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INTERNATIONAL Conference on Surfaces

Materials and Vacuum 2009

September 21-25 San Luis Potosí, S.L.P. M é x i c o 2 0 0 9 Book of Abstracts Libro de Resúmenes

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales

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Welcome

On behalf of the Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales (Mexican Vacuum Society), we are honored to welcome you to San Luis Potosi to the XXXIX Annual Meeting: International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum (ICSMV). As it is know, the ICSMV is one of the most important annual conferences in México in the fields of Surfaces, Materials and Vacuum. This Conference comprises plenary lectures, symposia in the fields above mentioned, with invited speakers, oral and poster contributions, short courses and discussion forums. This meeting allows researchers and students of the international materials and surfaces community to closely interact and know about the new scientific and technological developments in the fields that the Mexican Vacuum Society promotes. This year there are scheduled around 400 contributions. 40 distinguished scientists will give plenary lectures and invited talks where they present and discuss recent results in the fields of surfaces and materials. In addition, 5 short courses will be given in frontier topics such as Nanotechnology, new surface characterization techniques and recent scientific and technological results on solar cells. We have done our best effort to organize a program that allows you to know about recent developments, exchange ideas and promote a close interaction between colleagues, which could result into new collaborations. We want to give our special thanks to the conference sponsors: Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología, Instituto Politécnico Nacional, Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, Centro de Investigación y Estudios Avanzados-IPN, the American Vacuum Society, Intercovamex, Leybold, Valley Research Corporation, Agilent Technologies and others whose names are listed in the next pages. We are grateful to the Symposia Organizers and Organizing Committees for their dedicated work that made possible this event. Finally, our special gratitude is for all those members of our staff for the strong support in the organization of the ICSMV. SMCTSM Board of Directors

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Programa Científico Scientific Program

Lunes 21 de Septiembre

08:00 - 09:00 Registro – Caja Real 09:00 - 09:20 Inauguración – Auditorio Rafael Nieto

Caja Real 09:40 - 10:20 P1 GREGORY HUGHES 10:20 - 11:00 P2 ANGUS ROCKETT 11:00 - 11:20 Café 11:20 - 14:00 SO1 BIO - Biomaterials

SO2 CAS - Cálculos Ab-initio y Supercómputo CC I JOHN GRANT –Surface Analysis

14:00 - 15:40 Comida 15:40 - 16:20 P3 PIOTR SITAREK 16:20 - 17:00 P4 CARLOS DUQUE 17:00 - 17:20 Café 17:20 - 20:00 SO3 CYM - Caracterización y Metrología

SO4 CAM - Cerámicos Avanzados y Multifuncionales CC II CARLOS DUQUE – Variational Calculus

20:00 - 22:00 Cocktel de Bienvenida

Martes 22 de Septiembre

09:00 - 09:40 P5 RICARDO GUIRADO 09:40 - 10:20 P6 YING-SHENG HUANG 10:20 - 11:00 P7 OSCAR ARES MUZIO 11:00 - 11:20 Café 11:20 - 14:00 SO5 CSO - Energías Renovables: Celdas Solares y Materiales

SO6 SEM - Semiconductores CC III ANGUS ROCKETT – Sputter Deposition

14:00 - 15:40 Comida 15:40 - 16:20 P8 JOHN GRANT 16:20 - 17:00 P9 MAXIMO LOPEZ 17:00 - 17:20 Café 17:20 - 20:00 CARTELES I

BIO Biomateriales

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CAM Cerámicos Avanzados y Multifuncionales CAS Cálculos Ab-initio y Supercómputo EEL Espectorcopías Electrónicas CSO Energías Renovables: Celdas Solares y Materiales CYM Caracterización y Metrología FFT Fenómenos Fototérmicos SEM Semiconductores

Miercoles 23 de Septiembre

07:00 - 22:00 Día Turístico / Conference tour

Jueves 24 de Septiembre

09:00 - 09:40 P10 SHIJIE WU 09:40 - 10:20 P11 PATRICK LYSAGHT 10:20 - 11:00 P12 ARMANDO GAMA 11:00 - 11:20 Café 11:20 - 14:00 SO7 FFT - Fenómenos Fototérmicos

SO8 POL - Polímeros CC IV JEAN MARC ZISA – Vacuum Technology

14:00 - 15:40 Comida 15:40 - 16:20 P13 A. MANDELIS 16:20 - 17:00 P14 JAY LEWIS 17:00 - 17:20 Café 17:20 - 20:00 SO9 PDD - Películas Delgadas, Dieléctricos y Recubrimientos

SO10 MYM – MEMS y Microelectrónica CC V YING-SHENG HUANG – Spectroscopy

20:00 - 22:00 Cena de Gala

Viernes 25 de Septiembre

09:40 - 10:20 P15 ROBERTO ORTEGA 10:20 - 11:00 P16 RAMON ESCOBAR 11:00 - 11:20 Café 11:20 - 14:00 SO11 NAE - Nanoestructuras

SO12 SGE - Sol-Gel CCVI SERVANDO AGUIRRE – Processing of Semicond

Devices 14:00 - 15:40 Comida

15:40 - 16:20 P17 DENNIS MARTÍNEZ

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16:20 - 19:00 CARTELES II MYM MEMS y Microelectrónica NAE Nanoestructuras PDD Películas Delgadas, Dieléctricos y Recubrimientos POL Polímeros SGE Sol - Gel PLV Plasmas y Vacío

19:00 - 19:20 Café 19:20 - 20:00 Asamblea 20:00 - 20:20 Clausura y Brindis

P: Plenaria SO: Simposio CC: Curso Corto

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P a t r o c i n a d o r e s S p o n s o r s

uaslp.mx conacyt.mx avs.org cinvestav.mx

ipn.mx inaoep.mx claffisica.org buap.mx

inin.mx cimav.edu.mx uam.mx uv.mx

uaz.edu.mx uv.mx/microna fata.unam.mx

valleyresearch.com intercovamex.com meisa.com home.agilent.com

puritec.com.mx ddomarco@hotmail.com atlsadecv.com keithley.com

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Comité Organizador SMCTSM MVS Organizing Committee

Víctor Hugo Méndez CIACyT-UASLP

Enrique Camps ININ

Gerardo Contreras FM-IPN

Jesus Araiza UAZ

Luis Zamora UPUASLP

Luis Escobar ININ

Jesús Carrillo CIDS-BUAP

Comité Internacional International Advisory Board

Gary Mc Guire International Technology Center, USA

Máximo López CINVESTAV, MEX

Wilfrido Calleja INAOE

Alberto Herrera CINVESTAV, MEX

Angus Rockett University of Illinois, USA

Patrick Lysaght SEMATECH, USA

Oscar Ares Muzio CUBA

Ciro Falcony CINVESTAV, MEX

Yuri Gurievich CINVESTAV, MEX

Gregory Hughes Dublin City University, Ireland

Jay Lewis RTI International, USA

Miguel Meléndez CINVESTAV, MEX

Mariano Aceves INAOE, MEX

Piotr Sitarek Wroclaw University of Technology, Poland

Ying S. Lin National Taiwan Institute of Technology, Taiwan

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Comité Organizador Local Local Organizing Committee

Mario Garcia Valdez Rector de la Universidad Autonoma de San Luis Potosi

Joge Fernando Toro Vazquez Secretaria de Investigacion y Posgrado-UASLP

Hugo Navarro Contreras Secretaria de Investigacion y Posgrado-UASLP

Marco Antonio Sanchez Director de planeacion y seguimiento

Alicia Barron Torres Secretaria de Investigacion y Posgrado-UASLP

Alejandro Ochoa Cardiel Facultad de Ciencias-UASLP

Ricardo Guirado Instituto de Fisica-UASLP

Edgar López Luna CIACyT-UASLP

Leticia Ithsmel Espinoza FC-UASLP

David Vazquez Cortés FC-UASLP

Alejandro Cisneros de la Rosa FC-UASLP

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Organizadores de Simposios Symposia Organizers

Simposio Organizador

Biomateriales Miguel A. Camacho / UAEMex Santiago Camacho / CICESE

Calculos Ab-Initio y Supercómputo Naboru Takeuchi / CNYN-UNAM Gregorio Hernández/ IF-BUAP

Caracterizacion y Metrologia Mauricio López, Sergio López / CENAM

Cerámicos Avanzados y Multifuncionales

Jesus Heiras Aguirre

Divulgacion De La Ciencia Miguel García, Martín Sustaita Hernández / Grupo Quark, UPSLP

Energias renovables: Celdas Solares y Materiales

Roman Castro Rodriguez

Espectroscopía Electrónica Wencel de la Cruz / CICESE-UNAM

Fenomenos Fototermicos Mario Enrique Rodríguez García / CFATA-UNAM

MEMS y Microelectrónica Wilfrido Calleja Arriaga / INAOE José Mireles García / UACJ Aurelio Horacio Heredia Jimenez / UPAPEP

Nanoestructuras Claudia Mendoza, Víctor Altúzar / Microna, UV

Peliculas Delgadas Stephen Muhl / IIM-UNAM

Plasmas y Vacío José de Jesús Araiza / UAF-UAZ

Polímeros Elías Pérez / IF-UASLP

Semiconductores Miguel A. Meléndez/ CINVESTAV y CICATA-IPN Yuri Gurievich / CINVESTAV-IPN

Sol-Gel Facundo Ruiz / UASLP

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Conferencias Plenarias Plenary Lectures

Dennis Martínez Lockheed Martin, USA

Angus Rockett University of Illinois, USA

Piotr Sitarek Institute of Physics Wroclaw University of Technology, Wroclaw, Poland

Carlos Duque Universidad de Antioquia, Medellín, Colombia

Ricardo Guirado Universidad Autónoma de San Luis Potosi, SLP, México

Ying S. Lin National Taiwan Institute of Technology, Taipei, Taiwan

Oscar Ares Muzio Facultad de Física, Universidad de la Habana, Cuba.

John Grant Wright-Patterson Air Force Base, USA

Jose A. Garcia University of Toronto, Canada

Roberto Ortega Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Mexico

Shijie Wu Agilent Technologies, EUA

Armando Gama Centro de Investigación en Polímeros (Grupo Comex), México

Gregory Hughes Dublin City University, Ireland

Jay Lewis RTI International, USA

Ramón Escobar Consejo Superior de Investigaciones Científicas, Spain

Máximo López López CINVESTAV- IPN, Mexico, D.F., Mexico

Patrick Lysaght SEMATECH, USA

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Contenido Global / General Content

Titulos y Autores / Authors and Headlines Sesiones Orales / Oral Sessions

Plenarias / Plenary Lectures 1 Cursos Cortos / Short Courses 4 Biomateriales / Biomaterials 5

Cerámicos Avanzados y Multifucionales / Advanced and Multifuctional Ceramics 6

Cálculos Ab-Initio y Supercómputo / Ab-Initio Calculation and Supercomputing 7

Caracterización y Metrología / Characterization and Metrology 8

Energías Renovables: Celdas Solares y Materiales / Renewable Energy : Solar Cells and Materials 9

Fenómenos Fototérmicos / Photothermal Phenomena 11 MEMS y Microelectrónica

/ Microelectronics and MEMS 13 Nanoestructuras / Nanostructures 14 Películas Delgadas / Thin Films 16 Polímeros / Polymers 17 Semiconductores / Semiconductors 18 Sol Gel / Sol Gel 19

Sesiones de Carteles / Poster Sessions Biomateriales / Biomaterials 21

Cerámicos Avanzados y Multifucionales / Advanced and Multifuctional Ceramics 23

Cálculos ab-initio y Supercómputo / Ab-Initio Calculation and Supercomputing 25

Caracterización y Metrología / Characterization and Metrology 26

Divulgacion de la Ciencia / Science Divulgation 29 Espectroscopías Electrónicas

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/ Electronic Spectroscopies 30 Energías Renovables: Celdas Solares y Materiales / Renewable Energy Solar Cells and Materials 31 Fenómenos Fototérmicos / Photothermal Phenomena 32 MEMS y Microelectrónica

