neutral point clamp 2 - 1200v

7/27/2019 Neutral Point Clamp 2 - 1200V

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

F3L400R12PT4_B26IGBT-ModuleIGBT-modules

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dateofpublication:2013-03-08

revision:2.0 ULapproved(E83335)

EconoPACK™4Modulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTCEconoPACK™4modulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC

VorläufigeDaten/PreliminaryData

VCES = 1200V

IC nom = 400A / ICRM = 800A

TypischeAnwendungen TypicalApplications• •SolarAnwendungen SolarApplications• •USV-Systeme UPSSystems

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop ExtendedOperationTemperatureT vjop

• •NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses• •NiedrigesVCEsat LowVCEsat

• •TrenchIGBT4 TrenchIGBT4• •Tvjop=150°C Tvjop=150°C• •VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •IsolierteBodenplatte IsolatedBasePlate• •KompaktesDesign Compactdesign• •PressFITVerbindungstechnik PressFITContactTechnology• •Standardgehäuse StandardHousing

ModuleLabelCodeBarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5

ModuleMaterialNumber 6-11

ProductionOrderNumber 12-19

Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23



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revision:2.0

VorläufigeDatenPreliminaryData

IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage

Tvj = 25°C VCES 1200 V

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent

TC = 100°C, Tvj = 175°CTC = 25°C, Tvj = 175°C

IC nom

IC

400600

A A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A

Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation

TC = 25°C, Tvj = 175°C Ptot 2150 W

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage

VGES +/-20 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 400 A, VGE = 15 VIC = 400 A, VGE = 15 VIC = 400 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,752,052,10

2,15

VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 15,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V

GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 3,30 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor

Tvj = 25°C RGint 1,8 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 25,0 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,35 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload

IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGon = 1,5 Ω

td on

0,200,220,23

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload


tr

0,110,120,12

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload

IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGoff = 1,5 Ω

td off

0,400,480,50

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload

IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 V

RGoff = 1,5 Ω

tf

0,070,10

0,11

µsµs

µs

Tvj = 25°CTvj = 125°C

Tvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, di/dt = 2650 A/µs (T vj=150°C)RGon = 1,5 Ω

Eon 8,7513,013,5

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, du/dt = 2300 V/µs (Tvj=150°C)RGoff = 1,5 Ω

Eoff 18,026,028,5

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt

ISC 22001900

A A

Tvj = 25°CTvj = 150°C

tP ≤ 10 µs,tP ≤ 10 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT RthJC 0,07 K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink

proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,046 K/W



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revision:2.0


Diode,D2/D3/Diode,D2/D3HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage

Tvj = 25°C VRRM 650 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 400 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 800 A

GrenzlastintegralI²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C

I²t 67006150

A²s A²s


DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 400 A, VGE = 0 VIF = 400 A, VGE = 0 VIF = 400 A, VGE = 0 V

VF

1,551,501,45

1,95

VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V

IRM 145205215

A A A

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge


Qr 13,526,028,5

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy


Erec 3,406,357,15

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C


proDiode/perdiode RthJC 0,22 K/W


proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,077 K/W



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revision:2.0


IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage

Tvj = 25°C VCES 650 V

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent

TC = 0°C, Tvj = 175°CTC = 25°C, Tvj = 175°C

IC nom

IC

400360

A A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A

Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation

TC = 25°C, Tvj = 175°C Ptot 880 W

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage

VGES +/-20 V


Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 400 A, VGE = 15 VIC = 400 A, VGE = 15 VIC = 400 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,752,002,10

2,15

VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 4,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V

GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 3,20 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor

Tvj = 25°C RGint 1,0 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 18,5 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,57 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload


td on

0,080,100,10

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload


tr

0,090,100,10

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload

IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGoff = 1,5 Ω

td off

0,350,370,38

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload

IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 V

RGoff = 1,5 Ω

tf

0,080,11

0,11

µsµs

µs

Tvj = 25°CTvj = 125°C

Tvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, di/dt = 3300 A/µs (T vj=150°C)RGon = 1,5 Ω

Eon 6,309,4011,0

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3350 V/µs (Tvj=150°C)RGoff = 1,5 Ω

Eoff 20,023,524,5

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 360 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt

ISC 18001400

A A

Tvj = 25°CTvj = 150°C

tP ≤ 10 µs,tP ≤ 10 µs,


proIGBT/perIGBT RthJC 0,17 K/W


proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,074 K/W



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Diode,D1/D4/Diode,D1/D4HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage

Tvj = 25°C VRRM 1200 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 400 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 800 A

GrenzlastintegralI²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C

I²t 1550011500

A²s A²s


DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 400 A, VGE = 0 VIF = 400 A, VGE = 0 VIF = 400 A, VGE = 0 V

VF

1,801,851,90

2,30

VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 V IRM

255310325

A A A

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge

IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 V Qr

29,056,065,0

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy

IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 V Erec

8,7016,519,0

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C


proDiode/perdiode RthJC 0,16 K/W


proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,056 K/W

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

NennwiderstandRatedresistance

TC = 25°C R25 5,00 kΩ

AbweichungvonR100DeviationofR100

TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %

VerlustleistungPowerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW

B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K

B-WertB-value

R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K

B-WertB-value

R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K

AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.



