanüüliarsenaat (KTA);

b) hõbegalliumiseleniid (AgGaSe2) või

c) talliumiarseeniseleniid (Tl3AsSe3, tuntakse ka TASi nime all).

5.7.9.4 Mittelineaarsed optilised materjalid, millel on:

a) kolmanda järgu vastuvõtlikkus (χ3), mis on võrdne või väiksem kui 1 W/m2;

b) kosteaeg vähem kui 1 ms.

5.7.9.5 Ränikarbiidi või berüllium-berülliumiga (Be/Be) katmisel saadud toorikud diameetri või peateljepikkusega üle 300 mm.

5.7.9.6 Klaasid, k.a. sulakvarts (SiO2), fosfaatklaas, fluorfosfaatklaas, tsirkooniumfluoriid (ZrF4) jahafniumfluoriid (HfF4), kus on:

a) hüdroksüülioonide (OH-) kontsentratsioon väiksem kui 5 ppm (1 ppm=0,0001%);

b) metalli lisandeid vähem kui 1 ppm;

c) kõrge homogeensus (murdumisnäitaja muutus väiksem kui 5x10-6).

5.7.9.7 Sünteetiliselt valmistatud teemantmaterjal neeldumisega vähem kui 10-5cm-1lainepikkuste vahemikus200 nm kuni 14 000 nm.

5.7.9.8 Aleksandriit.

5.8 NAVIGATSIOON JA LENNUELEKTROONIKA


5.8.1 Kiirendusmõõturid, mis on määratud kasutamiseks inertsiaalsetes navigatsiooni- või juhtimissüsteemidesja millel on ükskõik milline järgmistest tehnilistest omadustest:

a) «nihke stabiilsusega» vähem (parem) kui 130 mikro g (g=9,81 m/s2), kindlaksmääratudkalibreerimisväärtusega enam kui üheks aastaks;


«nihke stabiilsus» B kiirendusmõõturi väljund, kui kiirendust ei ole rakendatud.

b) «mõõtkava stabiilsusega» vähem (parem) kui 130 ppm, kindlaksmääratud kalibreerimisväärtusega enam kuiüheks aastaks või

«mõõtkava stabiilsus» B väljundi muutuse suhe sisendi muutusesse, mida on kavatsetud mõõta.

c) määratud kasutamiseks lineaarse kiirenduse tasemetel, mis ületavad 100 g.

5.8.2 Güroskoobid, millel on ükskõik milline järgmistest tehnilistest omadustest ja spetsiaalselt nende tarbeksmääratud komponendid:

a) «hälbe stabiilsuse määr» kui mõõtmisi on teostatud 1 g keskkonnas enam kui kolmekuuse perioodi jooksul,kindlaksmääratud kalibreerimisväärtusega:

1. vähem (parem) kui 0,1° tunnis, kui seade on määratud kasutamiseks lineaarse kiirenduse tasemetel, mis eiületa 10 g, või

2. vähem (parem) kui 0,5° tunnis, kui seade on määratud kasutamiseks lineaarse kiirenduse tasemetel 10 g ...100 g, või

b) määratud kasutamiseks lineaarse kiirenduse tasemetel, mis ületavad 100 g.

5.8.3 Inertsiaalsed navigatsioonisüsteemid ja inertsiaalvarustus, mis on määratud õhusõidukitele,maismaatranspordivahenditele, aktiivsetele ja passiivsetele satelliitidele või kosmosesondidele nendejuhtimiseks või kontrolliks ning on määratud kasutamiseks lineaarse kiirenduse tasemetel, mis ületavad 10 g.

Märkus: Punktis 5.8.3 kirjeldatud inertsiaalsete navigatsioonisüsteemide hulka ei kuulu navigatsioonisüsteemid,mis on mõeldud kasutamiseks tsiviillennukitel tsiviilametkondade poolt.

5.8.4 Güro- ja astrokompassid ning muud seadmed, mis deriveerivad positsiooni või orientatsiooni taevakehadevõi satelliitide automaatse jälgimise abil asimuudi täpsusega 5 kaaresekundit või vähem (parem).

