elka hari ini

5/28/2018 Elka Hari Ini

1/23

H - Model Parameter: -

Rangkaian setara transistor dapat dram menggunakan pendekatan sederhana dengan

mempertahankan fitur esensial. Ini setara sirkuit akan membantu dalam menganalisis

rangkaian transistor dengan mudah dan cepat.

Dua perangkat pelabuhan & Network Parameter: -

Sebuah transistor dapat diperlakukan sebagai jaringan dua bagian. Perilaku terminal jaringan

dua bagian dapat ditentukan oleh tegangan terminal V1 & V2 pada bagian 1 & 2 masing-

masing dan i1 saat ini dan i2, memasuki bagian 1 & 2, masing-masing, seperti yang

ditunjukkan pada gambar.

Dua port jaringan

Dari keempat variabel V 1, V2, i1 dan i2, dua dapat dipilih sebagai variabel independen dan dua

sisanya dapat dinyatakan dalam hal ini variabel independen. Hal ini menyebabkan berbagai dua

parameter bagian dari yang tiga berikut lebih penting.

1. Z - Parameter (atau) parameter Impedansi

2. Y - Parameter (atau) parameter Admitansi

3. H - Parameter (atau) parameter Hybrid.

Hybrid parameter ( atau ) h - Parameter : -

Jika input arus i1 dan output Tegangan V2 yang mengambil sebagai variabel independen ,

input dan output tegangan V1 i2 saat ini dapat ditulis sebagai

V1 = h11 i1 + h12 V2

i2 = i1 + H21 H22 V2

Empat parameter h11 hybrid , h12 , H21 dan H22 didefinisikan sebagai berikut .

h11 = [ V1 / i1 ] dengan V2 = 0

= Impedansi Input dengan bagian keluaran hubung singkat .

H22 = [ i2 / V2 ] dengan i1 = 0

= Masuk output dengan bagian masukan terbuka hubung .

h12 = [ V1 / V2 ] dengan i1 = 0

= Rasio transfer tegangan terbalik dengan bagian masukan terbuka hubung .


2/23

H21 = [ i2 / i1 ] dengan V2 = 0

= Teruskan gain arus dengan bagian keluaran hubung singkat .

Dimensi h - parameter adalah sebagai berikut :

h11 -

H22 - mhos

h12 , H21 - dimensi kurang .

sebagai dimensi tidak sama, (yaitu ) mereka adalah hibrida di alam , dan parameter ini

disebut sebagai parameter hybrid .

Saya = 11 = input; 0 = 22 = output;

F = 21 = maju transfer, r = 12 = reverse transfer.

Notasi yang digunakan dalam rangkaian transistor : -

hie = h11e = input sirkuit pendek impedansi

h0e = h22e = keluaran Buka sirkuit masuk

hre = h12e = transfer tegangan Buka sirkuit terbalik rasio

hfe = h21e = sirkuit pendek ke depan Gain saat ini .

The Hybrid Model Dua -port jaringan: -

V1 = h11 i1 + h12 V2

I2 = h1 i1 + H22 V2

V1 = h1 i1 + hr V2

I2 = hf i1 + h0 V2

The Hybrid Model Dua -port jaringan

Transistor Hybrid Model : -

Penggunaan h - parameter untuk menggambarkan transistor memiliki keuntungan sebagai

berikut .

1 . h - Parameter adalah bilangan real sampai dengan frekuensi radio .

2 . Mereka mudah untuk mengukur

3 . Mereka dapat ditentukan dari transistor kurva karakteristik statis .

4 . Mereka nyaman untuk digunakan dalam analisis rangkaian dan desain .

5 . Mudah mengkonversi mampu dari satu konfigurasi ke yang lain .

6 . Mudah disediakan oleh manufactories .


3/23

CE Transistor Circuit

Untuk Turunkan model Hybrid untuk transistor mempertimbangkan rangkaian CE

ditunjukkan dalam variabel figure.The adalah iB , ic , vB ( = VBE ) dan vc ( = VCE ) . iB dan

vc dianggap sebagai variabel independen .