/ Microelectronics and MEMS 35 Nanoestructuras / Nanostructures 37 Películas Delgadas / Thin Films 42 Plasmas y Vacío / Plasma and Vacuum 50 Polímeros / Polymers 51 Semiconductores / Semiconductors 54 Sol Gel / Sol Gel 58

Resúmenes / Abstracts Sesiones Orales / Oral Sessions

Plenarias / Plenary Lectures 61 Cursos Cortos / Short Courses 71 Biomateriales / Biomaterials 75

Cerámicos Avanzados y Multifucionales / Advanced and Multifuctional Ceramics 82

Cálculos Ab-Initio y Supercómputo / Ab-Initio Calculation and Supercomputing 83

Caracterización y Metrología / Characterization and Metrology 90

Energías Renovables: Celdas Solares y Materiales / Renewable Energy : Solar Cells and Materials 94

Fenómenos Fototérmicos / Photothermal Phenomena 99 MEMS y Microelectrónica

/ Microelectronics and MEMS 104 Nanoestructuras / Nanostructures 110 Películas Delgadas / Thin Films 115 Polímeros / Polymers 119 Semiconductores / Semiconductors 124 Sol Gel / Sol Gel 129

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Sesiones de Carteles / Poster Sessions Biomateriales / Biomaterials 131

Cerámicos Avanzados y Multifucionales / Advanced and Multifuctional Ceramics 138

Cálculos ab-initio y Supercómputo / Ab-Initio Calculation and Supercomputing 145

Caracterización y Metrología / Characterization and Metrology 149

Divulgacion de la Ciencia / Science Divulgation 159 Espectroscopías Electrónicas / Electronic Spectroscopies 164

Energías Renovables: Celdas Solares y Materiales / Renewable Energy Solar Cells and Materials 167 Fenómenos Fototérmicos / Photothermal Phenomena 169 MEMS y Microelectrónica

/ Microelectronics and MEMS 179 Nanoestructuras / Nanostructures 185 Películas Delgadas / Thin Films 201 Plasmas y Vacío / Plasma and Vacuum 226 Polímeros / Polymers 231 Semiconductores / Semiconductors 242 Sol Gel / Sol Gel 252

Indice por Autor / Author Index 263 Programa / Program Chart 270

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Contenido Content

Sesiones Orales / Oral Sessions Plenarias / Plenary Lectures

P1. High-k dielectric semiconductor interface formation investigated by photoelectron spectroscopy. 61

Prof Greg Hughes School of Physical Sciences, Dublin City University, Glasnevin, Dublin 9, Ireland

P2. The Surface Science of CuInSe2. 61

Angus Rockett Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois 201a MSEB,

MC-246, 1304 W. Green St., Urbana IL 61801, USA. P3. New materials and device structures investigations by electromodulation spectroscopy. 62

Piotr Sitarek Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, Wyb. St. Wyspianskiego 27, 50-

370 Wroclaw, Poland, Piotr.Sitarek@pwr.wroc.pl. P4. Cálculos Numéricos de Estados Electrónicos y de Impurezas en Heteroestructuras de Baja Dimensionalidad. 62

Carlos Alberto Duque Echeverri Instituto Física, Universidad de Antioquía, AA 1226, Médellin-Colombia

P5. Fullerenes, Nanotubes, and Nanoparticles: properties and possible applications. 63

Ricardo Guirado López Instituto Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, Zona

Centro, San Luis Potosi, S.L.P. 78000, Mexico. P6. Conductive IrO2 and RuO2 nanocrystals 63

Ying-Sheng Huang Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and

Technology. P7. Aspectos industriales y de ciencia básica en las celdas solares de CdTe / Basic and Technological aspects of CdTe/CdS solar cells 64

Oscar Ares Muzio Facultad de Física, Universidad de la Habana, Cuba

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P8. Issues with Data Acquisition and Processing for Surface Analysis 65

John T. Grant Research Institute, University of Dayton, 300 College Park, Dayton OH 45469-0051,

USA, j.grant@ieee.org, www.surfaceanalysis.org P9. Molecular beam epitaxy of semiconductor nanostructures 65

M. Lopez-Lopez Physics Department, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN,

Apartado Postal 14-740, México D.F, México 07000. P10. Recent Developments in Atomic Force Microscope (AFM) Characterization of Electronic Materials. 66

Shijie Wu Agilent Technologies, Inc., Chandler, Arizona, USA

P11. The SEMATECH High Resolution Inititive: Achievements and Challenges. 67

Patrick Lysaght SEMATECH

P12. Modeling polymer behavior in a confined geometry: Some applications to the paint industry. 67

Armando Gama Goicochea Centro de Investigación en Polímeros (Grupo Comex)

Marcos Achar Lobatón 2, Tepexpan 55885, Estado de México, Mexico P13. Industrial Applications of Photothermal Radiometry. 68

Jose A. Garcia1, 2 1 Centre for Advanced Diffusion Wave Technologies, Mechanical and Industrial

Engineering Department, University of Toronto, 5 King’s College Rd, Toronto, Ontario, Canada.* garcia@mie.utoronto.ca.

2 Quantum Dental Technologies Inc., Toronto, Ontario, Canada. P14. Materials Issues in Flexible Electronics. 68

Jay Lewis Principal Research Scientist, Center for Materials and Electronic Technologies

RTI International, Research Triangle Park, NC 27709. P15. Nonlinear optics and ultrashort techniques. 69

Roberto Ortega Martínez Laboratorio de Optica Nolineal, Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico,

Universidad Nacional Autónoma de México, Coyoacan, D.F. 04510, México. P.O. Box 70-183.

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P16. Caracterización Advanced characterization of nanometer multilayers: Depth profiling comparison of RBS, SIMS, XPS and GDOES. 69

Ramón Escobar Galindo Consejo Superior de Investigaciones Científicas, Spain

P17. Using Nanostructures to Probe the Universe. 70

Dennis Martinez Lockheed Martin Solar and Astrophysics Laboratory, 3251 Hanover Street, O/L9-41,

B/252, Palo Alto, CA 94304, denmart@lmsal.com

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Sesiones Orales / Oral Sessions Cursos Cortos / Short Courses CCI. An Introduction to Surface Analysis Techniques: AES, XPS/ESCA, ISS, SIMS, and RBS. 71

John T. Grant University of Dayton, Dayton, Ohio, USA.

CCII. Cálculos numéricos de estados electrónicos y de impurezas en heteroestructuras de baja dimensionalidad 71

Carlos Alberto Duque Echeverri Instituto Física, Universidad de Antioquía, AA 1226, Médellin-Colombia

CCIII. Introduction to Sputter Deposition of Thin F ilms 72

Angus Rockett Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois 201a MSEB,

MC-246, 1304 W. Green St., Urbana IL 61801, USA. CCIV. Introducción a la Tecnología del Vacío. 72

Jean-Marc Zisa Pages IME-ESME Paris, Fundador y Director de INTERCOVAMEX SA de CV Cuernavaca.

CCV. Semiconductor characterization by modulation spectroscopy / Contactless electromodulation and surface photovoltage spectroscopy for the non-destructive characterization of III-V semiconductor device structures. 73

Ying-Sheng Huang Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and

Technology. CCVI. Processing of Semiconductor Devices 74

Servando Aguirre Tostado Centro de Investigacion en Materiales Avanzados, Parque de Investigación e Innovación

Tecnológica Apodaca, Nuevo León, México.

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Sesiones Orales / Oral Sessions Biomateriales / Biomaterials BIO 01 Quantitative analysis of antigen - antibody molecul ar interactions by using an optical surface plasmon resonance microscope and mi croarrays V. Altuzar1,*, C. Mendoza-Barrera1, M.L. Muñoz-Moreno2, J. Mendoza-Alvarez3, F. Sánchez-Sinencio3--1Laboratorio de Bionanotecnología, Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Veracruz, México.2Departamento de Genética y Biología Molecular 3Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, México D.F., México.

75

BIO 02 Recubrimientos de HA sobre Ti6Al4V por flama spray H. H. Rodríguez-Santoyo1*, M. C. Piña-Barba1; G. Torres-Villaseñor1; A. Barba-Pingarrón2. -- 1Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Circuito exterior s/n, C.P. 04510 México D.F. 2Centro de Ingeniería de Superficies y Acabados, Facultad de Ingeniería, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria. C.P. 04510. México D.F. * ekkodnam@hotmail.com

75

BIO 03 Fenómenos ópticos en sistemas biológicos *

P. González-Vellano1,*, M. P. Sampedro2, M. Palomino-Ovando3. -- 1 Facultad de Ciencias de la Electrónica, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Cd. Puebla, México.2 Instituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, México. 3 Facultad de Ciencias Fisico Matematicas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. * amigopablo_123@hotmail.com

75

BIO 04 Preparation of TiO 2 films by cvd on a pretreated surface titanium. N. León Lugo1, J.R. Vargas Garcia1. -- 1Depto. de Ingeniería Metalúrgica, ESIQIE-IPN, México 07300, D. F., MEXICO. E-mail: iinathyelyleon@yahoo.com.mx, jr_vargas_garcía@hotmail.com

77

BIO 05 Obtención y caracterización de colágena tipo I a pa rtir de tendón bovino. K. Gómez-Lizárraga*, C. Piña-Barba, N. Rodríguez-Fuentes. -- Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM Ciudad Universitaria, Circuito Exterior s/n 04510 México D.F. México. * karlagomliz@hotmail.com

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BIO 06 Cinética de reacción de glucosa en medios biológico s catalizada por sistemas híbridos-nanoestructurados de silicio poroso Balderas-Valadez R.F1., Cervantes-Rincón N. A1, Cárdenas-Galindo M.G. 1, Sandoval-Zarate Y. 1, Agarwal V.2, Palestino-Escobedo. A. G. 1* .-- 1FCQ -CIEP, Universidad Autónoma de San Luis Potosí San Luis Potosí,México, 2 CIICAP-UAEM, Av. Universidad 1001, Col Chamilpa, Cuernavaca, Mor., México. *palestinogabriela@fcq.uaslp.mx

78

BIO 07 Superficies biomiméticas: Efectos del agente osteoi nductor. López-Aldrete A., Hernández-Salinas A. E., Palestino-Escobedo A. G., Enriquez J., Alvarado Estrada K. N., Terán-Figueroa Y., Pérez E.

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BIO 08 Estudio de Fluorescencia y Difracción de Rayos X pa ra cuantificación de hidroxiapatita en hueso descalcificado

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Cerámicos Avanzados y Multifucionales / Advanced and Multifuctional Ceramics

M. L. Cortés-Ibarra1*, J. A. Mondragón-Herrera2, J. A. Yescas-Hernández1. -- 1 Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional. Av. Acueducto s/n, Col. Barrio La laguna Ticomán C.P. 07340, México, D.F., México.2 Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, Depto de Fisiología, Biofísica y Neurociencias, Av. IPN # 2508 Col. San Pedro Zacatenco, México, D.F., México. *mcortesi@ipn.mx BIO 09 Armazones Celulares Pablo Cajero Vázquez *¹, Miguel Meléndez Lira ², Miguel Ángel Camacho López ³. – ¹ Facultad de Medicina UAEMex-TESJO. Paseo Tollocan S/N, esquina con Jesús Carranza Colonia Moderna de la Cruz C.P. 50180, Toluca, Estado de México. ² Departamento de Física, CINVESTAV. Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco. México D.F. 07300.³ Facultad de Medicina UAEMex. Paseo Tollocan S/N, esquina con Jesús Carranza. Colonia Moderna de la Cruz C.P. 50180, Toluca, Estado de México. * grupodefisica@yahoo.com.mx

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BIO 10 Modelo semiesférico para el esparcimiento de luz en un coral J. Jasso-Montoya1, J. Sumaya-Martinez2*, O. Olmos-Lopez2,3. -- 1 Instituto Tecnológico de Boca del Río, Km. 12 Carretera Veracruz-Córdoba, C.P. 94290, Toluca, Edo.Méx.,México. 2 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma del Estado de México, Instituto Literario 100, Col. Centro, C.P. 50000, Toluca, Edo.Méx., México.3 ITESM Campus Toluca, Eduardo Monroy 2000, San Antonio Buenavista, C.P. 50110, Toluca Edo. Méx., México. * jsm@uaemex.mx

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CAM 01 Efectos de la sustitución de estroncio sobre las pr opiedades estructurales y magnéticas en la hexaferrita de plomo. A. L. Guerrero-Serrano1, S. A. Palomares-Sánchez2, J. A. Matutes-Aquino1, M. Mirabal-García3 . -- 1Centro de Investigación en Materiales Avanzados (CIMAV); Chihuahua, Ch. 2Facultad de Ciencias, UASLP; San Luis Potosí, S. L. P. 3Instituto de Física, UASLP; San Luis Potosí, S. L. P.

