紫外およびx線磁気円二色性による 磁性薄膜表面の磁気...
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分子研 横山 利彦
紫外およびX線磁気円二色性による磁性薄膜表面の磁気特性評価 -磁性シリサイドへの展開を期待して-
グループ内共同研究者 中川剛志(助教)、高木康多(助教) 山本勇(PD, 現佐賀大助教) 江口敬太郎(博士前期2年)
応用物理学会 第16回シリサイド系半導体研究会 「シリサイド微細構造の利用と関連評価技術」
日時: 2010年9月18日 (土) 場所: 長崎大学文教キャンパス
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目次
1) 磁気円二色性 Magnetic Circular Dichroism 概説 紫外可視レーザーや放射光軟X線を用いたMCD
2) 新しい磁気顕微鏡 紫外磁気円二色性光電子顕微鏡 1PPE & 2PPE MCD PEEM with ultrafast time resolving power
3) 磁性薄膜ヘの化学吸着と基板化学修飾の効果
4) 磁性シリサイドへの若干の応用例
Ref: T. Yokoyama, T. Nakagawa and Y. Takagi, Int. Rev. Phys. Chem. 27 (2008) 449-505.
Photo-emission MCD
hν e Circularly Polarized lights M
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磁気光学効果:旋光性と円二色性
Magnet or Chiral matter
Faraday効果
2 20
2 ( )( ) FF d
ω ωθ ωηπ ω ω
ω∞ ′
′= −′ −
∫P
iF F FΦ θ η= +複素Faraday回転角
Faraday Ellipticity
Faraday Rotation
Magnetic Circular Dichroism (MCD)
left right
left rightA
µ µµ µ
−=
+
µ: absorption coefficient
left right1 ( )4F
η µ µ= − −
双極子近似
起源
自然光学活性
× D がHに依存* BがEに依存
磁気光学活性
○ 誘電率がテンソル**
自然光学活性との比較
磁性体
回転なし
回転角2倍
自然光学活性 磁気光学活性
キラル物質
0 ( i )f gε ε ω= + +D E H
0ε=D•E 0
0
0 0
xx xy
xy xx
zz
ε ε
ε ε
ε
= −
•
*
**
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磁気光学Kerr効果の測定
光源 LD 635nm(赤), LD 405nm(青), Nd:YVO4 532nm(緑) など
Co(6ML)/Cu(1 1 41)
後で角
度に換算
磁場 漏
れ光の強度
30 mm
Polarizer Polarizer
Detector
M
縦Kerr効果 (面内磁化用)
極Kerr効果 (垂直磁化用)
Detector Polarizer
Polarizer
M
楕円率(磁気円二色性)の測定法 縦Kerr効果の場合
¼波長板を挿入
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交換相互作用 +スピン軌道相互作用
MCD! p+=px+ipy
左円偏光 ex+iey ∆Jz = +1 s• px+ipy
左 ex+iey
直線 ex or ey
直線偏光 ex or ey ∆Jz = 0 s• px or py
右 ex−iey
p−=px−ipy
右円偏光 ex−iey ∆Jz = −1 s• px−ipy
交換相互作用 または
Zeeman分裂
px軌道 py軌道
L=1
L=0
LZ=+1,0,−1
LZ=0 磁化なし
許容遷移 MCDなし
α
β
α
β
s
p
磁気光学効果の必要条件 系がスピン偏極し かつ 始状態あるいは終状態の 準位がスピン軌道相互作用を有すること
磁気光学効果とスピン軌道相互作用
Jz= −3/2 Jz= −1/2 Jz= +1/2 Jz= +3/2
Jz= −1/2
Jz= +1/2
Jz= −1/2 Jz= +1/2
J=3/2
J=1/2
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X線磁気円二色性 XMCD
MCDの観測条件 始状態または終状態の準位 スピン偏極 かつ スピン軌道相互作用
特徴 ・高感度 内殻電子は価電子に比べ スピン軌道相互作用が 大きいため ・元素選択性 ・スピン、軌道磁気モーメント の分離観測(総和則) ・波長可変円偏光X線利用 放射光利用が必須
Fe 2p absorption spectra
µ+ left-circularly polarized µ− right-circularly polarized ∆µ XMCD
XMCD X-ray Magnetic Circular Dichroism
cf. スピン偏極光電子分光 の観測条件 始状態または終状態 スピン偏極 または スピン軌道相互作用
左右円偏光での吸収係数差
左右円偏光での吸収差 = 磁化反転での吸収差
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XMCDの原理と軌道磁気モーメント総和則
III II
III II
2
3( )
2
orL Lh B
Gb
c BL L
mdEn
PdE
++ −
+
∆µµ= −
µ + µ− µ
∫
∫nh: 3d-hole数 PC: 円偏光度
3d遷移金属のLII,III吸収XMCD αスピンが完全に占有された系で βスピンの励起のみを考慮すると…
軌道磁気モーメント総和則 B. T. Thole et al., Phys. Rev. Lett. 68, 1943 (1992).
