serial eeprom - automotive brochure (ds22078a...

www.microchip.com/memory

車載メモリ製品

車載用シリアルEEPROM

品質■ 世界最高品質レベルのEEPROMを

供給■ 世界最高水準の生産歩留り率（99%以上）■ ISO/TS16949に準拠■ 業界トップのトリプルテストフロー

– 各製品の全メモリセルを3回テスト■ ゼロPPM市場ビット不良■ 毎年出荷される約10億個のEE-

PROM製品全体において記録的なPPMレベルを維持

■ 統計的工程管理（SPC）および全施設に対する継続的改善活動

■ 設計過程からの高ロバスト性および信頼性

欠陥の無い自動車を製造する最良の方法は、欠陥の無い部品を使用することで可能になります。では、どのようにして不具合ゼロの生産を実現できるのでしょうか。品質は設計や製造段階から作り込まれるべきであり、いかなる不具合もその後の検査で取り除かれる必要があります。

マイクロチップテクノロジーはシリアルEEPROMの設計、製造およびテストの各工程において業界最高水準のプロセスを導入しています。そして、世界の自動車市場にこれらの製品を提供する最も評価の優れたリーディングカンパニーの1つです。

マイクロチップのシリアルEEPROMメモリ製品過去数年間で数十億個の製品を出荷してきたなかで、ビット不良に対しては極めて低い市場不良率を達成してきました。これはマイクロチップの品質と信頼性へのこだわりの証です。マイクロチップは幅広いEEPROMポートフォリオおよび優れたサポートと納品をお約束し、堅牢かつ世界水準の製品をワンストップソリューションで提供いたします。

　　充実した製品ライン集積度：128ビット～1Mビット動作速度：最高 20MHz

　　動作電圧VL ： 1.5V - 3.6VAA ： 1.7 - 5.5VLC ： 2.5 - 5.5VC ： 4.5 - 5.5V

　　　　　　　信頼性高耐久性：100万書き込み/消去サイクルデータ保持期間：200年以上

　　　　ツールシリアルメモリ製品向けのMPLAB®

スターターキットTotal Endurance™ソフトウェアVerilogおよびIBISモデルMAPS（Microchip Advanced Parts Selector）

　主要バスタイプI2C™ 24LCXXMicrowire 93LCXXSPI 25LCXXUNI/O™ 11LCXX

　　優れた品質QS9000；ISO/TS16949 AEC-Q100に準拠PbフリーRoHS準拠長い製品寿命

革新的なパッケージおよびダイPDIP、SOIC、DFN、TSSOP、T-DFN、MSOP、SOT-23、SC70、ダイおよびウエハー

　　拡張温度範囲I-Temp -40ºC～85ºCE-Temp -40ºC～125ºCH-Temp -40ºC～150ºC

（ただし書き込みの保障温度は125℃）

性能■ 全ピン4kV以上の静電気放電保護

（ESD保護）■ ESD誘導ラッチアップ保護 – VDDおよ

びGNDの過渡電流に対してデバイス保護を実現

■ ブラウンアウトリセット – BOR時の誤った書き込みからデバイスを保護

■ 入力フィルタ – 優れたノイズ排除性■ データ保持期間 – 200年以上■ 100万サイクルを超える耐久性■ E-Tempおよびカスタム仕様の　 H-Tempパーツが使用可能■ 業界最高速のSPIバス（20MHz時）■ 最少の動作電流

マイクロチップのシリアル EPROMの特徴■ 実績、採用および信頼に裏付けられた

自動車産業部門での長い歴史■ 長い製品寿命■ お客様のニーズに適したカスタム製品■ 優れた納入システム（継続納入遅延なし）■ マイクロチップの自社ファブ■ 自社内でのテストおよび組み立て■ 業界最短水準のリードタイム■ 優れたエンジニアリングおよびカスタ

ムサポート■ 多種のパッケージから選択が可能　（SOT-23、SC-70、T-DFN、MSOP）■ ツールサポート

0 500,000 1,000,000 1,500,000 2,000,0000

10

20

30

40

50

60

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80

90

100

E/W Cycles at 85°C

Perc

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Size

= 1

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)