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CAM 02 Síntesis y caracterización estructural y magnética de la hexaferrita de bario tipo M dopada con Nd 2O3 1T. Pérez-Juache,2 S. A. Palomares-Sánchez, 3 J. Matutes-Aquino, 3A. L. Guerrero Serrano 4M. Mirabal-García, 4A. Encinas, 5L.Narváez, 5X. González-Galván. -- 1Instituto de Metalurgia, UASLP. Sierra Leona 100. 78290 San Luis Potosí, S. L. P. México. 2Facultad de Ciencias, UASLP, Salvador Nava Martínez, s/n. Zona Universitaria. San Luis Potosí S.L.P., México. 3Centro de Investigación en Materiales Avanzados. Miguel de Cervantes 120. Complejo Industrial Chihuahua. 31109 Chihuahua, Chih. México. 3Instituto de Física, UASLP, Dr. Manuel Nava No. 6. Zona Universitaria. 78290 San Luis Potosí S.L.P., México. 5 Instituto de Metalurgia, Sierra Leona S/N Universidad Autónoma de San Luis Potosí, S.L.P.

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CAM 03 Propiedades magneticas del compuesto Tb 1-xAxMnO3 con A = Al, Ga y X = 0.05 y 0.1 J. Heiras1*, F. Pérez2, J. M. Siqueiros1, A. Durán1, O. Raymond1, M. P. Cruz1, L. Salamanca-Riba3.-- 1Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Ensenada, B. C., México. 2Posgrado en Física de Materiales, CICESE-UNAM, Ensenada, B. C., México. 3Department of Materials Science and Engineering, University of Maryland, US.

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CAM 04 Efecto de la temperatura de temperatura de calcinac ion en la respuesta luminiscente de

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Cálculos ab-initio y supercómputo / Ab-Initio Calculation and Supercomputing

alumina dopada con europio. A. Ceja1,*, J. Zarate1, T. Rivera2.-- 1Instituto de Investigaciones Metalúrgicas, Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo, Morelia, Michoacán, México.. 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada-Legaria, Instituto Politécnico Nacional Av. Legaria 694 Col. Irrigación 11500 México D.F. andreacejaf@yahoo.com.mx CAM 05. Platica Invitada Compuestos multifuncionales con estructura tipo per ovskita. M. Elena Villafuerte Castrejón. Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM, A.P. 70-360, Coyoacan DF 04510, México.

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CAS 01 Adsorción de Alanina sobre Cu311 L. Morales de la Garza1, S.Driver2, S. Karakastani2, y D.A. King2.-- 1Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Apdo. Postal 356, C.P. 22800, Ensenada, Baja California, México. 2University of Cambridge, Department of Chemistry, Lensfield Road, Cambridge CB2 1EW, United Kingdom.

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CAS 02 Formación de líneas moleculares de acetona en la su perficie Si(100)-(2x1)-H mediante cálculos DFT M. Gallo1*, L.E. Serrato1, J. A. Rodríguez2, N. Takeuchi3 .-- 1Facultad de Ciencias Químicas Universidad Autónoma de Coahuila, Blvd. Venustiano Carranza s/n, Saltillo, Coahuila, C.P. 25280, México. 2Departamento de Física,, Universidad Nacional de Colombia, Bogota Colombia. 3Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Apdo. Postal 2681, Ensenada, Baja California, 22800, México. * marco.gallo@uadec.edu.mx

85

CAS 03 Oxidación de CO asistido por un cúmulo de Au 8 sobre una superficie de Mg(100). Alfredo Tlahuice-Flores1*, Sergio Mejía-Rosales1,2, Edgar Martínez-Guerra1, Eduardo Pérez-Tijerina1,2 y Noboru Takeuchi Tan3.-- 1Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Universidad Autónoma de Nuevo León, San Nicolás de los Garza, N. L., 66450, México. 2Centro de Innovación, Investigación y Desarrollo en Ingeniería y Tecnología (CIIDIT), Universidad Autónoma de Nuevo León, Apodaca, Nuevo León, México 66600, y3Centro de Nanociencias y Nanotecnologia-Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 2681, Ensenada, B. C. *tlahuicef@yahoo.com

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CAS 04 Modos guiados en un sistema de multicapas dieléctri cas de Thue-Morse A. Aguirre-Méndez1,*, X. I. Saldaña-Saldaña2, M. P. Sampedro3.-- 1 Facultad de Ciencias de la Electrónica, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México.2Instituto de Física de la Universidad Autónoma de Puebla, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México.3Instituto de Física de la Universidad Autónoma de Puebla, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México.* luge@ece.buap.mx

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CAS 05 Estudios de la adsorción del B y Ga en la superfici e (0001) de Nitruro de Galio L. A. Palomino-Rojas1,*, Gregorio H. Cocoletzi2, y Noboru Takeuchi2,3. -- 1Física Aplicada, Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. Colonia San Manuel, Ciudad Universitaria, Puebla 72570, México. 2Instituto de Física,

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Caracterización y Metrología / Characterization and Metrology

Universidad Autónoma de Puebla, Apartado Postal J-48, Puebla 72570, México. 3Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 2681, Ensenada, Baja California, 22800, México. *plar88@yahoo.com.mx CAS 06 Surface Segregation in Binary Alloys Metallic Clust ers José Luis Rodríguez-López. -- División de Materiales Avanzados, IPICYT. Camino Presa Sn. José 2055, Lomas 4a Secc.78216, San Luis Potosí, SLP, México. jlrdz@ipicyt.edu.mx

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CAS 07 Calculation of the dielectric function of zigzag (6 ,0) boron nitride nanotubes with adsorption of molecular hydrogen R.A. Vázquez-Nava1, N. Arzate1 and J.E. Mejía2 -- 1Centro de Investigaciones en Óptica, México, 2Centro Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, México

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CAS 08. Plática Invitada. Theoretical Studies of Structural and Electronic Pr operties of Clusters Michael Springborg. -- Physical and Theoretical Chemistry, University of Saarland, 66123 Saarbrücken, Germany

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CYM 01 Obtención de isotermas de sorción de mango (Magnife ra indica L.) variedad Ataulfo. M. E. Rosas Mendoza1,2* , J. L. Fernández Muñoz2. -- 1 Departamento Ingeniería y Tecnología, FES-Cuautitlán UNAM. Av. 1º de mayo s/n, Col Atlanta, Cuautitlán Izcalli, 54740 Edo. de México, México. 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694. Colonia Irrigación, 11500 México, D. F. *merosas@servidor.unam.mx

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CYM 02 Simulación y caracterización de un transductor ultrasónico utilizando Rexolite como acoplamiento acústico. Israel Sánchez Domínguez, Pedro Acevedo Contla. Juan Antonio Contreras. -- Instituto de Investigaciones en Matemáticas Aplicadas y en Sistemas- UNAM. Circuito Escolar s/n Ciudad Universitaria, C.P. 04510, Del. Coyoacan, México DF. israel@uxdea4.iimas.unam.mx

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CYM 03 AFM contact current images of piezoelectric alumini um doped ZnO N. Muñoz Aguirre1, J. E. Rivera López1, Y. C. Pérez Albarrán 1, P. Tamayo Meza1 and L. Martínez Pérez2 . -- 1Instituto Politécnico Nacional, Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica-UA. Av. Granjas, N°682, Colonia Santa Catarina. Del. Azcapotzalco, CP. 02550, México, DF. México. 2Instituto Politécnico Nacional, Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas, Av. IPN No. 2580, Col. Barrio La Laguna Ticomán, C.P. 07340, México D.F. México.

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CYM 04 Analysis by Raman spectroscopy in an Evolution crys tal-amorphous on vanadate compounds R. Lozada-Morales1a, G. Calzada-López1a, Ma. E. Zayas2, J. Martínez-Juárez1b, G. Juárez-Díaz1b, O. Zelaya- Ángel3, S. Jiménez-Sandoval4, J. Carmona-Rodriguez4,1, F. Rodríguez-Melgarejo4, O. Portillo-Moreno1c. -- 1aPostgrado en Física Aplicada. Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas 1bDepartamento de Dispositivos Semiconductores. 1cFacultad de Ciencias Químicas. Benemérita Universidad Autónoma de Puebla.. Av. 14, San Claudio, Col. San

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Energías Renovables / Renewable Energy

Manuel, Puebla, México. 2Departamento de Investigación en Física de la Universidad de Sonora, Edificio 3I, Blvd. Edificio 5 E, Luís Encinas s/n, Col. Centro, 83000. Hermosillo, Sonora, México. 3Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, P.O. Box 14-740, México 07360 D. F. 4Centro de Investigación y de Estudios Avanzadazos del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, México CYM 05 Micro-Raman and photoluminescence Studies on crysta lline and amorphous structures of vanadate compounds. R. Lozada-Morales1a, G. Calzada-López1a, Ma. E. Zayas2, J. Martínez-Juárez1b, G. Juárez-Díaz1b, O. Zelaya- Ángel3, S. Jiménez-Sandoval4, J. Carmona-Rodriguez4,1, F. Rodríguez-Melgarejo4, O. Portillo-Moreno1c. -- 1aPostgrado en Física Aplicada. Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas 1bDepartamento de Dispositivos Semiconductores. 1cFacultad de Ciencias Químicas. Benemérita Universidad Autónoma de Puebla.. Av. 14, San Claudio, Col. San Manuel, Puebla, México.2Departamento de Investigación en Física de la Universidad de Sonora, Edificio 3I, Blvd. Edificio 5 E, Luís Encinas s/n, Col. Centro, 83000. Hermosillo, Sonora, México. 3Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, P.O. Box 14-740, México 07360 D. F. 4Centro de Investigación y de Estudios Avanzadazos del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, México

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CYM 06 Determination of the magnetic anisotropy field in p ermalloy films by means of microwave absorption technique. H. Montiela,*, A. Esparza-Garcíaa, M. E. Mata-Zamoraa, R. Zamoranob and G. Alvarezc.-- aDep. de Tecnociencias, Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico de la Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 70-360, Coyoacan DF, 04510, México. bDep. de Física, ESFM-IPN, U. P. Adolfo López Mateos Edificio 9, Av. Instituto Politécnico Nacional S/N, Col. San Pedro Zacatenco, 07738 DF, México. cDep. de Materiales Metálicos y Cerámicos, Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Coyoacan DF, 04510, México. *herlinda_m@yahoo.com

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CYM 07 Obtención de películas magnéticas de ferrita de Ni- Zn por depósito electroforético. J. F. Barrón-Lopez1,*, M. E. Mata-Zamora1, G. Alvarez2, H. Montiel1 -- 1 Centro de Ciencia Aplicada y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior S/N, Ciudad Universitaria, C.P. 04510, Distrito Federal, México. 2 Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Del. Coyoacán, C.P. 01250, México D.F., México. * jf.barron82@gmail.com

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ERW-1 Annealing effects on the charge transport propertie s of CdS:Er films. C.I. Zúñiga-Romero1, R.Lozada-Morales2, O. Portillo3, J. Carmona-Rodríguez1, F. Rodríguez-Melgarejo1, E. Urbina-Alvarez1, M.A Hernández-Landaverde1 and S. Jiménez-Sandoval1* 1 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, México. 2Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, 3 Facultad de Ciencias Químicas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av San Claudio y Río Verde, Puebla, Pue. 72570, México *sjimenez@qro.cinvestav.mx

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ERW-2 Thermodinamic trends driven by thermal annealings i n graded Cux(CdTe)yOz films studied by scanning electron microscopy. J.E. Urbina-Alvarez1, J. Carmona-Rodríguez1, F. Rodríguez-Melgarejo1, C.I. Zúñiga-Romero, J.

