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SAMWHA ELECTRONICS February 2007 FERRITE의 이해 (소재부문)

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  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    FERRITE의이해(소재부문)

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    자기특성의 온도의존성

    Contents1. FERRITE의 결정구조

    2. 자기특성의 온도의존성

    3. μ 와 관련된 grain 내부

    4. Hysteresis loop의 이해

    5. 결정결함과 자벽이동

    6. 초투자율의 자화곡선

    7. 투자율의 주파수 특성

    8. 소성 전후 입자비교

    9. 소결입자의 성장과정 및 온도에 따른 소결입자의 변화

    10. Grain의 제어

    11. 초투자율과 손실의 관계

    12. Mn-Zn재 재질 조합

    13. 첨가물의 역할 및 첨가물 변화에 따른 ferrite core특성의 변화

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    FERRITE 결정구조

    2. 기본적인결정모티브(motive), 즉최소결정단위인 ‘단위포’로구성

    1. 반지름 1.4A의산소이온, 32개반지름 0.4~1A의금속이온 24개로구성

    3. Grain 1개안에이온화한 56개의원자로된단위포가 2천억개들어있음

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    자기특성의 온도의존성

    화살표는자기모멘트. 절대온도근처에서완전한반평행관계

    온도상승에따라원자의진동이활발해져반평행관계파괴됨

    Curie온도에도달하면상자성(자성이없는상태)으로변함

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    μ와 관련된 grain 내부

    자벽의너비

    입자(GRAIN)의크기

    GRAIN사이의입계(Boundary)

    결정구조에생긴구멍(hole)

    초투자율(μi)에 영향을 주는 인자들

    수백Å의넓은영역에발생. 에너지장벽구축하여자벽의움직임저해

    자화방향이서로반대일때의경계면(자벽). 1개 grain내에수개존재가능

    Grain의크기이며 grain이균일하고클수록투자율이높아짐

    Grain과 grain의사이에의도적으로생성되는유리질의고저항물물질층

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    Hysteresis Loop의 이해

    Hysteresis loop 각부분의이해

    처음전류가인가되었을때(초투자율)

    ‘- ‘로전류의방향이전환되었을때

    ‘-’방향으로계속전류가흐를때

    ‘+’방향으로전류방향이전환될때

    ‘+’방향으로계속전류가흐를때

    Hysteresis loop 내전체면적이 core loss가됨 tanδ= tanδh + tanδe + tanδr

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    결정결함과 자벽이동

    원형의흰색원은공공또는결정격자의비틀림의장소를나타냄

    청색의띠는자계 zero시점의안정된자계의모습. 전류인가시소멸

    자계의힘이계속해서강해지면2차황색의장벽까지도달함.추가자계가가해지면완전소실됨

    자계 H의힘이강해지면황색의1차장벽까지도약적으로이동하여자벽의장벽을넘어선다

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    초투자율의 자화곡선

    작은전류(H)에도 B가급격히증가

    최대투자율(B/H) 을넘어서는지점

    자속(B)이최대로포화(Bm)되는지점

    처음전류(H)를인가했을때

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    투자율의 주파수 특성

    교류자계에서는자계가 +, -방향으로계속변환(10kHz->10,000회변환)

    교류자계변화(‘+’ -> ‘-’, ‘-’ -> ‘+’)에자속(B)의변화가지연되는현상발생(손실)

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    소성 전후 입자비교

    성형품단면 소성품단면

    성형품

    소성품

    성형밀도: 2.9~3.5g/㎤, 입경:0.5~2.0㎛, 성형압력: 1.5~2kg/㎠

    소결밀도: 4.8~5.0g/㎤, 입경:5~15㎛, 수축비: 12~19%

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    소결입자의 성장과정

    성형입자가소성로에서온도의영향으로점점성장하여소결체로변하는과정

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    온도에 따른 소결입자의 변화

    Mg-Zn : 대기중소결

    Ni-Zn : 대기중소결

    Mn-Zn : 분위기소결

    재질별소결방식

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    GRAIN의 제어

    Grain의순도가높고결함이미세할때높은초투자율특성(High μi)가능

    각 Grain의조성이균일할경우 Hysteresis 손실(Ph) 저하

    Grain의크기가적절할때 Hysteresis(Ph)와 Eddy current( Pe) 손실저하

    입계의저항층이얇고균일할때 Eddy current 저하, High μi, High Bm가능

    기공은결정입계사이에존재. 작을수록 High μi, High Bm, 손실저하

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    초투자율과 손실의 관계

    초투자율은온도가상승하면같이상승하다가 1차, 2차 peak 형성

    1차 peak를기점으로상승이둔화되다가 다시상승하여 2차 peak 형성

    2차 peak에서는급격히특성을상실하여자성체의성질을잃어버림(Tc)

