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Kiru • Kezuru • Migaku 2015.11 高抗折強度 プロセス レーザ改質された 部分を研削で取り 除くため、高 強 度 の極薄チップを作 製可能 高品位のDAF分割 DDS2300との組み 合わせにより、 DAF を高品位に分割可能 チップ取り個数増加 ステルスダイシングは切 り代が不要でカーフもほ ぼゼロとなるため、大幅な ストリートリダクションとチ ップ取り個数増加が可能 Fracture Stress ［ MPa ］ Die strength （Three point bending） Thinning + Blade Dicing Wafer size : ø300 mm × t20 μm Material : Si SDBG 4000 3000 2000 1000 0 Max. Avg. Min. Si + DAF Si ：40 μm DAF : 10 μm 50um 50um Thinning + Blade dicing SDBG DDS2300 DFM2800 DGP8761 DFL7361 Laminator Cool Expanding & Heat Shrinking Mounting & BG Tape Peeling Back Grinding & Dry Polishing Stealth Dicing BG Tape Laminating 〒143-8580 東京都大田区大森北2-13-11 Phone 03-4590-1000 （営業代表） Fax 03-4590-1001 03-4590-1040 （精密加工グループ） E-mail [email protected] URL http://www.disco.co.jp 搬送時のウェーハ破損やダイシング時の裏面チッピングを低減し、ø300mmウェーハの薄化ニーズに対応します。 狭カーフ化により、 ストリート幅の縮小・チップ取り個数増加を実現します。 DBG （Dicing Before Grinding）は従来の「裏面研削 → ウェー ハ切断」という通常工程を逆転させ、先にウェーハをハーフカット した後、裏面研削によりチップ分割するプロセスです。搬送時の ウェーハ破損やダイシング時の裏面チッピングの大幅な低減が 可能です。特にNAND Flashなどの極薄ウェーハに最適です。 後工程に関する内容は、どんなことでもお気軽にご相談ください。 DBGにおけるブレードダイシングをSD （Stealth Dicing）に置き換え、極薄チップ のカーフ狭小化と抗折強度向上を実現し ます。また、ダイセパレータDDS2300と 組み合わせることで、薄チップ積層時に用 いられるDAF （Die Attach Film）も、高品 位に分割できます。 DBGプロセス SDBGプロセス DBG+DP （DP08）チップ上面写真 DBG （#2000）チップ上面写真 Half - Cut Dicing Back Grinding Tape Laminating Back Grinding Dicing Tape Mounting Back Grinding Tape Peeling Dry Polishing Precision Processing Service 精密加工サービス 確かな品質をお届けする、 ディスコの精密加工サービス 試作から量産まで幅広いご要望にお応えする、ディスコの精密加工サービス 試作のご相談 テスト・条件出し 小ロット生産 設備投資の ご相談 ファウンダリの ご紹介 ご来社または電話・Webに よる相談対応 最適な精密加工ツール・ 加工条件の選定 ご要望に応じた品質・納期 での少量生産のご協力

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Page 1: NAND Flash Processing Service - DISCO · 2020. 6. 3. · 2000 1000 0 Max. Avg. Min. Si ： 40 µm Si + DAF DAF : 10 µm 50um Thinning + Blade dicing SDBG Laminator DFL7361 DGP8761

Kiru • Kezuru • Migaku

2015.11

SDBGStealth Dicing Before Grinding

高抗折強度プロセスレーザ改質された部分を研削で取り除くため、高強度の極薄チップを作製可能

高品位のDAF分割DDS2300との組み合わせにより、DAFを高品位に分割可能

チップ取り個数増加ステルスダイシングは切り代が不要でカーフもほぼゼロとなるため、大幅なストリートリダクションとチップ取り個数増加が可能Fr

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Pa］

Die strength （Three point bending）

Thinning +Blade Dicing

Wafer size : ø300 mm × t20 µmMaterial : Si

SDBG

4000

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Max.

Avg.

Min.

Si + DAFSi ： 40 µmDAF : 10 µm

50um 50um

Thinning +Blade dicing

SDBG

DDS2300DFM2800DGP8761DFL7361Laminator

Cool Expanding & Heat Shrinking

Mounting & BG Tape PeelingBack Grinding & Dry PolishingStealth DicingBG Tape LaminatingSDBGStealth Dicing Before Grinding

高抗折強度プロセスレーザ改質された部分を研削で取り除くため、高強度の極薄チップを作製可能

高品位のDAF分割DDS2300との組み合わせにより、DAFを高品位に分割可能

チップ取り個数増加ステルスダイシングは切り代が不要でカーフもほぼゼロとなるため、大幅なストリートリダクションとチップ取り個数増加が可能Fr

actu

re S

tres

s ［M

Pa］

Die strength （Three point bending）

Thinning +Blade Dicing

Wafer size : ø300 mm × t20 µmMaterial : Si

SDBG

4000

3000

2000

1000

0

Max.

