realizarea fizică a dispozitivelor...
TRANSCRIPT
![Page 1: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/1.jpg)
Curs 10
2014/2015
![Page 2: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/2.jpg)
Behzad Razavi Design of Integrated Circuits for Optical Communications
carte1.pdf (2,3)
29 pg.
![Page 3: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/3.jpg)
Amplificatoare transimpedanţă◦ 4.1◦ 4.1.1◦ 4.2◦ 4.2.1◦ 4.3◦ 4.3.1
Circuite pentru controlul emiţătoarelor optice◦ 10.3◦ 10.3.1◦ 10.4◦ 10.4.1
![Page 4: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/4.jpg)
Dioda electroluminescenta
Capitolul 8
![Page 5: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/5.jpg)
Caracteristica putere optica emisa functie de curentul direct prin LED este liniara la nivele mici ale curentului.
Nu exista curent de prag
La nivele foarte mari puterea optica se satureaza
Responzivitatea
Tipic r=50μW/mA
A
W
I
Pr o
![Page 6: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/6.jpg)
Capitolul 9
![Page 7: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/7.jpg)
gg
E
hchE ;
h constanta lui Plank 6.62·10-32 Ws2
c viteza luminii in vid2.998·108m/s
![Page 8: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/8.jpg)
![Page 9: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/9.jpg)
La un material cu 4 nivele energetice tranzitiaradianta a electronului (3) se termina intr-o stare instabila, starea de echilibru obtinandu-se prin emisia unui fonon
Inversiunea de populatie se obtine mult maiusor datoritaelectronilor din stareaintermediara
![Page 10: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/10.jpg)
Definirea directiilor in dioda LASER
![Page 11: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/11.jpg)
Ln
ckfk
2
0
Ln
cf
2
0
Ln
2
20
![Page 12: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/12.jpg)
![Page 13: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/13.jpg)
Se utilizeaza suprafete reflective selective pentru filtrare optica
![Page 14: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/14.jpg)
![Page 15: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/15.jpg)
Cresterea vitezei si minimizarea erorilor date de oscilatiile de relaxare si variatiile timpuluide amorsare dioda este partial stinsa in timpul transmisiei unui nivel 0 logic
Raport de stingere
Raportul semnalzgomot scade cu (1-α)
Tipic ER = 10÷15dB
1
H
H
P
PER
![Page 16: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/16.jpg)
Poate produce o diferenta maxima de temperatura de 70°C
Lucreaza la nivele mici de caldura disipata Devine cu atat mai ineficient cu cat fluxul
termic disipat e mai mare De 4 ori mai putin eficiente decat sistemele cu
compresie de vapori
![Page 17: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/17.jpg)
![Page 18: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/18.jpg)
Mode hopping – salt de mod (hole burning)
RIN – Relative Intensity Noise (generat de emisiaspontana)
Zgomot de faza (idem) – necesitatea modulatiei in amplitudine
Zgomot intercavitati (reflexiile din exterior in zonaactiva)
Drift – variatia parametrilor cu varsta si temperatura(in special distanta intre oglinzi)
![Page 19: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/19.jpg)
Heterojunctiuneingropata
Heterojunctiunemuchie (ridge)
![Page 20: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/20.jpg)
Concentrare verticala a purtatorilor◦ Electronii sunt atrasi din zona n in zona activa◦ O bariera energetica existenta intre zona activa si
zona n concentreaza electronii in zona activa◦ Situatie similara corespunzatoare golurilor◦ Purtatorii sunt concentrati in zona activa, crescand
eficienta
![Page 21: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/21.jpg)
Cand lumina e pastrata in cavitati mai micidecat lungimea de unda nu mai poate fimodelata prin unda, modelul devine cuantic
Daca inaltimea zonei active scade la 5-20 nm comportarea diodei laser se schimba◦ energia necesara pentru inversarea de populatie se
reduce, deci curentul de prag scade
◦ dimensiunea redusa a zonei active duce la scadereaputerii maxime
![Page 22: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/22.jpg)
multiple straturi subtiri suprapuse – Multiple Quantum Well
Avantaje◦ curent de prag redus
◦ stabilitate crescuta a frecventei la functionarea in impuls
◦ latime mica a liniilor spectrale
◦ zgomot redus
![Page 23: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/23.jpg)
1565 nm
RL +0.00 dBm5.0 dB/DIV
1545 nm
Emisie spontanăAmplificată (ASE)
Canale: 16Spaţiere: 0.8 nm
![Page 24: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/24.jpg)
Necesitate◦ In sistemele WDM exista necesitatea (in propuneri
pentru arhitecturi viitoare de retele) pentru reglajfoarte rapid al lungimii de unda pe un anume canal - zeci de ns
◦ In aceleasi sisteme intervine necesitatea rutarii prinlungime de unda - timp de reglaj necesar de ordinul secundelor)
◦ realizarea cererilor de date - timp de reglaj de ordinul sute de μs
◦ reglarea emitatorilor individuali in sistemele WDM lipsa necesitatii controlului strict la productia diodelor
degradarea lungimii de unda in timp
