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CURRICULUM VITAE
DATOS PERSONALES
Nombre: Miguel Cruz Irisson.
Fecha de Nacimiento: 26 de septiembre de 1960
Lugar de Nacimiento: Cazones, Veracruz
Nacionalidad: Mexicana
RFC: CUIM-6009267SA
CURP: CUIM600926HVZRRG06
Teléfonos: + 52-55-5624 2000 ext. 73033 y 73032 (Oficina)
+ 52-55-5656 2058 (Fax)
e-mail: [email protected],
FORMACION ACADEMICA
Estudios Superiores
Licenciatura en Física
Institución: Facultad de Ciencias, U.N.A.M.
Promedio General: 9.1
Tema de Tesis: Fonones
Título de Tesis: Modos Localizados en una Red de Hori y Asahi.
Fecha del Examen Profesional: 27 de Julio de 1990
Cedula Profesional: 1562620
Estudios de Posgrado
Maestría en Ciencias (Ciencia de Materiales)
Institución: Facultad de Ciencias, U.N.A.M.
Promedio: 9.86
Fecha del Examen de Grado: 23 de noviembre de 1992
(Examen General de Conocimientos Opción A)
Cedula Profesional: 1796641
Doctorado en Ciencias (Ciencia de Materiales)
Institución: Facultad de Ciencias, U.N.A.M.
Tema de Tesis: Física del Estado Sólido
Título de Tesis: Propiedades Electrónicas y Fonónicas del Silicio Poroso
Fecha del Examen de Grado: 8 de julio de 1999
Cedula Profesional: 3547963
EXPERIENCIA PROFESIONAL
Profesor de Asignatura en la Universidad del Valle de México (noviembre 1985-agosto,
1990)
Ayudante de Profesor “B” en la Facultad de Ciencias, UNAM, (mayo 1990- octubre 1991)
Profesor en la Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica-Unidad Culhuacán, IPN.
Profesor de Asignatura “B” (ES) (septiembre 1988 -diciembre 1990),
Profesor Asociado “B” (ES) T/C (enero 1992 – diciembre 1993),
Profesor Asociado “C” (ES) T/C (enero 1994 – diciembre 1996),
Profesor Titular “A” ( ES) T/C (enero 1997 – diciembre 1998),
Profesor Titular “B” (ES) T/C (enero 1999 – diciembre 2000),
Profesor Titular “C” (ES) T/C (enero 2001 – a la fecha),
CURSOS IMPARTIDOS
Universidad del Valle de México:
Nivel Medio Superior: Física II y III, Laboratorio de Física II y III
Álgebra, Geometría Analítica, Temas Selectos de Matemáticas
Nivel Superior: Dinámica, Cálculo Vectorial
Facultad de Ciencias, UNAM (1990-1991)
Física Clásica IV, Física Moderna I.
ESIME-Culhuacán, IPN:
1. Departamento de Ingeniería Mecánica (1989-1992) Cálculo Vectorial, Ecuaciones Diferenciales, Variable Compleja
2. Departamento de Ingeniería en Computación (1991-2002)
Matemáticas Finitas, Calculo Vectorial, Ecuaciones Diferenciales,
Física, Probabilidad y Estadística.
3. Sección de Estudios de Posgrado e Investigación (2003 –a la fecha)
Doctorado en Comunicaciones y Electrónica Temas Selectos de Electrónica, Electrónica Cuántica, Matemáticas, Seminario
Departamental I, II y III, Temas Selectos de comunicaciones, Trabajo de Tesis
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Modelado de Sistemas Físicos, Propiedades Electrónicas de Semiconductores, Temas
Selectos de Comunicaciones y Electrónica, Temas Selectos de Electrónica, Temas Selectos
de Matemáticas, Temas Selectos de Comunicaciones, Seminario Departamental I, II y III,
Trabajo de Tesis.
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos Matemáticas Avanzadas para la Ingeniería, Energética Avanzada, Seminario de
Investigación I, II y III, Trabajo de Tesis.
FORMACIÓN DE RECURSOS HUMANOS
Tesis de Licenciatura†:
1. “Propiedades Electrónicas de Nanoestructuras de Silicio”
Ulises Corona de la Cruz,
ESIME-Culhuacan, IPN
Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica
Fecha examen: 25 de abril de 2003. Acta No. 4198
2. “Diseño de un Controlador Digital PID, para controlar la Velocidad de un Motor de CD”
Alvaro Miranda Durán,
ESIME-Culhuacan, IPN,
Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica
Fecha examen: 23 de junio de 2004. Acta No. 4599
3. “Análisis de un sistema de control aplicado al péndulo invertido”,
Omar Castillo Velasco,
ESIME-Culhuacan, IPN,
Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica
Fecha de examen: 7 de septiembre de 2004. Acta No. 4667
4. “Manipulación en Tiempo Real de un Helicóptero de dos grados de Libertad”
Karina Verastegui Barranco
ESIME-Culhuacan, IPN,
Ingeniero en Computación,
Fecha de examen: 18 de octubre de 2004. Acta No. 653
5. “Estado Actual de la Criptografía Cuántica”
Tzitzik Janik Arellano Nava
ESIME-Culhuacan, IPN
Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica
Fecha de examen: 9 de marzo de 2006. Acta No. 5099
6. “Diseño de un controlador de atraso adelanto de fase por análisis de respuesta en frecuencia
para un sistema de levitación”.
David Méndez Sánchez
ESIME-Culhuacan, IPN
Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica
Fecha de examen: 18 de agosto de 2006. Acta No. 5218
7. “Modos Vibracionales en Nanoestructuras de Silicio”
Pedro Alfaro Calderón
ESIME-Culhuacan, IPN
Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica
Fecha de examen: 17 de diciembre de 2007. Acta No. 5739
8. “La espintrónica y su impacto en las comunicaciones y electrónica”
† Por reglamento las tesis de licenciatura en la ESIME-Culhuacan son siempre en coasesoría.
Arón Josué García Moreno
ESIME-Culhuacan, IPN
Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica
Fecha de examen: 11 de junio de 2009. Acta No. 6141
9. “Aplicaciones de Alambres cuánticos semiconductores en baterías”
Jorge Arturo Tokunaga Pérez
ESIME-Culhuacan, IPN
Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica
Fecha de examen: 25 de noviembre de 2010. Acta No. 6420
Tesis de Maestría:
1. “Efecto de la Interconexión en la Función Dieléctrica del Silicio Poroso”
Fis. Salvador Felipe Díaz Albarrán‡,
Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN,
Maestría en Ciencias (Física),
Fecha de examen: 14 de octubre de 2003.
2. “Propiedades Electrónicas y Ópticas de Nanoestructuras de Silicio”,
David Guzmán Ramírez,
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica, Fecha de examen: 29 de marzo de 2004 Acta No. 057
3. “Efectos del Confinamiento Cuántico en las Propiedades Electrónicas de Nanoalambres de
Germanio”
Ing. Ulises Corona de la Cruz
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica, Fecha de examen: 12 de septiembre de 2005. Acta No. 090
4. “Modelo de un Acelerómetro Superconductivo”
Ing. Luis Alberto Gallegos‡
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica, Fecha de examen: 19 de mayo 2006 Acta No. 0106
5. “Densidad de Estados Electrónicos de Nanoalambres de Germanio”
Ing. Alvaro Miranda Durán
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica, Fecha de examen: 22 de septiembre de 2006 Acta No. 0109
6. “Estudio Experimental del Comportamiento de un Arreglo Piramidal de Módulos
termoeléctricos”
Ing. Raúl de la Cruz Ibarra‡
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos, Fecha de examen: 29 de noviembre de 2007 Acta No. 0007
7. “Enfoque de dos Temperaturas como una Aproximación al Problema del Enfriamiento
Termoeléctrico”
Ing. Fernando Adán Serrano Orozco
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Fecha de examen: 12 de diciembre de 2007 Acta No. 0128
8. “Enfoque no Lineal al Problema del Enfriamiento Termoeléctrico”
Ing. Jesús Audelo González
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
‡ En codirección
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica
Fecha de examen: 12 de diciembre de 2007 Acta No. 0129
9. Propiedades Electrónicas de Alambres Cuánticos de Carburo de Silicio tipo
Ing. José Luis Cuevas Figueroa‡
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica,
Fecha de examen: 30 de junio de 2009 Acta No. 0157
10. “Modos Vibracionales en Nanohilos de Diamante”
Ing. Luis Alberto Boisson Sarabia
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica,
Fecha de ingreso: 01 de agosto de 2007
Fecha de examen: 22 de enero de 2010 Acta No. 0172
11. “Aplicación de los Métodos Semi-empíricos y ab-initio al Estudio de la Estructura
Electrónica de Nanoalambres de Diamante”
Josué Arón García Moreno‡
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Fecha de ingreso: 01 de agosto de 2007
Fecha de examen: 22 de enero de 2010 Acta No. 0175
12. “Estudio a primeros principios de las propiedades electrónicas y vibracionales del Germanio
poroso”
Alejandro Trejo Baños Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Fecha de ingreso: enero de 2009
Fecha de examen: 21 de enero de 2011 (Aprobado con Mención Honorífica)
Premio a la mejor tesis de maestría en el IPN 2011 Acta No. 0203
13. “Estudio ab-initio de las propiedades electrónicas de nanoestructuras de SiC”
Marbella Calvino Gallardo
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica
Fecha de ingreso: enero de 2009
Fecha de examen: 01 de junio de 2011 (Aprobado con Mención Honorífica) Acta No. 0208
14. “Nanoalambres de Germanio pasivados con litio”
Jorge Arturo Tokunaga Pérez‡
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Fecha de ingreso: 01 de agosto de 2009
Fecha de examen: 11 de diciembre de 2012 Acta No. 0232
15. “Efecto del confinamiento en los modos ópticos de vibración del Carburo de silicio poroso”
Josue Saeb Sánchez Hernández ‡ En coasesoría
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica
Fecha de ingreso: 17 de enero de 2011
Fecha de examen: 20 de enero de 2014 Acta No.
Registro IPN: B110256
16. “Propiedades mecánicas y electrónicas de nanoalambres de silicio para aplicaciones a
baterías de Litio”.
Carlos Aarón Clorio Herrera‡
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Fecha de ingreso: 17 de agosto de 2012
Fecha de examen: 23 de enero de 2015 Acta No.
Registro IPN: B120122
17. “Calor específico de nanoalambres semiconductores no polares”
Lidia López Palacios
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Fecha de ingreso: 17 de agosto de 2012
Fecha de examen: 24 de enero de 2015 Acta No.
Registro IPN: B120162
18. “Aplicaciones del silicio poroso a baterías de iones de Litio” Alberto Rodríguez Acosta‡
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Fecha de ingreso: 01 de agosto de 2013
Fecha de examen: 23 de junio de 2016 Acta No.
Registro IPN:
19. “Mediometalicidad en nanoalambres semiconductores no polares”
Francisco De Santiago Varela‡
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica
Fecha de ingreso: 21 de enero de 2014
Fecha de examen: 21 de enero de 2016
Tesis de Doctorado: 1. Análisis Semi-empírico de las Propiedades Electrónicas y Ópticas de Semiconductores
Nanoestructurados
M. en C. David Guzmán Ramírez
Instituto Politécnico Nacional (Programa Institucional)
Doctorado en Comunicaciones y Electrónica-IPN, Fecha de ingreso: 31 de agosto de 2004,
Fecha de examen: 31 de marzo de 2008. (Aprobado con Mención Honorífica) Acta No. 0045
Registro IPN: B040946
2. Estudio de las propiedades electrónicas y dieléctricas de Nanoestructuras tipo zinc-blenda
M. en C. Álvaro Miranda Duran, CVU: 161671, SNI Nivel I Instituto Politécnico Nacional
Doctorado en Comunicaciones y Electrónica-IPN, Fecha de ingreso: 15 de enero de 2007,
Fecha de examen: 14 de septiembre de 2010 (Aprobado con Mención Honorífica)
Premio a la mejor tesis doctoral en el IPN 2011 Acta No. 0060
Registro IPN: A070209
3. Absorción y Emisión de Ondas Electromagnéticas en Nanoestructuras de Si y Ge
Pedro Alfaro Calderón, CVU: 211907 , SNI: Candidato
Instituto Politécnico Nacional
Doctorado en Comunicaciones y Electrónica- IPN, Fecha de ingreso: 08 de agosto de 2005,
Fecha de examen: 19 de enero de 2011 Acta No. 0065
Registro IPN: B040946
4. La regla de cuantización propia y su aplicación en comunicaciones y electrónica
M. en C. Fernando Adán Serrano Orozco §, CVU: 205838, SNI Nivel 1
Instituto Politécnico Nacional
Doctorado en Comunicaciones y Electrónica-IPN, Fecha de ingreso: 26 de enero de 2009,
Fecha de examen: 29 de junio de 2012 Acta No. 081
Registro IPN: A090289
5. Efectos del Oxígeno en las propiedades electrónicas en nanoalambres hidrogenados de SiC
tipo
M. en C. José Luis Cuevas Figueroa, CVU: 290184, SNI Nivel I Instituto Politécnico Nacional
Doctorado en Comunicaciones y Electrónica- IPN, Fecha de ingreso: 25 de enero de 2010,
Fecha de examen: 11 de diciembre de 2013 Acta No. 095
Registro IPN: A100543
6. “Estudio a primeros principios de las propiedades electrónicas, ópticas y vibracionales de
nanoestructuras tipo zinc-blenda”
M. en C. Alejandro Trejo Baños CVU: 297298, SNI Nivel I,
Instituto Politécnico Nacional
Doctorado en Comunicaciones y Electrónica-IPN,
Fecha de ingreso: 26 de enero de 2011.
Fecha de examen: 17 de febrero de 2015, (Aprobado con Mención Honorífica)
Ganador del "XXI CERTAMEN A LA MEJOR TESIS DOCTORAL EN EL ÁREA DE
CIENCIA E INGENIERÍA DE MATERIALES 2016/1, IIM-UNAM
Acta No. 112
Registro IPN: A110539
7. “Efecto del cuasi-confinamiento y la pasivación química superficial sobre los estados
electrónicos del Carburo de Silicio poroso”
M. en C. Marbella Calvino Gallardo CVU: 297222; SNI Nivel 1 Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Doctorado en Comunicaciones y Electrónica- IPN, Fecha de ingreso: 22 de agosto de 2011.
Fecha de examen: 30 de julio de 2015 Registro IPN: B111151
Acta 119
8. “Modos de vibración en nanohilos semiconductores binarios tipo Zinc Blenda”
M. en C. Miguel Ojeda Martínez‡, CVU 333142
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Doctorado en Comunicaciones y Electrónica- IPN, Fecha de ingreso: 22 de agosto de 2012.
