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Integração de Processo de Microeletrônica
Exemplo: processo nMOS com:- porta Si-poli- isolação LOCOS
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Litografia: de máscara à gravação
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Deposição de camada de Si3N4 por CVD
Ex.: SiH4 + N2
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Aplicação e espalhamento de fotorresiste
Spinner
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Alinhamento da Máscara e Exposição
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Revelação do Fotorresiste
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Corrosão do Si3N4 por plasma reativo
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Remoção do fotorresiste por dissolução em acetona
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Oxidação do Si em Forno TérmicoEx.: 1000 °C em O2 + H2O
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Corrosão da camada de Si3N4 em H3PO4
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Oxidação do Si em Forno Térmico
Óxido Finode 2 a 50 nm
Ex. 900 °C em O2
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Deposição de camada de Si-poli por CVD
Ex. 650 °C em SiH4
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Fotolitografia e corrosão da camada de Si-poli por plasma reativo
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Formação de Fonte/Dreno por Implantação de Íons
Ex.: íons de fósforoa 50 keV, 1016/cm2
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Deposição de camada de SiO2 por PECVD
Ex.: a 400 °C emSiH4 + N2O
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Fotolitografia e corrosão da camada de SiO2 por plasma reativo
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Deposição de camada de Alumínio por evaporação térmica ou por “sputtering”.
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Fotolitografia e corrosão da camada de Alumínio por plasma reativo
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