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スピン磁気モーメント総和則と磁気双極子項
III II
III II
27
3( )
2
effs
L Lh B
c BGL
s
L
i pn n Tp i
dE dEn
PdE
mm m+ −
+
∆µ − ∆µµ= − = +
µ + µ− µ
∫ ∫
∫: 有効スピン磁気モーメント : 磁気双極子モーメント
3d遷移金属のLII,III吸収XMCDにおけるスピン総和則 P. Carra et al., Phys. Rev. Lett. 70, 694 (1993).
磁気双極子項 mT の除去
( 7 ( ))effspin Tspinmm m= + θθ
2 2//cos( sin) orb orrb bom m m⊥= θ +θ θ
2 // 2( ) cos sinT TTm m m⊥θ = θ + θ
//2 0T Tm m⊥ + =
spinm 飽和磁化の場合、θに依存しない
spinm//orbmorbm
⊥ //TmTm
⊥未知数
( )effspinm θ ( )orbm θ 観測量
2つの θ に対して飽和磁化でのXMCDを 測定すれば未知数はすべて求められる
θ X-ray M, H
effspinm Tm
nh: 3d-hole数, PC: 円偏光度
LIIIとLIIが十分分離されている必要がある
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高磁場XMCD測定
超伝導磁石極低温XMCD装置 超伝導磁石 JANIS UHV 7 T (定常運転 5 T) クライオスタット 4.8~80 K (4.2 K) or 3.8 K (1.9 K) 試料準備槽 LEED/AES or RHEED, Evaporator etc.
高磁場・極低温XMCD測定の必要性 ・磁化しにくい試料 (超)常磁性など ・磁気異方性 磁化困難軸方向 ・磁気双極子項の除去
困難軸方向の測定
スピン総和則における磁気双極子項
( 7 ( ))effspin Tspinmm m= + θθ
観測量 磁気 双極子 項
困難軸方向 飽和磁化下 で消去可能
容易軸方向 低磁場で十分
困難軸方向 高磁場が必要
H
M MS
−MS
強磁性薄膜
容易軸
困難軸
UVSOR BL4B
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Cu(001)上のCo単層膜(0.4 ML)のXMCD
cf. hcp Co mspin = 1.55 µB morb = 0.15 µB
cf. 理論計算 Co(1ML)/Cu(001) mspin = 1.85 µB morb = 0.261 µB
O. Hjortstam et al., Phys. Rev. B 53, 9204 (1996).
スピン磁気モーメント ~15%増
異方的
軌道磁気モーメント 平行成分 ~96%増 垂直成分 ~53%増
U. Ramsperger, A. Vaterlaus, P. Pfäffli, U. Maier, and D. Pescia, Phys. Rev. B 53, 8001 (1996).
STM Co 0.55ML
ほぼ単層で成長 500 Å x 500 Å
[-110]
Co-L吸収端XMCD解析
1.79(10) spin Bm = µ
0.23(5) orb Bm⊥ = µ/ / 0.29(5) orb Bm = µ
T. Nakagawa, Y. Takagi, Y. Matsumoto and T. Yokoyama, Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2007) 2132.
磁化曲線 Co L-edge XMCD
容易軸
困難軸 θ Ms
H
[110]
[001]
異方性磁場 Ha=3.44 T
H//[001]
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UV MCD PEEM No UV MCD PEEM has been reported
G. K. L. Marx, H. J. Elmers, and G. Schönhense, Phys. Rev. Lett. 84 (2000) 5888.
・ Very small MLD 0.21% due to small LS coupling in the valence band
・ No MCD PEEM observable
・ Difficult to apply to ultrathin film
Polycrystalline Fe thick (~500 nm) film Hg arc lamp
UV MLD PEEM Magnetic Linear Dichroism
新しい磁気顕微鏡: UV MCD PEEM
XMCD PEEM XMCD PhotoElectron Emission Microscopy
Advantages ・ Strong MCD >10% due to large LS coupling in the core shell ・ Element specific
Disadvantages ・ Need Third Generation Synchrotron Light Sources ・ Time resolution limited by the SR pulse (>> 1ps)
