czts系とは? cigs...soda-lime glass cztse製膜方法および外観評価...

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(目標) 現在のカルコゲナイト系太陽電池(CIGSCdTe系)では、希少金属(InTeSe)、重 金属元素(Cd等が含有され将来的課題となっている。本テーマでは、革新的な代替 材料の開発(CZTS系等)により、持続的に量産可能な次世代化合物薄膜太陽電池実現に貢献する。 次世代化合物薄膜太陽電池の開発-CZTS系太陽電池 革新デバイスチーム 反保衆志 牧田紀久夫 地殻内存在量(ppm単価(円/g0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 地殻内存在量(ppm単価(円/gIn Se Cu Sn Zn S Ga Au(Ref.) Te CZTS系とは? Cu 2 ZnSnS 4 (Se 4 )の総称。CIGS系で希少材料であるIn 属) Sn-Zn-族)で置換した材料である。 ・結晶構造 ケステライト構造 ・バンドギャップ CZTSe1.0eV CZTS1.4eV ・吸収係数 α>10 4 /cm 化合物薄膜太陽電池材料の埋蔵量および単価 http://www2.ttcn.ne.jp/honkawa/4735.html参考 元素周期律表 当所で実績を有する CIGS系太陽電池技術 を、本研究に効果的に 波及させることが可能。 埋蔵量豊富 &低価格

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Page 1: CZTS系とは? CIGS...Soda-lime glass CZTSe製膜方法および外観評価 製膜法は、CIGS系太陽電池の開発で実績ある MBE(Molecular Beam Epitaxy)法を適用。CIGS系と比較し遜色ない表面外観およ

(目標)現在のカルコゲナイト系太陽電池(CIGS、CdTe系)では、希少金属(In、Te、Se)、重金属元素(Cd)等が含有され将来的課題となっている。本テーマでは、革新的な代替材料の開発(CZTS系等)により、持続的に量産可能な次世代化合物薄膜太陽電池の実現に貢献する。

次世代化合物薄膜太陽電池の開発-CZTS系太陽電池

革新デバイスチーム 反保衆志 牧田紀久夫

0.01

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0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000

地殻内存在量(ppm)

単価

(円/g

) In

SeCuSn

ZnS

Ga

Au(Ref.)

Te

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0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000

地殻内存在量(ppm)

単価

(円/g

) In

SeCuSn

ZnS

Ga

Au(Ref.)

Te

CZTS系とは?Cu2ZnSnS4(Se4)の総称。CIGS系で希少材料であるIn(Ⅲ属) をSn-Zn(Ⅱ-Ⅳ族)で置換した材料である。

・結晶構造ケステライト構造

・バンドギャップCZTSe~1.0eVCZTS~1.4eV

・吸収係数α>104/cm

化合物薄膜太陽電池材料の埋蔵量および単価

*http://www2.ttcn.ne.jp/honkawa/4735.html参考元素周期律表

当所で実績を有するCIGS系太陽電池技術

を、本研究に効果的に波及させることが可能。

埋蔵量豊富&低価格

Page 2: CZTS系とは? CIGS...Soda-lime glass CZTSe製膜方法および外観評価 製膜法は、CIGS系太陽電池の開発で実績ある MBE(Molecular Beam Epitaxy)法を適用。CIGS系と比較し遜色ない表面外観およ

CZTSe膜のSEM観察(製膜温度~400℃)

表面観察

断面観察

CZTSe製膜用MBE装置

原料同時供給により製膜。混晶の厳密制御が鍵。

Cu

Sn ZnSe

Pyrometer

Growth Chamber Loading Chamber

Cu

Sn ZnSe

Pyrometer

Growth Chamber Loading Chamber

1μm1μm

2μm

Mo

CZTSe

Soda-lime glass

2μm

Mo

CZTSe

Soda-lime glass

CZTSe製膜方法および外観評価

製膜法は、CIGS系太陽電池の開発で実績あるMBE(Molecular Beam Epitaxy)法を適用。

CIGS系と比較し遜色ない表面外観および1μmオーダのグレインを観察。

CZTSe系の混晶制御法

成長

評価:SEM-層厚EPMA-組成

Cu,Zn,Sn成長速度係数確定

成長収束

成長

評価:SEM-層厚EPMA-組成

Cu,Zn,Sn成長速度係数確定

成長収束

目標組成

Page 3: CZTS系とは? CIGS...Soda-lime glass CZTSe製膜方法および外観評価 製膜法は、CIGS系太陽電池の開発で実績ある MBE(Molecular Beam Epitaxy)法を適用。CIGS系と比較し遜色ない表面外観およ

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hkl 2Θ 101 17.436 112 27.174 211 36.194 220 45.093 204 45.139 312 53.45 116 53.532 400 65.68 008 65.824 332 72.459 316 72.528

Theory (▲)

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2θ [deg]

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hkl 2Θ 101 17.436 112 27.174 211 36.194 220 45.093 204 45.139 312 53.45 116 53.532 400 65.68 008 65.824 332 72.459 316 72.528

Theory (▲)

Mo

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Cu

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SnSe

Zn

CZTSe結晶評価

CZTSe膜のXRD評価

CZTSe膜のSIMS評価

本サンプルのEPMA評価Cu-23.9%、 Zn-10.7%Sn-13.6%、 Se-51.8%

XRDにおいて観測されるピークは、CZTSe結晶構造から予測されるピークに合致。

CZTSe膜中に、構成元素はほぼ一様分布。特定原料の損失、偏析等は特に観測されず。

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Voltage:(V)

Curr

ent:

(mA

/cm

2)

η: 2.1% , Voc: 0.36VJsc: 9.8mA/cm2, FF: 0.60Rs: 3.1Ωcm2

CZTSe太陽電池の試作結果

SLG基板(soda-lime glass)

Mo(p電極)

CZTSe(光吸収層)

CdS

i-ZnO/TCO

Al(n電極)

SLG基板(soda-lime glass)

Mo(p電極)

CZTSe(光吸収層)

CdS

i-ZnO/TCO

Al(n電極)

1 cm

CZTSe太陽電池の構造と外観

CZTSe太陽電池の出力特性

初期試作では、発電効率は2.1%。特性は、短

絡電流で律速されており、結晶欠陥が介在した再結合過程が影響していると考えられる。結晶品質等の改善を開始している。