Fecha de examen: 5 de julio de 2016 Registro IPN:
Acta
9. “Imagen cuántica y sus aplicaciones”
M. en C. Carlos Ortega Laurel‡,
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Doctorado en Comunicaciones y Electrónica- IPN,
Fecha de ingreso: 21 de enero de 2014
Fecha de examen: 23 de marzo de 2017, (Aprobado con Mención Honorífica) Registro IPN: A140896
Acta
Estancias de investigación en el programa de retención del CONACyT
1. Dr. Eliel Carvajal Quiroz (IIM-UNAM, 2010), CVU: 123176, SNI: Nivel I
(Enero-diciembre, 2010)
2. Dr. Fernando Salazar Posadas (IF-UASLP, 2012), CVU: 37707, SNI: Nivel I
(abril 2012 a marzo 2013) 3. Dr. Álvaro Miranda Durán, CVU: 161671, SNI: Nivel I
(Septiembre 2015-agosto 2016)
Estancias Sabáticas
1. Dr. Raúl Escamilla Guerrero (IIM-UNAM), CVU: 15255, SNI: Nivel II
(Julio 2014-julio 2015)
Tesis en Proceso
Doctorado
1. M. en C. Marlon David González Ramírez
Fecha de ingreso: 16 de enero de 2016
Registro: A161121
2. Francisco de Santiago Varela
Fecha de ingreso: 08 de agosto de 2016
Registro: A161121
Maestría
1. “Nanoalambres de diamante como fuentes emisoras de fotones”
Jesús Ramírez Solano
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Fecha de ingreso: 04 de febrero del 2016
2. “Propiedades Mecánicas del Silicio poroso aplicado a baterías de Litio”
Karina Gabriela Madrigal Carrillo
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Fecha de ingreso: 04 de febrero del 2016
3. “El Silicio Poroso aplicado al almacenamiento de energía en baterías”
Israel González Cortés
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Fecha de ingreso: 04 de febrero del 2016
4. “Aplicaciones de nanoestructuras de Germanio a baterías de Litio”
Akari Narayama Sosa Camposeco
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Fecha de ingreso: 04 de febrero del 2016
No de Registro: A160784
5. “Almacenamiento de energía a través del Silicio poroso”
Rubén Álvarez Valdivia
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Fecha de ingreso: 08 de agosto del 2016
No de Registro: B160510
6. Nanoestructuras de Silicio aplicadas a sensores y a biosensores
José Eduardo Santana Sánchez
Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica
Fecha de ingreso: 08 de agosto del 2016
No de Registro:
7. Nanoestructuras de Carburo de Silicio aplicadas a sensores y a biosensores
Sergio Montero Rosendo
Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos
Fecha de ingreso: 30 de enero del 2017
No de Registro:
PUBLICACIONES indizadas en el Journal Citation Reports (JCR)
1. M. Cruz y C. Wang,
“Raman Response of Porous Silicon”
Physica A, 207, 168 (1994). ISSN: 0378-4371
doi:10.1016/0378-4371(94)90369-7
Factor de Impacto: 1.373
2. M. Cruz, C. Wang, M.R. Beltrán y J. Tagüeña-Martínez,
“Morphological Effects on the Electronic Band Structure of Porous Silicon”,
Physical Review B 53, 3827 (1996). ISSN: 1098-0121
doi: 10.1103/PhysRevB.53.3827
Factor de Impacto: 3.772
3. M. Cruz, M.R. Beltrán, C. Wang y J. Tagüeña-Martínez,
“Quasi-Confinement, Localization and Optical Properties in Porous Silicon”,
Thin Solid Films 297, 261 (1997). ISSN: 0040-6090
doi:10.1016/S0040-6090(96)09370-4
Factor de Impacto: 1.909
4. M. Cruz, M.R. Beltrán, C. Wang y J. Tagüeña- Martínez,
“Efficient, Non-Vertical Interband Transitions in Porous Silicon”,
Physica A 241, 382 (1997). ISSN: 0378-4371
doi:10.1016/S0378-4371(97)00111-8
Factor de Impacto: 1.373
5. M.R. Beltrán, M. Cruz, C. Wang y J. Tagüeña-Martínez,
“Analysis of the Interband Transition in Porous Silicon”,
Solar Energy Materials and Solar Cells 52, 261 (1998). ISSN: 0927-0248
doi:10.1016/S0927-0248(97)00241-9
Factor de Impacto: 4.542
6. J. Tagüeña- Martínez, Y.G. Rubo, M. Cruz, M.R. Beltrán y C. Wang,
“Tight-binding Description of Disordered Nanostructures: an Application to Porous Silicon”,
Applied Surface Science 142, 564 (1999). ISSN: 0169-4332
doi:10.1016/S0169-4332(98)00699-0
Factor de Impacto: 2.203
7. M. Cruz, M.R. Beltrán, C. Wang, J. Tagüeña-Martínez y Y:G: Rubo,
“Supercell Approach to the Optical Properties of Porous Silicon”,
Physical Review B 59, 15381 (1999). ISSN: 1098-0121
doi: 10.1103/PhysRevB.59.15381.
Factor de Impacto: 3.772
8. M.R. Beltrán, C. Wang, M. Cruz, y J. Tagüeña-Martínez,
“Silicio Poroso: Propiedades Electrónicas”,
Revista Mexicana de Física 45, 155 (1999). http://www.smf.mx/revista/indice.html
Factor de Impacto: 0.366
9. C. Wang, M. Cruz, Y.G. Rubo, M.R. Beltrán, y J. Tagüeña- Martinez,
“Optical Absorption in Porous Silicon”,
Journal of Porous Materials 7, 279 (2000). ISSN: 1380-2224
doi: 10.1023/A:1009684131340
Factor de Impacto: 1.238
10. D. Guzmán, U. Corona, M. Cruz,
“Electronic States and Optical Properties of Silicon Nanocrystals”,
Journal of Luminescence 102, 487 (2003). ISSN: 0022-2313
doi:10.1016/S0022-2313(02)00587-2
Factor de Impacto: 2.232
11. P. Alfaro, A. Miranda, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson,
“Hydrogenated Ge Nanocrystals: Band Gap Evolution with Increasing Size”,
Brazilian Journal of Physics, 36, 375 (2006). ISSN 0103-9733
http://www.sbfisica.org.br/bjp/
Factor de Impacto: 0.754
12. G.N. Logvinov, M. Cruz-Irisson, I.M. Lashkevich, J.E.Velázquez, and Yu.G. Gurevich
“Boundary Conditions in Theory of Photothermal Processes”
Brazilian Journal of Physics, 36, 1097 (2006). ISSN 0103-9733
http://www.sbfisica.org.br/bjp/ Factor de Impacto: 0.754
13. P. Alfaro, M. Cruz, C. Wang
“The one phonon Raman spectrum of silicon nanostructures”
IEEE Transaction on Nanotechnology 5, 466 (2006). ISSN 1536-125X
Doi: 10.1109/TNANO.2006.881273
Factor de Impacto: 2.229
14. A. Miranda, D. Guzmán L. Niño de R., R. Vázquez y M. Cruz-Irisson
“Densidad de estados electrónicos de nanoalambres de Germanio”
Revista Mexicana de Física 53, 78 (2007). ISSN-0035-00IX
http://rmf.fciencias.unam.mx/pdf/rmf-s/53/5/53_5_078.pdf
Factor de Impacto: 0.366
15. M. Cruz, L. A. Pérez, C. Wang
“Ab-initio and Tight-binding studies of porous Si and Ge”
Revista Mexicana de Física 53, 226 (2007). ISSN-0035-00IX
http://rmf.fciencias.unam.mx/pdf/rmf-s/53/7/53_7_225.pdf
Factor de Impacto: 0.366
16. D. Guzmán, A. Miranda, H. M. Pérez-Meana, and M. Cruz-Irisson
“Semiempirical Supercell Approach to Calculate the Electronic and Optical Properties of Si
Quantum Wires”
Revista Mexicana de Física 53, 220 (2007) ISSN-0035-00IX
http://rmf.fciencias.unam.mx/pdf/rmf-s/53/7/53_7_220.pdf
Factor de Impacto: 0.366
17. D. Guzmán, M. Cruz y C. Wang
“Electronic and optical properties of ordered porous germanium”
Microelectronics Journal 39, 523 (2008). ISSN: 0026-2692
doi:10.1016/j.mejo.2007.07.083
Factor de Impacto: 0.919
18. P. Alfaro, M. Cruz y C. Wang
“Vibrational states in low-dimensional structures: An application to Si quantum wires”
Microelectronic Journal 39, 472 (2008). ISSN: 0026-2692
doi:10.1016/j.mejo.2007.07.082
Factor de Impacto: 0.919
19. P. Alfaro, M. Cruz y C. Wang
“Theory of Raman Scattering by Phonons in Germanium Nanostructures”
Nanoscale Research Letters 3, 55 (2008). ISSN 1556-276X
doi: 10.1007/s11671-007-9114-0
Factor de Impacto: 2.726
20. A. Miranda, M. Cruz-Irisson, C. Wang
“Modelling of Electronic and Phononic States of Ge Nanostructures”
Microelectronics Journal 40, 439 (2009). ISSN: 0026-2692
doi: 10.1016/j.mejo.2008.06.009
Factor de Impacto: 0.919
21. A. Miranda, R. Vázquez, A. Díaz-Méndez and M. Cruz-Irisson
“Optical matrix elements in tight-binding approach of hydrogenated Si nanowires”
Microelectronics Journal 40, 456 (2009). ISSN: 0026-2692
doi: 10.1016/j.mejo.2008.06.018 Factor de Impacto: 0.919
22. A. Díaz-Méndez, J. V. Marquina-Pérez, M. Cruz-Irisson, R. Vázquez-Medina, J. L. Del-Río-
Correa
“Chaotic Noise MOS Generator based on Logistic Map”
Microelectronics Journal 40, 638 (2009). ISSN: 0026-2692
doi: 10.1016/j.mejo.2008.06.042
Factor de Impacto: 0.912
23. M. Cruz y C. Wang
“Electronic and Vibrational Properties of Porous Silicon”
Journal of Nano Research, 5, 153 (2009). ISSN: 1661-9897
doi:10.4028/0-00000-029-9.153
Factor de Impacto: 0.341
24. A. Miranda, J.L. Cuevas, A. E. Ramos, and M. Cruz-Irisson
“Effects of morphology on the electronic properties of hydrogenated silicon carbide nanowires"
Journal of Nano Research, 5, 161 (2009). ISSN: 1661-9897,
doi: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.5.161
Factor de Impacto: 0.341
25. A. Miranda, J.L. Cuevas, A. E. Ramos, and M. Cruz-Irisson
“Quantum confinement effects on electronic properties of hydrogenated 3C-SiC nanowires”
Microelectronics Journal 40, 796 (2009). ISSN: 0026-2692
doi:10.1016/j.mejo.2008.11.034
Factor de Impacto: 0.919
26. A. Trejo, M. Calvino, M. Cruz-Irisson
“Chemical Surface passivation of 3C-SiC nanocrystals: A first-principles study”
International Journal of Quantum Chemistry 110, 2455 (2010). ISSN (printed): 0020-7608
doi: 10.1002/qua.22647
Factor de Impacto: 1.357
27. Álvaro Miranda-Durán, Xavier Cartoixá, Miguel Cruz Irisson, and Riccardo Rurali
“Molecular Doping and Subsurface Dopant Reactivation in Si Nanowires”
Nano Letters 10 (9), 3590 (2010). ISSN: 1530-6984
doi: 10.1021/nl101894q
Factor de Impacto: 13.025
28. A. Miranda, F. A. Serrano, R. Vázquez-Medina y M. Cruz-Irisson
“Hydrogen Surface Passivation of Si and Ge Nanowires: A Semiempirical approach”
International Journal of Quantum Chemistry 110, 2448 (2010). ISSN (printed): 0020-7608
doi: 10.1002/qua.22753
Factor de Impacto: 1.307
29. P. Alfaro, R. Cisneros, M. Bizarro, M. Cruz-Irisson y C. Wang
“Raman Scattering by Confined Optical Phonons in Si and Ge Nanostructures”
Nanoscale 3, 1246 (2011). ISSN: 0306-0012
doi: 10.1039/c0nr00623h
Factor de Impacto: 6.23
30. A. Trejo, M. Calvino, A. E. Ramos, E. Carvajal y M. Cruz-Irisson
“Theoretical study of the electronic band gap in -SiC nanowires”
Revista Mexicana de Física 57, 22 (2011). http://rmf.fciencias.unam.mx/pdf/rmf-s/57/2/57_2_0022.pdf
ISSN-0035-00IX
Factor de Impacto: 0.366
31. F. A. Serrano, M. Cruz-Irisson y Shi-Hai Dong
“Proper quantization rule as a good candidate to semiclassical quantization rules”
Annalen der Physik, 523, 771 (2011). ISSN: 0003-3804
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Factor de Impacto: 3.048
32. A. Trejo, A. Miranda, A. Díaz-Méndez, M. Cruz-Irisson
“Phonon optical modes and electronic properties in diamond nanowires”
Microelectronic Engineering 90, 92 (2012). ISSN: 0167-9317
doi:10.1016/j.mee.2011.04.052
Factor de Impacto: 1.197
33. A. Trejo, J.L. Cuevas R. Vázquez-Medina, M. Cruz-Irisson
“Phonon band structure of porous Ge from ab-initio supercell calculation”
Microelectronic Engineering 90, 141 (2012). ISSN: 0167-9317
doi:10.1016/j.mee.2011.05.007
Factor de Impacto: 1.197
34. J. A. Martínez-Ñonthe, A. Castañeda-Solís, A. Díaz-Méndez, M. Cruz-Irisson, R. Vázquez-
Medina
“Chaotic block cryptosystem using high precision approaches to tent map”
Microelectronic Engineering 90, 168 (2012). ISSN: 0167-9317
doi:10.1016/j.mee.2011.04.005
Factor de Impacto: 1.197
35. J. López-Hernández, A. Díaz-Méndez, J. L. Del-Río-Correa, M. Cruz-Irisson, R. Vázquez-
Medina
“A current mode CMOS noise generator using multiple Bernoulli maps”
Microelectronic Engineering 90, 163 (2012). ISSN: 0167-9317
doi:10.1016/j.mee.2011.05.009
Factor de Impacto: 1.197
36. Shi-Hai Dong y M. Cruz-Irisson
“Energy spectrum for a modified Rosen-Morse potential solved by proper quantization rule and
its thermodynamic properties”
Journal of Mathematical Chemistry 50, 881 (2012) ISSN: 0259-9791
doi: 10.1007/s10910-011-9931-3
Factor de Impacto: 1.303
37. M. Calvino, A. Trejo, J.L. Cuevas, E. Carvajal, G.I. Duchén, M. Cruz-Irisson
“A Density Functional Theory study of the chemical surface modification of -SiC nanopores”
Materials Science and Engineering B 177, 1482 (2012). ISSN: 0921-5107
doi:10.1016/j.mseb.2012.02.009 Factor de Impacto: 2.122
38. J.L. Cuevas, A. Trejo, M. Calvino, E. Carvajal, M.Cruz-Irisson
“Ab-initio modeling of oxygen on the surface passivation of 3C-SiC nanostructures”
Applied Surface Science 258, 8360 (2012). ISSN: 0169-4332
doi:10.1016/j.apsusc.2012.03.175
Factor de Impacto: 2.538
39. E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson, O. Navarro
“Fe-Mo double perovskite: From small clusters to bulk material” Materials Science and Engineering B 177, 1514 (2012). ISSN: 0921-5107
doi: 10.1016/j.mseb.2012.03.041 Factor de Impacto: 2.122
40. A. Miranda, A. Trejo, E. Canadell, R. Rurali, M. Cruz-Irisson
“Interconnection effects on the electronic and optical properties of Ge nanostructures: A semi-
empirical approach”
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 1230 (2012). ISSN: 1386-9477
doi: 10.1016/j.physe.2012.01.017
Factor de Impacto: 1.52
41. A. Trejo, M. Calvino, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson
“Computational simulation of the effects of oxygen on the electronic states of hydrogenated 3C-
porous SiC”
Nanoscale Research Letter 7, 471 (2012) ISSN: 1556-276X
doi:10.1186/1556-276X-7-471
Factor de Impacto: 2.52
42. E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson and O. Navarro
“First-Principles Study of Fe-Mo Double Perovskites”
Revista Mexicana de Física S 58, 172 (2012). ISSN-0035-00IX
Factor de Impacto: 0.352
43. A. Trejo, M. Cruz-Irisson
“Computational Modeling of the Size Effects on the Optical Vibrational Modes of H-Terminated
Ge Nanostructures”
Molecules 18, 4476 (2013) ISSN: 1420-3049
doi: 10.3390/molecules18044776
Factor de Impacto: 2.428 44. A. Trejo, J.L. Cuevas, F. Salazar, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
“Ab-initio study of anisotropic and chemical surface modifications of β-SiC nanowires”