J. Choi, J. Wu, C. Won, Y. Z. Wu, A. Scholl, A. Doran, T. Owens and Z. Q. Qiu, Phys. Rev. Lett. 98 (2007) 207205.
Fe L edge Fe(3.55 ML)/Ni(10.6 ML)/Cu(001)
reversal
Spatial resolution: 10~100 nm
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Ni/Cu(001)の光電子MCDとUV MCD PEEM
MCD asymmetry A L R
L R
I IA
I I
−=
+
HeCd
LD
Ti:Sa 4th
M
MCD as a function of hν−Φ
MCD max. -10 ~ -12% 102-103 times larger than MOKE
T. Nakagawa and T. Yokoyama, Phys. Rev. Lett. 96 (2006) 237402.
Photo-emission MCD
hν e Circularly Polarized lights M
Ti:sapphire 2nd 400nm 2sec x2
UV MCD PEEMの観測
Elmitec PEEMSpector 空間分解能 ~35nm
T. Nakagawa, T. Yokoyama, M. Hosaka and M. Katoh, Rev. Sci. Instrum. 78 (2007) 023907.
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2光子MCD PEEMと超高速UV MCD PEEM
Clean Ni(15ML)/Cu(001)
First observation of 2PPE MCD
Max. MCD as much as ~7% Similar to 1PPE MCD
RT, normal inc.
Φ
To extend the available hν range
Maximum MCD as much as -28% !!
By far larger than the 1PPE (~10%) Stronger MCD at grazing inc. is useful for MCD PEEM
25µm MCD
2PPE MCD PEEM
T. Nakagawa, I. Yamamoto, Y. Takagi, K. Watanabe, Y. Matsumoto and T. Yokoyama, Phys. Rev. B 79 (2009) 172404
First trial of ultrafast UV MCD PEEM
Pump 800nm, ~100fs Probe 400nm, ~200fs
t=0 Magnetization Recovery
T. Nakagawa, K. Watanabe, Y. Matsumoto and T. Yokoyama, J. Phys. Condens. Mater. 21 (2009) 314010.
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Cu(110)-(2x3)N
Width 5 atoms Height 2 atoms
33x49 nm2
0.8 ML Co
0 50 100 150 2000.0
0.4
0.8
1.2
1.6
~22Å
Distance (Å)
21.6Å (1x6) periodicity
Hei
ght (
Å)
x x´
0.4 ML Fe
Nt
Nm
Nb
3.87Å
[001]
[110]
4.39Å
[001]
[110]
X.-D. Ma, D. I. Bazhanov, O. Fruchart, F. Yildiz, T. Yokoyama, M. Przybylski, V. S. Stepanyuk, W. Hergert, and J. Kirschner, Phys. Rev. Lett., 102 (2009) 205503.
Highlighted in Nature Nanotech. “Atomic nanowires: Universal growth” by O. Vaughan
Cu(110)-(2x3)N修飾表面上でのCoナノロッド
Cu(110)-(2x3)N上でのCoナノロッドの自己組織化
Width 5 atoms Height 1 atom
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Cu(110)-(2x3)N上のCoナノロッドのXMCD
crystal axis morb (µB) mT (µB) x [001] 0.23(3) -0.005(5)
y [1-10] 0.19(3) 0.011(5)
z [110] 0.16(3) -0.006(5) spin 1.01(10) Bm = µ
Orbital magnetic moment [001] > [1-10] > [110] easy in-plane hardest hard
Spin magnetic moment rather small
cf. Co bulk 1.55 µB Formation of surface nitride
Consistent with magnetic anisotropy
3d hole number nh=3.20 cf. Co bulk nh=2.50
Spectroscopic analysis
X. D. Ma, T. Nakagawa, Y. Takagi, M. Przybylski, F. M. Leibsle, and T. Yokoyama, Phys. Rev. B 78 (2008) 104420.
Film KP =120 (µeV/atom)
Rod KA=20 (µeV/atom)
Size N=15 (atom)
Ea = KP cos2• + KA sin2• sin2• −µ・H
ρ = exp[−NEa/kBT]
MH curve analysis Easy axis: [001] not along the rod [1-10] Hardest axis: [110]
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Co/Pd(111)薄膜でのCO吸着誘起スピン転移
MOKE of 5 ML Co/Pd(111) at 90 K Longitudinal in-plane Polar perpendicular
CO CO
Co ~5ML
Pd(111)
CO 90 K
No transition above ~250 K
D. Matsumura, T. Nakagawa, H. Watanabe, H. Abe, K. Amemiya, T. Ohta and T. Yokoyama, Surf. Sci. 602 (2008) 1999-2003.
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Co/Pd(111)上でのCO吸着構造
C1s XPS
200 K Spin transition 300 K No transition
atop
bridge
200 K
atop
bridge
atop + bridge
300 K
atop
Atop only
C1s XPD
D. Matsumura, K. Amemiya, S. Kitagawa, T. Shimada, H. Abe, T. Ohta, H. Watanabe and T. Yokoyama, Phys. Rev. B73 (2006) 174423.
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Co/Pd(111)上でのCO吸着と磁性との相関
Bridge-site adsorption induces the spin reorientation transition, while the atop-site adsorption shows no contribution at all.