Avg.

Min.

Si + DAFSi ： 40 µmDAF : 10 µm

50um 50um

Thinning +Blade dicing

SDBG

DDS2300DFM2800DGP8761DFL7361Laminator

Cool Expanding & Heat Shrinking

Mounting & BG Tape PeelingBack Grinding & Dry PolishingStealth DicingBG Tape Laminating

〒143-8580 東京都大田区大森北2-13-11

Phone 03-4590-1000 （営業代表） Fax 03-4590-1001 03-4590-1040 （精密加工グループ）E-mail [email protected] URL http://www.disco.co.jp

搬送時のウェーハ破損やダイシング時の裏面チッピングを低減し、ø300mmウェーハの薄化ニーズに対応します。

狭カーフ化により、 ストリート幅の縮小・チップ取り個数増加を実現します。

DBG（Dicing Before Grinding）は従来の「裏面研削 → ウェーハ切断」という通常工程を逆転させ、先にウェーハをハーフカットした後、裏面研削によりチップ分割するプロセスです。搬送時のウェーハ破損やダイシング時の裏面チッピングの大幅な低減が可能です。特にNAND Flashなどの極薄ウェーハに最適です。

後工程に関する内容は、どんなことでもお気軽にご相談ください。

DBGにおけるブレードダイシングをSD（Stealth Dicing）に置き換え、極薄チップのカーフ狭小化と抗折強度向上を実現します。また、ダイセパレータDDS2300と組み合わせることで、薄チップ積層時に用いられるDAF（Die Attach Film）も、高品位に分割できます。

DBGプロセス

SDBGプロセス

DBG+DP（DP08） チップ上面写真 DBG（#2000） チップ上面写真

Half -CutDicing

Back Grinding TapeLaminating

BackGrinding

Dicing TapeMounting

Back GrindingTape Peeling

Dry Polishing

Precision Processing

Service

精密加工サービス

確かな品質をお届けする、ディスコの精密加工サービス

試作から量産まで幅広いご要望にお応えする、ディスコの精密加工サービス

試作のご相談 テスト・条件出し 小ロット生産設備投資のご相談

ファウンダリのご紹介

ご来社または電話・Webによる相談対応

最適な精密加工ツール・ 加工条件の選定

ご要望に応じた品質・納期での少量生産のご協力

Page 2: NAND Flash Processing Service - DISCO · 2020. 6. 3. · 2000 1000 0 Max. Avg. Min. Si ： 40 µm Si + DAF DAF : 10 µm 50um Thinning + Blade dicing SDBG Laminator DFL7361 DGP8761

Kiru

Kezuru

Migaku

豊富なノウハウ、実績を持つダイシングブレードによる切断、溝入れ加工で、お客さまの多様な要望にお応えします。

■ 石英ガラス ■ ガラス樹脂■ シリコン柱残し

ブレード加工

Si・化合物半導体 Si、InP、GaAs、CdTe、 etc

金属 銅、超硬材、SUS、クロモリ綱、ニッケル、etc

ガラス・セラミックス ガラス（石英・液晶 etc）、サファイア、ジルコニア、光ファイバ、アルチック、アルミナ、ガラセラ、PZT、 etc

樹脂 CSP基板、ガラエポ、BGA基板、ポリミド、アクリル樹脂、 etc

ブレードダイシングでは困難であったガラスやセラミックスなど、難削材の加工が可能です。

■ ホウケイ酸ガラス

超音波ダイシング

超音波ダイシングは、加工負荷を低減し、ブレードの冷却状況を改善する効果があります。そのため、難削材であるSiCやガラスなどの電子部品・光学部品の高速、高品位な加工が可能です。