Journal of Molecular Modeling 19, 2043 (2013). doi: 10.1007/s00894-012-1605-y
ISSN: 0948-5023
Factor de Impacto: 1.797
45. A. Trejo, G.I. Duchen, R. Vázquez-Medina, M. Cruz Irisson
“Anisotropic effects on the radial breathing mode of Silicon nanowires: An ab-initio study”
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 51, 10 (2013). ISSN: 1386-9477
doi: 10.1016/j.physe.2013.02.006
Factor de Impacto: 2.0
46. L. Palacios-Luengas, G. Delgado-Gutiérrez, M. Cruz-Irisson, J.L. Del-Rio-Correa R. Vázquez-
Medina
“Digital noise produced by a non discretized tent chaotic map”
Microelectronic Engineering 112, 264 (2013). ISSN: 0167-9317
doi: 10.1016/j.mee.2013.03.127
Factor de Impacto: 1.569
47. M. Calvino, A. Trejo, M. I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, Eliel Carvajal y M. Cruz-Irisson
“DFT Study of the Electronic Structure of Cubic-SiC Nanopores
with a C-Terminated Surface”
Journal of Nanomaterials 2014, 471351 (2014) ISSN: 1687-4129
doi: 10.1155/2014/471351
Factor de Impacto: 1.644
48. A. Trejo, L. López-Palacios and M. Cruz-Irisson
“Theoretical approach to the phonon modes and specific heat of Germanium Nanowires”
Physica B 453, 14 (2014) ISSN: 0921-4526
doi: 10.1016/j.physb.2014.05.005
Factor de Impacto: 1.327
49. J. Pilo, E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson, O. Navarro
“Interactions among magnetic moments in the double perovskitas Sr2Fe1+xMo1-xO6”
Physica B 455, 103 (2014) ISSN: 0921-4526
doi:10.1016/j.physb.2014.07.057
Factor de Impacto: 1.327
50. A. Miranda, M. Cruz-Irisson y L.A. Pérez “Controlling stability and electronic properties of small-diameter SiC nanowires by
fluorination” International Journal of Nanotechnology 12, 218 (2015) ISSN: 1741-8151
doi: 10.1504/IJNT.2015.067207
Factor de Impacto: 1.144
51. A. Trejo, M. Ojeda, J.L. Cuevas, A. Miranda, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson “Electronic structure and optical vibrational modes of 3C-SiC nanowires” International Journal of Nanotechnology 12, 275 (2015)
doi: 10.1504/IJNT.2015.067212 ISSN: 1741-8151
Factor de Impacto: 1.144
52. C. Ortega Laurel, Dong Shi-Hai, y M. Cruz-Irisson
“Equivalence of a Bit Pixel Image to a Quantum Pixel Image”
Communications in Theoretical Physics 64, 501-506 (2015) doi: 10.1088/0253-6102/64/5/501
ISSN: 0253-6102
Factor de Impacto: 0.893
53. M. Calvino, A. Trejo, M. I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, Eliel Carvajal y M. Cruz-Irisson
“Modelling the effects of Si-X (X=F, Cl) bonds on the chemical and electronic properties
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Theoretical Chemistry Accounts, 135, 104 (2016) doi: 10.1007/s00214-016-1861-5
ISSN: 1432-2234
Factor de Impacto: 2.23
54. A. Trejo, A. Miranda, L.K. Toscano-Medina, R. Vazquéz-Medina, M. Cruz-Irisson
“Optical vibrational modes of Ge nanowires: A computational approach”
Microelectronic Engineering 159, 215 (2016). doi:10.1016/j.mee.2016.04.024
ISSN: 0167-9317
Factor de Impacto: 1.197
55. R. Escamilla, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson, F. Morales, L. Huerta, and E. Verdin
“XPS study of the electronic density of states in the superconducting Mo2B and Mo2BC
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Journal of Materials Science 51, 1-8 (2016) doi: 10.1007/s10853-016-9938-z
ISSN: 0022-2461
Factor de Impacto: 2.371
56. J. Pilo, A. Trejo, E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson, O. Navarro
“Effect of the transition metal ratio on bulk and thin slab double perovskite Sr2FeMoO6”
Microelectronic Engineering 159, 215 (2016) doi:10.1016/j.mee.2016.04.026
ISSN: 0167-9317
Factor de Impacto: 1.197
57. J. Pilo, J. L. Rosas, E. Carvajal y M. Cruz-Irisson
“Electronic and magnetic properties of an iron perovskite slab”
Ferroelectrics 499, 130-134(2016) doi: 10.1080/00150193.2016.1165027
ISSN: 1563-5112
Factor de Impacto: 0.469
58. F. Salazar, L. A. Pérez, M. Cruz-Irisson
“Effects of surface passivation by lithium on the mechanical and electronic properties of silicon
nanowires”
Solid State Communications 247, 6 (2016) doi: 10.1016/j.ssc.2016.08.012
ISSN: 0038-1098
Factor de Impacto: 1.458
59. R. Escamilla, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson, M. Romero, R. Gomez, V. Marquina, D.H. Galvan,
A. Duran
“First-principles study of the structural, elastic, vibrational, thermodynamic and
electronic properties of the Mo2B intermetallic under pressure”
Journal of Molecular Structure 1125, 350 (2016) doi:10.1016/j.molstruc.2016.07.004 ISSN: 0022-2860
Factor de impacto:1.78
60. Carlos Ortega Laurel, Shi-Hai Dong, and M. Cruz-Irisson,
“Steganography on quantum pixel images using Shannon entropy”
International Journal of Quantum Information 14, 1650021 (2016) doi: 10.1142/S0219749916500210
ISSN: 0219-7499
Factor de impacto: 0.877
61. J. Pilo, A. Miranda, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
“Perovskite Type Thin Slabs: A First Principles Study on Their Magnetic and Electronic
Properties”
IEEE Magnetics Letters 7, 1 (2016) doi: 10.1109/LMAG.2016.2604216
Factor de impacto: 1.978
62. A. Miranda, F. De Santiago, M. Cruz-Irisson, y L.A. Pérez López
"Silicon nanowires as potential gas sensors: A density functional study"
Sensors & Actuators: B. Chemical 242, 1246-1250 (2017) doi: 10.1016/j.snb.2016.09.085
ISSN: 0925-4005
Factor de impacto: 4.758
PUBLICACIONES in extenso (indizadas en SCOPUS, etc., como memorias de congresos)
1. C. Wang, O. Navarro, M. Cruz, R. Fuentes y R.A. Barrio,
“Observation of Wave Localization in Penrose Lattices”,
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Editado por P. Jena, et al., NATO ASI Series C, 374, 1013-1018 (1992). ISBN: 0-79231-817-X
2. M. R. Beltrán, J. Tagüeña-Martínez, M. Cruz and C.Wang,
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Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors,
Editado por L. Brus, et al.,
Materials Research Society Symposium Proceeding, 358, 31-36 (1995), ISBN:
3. M. Cruz, M. R. Beltrán, C. Wang y J. Tagüeña-Martínez,
“Quasi-Confinement Effects in Porous Silicon”,
Advanced Luminescent Materials, editado por D.J. Lockwood, et al.,
Electrochemical Society Proceedings 95-25, 94-104 (1996),
ISBN: 1-56677-120-X
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Chemical Engineering, editado por G. Cisneros, et al.
Proceedings of the Third UNAM-CRAY Supercomputing Conference, 314-324 (1997). ISBN: 9-81023-220-9
5. M. Cruz, M. R. Beltrán, C. Wang y J. Tagüeña-Martínez,
“A Microscopic Model for the Dielectric Function of Porous Silicon”
Advances in Microcrystalline and Nanocrystalline semiconductors-1996,
Editado por P. M. Fauchet, et. al.
Materials Research Society Symposium Proceeding 452, 69-74 (1997). ISBN: 1-55899-356-8
6. M. Cruz, M. R. Beltrán, C. Wang y J. Tagüeña-Martínez,
“Theoretical Aspects of Porous Silicon”,
Current Problems in Condensed Matter: Theory and Experiments, editado por Morán-López. Plenum Press, New York, 315-321 (1998),
ISBN: 0-30645-915-9
7. M. Cruz, M. R. Beltrán, C. Wang y J. Tagüeña-Martínez,
“A Tight Binding Model for Optical Properties for Porous Silicon”,
Tight-Binding Approach to Computational Materials Science, editado por P.E.A. Turchi, A. Gonis
y L. Combo.
Materials Research Society Symposium Proceeding 491, 365-370 (1998). ISBN: 1-55899-396-7
8. J. Tagüeña-Martinez, Y.G.Rubo, M.R. Beltrán, C. Wang, M. Cruz,
“Computation of the Porous Silicon Dielectric Function in the Supercell Model and Comparison
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Materials Research Society Symposium Proceedings 579, 231-236 (2000), ISBN: 1-55899-487-4, Code: 579-J
9. M. Cruz, S.F. Díaz, C. Wang, Y.G. Rubo y J. Tagüeña-Martínez
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Koshida, B.E. White, Jr.,
Materials Research Society Symposium Proceedings 638, F5.27.1-F5.27.5 (2001), ISBN: 1-55899-548-X
10. D. Guzmán, U. Corona, M. Cruz
“Propiedades Electrónicas de Nanoestructuras de Silicio” XXIV Congreso Internacional de
Ingeniería Electrónica, Electro 2002;
Volumen XXIV, 611-614 (2002), ISSN 1405-2172
11. Y. G. Gurevich, H. Lohvinov, M. Cruz-Irisson, O. Titov, G. Espejo-Lopez, I. Volovichev
“Electric Current of hot electrons in semiconductors thin films”
Physica Status Solidi C 1, S1, s100-s103 (2004) doi: 10.1002/pssc.200404887
12. U. Corona, M. Cruz, A. Miranda
“Estructura de Bandas Electrónicas de Nanoalambres de Germanio”
XXVI Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica – ELECTRO 2004,
Volumen XXVI, páginas: 253-256 (2004)
(octubre 27-29, 2004), ISSN 1405-2172.
13. Y. Gurevich, H Lohvinov, M. Cruz-Irisson, I. Volovichev, G. Espejo
“Radiation_Stable Photovoltaic Converters Based on In2Te3-Type Semiconductors”
1st International Conference on Electrical and Electronic Engineering and X Conference on
Electrical Engineering (ICEEE),
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(septiembre 8-10, 2004) ISBN: 0-7803-8531-4
doi: 10.1109/ICEEE.2004.1433898
14. M.Cruz, M.R. Beltrán, J. Tagüeña-Martínez
“Porous Silicon: optical properties”
Ediciones Electrónicas de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas Físicas y Naturales 2004, Volumen: ISBN 958-9205-60-7 Obra Completa: ISBN 958-9205-59-3
15. M. Cruz, M.R. Beltrán, C. Wang, J. Tagüeña-Martínez
“Joint Density of States of nanostructures: an application to porous silicon”
Physica Status Solidi (c) 2, No.8, 2966-2969 (2005). doi: 10.1002/pssc.200460748
16. M. Cruz, C. Wang,
“Modeling Raman scattering in porous silicon”,
Physica Status Solidi C 2, No. 9, 3500-3504 (2005) doi: 10.1002/pssc.200461236
17. P. Alfaro, R. Vázquez, I. Lobota, A.E. Ramos, M. Cruz-Irisson,
“A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires”,
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Functional Material 12, No. 4, 674-679 (2005). http://www.isc.kharkov.com/journal/
19. D. Robles, L. Niño de Rivera, V. Ponomaryov, M. Cruz Irisson
“Distributed Retinal Response Model Based on Adaptive System”
Analysis of Biomedical Signal and Images, Editores: Jiří Jan, Jiří Kozumplík, Ivo Provazník,
18-th Biennial International Eurasip Conference, Biosignal 2006, pags. 352-354. ISBN 80-214-3152-0
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20. A. Miranda, D. Guzmán, H.M. Pérez-Meana y M. Cruz-Irisson
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Proceeding of the 2006 International Conference on Electronic Design, editores: V. Champac, J.L.
Huertas, J.A. Díaz, J.C. Sánchez, A. Sarmiento.
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ISBN: 978-1-4244-2284-5
23. V. Golikov, A. Castillejos, O. Lebedeva, V. Ponomaryov, M.Cruz-Irisson
“CFAR Robust of Moving Target in Presence of Fluctuating Background”
12th International Conference on Mathematical Methods in Electromagnetic Theory, MMET 2008. Page (s) 144-146 ISBN: 978-1-4244-2284-5
DOI: 10.1109/MMET.2008.4580918
24. E. Ibarra Olivares, R. Vázquez-Medina, M. Cruz-Irisson y J. L. Del-Río-Correa
“Numerical calculation of the Lyapunov exponent for the logistic map”
12th International Conference on Mathematical Methods in Electromagnetic Theory, MMET 2008. Page (s) 409-411 ISBN: 978-1-4244-2284-5
DOI: 10.1109/MMET.2008.4581011
25. A. Rendón-Nava, L. Niño-de-Rivera-y-O, V. Ponomaryov, M. Cuz Irisson, R Vazquez M
“Intraocular pressure system inside vitreous humor”
12th International Conference on Mathematical Methods in Electromagnetic Theory, MMET 2008. Page (s) 415-417 ISBN: 978-1-4244-2284-5
DOI: 10.1109/MMET.2008.4581013
26. A. Miranda, F.A. Serrano, R. Vázquez-Medina, M. Cruz-Irisson
“Nanoelectronic of Si and Ge: A semi-empirical approximation”
The 52nd IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS 2009)
Página (s) 859-863 ISSN: 1548-3746
ISBN: 978-1-4244-4479-3
INSPEC Accession Number: 10868535 DOI: 10.1109/MWSCAS.2009.5235902
27. R. Vazquez-Medina, A. Díaz-Méndez, M. Cruz-Irisson, J.L. Del-Río-Correa y J. López-
Hernández
“Statistical Criteria of Design for Chaotic Analog Noise Generators”
The 52nd IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS 2009)
Página (s) 152-155 ISSN: 1548-3746
ISBN: 978-1-4244-4479-3
INSPEC Accession Number: 10868535 DOI: 10.1109/MWSCAS.2009.5236131
28. A. Miranda, A.E. Ramos, M. Cruz-Irisson
“Electronic Band Structure of Cubic Silicon Carbide Nanowires”
Materials Science Forum, 600-603, 575-578 (2009). ISSN: 1662-9752
http://www.scientific.net/MSF.600-603.575
Indizada en: SCOPUS
29. E. Ramos-Diaz, M. Cruz-Irisson, L. Nino de Rivera y V. Ponomaryov
“3D Color video conversion from 2D video sequence using stereo matching technique”
The 52nd IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS 2009)
Página (s) 739-742 ISSN: 1548-3746
ISBN: 978-1-4244-4479-3
INSPEC Accession Number: 10868535 DOI: 10.1109/MWSCAS.2009.5235991
30. F.A. Serrano, L. Niño de Rivera, V. Ponomaryov y M. Cruz-Irisson
“Optical vibrational states of diamond nanocrystals”
The 52nd IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS 2009)
Página (s) 864-868 ISSN: 1548-3746
ISBN: 978-1-4244-4479-3
INSPEC Accession Number: 10868535 DOI: 10.1109/MWSCAS.2009.5235903
31. E. Lopez-Delgadillo, J. Díaz-Méndez, M. Garcia-Andrade, R. Vazquez-Medina, M. Cruz-
Irisson,
“A Current Mirror Based Wide Tuning Range Active Resistor in CMOS Technology”
IEEJ International Analog VLSI Workshop 13th Edition, AVLSIWS 2010
8-10 septiembre 2010, Pavia, Italia
Organizado por: The lnstitute of Electrical Engineering of Japan and University of Pavia
Página (s) 199-204.
