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Renesas VP 操作マニュアルルネサスパワーデバイスシミュレーションサイト~
2016.10 REV.1.0ルネサス エレクトロニクス株式会社APD_BL201601478
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目次
1. RENESAS VP でできること
2. ご利用の前に(MyRenesasユーザー登録)
3. 操作説明
(1)Main Menu
(2)Active Datasheet –IGBT-
(3)Active Datasheet –MOSFET-
(4)Application Designer
4. RenesasVPシミュレータで オフラインシミュレーション
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1.Renesas VPでできること“Renesas VP”は、Renesas Virtual Powor Lab.の略で、
IGBT/パワーMOSFETの動作を ”簡単に” シミュレーションできるサイトです。
お客様の用途に応じた最適製品の選定や 評価のスピードアップを図ることができます。
Active Data Sheet *対象製品:IGBT/ パワーMOSFET(耐圧30V-100V)
Application Designer *対象製品:IGBT
インバータ(Half,Full,Three Phase)、力率改善回路(PFC)など各種トポロジによるスイッチング動作波形解析 *Three Phaseは近日公開
電源効率、ジャンクション温度解析、CSVダウンロード
Renesas VP シミュレータ&回路ファイルのダウンロードによるオフラインシミュレーション*近日公開
シミュレーション結果 PDFファイルダウンロード
IGBT/MOSFETの各種電気的特性を ご希望の動作条件下でシミュレーション
異なるスイッチング周波数でのIGBTの許容電流のシミュレーション
SPICEMODEL ダウンロード
シミュレーション結果 PDFファイルダウンロード
*Renesas VPをご利用いただくときは、下記ブラウザでのご利用を推奨いたします。
Internet Explorer10.0以上、最新のFirefox、最新のGoogle Chrome
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2.ご利用の前にRenesas VPはMy Renesasのプレミアムサービスのひとつです。
まずはMy Renesasにご登録ください。
Renesas Webサイト トップページ ご登録/ログイン
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3.操作説明
(1)Main Menu
(2)Active Datasheet –IGBT-
(3)Active Datasheet –MOSFET-
(4)Application Designer
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(1)Main Menu
①サイト内言語は、 英・日・中 選択ができます(ログイン後でも変更可能です)
②シミュレーションツールを選択します
Active Data sheet (IGBT /MOSFET)または、Application Designer (Try)をクリック
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(2)ACTIVE DATASHEET –IGBT–①メニュー画面で ”IGBT”を選択します②製品名を直接入力、またはアプリケーション・パッケージ・特性情報の絞込みで、条件にあった製品が表示されます③シミュレーションする製品を選択 “Select” ボタンで 次に進みます
項目ごとにソート可能
通常のデータシートダウンロード(PDF)
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絞込みをリセットします
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(2)ACTIVE DATASHEET –IGBT–①シミュレーション項目を選択します (複数選択可能)②動作条件入力します③“Run Test”ボタンをクリックし、シミュレーション開始です(“RUN ALL TEST” で全特性シミュレーション可能)④シミュレーション結果が表示されます
“RUN ALL TEST”:シミュレーション時間がかかる場合あります。ご注意ください。
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(2)ACTIVE DATASHEET –IGBT–
波形グラフを クリックし“WebScope”表示カーソル機能つきグラフで詳細分析
Spiceモデルがダウンロードできます。
動作条件を初期値に戻す
①波形グラフをクリックすると、WebScopeが開きます②各パラメータの回路図が 表示されます③SPICE MODELダウンロードができます
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カーソルの移動
(2)ACTIVE DATASHEET –IGBT–
:グラフ印刷
:デフォルトの状態に戻す
: で戻した操作をやり直す
:ひとつ前の状態に戻す
:ドラッグしながら、グラフ全体を拡大
:クリック部分を基点にグラフ全体を縮小
:クリック部分を基点にグラフ全体を拡大
:ドラッグしながら、グラフ全体を移動
選択した波形を並びかえ(上へ移動)(※)
選択した波形を並びかえ(下へ移動)(※)
全ての波形を選択します。
全ての波形を非選択します。
(※)チェックボックスではなく、
項目名をクリックして選択します。
操作ボタン
各項目の平均値、最小値、最大値などを読み取れます
項目選択
①両脇のカーソルを移動して 値の読み取りができます②グラフ操作ボタンで 波形の拡大縮小ができます③項目選択で 波形項目の並び替え、必要な波形のみに選択ができます④各種項目による値の読み取りができます
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(2)ACTIVE DATASHEET –IGBT–①シミュレーションした製品のSPICEモデルのダウンロードが出来ます②デザインサマリを PDF Fileでダウンロードできます③デザインサマリを印刷できます④デザインの保存や 保存したデータをシェアできます
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(3)ACTIVE DATASHEET –MOSFET–①メニュー画面で ”MOSFET”を選択します②製品名を直接入力、またはパッケージ、特性情報の絞込みで条件にあった製品が表示されます③シミュレーションする製品を選択 “Select” ボタンで 次に進みます
項目ごとにソート可能
通常のデータシートダウンロード(PDF)
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(3)ACTIVE DATASHEET –MOSFET–①シミュレーション項目を選択します②動作条件を変更する場合、“Edit”ボタンを押します(次ページへ)③全ての項目をシミュレーションする場合は、“Run All Test”をクリックします④SPICEMODELがダウンロードできます
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“RUN ALL TEST”:シミュレーション時間がかかる場合があります。ご注意ください。
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(3)ACTIVE DATASHEET –MOSFET–①動作条件を入力します② “Run Test”ボタンをクリックし、シミュレーション開始です③シミュレーション結果が表示されます④波形グラフをクリックすると、WebScopeが開きます (操作方法はP10へ)
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波形グラフを クリックし“WebScope”表示カーソル機能つきグラフで詳細分析
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(4)Application Designer①Application Designer “Try”をクリックします②トポロジと回路構成を選択します *ここでは”Inverter” ”Full-Bridge“を選択します③動作条件を入力します④“Select IGBT”ボタンで次に進みます
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回路イメージ
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(4)Application Designer ①シミュレーションする製品のボタンを押し選択します
②”NEXT”ボタンで次に進みます
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上位3製品が入力した動作条件にお勧めの製品です。
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(4)Application Designer①必要に応じて 各パラメータの回路定数を変更します②“Conf”ボタンをクリックし、解析時間を設定します③”Simulation”をクリックし、シミュレーションを開始します
定数が変更可能な素子をクリックするとパラメータ変更Boxが開きます。
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(4)Application Designer①波形グラフをクリックすると、WebScopeが開きます (操作方法は、P10へ)
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(4)Application Designer①”Efficiency“をクリックし、効率分析へ進みます② 周囲温度、ヒートシンク、絶縁シートの熱抵抗条件を設定します③“Download CSV”をクリックし 効率、損失グラフの数値データがダウンロードできます
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ヒートシンク、絶縁シートの熱抵抗を変更する事で、ジャンクション温度の変化を確認でき、放熱設計の参考になります。
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(4)Application Designer①”Summary“をクリックし、Summaryページに進みます②デザインサマリを PDF Fileでダウンロードできます③デザインサマリを印刷できます。④デザインの保存や 保存したデータをシェアできます⑤サンプル購入サイトへ進みます
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www.renesas.com