Kemudian , vB = f1 ( iB , vc ) ---------------------- ( 1 )

IC = f2 ( iB , vc ) ---------------------- ( 2 )

. H - parameter adalah salah satu sistem untuk karakteristik transistor bipolar . H- parameter transistor

akan memberi Anda ide yang baik apa yang dapat dilakukan , bagaimana menggunakannya secara

efektif dalam sebuah rangkaian , dan apakah sesuai untuk sirkuit tertentu .

Dalam prakteknya , hanya beberapa h- parameter yang umum digunakan . Yang paling umum satujika hfe , yang merupakan singkatan dari h- maju - emitor . Itu berarti rasio output terhadap input


4/23

dalam konfigurasi emitor umum , yang pada gilirannya berarti itu adalah rasio arus kolektor untuk

mendasarkan saat ini , yang pada dasarnya adalah gain dari transistor bipolar . Beta adalah satu lagi

langkah serupa tetapi tidak sepenuhnya identik keuntungan , meskipun dalam kebanyakan kasus dua

dapat digunakan secara bergantian karena sirkuit yang baik tidak bergantung pada nilai-nilai yang

tepat dari keuntungan pula .

Kadang-kadang Anda mungkin melihat hre (h - reverse- emitor ) yang merupakan ukuran seberapa

baik sebuah sumber arus transistor berada pada arus basis tetap tertentu .

Ada lebih h- parameter , tetapi mereka mendapatkan semakin jelas dan kurang umum digunakan .
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/it/f/f0/Modello_a_due_porte.PNG


5/23

BAB IV

SEMIKONDUKTOR DAN DIODA

oleh: Yonathan Sapan

A. TUJUAN

Mengetahui karakteristik dari semikonduktor instrsik dan ekstrinsik. Menjelaskan dan

mengetahui karakteristik dari dioda serta penggunaannya. Mengetahui dan menjelaskan

karakteristik dari berbagai macam rangkaian dioda seperti rangkaian clipper, clamp, serta

rangkaian pengganda. Mengetahui isyarat keluaran dari masing-masing rangkaian dioda

tersebut.

B. SEMIKONDUKTOR

Semikonduktor adalah atom yang berisi empat elektron valensi. Karena jumlah elektron

valensi di dalam semikonduktor adalah ditengah antara satu (konduktor) dan delapan

(isolator) maka atom semikonduktor bukan konduktor yang baik dan bukan isolator yang

baik. Bahan semikonduktor yang banyak digunakan adalahsilikon(Si), germanium (Ge), dan

karbon (C). Silikon dan germanium digunakan untuk membuat komponen-komponen zat

padat (solid state), sedangkan karbon terutama untuk membuat resistor dan potensiometer.

Bila tidak ada gaya luar yang menyebabkan konduksi, cacah elektron dan proton adalah

sama. Karena muatan elektron(negatif) dan proton (positif) adalah sama dan berlawanan

maka muatan netto pada atom adalah nol. Bila atom kehilangan elektron valensi maka

muatan atom menjadi positif, sebaliknya bila menerima elektron, muatan netto menjadi

negatif. Semikonduktor terbagi atas dua yaitu semikonduktor intrinsik dan semikonduktor

ekstrinsik.

1. Semikonduktor IntrinsikAtom-atom semikonduktor yang mempunyai empat elektron valensi tersusun sebagai kristal

tetrahedral oleh adanya ikatan kovalen dengan mekanisme hantarannya digunakan gambaran

dua dimensi susunan kristalnya. Lingkaran dengan tanda +4 melukiskan ion semikonduktor

yakni atom beserta elektron-elektronnya selain empat elektron valensi. Ikatan kovalen

dilukiskan dengan garis lengkung dengan dua elektron valensi di dalamnya. Pada suhu 0 K,

elektron valensi terikat erat dengan ikatan kovalen dan tidak ada elektron bergerak bebas.

Kalau suhu kristal dinaikkan sehingga ada elektron yang kenaikan tenaga termalnya melebihi


6/23

celah tenaga maka elektron-elektron ini akan meloncat ke bidang konduksi menjadi elektron

bebas.