32. J.A. Martínez-Ñonthe, A. Díaz-Méndez, M. Cruz-Irisson, L. Palacios-Luengas J.L. Del-Río-
Correa, and R. Vázquez-Medina
“Cryptosystem with One Dimensional Chaotic Maps”
4th International Conference, CISIS 2011,
June 8-10, 2011Torremolinos-Málaga, España
Herrero, Álvaro; Corchado, Emilio (Eds.)
Lecture Notes in Computer Science, Vol. 6694, Página (s) 190-197 (2011) ISBN 978-3-642-21322-9
33. E Carvajal, R Oviedo-Roa, M Cruz-Irisson, O Navarro
“On the bonding nature of electron states for the Fe-Mo double perovskite”
7th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD 2011). AIP Conference Proceedings 1598, 18 (2014)
doi: 10.1063/1.4878269 ISBN: 978-0-7354-1232-3
34. A. Trejo, E. Carvajal, R. Vázquez-Medina, y M. Cruz-Irisson
“Electronic states of lithium passivated germanium nanowires: An ab-initio study”
7th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD 2011).
AIP Conference Proceedings 1598, 114 (2014) doi: 10.1063/1.4878289
ISBN: 978-0-7354-1232-3
35. J. Pilo, J. L. Rosas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson and O. Navarro
“Electronic Properties and Magnetic Moment Distribution on Perovskite Type Slabs:
Sr2FeMoO6, SrFeO3 and SrMoO3”
20th International Conference on Magnetism
Physics Procedia 75, 1035 (2015) doi:10.1016/j.phpro.2015.12.172
ISSN: 1875-3892
TRABAJOS PRESENTADOS (en congresos internacionales)
1. “Observation of Wave Localization in Penrose Lattices” C. Wang, O. Navarro, M. Cruz, R. Fuentes, R. A. Barrio,
International Symposium on the Physics and Chemistry of Finite Systems: From Clusters to Crystals,
Richmond, Virginia, U. S.A.
(octubre 8-12, 1991).
2. “Raman Response of Porous Silicon”, Miguel Cruz, Chumin Wang
3th International Conference on Electrical Transport and Optical Properties of Inhomogeneous Media,
Guanajuato, Gto., México,
(agosto 9-13, 1993), Organizado por: CIFMAAC.
3. “Electronic Properties of Porous Silicon” M. R. Beltran, C. Wang, M. Cruz, J. Tagüeña,
CAM94 Physics Meeting, Cancún, Q. Roo, México,
(septiembre 26-30, 1994). Organizado por: Sociedad Mexicana de Física
4. “Electronic Properties of Porous Silicon” M. R. Beltran, J. Tagüeña, M. Cruz, C. Wang,
Materials Research Society 1994 Fall Meeting, Boston, Mass., USA,
(noviembre 28 – diciembre 2, 1994), Organizado por: Materials Research Society
5. “Band Structure of Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,
1995 March Meeting of the American Physical Society, San José, California, USA, (marzo 20-
24,1995), Organizado por: American Physical Society
6. “Raman Response and Band Structure of Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, J. Tagüeña, C. Wang,
IV International Conference on Advanced Materials, Cancún, Q. Roo, México
(agosto 27-Sept. 1, 1995), Organizado por: IUMRS
7. “Quasi-Confinement Effects in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,
188th Meeting of the Electrochemical Society, Chicago, Illinois, USA,
(octubre 8-13, 1995),
Organizado por: Electrochemical Society
8. “Characterization of Pore Morphology in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,
Material Research Society 1996, Spring Meeting, San Francisco, Ca., USA,
(abril 8-12, 1996),
Organizado por: Materials Research Society.
9. “Oscillator Strength Analysis on Quasi-confinement in Porous Silicon” M. R. Beltran, C. Wang, M. Cruz, J. Tagüeña,
International School of Solid States Physics, 9th Workshop, Erice, Sicilia, Roma,
(june 10-14, 1996). Organizado por: EPS, GNSM/CNR, MURST
10. “Quasi-Confinement, Localization and Optical Properties in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,
European Materials Research Society 1996 Spring Meeting, Strasbourg, Francia,
(junio 4-7, 1996), Organizado por: European Materials Research Society
11. “Efficient Non-Vertical Interband Transitions in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,
4th Intl. Conf. On Electrical Transport and Optical Properties of Inhomogeneous Media, Sn. Petersburgo-
Moscú, Rusia,
(Julio 23-30, 1996), Organizado por: Russian Academy of Sciences
12. “Computational Modeling of Electronic and Optical Properties in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,
3rd UNAM-CRAY Supercomputing Conference, México, D. F., México,
(agosto 13-16, 1996), Organizado por: UNAM
13. “Analysis of Interband Transition Calculations of Porous Silicon” M. R. Beltran, M. Cruz, C. Wang, J. Tagüeña,
International Symposium on Solar Energy Materials, Cancún, Q. Roo, México, (septiembre 2-6, 1996), Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales
14. “A Microscopic Model for the Dielectric Function of Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,
Materials Research Society 1996 Fall Meeting, Boston, Mass., USA,
(diciembre 2-6, 1996). Organizado por: Materials Research Society
15. “Theoretical Aspects of Porous Silicon” M. R. Beltran, C. Wang, M. Cruz, J. Tagüeña,
International Workshop on the Current Problems in Condensed Matter: Theory and Experiments, Hotel
Hacienda Cocoyoc, Morelos, México,
(enero 5-9, 1997), Organizado por: CONACyT-SEP
16. “A Computing Model for Porous Silicon” M. R. Beltran, M. Cruz, C. Wang, J. Tagüeña,
International Materials Research Congress, Cancún ´97, Cancún, Q. Roo, México, (septiembre 1-4,
1997), Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales
17. “A Tight Binding Model for Optical Properties for Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,
Materials Research Society 1997 Fall Meeting, Boston, Mass., USA,
(diciembre 1-5,1997), Organizado por: Materials Research Society
18. “Excited States in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,
XIV Simposio Latinoamericano de Física del Estado Sólido: Leo Falicov, Oaxaca, Oax. México,
(enero 11-16, 1998), Organizado por: FELASOFI
19. “Electronic and Optical Properties of Porous Silicon” M. R. Beltran, M. Cruz, C. Wang, J. Tagüeña,
Reunión de Inverno 1998: New Horizons in Materials Science, Juriquilla, Qro. México, (enero 27-30,
1989), Organizado por: IIM-UNAM
20. “Interband Transitions in Undulating Silicon Quantum Wires and Optical Properties of Porous
Silicon” Yuri G. Rubo, J. Tagüeña, M. R. Beltran, M. Cruz, C. Wang,
American Physical Society : 1998 March Meeting, Los Angeles, Ca. USA,
(marzo 16-20, 1998), Organizado por: American Physical Sosciety
21. “Optical Absorption in Porous Silicon” C. Wang, M. Cruz, M. R. Beltran, J. Tagüeña,
Porous Semiconductor Science and Technology, Mallorca, Spain,
(marzo 16-20, 1998), Organizado por: Universidad Técnica de Valencia
22. “Recombination Rate in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,
III Encuentro Internacional de Físicos de la Región Inca, Cusco, Perú,
(junio 15-20, 1998), Organizado por: Universidad Nacional de San Antonio Abad del Cusco
23. “Tight-binding Description of Disordered Nanostructures: an Application to Porous Silicon”, J. Tagüeña, Yuri G. Rubo, M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang,
Ninth International Conference on Solid Films Surfaces (ICSFS-9), Copenhague, Dinamarca,
(Julio 6-10, 1998), Organizado por: University of Copenhagen
24. “Electronic States and Optical Spectra in Porous Silicon”, M. Cruz, C. Wang, M. R. Beltran, Yuri G. Rubo, J. Tagüeña,
International Materials Research Congress, Cancún, México
(agosto 30-septiembre 4, 1998), Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales
25. “Dielectric Function of Porous Silicon within the Supercell Model” J. Tagüeña, Yuri G. Rubo, M. R. Beltran, C. Wang, M. Cruz,
1999 March Meeting of the American Physical Society, Atlanta, G. USA,
(marzo 22-26, 1999), Organizado por: American Physical Society
26. “Semiempirical Supercell Approach to Calculate the Interband Optical Transitions in Porous
Silicon” M. Cruz, C. Wang, M. R. Beltran, Yuri G. Rubo, J. Tagüeña,
International Materials Research Congress, Cancún, Q. Roo, México,
(agosto 29- septiembre 2, 1999), Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales
27. “Supercell Approach to Calculate the Dielectric Function of Porous Silicon” M. Cruz, C. Wang, M. R. Beltran, Yuri G. Rubo, J. Tagüeña,
15th Latinamerican Symposium on Solid State Physics ( SLAFES-XV), Cartagena, Col. (noviembre 1-5,
1999), Organizado por: Sociedad Colombiana e Física
28. Computation of the Porous Si Dielectric Function in the Supercell Model and Comparison with
Experiment” J. Tagüeña, Yuri G. Rubo, M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang,
Materials Research Society 1999 Fall Meeting, Boston, Mass., USA,
(noviembre 29-diciembre 3, 1999),
Organizado por: MRS
29. “A Theoretical Study for the Dielectric Constant of Porous Silicon” M. Cruz, C. Wang, M. R. Beltran, J. Tagüeña, Yuri G. Rubo,
Porous Semiconductors Science and Technology, Madrid España,
(marzo 12-17,2000),
Organizado por: Universidad Politécnica de Valencia
30. “Efectos de la Superficie en las Propiedades Ópticas del Silicio Poroso”
M. Cruz-Irisson
VII Encuentro Nacional de Óptica, Armenia, Colombia,
(septiembre 25-29, 2000), Organizado por: Universidad del Quindío
31. “Quantum Effects on the Dielectric Function of Porous Silicon” M. Cruz, C. Wang, J. Tagüeña, Yuri G. Rubo,
Materials Research Society 2000, Fall Meeting, Boston, Ma., USA
(noviembre 27- Diciembre 1, 2000), Organizado por: Materials Research Society
}
32. “Phonon and Raman Scattering in Porous Silicon” M. Cruz, C. Wang,
5th International Conference on Theoretical and Computational Acoustics (ICTCA’2001), Beijing, China;
(mayo 21,25, 2001), Organizado por: Academia de Ciencias de China
33. “Quantum and Effective Medium Approaches to the Surface Effects in Porous Silicon”
M. Cruz, S. F. Díaz, C. Wang, J. Tagüeña, Yuri G. Rubo, Congreso Latinoamericano de Ciencias y Superficies (CLACSA X), San José, Costa Rica
(julio 3-6, 2001), Organizado por: Universidad de Costa Rica
34. “Propiedades Fonónicas del Silicio Poroso” M. Cruz, C. Wang,
III Congreso de la Sociedad Venezolana de Física, Caracas, Venezuela
(diciembre 10-14, 2001), Organizado por: Sociedad Venezolana de Física
35. “Supercell Approach to the Electronic, Optical, and Vibrational Properties of Porous Silicon”
M. Cruz, C. Wang, J. Tagüeña, Yuri G. Rubo,
3d International Conference Porous Semiconductors –Science and Technology (PSST-2002), Puerto de la
Cruz, Tenerife, España
(marzo 10-15, 2002), Organizado por: Universidad Politécnica de Valencia
36. “Electronic States and Optical Transitions Properties of Silicon Nanocrystals”
D. Guzmán, R. Vázquez, M. Cruz, 12th General Conference of the European Physical Society (EPS-12), Budapest, Hungría,
(agosto 26-30, 2002), Organizado por: European Physical Ssociety
37. “Optical Properties of Silicon Nanocrystals” M. Cruz, D. Guzmán, U. Corona
International Conference on Luminiscence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL-02), Budapest,
Hungría,
(agosto 24-29, 2002), Organizado por: Technion-Israel Institute of Technology
38. “Propiedades Electrónicas de Nanoestructuras de Silicio” D. Guzmán, U. Corona, M. Cruz,
XXIV Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica (Electro-2002), Chihuahua, Chih., México,
(octubre 21-25, 2002). Organizado por: Instituto Tecnológico de Chihuahua
39. “A Semi-Empirical Tight-Binding Theory of the Dielectric Constant of Silicon Quantum Wires” D. Guzmán, U. Corona, M. Cruz,
The XXIII Conference on Solid State Science & Workshop on Physics and Application Potential of Functional
Ceramic Thin Films, Sharm El-Sheikh, Sinai, Egipto, (septiembre 28 – octubre2, 2002),
Organizado por: The Egyptian of Solid State Science and Applications
40. “Propiedades Vibracionales del Silicio Poroso” M. Cruz, C. Wang,
XVI Simposio Latinoamericano de Física del Estado Sólido, Mérida, Venezuela, (Diciembre 2-5, 2002), Organizado por: Sociedad Venezolana de Física
41. “Computational modeling of electronic properties of germanium nanocrystals” M. Cruz, U. Corona, P. Alfaro,
21st European Crystallographic Meeting, Durban, South Africa,
(agosto 24-29, 2003), Organizado por: European Crystallographic Society
42. “Electric current of hot electrons in semiconductors thin films” Y. Gurevich, H Lohvinov, M. Cruz-Irisson, O. Titov, G. Espejo,
XI Latin American Congress of Surface Science and its Applications, Pucon, Chile,
(diciembre 7-12, 2003), Organizado por: Universidad Técnica Federico Santa María
43. “Optical matrix elements in tight-binding calculation applied to Ge nanostructures” M. Cruz-Irisson, D. Guzmán, V. Rashkovan,
Twelfth International Workshop on the Physics of Semiconductors Devices, Madras-Chennai, India,
(diciembre 16-20, 2003), Organizado por: Indian Institute of Techonology Madras
44. “Modeling of Raman Scattering in Porous Silicon” M. Cruz, C. Wang,
4-th International conference Porous Semiconductors-science and Technology,
Cullera-Valencia, España,
(marzo 14-19, 2004), Organizado por: Universidad Politécnica de Valencia
45. “Theoretical approach of the electronic and optical properties of Ge nanowires” M. Cruz-Irisson
Pacific Rim conference in Nano Science,
Broome, Western Australia,
(septiembre 7-12, 2004), Organizado por: Curtin University of Technology
46. “Radiation_Stable Photovoltaic Converters Based on In2Te3-Type Semiconductors” Y. Gurevich, H Lohvinov, M. Cruz-Irisson, O. Volovichev, G. Espejo,
1st International Conference on Electrical and Electronic Engineering and X Conference on Electrical
Engineering,
Acapulco, Gro. México,
(septiembre 8-10, 2004) ISBN: 0-7803-8531-4
DOI:10.1109/ICEEE.2004.1433836
Organizado por: IEEE-CINVESTAV
47. “Estructura de Bandas Electrónicas de Nanoalambres de Germanio” U. Corona, M. Cruz, A. Miranda,
XXVI Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica – ELECTRO 2004,
Chihuahua, Ch.
