Shin-Etsu Polyimide Silicone AdvantageShin-Etsu Silicone Advantage

Current Application

Low Dielectric Constant 安定した電気特性

High Electrical Stability優れた電気特性

High Thermal Stability高耐熱性

Low Stress低応力性

Low Moisture Absorption 低吸水性（煮沸試験）

アキシャルダイオードAxial Diode

カーダイオードCar Diode

トランジスタTransistor

GTOサイリスタGTO Thyristor SensorIGBT センサー

シリコーンの利点

ご使用いただいているデバイス

ポリイミドシリコーンの利点

4.0

3.5

3.01E+15

1E+16

1E+17

1E+14

1E+13

1E+120 50 100 150 200

2.5

2.0

ポリイミドPolyimide

1KHz 1MHz 1GHz電波(Hz)

Electric Wave

誘電率

Dielectric Constant

Si

Si

SiSi

Si SiSi

Si

O

O

OOOO

O

O

O O

O OSi

Si

Si

温度(℃)Temperature

2.0

2.5

3.0

1.5

1.0

0.5

00 20 40 60 80

吸水率（%）

体積抵抗率（Ω・cm）

煮沸時間(hr)Boiling time

Moisture absorption

Volume Resistivity

Helical molecularstructure

ポリマー構造が「コイル状」

0

5

10

－5

－10

－15

－202000 400 600温度(℃)

Temperature

TGA Stability

ポリイミドシリコーンPolyimide Silicone

エポキシEpoxy

シリコーンSilicone

エポキシEpoxy

シリコーンSilicone

信越ポリイミドシリコーンShin-Etsu Polyimide Silicone

信越ポリイミドシリコーンShin-Etsu Polyimide Silicone

Silicone for Electronic devicePolyimide Silicone

電子部品用シリコーンポリイミドシリコーン電子部品用シリコーンポリイミドシリコーン

Chip

Chip

Chip

Chip

Chip

Thyristor Device

Metal

Metal

Chip ChipChip

［ 個別半導体／パワーデバイス用 　　　　　　　　 ］for Diode and Power Device

Diode

Power Device

KJR-9022KJR-9032 KJR-9025

KJR-651 KJR-4013

KJR-9050

Pottingポッティング

Glob Topグローブトップ

Dam Formingダム

Chip ChipBoard

ChipBoard

ダイオード

RT Moisture Condensation cure Silicone

パワーデバイス

Othersその他

d

樹脂の幅（d）を測定しフロー値とする

Measure of the Length(d)(d) Indicate Flow

ガラス板上に樹脂1g塗布1g drop on a glass plate

Curing

KJR-651

KJR-651

KJR-651

KJR-651

［湿気縮合型シリコーン］

KJR-9060

Silicone Flexible Type

加熱付加型シリコーン①フレキシブルタイプ

KJR-9061HW

Silicone Flexible Type/High Thixotropy Type

加熱付加型シリコーン②フレキシブルタイプ／高チキソ

KJR-9017

Silicone Gel Type

加熱付加型シリコーン③ゲルタイプ

［信越ポリイミドシリコーン］Shin-Etsu Polyimide Silicone

フロー試験Flow Mesurement method

アキシャルダイオードAxial Diode

カーダイオードCar Diode

トランジスタTransistor

GTOサイリスタGTO Thyristor

IGBT

低粘度 Std.

Pa・s

MPa

%

構成

混合比

外観

粘度

推奨硬化温度

硬さ

引張り強さ

伸び

白色

3351.6200

1液

白色

11181.1500

透明

4.5150℃425150

2液

100/10透明

4.5150℃250.5150

KJR-9022KJR-9022-AWKJR-9022-LAW

KJR-9050

KJR-9032PottingLow Vis

ポッティング

m㎡/s

%

MPa

TΩ・m

Kv/0.1mm

推奨膜厚

硬化後性状

構成

外観

粘度

不揮発分

使用溶剤

引張り強さ

体積抵抗率

絶縁破壊強さ

耐熱温度

For Thin film

＜ 50μm

褐色透明

2,00024NM2P

13020013430℃

20～30μmリジッド1液

褐色透明

40015NM2P

13020013430℃

Std. 薄膜用For Thick film

50～100μm

褐色透明

20044

NM2P/MeOH

9020012380℃

厚膜用

Film Thikness

Type of Cured Resion

Component

Appearance

Viscosity

Non Volatile part

Solvent

Tensile Strength

Volume Resistivity

Dielectric Breakdown

Heat resistance (under Air)

Brown

Rigid

One

Brown Brown

Silicone Flexible Type加熱付加型シリコーン① フレキシブルタイプ

Silicone Flexible Type/High Thixotropy Type加熱付加型シリコーン② フレキシブルタイプ／高チキソ

Pa・s

構成

混合比

外観

粘度

推奨硬化温度

針入度

2液

100/10透明

650m㎡/s150℃65

1液

透明

0.9150℃65

KJR-9010

Component

Mixing Ratio

Appearance

Viscosity

Cure Temp.