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Márquez-Marín, , M.A. Hernández-Landaverde1, R. Lozada-Morales2 and S. Jiménez-Sandoval1*.

1 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, Mexico 2Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av San Claudio y Río Verde, Puebla, Pue. 72570, México *sjimenez@qro.cinvestav.mx ERW-3 Dependence of the properties of Cu2xTe films on com position and substrate temperature. J. A. Villada1,*, M. E. Rodríguez-García2, J. Carmona-Rodríguez1, F. Rodríguez-Melgarejo1, J.E. Urbina-Alvarez1, J. Márquez-Marín1 and S. Jiménez-Sandoval 1*. 1 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, Mexico 2 Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México Campus Juriquilla, Apartado Postal 1-1010, Querétaro, Qro. 76000, Mexico *sjimenez@qro.cinvestav.mx

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ERW-4 Caracterización eléctrica de películas de CdTe:Cu F. de Moure-Flores1, M. Zapata-Torres2, M. Meléndez-Lira1,2, M. de la L. Olvera3, K.E. Nieto-Zepeda1, A. García-Sotelo1, José G. Quiñones-Galván1, A. Hernández-Hernández1, S. Cerón-Gutiérrez3. 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. 2CICATA-IPN, Unidad Legaria, Legaria 694, Col. Irrigación, 11500, México D.F., México. 3SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. *jdemoure@fis.cinvestav.mx

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ERW-06 Photocurrent losses due to absorption in CdTe/CdS s olar cells. L. Gonzalez-Mosqueda and R. Castro-Rodríguez*.-- Applied Physics Department, CINVESTAV-IPN Mérida, C.P. 97310, Mérida, Yucatán México

*romano@mda.cinvestav.mx

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ERW-07 Influence of two different methods activation treat ments on the photovoltaic parameters of CdS/CdTe solar cells. A. Rios-Flores1,*, O. Ares2, R. Castro-Rodríguez1, J.L. Peña1

1Applied Physics Department, CINVESTAV-IPN Mérida, C.P. 97310, Mérida, Yucatán México 2Applied Physics Department, Physics Faculty, Havana University, Havana, C.P 10400 Cuba. * arios@mda.cinvestav.mx

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ERW-09 ZnO deposited by sputtering using N 2O and their characterization using several optics and electric techniques S. Cerón-Gutiérrez1, M de la L. Olvera-Amador1, M. Meléndez-Lira1, F. de Moure-Flores1, J. G. Quiñónes-Galván1, A. Hernández-Hernández1. 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados Del instituto Politécnico Nacional. Av. Instituto Politécnico Nacional 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360 México, D.F. sceron@cinvestav.mx

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ERW-10 Physical, optical and electrical properties of undo ped ZnO thin films deposited by sputtering. S. Cerón-Gutiérrez1, M de la L. Olvera-Amador1, M. Meléndez-Lira1, F. de Moure-Flores1, J. G. Quiñónes-Galván1, A. Hernández-Hernández1. 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados Del instituto Politécnico Nacional. Av.

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Fenómenos Fototérmicos / Photothermal Phenomena

Instituto Politécnico Nacional 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360 México, D.F. sceron@cinvestav.mx ERW-11 Comparación de la degradación de celdas solares de CdTe con CdS procesado por CBD y CSVT. R. Mendoza-Pérez 1, *, J. Sastre-Hernández 2, G. Contreras-Puente 2 and J. Aguilar Hernández 2. .--1 Universidad Autónoma de la Ciudad de México; Av. Prolongación San Isidro Núm. 151; Col. San Lorenzo Tezonco; C. P. 09790; México, D. F. 2 Escuela Superior de Física y Matemáticas del IPN., Edificio 9, U.P.A.L.M.; Col. Lindavista; C. P. 07738; México, D. F. *kayabix@yahoo.com.mx y rogelio.mendoza@uacm.edu.mx

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ERW-12 I-V response in bio-batteries as a function of elec trodes design. C. García-Pacheco1; E. Aquino-García2; J. J. Hernández-Barriga2 y D. C. Altamirano-Juárez2, * 1Instituto Tecnológico de Chetumal, Av. Insurgentes #330. David Gustavo Gutierrez. C. P. 77013, Chetumal, Quintana Roo, México 2Universidad de la Sierra Sur, Guillermo Rojas Mijangos S/N. Col. Cd. Universitaria. C. P. 70805 Miahuatlán de Porfirio Díaz, Oaxaca, México

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FFT-01 Teoría de las técnicas fototérmicas diferenciales. R Ivanov1, E Marín2, A Cruz-Orea3, I Moreno1, C Araujo-Andrade1 . 1 Facultad de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calz. Solidaridad Esquina Paseo de la Bufa s/n, C.P. 98060, Zacatecas, Zac., México. 2 Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada-Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694, Col. Irrigación, CP 11500, México D.F., México. 3 Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, Av. IPN No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, C.P. 07360, México D.F., México.

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FFT-02 Propiedades térmicas efectivas de sistemas multicap as con resistencia térmica de interface en un modelo hiperbólico de conducción d e calor. J. Ordóñez-Miranda* and J. J. Alvarado-Gil** Departamento de Física Aplicada, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N-Unidad Mérida. Carretera Antigua a Progreso km. 6, A.P. 73 Cordemex, Mérida, Yucatán, México, C.P. 97310. *eordonez@mda.cinvestav.mx ** jjag@mda.cinvestav.mx

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FFT-03 Análisis de la difusión del azul de metileno en aga r phantoms. L. Vilca-Quispe1,*, J. Ordonez-Miranda2, J. J. Alvarado-Gil3, P. Quintana4, J. May-Crespo5

1,2,3,4,5 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional Unidad Mérida, Departamento de Física Aplicada, Carretera Antigua a Progreso km. 6, Col. Gonzalo Guerrero, C.P. 97310, Mérida, Yucatán, México. * lvilca@mda.cinvestav.mx

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FFT-04 Estudio de procesos termo-transitorios ultrarrápido s en superficies metálicas J. Garduño-Mejía*, R. Ortega-Martínez Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Cto. Ext. s/n, C.P. 04510, D.F., México. * jesus.garduno@ccadet.unam.mx

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FFT-05 Structural, microstructural and photothermal charac terization Cu x(CdTe)yOz thin films growth by radiofrequency sputtering R. Velazquez-Hernandeza,*, I. Rojas-Rodriguezb, S. Jiménez-Sandovalc, M.E. Rodriguez-Garciad

a División de Investigación y Posgrado, Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Querétaro, Cerro de las Campanas S/N, Querétaro, Qro., México, C.P. 76010 b Universidad Tecnológica de Querétaro, México. Av. Pie de la Cuesta S/N, Sn. Pedrito Peñuelas Querétaro, Qro. México c Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro., México C.P.76001 d Departamento de Nanotecnología, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México, Campus Juriqulla, Apartado Postal 1-1010, Querétaro, Qro. México

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FFT-06 Diagnóstico médico por medio de termografía infrarr oja. Eleazar Samuel Kolosovas Machuca1,2* 1 Instituto de Investigación en Comunicación Optica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470 Lomas 4ª Secc., C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., Mexico 2 Facultad de Ciencias, UASLP, Nillo Artillero 45, Col. Universidad, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., Mexico kolosovas@cactus.iico.uaslp.mx

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FFT-07 Thermo-electronic and structural studies of Silicon doped GaAs growth by MBE using PCR. J. A. Villada, M. López-López, S. Jiménez-Sandoval, M. E. Rodríguez-García CINVESTAV-Querétaro, Libr. Norponiente No. 2000, Fracc. Real de Juriquilla, CP 76230 Querétaro, Qro., México. Departamento de Nanotecnología, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, UNAM Apartado Postal 1-1010 76000 Querétaro, Qro., México.

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FFT-08 Espectropia fotoacustica aplicada en el análisis cu antitativo. José Abraham Balderas López Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del Instituto Politécnico Nacional, Av. Acueducto S. N., col. Barrio la Laguna Ticomán, Del. Gustavo A. Madero, C. P. 07340, México, D. F., MEXICO

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MEMS y Microelectrónica / Microelectronics and MEMS

MYM-01 Test Structures for Transmission Line Characterizat ion used in Clock Generation and Distribution Systems. O. González-Díaz, M. Linares-Aranda, R. Torres-Torres. Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE), Luis Enrique Erro No. 1 Santa María Tonantzintla, Puebla C. P. 72840 Apartado Postal 5, Puebla México. mlinares@inaoep.mx

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MYM-02 Análisis y caracterización de un acelerómetro capac itivo fabricado con tecnología PolyMUMP’s. R.I Rincon-Jara1,*, R. Ambrosio1, J. Mireles1. 1 Centro de Investigación en Ciencia y Tecnología Aplicada, Universidad Autónoma de Ciudad Juárez, Ave. Del Charro 450 N, C.P. 32310, Cd. Juárez, Chihuahua, México. * ivancatedral@yahoo.com.mx

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MYM-03 Micro-electronic circuit design for amplification a nd modulation in a MEMs human blood-pressure sensor. E. Vela-Peña1, I. Quiñones-Urióstegui1, F. Martinez-Piñon2, J.A. Alvarez-Chavez2,* 1Instituto Nacional de Rehabilitacion, Calz. México Xochimilco No. 289 Col. Arenal de Guadalupe, C.P.14389 D.F. Mexico 2Centro de Investigacion e Innovacion Tecnologica – IPN, Cerrada Cecati S/N, Col. Santa Catarina, C.P. 02250, D.F. Mexico *Corresponding autor: jalvarezch@ipn.mx

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MYM-04 Punta con microelectrodos de silicio tipo P +.

Benítez-Lara1*, S. Alcántara-Iniesta1, F. López-Huerta2, B.S. Soto-Cruz2, 1 Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 2 Facultad de Ciencias Fisico-Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria C.P. 72570, Cd. Puebla, México. *titomate@hotmail.com

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MYM-05 Sensores piezoeléctricos de fluoruro de poliviliden o modificado con nanopartículas de sílice para aplicaciones en MEM'S . Concepción Arenas1*, Erika Loa2, Domingo Rangel1, Victor M. Castaño1. 1 Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada Universidad Nacional Autónoma de México, Boulevard Juriquilla, Santiago de Querétaro, Querétaro 76230, México. 2 Universidad Autónoma de Querétaro, Centro Universitario s/n Col. Las Campanas Querétaro, Querétaro 76000, México. *mcaa@fata.unam.mx; castano@fata.unam.mx

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Nanoestructuras / Nanostructures

MYM-06 Diseño de un transductor aplicable en un sensor de presión arterial inspirado en el modelo de la elasticidad arterial, utilizando la te cnología MEMS. M.F. Franco-Ayala1, F. Martínez-Piñón1, J. A. Alvarez-Chavez1 *, A. Reyes-Barranca2. 1Centro de Investigación e Innovación Tecnológica (CIITEC) - IPN Cerrada Cecati s/n, Col. Santa Catarina, Del. Azcapotzalco, México D.F. 02250 2Centro de Investigación y Estudios Avanzados (CINVESTAV) del IPN Ave. Instituto Politécnico Nacional 2508 Col San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F. *mfrancoa0800@ipn.mx

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MYM-07 Fabricación y Caracterización de Estructuras Microm ecánicas con Polisilicio para el Análisis de Mecanismos de Colapso . D. Díaz A.*, A. Alanís N.1, A. Torres J., W. Calleja A., F.J. De la Hidalga W., J. Molina, M. Linares A., C. Zuñiga, C. Reyes B., M. Landa, M. Escobar A., N. Carlos R., I. Juárez R., J.M. Álvarez L., F. Quiñones N., A. Cortes C., A. Itzmoyotl T., M.E. Hernández L. INAOE Laboratorio de Microelectrónica y Centro de Diseño de MEMS, Tonantzintla, Puebla, Méx. 1 Centro de Investigación en Energía – UNAM, Morelos, México. * ddalonso@inaoep.mx