超音波On 超音波Off

金属などの延性材料や樹脂、これらの複合材料の高精度な平坦化加工が可能です。

■ Auバンプの切削加工

切削平坦化加工

所定のバンプ高さに平坦化できるだけでなく、高さバラツキ・面粗さも同時に向上します。高さバラツキ：5mm角チップで1µm以下　面粗さ：Rz 0.1µm以下を実現

■ Cuバンプと樹脂の一括切削加工

Cuバンプと樹脂を一括切削し、 バンプの頭出しが可能です。

加工後平坦化前 平坦化後

バンプ高さバラツキ 1.7 μm 0.5 μm

バンプ面粗さ（Rz） 1.373 μm 0.039 μm

加工前

特殊固定方法により、チップの薄化が可能

■ サファイアウェーハ

■ チップ研削加工■ シリコンウェーハ 厚さ5 µm

■ ホウケイ酸ガラス

■ 加工イメージ

グラインディング加工 TAIKO研削

ディスコでは、ますます要求の増すウェーハの薄仕上げ研削において、厚さ5µm～50 µmの極薄研削や非シリコン素材（サファイア、SiCなど）の研削加工まで、豊富なノウハウによりお客さまのご要望に対応します。

TAIKO研削は、ウェーハ最外周をリング状に残し、その内周を研削加工で薄化します。リング部分が補強材となり、ウェーハ強度が上がるためハンドリング性が向上します。また、リング部分が一体構造のため、高温プロセス時でもアウトガスが発生せず、容易に各種プロセスが適用できます。

豊富な研削加工ノウハウにより、厚さ50 µm以下の薄化研削が可能です。

独自技術を用いたウェーハバックグラインディングで、薄ウェーハの搬送リスクや反りを大幅に低減します。

レーザアブレーション ステルスダイシング

微少なエリアにごく短時間にレーザエネルギーを集中させることにより、固体を昇華・蒸発させる加工方法です。Low-k膜やDAF、厚さ50µm以下の極薄ウェーハなどの高品質な加工が可能です。

レーザをワーク内部に集光することで内部に改質層を形成し、テープエキスパンド等にてチップ分割をおこなうダイシング手法です。高輝度LED用サファイアウェーハや負荷に弱いワーク（MEMSなど）の高速、高品位なダイシングが可能です。また、ステルスダイシングは洗浄不要のドライプロセスです。

レーザアブレーションによる様々な素材への 高速、高品位加工をご提供します。

レーザによる切断方法でMEMSデバイス等の 高品位、高速な加工を実現します。

Si ウェーハ

DAF（40 µmt）

SEMx1500

SEM x500 ウェーハ厚さ：80 µm SEM x2000

x100 140 mm/s 1pass 50 µmt SEM x500

SEM x200 SEM x100 350 µmt

100 µm

■ 化合物デバイスのフルカット

■ サファイアスクライビング ■ Low-kグルービング

■ MEMS

■ サファイア ■ リチウムタンタレート

■ Si＋DAFのフルカット ■ シリコンウェーハ

1000 µm

TAIKO Process

Conventional Process

グラインディング工程後のためのドライプロセスのストレスリリーフです。

Siウェーハ　加工厚み：30 µmDP08研磨後 #2000研削後

■ 薄仕上げ加工■ ダメージ比較（TEMによる観察）

ドライポリッシング加工

ドライポリッシングは、水やスラリーを使用しない環境負荷の低いストレスリリーフです。極薄ウェーハの抗折強度向上に効果的です。


MiCRO SYSTEMS · Sensor Hyper energy laser Material Nickel Nickel Nickel Slit Width 5 µm 10 µm 25 µm Thickness 20 µm 23 µm 20 µm Part Diameter 9.5mm 9.5mm 3.5mm // ULTRASONIC

Teatro 11 10 16 00 Arthur Burnett Subs Trinity Bivalacqua · • Strong presence of Schawnn cells Sham BCNI BCNI+Y-27632. 223.52 µm 275.35 µm 314.11 µm 179.21 µm 185.25 µm Incubation

THE DAF COLLECTION. Merchandise (1) DAF Chauffeurstas Part No M003295 DAF Toilettas Part No M003297 DAF Posttas Part No M003307 DAF Paraplu Part No M003321

DAF in action - DAF Trucks 台灣 · DAF IN ACTION 4 DAF in the new s The 1000th DAF in South Africa (a 4x2 DAF CF85) will be used as a special demo vehicle for Tyco Trucks. DAF Frankfurt

Testy poziomujące online Einstufungstests...DaF im Unternehmen B1 DaF im Unternehmen A2 Testy poziomujące do serii DaF leicht DaF leicht A1 DaF leicht A2 DaF leicht B1 Testy poziomujące

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volume ~ 1 µm x 1 µm x 1 µm

GDD - Production guide v41 · 2020. 6. 4. · Shielding Aluminium (10 µm) GDD GEM foils (50 µm) 50 µm thick kapton, 5 µm copper, 70 µm hole diam., 140 µm pitch EST Drift 2 µm

