Download - NÍVEL DE INTEGRAÇÃO
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O O O O
NÍVEL DE INTEGRAÇÃONÍVEL DE INTEGRAÇÃO
NÍVEL DE INTEGRAÇÃO DISPOSITIVOS/CHIP
SSI 2 a 50
MSI 150 a 5.000
LSI 5.000 a 100.000
VLSI 100.000 a 10.000.000
ULSI 10.000.000 a 1.000.000.000
SLSI acima de 1.000.000.000
ALGUNS PROBLEMAS COM ALGUNS PROBLEMAS COM CONTAMINAÇÃOCONTAMINAÇÃO
DEGRADAÇÃO DO DESEMPENHO
- QUALIDADE DO ÓXIDO DE PORTA
- TEMPO DE VIDA DOS PORTADORES DE CARGA
FONTE DRENO
“METAL” PORTA
ÓXIDO DE PORTA
Contaminantes atuam como armadilhas, degradando tempo de
vida e mobilidade no canal
Contaminantes atuam como armadilhas ou cargas no óxido
TRANSISTOR MOS
DEGRADAÇÃO DA CONFIABILIDADE
FONTE DRENO
“METAL” PORTA
ÓXIDO DE PORTA
Contaminantes atuam como “pontos fracos”, degradando a rigidez
dielétrica do óxido de porta
- RUPTURA DO ÓXIDO DE CAMPO
- CONTATO RUIM
DEGRADAÇÃO DO RENDIMENTO
- UM ÚNICO DEFEITO PODE ARRUINAR TODO UM CIRCUITO
Defeito fatal no circuito
- PARTÍCULAS
C) JATO DE NITROGÊNIO
MAIS ADEQUADO
MAIS DIFÍCIL
PODE CONTAMINAR COM METAIS DA PINÇA
MELHOR LIMPEZA?
DEPENDE DA SUPERFÍCIE DA AMOSTRA
Fonte:FiberSystems International Vol.3 N.1 pg.29 February 2002
Base Mundial de ComputadoresM
ilhões
de U
suári
os
80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 2000
8 bitsUso pessoal
8/16 bits 16 bits 16bits 32 bits 32 bits 64 bits
APPLE PC PC XT PC AT 386PS
486 PowerPC 601
686 Alpha
MIPS 10000Pentium-proPower PC620
0
100
600
300
200
500
400
1100
1000
900
800
700
1500
1300
1400
1200
.....................2005 ....................2010
128 bits
Micros a serem desenvolvidos
Micros multi-núcleos de 64 a 256 bits
1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020
MSI – 100K Hz clock
1Kbit 1sr calculator , 1st Proc.
16K RAM Proc. – 1MHz clock
64K RAM
1M RAM
64M RAM
16M RAM
1G RAM
4G RAM
16G RAM
64G RAM
1 Terabit RAM
Proc. 32 bits – 10MHz
50 MHz clock
2000 MHz clock
Proc. with 25M comp. 400 MHZ clock
P 500MHz 50M.
P 625MHz 100M com
Número de Componentes
Ano
1E+00
1E+02
1E+01
1E+03
1E+05
1E+04
1E+06
1E+08
1E+07
1E+09
1E+11
1E+10
1E+12
1E+13
Capacidade de Integração em Microeletrônica e Relógios
as
Dimensões mínimas adotadas na pastilha para os dispositivos eletrônicos
0.35m
0.035m
Figura 3. Projeção a longo prazo da tendência de redução das dimensões dos dispositivos eletrônicos, contidos numa pastilha de silício associada com a tendência de aumento de área física dessas pastilhas para os próximos 70 anos
Redução de dimensões e tamanhos das pastilhas de silício