Kalau pada suatu ikatan kovalen terbentuk lubang maka elektron valensi dari atom yang

berdekatan akan melepaskan diri dari ikatan kovalen untuk mengisi lubang tersebut. Elektron

ini akan meninggalkan lubang pada tempat yang ditinggalkan. Maka lubang akan bergerak

dengan arah yang berlawanan dengan elektron. Maka semikonduktor intrinsik pada suhu 0K

bersifat sebagai isolator, dan pada suhu yang sangat tinggi bersifat sebagai konduktor karena

terjadi pembentukan pasangan elektron bebas dan lubang yang banyaknya sama dan berlaku

sebagai pembawa muatan.

1. Semikonduktor Ekstrinsik

Untuk menyusun devais elektronik diperlukan bahan yang kaya akan satu jenis pembawa

muatan saja yaitu lubang saja atau elektron saja. Untuk itu diperlukan doping, yakni

memasukkan atom asing bervalensi 5 atau 3 dengan prosentasi kecil sehinga dihasilkan

semikonduktor ekstrinsik. Adapun semikonduktor terbagi atas 2 yaitu semikonduktor tipe n
http://4.bp.blogspot.com/-rj_vp2jLL1w/TdHHDTsKXqI/AAAAAAAAACQ/nnRLaf2_c0g/s1600/1.png


7/23

dan semi kondutor tipe p. Pada semikonduktor tipe n diperoleh dengan doping atom asing

bervalensi 5, seperti fosfor(P), arsen(As), dan antimon(Sb), kedalam semikonduktor intrinsik.

Atom valensi 5 ini disebut sebagai atom donor karena dalam membentuk ikatan kovalen

dibebaskan kelebihan elektronnya. Atom donor setelah membebaskan satu elektron valensi

menjadi ion positif yang terikat ditempat.Pada semikonduktor tipe p diperoleh dengan doping

atom asing bervalensi 3, seperti boron (B), alumunium (Al) dan galim (Ga) ke dalam

semikonduktor instrinsik. Atom bervalensi 3 ini disebut sebagai atom akseptor, karena untuk

membentuk ikatan kovalen memperoleh sebuah elektron. Karena menerima sebuah elektron

maka atom akseptor menjadi ion negatif yang terikat di tempat.

A. KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN

Karakteristik arustegangan dari dioda, atau kurva IV, berhubungan denganperpindahan dari pembawa melalui yang dinamakan lapisan penipisan atau daerah
http://2.bp.blogspot.com/-YjDGxnaPFX0/TdHHET0-9-I/AAAAAAAAACU/jIQ-XvxLkyk/s1600/2.png


8/23

pemiskinan yang terdapat pada pertemuan p-n diantara semikonduktor. Ketika pertemuan p-n

dibuat, elektron pita konduksi dari daerah N menyebar ke daerah P dimana terdapat banyak

lubang yang menyebabkan elektron bergabung dan mengisi lubang yang ada, baik lubang dan

elektron bebas yang ada lenyap, meninggalkan donor bermuatan positif pada sisi-N dan

akseptor bermuatan negatif pada sisi-P. Daerah disekitar pertemuan p-n menjadi dimiskinkan

dari pembawa muatan dan karenanya berlaku sebagai isolator.

Walaupun begitu, lebar dari daerah pemiskinan tidak dapat tumbuh tanpa batas. Untuk

setiap pasangan elektron-lubang yang bergabung, ion pengotor bermuatan positif

ditinggalkan pada daerah terkotori-n dan ion pengotor bermuatan negatif ditinggalkan pada

daerah terkotori-p. Saat penggabungan berlangsung dan lebih banyak ion ditimbulkan, sebuah

medan listrik terbentuk didalam daerah pemiskinan yang memperlambat penggabungan dan

akhirnya menghentikannya. Medan listrik ini menghasilkan tegangan tetap dalam pertemuan.