24C16 Competitive Endurance Data

No Fails

Supplier ‘A’Supplier ‘B’Supplier ‘C’Supplier ‘D’MICROCHIP

マイクロチップのトリプルテストフローは、現在シリアルEEPROMデバイスに対して実施されている業界最高水準のロバストテストです。このテストでは、各ダイの全セルが3回テストされた上に広範囲な書き込み/読み出し耐久性およびデータ保持テストが実行されるため、高い品質および信頼性が確保されています。

マイクロチップはシリアルEEPROMの初期不良率が業界で最も少ない企業の1つです。これは広範囲のテストや優れた製造工程、信頼性の高いメモリセル設計によって達成されています。

品質および信頼性のためのウエハーレベルのバーンイン

1H-2005 2H-2005 1H-2006 2H-2006 1H-2007 2H-20070

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

Year

PPM

(Fie

ld R

etur

ns)

Serial EEPROM Field Return Data150K Process

0 PPM

Oxide FailsBad BitsDie Level

マイクロチップのシリアルEEPROM市場返却率データマイクロチップのシリアルEEPROMの耐久性

■ 不良ビットを要因とするゼロPPM EEPROM返却率■ 低い初期不良率（0.8PPM未満）■ 業界で最低水準の市場返却率 – 車載向けのアプリケーションに最適

■ サプライヤーAおよびBではすべてのデバイスが不良■ 85ºCでE/W200万サイクルを実行してもマイクロチップの　 EEPROMは不良にならない

マイクロチップは各ダイで全セルを2回テストし、組み立て後ファイナルテストを1回実行します。1. 第一ウエハープローブ：すべてのダイがデータシート仕様に適合しているかどうか検査されます。高温の選別試験によって全ビットの消去と書込を

5,000回行い、破損セル、脆弱なセルまたは単ビット不良を取り除きます。保持ベーク：電荷損失の加速を冗長する高温ストレステスト。ウエハーは250ºCで最高24時間べークされます。2. 第二ウエハープローブ：ダイはすべて5,000回の消去と書込、さらに高温ベーク後にも、第一ウエハープローブのデータが正しいかどうか再テスト

されます。プロセスを通して電荷が損失したセルだけでなく、欠陥ビットも特定されます。信頼性を満たさない可能性のあるダイも取り除かれます。3. 組み立ておよびファイナルテスト：組み立て後、ファイナルテストが実施されます。100%テストを行い、世界最高レベルの生産歩留りを達成し

ています。

QUALITYQUALITY

従来のバーンイン（古いテクノロジー）ランダム論理セル向けの非特定的な汎用テスト手順■ 非特定的かつ非標的なテストメカニズム – 欠陥率

を増加■ 費用や時間がかかり、非効率■ 検出されないリード曲がりやEOSなどの欠陥モー

ドの取り込み

マイクロチップのトリプルテストおよびウエハーレベルバーンイン手順従来のバーンインからメモリセルに特化したトリプルテストフローを適用したウエハーレベルバーンインに移行してきたため、業界で最も信頼性の高いメモリ製品を製造することが可能に■ 広範囲なテスト – 高品質を保証するために各ダイの全セルに対して指定の耐久

性およびデータ保持テストなどを3回実行■ HVST、LVHFおよびTVPPテストは特定な欠陥を対象に行う■ 製造技術と融合された完成度の高いテストメカニズムによる高効率、高速リー