Merkel Omegat OMK-E - seal-directSliding surface 0,05 … 0,3 µm ≤2,5 µm Groove base ≤1,6 µm ≤6,3 µm Groove flanks ≤3,0 µm ≤15,0 µm Percentage contact area M r >50%

Dr. Christian E. BUTZKE Enology Professor PURDUE UNIVERSITY · 10 µm10 µm 1 µm1 µm 100 nm100 nm 10 nm10 nm.45 µm.45 µm .2 µm.2 µm Particle Size

DGP8761- DFM2800 In-line System DISCO DFM2800 r Kiru ...DGP8761- DFM2800 In-line System DISCO DFM2800 r Kiru (þJZ) • Kezuru Migaku J (1/1,000mm) WÈKiru Kezuru DGP8761

Compania - Proidea...Polyester (lucios de 25 µm sau mat de 35 µm), PVDF (polifluorură de viniliden) de 25 µm, PUR (poliuretan) de 55 µm sau PUR MAT (poliuretan mat) de 50 µm

SECTION 3-DAF...911.501.0150 911.501.0600 DAF- 658882 DAF - 659807 DAF- 0281009 DAF- 753259 DAF- 1518253 DAF- 0097539 DAF- 1519282 DAF- 1519286 DAF- 285596 DAF- 555097 WABCO Type Clutch

CATÁLOGO DE PRODUTOS ROLAND ELECTRONIC€¦ · Precisão +/- 6 µm Precisão +/- 1.0 µm Precisão +/- 0.5 µm (LTM-SMART) , +/- 1.0 µm (LTM-MAXI) Área de travessia -- (Medição

C190-E206A Shim-pack HPLC Column Guidebook4 5 1.6 µm, 2.2 µm 1.9 µm, 2 µm, 2.2 µm, 3 µm ≥ 3 µm 5 µm, 10 µm 15 µm Analytical Columns High-Speed Analysis Conventional Analysis

180919 stoba Vertreterpräsentation ENFilter sizes 1. Stage 2. Stage Chamber 1 10 µm --Chamber 2 10 µm --Chamber 3 1 µm 5 µm Chamber 4 1 µm 5 µm Filter unit Absolute filter

Introducing DAF Connect DAF Connect - TTE.ee

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P1 – Silicon Superjunction and GaN HEMT Power DevicesMay 09, 2016  · LS = 0.1 µm LGS =1.5 µm LG =1.5 µm LGD = 3 or 9 µm LD = 0.1 µm Nitride thicknes = 0.05 µm Al0.2Ga0.8N

Core-Shell Technology These Phases ROCK Your LC …€¦ · 4 Core-Shell Technology he ehg ™ 5 1.7 µm µm 1.3 µm µm UHPLC HPLC PREP LC 2.6 µm 3.5 Incredible UHPLC efficiency

Application Note - downloads.leica-microsystems.com EM... · Diamond foils: 15 µm, 9 µm, 6 µm, 3 µm, 1 µm and 0.5 µm at 2200 rpm until the final sample thickness of 30 µm

ワイヤーマーク抑制 黄銅電極線 - Hitachi MetalsEDM wire Spark Workpiece Discharge gap +2.5 µm-2.5 µm 500 µm HBZ-SS Rz 1.40 µm 500 µm Rz 2.00 µm Conventional product

Key players of the phytoplankton communities 5 µm 50 µm 0.5 µm50 µm

Chapter 17: Test Technology Section 07: Wafer Probe ... - IEEEPad Pitch (um) 90 µm 80 µm 80 µm 80 µm 60 µm 60 µm RF Ports per Site 24 24 24 24 24 24 Sites being probed together

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ISO 16890 Get the full picture on filter performance....1 µm and PM10 2 µm 3 µm 4 µm 5 µm 6 µm 7 µm 8 µm 9 µm 10 µm 0 µm 1 µm So you get the full picture of how a filter

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Coolandfresh - Alfa LavalPre-filtration 0,65 µm Sterile filtration 0,45 µm or 0,65 µm Air and CO Water and CIP filtration 0,65 µm 2 filtration 0,2 µm Water/ CIP Outlet for sterile

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you’ll never drive alone...SUITABLE FOR DAF DAF XF 106 page 3 DAF XF 105 page 6 DAF XF 95 page 10 DAF 95 XF page 11 DAF CF page 14 DAF LF page 19 0202 SUITABLE FOR DAF XF 106 2014

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Les Principes de Filtration | Présentation I.C.V. · 2016-07-01 · Le spectre de filtration Microfiltration Ultrafiltration 70 µm/50 µm/20 µm 8 µm/5 µm/3 µm 1 µm/0.8 µm/0.65