B. DIODA

Dioda adalah komponen zat padat (solid state) yang paling dasar. Ada banyak tipe dioda

menurut karakteristik operasi dan aplikasinya misalnya dioda zener, dioda pemancar cahaya

(Light Emitting Diode, LED) dan lain-lain. Dioda adalah devais dua elektroda yang berlaku

sebagai konduktor satu arah. Dioda tipe dasar adalah dioda sambungan pn, yang terdiri atas

bahan tipe p dan n yang dipisahkan oleh sambungan (junction).

A. Karakteristik sambungan p-n

Hubungan arus dan tegangan pada dioda sambungan p-n dinyatakan dengan persamaan:

I = Io (eV/VT-1)

Dengan Io = arus balik jenuh

= 1 (untuk germanium), merupakan suatu faktor

= 2 (untuk silikon)

VT = T/11600 (kesetaraaan volt dari arus)

= 0,026 pada suhu kamar T = 300 K

Persamaan diatas adalah relasi Einstein (Widodo,2002:11).

Bentuk grafik karakteristik volt-ampere yang diberikan oleh persamaan diatas diperlihatkan

pada gambar 4.3a. Untuk V positif yang besar (beberapa kali VT), angka I dalam kurung

dapat diabaikan, sehingga arus naik secara eksponensial terhadap tegangan, kecuali si suatu

lingkungan yang kecil di titik pangkal. Apabila dioda berprategangan mundur dan /V/


9/23

beberapa kali VT, 1 = -Io (arus balik tetap) Oleh karena itu Io disebut arus balik jenuh.

Bagian lengkungan yang terdiri dari garis patah-patah pada prategangan balik Vz,

karakteristik dioda memperlihakan adanya penyimpangan yang menyolok dan mendadak dari

persamaan 4.3. Pada tegangan kritis ini arus balik yang besar mengalir dan dikatakan bahwa

dioda ini berada dalam daerah dadal (breakdown).

Dioda silikon dan germanium mempunyai sejumlah perbedaan yang penting untuk

perencanaan rangkaian. Perbedaan karakteristik volt-ampere diperlihatkan pada gambar 4.4

(dengan mengambil contoh dioada germanium 1N270 dan dioda silikon 1N3605).
http://1.bp.blogspot.com/-duTfVx3-WTc/TdHHEyI3RfI/AAAAAAAAACY/JCFtIuj0qfk/s1600/3.png


10/23

Suatu ciri yang perlu dicatat pada gambar 4.4, adalah adanya suatu tegangan potong-

masuk (cut-in), titik putus (break point) atau ambang (threshold), V. Dibawah tegangan ini,

arus sangat kecil. Diatas V arus akan naik sangat cepat. Dari gambar 4.4 terlihat bahwa V

kira-kira sama dengan 0,2 V untuk dioda germanum, dan 0,6 V untuk silikon. Referensi lain

menggunakan istilah tegangan offset atau tegangan lutut yang besinoarnya sekitar 0,7 V

untuk dioda silikon (Malvino,1994:37) .

A. DIODA SEBAGAI ELEMEN RANGKAIAN

Rangkaian dioda dasar diperlihatkan pada gambar 4.5, yang terdiri atas dioda yang seri

dengan tahanan beban RL dan suatu sumber sinyal masuk vi.
http://2.bp.blogspot.com/-oJLa0OfSX8I/TdHHF_SLGQI/AAAAAAAAACg/0TWQIYCjD0o/s1600/5.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-4ia1ZtqyKII/TdHHFVVXN_I/AAAAAAAAACc/_C_SZKNMSJE/s1600/4.pnghttp://2.bp.blogspot.com/-oJLa0OfSX8I/TdHHF_SLGQI/AAAAAAAAACg/0TWQIYCjD0o/s1600/5.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-4ia1ZtqyKII/TdHHFVVXN_I/AAAAAAAAACc/_C_SZKNMSJE/s1600/4.png


11/23

Dari gambar 4.5, hukum tegangan kirchoff menyatakan bahwa:

v = vii RL.