ドタイムおよび低コストの実現■ 不良モードに関する情報と柔軟なテストフローによる継続的改善

目標■ ダイおよびパッケージレベルでの

ファンクション適合性についてデータシートパラメータを完全検証

■ 高品質および信頼性維持のため、製造工程での不良品をスクリーニング

1：ウエハープローブ100%のダイおよびビットに対するフルファンクションテスト；すべてのビットで85ºCまたは125ºCで消去／書き込みを5,000サイクル実行

2：ウエハープローブ2回目の100%ビットテスト（25ºC）のフルファンクションスクリーニング

3：組み立ておよびファイナルテスト

シリアルEEPROM市場返却率150Kプロセス

酸化膜不良不良ビットダイレベル

年

24C16競合他社の耐久性データ

サプライヤーAサプライヤーBサプライヤーCサプライヤーDマイクロチップ

欠陥

品の

割合

（サ

ンプ

ルサ

イズ

=128

ユニ

ット

）

85℃時E/Wサイクル

不良なし

保持ベーク

主な内容：耐久性テストLVHFHVSTTVPP

• 250ºCで最高24時間• 85ºCで100年間に相当

2回のプローブ間にセルのチャージロスが生じたダイは初期不良を回避するため不良となる

主な内容：ファンクションテストマージン検証GBN

マイクロチップの開発システムを利用して、生産性を高め、製品化に要する時間を削減し、堅実な設計ができます。MPLABスタータキットには、素早いプログラミング、堅牢かつ信頼性の高いシリアルEEPROM設計の開発、さらにシス

テム統合やハードウェア／ソフトウェアのデバッグに必要な時間を削減するために必要なすべてのツールが含まれます。

Total Endurance™ソフトウェア

次のような問題解決に最適

1. 設計決定に影響を及ぼす信頼性　および耐久性

2. ご使用のEEPROMの耐久性

3. 堅牢な設計の実現

Total Enduranceソフトウェアは、マイクロチップのシリアルEEPROMデバイスの耐久性と信頼性を評価する包括モデルを備えています。このモデルは、消耗の影響だけでなく、内部電圧、プログラミング時間、誘電酸化物の厚さと温度などのさまざまなアプリケーション環境の複合した影響も考慮されています。お客様のアプリケーションに基づいて動作条件を適用することにより、信頼性に影響を及ぼす設計トレードオフをPPM、FITおよびMTBFモードでグラフと数値で正確に評価できるため、堅牢な設計が行え、さらに設計に要する時間を節約できます。

マイクロチップは、すべての製品に対して高品質を維持するために、追加社内テストを行い、ビット不良の可能性があるデバイスをすべて取り除きます。

■ バーンインおよび高温ストレスでは、最終的に不良になる可能性のある酸化膜欠陥を持つようなリーク性デバイスに対してストレスを与えない

■ HVSTは例にあるような酸化膜欠陥を持つセルの検出に大変有効。検出された不良デバイスは廃棄

■ 高抵抗の接続部はEEPROM技術の最も一般的な不良メカニズムの1つで、LVHFテストによりスクリーニングが可能

■ 図中に示されたボイドは高抵抗の接続の原因となる。トリプルテストフローの1つであるLVHFによってこの問題を持つデバイスを特定し、除外

Before GBN After GBN

Good die is failedby association withbad die.

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

P

F

F

FP

Failed DieDie that pass 2nd Wafer Probe

不良品に囲まれた良品（Good Die in Bad Neighborhood）

追加テスト手順およびツール

■ 不良ダイに隣接するすべての良品ダイは不良品となる可能性があるため、自動的に不良品となる

■ したがって、初期不良率の改善に役立つ

サポートサイトI2C™およびSPI用のVerilogとIBISモデルMAPS（Microchip Advanced Part Selector）：www.microchip.com/mapsメモリ製品のウェブセミナー：http://techtrain.microchip.com/webseminars50種以上のアプリケーションノート、ソースコードオプション：www.microchip.com/appnotes4つの段階で構成されたマイクロチップのシリアルEEPROMの入門サイト：www.microchip.com/eeprom

高電圧ストレステスト（HVST） − （上面図）

低電圧高周波数テスト（LVHF） − （側面図）

不良ダイ

第二ウエハープローブにパスしたダイ

GBN前 GBN後

良品ダイは不良ダイに囲まれているため、不良品となる

シリアルメモリ製品向けのMPLAB®スタータキット（品番DV243003）

製品仕様I2C™メモリ製品

デバイス集積度（構成）

最大クロック周波数

動作電圧（XX）温度（I、E、H）耐久性

（E/Wサイクル）データ保持書込保護（ハードウェア）パッケージ

24XX00 128ビット（x8） 400 kHz AA, LC, C -40°C～+125ºC 1M 200年なし PDIP, SOIC, TSSOP, SOT-23, 2x3 DFN