Cone Penetration

One

Transparent

Two

Transparent

KJR-9017

Silicone Gel Type加熱付加型シリコーン③ ゲルタイプ

Room Temperature Moisture Condendation Cure Silicone 湿気縮合型シリコーン

150℃/1hr+200℃/1hr+250℃/1hr

150℃/1hr+200℃/1hr+250℃/1hr

70℃/0.5hr+150℃/1hr+200℃/1hr+250℃/1hr

硬化条件Cure condition

KJR-650シリーズ使用例

KJR-651KJR-655

KJR-657

KJR-657

Fitness of KJR-650 series

断面イメージ

Component

Mixing Ratio

Appearance

Viscosity

Cure Temp.

Hardness

Tensile Strength

Elongation

White Transparent TransparentWhite

One1液

One Two

Pa・s

MPa

%

構成

混合比

外観

粘度

推奨硬化温度

硬さ

引張り強さ

伸び

1液

白色

65

150℃177900

2液

100/10半透明

7.5

80℃220.5150

2液

100/10黒色

20

150℃252180

KJR-9061HWGlob Top

グローブトップDam Formingダム

Component

Mixing Ratio

Appearance

Viscosity

Cure Temp.

Hardness

Tensile Strength

Elongation

Two

Translucent

One

White

Two

Black

KJR-9025高チキソ

High thixotropy

Polyimide Siliconeポリイミドシリコーン

Pa・s

MPa

%

構成

混合比

外観

粘度

硬さ

引張り強さ

伸び

1液

白色

5.5403150

KJR-4013

KJR-651 KJR-655 KJR-657

Component

Mixing Ratio

Appearance

Viscosity

Hardness

Tensile Strength

Elongation

One

White

Flowフロー mm

3023℃/0.5h+150℃/0.5hr

3023℃/0.5h+80℃/2hr

9150℃/0.5hr

Type A

Type A

Type A

Chip

Chip

Chip

X-section image

電子材料事業本部 有機材料部〒100-0004 東京都千代田区大手町2-6-1 朝日生命大手町ビルTEL：03-3246-5231 FAX：03-3246-53676-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan TEL：81-3-3246-5231 FAX：81-3-3246-5367

Electronics Materials DivisionOrganic Electronics Materials Department

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Sensorセンサー

KJC-7805X-7

Pa・s

Type A

MPa

%

外観

粘度

硬さ

引張り強さ

伸び

乳白色半透明

430180

Appearance

Viscosity

Hardness

Tensile Strength

Elongation

Milky white

Pa・s

Type A

W/mK

μm

m㎡・K/W

MPa

%

外観

粘度

推奨硬化温度

硬さ

熱伝導率

熱抵抗率（at BLT）

引張り強さ

伸び

白色

60

851.55050780

白色

60

954.29050710

Appearance

Viscosity

Cure Temp.

Hardness

Thermal Conductivity

Thermal Resistance

Tensile Strength

Elongation

white white

Std.KJR-9080S

KJR-9010

Chip

Silicone Gel Type

加熱付加型シリコーン③ゲルタイプ

KJC-7805X-7

UV Cure Silicone［UV硬化シリコーン］

KJR-9080

High Thermal Conductive Silicone［高熱伝導シリコーン］

［ センサー用 　　　 ］for Sensor

for Photocouplerフォトカプラー［ 光半導体用 　　　 　　 ］for Optical Semiconductor

Pa・s

g/c㎥

構成

混合比

12

201.01

150℃/4hr 150℃/4hr21

341.02

3

81.00

2液

100/10

6

191.03

KJR-9220 KJR-9023H並列型（S Type）

KJR-9090 KJR-9091対向型（L Type）

Component

Mixing Ratio

粘度

推奨硬化温度

硬さ

密度

Viscosity

Cure Temp.

Hardness

Density

外観Appearance

1液

One Two

赤外光を高透過赤外光を高透過Infrared Ray High Transmittance Infrared Ray High Transmittance

Type A

速硬化Snap Cure Type(No Flow Type)

対向型（L Type）

並列型（S Type）

KJR-9080S-4Hard Type高硬度

Mini. Bond Line Thickness（BLT）

High Thermal Conductive Silicone高熱伝導シリコーン

UV Cure SiliconeUV硬化シリコーン

26 17mmフローFlow

KJR-9090, KJR-9091

KJR-9220, KJR-9023H

150℃