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MYM-08 Diferencias divididas de Newton para interpolación de presiones máximas obtenidas en asientos prototipos para lesionados me dulares G. Gayol-Merida1, F. Martinez-Piñon2, J.A. Alvarez-Chavez2,* 1Instituto Nacional de Rehabilitacion, Calz. México Xochimilco No. 289 Col. Arenal de Guadalupe, C.P.14389 D.F. Mexico 2Centro de Investigacion e Innovacion Tecnologica – IPN, Cerrada Cecati S/N, Col. Santa Catarina, C.P. 02250, D.F. Mexico *Corresponding autor: jalvarezch@ipn.mx

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MYM-09 Conferencia Invitada Effects of Electrical Stimulator over Human Cornea Luis Niño de Rivera and Daniel Robles Camarillo National Polytechnic Institute of Mexico, SEPI. luisninoderivera@gmail.com

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NAE-01 Elaboración de moldes de alúmina porosa para fabric ación de nanoAlambres metálicos. A.J. Giménez Gómez*, J.M. Yáñez Limón. Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional Libramiento Norponiente #2000, fracc. Real de Juriquilla. C.P. 76230. Santiago de Querétaro, Qro., México. *agomez@qro.cinvestav.mx

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NAE-02 Nanoencapsulación De Coenzima Q10 En Polímeros Deri vados Del Ácido Láctico Por El Método De Desplazamiento De Solvente. E. Ronquillo de Jesús1*, San Martín Martínez1, José Guzmán Mendoza1, Ruth Pedroza1

Centro de investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694. Colonia Irrigación, 11500 México D. F. elba_ronquillo@hotmail.com

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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NAE-03 Interaction of Gallium Salts with Carbon Nanotubes T.J. Simmons1,2*, M. Bravo Sanchez1, M. Terrones3, M.A. Vidal Borbolla1 1 Coordinación para la Innovación y la Aplicación de la Ciencia y la Tecnología, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470 Lomas 4ª Secc., C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México 2Department of Chemistry & Chemical Biology, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, 12180, USA 3 Materiales Avanzados, IPICYT, Camino de la Presa de San José, Col. Lomas 4a, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México * simmot@rpi.edu

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NAE-04 Síntesis de nanopartículas de Si y CdTe embebidas e n SiO2 E. Mota-Pineda1,*, M. Meléndez-Lira+2, M. Zapata-Torres2, A. Pérez-Centeno3, M.A. Santana-Aranda3, P. del Angel4 1Departamento de Física, Cinvestav IPN, Apdo. 17-740 México D.F., México 07000. 2CICATA-IPN, Unidad Legaria, Legaria 694 Col. Irrigación, Del. Miguel Hidalgo, C.P. 11500, Mexico D.F. 3Departamento de Física, CUCEI, Universidad de Guadalajara, Blvd. Marcelino García Barragán # 1421, Col. Olímpica, C.P. 44430, Guadalajara, Jal., México. 4Instituto Mexicano del Petróleo, Dirección de Investigación y Posgrado, Eje Central L. Cárdenas 152, 07730 México, D.F., México + en año sabático del Departamento de Física, Cinvestav-IPN * emota@fis.cinvestav.mx

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NAE-05 Electronic transitions in low dimensional systems o f III-V compound semiconductors at high-index crystalline growth. J. Hernández-Rosas1*, S. Gallardo-Hernández2, J. G. Mendoza-Álvarez, E. Cruz-Hernández1, J. S. Rojas-Ramírez1, R. Contreras-Guerrero and M. López-López1 1Departamento de Física, 2Departamento de Ingeniería Eléctrica, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, México D.F. 07000, México. *jhr@xanum.uam.mx

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NAE-06 Mechanical, wear and corrosion behavior of Cr/crn nano-multilayers grown by the unbalanced magnetron sputtering technique. U. Piratoba1, D.M. Marulanda2, E. Camps3, J.J. Olaya2

1Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia, UPTC 2Departamento de Ingeniería Mecánica y Mecatrónica, Universidad Nacional de Colombia 3 Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares de México

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NAE-07 Optical and structural characterization of (Ga,Mn)A s/GaAs(001) structures grown by MBE. I. Martínez-Velis1,*, A. Pulzara-Mora2, J.S. Rojas-Ramírez1, M. Contreras-Guerrero1, S. Gallardo-Hernández3, Y. Kudriatsev3, J. Hernández-Rojas1 and M. López-López1. 1 Physics Department, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, México D.F, México 07000. 2 Laboratorio de Magnetismo y Materiales Avanzados. Universidad Nacional de Colombia Sede Manizales. A.A. 127. 3 Engineering Department, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, México D.F., México 07000 * imartinez@fis.cinvestav.mx

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Películas Delgadas / Thin Films

NAE-08 Multiple peak emission using a SRO multilayer stack . Karim M. Leyva*, Mariano Aceves, Zhenrui Yu Department of Electronics. National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics. Apdo. 51, Puebla, 72000. Puebla, Mexico. *kmonfil@inaoep.mx

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PDD-05 Dependence of the thickness and composition of the HfO2/Si interface layer on annealing P.G. Mani-Gonzalez1,*, A. Herrera-Gomez1.-- 1CINVESTAV Unidad Querétaro, Libramiento Norponiente #2000, Frac. Real de Juriquilla, Querétaro, Qro. México C.P. 76230. *gmani@qro.cinvestav.mx

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PDD-12 Diseño de experimentos de mezclas para la formulaci ón de un recubrimiento epóxico con pigmentos de diferentes óxidos metálicos y zinc para la protección de materiales. J. C. Axotla García1, A. Aguilar Márquez1, M. de N. Pineda Becerril1., O. García León1, F. M. León Rodríguez1 .--1 Facultad de Estudios Superiores Cuautitlán. Universidad Nacional Autónoma de México. Carretera Cuautitlán-Teoloyucan Km. 2.5, Colonia San Sebastián Xhala. Cuautitlán Izcalli, Estado de México, C. P. 54714. *charly_axotla@fesc.cuautitlan2.unam.mx; mnazarethp@fesc.cuautitlan2.unam.mx

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PDD-16 Evaluation of the electrochemical behaviour of tant alum oxide thin films for biomedical applications. P-N. Rojas1, S. Muhl1, S.E. Rodil1.-- 1 Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito exterior s/n, Ciudad Universitaria, Coyoacán, 04510 México D.F.

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PDD-23 Caracterización óptica de películas de nitruro de a luminio depositadas por ablación láser usando un blanco de aluminio F. Chalé-Lara1,4, M.H. Farías2,*, C. Huerta-Escamilla3, M. Xiao2.-- 1Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Apartado Postal 2681, Ensenada, Baja California, C.P. 22800, México. 2Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 365, Ensenada CP 22800, Baja California, México. 3Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de Baja California, Km. 103 Carretera Tijuana–Ensenada, C.P. 22800, Ensenada, Baja California, México. 4CICATA-IPN Unidad Altamira, Km. 14.5 Carretera. Tampico-Puerto Industrial CP 89600, Altamira, Tamaulipas, México. * mario@cnyn.unam.mx

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PDD-28 Selectividad de la fotoluminiscencia mediante micro cavidades fabricadas con multicapas de silicio poroso. K. Pérez, J. Arriaga, A. Méndez Blas*.-- Instituto de Física “Luis Rivera Terrazas”, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Apdo. Postal J-48, C.P. 72570, Puebla, Pue. México. *amendez@sirio.ifuap.buap.mx

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PDD-32 Dependence of the Critical Loads on the Parameters of the Scratch Test I. Camps1*, S. Muhl1, S. E. Rodil1, E.Camps2, L. Escobar-Alarcon2.-- 1Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM, México. 2Instituto Nacional de Investigaciones

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Polímeros / Polymers

Nucleares, México. * icaba@yahoo.com PDD-35 Influencia del espesor de las películas amorfas de oxido de niobio en la protección de la corrosión del acero inoxidable AISI 316L G. Ramírez1*, S.E. Rodil1, D. Turcio-Ortega1, S. Muhl1, E. Camps2, L. Escobar-Alarcón2.-- 1 Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior s/n, CU, México D.F. 04510, México. 2 Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Apdo. Postal 18-1027, México, DF 11801, México. * enggiova@hotmail.com

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PDD-38 Propiedades ópticas y estructurales de películas de lgadas de a-C:Au depositadas por dc magnetron co-sputtering Z. Montiel-González1,*, S. E. Rodil1, S. Muhl1, and L. Rodríguez-Fernández2.-- 1Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM, Circuito exterior s/n CU, Apartado Postal 70360, Coyoacán 04510, México D.F. 2Instituto de Física, Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 20-364, México D.F., C.P. 01000, México. *zeuzmontiel@yahoo.com.mx

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POL-01 Initial Stage in the 4-oxo-TEMPO-Mediated Thermal C opolymerization of Styrene/Maleic Anhydride: Kinetics and Simulations. Josué D. Mota-Moralesa, Enrique Saldívar-Guerrab, J. Gabriel Luna-Bárcenasa, Judith Percino c, Víctor Chapela c .— aCinvestav Querétaro, Libramiento Norponiente No. 2000, Fracc, Real de Juriquilla, Querétaro, Qro. 76230, México. bCentro de Investigación en Química Aplicada, Blvd. Enrique Reyna No. 140, Saltillo Coah. 25253, México. cLaboratorio de Polímeros, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, México. jmota@qro.cinvestav.mx

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POL 02 Copolimerización por injerto radio-inducida de monó meros hidrofílicos en los polihidroxialcanoatos. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2.— 1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México. 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México. * mikegcu@gmail.com

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POL 03 Obtención y estudio de superficies lignocelulósicas modelo Sergio Espinosa Domínguez1, Maribel Hernández-Guerrero1, Hiram I.Beltrán Conde2, José Campos Terán1*.-

-1 Departamento de Procesos y Tecnología, Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Cuajimalpa, México. 2 Departamento de Ciencias Naturales, Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Cuajimalpa, México. * jcampos@correo.cua.uam.mx

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POL 04 Synthesis and mechanical properties evaluation of w aterborne PSA’s with homogeneous morphology R Mascorro 1b, G Rosano1, M Corea 2a ---.