24XX01/014 1Kビット（x8） 400 kHz AA, LC, C -40°C～+125ºC 1M 200年あり PDIP, SOIC, TSSOP, SOT-23, 2x3 DFN, MSOP, SC70

24XX02/024 2Kビット（x8） 400 kHz AA, LC, C -40°C～+125ºC 1M 200年あり PDIP, SOIC, TSSOP, SOT-23, 2x3 DFN, MSOP, SC70

24XX04 4Kビット（x8） 400 kHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年あり PDIP, SOIC, TSSOP, SOT-23, 2x3 DFN, MSOP



24XX32 32Kビット（x8） 400 kHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年あり PDIP, SOIC, SOIJ, TSSOP, 2x3 DFN, MSOP

24XX64/65 64Kビット（x8） 1 MHz AA, LC, C -40°C～+125ºC 1M/10M 200年あり PDIP, SOIC, SOIJ, TSSOP, 2x3 DFN, MSOP

24XX128 128Kビット（x8） 1 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年あり PDIP, SOIC, SOIJ, TSSOP, 2x3 DFN, MSOP

24XX256 256Kビット（x8） 1 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年あり PDIP, SOIC, SOIJ, TSSOP, 6x5 DFN, MSOP

24XX512 512Kビット（x8） 1 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年あり PDIP, SOIJ, TSSOP-14, 6x5 DFN

24XX1025 1Mビット（x8） 1 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年あり PDIP, SOIJ

SPIメモリ製品



動作電圧（XX）温度（I, E, H）耐久性

（E/W サイクル）データ保持書込保護

W：全アレー½：ハーフアレー¼: 1/4アレー

書込速度読込電流

最大スタンバイ

電流パッケージ

25XX010A 1Kビット（x8） 10 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年 W, ½, ¼ 5 ms 5 mA 1 µAPDIP, SOIC, TSSOP, 2x3 DFN, MSOP, SOT-23



25XX080A/B 8Kビット（x8） 10 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年 W, ½, ¼ 5 ms 6 mA 1 µA PDIP, SOIC, TSSOP, MSOP

25XX160A/B 16Kビット（x8） 10 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年 W, ½, ¼ 5 ms 6 mA 1 µA PDIP, SOIC, TSSOP, MSOP

25XX320A 32Kビット（x8） 10 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年 W, ½, ¼ 5 ms 5 mA 1 µA PDIP, SOIC, TSSOP, MSOP

25XX640A 64Kビット（x8） 10 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年 W, ½, ¼ 5 ms 5 mA 1 µA PDIP, SOIC, TSSOP, MSOP

25XX128 128Kビット（x8） 10 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年 W, ½, ¼ 5 ms 5 mA 1 µAPDIP, SOIC, SOIJ, TSSOP, 6x5 DFN

25XX256 256Kビット（x8） 10 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年 W, ½, ¼ 5 ms 6 mA 1 µAPDIP, SOIC, SOIJ, TSSOP, 6x5 DFN

25XX512 512Kビット（x8） 20 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年 W, ½, ¼ 5 ms 10 mA 1 µA PDIP, SOIC, SOIJ, 6x5 DFN

25XX1024 1Mビット（x8） 20 MHz AA, LC -40°C～+125ºC 1M 200年 W, ½, ¼ 6 ms 10 mA 1 µA PDIP, SOIJ, 6x5 DFN

1. 電圧範囲：AA = 1.7- 5.5V；LC = 2.5-5.5V：C = 4.5-5.5V2. I = -40ºC～85ºC；E = -40ºC～125ºC（車載用）；H=（-40ºC～150ºC）カスタム品として全デバイスに使用可能。ただし書き込みの保障温度は125℃車載用）；H=（-40ºC～150ºC）カスタム品として全デバイスに使用可能。ただし書き込みの保障温度は125℃用）；H=（-40ºC～150ºC）カスタム品として全デバイスに使用可能。ただし書き込みの保障温度は125℃カスタム品として全デバイスに使用可能。ただし書き込みの保障温度は125℃全デバイスに使用可能。ただし書き込みの保障温度は125℃。ただし書き込みの保障温度は125℃ただし書き込みの保障温度は125℃3. 全デバイスPbフリーおよびRoHSに準拠準拠4. ESD保護：4kV以上（HBM）；400V以上（MM）（全ピン）