Satu persamaan ini tidak cukup untuk menentukan dua variabel (v dan i) yang terdapat

dalam persamaan tersebut. Akan tetapi hubungan yang kedua antara kedua besaran ini

diberikan oleh persamaan karakteristik statik dioda gambar 4.4. Gambar 4.6 ditunjukkan

penyelesaian serempak dari persamaan diatas dan karakteristik dioda. Garis lurus yang

digambarkan oleh persamaan diatas disebut garis beban. Garis beban memiliki titik-titik i = 0,

v = vi dan i = vi / RL, v = 0. Perpotongan dengan sumbu tegangan adalah vi dan sumbu

vi/RL. Oleh karena itu kemiringan sama dengan 1/RL. Titik perpotongan A dari garis beban

dengan lengkungan statik memberikan iA yang akan mengalir dalam keadaan ini. Lukisan ini

menentukan arus mengalir dalam rangkaian apabila potensial sesaat vi.

Jika tegangan masuk berubah maka prosedur diatas harus diulang untuk setiap nilai

tegangan. Suatu grafik dari arus terhadap tegangan masuk disebut karakteristik dinamik,

dapat diperoleh dengan jalan berikut: arus iA digambar vertikal ke atas vi di titik B. Bila vi

berubah, kemiringan dari garis beban tak berubah karena RL tetap. Jadi apabila potensial

yang diterapkan mempnyai nilai vi maka arus yang bersesuaian dengannya iA. Arus ini

digambarkan sebagai titik B di atas vi. Lengkungan yang diperoleh OBB dengan

mengubah-ubah vi disebut karakteristik dinamik. Lengkungan yang menghubungkan

tegangan keluaran vo dan tegangan masuk vi, dari setiap rangkaian disebut karakteristik

transfer (alih) atau transmisi (penerusan). Oleh karena dalam gambar 4.5, vo = i RL maka

lengkungan transfer mempunyai bentuk yang sama dengan karakteristik dinamik.
http://4.bp.blogspot.com/-s6nvJmxUO9c/TdHHGpw02OI/AAAAAAAAACk/15F_Es56Vhw/s1600/6.png


12/23

A. DIODA SEBAGAI PENGAMAN PERALATAN ELEKTRONIK

Oleh karena dioda hanya dapat menghantarkan arus dala satu arah maka dioda dapat

digunakan untuk mencegah kerusakan peralatan elektronik akibat tertukarna polaritas + dan

polaritassumber tegangan DC. Ada dua rangkaian yang dapat digunakan (gambar 4.8 dan

gambar 4.9).

Pada gambar 4.8 ada jatuh tegangan sebesar tegangan offset pada dioda, sedangkan pada

gambar 4.9 tidak ada jatuh tegangan pada dioda, dan fuse (F) aan putus jika polaritas (+) dan

(-) terbalik.
http://3.bp.blogspot.com/-jTT1IU5CtEc/TdHHHqlyUhI/AAAAAAAAACs/8FZqmxL8er8/s1600/8.pnghttp://4.bp.blogspot.com/-nSqm7ulILpE/TdHHHIxXdVI/AAAAAAAAACo/ZNfsVd_MaYs/s1600/7.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-jTT1IU5CtEc/TdHHHqlyUhI/AAAAAAAAACs/8FZqmxL8er8/s1600/8.pnghttp://4.bp.blogspot.com/-nSqm7ulILpE/TdHHHIxXdVI/AAAAAAAAACo/ZNfsVd_MaYs/s1600/7.pnghttp://4.bp.blogspot.com/-DO5UsQXXzl0/Tc-Rlea7X-I/AAAAAAAAABQ/TP7GgvLKYtM/s1600/6.png


13/23

A. RANGKAIAN PELIPAT TEGANGAN

Voltage Multipler (pelipatganda tegangan) merupakan catu daya khusus yang digunakan

untuk alat-alat tegangan tinggi seperti tabung TV, monitor, oskiloskop, dan lain-lain.

Pelipatganda tegangan merupakan rangkaian yang terdiri dari dua atau lebih dioda penyearah

puncak yang menghasilkan tegangan DC sama dengan perbanyakan puncak tegangan

masuknya. Rangkaian Voltage Doublerdapat dilihat pada Gambar 4.10.

