Universitatea Tehnic a Moldovei Facultatea Calculatoare, Informatic i Microelectronic

Catedra Microelectronic i Semiconductori

RAPORT La Lucrarea de Laborator 2

La Disciplina: Bazele Fizice ale Electronicii Tema: Efectul Hall n semiconductoare

A efectuat: st. gr ISBM-141 Savca Eugeniu ____________ A verificat: Postic Vasile _____________

Chiinu 2015

Tabelul 1.

1) Umed1=67,15+67,15+85,1+85,7

4= 76,28 ; RH1=

= 76,281032108

241030,17 = 152,561044,08103 =37,38 1083/ Umed2=

145,4+145,4+159,5+159,34

= 152,37 ; RH2=152,371032108411030,37 = 20,08 1083/

Tabelul 2. Nr. Uz

mV T(K) U(+B,+I)

mV U(+B,-I)

mV U(-B,+I)

mV U(-B,-I)

mV Umed RH

1 4,1 391,4 14,3 -14,6 -5,5 5,4 9,95 0,9 2 3,8 382,2 17,9 -18,2 -9,0 9,4 13,62 1,3 3 3,3 372,2 20,8 -21,0 -11,9 12,1 16,45 1,6 4 3,0 365 23,2 -23,1 -14,2 14,6 18,77 1,8 5 2,5 353 32,4 -32,1 -25,7 26,1 29,07 2,8 6 2,1 343,4 41,9 -41,2 -37,2 37,6 39,47 3,8 7 1,8 336,2 46,7 -46,1 -48,8 48,2 47,45 4,0 8 1,4 326,6 51,2 -52,4 -60,1 61,0 53,92 5,2 9 1,0 317 57,3 -56,9 -70,0 70,1 63,57 6,1 10 0,6 307,4 62,2 -61,7 -77,8 78,2 69,97 6,8

Y=76 A d=0,002 Bz=2,7 mT T=300K

Umed1=(+,+)(+,)(,+)+(,)

4= 14,3+14,6+5,5+5,4

4= 9,95

Umed2=17,9+18,2+9,0+9,4

4= 13,62; Umed3=20,8+21,0+11,9+12,1

4= 16,45

Umed4=23,2+23,1+14,2+14,6

4= 18,77; Umed5=32,4+32,1+25,7+26,1

4= 29,07

Umed6=41,9+41,2+37,2+37,6

4= 39,47; Umed7=46,7+46,1+48,8+48,2

4= 47,45

Umed8=51,2+52,4+60,1+61,0

4= 56,17; Umed9=57,3+56,9+70,0+70,1

4= 63,57

Umed10=62,2+61,7+77,8+78,2

4= 69,97; RH1=1

= 9,951030,02106

761062,7103 = 0,9 103 3/ RH2=

13,621030,02106761062,7103 = 1,3 103 3/; RH3=16,451030,02106761062,7103 = 1,6 1033/

RH4=18,771030,02106761062,7103 = 1,8 1033/; RH5=29,071030,02106761060,02103 = 2,8 1033/

RH6=39,471030,02106761062,7103 = 3,8 1033/; RH7=47,451030,02106761062,7103 = 4,6 1033/

RH8=53,921030,02106761062,7103 = 5,2 1033/; RH9=63,571030,02106761062,7103 = 6,1 1033/

RH10=69,971030,02103761062,7103 6,8 1033

B,T U(+B,+I) mV

U(+B,-I) mV

U(-B,+I) mV

U(-B,-I) mV

Umed mV

RH M/C

I mA

0,17 67,15 -67,15 -85,1 85,7 76,28 37,38 24 0,37 145,4 -145,4 -159,5 159,3 152,37 20,08 41

T=24*Uz+293; T1=24*4,1+293=391,4K; T2=24*3,8+293=384,2k; T3=24*3,3+293=372,2K

T4=24*3,0+293=365K; T5=24*2,5+293=353K; T6=24*2,1+293=343,4K; T7=24*1,8+293=336,2K

T8=24*1,4+293=326,6K; T9=24*1,0+293=317K; T10=24*0,6+293=307,4K

Eg=0,4lg (32)(103/)

Concentratia purtatorilor de sarcina: C=1.66*10-19

n1=

= 1.5

1.6610190.9103 = 1.004 1022 n2=

1.51.6610191.3103 = 0.69 1022; n3= 1.51.6610191.8103 = 0.564 1022

n4=1.5

1.6610192.8103 = 0.502 1022; n5= 1.51.6610192.8103 = 0.322 1022 n6=

1.51.6610193.8103 = 0.237 1022; n7= 1.51.6610194.6103 = 0.196 1022

n8=1.5

1.6610195.2103 = 0.173 1022; n9= 1.51.6610196.1103 = 0.148 1022 n10=

1.51.6610196.8103 = 0.132 1022

Scopul lucrrii: cercetarea dependenei tensiunii Hall de temperatur i de cmpul magnetic, determinarea concentraiei purtrorilor de sarcin i limii zonei interzise a semiconductorului.

Figura 1: Schema montajului