1 Laboratorio de Investigación en Ingeniería Química Ambiental, SEPI-ESIQIE, Instituto Politécnico Nacional, UPALM, Zacatenco, Gustavo A. Madero, C.P. 07738, México, D.F.. 2 ESIQIE, Instituto Politécnico Nacional, UPALM, Edificio Z-6, Zacatenco, Gustavo A. Madero, C.P. 07738, México, D.F.. aemail: mcoreat@ipn.mx, brmascof_75@yahoo.com.mx

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POL 05 Electrostatic Dissipative Particle Dynamics in the Grand Canonical Ensemble: A Study

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Semiconductores / Semiconductors

of Properties of Polyelectrolyte Soluti ons. F. Alarcón Oseguera [1] [2], A. Gama Goicochea [2] and E. Pérez [1] .— [1] Instituto de Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, San Luis Potosí, México. [2] Centro de Investigación en Polímeros, COMEX Group, Marcos Achar Lobatón 2, 55885 Tepexpan, Edo. de México, México. POL 06 Comparison of mesoscopic solvation forces at consta nt density and at constant chemical potential M. A. Balderas Altamirano1 , Rendon, R and A.2 Gama Goicochea2*.—

1Departamento de Química, Universidad Autónoma Metropolitana-Iztapalapa, Avenida San Rafael Atlixco 186, Col. Vicentina, 09340 México D.F., México. 2Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma del Estado de México. Ave. Instituto Literario 100, Col. Centro, 50 000, Toluca, Estado de México, México. 3Centro de Investigación en Polímeros (Grupo COMEX). Marcos Achar Lobatón No. 2, Tepexpan, 55885 Acolman, Estado de México, México

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POL 07 Efecto de la velocidad de calentamiento en la resis tividad eléctrica de compuestos poliméricos base Poliestireno y negro de carbono Delfino Reyes-Contreras2*, Susana Hernández-López1, Enrique Vigueras-Santiago1. 1 Laboratorio de Investigación y Desarrollo de Materiales Avanzados (LIDMA) Facultad de Química, Paseo Colón Esquina con Paseo Tollocan s/n, C.P. 50000, Toluca Estado de México, México. 2 Facultad de Ciencias Universidad Autónoma del Estado de México, Av. Instituto Literario 100 Ote. C. P. 50000, Toluca, Estado de México, México. dreyes.fc@gmail.com, shernandez@uaemex.mx, eviguerass@uaemex.mx,

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POL 08 Compósito polianilina/alcohol polivinílico codopado con ácido clorídrico y ácido canforsulfónico Jorge E. Osorio-Fuente, Carlos Gómez–Yáñez,* María de los Ángeles Hernández–Pérez. Departamento de Metalurgia y Materiales, ESIQIE, Instituto Politécnico Nacional.Ed. 7, U. P. Adolfo López Mateos, 07738, México D.F., México. *cgomezy@ipn.mx

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POL 09 Morfología de complejos de polielectrolitos. Un est udio por simulaciones de Monte Carlo. Claudio F. Narambuena, Elías Pérez*.— IF-UASLP, Av. Manuel Nava 6 Zona Universitaria, C.P. 78290, Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, San Luis Potosí, S.L.P., Mexico. * elias@ifisica.uaslp.mx

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SEM-01 Photocatalytic efficiency in the visible light rang e of N–TiO 2 powders obtained by high energy milling. L. Rojas Blanco1,*, J. Velásquez Salazar2, A. Herrera Gomez1, R. Ramírez Bon1, F. J. Espinoza Beltran1 -- 1 Cinvestav-Querétaro del Instituto Politécnico Nacional, Libramiento Norponiente No. 2000 Fraccionamiento Real de Juriquilla C.P. 76230 Santiago de Querétaro, Qro., México. 2 University of Texas at Austin, TX 78712, United States. * smile_liz18@hotmail.com

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SEM-02 Photoluminescence studies of Mg-doped Gallium Nitri de layers grown by metal-organic chemical vapor deposition C. Guarneros* and V. Sánchez. -- Sección de Electrónica del Estado Sólido, Departamento de

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Sol Gel / Sol Gel

Ingeniería Eléctrica. Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional. Av. I. P. N. 2508, San Pedro Zacatenco, 07360 México, D. F. MEXICO. cesyga@yahoo.com.mx SEM-03 Preparación y caracterización morfológica, estructu ral y eléctrica de capas delgadas de Alq 3, depositadas por evaporación térmica en vacío G. F. Acevedo-Amaya, H. Y. Valencia-Martínez, N. T. Ramírez-Márquez, A.M. Ardila Vargas* -- Grupo de Física Aplicada Departamento de Física, Facultad de Ciencias. Universidad Nacional de Colombia. Bogotá, Colombia. * amardilav@unal.edu.co

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SEM-04 FOTODEGRADACIÓN DE LIGNINA POR CATALIZADORES NANOES TRUCTURADOS, M/M*: M: NT-CeO 2, NT-La2O3, NTC´s, M:TiO 2 G. J. Lopez Mercadoa R. Rangela,*, G. Martinez a y P. Bartolo-Pérezb -- aDivisión de Estudios de Posgrado, Facultad de Ingenieria Quimica,Universidad Michoacana de S. N. H., Morelia, Michoacán, C.P. 58060. b CINVESTAV-IPN, Unidad Mérida, Departamento de Física Aplicada, Mérida, Yuc., México rrangel@umich.mx

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SEM-05 Analytical study of thin AlN film on sapphire O. Koudriavtseva1,*, M.Avendaño1, A. Escobosa1, V.M.Sanchez –R.1, R.Asomoza1, Yu.Kudriavtsev1, S.Nikishin2. -- 1Dep. Ingenieria Electrica –SEES, CINVESTAV-IPN, Av. IPN # 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Mexico DF. 2Texas Technical University, Lubbock, TX, USA * kud-olga@yandex.ru

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SEM-06 The Technological Potential of Memristors and Resis tive Switching David Zubia. -- University of Texas at El Paso, El Paso, Texas, 79968

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SEM-07 Photoluminescence and Photoacoustic Characterizatio n of Ternary Alloys of InAs xSb1-x Grown by LPE for Medium IR Photodetectors J.G. Mendoza-Alvarez1, Y.E. Bravo-Garcia2, P. Rodriguez-Fragoso1, I.Riech5, M.L. Gomez-Herrera3, J.L. Herrera-Perez2, A. Cruz-Orea1, F. Sanchez-Sinencio1,4 -- 1 Departamento de Física. Cinvestav-IPN. A.P. 14-740. México DF 07000. México. 2 CICATA-IPN. Unidad Legaria. Legaria 694, Col. Irrigación. México DF 11500. México. 3 Facultad de Ingeniería. Universidad Autónoma de Querétaro. Querétaro, Qro. 76010. México. 4 Centro Latinoamericano de Física. Río de Janeiro, RJ. Brasil. 5 Facultad de Ingenieria, Universidad Autonoma de Yucatán, Merida, Yuc. 150. México

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SEM-08 Películas policristalinas de Cd 1-xAl xTe de baja resistividad M. Becerril1*, O. Zelaya-Angel1, O. Vigil-Galán2, G. Contreras Puente2 -- 1Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, Apdo. Postal 14-740 07000. México, D.F., México. 2Escuela Superior de Física y Matemáticas. Instituto Politécnico Nacional, 07738 México D.F., México. *becerril@fis.cinvestav.mx

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SGE 01 Síntesis y Caracterización de Compuestos Intermetál icos con Propiedades de Imanes Permanentes . Aranda García Rubén Jonatana, Pacheco Espejel Jesús Vicenteb. -- aFacultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. bInstituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. jonatan_izucar@hotmail.com

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SGE 02 Síntesis y caracterización de porfirinas embebidas en una matriz de Silica-Xerogel D.E. Espericueta González1, 2*, J.R. Martínez 3 , G. Ortega3.-- 1 Centro de Investigaciones en

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Materiales Avanzados, S.C, Miguel de Cervantes Saavedra No. 120, Complejo Industrial Chihuahua, Chihuahua, México. despericueta@uaslp.mx. 2 Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Manuel Nava No.8, Zona Universitaria, San Luis Potosí, S.L.P., México. 3 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Salvador Nava S/N, Zona Universitaria, San Luis Potosí, S.L.P. , México SGE 03 Aumento de los valores de coercitividad por la inco rporación de polvos magnéticos CoFe2O4 embebido en una matriz inorgánica. J. Román de Alba1, 2,3,*, I. G. Blanco1, 2, G. Martínez-Castañón1., A. Encinas-Oropeza1.*, J. R. Martínez. Mendoza1, 2, y J. González-Hernández2. -- 1 Centro de Investigaciones en Materiales Avanzados S. C., 31109 Chihuahua, Chih, México. 2 Facultad de Ingeniería, UASLP, Salvador Nava # 8, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México. 3 Facultad de Ciencias, UASLP, Niño Artillero 45, Col. Universidad, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México. * jr@ualp.mx

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SGE 04 Degradación Fotocatalítica de fenol utilizando como catalizadores TiO2 y TiO 2-SO4

=. T.J. Del Ángel- Sánchez1*, R. García- Alamilla1*, G. Sandoval-Robles1, R. Silva-Rodrigo1, C.E. Ramos-Galván1, S. Robles-Andrade1, E. Moctezuma-Velázquez2. -- 1 Depto. de Ingeniería Química. Instituto Tecnológico de Cd. Madero. J. Rosas y J.Urueta. Col. Los Mangos, Cd. Madero Tamaulipas, México. Tel.01 (833) 2 15 85 44. 2 Centro de Investigación y Estudios de Posgrado/FCQ, UASLP. Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, San Luis Potosí, SLP, México. rgalamilla@aol.com, tere_delangel@hotmail.com

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SGE 05 Síntesis y caracterización de ferrofluidos. I.G. Blanco-Esqueda1,2,*, G. Ortega-Zarzosa1, J.R. Martínez-Mendoza1, J.A. Matutes-Aquino2. --1 Facultad de Ciencias, UASLP, Diagonal Sur S/N, Zona Universitaria, C.P. 78290, San Luis Potosí, S.L.P., México. 2 Centro de Investigación en Materiales Avanzados (CIMAV), Ave. Miguel de Cervantes 120 Complejo Industrial Chihuahua, C.P. 31109, Chihuahua, Chihuahua, México.*blancoivang@gmail.com.

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SGE 06 Propiedades ópticas de películas delgadas de SiO 2 con los colorantes Cristal Violeta y Verde Brillante. J. O. García-Torija1,*, R. Palomino-Merino1, P. del Angel Vicente2, E. Rubio-Rosas3, R. Lozada-Morales1, J. Martínez-Juárez4, G. Juárez-Díaz4, M. de la L. García-Cruz4, S. Jiménez-Sandoval5, F. Rodríguez-Melgarejo5, S. A. Tomás-Velázquez6. -- 1 Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, México. 2Instituto Mexicano del Petroleo, Eje Central Lázaro Cárdenas 152 Col. San Bartolo Atepehuacan, C.P. 07730, México D.F., México. 3Centro de Vinculación Universitaria, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, México. 4 Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 5Libramiento Norponiente no. 2000 frac. Real de Juriquilla, C.P. 76230, Santiago de Querétaro, Querétaro, México. 6Av. Instituto Politécnico Nacional 2508, Col. San Pedro Zacatenco, C.P. 07360, México D.F., México. * joscargt@yahoo.com

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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Sesiones de Carteles / Poster Sessions

Biomateriales / Biomaterials

BIO P01 Measurement of protein-protein interaction by using an array of Quartz Crystal Microbalance biosensors J.M. Hernández-Lara1,2, V. Altuzar2, S. Muñoz-Aguirre3, C. Mendoza-Barrera2,* .-- 1Postgrado en Micro y Nanosistemas y 2Laboratorio de Bionanotecnología, Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines 455, Fracc. Costa Verde, C.P. 94294, Boca del Río, Veracruz, México.2Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av. San Claudio y 18 Sur, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Puebla, México.*cmendoza_barrera@hotmail.com

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BIO P02 Synthesis of Hydroxyapatite nanoparticles via chemi cal route F. Vázquez-Hernández1, M. de la L. Olvera1, M. Meléndez-Lira2, V. Altuzar3, V. Garibay-Febles4, C. Mendoza-Barrera3,*. -- 1Departamento de Ingeniería Eléctrica y 2Departamento de Física, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Av. Instituto Politécnico Nacional 2508, Col. San Pedro Zacatenco, C.P. 07360, Distrito Federal, México. 3Laboratorio de Bionanotecnología, Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines 455, Fracc. Costa Verde, C.P. 94294, Boca del Río, Veracruz, México.4LAMEUAR, Instituto Mexicano del Petróleo, Eje Central Lázaro Cárdenas Norte 152, Col. San Bartolo Atepehuacan, C.P. 07730, Distrito Federal, México. *cmendoza_barrera@hotmail.com

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BIO P03 Obtención y caracterización de nanocristales de Hid roxiapatita. Daniel Meza Arredondo, M. C. Piña-Barba. -- Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Circuito exterior s/n, C.P. 04510 México D.F.dnl.meza@gmail.com; mcpb@unam.mx.

