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TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules
preparedby:CMapprovedby:RS
dateofpublication:2013-11-11revision:3.0 ULapproved(E83335)
EconoPIM™3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTCEconoPIM™3modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC
VCES = 1200VIC nom = 50A / ICRM = 100A
TypischeAnwendungen TypicalApplications• •Hilfsumrichter AuxiliaryInverters• •Motorantriebe MotorDrives• •Servoumrichter ServoDrives
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses• •NiedrigesVCEsat LowVCEsat
• •TrenchIGBT4 TrenchIGBT4• •Tvjop=150°C Tvjop=150°C• •VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •Al2O3 Substrat mit kleinem thermischenWiderstand
Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• •HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit HighPowerandThermalCyclingCapability• •IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor• •Kupferbodenplatte CopperBasePlate• •Lötverbindungstechnik SolderContactTechnology• •RoHSkonform RoHScompliant• •Standardgehäuse StandardHousing
ModuleLabelCodeBarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules
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dateofpublication:2013-11-11revision:3.0
IGBT,Wechselrichter/IGBT,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 175°C IC nom 50 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A
Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 280 W
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 50 A, VGE = 15 VIC = 50 A, VGE = 15 VIC = 50 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,852,152,25
2,15
VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 1,70 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,38 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 4,0 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,80 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,10 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 15 Ω
td on
0,060,070,07
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 15 Ω
tr
0,0320,0340,037
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 15 Ω
td off
0,280,350,38
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 15 Ω
tf
0,110,230,25
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nHVGE = ±15 V, di/dt = 1400 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 15 Ω
Eon 3,505,205,70
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 15 Ω
Eoff 2,804,505,10
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
180 A
Tvj = 125°C
tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,54 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink
proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,135 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
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FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules
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Diode,Wechselrichter/Diode,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 50 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 100 A
GrenzlastintegralI²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 560 A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 50 A, VGE = 0 VIF = 50 A, VGE = 0 VIF = 50 A, VGE = 0 V
VF
1,701,651,65
2,15
VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 50 A, - diF/dt = 1400 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V
IRM 39,044,046,5
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 50 A, - diF/dt = 1400 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V
Qr 5,307,809,00
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 50 A, - diF/dt = 1400 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V
Erec 1,302,703,10
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,81 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,20 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,RectifierHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChipMaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 70 A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstromMaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 80 A
StoßstromGrenzwertSurgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 450
370 AA
GrenzlastintegralI²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1000
685 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 50 A VF 1,05 V
SperrstromReversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,85 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,21 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules
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dateofpublication:2013-11-11revision:3.0
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 25 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 50 A
Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 160 W
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 25 A, VGE = 15 VIC = 25 A, VGE = 15 VIC = 25 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,852,152,25
2,15
VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 0,85 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,20 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,45 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,05 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 37 Ω
td on
0,050,060,06
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 37 Ω
tr
0,0520,0550,055
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 37 Ω
td off
0,210,320,36
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 37 Ω
tf
0,120,190,22
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 30 nHVGE = ±15 V, di/dt = 250 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 37 Ω
Eon 2,203,503,60
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 30 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 37 Ω
Eoff 1,402,302,50
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
90 A
Tvj = 150°C
tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,95 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink
proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,235 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules
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dateofpublication:2013-11-11revision:3.0
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 15 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 30 A
GrenzlastintegralI²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 48,0 A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 VIF = 15 A, VGE = 0 VIF = 15 A, VGE = 0 V
VF
1,751,751,75
2,15
VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 250 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V IRM
11,013,514,0
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 15 A, - diF/dt = 250 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V Qr
1,202,202,50
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 15 A, - diF/dt = 250 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V Erec
0,500,901,00
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,50 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,37 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
NennwiderstandRatedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
VerlustleistungPowerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules
preparedby:CMapprovedby:RS
dateofpublication:2013-11-11revision:3.0
Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
MaterialModulgrundplatteMaterialofmodulebaseplate Cu
InnereIsolationInternalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
KriechstreckeCreepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
mm
LuftstreckeClearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink
proModul/permoduleλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,009 K/W
ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 40 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-ChipModuleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'
RAA'+CC' 4,00
3,00 mΩ
HöchstzulässigeSperrschichttemperaturMaximumjunctiontemperature
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopperGleichrichter/rectifier Tvj max 175
150°C°C
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopperGleichrichter/rectifier Tvj op
-40-40 150
150°C°C
LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C
Anzugsdrehmomentf.ModulmontageMountingtorqueformodulmounting
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschriftScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm
GewichtWeight G 300 g
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules
preparedby:CMapprovedby:RS
dateofpublication:2013-11-11revision:3.0
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V
VGE [V]
IC [A
]
5 6 7 8 9 10 11 12 130
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=600V
IC [A]
E [m
J]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 1000
2
4
6
8
10
12
14
16
18Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C
8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules
preparedby:CMapprovedby:RS
dateofpublication:2013-11-11revision:3.0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V
RG [Ω]
E [m
J]
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 1500
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,WechselrichtertransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJC=f(t)
t [s]
Zth
JC [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,01
0,1
1ZthJC : IGBT
i: ri[K/W]: τi[s]:
1 0,0324 0,01
2 0,1782 0,02
3 0,1728 0,05
4 0,1566 0,1
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0 200 400 600 800 1000 1200 14000
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120IC, ModulIC, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,40
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules
preparedby:CMapprovedby:RS
dateofpublication:2013-11-11revision:3.0
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=15Ω,VCE=600V
IF [A]
E [m
J]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 1000,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=50A,VCE=600V
RG [Ω]
E [m
J]
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 1500,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,WechselrichtertransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJC=f(t)
t [s]
Zth
JC [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,01
0,1
1
10ZthJC : Diode
i: ri[K/W]: τi[s]:
1 0,0486 0,01
2 0,2673 0,02
3 0,2592 0,05
4 0,2349 0,1
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,40
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100Tvj = 25°CTvj = 150°C
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules
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dateofpublication:2013-11-11revision:3.0
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,40
3
6
9
12
15
18
21
24
27Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)
TC [°C]
R[Ω
]
0 20 40 60 80 100 120 140 160100
1000
10000
100000Rtyp
11
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP50R12KT4GIGBT-ModuleIGBT-modules
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Schaltplan/circuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
12
TechnischeInformation/TechnicalInformation
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