(octubre 27-29, 2004), Organizado por: Instituto Tecnológico de Chihuahua
48. “Hydrogenated Ge Nanocrystals: Band Gap Evolution with Increasing Size” P. Alfaro, A. Miranda, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson,
12th Brazilian Workshop on Semiconductors Physics, BWSP-12,
San José Dos Campos, SP, Brasil,
(Abril 4-8, 2005) Organizado por: Sociedad Brasileira de Física
49. “A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires”, Miranda, R. Vázquez, I. Lobota, M. Cruz-Irisson,
“Quantum confinement effects in Ge nanocrystals”, P. Alfaro, L. Niño de Rivera, V. Rashkovan, M. Cruz-Irisson
International Conference Crystals Materials ´2005´,
Kharkov, Ucrania,
(mayo30-junio2, 2005), Organizado por: Nacional Academy of Sciences Ukraine
50. “Espectro disperso para canales subliminales esteganográficos (CSE)” C. Ortega-Laurel, R. Vázquez-Medina, M. Cruz-Irisson y R.A. Valverde-Domínguez
3er Congreso Iberoamericano de Seguridad Informática (CIBSI),
Valparaíso, Chile,
(noviembre 21-25, 2005) Organizado por: Universidad Técnica Federico Santa María.
51. “Tight-binding calculations on the electronic properties of silicon nanocrystals”, A. Miranda, P. Alfaro, G. Logvinov, M. Cruz-Irisson, A. E. Ramos,
“Surface heat capacity and surface heat impedance”, Y. G. Gurevich, G. Logvinov, M. Cruz-Irisson, Igor. M. Lashkevish
Latin American Congress of Surface Science and its Applications, 12º CLACSA,
Angra dos Reis, RJ, Brasil,
(diciembre 5-9, 2005), Organizado por: Sociedad Brasileira de Física
52. “The one phonon Raman spectrum of silicon nanostructures”, P. Alfaro, M. Cruz, C. Wang,
NanoSingapore 2006 IEEE Conference on Emerging Technologies-Nanoelectronics Meritus-Mandarin, Singapore,
(enero 10-13, 2006). Organizado por: IEEE-Institution of Engineers Singapore
53. “A comparative study of ab-initio and tight-binding approaches to porous semiconductors” M. Cruz, L.A. Pérez, C. Wang
5-th International conference Porous Semiconductors-science and Technology (PSST 2006),
Barcelona, España,
(marzo, 2006) Organizado por: Universidad Politécnica de Valencia
54. “Ab-initio and tight-binding studies of porous Si and Ge” M. Cruz, L.A. Pérez, C. Wang
“Computational modeling of electronic and optical properties of germanium nanowires D. Guzmán, P. Alfaro, M. Cruz-Irisson
International Conference on Nanostructured Materials (NANOMAT 2006),
Antalya, Turquía
(junio 21-23, 2006) Organizado por: METU-Center, Middle East Technical University y European Nanotechnology Gateway
55. “Density of States of Germanium Quantum Wells” A. Miranda, M. Cruz-Irisson,
“Electronic properties of silicon quantum Wells” D. Guzmán, M. Cruz-Irisson
XV International Materials Research Congress (IMRC 2006)
Cancún, Q. Roo, México
(agosto 20-24, 2006) Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales, A.C.
56. “Semiempirical supercell approach to calculate the electronic and optical properties of Si
quantum wires” D. Guzmán, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson
“A comparative study of ab-initio and tight-binding approaches to porous semiconductors” M. Cruz, L. A. Pérez, C. Wang
XVIII Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES 06) Puebla, Pue., México
(noviembre 20-24, 2006) Organizado por: Instituto de Física-BUAP, IIM-UNAM
57. “Computational modeling of electronic density of states of silicon nanowires” A. Miranda, D. Guzmán, H.M. Pérez-Meana y M. Cruz-Irisson
2nd International Conference on Electronic Design (ICED2006) Veracruz, Ver., México.
(Noviembre 21-23, 2006) Organizado por: INAOE, IEEE
58. “One-Dimensional Electronic States on the Silicon Carbide Nanocrystals” D. Guzmán, A. Miranda, P. Alfaro, and M. Cruz-Irisson
Advanced Materials and Nanotechnology (AMN-3)
Wellington, New Zealand,
(11-16 febrero, 2007), Organizado por: The MacDiarmid Institute
59. “Electronic and Optical Properties of Ordered Porous Germanium” D. Guzmán, M. Cruz, C. Wang
“Vibrational status in Low-dimensional Structures: An Application to Si Quantum Wires” P. Alfaro, M. Cruz, C. Wang
The Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD 2007)
San Andrés, Colombia,
(15-20 abril, 2007) Organizado por: Nottingham University, UK; CINVESTAV-México; U. del Valle, Colombia.
60. “Vibrational Properties of Birefringent Porous Silicon”
P. Alfaro, M. Cruz, C. Wang
2nd International Conference on Surfaces, Coatings and Nanostructured Materials Alvor, Algarve, Portugal
(9-11 julio 2007) Organizado por: University of Aveiro
61. -SiC Nanostructures: Evolution band gap with increasing size J.L. Cuevas, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson;
Theoretical study of optical transition in Ge nanostructures A. Miranda and M. Cruz-Irisson;
Phonon confinement effects in Ge nanowires P. Alfaro, M. Cruz, C. Wang
Aproximación de dos temperaturas aplicada al Enfriamiento Termoeléctrico en la unión de las
aleaciones de Bi2Te3 y Sb2Te3;
F. A. Serrano Orozco, H. Lohvinov, M. Cruz International Congress Materia 2007
Morelia, Mich.
(7-12 octubre, 2007) Organizado por: IIM-UNAM, UMSNH.
62. “Band Gap Evolution of Hydrogenated Porous Silicon Carbide” A. Miranda, J.L. Cuevas and M. Cruz-Irisson
“Raman Scattering from Phonons in Germanium Nanostructures” P. Alfaro, M. Cruz, and C. Wang
XVI International Materials Research Congress IMRC-2007 Cancun, Q. Roo,
(19-23 agosto, 2007). Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales, A.C.
63. “Semi-empirical calculations of the optical matrix elements: An application to Ge nanowires” A. Miranda, L.A. Pérez, and M. Cruz-Irisson;
“Quantum confinement effects on electronic properties of hydrogenated -SiC nanowires” A. Miranda, L.A. Pérez, and M. Cruz-Irisson.
Latin American Congress of Surface Science and its Applications CLACSA XIII
Santa Marta, Colombia,
(3-7 diciembre, 2007). Organizado por: Angela S.Camacho B., Universidad de los Andes, Bogotá-Colombia,
64. “Modelling of Electronic and Phononic States of Ge Nanostructures” A. Miranda, M. Cruz-Irisson y C. Wang
“Optical matrix elements in tight-binding approach of hydrogenated Si nanowires A. Miranda, R. Vázquez, A. Díaz-Méndez y M. Cruz-Irisson
“Chaotic Noise MOS Generator based on Logistic Map” A. Díaz-Méndez, J. V. Marquina-Pérez, M. Cruz-Irisson, R. Vázquez-Medina, J. L. Del-Río-Correa
Workshop on Recent Advances of Low Dimensional Structures and Devices Nottingham, Inglaterra
(7-9 April 2008), Organizado por: School of Physics & Astronomy, University of Nottingham
65. “Dielectric function in semi-empirical tight-binding theory applied to crystalline diamond” Miranda, A., Ponomaryov, V., de Rivera, L. Nino, Vazquez, R., Cruz-Irisson, M.
12th International conference on Mathematical methods in electromagnetic theory, MMET 2008 Odesa, Ucrania
(29 Junio -2 julio, 2008) Organizado por: Nacional Academy of Sciences Ukraine.
66. “Quantum confinement effects on the electronic and phonon states in diamond nanowires” L. A. Boisson, P. Alfaro, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson
19th European on diamond, diamond-like materials, carbon nanotubes and nitrides, DIAMOND
2008,
Sitges, España
(7-11 septiembre, 2008) Organizado por: ELSEVIER
67. “Tight-binding calculations of the optical matrix: An application to Ge quantumwires” A. Miranda, M. Cruz-Irisson,
“Quantum confinement effects on electronic properties of hydrogen 3C-SiC nanowires” A. Miranda, A.E. Ramos y M. Cruz-Irisson,
15th International conference on superlattices, nanostructures and nanodevices (ICSNN 2008) Natal, Brasil
(Agosto 3-8, 2008) Organizado por: Universidade Federal do Ceará (Brazil)
68. “Electronic and optical properties of Ge nanostructures: an ab-initio study”
A. Miranda, M. Cruz-Irisson y C. Wang XVII International Materials Research Congress
Cancún, Q. Roo, México
(Agosto, 2008) Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales
69. “Confinement and morphological effects on the Raman response of porous silicon: theory and
experiment”
Adriana Cazares, Monserrat Bizarro, Miguel Cruz-Irisson, Chumin Wang
E-MRS 2008 Fall Meeting, Varsovia, Polonia
(Septiembre 15-19, 2008)
Organizado por: E-MRS
70. “Phonon confinement effects on optical modes of diamond nanowires” F. A. Serrano, P. Alfaro, L. A. Boisson, and M. Cruz-Irisson
The International Conference for Nanotechnology Industries,
Riyadh, Arabia Saudita,
(5-7 abril, 2009) Organizado por: King Saud University, King Abdullah Institute for Nanotechnology
71. “A first principle study of the electronic states of hydrogenated β-SiC nanowires” A. E. Ramos, M. Calvino, and M. Cruz-Irisson.
“A microscopic supercell model for the dielectric function of germanium nanowires”
F. A. Serrano, A. Trejo, and M. Cruz-Irisson
Nano and Giga Challenges, in electronic, photonics and renewable energy & 14th Canadian semiconductor technology conference
Hamilton, Ontario, Canada
(10-14 agosto, 2009). Organizado por: McMaster University
72. “Electronic and optical properties of germanium nanostructures: an ab-initio study”
A. Miranda, M. Cruz-Irisson y C. Wang
2009 Villa conference on interactions among nanostructures (VC-IAN) Ritz Carlton, St.Thomas, Islas Vírgenes, USA
(6-11 septiembre, 2009)
Organizado por: Arkansas University
73. “Tight-binding modeling of electronic states in hydrogenated diamond nanowires”
F. A. Serrano and M. Cruz-Irisson
“Size effects in Raman scattering of diamond nanowires: A theoretical approach”
F. A. Serrano and M. Cruz-Irisson
International conference on carbon nanostructured materials-CNANO´09 Santorini, Grecia
(4-8 octubre, 2009)
Organizado por: Theoretical & Physical Chemistry Institute, National Hellenic Research Foundation
74. “Theory of Raman scattering of confined optical phonons in Si and Ge nanostructures” P. Alfaro, M. Cruz-Irisson, and C. Wang
The 13th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter Taipei, Taiwan
(19-23 abril, 2010) Organizado por: National Taiwan University
75. “Theoretical study of the vibrational and electronic properties in diamond nanostructures”
F. A. Serrano, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson,
“The effects of Lithium on the surface passivation of Ge nanowires” J. Tokunaga, A. Trejo, E. Carvajal, and M. Cruz-Irisson
“Electronic and optical properties of hydrogenated 3C-SiC nanowires” J.L. Cuevas, M. Calvino, and M. Cruz-Irisson
NANOTECHSAMN, Seven International Topical Meeting on Nanostructured Materials and
Nanotechnology
76. “Theoretical study of Infrared and Raman response of ordered porous germanium” A. Trejo, F. A. Serrano, and M. Cruz-Irisson
International Materials Research Congress (IMRC XIX)
Cancún, Q. Roo, México
(15-19 agosto, 2010) Organizado por: Sociedad Mexicana de Materiales, A.C.
77. “First-Principles Study of Fe-Mo Double Perovskites” E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson and O. Navarro
IX Latin American Workshop on Magnetis, Magnetic Materials and their Applications Manizales, Colombia
(22-24 julio, 2010)
Organizado por: Universidad Nacional de Colombia.
78. “Effects of the Molecular Doping and Quantum Confinement on the Electronic Properties of
Silicon Nanowires” A. Miranda, X. Cartoixà, M. Cruz-Irisson, and R. Rurali
“Raman scattering in nanostructured semiconductors: an application to Si and Ge” P. Alfaro, R. Cisneros, M. Bizarro, M. Cruz-Irisson and C. Wang
Surface passivation and anisotropic effects in β-SiC nanostructures from first principles J.L. Cuevas, A. Trejo, M. Calvino, and M. Cruz-Irisson
15th International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters (ISSPIC-XV), Oaxaca, Oax.
(19-24 septiembre, 2010)
Organizado por: Instituto de Física-UNAM.
79. “Phonon band structure of porous Ge from ab-initio supercell calculation”
A. Trejo, R. Vázquez-Medina, & M. Cruz-Irisson
“Phonon optical modes and electronic properties in diamond nanowires” A. Trejo, A. Miranda, A. Díaz-Mendez & M. Cruz-Irisson
4th International conference Micro & Nano 2010 on Micro-Nanoelectronics, Nanotechnologies & MEMs Atenas, Grecia
(12-15 diciembre, 2010)
Organizado por: Institute of Microelectronics: NCSR “Demokritos”
80. “Density functional theory study of lithium defects on hydrogenated Germanium nanowires”
J. L. Cuevas, A. Trejo, E. Carvajal, and M. Cruz-Irisson
“Anisotropy effects on the electronic states of porous β-SiC” J. L. Cuevas, A. Trejo, and M. Cruz-Irisson
NANOTECH 2011
Tuxtla Gtz, Chiapas, México
(22-25 mayo, 2011)
Organizado por: Centro de Investigaciones en Óptica (CIO), UNACH.
81. “On the Bonding Nature of Electron States for the Fe-Mo Double Perovskite” E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson and O. Navarro
Electronic States of Lithium Passivated Germanium Nanowires: An ab-initio Study A. Trejo, J. L. Cuevas, E. Carvajal, M Cruz-Irisson
“Digital Noise Generators Using One-Dimensional Chaotic Maps” J.A Martínez-Ñonthe, L. Palacios-Luengas, M. Cruz-Irisson, J. A. Díaz Méndez, and R. Vazquez Medina
7th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD 2011) Telchac, Yucatán, México
(22-27 May, 2011)
Organizado por: Dpto. de Física, CINVESTAV-DF
82. “Infrared and Raman responses of germanium nanostructures from ab-initio calculations” A. Trejo, E. Carvajal y M. Cruz-Irisson
Fe-Mo Double Perovskite: from Small Clusters to Bulk Material E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson y O. Navarro
XX International Materials Research Congress (IMRC 2011)
Cancún, Q. Roo, México
(14-19 agosto, 2011) Organizado por: Sociedad Mexicana de Ciencia de Materiales, A.C.