Pada setengah siklus positif dari sumber, dioda D1 konduksi, sehingga kapasitor C1

dimuati sampai tegangan puncak. Kemudian, pada setengah siklus negatif, dioda D2konduksi, yang menyebabkan kapasitor C2 yang dimuati sampai tegangan puncaknya.
http://1.bp.blogspot.com/-yHYmoHZdSio/TdHHJVzWYlI/AAAAAAAAAC0/hg3sQ4f3F1c/s1600/10.pnghttp://4.bp.blogspot.com/-pWFoXNPTRr0/TdHHIDYQV_I/AAAAAAAAACw/Ey0wF55FI4c/s1600/9.pnghttp://1.bp.blogspot.com/-yHYmoHZdSio/TdHHJVzWYlI/AAAAAAAAAC0/hg3sQ4f3F1c/s1600/10.pnghttp://4.bp.blogspot.com/-pWFoXNPTRr0/TdHHIDYQV_I/AAAAAAAAACw/Ey0wF55FI4c/s1600/9.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-6K_2OtZlRkA/Tc-Rs89jxkI/AAAAAAAAABg/dXGE9KGH7jw/s1600/10.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-R36XJGsI9sM/Tc-Rqu33U3I/AAAAAAAAABc/R2oeQPDAtM0/s1600/9.png


14/23

Hambatan beban akan menerima tegangan jatuh sebesar jumlah dari muatan kapasitor yang

terhubung secara seri, yaitu 2 kali dari tegangan puncak masukan (2Vin). Gambar 4.11

menggambarkan peristiwa tersebut.

Secara umum, dapat dikatakan bahwa jumlah pelipatganda dapat ditingkatkan sesuai

dengan kehendak perancang dengan menambahkan jumlah pasangan dioda dan kapasitor.

Berikut ini, merupakan rangkaian pelipatganda tripler dan pelipatganda quadraple.
http://2.bp.blogspot.com/-GRYV3KAk57s/TdHHKpVhhNI/AAAAAAAAAC4/lmFTynUJ8vA/s1600/11.pnghttp://3.bp.blogspot.com/-PIxxsRUiuyQ/Tc-Rz4ddFfI/AAAAAAAAABk/BBYgkZzhryE/s1600/11.png


15/23

A. RANGKAIAN PEMBATAS (LIMITER)

Untuk dioda-dioda sinyal kecil, yang mempunyai batas kemampuan daya kurang dari 0.5

watt, biasanya digunakan pada peralatan elektronika frekuensi tinggi. Salah satu rangkaian

sinyal kecil ini adalah Rangkaian Pembatas (limiter). Gambar 4.13 memperlihatkan rangkaian

pembatas positif, yang terkadang disebut sebagai penggunting (clipper), yaitu suatu rangkaian

yang menyingkirkan bagian sinyal yang positif. Selama setengah tegangan masuk yang

positif, dioda konduksi. Akbatnya, tegangan yang jatuh pada hambatan beban adalah 0 volt(seolah olah tegangan positif terpotong). Selanjutnya, selama setengah tegangan masuk

negatif, dioda di-reverse biased, yang menyebabkan semua tegangan masuk jatuh ke

hambatan beban.
http://2.bp.blogspot.com/-S7tQ84Nz5K0/TdHHLpyGglI/AAAAAAAAAC8/nC68qLsFgcE/s1600/12.png


16/23

Dalam prakteknya, terdapat sebuah sumber tegangan untuk menentukan besar tegangan

yang akan dipotong. Gambar 4.14. menunjukkan rangkaian pemotong yang diberikan sumber

tegangan VB. Sehingga, rangkaian akan memotong tegangan yang melebihi VB + Vg.