5.8.5 Globaalse navigatsiooni satelliidisüsteemi (GPS või GLONASS) vastuvõtuseadmed, mis rakendavadkrüptograafiat.

5.8.6 Altimeetrid (kõrgusmõõturid), mis on määratud tööks sagedustel alates 4,2 GHz ja mis kasutavadfaasinihke võtmesageduse modulatsiooni.

5.8.7 Raadiopeilimisseadmed töösagedustele enam kui 30 MHz, millel on kõik järgmised tehnilised omadused:

a) hetkeline ribalaius 1 MHz või enam;

b) enam kui 100 sageduskanali paralleelne töötlemisvõime;

c) töötlemismäär enam kui 1000 peilingut sekundis ühe sageduskanali kohta.


5.8.10 Testimis- ja kalibreerimisseadmed punktides 5.8.1...5.8.7 kirjeldatud seadmetele.

5.8.11 Varustus ja seadmed, mis on spetsiaalselt määratud punktides 5.8.1...5.8.7 kirjeldatud seadmetevalmistamiseks.

5.9 MERENDUSLIKU OTSTARBEGA KAUBAD


5.9.1 Allveelaevad ja laevad:

5.9.1.1 Mehitatud, emalaevaga seotud sukeldumisvõimelised sõidukid, mis on määratud tööoperatsioonidetäitmiseks sügavustes, mis ületavad 1000 m.

5.9.1.2 Mehitatud, emalaevaga mitteseotud sukeldumisvõimelised sõidukid, millel on ükskõik millinejärgmistest tehnilistest omadustest:

a) määratud osaliselt iseseisvate tööoperatsioonide täitmiseks ja omavad järgmist tõstevõimet:

1. 10% või enam nende raskusest õhus;

2. 15 kN või enam.


b) määratud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustes, mis ületavad 1000 m, või

c) omavad järgmisi omadusi:

1. määratud kandma nelja meeskonnaliiget;

2. määratud osaliselt iseseisvate tööoperatsioonide täitmiseks kümne või enama tunni jooksul;

3. tegevusulatusega 25 meremiili või enam;

4. pikkusega 21 m või enam.

5.9.1.3 Mehitamata, emalaevaga seotud sukeldumisvõimelised sõidukid, mis on määratud tööoperatsioonidetäitmiseks sügavustes, mis ületavad 1000 m ja millel on ükskõik milline järgmistest tehnilistest omadustest:

a) iseliikuvad ning varustatud reaktiiv(veo)jõul toimivate mootoritega;

b) omavad optilisest kiust andmesidelüli.

5.9.1.4 Mehitamata, emalaevaga mitteseotud sukeldumisvõimelised sõidukid, millel on ükskõik millinejärgmistest tehnilistest omadustest:

a) võimelised ilma inimese abita reaalajas geograafiliste vihjete alusel iseseisvalt kurssi määrama;

b) akustiline andmeside;

c) optilisest kiust andmesidelüli, mille pikkus ületab 1000 m.

5.9.1.5 Päästesüsteemid, mille tõstevõime ületab 5 MN, mis on määratud tööoperatsioonide täitmisekssügavustel, mis ületavad 250 m ja millel on ükskõik milline järgmistest tehnilistest omadustest:

a) dünaamilise positsioneerimise süsteemid, mis on võimelised säilitama navigatsioonisüsteemi poolt määratudpositsiooni kõrvalekaldehälbega kuni 20 m, või

b) merepõhja navigatsiooni ja navigatsiooni integreerimise süsteemid, mis on määratud tööoperatsioonidetäitmiseks sügavustes, mis ületavad 1000 m, positsioneerimise kõrvalekaldehälbega kuni 10 m.