83. “Effect of lithium surface passivation on electronic states of Ge nanowires: A density-functional theory
study” A. Trejo, J. L. Cuevas, E. Carvajal, and M. Cruz-Irisson
VII International workshop on semiconductor surface passivation (SSP 2011)
Cracovia, Polonia
(11-15 septiembre, 2011)
Organizado por: Silesian University of Technology
84. “Modeling of anisotropic and phonon confinement effects in Ge nanowires” A. Trejo and M. Cruz-Irisson
International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2011)
Jeju, Korea (7-10 noviembre, 2011)
Organizado por: The Korean Institute of electrical and Electronic Material engineers (KIEEME)
85. “Chemical passivation effects on the electronic and optical properties of porous Ge: an ab-initio study”
A. Trejo, M. Cruz-Irisson and C. Wang
86. “Ab-initio study of anisotropic and chemical surface modifications of β-SiC nanostructures”
J. L. Cuevas, A. Trejo and M. Cruz-Irisson
XXXVII Congreso de Químicos Teóricos de Expresión Latina, QUITEL 2011
Riviera Maya, México; 4-9 de diciembre, 2011
Organizado por: Gabriel Merino, Universidad de Guanajuato
87. “DFPT and Green’s function approaches to the Raman scattering in nonpolar porous semiconductors”
A. Trejo, P. Alfaro, M. Cruz-Irisson, y C. Wang
“Computational simulation on the effects of Oxygen on Electronic Sates of Hydrogenated 3C-porous-SiC”
M. Calvino, A. Trejo, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson
Porous Semiconductors - Science and Technology Conference, PSST-2012
Málaga, España, 25-30 de marzo, 2012
Organizado por: Instituto de Materiales, Universidad de Valencia
88. “Raman Scattering of Nonpolar Nanoporous Semiconductors From First Principles and Green’s
Function Approaches”
A. Trejo, P. Alfaro, M. Cruz-Irisson, y C. Wang
First International Symposium on Nanoscience and Nanomaterials Ensenada, México, 2-16 de marzo 2012
Organizado por: Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM
89. “Green's function and first principles simulations of Raman scattering in Si and Ge nanoestructures”
A. Trejo, P. Alfaro, M. Cruz-Irisson, y C. Wang
Physics Boat workshops 2012 Helsinki-Estocolmo, 15-17 de mayo 2012
Organizado por: Universidad de Aalto, Helsinki, Finlandia
90. “First principles study on the electronic and structural properties of Porous 3C-SiC: Role of the dangling
bonds”
A. Trejo, M. Calvino, E. Ramos, y M. Cruz-Irisson
“Anisotropic effects on the radial breathing mode of Silicon nanowires: An ab initio study” A. Trejo, M. Ojeda and M. Cruz-Irisson
“Surface dangling bonds effects on the electronic states of hydrogenated 3C-SiC nanowires”
A. Trejo, J.L. Cuevas, F. Salazar,
“Bio-octahedral clusters from Fe-Mo double perovskitas: stability of the half-metallic electronic
behavior”
S.E. Pérez, E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, G.I. Duchen, M. Cruz-Irisson, M. Cruz-Irisson
XXI International materials research congress
Cancún, México, 12-17 de agosto 2012 Organizado por: Materials Research Society México Cancun
91. “Analysis of a double perovskite: From Fe and Mo octahedral coordinated clusters”
O. A. Cruz, J. Pilo, E. Carvajal, F. Salazar, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson
International Joint meeting Morelia 2013
92. “Surface relaxation and oxygen adsorption behavior of 3C-SiC Porous: an ab-initio study”
M. Calvino, M. I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, I. Rodriguez, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
Evento: Quitel 2012
Lugar de realización: Chiapas, México
Fecha de realización: 24-28 de septiembre 2012
Organizado por: Sociedad mexicana de ciencia y tecnología de materiales A. C.
93. “Theoretical investigations of Silicon Carbide nanowires: anisotropy, geometry, surface modification and electronic
states”
A. Trejo, M. I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, I. Rodriguez, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
Evento: Fifth edition of the International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum
Lugar de realización: Chiapas, México
Fecha de realización: 24-28 de septiembre 2012
Organizado por: Sociedad mexicana de ciencia y tecnología de materiales A. C.
94. “Crystalline order and bonding states in the Fe-Mo double Perovskite”
E. Carvajal Quiroz, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson, O. Navarro
Evento: Fifth edition of the International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum
Lugar de realización: Natal, Brazil
Fecha de realización: 2-7 de diciembre 2012
Organizado por:Dr. Elson Longo, Universidad Paulista Brazil, Chairman
“Ab-initio study of cubic-SiC nanopores: chemical surface modification and electronic structure”
A. Trejo, M. Calvino, M. I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, I. Rodriguez, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
Evento: Quitel 2012
Lugar de realización: Natal, Brazil
Fecha de realización: 2-7 de diciembre 2012
Organizado por: Dr. Elson Longo, Universidad Paulista Brazil, Chairman
95. “Theoretical study of the effects of oxygen and hydroxyl on the surface passivation of ordered mesoporous silicon
carbide”
M. Calvino, A. Trejo, E. Carvajal, F. Salazar, y M. Cruz-Irisson
“Analysis of a double perovskite: From Fe and Mo octahedral coordinated clusters”
O. A. Cruz, J. Pilo, E. Carvajal, F. Salazar, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson
Evento: Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and nanomaterials
Lugar de realización: Sorrento, Italia Fecha de realización: 3-7 de marzo 2013
organizado por: Elsevier
96. “Modeling of the surface passivation and size effects on the optical vibrational modes of Ge nanostructures”
Autores: A. Trejo, M. Ojeda, y M. Cruz-Irisson
“Vibrational characterization of Si nanowires and the effect of the anisotropy on their radial breathing mode”
A. Trejo, M. Ojeda, y M. Cruz-Irisson
Evento: International multidisciplinary joint meeting on Nanoscience and Condensed matter
physics 2013
Lugar de realización: Morelia, México Fecha de realización: 15-17 de mayo 2013
Organizado por: Dr. Oracio Navarro, UNAM, Chairman
Falta agregar congresos del 2013 al 2016.
97. "Nanoporous Sr2Fe1+xMo1-xO6: An Ionic Diffusion Model"
E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson, O. Navarro,
2015 Materials Research Society Spring Meeting
Abril 6-10, 2015, San Francisco, CA, USA.
98. “Anisotropic effects on the optical vibrational modes of Ge”
A. Trejo, R. Vásquez-Medina, M. Cruz-Irisson
“Effect of the transition metal ratio on the double perovskite Sr2FeMoO6 bulk material and
a thin slab”
J. Pilo, E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson, O. Navarro
6th international conference Micro&Nano 2015
Octubre 4-7, 2015, Atenas, Grecia
Organizado por NCSR “Demokritos”
99. “Modelling the effects of Si-X (X=F, Cl ) bonds on the chemical and electronic properties of Si-
surface terminated porous 3C-SiC” M. Calvino, A. Trejo, I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, M. Cruz-Irisson
“Pristine perovskite like structured nanowires excited from Sr2FeMo6” J. Pilo, E. Carvajal, R. Vázquez-Medina, M. Cruz-Irisson, M. I. Iturrios and M. C. Crisóstomo
“Diffusion Path in the Sr-Fe-Mo-O Compounds used for Energy Generation by SOFCs” J. L. Rosas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson, M. I. Iturrios and M. C. Crisóstomo
“Electronic properties of silicon nanowires saturated with sodium” Miranda, M. Cruz-Irisson, L. A. Pérez
“Theoretical study of the electronic properties of semiconductor nanowires as anodes for lithium
batteries” F. Salazar, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson and L. A. Pérez
Congreso Internacional de Energía 2015
Septiembre 7-11, 2015, Distrito Federal, México
Organizado por la Academia Mexicana de Energía A.C.
100. “Estudio teórico de las propiedades térmicas en sistemas de baja dimensionalidad, usando
el formalismo de Landauer y la función de Green” A. Herrera Carbajal, F. Mendoza Villegas, S. Peláez Martínez, F. Salazar Posadas, M. Cruz-Irisson
“Propiedades mecánicas en Silicio y Germanio cristalino con Litio intersticial: un estudio para
electrodos en baterías de Litio” S. Benítez, F. Salazar, M. C. Crisóstomo, M. Cruz-Irisson
5Th International Congress on Alternative Energies
Noviembre 25-27, 2015, Distrito Federal, México
Organizado por Instituto Politécnico Nacional, Secretaría de Investigación y Posgrado, Red de energía
101. “Estudio teórico de las propiedades mecánicas en Silicio y Germanio cristalino” S. Benítez, F. Salazar, L. A. Pérez, M. Cruz-Irisson
"Propiedades electrónicas de nanoalambres de Sr-Fe-Mo-O"
M. Camacho, I. Ornelas, M. I. Iturrios, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson, O. Navarro,
"Energía y distribución de carga asociada a iones en nanoporos del sistema Sr2FeMoO6"
H. Rueda, J. L. Rosas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson, O. Navarro,
"Capa delgada de Sr-Fe-Mo-O: propiedades físicas" J. Pilo, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson,
4ª Reunión de la División de Materia Condensada
Abril 22-25, 2015, Michoacán, México
Organizado por la División de Materia Condensada, Sociedad Mexicana de Física
102. “Estudio teórico de las propiedades mecánicas en Silicio y Germanio cristalino con Litio
intersticial” F. Salazar, S. Benítez; M. C. Crisóstomo; M. Cruz-Irisson
“Estudio teórico de las propiedades electrónicas y mecánicas de nanoalambres de Si y Ge
pasivados con Li sustitucional aplicado a baterías de Li” F. Salazar, M. Cruz-Irisson, L. A. Pérez
Conductividad térmica usando la fórmula de Kubo Greenwood dentro del formalismo de
Landauer y función de Green A. Herrera, F. Mendoza, F. Salazar, M. Cruz-Irisson
"Propiedades Electrónicas de la Perovskita CH3NH3PbI3 en las Fases Cúbica, Tetragonal y
Ortorrómbica"
I. Ornelas, J. Pilo, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson,
"Propiedades físicas de las capas delgadas SrFeO3, SrMoO3 y Sr2FeMoO6"
J. Pilo, I. Ornelas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson,
LVIII Congreso Nacional de Física
Octubre 5-9, 2015, Yucatán, México
Organizado por la Sociedad Mexicana de Física
103. “Effects of Surface Functionalization with Oxidizing Agents On the Properties of Nanoporous
β-SiC: A Theoretical Model”
M. Calvino, A. Trejo, M. I. Iturrios, M.C. Crisóstomo , E. Carvajal and M. Cruz-Irisson
“Computational Modeling of the Effects of Li Defects on the Electronic and Structural Properties
of Porous Silicon” A. Rodriguez, A. Trejo, F. A. Perdomo and M. Cruz-Irisson
“Electronic Properties and Formation Energy for Pristine Sr-Fe-Mo-O Nanowires” E. Carvajal, M. I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, R. Vázquez, M. Cruz-Irisson, O. Navarro
Congress of Theoretical Chemists of Latin Expresion
Julio 26-31, 2015, Turin, Italia
Organizado por Universitá Degli Studi di Torino
104. Computational study of the vibrational properties of Indium
phosphide nanowires”
M. Cruz-Irisson, M. Ojeda, A. Trejo and F. A. Perdomo
“Electronic properties of silicon nanowires for sensing of toxic gases” A. Miranda, F. de Santiago, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson
“Surface Passivation of Silicon Carbide Nanowires by Halogens: an Ab-initio Study”, A. Miranda, M. Ojeda, Luis A. Pérez, M. Cruz-Irisson,
"Formation energy and electronic behavior of pristine SFMO nanowires"
E. Carvajal, R. Vázquez-Medina, M. Cruz-Irisson, O. Navarro
"Ionic diffusion model for nanoporous Sr2Fe1+xMo1-xO6"
E. Carvajal, F. Salazar, M. Cruz-Irisson, O. Navarro
22th Latin American Symposium on Solid State Physics SLAFES 2015
Noviembre 30-Diciembre 4, 2015, Puerto Varas, Chile
Organizado por Universidad Técnica Federico Santa Maria
105. “Ab initio study of the vibrational and electronic properties of [111]-oriented SiC
Nanowires”
A. Trejo, M. Ojeda, J. L. Cuevas, A. Miranda, L. Pérez, M. Cruz-Irisson
“Anisotropy effects on the vibrational properties and specific heat of Ge Nanowires: A
computational approach” A. Trejo, L. López-Palacios and M. Cruz-Irisson
4th Nano Today Conference
Diciembre 6-10, 2015, Dubai, Emiratos Árabes Unidos
Organizado por Elsevier
106. "Electronic and magnetic properties of an iron perovskite slab" J. Pilo, J. L. Rosas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson,
13th European Meeting on Ferroelectricity,
Junio 28-julio 3 2015 Porto, Portugal
Organizado por European Physical Society
107. "X-ray photoelectron spectroscopy studies of the superconducting Mo2B and Mo2BC" R. Escamilla, E. Carvajal, L. Huerta, E. Verín, M. Cruz-Irisson,
"Electronic properties and magnetic moment distribution on perovskite type slabs"
J. Pilo, J. L. Rosas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson, O. Navarro,
20th International Conference on Magnetism,
2015 Barcelona, España,
Organizado por: Sociedad española de magnetismo
108. "Structural and elastic properties of superconducting Mo2B under pressure" R. Escamilla, E. Carvajal, M. Romero, A. Castro, F. Salazar, L. Huerta,
International Materials Research Congress,
Agosto 16-20, 2015, Cancún, México,
Organizado por: Materials Research Society Mexico
2016
109. "Structural phases and electronic properties of the CH3NH3PbI3 perovskite" I. Ornelas, J. Pilo, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
"Comparative theoretical study on iron and molibdenum perovskites"
J. Pilo, I. Ornelas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
Spring Meeting, European Materials Research Society,
Mayo 2-6 Lille, France, 2016
Organizado por European Materials Research Society
110. "Perovskite type thin slabs: a first principles study on their magnetic and electronic
properties" J. Pilo, A. Miranda, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
Julio 10-16 IEEE Magnetics summer school,
Sendai, Japón, 2016.
Organizado por: IEEE
111. "Molecular movement in the CH3NH3PbI3 tetragonal phase"
I. Ornelas, J.J.J. Díaz, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
International Conference on Nanotechnology, Nanomaterials & Thin Films for Energy
Applications,
Julio 27-29 Liverpool, UK, 2016
Organizado por: University of Liverpool
112. “DFPT Study of the Raman and IR responses of Ge Nanowires”
A. Trejo, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson
“Ab-initio Study on the optical properties and vibrational response of 3C Porous Silicon
Carbide” A. Trejo, M. Cruz-Irisson
Physics Boat Workshop 2016
Mayo 31- Junio 2, 2016, Helsinki, Finlandia
Organizado por Aalto University
113. “Chemisorption of adenine- alkali doped Si nanowires: ab- initio study” F. de Santiago, A. Miranda, J.L. Cuevas, A. Trejo, L.A. Pérez, M. Cruz- Irisson,
IX International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum 2016,
septiembre 26 – 30, 2016, Mazatlán, Sinaloa, México
Organizado por Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales
(SMCSyV
114. “Estudio teórico del calor específico y conductividad térmica en un cúmulo de Au13 usando
cálculos de primeros principios y la fórmula de Kubo-Greenwood” F. Mendoza, F. Salazar, M. Cruz-Irisson, L. A. Pérez
“Dopaje molecular en nanoalambres de Si: efectos de los halógenos en la superficie”, A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz- Irisson
“Efectos de los enlaces sueltos y el boro en la mediometalicidad de nanoalambres de Si y Ge” F. de Santiago, A. Miranda, A. Trejo, M. Cruz-Irisson
LIX Congreso Nacional de Física
Octubre 2-7, 2016, Guanajuato, México
Organizado por la Sociedad Mexicana de Física
115. “Electronic properties of Ga and As doped silicon nanowires with surface dangling bonds”, F. De Santiago, A. Trejo, A. Miranda, M. Cruz-Irisson
6th Mexican Workshop on Nanostructured Materials,
Octubre 12-14, 2016, Puebla, Puebla, México
Organizado por Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP)
116. Density functional study of Si and Ge nanowires as potential Li storage materials A. González-Macías, F. Salazar-Posadas, A. Trejo-Baños, M. Cruz-Irisson, L.A. Pérez
“Silicon nanowires for energy storage: a DFT energetics comparison for Li, Na and K” F. de Santiago, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson
“Effects of surface passivation by lithium on the mechanical and
electronic properties of silicon nanowires” González-Macías, F. Salazar-Posadas, M. Cruz-Irisson, L.A. Pérez
“Effect of Lithium on the electronic and chemical properties of porous silicon for energy storage
applications” I Gonzalez, A. Trejo, M. Cruz-Irisson
“Silicon nanowires for energy storage: a DFT energetics comparison for Li, Na and K” F. de Santiago, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson
MicroEchem 2016
Noviembre 6-9, 2016, Queretaro, México
Organizado por: International Society of Electrochemistry
117. “Lattice thermal conductivity by the Kubo-Greenwood formula applying Green function and
the Landauer formalism in Au13 cluster and silicon nanowire” S. Peláez-Martínez, L. F. Mendoza-Villegas, J.A. Herrera-Carvajal, F. Salazar-Posadas, M. Cruz-Irisson, L. A. Pérez-López
“DFT study of molecular doping, dangling bonds and nonmagnetic doping in silicon nanowires” F. de Santiago, A. Miranda, A. Trejo, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz- Irisson
12th International Topical Meeting on Nanostructured Materials and Nanotechnology
Noviembre 14-18, 2016, Jalisco, México
Organizado por Sociedad Mexicana de Física, A.C.