Sedangkan tegangan dibawah nilai tersebut akan tetap diteruskan oleh rangkaian menuju

tahanan beban.
http://2.bp.blogspot.com/-oAZMKDfEyi0/TdHHMiOpAnI/AAAAAAAAADA/wz9gRKnIJAY/s1600/13.png


17/23

Jika VB sebesar 5 volt dan Vg adalah 0.7 volt, maka rangkaian akan memotong tegangan

diatas 5.7 volt, namun akan melewatkan tegangan dibawah 5.7 volt. Jika diinginkan kondisi

yang lain, maka dimungkinkan untuk membalik posisi dioda, sebagaimana ditampilkan pada

Gambar 4.15. Dari gambar tersebut, jika tegangan masuk melebihi VB - Vg, maka tegangan

akan diteruskan karena dioda dalam kondisi reverse. Sedangkan jika tegangan masuk kurang

dari VB - Vg, dioda berada dalam kondisiforwardsehingga tegangan akan terpotong. Secara

umum, posisi dioda akan menentukan bagian mana dari tegangan masukan yang akan

dibatasi. Jika posisi dioda ke arah bawah, maka rangkaian akan membatasi bagian atas.

Sedangkan jika dioda dalam posisi ke arah atas, rangkaian akan membatasi tegangan

masukan bagian bawah.
http://3.bp.blogspot.com/-gNV8SHDAnuc/TdHHOZdiKzI/AAAAAAAAADE/WT6Xkc--JTQ/s1600/14.png


18/23

Dari contoh diatas, posisi batere selalu dalam keadaan yang sama. Jika, posisi batere

diubah polarisasinya, maka akan terjadi pula perubahan proses pembatasan. Gambar 4.16 di

bawah ini, menunjukkan rangkaian pembatas atas dengan polarisasi batere yang berbeda.

Sehingga, rangkaian akan membatasi tegangan masukan bagian atas dengan batasan negatif, -

( VB - Vg). Secara proses, rangkaian ini sama seperti rangkaian pembatas atas (Gambar

4.14.), hanya pembatasnya adalah negatif, disebabkan oleh polarisasi batere yang dibalik.
http://2.bp.blogspot.com/-Mcx1IqP2X5w/TdHHP0C-brI/AAAAAAAAADI/IuKA9Esfvz0/s1600/15.pnghttp://1.bp.blogspot.com/-B0t-tQy6L7g/Tc-Up2ehOWI/AAAAAAAAAB0/dSu6-sAFhvQ/s1600/15.png


19/23

Demikian juga, apabila rangkaian pembatas negatif memiliki polarisasi batere terbalik,

seperti yang tampak pada Gambar 4.17. Pada gambar tersebut, rangkaian akan memotong

tegangan masukan pada bagian bawah. Namun, karena polarisasi batere terbalik, pembatasan

terjadi pada harga negatif, yaitu: -( VB + Vg). Jika rangkaian-rangkaian pemotong ini

dikombinasikan, akan didapat sebuah rangkaian pembatas atas positip dan rangkaian

pembatas bawah negatif. Pada rangkaian pembatas atas positip dan rangkaian pembatas

bawah negatif ini, akan didapat suatu hasil dimana rangkaian memotong gelombang di atas

batas tertentu, memotong gelombang di bawah batas tertentu dan melewatkan gelombang di

area tertentu pula. Dengan sedikit modifikasi, akan didapatkan sebuah gelombang kotak

dengan harga-harga yang dapat ditentukan.
http://4.bp.blogspot.com/-CFGvlPnZd3o/TdHHQ6ZgcrI/AAAAAAAAADM/_1cWMVgYFNs/s1600/16.png


20/23

A. RANGKAIAN PENGGESER (CLAMP)

Rangkaian Penggeser ini memberikan penambahan komponen DC pada tegangan

masukan. Akibatnya, seolah-olah terjadi pergeseran (clamping) pada tegangan. Jika

penambahan komponen DC negatif, maka terjadi pergeseran tegangan ke bawah (negatively

clamped), dan begitu pula sebaliknya, (positively clamped). Gambar 4.18. menunjukkan

sebuah rangkaian penggeser negatif. Selama setengah tegangan masukan Vin positif, dioda

di-forward biased dan dalam kondisi konduksi, sehingga kapasitor akan terisi dengan

polaritas seperti ditunjukkan oleh gambar. Akibatnya, tegangan keluaran Vo akan sama

dengan nol. Namun, selama setengah tegangan masukan Vin negatif, dioda di-reverse biased.