5.9.1.6 Hõljuki tüüpi veesõidukid, mille kiirus ületab 30 sõlme.

5.9.1.7 Tiiburlaevad, mille maksimaalne kiirus täislastis ületab 40 sõlme.

5.9.2 Süsteemid ja seadmed:

5.9.2.1 Süsteemid ja seadmed, mis on spetsiaalselt määratud sukeldumisvõimelistele sõidukitele, mis onmääratud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustel, mis ületavad 1000 m:

a) survekambrid, mille maksimaalne sisediameeter ületab 1,5 m;

b) elektrimootorid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud kasutamiseks allveelaevadel.

5.9.2.2 Süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud punktis 5.9.1 sätestatud sukeldumisvõimeliste sõidukiteabiseadmete liikumise automatiseeritud kontrolliks:

a) süsteemid, mis võimaldavad sõidukil püsida määratud positsioonil hälbega kuni 10 m;

b) süsteemid, mis võimaldavad sõidukil liikuda positsioneerimisega määratud piirides, mis ei ületa 10 m.

5.9.2.3 Veealuse vaatluse süsteemid:

5.9.2.3.1 Televisioonisüsteemid ja televisioonikaamerad:

a) kaugjuhtimisega televisioonisüsteemid (sisaldavad kaamerat, jälgimis- ja signaaliedastusvarustust),mille eraldusvõime mõõdetuna õhus ületab 800 rida ja mis on spetsiaalselt määratud kasutamisekssukeldumisvõimega sõidukitel;

b) televisioonikaamerad, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks ja mille eraldusvõimemõõdetuna õhus on enam kui 1100 rida;


c) kõrge tundlikkusega televisioonikaamerad, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks ja missisaldavad kujutiste tihendustorusid.

5.9.2.4 Fotokaamerad, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks sügavustel enam kui 150 m jamilles kasutatava filmi formaat on suurem kui 35 mm.

5.9.2.5 Elektroonilised kujutiste salvestussüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks javõimelised digitaalselt salvestama enam kui 50 kujutist.

5.9.2.6 Valgussüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks:

a) stroboskoopse valguse süsteemid, mille valguse väljundenergia on enam kui 300 J välgu kohta ja välgukiirus5 välku sekundis;

b) argoonikaare valguse süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks sügavustes enam kui 1000 m.

5.9.2.7 Installeeritud ohjeprogrammiga robotid, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks.

5.9.2.8 Kaugjuhitavad manipulaatorid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks sukeldumisvõimelistelsõidukitel.

5.9.2.9 Õhuhulgast sõltumatud jõusüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks:

a) Braytoni või Rankiini õhuhulgast sõltumatud tsükkelmootorid, millel on ükskõik millised:

1. keemilised skraber- või absorptsioonisüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud süsinikdioksiidi jasüsinikmonooksiidi kõrvaldamiseks mootori heitgaasidest;

2. süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutama monoatomaarset kütust;

3. seadmed, mis on spetsiaalselt määratud veealuse müra redutseerimiseks sagedustel alla 10 KHz;

b) õhuhulgast sõltumatud diiseltsükkelmootorid, millel on kõik järgmised süsteemid ja seadmed:

1. keemilised skraber- või absorptsioonisüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud süsinikdioksiidi jasüsinikmonooksiidi kõrvaldamiseks mootori heitgaasidest;

2. süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutama monoatomaarset kütust; 3. seadmed, mis on spetsiaalseltmääratud veealuse müra redutseerimiseks sagedustel alla 10 KHz.

5.9.2.10 Propellerid, jõuülekandesüsteemid, jõu genereerimise süsteemid ja müra redutseerimise süsteemid:

a) sõukruvid või jõuülekandesüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks hõljuki tüüpi veesõidukitelvõi tiiburlaevadel:

1. vastupöörlevad propellersüsteemid võimsusega enam kui 15 MW;

b) sõukruvid, jõu genereerimise süsteemid või jõuülekandesüsteemid, mis on määratud kasutamiseks laevadel:

1. ülijuhtivatest materjalidest reaktiivmootorid või püsimagnetelektrilised reaktiivmootorid, milleväljundvõimsus ületab 0,1 MW;

c) müra redutseerimise süsteemid, mis on määratud kasutamiseks laevadel, mille veeväljasurve on enam kui1000 tonni:

1. müra redutseerimise aktiivsüsteemid või magnetlaagerdussüsteemid, mis on spetsiaalselt määratudjõuülekandesüsteemidele ja sisaldavad endas elektroonilist kontrollsüsteemi seadmete vibratsioonivähendamiseks;

2. süsteemid, mis nõrgendavad diiselmootorite, gaasiturbiinide, diiselgeneraatorite ja reaktiivmootorite poolttekitatavat veealust müra sagedustel alla 500 Hz.