最新の製品情報については、次のウェ�サイトにアクセスして��い。次のウェ�サイトにアクセスして��い。のウェ�サイトにアクセスして��い。www.microchip.com/memory

Microwireメモリ製品



動作電圧（XX）温度（I, E, H）耐久性

（E/W サイクル）データ保持書込保護書込速度読込電流最大

スタンバイ電流

パッケージ

93XX46A/B/C1Kビット

（x8またはx16）3 MHz AA, LC, C -40°C～+125ºC 1M 200年なし 6 ms 1 mA 1 µA

PDIP, SOIC, TSSOP, SOT-23, 2x3 DFN, MSOP








（x8またはx16）3 MHz AA, LC, C -40°C～+125ºC 1M 200年あり 5 ms 1 mA 1 µA



（x8またはx16）3 MHz AA, LC, C -40°C～+125ºC 1M 200年あり 5 ms 1 mA 1 µA


UNI/O™バスメモリ製品デバイス集積度

（構成）最大クロック

周波数動作電圧（XX）温度（I, E, H）耐久性

（E/Wサイクル）データ保持書込保護（ハードウェア）

最大スタンバイ電流パッケージ

11XX010 1Kビット（x8） 100 kHz 1.8V-5.5V -40°C～+125ºC 1M 200年 W, ½, ¼ 1 µA PDIP, SOIC, SOT-23, 2x3 TDFN, MSOP





www.microchip.com/memoryMicrochip Technology Inc. • 2355 W. Chandler Blvd. • Chandler, AZ 85224-6199

北米地域アトランタ Tel: 1-678-957-9614ボストン Tel: 1-774-760-0087シカゴ Tel: 1-630-285-0071ダラス Tel: 1-972-818-7423デトロイト Tel: 1-248-538-2250ココモ Tel: 1-765-864-8360ロサンゼルス Tel: 1-949-462-9523サンタクララTel: 1-408-961-6444トロントミシソーガ−オンタリオ Tel: 1-905-673-0699

ヨーロッパ地域オーストリア−ウェルス

Tel: 43-7242-2244-39デンマーク−コペンハーゲンTel: 45-4450-2828フランス−パリTel: 33-1-69-53-63-20ドイツ−ミュンヘン Tel: 49-89-627-144-0イタリア−ミラノ Tel: 39-0331-742611オランダ−ドリューネン Tel: 31-416-690399スペイン−マドリード Tel: 34-91-708-08-90イギリス−ウォーキンガム Tel: 44-118-921-5869

アジア／太平洋地域オーストラリア−シドニー

Tel: 61-2-9868-6733中国−北京Tel: 86-10-8528-2100中国−成都Tel: 86-28-8665-5511中国−香港Tel: 852-2401-1200中国−南京Tel: 86-25-8473-2460中国−青島Tel: 86-532-8502-7355中国−上海Tel: 86-21-5407-5533中国−瀋陽Tel: 86-24-2334-2829中国−深川Tel: 86-755-8203-2660中国−武漢Tel: 86-27-5980-5300中国−厦門Tel: 86-592-2388-138中国−西安Tel: 86-29-8833-7252中国−珠海Tel: 86-756-3210-040

アジア／太平洋地域インド−バンガロール Tel: 91-80-4182-8400

インド−ニューデリ Tel: 91-11-4160-8631

インド−プネTel: 91-20-2566-1512

日本−横浜Tel: 81-45-471- 6166

韓国−大邱Tel: 82-53-744-4301

韓国−ソウルTel: 82-2-554-7200

マレーシア−クアラルンプールTel: 60-3-6201-9857

マレーシア−ペナンTel: 60-4-227-8870

フィリピン−マニラTel: 63-2-634-9065シンガポールTel: 65-6334-8870

台湾−新竹Tel: 886-3-572-9526

台湾−高雄Tel: 886-7-536-4818

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タイ−バンコクTel: 66-2-694-1351

1/2/08

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*DS22078A*_JP

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