C1s XPS Perpendicular XMCD
D. Matsumura, K. Amemiya, S. Kitagawa, T. Shimada, H. Abe, T. Ohta, H. Watanabe and T. Yokoyama, Phys. Rev. B73 (2006) 174423.
D. Matsumura, T. Yokoyama, K. Amemiya, S. Kitagawa and T. Ohta, Phys. Rev. B66 (2002) 024402
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CO吸着とCo軌道磁気モーメントの相関 Co3d orbital magnetic moment
⊥surface less change
D. Matsumura, T. Yokoyama, K. Amemiya, S. Kitagawa and T. Ohta, Phys. Rev. B66 (2002) 024402.
// surface significantly reduced
CO ads. Co 3dδ no bonds with bridge or atop CO 5σ ⇒ No change in perpendicular morb
Co 3dδ bridge atop
Speculations Consider chemical bonds between partially-filled Co3d & CO5σ.
Co 3dπ bridge atop
Co 3dπ no bond with atop CO 5σ ⇒ no change in parallel morb strong bond with bridge CO 5σ ⇒ strong reduction in parallel morb
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Fe1+xSi1-xのMOKEとXMCD
D. Berling, G. Gewinner, M. C. Hanf, K. Hricovini, S. Hong, B. Loegel, A. Mehdaoui, C. Pirri, M. H. Tuilier, P. Wetzel, J. Magn. Magn. Mater. 191 (1999) 331.
試料 Si(111)へのSi, Fe 室温共蒸着(200Å)
DO3
Fe3Si Fe(I) 2.22 µB α-Feの2.33 µBに近い
Fe周囲のSiの配位数 でFeの磁気モーメント がおおよそ説明できる
[10-1]Si [1-21]Si
MOKE
Fe
Fe3Si
Fe2Si
Fe1.35Si
容易軸:[1-21]Si
RT
Fe L-edge XMCD
Fe
Fe3Si
Fe2Si
Fe1.6Si
FeSi
RT
x
Fe平
均磁
気モーメント
(µB) Fe(I) Fe(II) Si
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Si(111)-(√3x√3)R30° MnSi S. Higashi, Y. Ikedo, P. Kocán and H. Tochihara, Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 013104.
S. Higashi, P. Kocán and H. Tochihara, Phys. Rev. B 79 (2009) 205312.
表面構造 作成:室温Mn蒸着 250℃加熱30分
STM Mn 3ML
(a,c) 5分加熱 (b,d) 30分加熱 (a,b) constant height mode (c,d) constant current mode 50x50 nm2
Mn 3ML相当で 極めて平坦な 2 quadruple layer が成長
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Si(111)-(√3x√3)R30° MnSiのXMCD Mn L-edge XAS Mn L-edge XMCD
MH curve recorded by Mn L-edge XMCD
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Si(111)-(8x8)N Ep=70.7 eV
LEED Si(111)-(7x7) Ep=80.6 eV
Si(111)-(8x8)N 3.4V, 106pA
Si(111)-(7x7) 1.6V, 116pA
STM
化学修飾Si基板上での磁性薄膜の成長
XMCD Fe 1原子層相当
Si(111)-(7x7)ではシリサイドFeSixが生じ磁性が消失するが、Nで修飾したSi(111)-(8x8)Nでは磁性をもったFeナノ粒子が成長する
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最後に
可視紫外・軟X線磁気円二色性による磁性薄膜の評価
Ref: T. Yokoyama, T. Nakagawa and Y. Takagi, Int. Rev. Phys. Chem. 27 (2008) 449-505.
Photo-emission MCD
hν e Circularly Polarized lights M
大学共同利用機関法人 自然科学研究機構 分子科学研究所 分子スケールナノサイエンスセンター 文部科学省 先端研究施設共用イノベーション創出事業ナノテクノロジー・ネットワーク 「中部地区ナノテク総合支援:ナノ材料創製加工と先端機器分析」 (名大・名工大・豊田工大と連携)
http://nanoims.ims.ac.jp/
紫外およびX線磁気円二色性による磁性薄膜表面の磁気特性評価�-磁性シリサイドへの展開を期待して-目次 スライド番号 3スライド番号 4スライド番号 5X線磁気円二色性 XMCDXMCDの原理と軌道磁気モーメント総和則スピン磁気モーメント総和則と磁気双極子項スライド番号 9スライド番号 10スライド番号 11Ni/Cu(001)の光電子MCDとUV MCD PEEMスライド番号 13スライド番号 14スライド番号 15Co/Pd(111)薄膜でのCO吸着誘起スピン転移Co/Pd(111)上でのCO吸着構造スライド番号 18スライド番号 19スライド番号 20スライド番号 21スライド番号 22化学修飾Si基板上での磁性薄膜の成長最後に