5.9.2.11 Turboreaktiivmootorid väljundvõimsusega üle 2,5 MW.


5.9.2.12 Veetunnelid taustmüraga vähem kui 100 dB, sagedusvahemikus 0...500 Hz, mis on määratudjõusüsteemi (reaktiivmootor) ümber tekkiva akustilise välja mõõtmiseks.

Materjalid

5.9.2.13 Süntaktiline vaht, mis on määratud veealuseks kasutamiseks ja millel on kõik järgmised omadused:


a) määratud kasutamiseks sügavustes enam kui 1000 m ja

b) tihedusega vähem kui 561 kg/m3.

5.10 JÕUSÜSTEEMID


5.10.1 Aerogaasiturbiinmootorid:

a) mis ei ole määratud spetsiaalselt kasutamiseks mõnel tsiviillennukil;

b) mis ei ole lennundusametite poolt määratud tsiviilkasutuseks;

c) määratud kiiruste Mach 1,2 või enam saavutamiseks enam kui 30 minuti jooksul.

5.10.2 Gaasiturbiinmootorid merenduslikuks kasutamiseks ja nende komponendid, mille pidevvõimsus ületab24,245 kW ja mille spetsiifilise kütteaine kulu võimsusvahemikus 35...100% on väiksem kui 0,219 kg/kWh.

5.10.3 Kosmosesse lennutamise süsteemid ja aktiiv- ning passiivsatelliidid, kosmosesondid.

5.10.4 Süsteemid ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud terviklike raketisüsteemideenergiasüsteemidele:

a) krüogeensed jahutid;

b) krüogeensed konteinerid;

c) kõrgsurveturbopumbad töörõhuga enam kui 17,5 MPa;

d) vedela raketikütuse jugapumbad väljundiava diameetriga 0,381 mm või vähem, mis on spetsiaalselt määratudraketimootoritele.

5.10.5 Raketisüsteemide energiasüsteemid koguimpulsiga enam kui 1,1 MNs.

5.10.6 Reaktiivmootorid või kombineeritud tsükkelmootorid võimsusega üle 10 000 kW.


5.10.7 Seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud gaasiturbiinide labade tootmiseks ja mõõtmiseks.

5.10.8 On-line kontrollsüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks järgmiste tuuletunnelite juures:

a) tuuletunnelid kiirustele Mach 1,2 või enam;

b) seadmed hoovusliku keskkonna simuleerimiseks kiirustel Mach 5 või enam, kaasa arvatudplasmakaaretunnelid ja gaasitunnelid.

5.10.9 Akustilise vibratsioonikontrolli eriseadmed, mis võimaldavad tekitada helirõhku 160 dB või enam (20mikropaskalit või enam), arvestatava väljundiga 4 kW või üle selle, katsekambri temperatuuril üle 1273 K (1000°C) ja nendele määratud erimuundurid, kiirendusmõõtjad, tensomeetrid, termopaarid ning kvartsküttekehad.

5.10.10 Seadmed ja varustus, mis võimaldavad kontrollida raketimootorite terviklikkust ilma mootorite eelnevademontaažita.

5.10.11 Varustus ja seadmed, mida kasutatakse pulbermetallurgias ja mis on spetsiaalselt määratudturbiinmootorite rootorite komponentide tootmiseks.

Kaitseministervälisministri ülesannetes Andrus Öövel


vabariigi valitsuse 5. oktoobri 1994. a. määruse nr. 356 ... · leht 2 / 53 vabariigi valitsuse...

Documents