118. “Chemical band-gap engineering in fluorinated silicon nanowires” A. Miranda, I. González, A. Trejo, F.A. Perdomo-Hurtado, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson
“Chemical sensing in silicon nanowires: quantum confinement effects” A. Miranda, F. de Santiago, A. Trejo, E. Carvajal, L.A. Pérez
QUITEL 2016, 42nd International Congress of Theoretical Chemists of Latin Expression
November 20-25, 2016, Montevideo, Uruguay
Organizado por Universidad de la República Uruguaya.
119. “Comparative theoretical study on iron and molybdenum perovskites”
J. Pilo, I. Ornelas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson “Structural phases and electronic properties of the CH3NH3PbI3 perovskite”
I. Ornelas, J. Pilo, E. Carvajal, M. Cruz–Irisson
E-MRS, Spring meeting 2016
Mayo 2-6, 2016, Lille, Francia
Organizado por E-MRS
120. “Perovskite type thin slabs: a first principles study on their magnetic and electronic properties”
J. Pilo, E. Carvajal and M. Cruz-Irisson
2016 IEEE Magnetics Society Summer School
July 10-16, 2016, Tohoku University in Sendai, Japón
121. "Molecular Movement in the CH3NH3PbI3 Tetragonal Phase”
I. Ornelas, J. Pilo, E. Carvajal, M. Cruz–Irisson
NANOENERGY 2016 (3rd International Conference on Nanotechnology,
Nanomaterials & Thin Films for Energy Applications)
July 27-29, 2016, Liverpool, UK.
122. "Effect of doping on the electronic properties of diamond nanowires: a first-principles study "
J. Ramírez, F. A. Serrano, M. Ojeda, A. Trejo, A. Miranda, M. Cruz Irisson “Electronic and phononic properties of GaSb quantum wires: a theoretical approach”
M. Ramírez, M. Ojeda, A. Trejo, M. Cruz Irisson "DFT Study of surface F and Cl bonds effects on the electronic states of Si terminated porous SiC"
K. G. Madrigal, M. Calvino, A. Trejo, M. Clarisaila, N. E. Pérez, Miguel Cruz Irisson
IX International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum
Septiembre 26-30, 2016 - Mazatlán, México
123. 12th International topical meeting on nanostructured materials and nanotechnology (Nanotech 2016)
Noviembre 14-18, 2016, Puerto Vallarta, Jalisco, México.
“DFT study of molecular doping, dangling bonds and nonmagnetic doping in silicon nanowires” F. De Santiago, A. Miranda, A. Trejo, E. Carvajal, L.A. Pérez, and M. Cruz-Irisson
“Ab initio study of the electronic properties of Ge nanostructures for applications to lithium batteries”
A. N. Sosa-Camposeco, A. Trejo, M. Cruz-Irisson
2017
124. 6ta reunión anual de la División de Estado Sólido, SMF,
Zacatecas, Zacatecas, México, 27-29 Abril, 2017 El parámetro de Hubbard y las propiedades físicas de capas delgadas de Sr-Fe-Mo-O,
J. Pilo, A. Torres, E. Carvajal y M. Cruz-Irisson,
125. 2017 E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, Francia, 22-26 Mayo, 2017.
Energy band gap for the CH3NH3PbI3 systems and its dependence on the structure and the
organic cation confinement I. Ornelas, J. Pilo, A. Miranda, E. Carvajal, M. Cruz–Irisson
Toxic gases sensing based on silicon nanostructures: an ab-initio study
F. de Santiago, J. E. Santana, A. Trejo, A. Miranda, L. A. Pérez, M. Cruz-Irisson
Electronic properties of hybrid perovskite materials for the design and development of photovoltaic
applications. A theoretical study.
I. Ornelas, J.J.J. Díaz, A. Trejo, E. Carvajal and M. Cruz–Irisson
126. 24th International Symposium on Metastable, Amorphous and Nanostructured Materials,
ISMANAM 2017, San Sebastian, Spain, 18-23 Junio 2017
Theoretical modelling of electronic properties of porous germanium applied to lithium batteries A.N. Sosa, A. Trejo, M. Cruz-Irisson
127. XLIIIème Congrès des Chimistes Théoriciens d’Expression Latine Chitel/Quitel 2017
París, Francia, 3-7 Julio, 2017
Optical Vibrational modes of GaSb nanowires from first principles calculations M. Ramirez , M. Ojeda, J. L. Cuevas, A. Trejo, M. Cruz-Irisson
128. The XXIXth IUPAP Conference on Computational Physics CCP2017,
Paris, Francia, 9-13 Julio 2017.
DFT study of the vibrational and electronic properties of InAs nanowires E. López, A. Trejo, M. Cruz-Irisson,
Modelling of the quantum confinement effects on the optical properties of GaSb nanowires
M. Ramírez, A. Trejo, M. Cruz-Irisson
129. Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy NGC 2017
Tomsk, Rusia, 18-22 Septiembre, 2017
First principles study of the electronic and optical properties of InAs Nanowires E. López, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, and M. Cruz-Irisson
Modelling Fe-Mo Double Perovskite Nanowires for Spintronics Applications Dora Fernández, Antonio Torres, Alejandro Trejo, Álvaro Miranda, Rubén Vázquez, Eliel Carvajal, Miguel
Cruz-Irisson
DFT study on the optical and vibrational properties of 3C porous Silicon Carbide A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, R. Vázquez-Medina and M. Cruz-Irisson
Lithium effects on the mechanical and electronic properties of germanium nanowires A. González-Macías, A. Miranda, F. Salazar, L. A. Pérez, and M. Cruz-Irisson
Carbon monoxide sensing properties of Ga, Al and B-doped Si nanowires José E. Santana, Francisco de Santiago, Alejandro Trejo, Álvaro Miranda, Eliel Carvajal, Luis A. Pérez and
Miguel Cruz-Irisson
130. LX Congreso Nacional de la Sociedad Mexicana de Física,
Monterrey, Nuevo León, México, 8-13 Octubre, 2017
TRABAJOS PRESENTADOS (EN CONGRESOS NACIONALES)
1. “Modos Localizados en la Red de Hori y Asahi”
en el XXXI Congreso Nacional de Física, Monterrey, N.L., México, (octubre 24-28, 1988).
2. “Modos Localizados en la Red de Hori y Asahi II” en el XXXII Congreso Nacional de Física,
Ensenada, B.C., México, (octubre 22-26, 1990).
3. “Bandas Electrónicas en un Sistema Fractal Unidimensional” en el IV Simposio Nacional de
Estado Sólido, Tequisquiapan, Qro., México, (julio 8-11, 1991).
4. “Propiedades Dinámicas del Silicio Poroso”en el XIII Congreso Nacional de la Sociedad
Mexicana de Física de Superficies y de Vacío, Cancún, Quinta Roo,
(septiembre 26-29, 1993).
5. “Propiedades Ópticas del Silicio Poroso”en el 1º Congreso de Estudiantes de IIM-UNAM,
México, D. F. (junio 25-27,1997).
6. “Propiedades Ópticas del Silicio Poroso” en el XL Congreso Nacional de Física, Monterrey,
N. L., (octubre 27-31, 1997).
7. “Silicio Poroso: un material nanoestructurado”en el 2º Congreso de Estudiantes de Ciencia e
Ingeniería de Materiales, IIM-UNAM, México, D. F.,
(junio 24-26, 1998).
8. “Silicio Poroso: un material nanoestructurado” en el XLI Congreso Nacional de Física, San
Luis Potosí, S. L. P,
(octubre 26-30, 1998).
9. “Efecto de las Transiciones no-verticales en la Función Dieléctrica del Silicio Poroso”
XLII Congreso Nacional de Física, Villahermosa, Tab.,
(octubre 25-29, 1999).
10. “Surface Dangling Bonds Effects on the Radiative Lifetimes of Porous Silicon”
20 Congreso Nacional de la Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y Vacío, Oaxaca,
Oax., organizado por SMCSyV, pag. 116,
(agosto 28-septiembre 1,2000).
11. “Modelo de Superceldas en el Estudio de las Propiedades Fonónicas, Electrónicas y Ópticas
del Silicio Poroso”,
XLIV Congreso Nacional de Física, Morelia, Mich.,
(octubre 19-15, 2001).
12. “Density of electronic states of Germanium nanowires” D. Guzmán, P. Alfaro, A. Miranda y M. Cruz-Irisson
Mexican Workshop on Nanostructured Materials, Puebla, Pue.
(mayo 2-4, 2006) Organizado por: Instituto de Física BUAP
13. “Electronic and Vibrational Properties of Porous Silicon”
M. Cruz, C. Wang
“Effects of Morphology on the Electronic Properties of Hydrogenated Silicon Carbide
Nanowires”
A. Miranda, J.L. Cuevas, M. Cruz
Second Mexican Workshop on Nanostructured Materials,
Puebla, Pue.,
(mayo 15-18, 2007) Organizado por: Instituto de Física BUAP
14. “Efectos de la anisotropía y pasivación superficial en las propiedades electrónicas de
nanohilos de SiC cúbico” Marbella Calvino Gallardo, Alejandro Trejo Baños, Miguel Cruz-Irisson
“Estudio de las propiedades electrónicas y fonónicas de nanoalambres de carbono tipo
diamante” Fernando Adán Serrano Orozco, Álvaro Miranda Durán, Miguel Cruz-Irisson
“Implementación CMOS en modo corriente de múltiples mapeos de Bernoulli para la
generación de señales de ruido caóticas” Juan López-Hernández, José Alejandro Díaz-Méndez, Miguel Cruz-Irisson, José Luis del Rio-Correa, Rubén
Vázquez Medina,
LIII Congreso Nacional de Física,
Veracruz, Ver.
(octubre 25-29, 2010) Organizado por: Sociedad Mexicana de Física
15. “Estructura de bandas fonónicas de Germanio Poroso: un estudio ab-initio” A. Trejo, E. Carvajal y M. Cruz-Irisson
“Efecto de la pasivación con O y OH en los estados electrónicos de nanoalambres de 3C-
SiC”
LIV Congreso Nacional de Física
Mérida, Yucatán
(octubre 9-14, 2011) Organizado por: Sociedad Mexicana de Física
Falta agregar congresos del 2011 al 2016.
CONFERENCIAS IMPARTIDAS
“Silicio Poroso: un nuevo material”
en el Coloquio teórico experimental sobre Sistemas Electrónicos en Materiales, IIM-UNAM
(febrero 24, 1997),
“Efectos del Desorden en Silicio Poroso”
en el Seminario de Estudiantes del IIM-UNAM,
(noviembre 25, 1997).
“Materiales Nanoestructurados”
en la IX Semana de la Investigación Científica, ESIME- Culhuacán, IPN,
(marzo, 1998).
“Efectos de la Respuesta Raman en el Silicio Poroso”
Seminario del Centro de Investigación en Energía, UNAM
(marzo, 2000).
“Nanoelectrónica del silicio”
Congreso Estudiantil de la AMIME, Veracruz, Ver.
(septiembre, 2000).
Conferencia Plenaria “Efectos de la Superficie en las Propiedades Ópticas del Silicio Poroso”
VII Encuentro Nacional de Óptica, Universidad del Quindío, Armenia, Colombia
(septiembre, 2000)
Congreso de Polonia, Invited Talk
Congreso de San Luis SMF, Conferencia Plenaria,
Morelia
China
Conferencia Invitada
“Modelado y simulación computacional delas propiedades electrónicas y dinámicas de
nanoestructuras semiconductoras”
CINVESTAV, Tamps.
Septiembre 11, 2014
DISTINCIONES ACADÉMICAS
Premio IIM-UNAM, Certamen Nacional a la Mejor Tesis de Doctoral en el área de Ciencia e
Ingeniería de Materiales 2016.
Premio a la mejor tesis de posgrado 2011 en el IPN a nivel Maestría.
Premio a la mejor tesis de posgrado 2011 en el IPN a nivel Doctorado
Miembro de la Academia Mexicana de Ciencias (noviembre, 2011)
Miembro del Sistema Nacional de Investigadores,
Nivel III (enero
Nivel II (enero de 2008 – a la fecha)
Nivel I (junio 2000- diciembre 2007).
Nivel Candidato (julio 1997- junio 2000),
Becario del Sistema Institucional de Becas por Exclusividad, COFAA-IPN
Becario Permanente “Nivel IV”
Becario del Programa de Estímulos al Desempeño de los Investigadores (EDI), IPN
“Investigador Residente” Nivel IX. (Ingreso: 01 de abril del 2000)
Medalla Gabino Barreda por haber obtenido el promedio más alto en los estudios de la
Maestría, UNAM
(mayo, 1997).
Reconocimiento por el Desempeño Académico en la ESIME-UC, IPN
(mayo, 1996).
Becario del CONACYT para estudios de Maestría
(enero 92-mayo 93).
Becario del CONACYT para estudios de Doctorado
(julio 93-septiembre 96).
Becario del Programa Fundación UNAM de Iniciación Temprana a la Investigación y a la
Docencia PITID,
(Períodos: semestres 95-II y 96-II).
PROYECTOS ACADÉMICOS
1. Responsable del Proyecto PADEP-UNAM 003301 (1995, 1996),
2. Responsable del Proyecto de Investigación: “Propiedades Ópticas del Silicio Poroso” CONACYT 32909-E (diciembre-1999 a diciembre-2000),
3. Responsable del Proyecto de Investigación: “Propiedades Ópticas del Silicio Poroso”,
CGEPI-IPN 990487 (1 de julio de 1999 a 30 de junio del 2000),
4. Responsable del Proyecto de Investigación: “Efectos de la Superficie en las Propiedades
Ópticas del Silicio Poroso” CGEPI-IPN 200695 (01 julio-2000 a 30 junio-2001),
5. Director del Programa de Investigación: "Propiedades Electrónicas, Ópticas y Magnéticas
de Nanoestructuras" CGEPI-IPN 4402 (julio-2001 a junio-2002).
6. Responsable del Proyecto de Investigación: “Modelo de Superceldas Aplicado al Estudio de las Propiedades Fonónicas, Electrónicas y Ópticas del Silicio Poroso”, CGPI-IPN 20021027 (julio-2002
a junio-2003),
7. Responsable del proyecto de investigación: “Modelo computacional de las propiedades
electrónicas y ópticas de nanocristales semiconductores”, CGPI-IPN 20031183, CGPI-IPN
2003
(01 de julio-2003 a 30 de junio de 2005),
8. Responsable del proyecto de investigación: “Emisión y absorción de ondas
electromagnéticas en nanoestructuras de silicio y germanio”, CGPI-IPN 20050303 (30 de junio de 2005 a junio de 2008).