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BIO P04 Caracterización y aplicación de biopelículas comest ibles de alginato de sodio y goma de mezquite. M. Aguilar-Alejo*, R. S Filio-Hernández, K. M. García-Banda, A.E. Sánchez-Mendoza, M.E. Vargas-Ugalde, D.L.Villagómez-Zavala y R. Pedroza-Islas. Facultad de Estudios Superiores Cuatlitlán. Universidad Nacional Autónoma. Km. 2.5 carretera cuautitlán Teoloyucan San Sebastián Xhala CP 54740. Cuautitlán, Izcalli Edo. De México. doraluzvillagomezzavala@yahoo.com.mx

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BIO P05 Biopelículas comestibles aplicadas a queso fresco D. L. Villagómez-Zavala1, 3*, R.Pedroza-Islas2, 3, ME Vargas-Ugalde1 y E. Fuentes-Romero4..-- 1Facultad de Estudios Superiores Cuautitlán. Universidad Nacional Autónoma de México, Km. 2.5 carretera Cuautitlán Teoloyucan San Sebastián Xhala CP 54740, Cuautitlán, Izcalli Edo. De México. 2Programa de Ingeniería de Alimentos. Departamento de Ingeniería y Ciencias Químicas Universidad Iberoamericana. 3CICATA, IPN. Calzada Lagaría 694, Irrigación, México D.F. 4Facultad de Estudios Superiores Cuautitlán. Universidad Nacional Autónoma de México, Cuautitlán, Izcalli de Romero Rubio, Edo. de México. doraluzvillagomezzavala@yahoo.com.mx

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BIO P06 Preparación y caracterización de polvos nanoestruct urados de hidroxoapatita S. E. Hernández-Martínez1, G. A. Martínez-Castañón2, J. P. Loyola-Rodríguez2, N. Patiño-Marín2, J. F. Reyes-Macías2 y Facundo Ruiz3. -- 1 Facultad de Ciencias Químicas, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, Col. Centro, C. P. 78000, San Luis Potosí, S. L. P., Mexico.2 Maestría en Ciencias Odontológicas, Facultad de Estomatología, UASLP, Av. Manuel Nava 2, Zona Universitaria, C. P. 78210, San Luis Potosí, S. L. P., México. 3 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, Col. Centro, C. P. 78000, San Luis Potosí, S. L. P., Mexico. * mtzcastanon@fciencias.uaslp.mx

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BIO P07 Calcium phosphate cements (CPC) reinforced with c ollagen fibres. Ismael González Hernández, María Cristina Piña Barba. -- Instituto de Investigaciones en Materiales. Universidad Nacional Autónoma de México. Circuito Exterior s/n, Ciudad Universitaria, México 04510 D.F.; A.P. 70-360. isgohe_fi@yahoo.com.mx, mcpb@servidor.unam.mx

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BIO P08 Formación , caracterización y prueba in vivo de ter mogeles de quitosán -captopril obtenidos con β-glicerol fosfato de sodio y alcohol polivinílico e n un modelo de rata hipertensa S.P. Miranda*,N.R. Martínez,A.Cedillo, G.Arciniaga, L. Martínez. -- Facultad de Estudios Superiores Cuautitlan. UNAM. Av Primero de mayo s/n Cuautitlán Izcalli.Edo de México. C.P. 54740. *spmcunam55@gmail.com

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BIO P09 Detección de metales pesados con sistemas hibridos- nanoestructurados de silicio poroso Escudero-García S.1, Rodríguez-Villanueva A.L.1, Balderas-Valadez R. F.1, Medellín Rodríguez F.1 Agarwal V.2 Palestino-Escobedo. A. G. 1*. -- 1FCQ-CIEP, Universidad

Autónoma de San Luis Potosí Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, CP 78210, San Luis

Potosí, México. 2 CIICAP-UAEM, Av. Universidad 1001, Col Chamilpa, Cuernavaca, Mor., México palestinogabriela@fcq.uaslp.mx

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BIO P10 Non-conventional low-cost biomaterial for heavy met al removal in wastewater. K. Ruiz-Tovar1, D. Morales-Fonseca1, M.M. Martínez-Salgado1, A.B. Soto-Guzmán2, C. Falcony-Guajardo2, R. Rodríguez-Vázquez3, A.M. Pedroza-Rodríguez1*. -- 1 Environmental and Industrial Biotechnology Group. University Javeriana. Carrera 7 No. 43-82, Bogotá, Colombia. 2 Physics Department. Center for Research and Advanced Studies of I.P.N (CINVESTAV-IPN) Politécnico Nacional Avenue 2508. México D.F. México. 3Biotechnology and Bioengineering Department. Center for Research and Advanced Studies of I.P.N (CINVESTAV-IPN) Politécnico Nacional Avenue 2508. México D.F. México. *aurapedroza@yahoo.com o apedroza@javeriana.edu.co

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Cerámicos Avanzados y Multifucionales / Advanced and Multifuctional Ceramics

CAM PO1 Phase transition, microstructure and electrical pro perties of (K 0.5Na0.5)(Nb0.9Ta0.1)O3 lead free ceramics. J.Portelles1,2,3, E. Rodriguez1,2, O.Raymond3, D.Rivero4, J.Fuentes1 J. Heiras3, J.M. Siqueiros3. 1Facultad de Física-IMRE, Universidad de La Habana, 10400, Cuba. 2Instituto de Física, Cibernética, Matemática Aplicada, ICIMAF, Cuba. 3Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, UNAM, Ensenada, B.C, México.

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CAM P02 A microwave power absorption characterization of th e Pb(Fe1-xMx)O3 (M = Nb, Ta, W) perovskites G. Alvarez1,*, J. A. Peña2, M. A. Castellanos2, J. Heiras3, R. Zamorano4 .—1 Depto. De Materiales Metálicos y Cerámicos, Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, A.P. 70-360, Coyoacan DF 04510, México.2 Facultad de Química, Universidad Nacional Autónoma de México, Cd. Universitaria, México DF 04510, México.3 Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Km. 107, Carretera Tijuana Ensenada, Ensenada, Baja California 22860, México.4 Departamento de Física, ESFM-IPN, U. P. Adolfo López Mateos Edificio 9, Av. Instituto Politécnico Nacional S/N, San Pedro Zacatenco, 07738 DF, México.* memodin@yahoo.com

138

CAM P03 Determinación de la fracción de lantano perdida dur ante la obtención de la hexaferrita de lantano preparada mediante el método cerámico. A. L. Guerrero-Serrano1,*, S. A. Palomares-Sánchez2, L. Narvaéz3, M. Mirabal-García4 T. Pérez Juache2.—1Centro de Investigación en Materiales Avanzados (CIMAV), Ave. Miguel de Cervantes 120, Complejo Industrial Chihuahua, Chihuahua, Chihuahua, México. 2 Facultad de Ciencias, UASLP, Av Dr. Nava Martínez s/n, Zona Universidad, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México.3 Instituto de Metalurgia, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Sierra Leona No. 550, Lomas 2° Sección. San Luis Potosí, S.L.P., México. 4 Instituto de Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Manuel Nava s/n, Zona Universitaria, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México.*azdrubal@fciencias.uaslp.mx

139

CAM P04 Medición de curvas lambda y Resonancia Paramagnétic a Electrónica de muestras de PZT, sintetizadas por sol gel y mezcla de óxidos, d e composiciones cercanas a la línea morfotropica G. Rivera-Ruedas1*, J. M. Yáñez-Limón1, R. Zamorano-Ulloa2, F. Sánchez de Jesús3, A. Bolarín-Miró3 y J. Muñoz-Saldaña1. — 1Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN. Unidad Querétaro. Libramiento Norponiente No. 2000, Fraccionamiento Real de Juriquilla, cp. 76230 Querétaro Qro. 2Escuela Superior de Fisico Matemáticas, Instituto Politecnico Nacional, Edificio 9, U. P. Adolfo López Mateos, 07730, México D.F., México. 3Instituto Tecnológico de Querétaro Av. Tecnológico S/N Esq. M. Escobedo, Col. Centro, cp. 76000 Querétaro, Qro. México.*mrivera@qro.cinvestav.mx

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CAM P05 Caracterización de las propiedades mecánicas por me cánica de contacto de materiales cristalinos de YAG dopados con europio, neodimio y sin dopar D. Lozano-Mandujano1,*, J. Muñoz-Saldaña1, Zárate-Medina 2.—1Centro de Investigaciones y de Estudios Avanzados del I.P.N., Unidad Querétaro Libramiento Norponiente 2000, Fracc. Real de Juriquilla, C.P. 76230 Santiago de Querétaro, Qro. 2Instituto de Investigaciones Metalúrgicas., Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo, Edificio U, C.U., C.P.

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58060 Morelia, Mich.* dlozano@qro.cinvestav.mx CAM P06 Li 2TiO3 Sintetizado por Combustión en Solución para la Sor ción de Co 60+ Elizabeth Luna1, F. Granados2, N. Tepale3, Daniel Cruz3, *. — 1ESIQIE Escuela Superior de Ingeniería Química e Industrias Extractivas, Instituto Politécnico Nacional, Unidad Profesional “Adolfo López Mateos”, Zacatenco, Del. Gustavo A. Madero, C.P. 07738, México D.F. 2 Departamento de Química, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Apdo. Postal 18-1027, México 11801, D.F., México. 3 Facultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. *daniel.cruz@fiquim.buap.mx

141

CAM P07 Oxidación total del metano a partir de catalizadore s de Pd soportados en polvos cerámicos. Gabriela García-Cervantes1*, Viridiana Osorio-Zarate1, Jorge Morales-Hernandez1.—1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada Unidad Altamira IPN. Km. 14.5 Carretera Tampico-Puerto Industrial, Altamira, C.P. 89600, Altamira, Tamps. Tel y Fax: (833) 264-93-02. ggarciace@ipn.mx

141

CAM P08 Efecto de la Adición de Zirconia Estabilizada con Y tria (7YSZ) en Medios de Molienda de Alúmina D. L. Trejo Arroyo1,*, G.G. Ortiz Siqueiros1, J. Zárate Medina1, J. Muñoz Saldaña2.—1 Instituto de Investigaciones Metalúrgicas, Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo, Edif. “U”, C.U, C.P. 58060, Morelia, Mich., México. 2Centro de Investigaciones y Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Libramiento Norponiente 2000, Fracc. Real de Juriquilla, C.P 76230, Santiago de Querétaro, Qro. *dannaar4@hotmail.com

142

CAM P09 Piezoelectricidad y análisis óptico en muestras dop adas de PZT en función de la temperatura. María D. Durruthy-Rodríguez1,4, Jorge Portellez-Rodríguez2, Francisco Calderón-Piñar3 y J. M. Yáñez-Limón4.—1Departamento de Física Aplicada, Instituto de Cibernética, Matemática y Física, CITMA, 15 # 551, Vedado, La Habana, Cuba, CP 10400.2 Departamento de Física General, Facultad de Física, Universidad de la Habana, San Lázaro y L, Vedado, La Habana, Cuba, CP 10400.3Laboratorio de Magnetismo, Instituto de Materiales y Reactivos, Universidad de la Habana, San Lázaro y L, Vedado, La Habana, Cuba, CP 10400.4CINVESTAV-Unidad Querétaro, IPN, Santiago de Querétaro, Querétaro, México.*dolores@icmf.inf.cu.

143

CAM P10 Síntesis mecano-química de PZT utilizando Pb 304 como fuente de Pb y dopado con Nb. Ramírez-López L. M.1, Rivera-Ruedas G. 2, Durruthy-Rodriguez M. D2,3., Gómez-Guzmán O.1, y Yáñez-Limón J. M.2*.—1Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN. Unidad Querétaro. Libramiento Norponiente No. 2000, Fraccionamiento Real de Juriquilla, cp. 76230 Querétaro Qro.2Instituto Tecnológico de Querétaro Av. Tecnológico S/N Esq. M. Escobedo, Col. Centro, cp. 76000 Querétaro, Qro. México. 3Laboratorio de Magnetismo, Instituto de Materiales y Reactivos, Universidad de la Habana, San Lázaro y L, Vedado, La Habana, Cuba, CP 10400, calderon@fisica.uh.cu. *jmyanez@qro.cinvestav.mx

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Cálculos ab-initio y supercómputo / Ab-Initio Calculation and Supercomputing

CAS P01 Análisis de la modificación química del óxido de gr afeno: Un enfoque molecular J. J. Hernández Rosas1, H. Hernández Cocoletzi1, M. Salazar Villanueva2, E. Chigo Anota1,* 1Cuerpo Académico de Ingeniería en Materiales-Facultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 18 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 2Facultad de Ingeniería, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 18 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. * echigoa@yahoo.es

145

CAS P02 Cálculo vibracional de compuestos Hidrogenados de C 60 y Titanio mediante DFT. A. Tlahuice-Flores1,*, D. Homero-Galván2. -- 1Facultad de Físico Matemáticas, Universidad Autónoma de Nuevo León, San Nicolás de los Garza, N. L., 66450, México, and 2Centro de Nanociencias y Nanotecnologia-Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 2681, Ensenada, B. C.* tlahuicef@yahoo.com

145

CAS P03 Estudio de las propiedades mecánicas de la aleación AlSc mediante primeros principios J. H. Camacho García1, A. Bautista Hernández2, J. F. Rivas Silva1.-- 1IFUAP, Universidad Autónoma de Puebla, Apdo. Postal J-48, Puebla, Pue. 72570, Mexico. 2Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Puebla, Apdo. Postal J-39, CP 72570, Puebla, Pue., México.