    Power Loss 특성은초투자율 1차 peak 부근에서가장낮은값을갖게됨

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    Mn-Zn재 재질 조합

    1. Mn-Zn 재의주조성은 Fe2O3, Mno, ZnO이며조성비에따라재질특성이변화함

    2. 이상적인재질조합비는도표가운데있는황색사다리꼴내에분포함

    3. MnO: Second peak(Ts), ZnO: Curie Temperature(Tc)와밀접한연관있음

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    첨가물의 역할

    Spindle 격자(lattice)를만들어주는역할(Bm, Tc, temperature coefficient 제어)

    5. MoO3,Na2O group 4 효과를제어하는역할(group 4 불순물연관)

    4. B2O3 Grain의성장을불연속적이게하는역할

    3. Ta2O5, ZrO2 Grain의성장을억누르는역할(Low Loss)

    2. V2O5, Bi2O3 Grain의성장을촉진시키는역할(High μ)

    1. CaO, SiO2 저항및소결밀도를높이는역할(기본첨가물)

    GROUP 구분

    6. SnO2, TiO2, CoO, MgO

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    0.040.06

    0.080.10

    0.120.14 0.005

    0.010

    0.015

    0.020

    0.025

    0

    50

    100

    150

    200

    250

    300

    Res

    istiv

    ity (Ω

    m)

    SiO 2

    (m/o)

    CaO (m/o)0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14

    0.005

    0.010

    0.015

    0.020

    0.025

    CaO (m/o)

    SiO

    2 (m

    /o)

    262.5 -- 300.0 225.0 -- 262.5 187.5 -- 225.0 150.0 -- 187.5 112.5 -- 150.0 75.00 -- 112.5 37.50 -- 75.00 0 -- 37.50

    첨가물의영향 Resistivity vs. CaO, SiO2

    첨가물에 따른 저항의 변화

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14

    0.005

    0.010

    0.015

    0.020

    0.025

    1013 -- 1100 925.0 -- 1013 837.5 -- 925.0 750.0 -- 837.5 662.5 -- 750.0 575.0 -- 662.5 487.5 -- 575.0 400.0 -- 487.5

    CaO (m/o)

    SiO

    2 (m

    /o)

    0.040.06

    0.080.10

    0.120.14 0.005

    0.010

    0.015

    0.020

    0.025

    400

    500

    600

    700

    800

    900

    1000

    1100

    Cor

    e Lo

    ss (m

    W/c

    m3 )

    SiO 2

    (m/o)

    CaO (m/o)

    첨가물의영향 Core Loss vs. CaO, SiO2

    첨가물에 따른 Core Loss 변화

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    12601280

    13001320

    1340 1.01.1

    1.21.3

    1.4450

    500

    550

    600

    650

    Cor

    e Lo

    ss (m

    W/c

    c)

    Partic

    le siz

    e (um

    )

    Sintered Temp ( oC)

    1260 1280 1300 1320 1340

    1.0

    1.1

    1.2

    1.3

    1.4

    630 -- 660 600 -- 630 570 -- 600 540 -- 570 510 -- 540 480 -- 510 450 -- 480 420 -- 450

    Sintered Temp (oC)

    Par

    ticle

    siz

    e (u

    m)

    분쇄입경의영향 Core Loss vs. Temp., Particle size

    분쇄입경에 따른 Core Loss 변화

  • 2004. 11.12. SAMWHA ELECTRONICSFebruary 2007

    12601280

    13001320

    1340 800

    900

    1000

    400

    450

    500

    550

    600

    650

    Cor

    e Lo

    ss (m

    W/c

    c)

    Calci

    ned T

    emp (

    o C)

    Sintered Temp ( oC)1260 1280 1300 1320 1340

    800

    850

    900

    950

    1000

    Sintered Temp (oC)

    Cal

    cine

    d Te

    mp

    (o C)

    645 -- 680 610 -- 645 575 -- 610 540 -- 575 505 -- 540 470 -- 505 435 -- 470 400 -- 435

    가소온도의영향 Core Loss vs. Calcined temp.

    가소온도에 따른 Core Loss 변화