Kapasitor akan mulai membuang tegangannya melalui tegangan keluaran Vo. Akibatnya,

tegangan keluaran Vo akan sama dengan tegangan masukan Vin dikurang dengan tegangan

buangan dari kapasitor VC. Sehingga, secara grafik, tegangan keluaran Vo merupakan

tegangan masukan Vin yang diturunkan sejauh tegangan buangan dari kapasitor VC. Jika

dirancang bahwa waktu buangan kapasitor sangat lama, maka tegangan buangan dari

kapasitor VC akan sama dengan tegangan masukan Vin maksimum.
http://3.bp.blogspot.com/-qzYJ-n5GNNY/TdHHR_E8-0I/AAAAAAAAADQ/3oRYsCYQdrA/s1600/17.png


21/23

Rangkaian clamper positif dapat dirancang dari Gambar 4.18. diatas, dengan cara

membalik posisi dioda, sehingga dioda mengarah ke atas. Maka, akan didapatkan tegangan

keluaran Vo merupakan tegangan masukan Vin yang dinaikkan sebesar tegangan

maksimumnya.

. What is BJT?Jawab:

BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT

daoat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet,sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C) dan basis

(B).

2. What is the type of BJT?Jawab:

Tipe pertama terdiri dari dua daerah n yang dipisahkan oleh daerah p (npn), dan tipe lainnya

terdiri dari dua daerah p yang dipisahkan oleh daerah n (pnp). Sambungan pn yang

menghubungkan daerah base dan emitter dikenal sebagai sambungan base-emiter (base-

emitter junction), sedangkan sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan kolektor

dikenal sebagai sambungan base-kolektor (base-collector junction).

3. What is the differences between npn and pnp transistor?

Jawab:1.NPN
http://4.bp.blogspot.com/-fYC9piZULcM/TdHHSsNYUjI/AAAAAAAAADU/rol7oauI8pU/s1600/18.png


22/23

Prinsip kerja dari transistor NPN adalah: arus akan mengalir dari kolektor ke emitor jika

basisnya dihubungkan ke ground (negatif). Arus yang mengalir dari basis harus lebih kecil

daripada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor, oleh sebab itu maka ada baiknya jika

pada pin basis dipasang sebuah resistor.

2.PNP

Prinsip kerja dari transistor PNP adalah arus akan mengalir dari emitter menuju ke kolektorjika pada pin basis dihubungkan ke sumber tegangan (diberi logika 1). Arus yang mengalir ke

basis harus lebih kecil daripada arus yang mengalir dari emitor ke kolektor, oleh sebab itu

maka ada baiknya jika pada pin basis dipasang sebuah resistor.

5. What are the three regions of operation for BJT?Jawab:

1. Cut-off

Transistor menjadi kondisi off, IC=0. Daerah dimana VCE masih cukup kecil sehingga arus

IC=o atau IB=0.

2. Active

Transistor beroperasi sebagai penguat dan IC= x IB. Daerah kerja transistor yang normal

adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus ICkonstan terhadap berapapun nilai VCE.IC sangat bergantung pada besar arus IB. Daerah kerja ini biasa disebut daerah liniear.

3. Saturation

Transistor menjadi kondisi on, IC=ISAT. Daerah saturasi mulai dari VCE=0-0,7volt

(transistor silikon). Ini diakibatkan oleh efek p-n junction kolektor-basis yang membutuhkan

tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan elektron sama seperti dioda.

6. What is the of BJT?Jawab:

= I/Ic

Beta () didefinisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis.

Yang artinya adalah parameter yang menunjukan kemampuan penguatan arus (current gain)

dari suatu transistor.

7. What is the differences between and force?Jawab:

beta () didefinisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis.

force ini terjadi saat saturasi karena arus kolektor hampir tetap konstan. Sehingga beta forced

merupakan perbandingan arus kolektor dengan arus basis.

8. What is transconductance of BJT?Jawab:

transconductance, gm, didefinisikan sebagai perubahan arus kolektor dibagi dengan

perubahan tegangan basis-emitor.


23/23

elka hari ini

Documents