modelos equivalentes de pequeña señall de los transistores fet
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Modelos equivalentes
de pequeña señal delos transistores Ing. Hugo Fdo. Velasco Peña
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Introducción El circuito equivalente de pequeña señal de un
transistor FET se puede obtener por métodos
análogos a los utilizados en transistoresbipolares.
Sin embargo, al ser dispositivos controlados portensión, el modelo bipuerta más adecuado es el
de parámetros {Y}, ya que relacionan lascorrientes de salida con tensiones de entrada.
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Introducción La figura 2.17 representa el modelo de pequeña
señal de un FET constituido por dos parámetros:
gm, o factor de admitancia, y rd, o resistencia desalida o resistencia de drenador. Esta notaciónes la más extendida para describir estosparámetros, aunque algunos fabricantes utilizan
la notación en parámetros {Y} o {G},denominando yfs o gfs a gm, e yos−1 o gos−1 oross a rd.
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Introducción Estos parámetros dependen de la
corriente de polarización del transistor
(ID), y el fabricante proporciona las curvasque permiten extraer sus valores endiferentes condiciones de polarización. A
continuación se describe con más detallelos paráetros gm y rd.
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FACTOR DE ADMITANCIA gm
Se define este parámetro como
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gm en JFET
En un JFET, gm se puede extraer a partir de laecuación analítica del transistor en la región de
saturación que relaciona la ID con la VGS,definida por
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gm en JFET
gm es un parámetro definido por cociente deincrementos que se pueden aproximar por
derivadas, de forma que aplicando esta definicióna la ecuación de ID y resolviendo se obtiene que
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gm en MOSFET
En un transistor MOS, cuya ecuaciónanalítica en la región de saturación es
gm se puede expresar mediante lasiguiente ecuación
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RESISTENCIA DE SALIDA O DE
DRENADOR rd.
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FACTOR DE AMPLIFICACIÓN μ
Relaciona los parámetros gm y rd de lasiguiente manera
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AMPLIFICADORES MULTIETAPA
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