9. Responsable del proyecto de investigación: “El enfriamiento termoeléctrico non-lineal en
estructuras semiconductoras: la teoría nueva y sus aplicaciones”, CONACyT: 25231-F
(Convocatoria Ciencia Básica 2005).
10. Responsable del proyecto de investigación: “Estudio de la estructura de bandas electrónicas
de nanoestructuras de carburo de silicio”, CONACyT-102093 (Convocatoria 2008: Apoyo a estudiantes de licenciatura).
11. Responsable del proyecto de investigación: “Estudio ab-initio de las propiedades
electrónicas y ópticas de nanocristales con estructura de diamante”, SIP-IPN: 20101142, 12. Coordinador del proyecto Multidisciplinario: “Modelado y simulación computacional de
nanoestructuras a partir de cálculos a primeros principios”, SIP-IPN 1439. Módulo I: Efectos de la pasivación química superficial en la estructura atómica de
nanoestructuras de carburo de silicio.
Director: M. en C. María Isabel Iturríos Santos (CECyT N.B.G.)
Módulo II: Estudio de nanoalambres para aplicaciones en criptografía cuántica.
Director: Dr. Rubén Vázquez Medina (ESIME-Culhuacan)
Módulo III: Estudios a primeros principios de los efectos del confinamiento cuántico en
nanocúmulos con estructura tipo perovskita.
Director: Dr. Eliel Carvajal Quiroz (ESIME-Culhuacan)
Módulo IV: Cálculo a primeros principios de las propiedades electrónicas, ópticas y vibracionales
de nanoestructuras.
Director: Dr. Miguel Cruz Irisson (ESIME-Culhuacan)
Monto $850,000.00 (ochocientos cincuenta mil pesos 00/100, M.N.)
Vigencia: enero de 2012 a diciembre de 2013
13. Responsable del Proyecto ICyTDF/199/2012 (PICSO12-085) “Materiales
nanoestructurados biodegradables con aplicaciones a baterías y celdas solares”,
CONVOCATORIA 2012: Ciencia y Tecnología para la Capital del Conocimiento en el
programa ciudad sostenible y la temática de materiales biodegradables.
Monto $1,000,000.00 (un millón de pesos, 00/100, M.N.).
Vigencia: 27 de mayo de2013 a 27 de mayo de 2014.
14. Responsable del Proyecto ICyTDF/325/2011, “Propiedades mecánicas, electrónicas,
ópticas y de transporte en nanoestructuras para aplicaciones a celdas solares y baterías de
litio” otorgado a través de la Red de Nanociencia y Micro-Nanotecnología (RNMN) del IPN,
Monto $1,700,000.00 (un millón setecientos mil pesos, 00/100, M.N.).
Vigencia: 01 de marzo de 2013 a 3 de marzo de 2014.
15. Coordinador del proyecto Multidisciplinario: “Diseño de nanoestructuras con
aplicaciones a baterías de litio a partir de cálculos a primeros principios”, SIP-IPN 1640. Módulo I: “Efectos químicos de la litiación superficial en nanoestructuras semiconductoras”.
Director: M. en C. Margarita Clarisaila Crisóstomo Reyes (CECyT 8, N.B.G.)
Módulo II: “Propiedades mecánicas y electrónicas de nanoalambres semiconductores pasivados
con litio”.
Director: Dr. Fernando Salazar Posadas (ESIME-Culhuacan)
Módulo III: “Propiedades ópticas de nanoestructuras semiconductoras saturadas con litio”.
Director: Dr. Miguel Cruz Irisson (ESIME-Culhuacan)
Monto: $1,050,000.00 (un millón cincuenta mil pesos, 00/100, M.N.)
Vigencia: enero de 2014 a diciembre de 2015
16. Responsable del Proyecto CONACyT 252749 “Modelado y simulación computacional de
las propiedades físicas y químicas de nanoestructuras con aplicaciones a espintrónica y a
energías alternativas.”
Convocatoria Apoyo al Fortalecimiento y Desarrollo de la Infraestructura Científica y Tecnológica
2015.
Monto $4,830,298.00 (cuatro millones ochocientos treinta mil doscientos noventa y ocho
pesos, 00/100, M.N.)
Vigencia: 10 de agosto de 2015 a 10 de agosto de 2016.
COMITES DE EVALUACIÓN
ICyTDF
o 2011Becas para asistencias a congresos nacionales e internacionales
o 2012 Estancias posdoctorales y becas de posgrado
o 2012, Premios Ciudad Capital “Heberto Castillo Martínez”, Jurado calificador en el
Premio para científicas y científicos latinoamericanos.
Institucionales: IPN
o Sistema de becas por exclusividad-COFAA
o Premio a las mejores tesis del posgrado en el IPN
o Estímulos al desempeño en investigación (EDI)
CONACYT
o Evaluación de Proyectos de Investigación (Convocatoria de Ciencia Básica).
o Demanda Libre y convenios para realizar estudios de posgrado en el extranjero.
o Cooperación Bilateral México-Hungría.
o Estancias Posdoctorales Vinculadas al Fortalecimiento de la Calidad del Posgrado
Nacional.
Academia Mexicana de Ciencias, A. C.
Reunión de Evaluación de los “Programa Semana y Verano de la Investigación
Científica” (2003- a la fecha).
Referee de las Revistas
o Journal of Solid State Chemistry
o Applied Surface Science
o IEE Transactions on Nanotechnology
o Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
o Surface Science
o Revista Mexicana de Física
o Physics Status Solidi (b)
o Materials Science and Engineering B
o Nanoscale
o Journal of Molecular Modeling
o Journal of Physical Chemistry Chemical Physics
o Journal of Nanomaterials
PARTICIPACIÓN EN COMISIONES ACADÉMICAS, ESIME-Culhuacan, IPN:
Participación en la reestructuración de los programas de estudio unificado: Matemáticas I
“Cálculo Diferencial e Integral”, Matemáticas II “Cálculo Vectorial y Álgebra Lineal”, Matemáticas III
“Ecuaciones Diferenciales” y Matemáticas IV “Probabilidad y Estadística” pertenecientes al Mapa Curricular
del Plan de Estudios Unificado de la ESIME-UC y ESIME -UA, (1990-1992).
Participación en la Elaboración del Plan de Estudios de la Carrera de Ingeniería en
Computación, (enero 1990 – agosto 1991).
Participación en la Elaboración de los Programas de Estudio Cálculo Diferencial e Integral,
Álgebra Superior, Matemáticas Finitas, Cálculo Vectorial, Álgebra Lineal y Probabilidad y
Estadística de la Carrera de Ingeniería en Computación, ESIME-Culhuacan, IPN (1990-
1992).
Miembro de la Comisión de Jurado en el proceso de Promoción Docente Periodos: (1993,
2000).
Profesor Consejero por el Departamento de Ingeniería en Computación, (septiembre 1992 –
agosto 1993, septiembre 1995 – agosto 1996, septiembre 2000 – agosto 2001, septiembre
2003 – agosto 2004).
Supervisor de las Asignaturas de Matemáticas en la Licenciatura de Ingeniería en
Computación, ( septiembre 1991 – enero de 1994).
Presidente de la Academia de Física en la Licenciatura de Ingeniería en Computación, (
octubre 1994 – mayo 2000).
Miembro del Jurado en el Examen de Oposición que presentaron:
Fis. Roberto Álvarez Santos como candidato a profesor de la Academia de
Matemáticas en el Depto. de Ing. Mecánica, (marzo 1993).
Ing. Edna Carla Vasco Méndez como candidato a Profesor de la Academia de Física
en el Depto. de Ing. en Computación, (febrero 1995).
el Fis. J. Israel Betancourt Reyes como candidato a Profesor de la Academia de
Matemáticas en el Depto. de Ingeniería en Computación, (febrero 1995).
M. en C. José Alfredo Heras Gómez como candidato a Profesor-Investigador de la
SEPI-ESIME-Culhuacan, (junio-2001).
Dra. Mariko Nakano Miyatake como candidato a Profesor-Investigador de la SEPI-
ESIME-Culhuacan, (junio-2001).
Ing. Gonzalo Isaac Duchen Sánchez como candidato a Profesor-Investigador de la
SEPI-ESIME-Culhuacan, (junio-2001).
Dr. Volodymyr Ponomaryov como candidato a Profesor-Investigador de la SEPI-
ESIME-Culhuacan, (junio-2001).
Dr. Juan Carlos Sánchez García como candidato a Profesor-Investigador de la SEPI-
ESIME-Culhuacan, (junio-2001).
Dr. Héctor Manuel Pérez Meana como candidato a Profesor-Investigador de la SEPI-
ESIME-Culhuacan, (junio-2001).
Ing. David Guzmán Rodríguez como candidato a Profesor de la Academia de
Matemáticas y Física del Depto. de Ingeniería en Computación, (febrero-2002).
Consejero del Sistema de Becas por Exclusividad COFAA-IPN,
Periodos: (1999, 2000).
Citas por terceros 2. Physical Review B 53, 3827 (1996).
1) Tesis de Maestría, IIM-UNAM (2000) pp. 46, 80, E. Vázquez-Curiel, “Efectos de la
relajación de la superficie en las propiedades electrónicas del silicio poroso”, http://www.dgbiblio.unam.mx/posgrado/posgrado.html
2) Chemical Physics 284, 129 (2002). doi: 10.1016/S0301-0104(02)00544-X
3) Journal of Applied Physics 91, 3085 (2002) doi: 10.1063/1.1446658
4) Journal of Applied Physics 91, 3085 (2002) doi: 10.1063/1.1650897
5) Mat Res soc Poceedings 832, F10.8 (2004) doi: 10.1557/PROC-832-F10.8
6) J. Appl. Phys. 95, 3569 (2004) doi: 10.1063/1.1650897
7) Tesis de doctorado, IIM-UNAM (2004) p. 35, M.R. Nava Lara, “Propiedades ópticas de
multicapas cuasiperiódicas de silicio poroso” http://www.dgbiblio.unam.mx/posgrado/posgrado.html,
8) Journal of Physics Condensed Matter 19, 395010 (2007) doi: 10.1088/0953-8984/19/39/395010
9) Appl. Phys. Lett. 92, 221910 (2008) doi: 10.1063/1.2937835
10) Chinese Phys B 17 (10), 3753 (2008) doi:10.1088/1674-1056/17/10/037
11) Chinese Phys B 18 (11), 5066 (2009) doi:10.1088/1674-1056/18/11/076
12) Acta Physica Sinica 58 (7) 4652 (2009) http://wulixb.iphy.ac.cn/CN/Y2009/V58/I7/4652
13) International Journal of Nanoscience 8 (3), 311 (2009) doi: 10.1142/S0219581X09006079
14) Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 11, 1647 (2009) http://joam.inoe.ro/index.php?option=magazine&op=view&idu=2209&catid=44
15) Journal of Non-Oxide Glasses 1(3), 293 (2009) http://www.chalcogen.infim.ro/293_ramrzani.pdf
16) Tesis, A. Molina, Electronic structure and optical properties of III-N nanowires,
Universidad Politécnica de Valencia, 2011. http://www.tesisenred.net/handle/10803/58722
17) Philosophical Magazine 34, 4291 (2012) doi: 10.1080/14786435.2012.705040
18) Physical Chemistry Chemical Physics 14, 13890; (2012)
doi: 10.1039/c2cp42019h
19) Surface Science 609, 48 (2013)
doi: 10.1016/j.susc.2012.11.002
20) Yadernaya fizika i inzhiniring, tom 4, № 2, Mart-Aprel' 2013, S. 174-192
http://www.maikonline.com/maik/showArticle.do?auid=VAHCVNE3BL&lang=en
3. M. Cruz, et al., Thin Solid Films 297, 261 (1997).
21) Superlattices and Microstructures 37, 115 (2005) doi: 10.1016/j.spmi.2004.09.047
5. M. R. Beltrán, et al., Solar Energy Materials and Solar Cells 52, 261 (1998)
22) J Optoelectronics Laser 16 (12), 1421 (2005) http://file.lw23.com/a/ae/ae5/ae57b36e-d589-4e72-b890-91d1f4e9a3fd.pdf
23) Opto-electronics Review 8, 57 (2000) http://www.wat.edu.pl/review/optor/2000/1/8%281%2957.pdf
6. J. Tagüeña-Martínez, et al., Applied Surface Science 142, 564 (1999).
24) Phys. Rev. B 66, 205323 (2002) doi: 10.1103/PhysRevB.66.205323
25) Phys. Rev. B 65, 035326 (2002) doi: 10.1103/PhysRevB.65.035326
26) IEEE Sensors Journal 6, 301 (2006) doi: 10.1109/JSEN.2006.870171
27) J Appl Phys 100, 074312 (2006) doi.org/10.1063/1.2356907
28) Journal of Physics: Condensed Matter 19, 395010 (2007) doi:10.1088/0953-8984/19/39/395010
29) Solid State Communications 152, 1619 (2012)
doi: 10.1016/j.ssc.2012.04.072
7. Physical Review B 59, 15381 (1999)
30) J Appl Phys 88, 2472 (2000) doi.org/10.1063/1.1287770
31) Tesis de Maestría, IIM-UNAM (2000) pp. 46, 80, E. Vázquez-Curiel, “Efectos de la
relajación de la superficie en las propiedades electrónicas del silicio poroso”, http://www.dgbiblio.unam.mx/posgrado/posgrado.html
32) Cita 2001 en cirílico http
33) Phys Rev B 63, 201101(R) (2001) doi: 10.1103/PhysRevB.63.201101
34) Journal of Non-Crystalline Solids 293–295, 630 (2001) doi: 10.1016/S0022-3093(01)00763-3
35) J. Experimental and Theoretical Physics 93, 363 (2001) doi: 10.1134/1.1402736
36) J. Experimental and Theoretical Physics 94, 644 (2001) doi: 10.1134/1.1469162
37) Technical Physics Letters 27, 827-829 (2001) doi: 10.1134/1.1414447
38) J. Phys. Soc. Jpn. 70, 2478 (2001) doi: 10.1143/JPSJ.70.2478
39) Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 4418, 234
(2001) doi:10.1117/12.428320
40) Phys E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 15, 182 (2002) doi: 10.1016/S1386-9477(02)00535-0
41) Phys. Rev. B 65, 035326 (2002) doi: 10.1103/PhysRevB.65.035326
42) Phys. Rev. B 66, 165212 (2002) doi: 10.1103/PhysRevB.66.165212
43) Phys. Rev. B 66, 205323 (2002)
doi: 10.1103/PhysRevB.66.205323
44) Vacuum 68, 245 (2002) doi: 10.1016/S0042-207X(02)00452-9
45) Chem. Phys. 284, 129 (2002) doi: 10.1016/S0301-0104(02)00544-X
46) Tesis (2004), Fabio Trani, “Electronic and optical properties of Si nanocrystals: a tight binding
study” http://www.fedoa.unina.it/view/people/Trani,_Fabio.html http://www.fedoa.unina.it/73/1/Tesi_Trani.pdf
47) Phys. Rev. B 70, 235332 (2004) doi: 10.1103/PhysRevB.70.235332
48) Tesis de doctorado, IIM-UNAM (2004) p. 35, M.R. Nava Lara, “Propiedades ópticas de
multicapas cuasiperiódicas de silicio poroso” http://www.dgbiblio.unam.mx/posgrado/posgrado.html,
49) Phys Rev B 72, 075423 (2005) doi: 10.1103/PhysRevB.72.075423
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