INFORME N°6

OBJETIVO. - La polarización del bjt se realiza mediante tensión continua y consiste en preparar el transistor para que trabaje en la región activa dentro de un circuito en el cual se le quiere utilizar, se busca que a través del colector circule una cantidad de corriente IC, y a su vez se obtenga una tensión entre el colector y el emisor VCE para esa cantidad de corriente IC, a esto se le llama obtener el punto de operación o punto Q del transistor. La corriente IC va depender de la corriente en la base IB que exista en la malla de entrada, esto porque IC=β*IB, la VCE dependerá de la malla de salida del circuito, para ver esto será de utilidad uso de las curvas características y la ecuación de recta de carga.

FUNDAMENTO TEORICO. - Resumen Es encontrar el punto Q mediante la aplicación de fuentes de tensión y resistencia, esto es hacer uso de las leyes de Kirchhoff y las características de los transistores. Estos conceptos se desarrollaron en clases teóricas.

LABORATORIO. –

L.1 Arme el circuito de la fig 1 y mida los voltajes en todos los componentes del circuito, también mida las corrientes de base colector y emisor.

β= 370IB=50µA VCE=8.54VIC=1.75mA VBC=6.86VRB=242KΩ VBE=0.63VRc=2.16KΩ

L.2 Aumente o disminuya RB para que el voltaje Vce sea igual a 6v (Vce = 6V)

Para hallar el voltaje requerido procedemos a reducir RB, se hace este procedimiento gracias a diversas pruebas realizadas moviendo las resistencias para buscar una proximidad más adecuada, hallando la resistencia más aproximada entre las resistencias comerciales:

RB= 29kΩ → VCE=6.1V

FIG. 1Polarización de emisor común

RB=240K

RC=2.2K

L.3 Arme el circuito de la figura 2 y mida Ib,Ic,Ie y también Vce Vbe Vcb

β= 370IB=370µA RB=420KΩIC=4.03mA VBC=9.35vIE=4.05mA VBE=0.78vRc=1.97KΩ VCE=10.51vRE=0.96KΩ

L.4 Varíe la resistencia RB (aumente o disminuya) para lograr que el voltaje Vce sea lo más aproximado a 10 V.

Para hallar el voltaje requerido procedemos a reducir RB, se hace este procedimiento gracias a diversas pruebas realizadas moviendo las resistencias para buscar una proximidad más adecuada, hallando la resistencia más aproximada entre las resistencias comerciales:

RB= 350kΩ → VCE=9.9V

Configuración Estabilizado en el emisor

RB=430K

RC=1K

RC=2K

L.5 Arme el circuito de la fig 3 y mida Ib, Ic, Ie y también Vce, Vbe, Vcb

β= 370IB=4.74µA R1=39KΩIC=1.08mA R2=3.89KΩIE=1.11mA VBC=8.03vRc=9.7KΩ VBE=0.63vRE=0.96KΩ VCE=8.76v

R2=3.9KR1=39K

RC=10K RE=1K

ConfiguraciónDivisor de tensión

Conclusiones1° … en general en todas las configuraciones aplicadas a experimentación destaca la de divisor de tensión gracias a su estabilidad a la hora de medir, ya que en las demás configuraciones variaban las mediciones de maneras un poco notoria se esta se mantenía estable al cambio del ambiente.

2°… en la figura 1 aplicado a L.1 y L.2 se necesita una gran variación de resistencia de base (RB) para variar un poco la tensión en colector-emisor, también se pudo observar que a pesar de su sencillez al armado y calculo no es estable al cambio y en las mediciones se tardó un poco al definir una, ya que la variación era constante dándonos resultados no fijos por encima de lo aceptable, se solucionó fácilmente determinando un promedio.

3°… en la figura 3 aplicado a L.2 y L.3 no se necesita una variación tan grande ya que el voltaje requerido en L.3 es cercano al alcanzado con los parámetros dados, la diferencia con la primera configuración es la estabilidad, su variación es menor, aunque no tan diferente a la primera.

4°… en la última configuración no se hace una variación para buscar un voltaje nuevo, en esta prueba se determina que a pesar del largo proceso de cálculo llegó a ser la más estable, determinada con una prueba adicional no registrada hecha simplemente para comprobar lo descrito en el libro, se puso un transistor similar de beta desconocida y la variación de los parámetros fue mínima, determinando que esta configuración depende muy poco de beta.