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revision:2.0


Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV

MaterialModulgrundplatteMaterialofmodulebaseplate

Cu

InnereIsolationInternalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140)

Al2O3

KriechstreckCreepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal

25,012,5

mm

LuftstreckeClearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,0

7,0 mm

VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex

CTI > 200

min. typ. max.

ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule

LsCE 38 nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-ChipModuleleadresistance,terminals-chip

TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 0,75 mΩ

HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature

Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj max 175 °C

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj op -40 150 °C

Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C

Anzugsdrehmomentf.ModulmontageMountingtorqueformodulmounting

SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschriftScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm

Anzugsdrehmomentf.elektr.AnschlüsseTerminalconnectiontorque

SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschriftScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,0 - 6,0 Nm

GewichtWeight G 400 g



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revision:2.0


AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch)outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

I C

[ A ]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,50

80

160

240

320

400

480

560

640

720

800

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch)outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C

VCE [V]

I C

[ A ]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00

80

160

240

320

400

480

560

640

720

800

VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch)transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VGE)VCE=20V

VGE [V]

I C

[ A ]

5 6 7 8 9 10 11 12 13

0

80

160

240

320

400

480

560

640

720

800

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)Eon=f(IC),Eoff =f(IC)VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff =1.5Ω,VCE=300V

IC [A]

E [ m J ]

0 100 200 300 400 500 600 700 800

0

10

20

30

40

50

60

70

80

Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff , Tvj = 125°CEoff , Tvj = 150°C



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revision:2.0


SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)Eon=f(RG),Eoff =f(RG)VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V

RG [Ω]

E [ m J

]

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 150

10

20

30

40

50

60

70

80


TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4ZthJC=f(t)

t [s]

Z t h J C [ K / W ]

0,001 0,01 0,1 1 100,001

0,01

0,1

ZthJC : IGBT

i:r i[K/W]:τi[s]:

10,004810,00048

20,007430,00808

30,056540,03994

40,003464,14691

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff =1.5Ω,Tvj=150°C

VCE [V]

I C

[ A ]

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

IC, ModulIC, Chip

DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch)forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)IF=f(VF)

VF [V]

I F [ A ]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

0

80

160

240

320

400

480

560

640

720

800

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C



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revision:2.0


SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)switchinglossesDiode,D2/D3(typical)Erec=f(IF)RGon=1.5Ω,VCE=300V

IF [A]

E [ m J

]

0 100 200 300 400 500 600 700 8000

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)switchinglossesDiode,D2/D3(typical)Erec=f(RG)IF=400A,VCE=300V

RG [Ω]

E [ m J

]

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 150

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10


TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3transientthermalimpedanceDiode,D2/D3ZthJC=f(t)

t [s]

Z t h J C [ K / W ]

0,001 0,01 0,1 1 10

0,01

0,1

1

ZthJC : Diode

i:r i[K/W]:τi[s]:

10,020660,00031

20,035610,0085

30,143410,04141

40,022340,9406

AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

I C

[ A ]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0

0

80

160

240

320

400

480

560

640

720

800

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C



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revision:2.0


AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch)outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C

VCE [V]

I C

[ A ]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00

100

200

300

400

500

600

700

800

VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VGE)VCE=20V

VGE [V]

I C

[ A ]

5 6 7 8 9 10 11 12 130

100

200

300

400

500

600

700

800

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)Eon=f(IC),Eoff =f(IC)VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff =1.5Ω,VCE=300V

IC [A]

E [ m J ]

0 100 200 300 400 500 600 700 800

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100


SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)Eon=f(RG),Eoff =f(RG)VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V

RG [Ω]

E [ m J ]

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100




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TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3ZthJC=f(t)

t [s]

Z t h J C [ K / W ]

0,001 0,01 0,1 1 100,001

0,01

0,1

1

ZthJC : IGBT

i:r i[K/W]:τi[s]:

10,019210,00113

20,123120,03104

30,023380,17309

40,008373,25128

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff =1.5Ω,Tvj=150°C

VCE [V]

I C

[ A ]

0 100 200 300 400 500 600 7000

100

200

300

400

500

600

700

800

900

IC, ModulIC, Chip

DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch)forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)IF=f(VF)

VF [V]

I F [ A ]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6

0

100

200

300

400

500

600

700

800

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)switchinglossesDiode,D1/D4(typical)Erec=f(IF)RGon=1.5Ω,VCE=300V

IF [A]

E [ m J ]

0 100 200 300 400 500 600 700 800

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30




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revision:2.0


SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)switchinglossesDiode,D1/D4(typical)Erec=f(RG)IF=400A,VCE=300V

RG [Ω]

E [ m J

]

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 150

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24


TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4transientthermalimpedanceDiode,D1/D4ZthJC=f(t)

t [s]

Z t h J C [ K / W ]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1

ZthJC : Diode

i:r i[K/W]:τi[s]:

10,020460,00108

20,109560,03036

30,022050,16873

40,006813,29829

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)

TC [°C]

R [ Ω ]

0 20 40 60 80 100 120 140 160

100

1000

10000

100000

Rtyp



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Schaltplan/circuit_diagram_headline

J

Gehäuseabmessungen/packageoutlines



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neutral point clamp 2 - 1200v

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