![Page 25: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/25.jpg)
Curentul trece prin zona activa ducand la amplificarea luminii
curentul ce parcurge zona corespunzatoarereflectorului Bragg modifica indicele de refractieal acestei zone deci lungimea de unda
zona centrala suplimentara permite reglaj fin suplimentar in jurul valorii impuse de reflectorulBragg
![Page 26: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/26.jpg)
Dezavantajul metodelor anterioare e dat de limita redusa a reglajului (~10nm)
Reflectorul Bragg esantionat (periodic) produce spectru de filtrare discret
Regland unul din reflectori se obtinerezonanta la suprapunerea celor douaspectre
Dezavantaj : reglajul e discret
![Page 27: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/27.jpg)
![Page 28: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/28.jpg)
Oglinzile pot fi realizate din straturisuccesive din semiconductori cu indici de refractie diferiti – reflector Bragg
Prelucrarea laterala se rezuma la taierea materialului
Caracteristici puteri de ordinul 1mW lungimi de unda 850 si 980 nm radiatie de iesire circulara cu divergenta redusa Curenti de prag foarte mici (5mA) si putere
disipata redusa circuite de control speciale nu sunt necesare Banda de modulatie mare (2.4GHz) Stabilitate mare cu temperatura si durata de viata
![Page 29: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/29.jpg)
Caracteristici◦ VCSEL produce mai multe moduri transversale
insensibila la pierderile selective la mod din fibrele multimod (principala limitare in utilizarea diodelor laser in fibrele multimod)
![Page 30: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/30.jpg)
![Page 31: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/31.jpg)
Dependenta de temperatura a curentului de prag este exponentiala
I0 e o constanta determinata la temperaturade referinta
0/0
TTth eII
Material Lungime de unda T0
InGaAsP 1300 nm 60÷70 K
InGaAsP 1500 nm 50÷70 K
GaAlAs 850 nm 110÷140 K
![Page 32: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/32.jpg)
Curentul de prag variaza cu temperatura si cu timpul
Variatia tipica 1-2%/°C
![Page 33: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/33.jpg)
Puterea scade in timp exponential
τm – timpul de viata
Diodele laser sunt supuse la conditii extreme de lucru◦ densitati de curent in zona activa 2000÷5000A/cm2
◦ densitati de putere optica: 105÷106 W/cm3
Diverse definitii ale timpului de viata faccomparatiile dificile
mtePtP
/0
![Page 34: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/34.jpg)
Cresterea curentului duce la scaderea duratei de viata
◦ n = 1.5÷2 (empiric)◦ dublarea curentului duce la scaderea de 3-4 ori a duratei de viata
Cresterea temperaturii duce la scaderea duratei de viata
◦ E = 0.3÷0.95eV (valoarea tipica in teste 0.7eV)◦ cresterea temperaturii cu 10 grade injumatateste durata de viata
kTE
m e/
~
n
m J
~
![Page 35: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/35.jpg)
Coerenta radiatiei emise◦ LED: tc ≈ 0.5ps, Lc ≈ 15μm
◦ LASER : tc ≈ 0.5ns, Lc ≈ 15cm
Stabilitatea frecventei◦ detectie necoerenta (modulatie in amplitudine)
◦ mai ales in sistemele multicanal
Timpul de raspuns
Viteza, interval de reglaj
20
cc tcL
![Page 36: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/36.jpg)
Amorsarea emisiei stimulate necesita pompareaunei anumite cantitati de energie – curent de prag
A
W
I
Pr o
thII
Apare saturare la nivelemari de curent
thII regim LED
regim LASER
ineficient!
![Page 37: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/37.jpg)
eficienta de conversie electro-optic (randament)
tipic, randamente sub 10% sunt intalnite
eficienta cuantica
ff
thf
ff
o
in
out
IV
IIr
IV
P
electricP
opticP
h
er
eI
hP
e
f
n
n
![Page 38: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/38.jpg)
![Page 39: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/39.jpg)
![Page 40: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/40.jpg)
![Page 41: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/41.jpg)
![Page 42: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/42.jpg)
Erbidium Dopped Fiber Amplifier
![Page 43: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/43.jpg)
![Page 44: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/44.jpg)
![Page 45: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/45.jpg)
![Page 46: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/46.jpg)
Bazat pe efect Raman
![Page 47: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/47.jpg)
![Page 48: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/48.jpg)
![Page 49: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/49.jpg)
![Page 50: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/50.jpg)
![Page 51: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/51.jpg)
![Page 52: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/52.jpg)
![Page 53: Realizarea fizică a dispozitivelor optoeletronicerf-opto.etc.tuiasi.ro/docs/files/OSTC_Curs_10_2014.pdf · La un material cu 4 nivele energetice tranzitia radianta a electronului](https://reader030.vdocuments.site/reader030/viewer/2022040513/5e661611787988671a0d3b9d/html5/thumbnails/53.jpg)