146

CAS P05 Bandas fonónicas de un sistema de multicapas de imp edancia acústica modulada según un perfil Gaussiano Xóchitl I. Saldaña1,*, D. A. Contreras-Solorio2, J. Madrigal Melchor2. -- 1 Instituto de Física Luis Rivera Terrazas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, Pué., México.2 Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad Esq. Paseo la Bufa s/n C. P. 98060, Zacatecas, Zac.,México. *xochitl@sirio.ifuap.buap.mx

146

CAS P04 Calculo de la función dieléctrica de las calcopirit as basadas en Cu. F. Puch1,*, H. Tototzintle-Huitle1, R. Baquero2 y J.J. Araiza1. 1Unidad Académica de Física, UAZ, Zacatecas, México.2Departamento de Física, CINVESTAV,

146

CAS P06 Calculo de espectros de reflactancia de sistemas pe riódicos de multicapas en las alas de las mariposas *

P. González-Vellano1,*, M. P. Sampedro2, X. I. Saldaña2, F. Pérez-Rodríguez2. -- 1 Facultad de Ciencias de la Electrónica, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México.2 Instituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Cd. Puebla, México.3 Facultad de Ciencias Fisico Matematicas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Cd. Puebla, México.* amigopablo_123@hotmail.com

147

CAS P07 Generalización de la formula de Frobenius para inve rsión de matrices arbitrarias. J. G. Rojas, A. Espinoza, J.C. Martínez-Orozco*, S. J. Vlaev. -- Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad esquina con Pasea la Bufa S/N. Zacatecas, Zac. México C.P. 98060. *jcmover@correo.unam.mx

147

CAS P08 Capacitancia diferencial y estructura electrónica d e niveles para un delta-FET en GaAs bajo presión hidrostática. A. Del Rio de Santiago1, J. C. Martínez-Orozco1,*, M. E. Mora-Ramos2, I. Rodriguez-Vargas1. -- Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad esquina con Pasea la Bufa S/N. Zacatecas, Zac. México C.P. 98060. Facultad de

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Ciencias, Universidad Autónoma de del Estado de Morelos, Av. Universidad 1001, Col. Chamilpa, 62210 Cuernavaca, Mor. México.* jcmover@correo.unam.mx

Caracterización y Metrología / Characterization and Metrology

CYM P01 Study on the nonlinear optical properties of beta v ulgaris betacyanins and betaxanthins by z-scan measurements V Marañon-Ruiz1, R Chiu-Zarate1*, M Mora-González1, JH Garcia-Lopez1, E. Villafaña-Rauda1 and LC Rizo-delaTorre1 -- 1Centro Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, Enrique Díaz de León 1144 Lagos de Moreno, Jalisco, 47460, México. *rchiu@culagos.udg.mx

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CYM P02 Caracterización de la madurez del mango (Magnífera indica L.) variedad Ataulfo. M. E. Rosas Mendoza1,2,* , J. L. Fernández Muñoz2 .-- 1Departamento Ingeniería y Tecnología, FES-Cuautitlán UNAM. Av. 1º de mayo s/n, Col Atlanta, Cuautitlán Izcalli, 54740 Edo. de México, México. 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694. Colonia Irrigación, 11500 México, D. F. *merosas@servidor.unam.mx

149

CYM P03 Diffraction of Hermite-Gaussian beams by periodic a nd aperiodic metallic rulings Oscar Mata Mendez. -- Esc. Sup. de Física y Matemáticas, I. P. N. 07738 Zacatenco, D. F. México.

150

CYM-P04 Depósito de películas luminiscentes de HfO 2:Dy por rocío pirolítico ultrasónico. A. Peláez-Rodríguez1, R. Domínguez-Domínguez1, J. Guzmán-Mendoza1, M. A. Aguilar-Frutis1, M. García-Hipólito2, C. Falcony3.-- 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694. Colonia Irrigación, 11500 México D. F. 2Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior, Ciudad Universitaria, Coyoacán 04510, D.F. 3Departamento de Fisica, CINVESTAV-IPN, A.P. 14-740, México, 07360 D. F.

150

CYM P05 Study of the initial stages during postdischarge nitriding process J. L. Bernal1*, L. Béjar2, A. Medina3.-- 1Universidad Politécnica del Valle de México. Avenida Mexiquense s/n, esquina isla de la Plata, Col. Villa Esmeralda, C.P. 54910, Tultitlán, Estado de México 2UMSNH. Facultad de Ingeniería Mecánica, Edificio W, Ciudad Universitaria, Morelia, Michoacán. 58000. México. 3UMSNH. Instituto de Investigaciones Metalúrgicas, Edificio U, Ciudad Universitaria, Morelia, Michoacán. 58000. México. ariosto@umich.mx

151

CYM P06 Sensado de concentraciones de etanol aplicando espe ctroscopia de resonancia de plasmones superficiales K.I. Izundegui-Lázaro 1,2, C. Mendoza-Barrera2, V. Altuzar2,*.-- 1Facultad de Ingeniería- Región Veracruz y 2Laboratorio de Bionanotecnología, Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines 455, Fracc. Costa Verde, C.P. 94294, Boca del Río, Veracruz, México. *valtuzar@gmail.com

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CYM P07 Determinación de la permeabilidad inicial en ferrit as suaves con el método modificado de anillo de Rowland. M. E. Mata-Zamora*, B. Valera-Orozco, H. Montiel.-- Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, A. P. 70-186, C.P. 04510, D .F., México. * esther.mata@ccadet.unam.mx

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CYM P08 Desarrollo de un programa de adquisición para medic iones eléctricas de materiales semiconductores J. A. Melchor Robles1, J. Pérez Serapio1, M. A. Maldonado Rosas1, M. A. Hernández Grande1, A. Corona Ibarra1, A. Guillén Cervantes1, F. de Moure-Flores1, M. Meléndez Lira2*. -- 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Departamento de Física. Apdo. 17-740 México D.F., México 07000. 2CICATA-IPN, Unidad Legaria. Legaria 694 Col. Irrigación, Del. Miguel Hidalgo, C.P. 11500, México D.F.

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CYM P09 Study and characterization of Natrolite from San Ju an Viejo, Parangaricutiro, México. M. Chávez Martínez1, M. Ávila Jiménez1, L. Hernández Martínez1, H. Goñi Cedeño1, M. Cecilia Salcedo Luna2, M. Meijueiro Morosini3.-- 1Área de Química, Universidad Autónoma Metropolitana Azcapotzalco, D. F., México. 2Unidad de Servicio y Apoyo a la Investigación, Facultad de Química, Universidad Nacional Autónoma de México, C. P. 04510, Coyoacán, D. F. México, 3Departamento de Química Inorgánica y Nuclear, Facultad de Química, Universidad Nacional Autónoma de México, D. F. México. *cmm@correo.azc.uam.mx

152

CYM P10 Evaluación de la uniformidad del acabado superficia l de materiales utilizando un dispositivo opto-mecánico. H. A. Llanito Urbano.1, A. López Cervantes.2,*, I. Domínguez López.2 y A. L. García García.2.-- 1Instituto Tecnológico de Celaya, Av. Tecnológico y A. García Cubas S/N, C.P. 38010, Celaya Gto., México. 2 Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, Cerro Blanco 141, Colinas del Cimatario, C.P. 76090, Querétaro, Qro., México. * adrian_linces@hotmail.com

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CYM P11 Diseño de un Electrocardiógrafo vía conexión USB. R. Robles-Arce, A. Peña-Orea, G. Mondragón, A. Garduño, M. G. Ramirez-Sotelo y A. I. Cabrera-Llanos. -- Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del IPN Av., Acueducto s/n Barrio La Laguna Ticoman, C.P. 7340, GAM, Distrito Federal, México. acabrerall@ipn.mx

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CYM P12 Desarrollo de un Prototipo eficiente para la difere nciación de Enfermedades Morfológicas de la Cornea A. Peña-Orea, R. Robles-Arce, G. Mondragón, M. G. Ramirez-Sotelo y A. I. Cabrera-Llanos. Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del IPN. Av., Acueducto s/n Barrio La Laguna Ticoman, C.P. 7340, GAM, Distrito Federal, México. acabrerall@ipn.mx

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CYM P13 Development of the experimental method to study the temperature effect on the mayority and minority carriers transport lengths i n semi-insulating semiconductors A. Medel Mejía1*, K. Alemán-Ayala2, S. Mansurova2, A. Kosarev2. -- 1 Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Físico Matemáticas. Av. San Claudio Col. San Manuel, C.P. 72570 Puebla, Puebla. México. 2 Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

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CYM P14 Caracterización mediante espectroscopia Raman de óx idos magnéticos del tipo Ni 1-

xZnxFe2O4. J. F. Barrón-Lopez*, M. E. Mata-Zamora, R. Sato Berrú, H. Montiel, J. M. Saniger- Blesa.--

Centro de Ciencia Aplicada y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior S/N, Ciudad Universitaria, C.P. 04510, Distrito Federal, México. * jf.barron82@gmail.com

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CYM P15 Cuantificación de iones de calcio por metodo colori métrico en hueso descalcificado tratado electromagnéticamente. M. L. Cortés-Ibarra1*, J. A. Mondragón-Herrera2, J. A. Yescas-Hernández1, Rigoberto Garibay Sánchez1, Alejandro Dueñas Tinoco3, Xitlaly Araceli Pan Morán3, Beatriz Elguera Gómez3.-- 1Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional. Av. Acueducto s/n, Col. Barrio La laguna Ticomán C.P. 07340, México, D.F., México. 2Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, Depto de Fisiología, Biofísica y Neurociencias, Av. IPN # 2508 Col. San Pedro Zacatenco, México, D.F., México. 3Estudiante de Ingeniería Biomédica, Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional. Av. Acueducto s/n, Col. Barrio La laguna Ticomán C.P. 07340, México, D.F., México. *mcortesi@ipn.mx

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CYM P16 Estudio de la variación de los parámetros de depósi to en las propiedades morfológicas y estructurales de las películas de nanofibras de T iO2 depositadas por electrospinning. N. Cruz-González1*, A. Zapata-Navarro1. -- 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN, Unidad Legaria. Calzada Legaria 694, Colonia Irrigación, C.P. 11500, México D.F. *nadhya81@hotmail.com

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CYM P17 Comportamiento eléctrico de Ca 10(P04)6 20H M. G. López-Buisan Natta1, M. Méndez-González1,*.-- 1Escuela Superior de Física y Matemáticas del Instituto Politécnico Nacional, Edificio 9, U. P. Adolfo López Mateos, 07730, México D.F., México. *mmendezg07@yahoo.com.mx

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CYM P18 Análisis espectroscópico por infrarrojo (IR) de los ácidos grasos trans (AGT) en los aceites de girasol (AG) y oliva (AO) J. Díaz Reyes1,*, J. A. Ariza-Ortega1, M. G. Méndez-Ramos1, R. J. Delgado Macuil1, y R. R. Robles de la Torre1.-- 1Centro de Investigación en Biotecnología Avanzada, Instituto Politécnico Nacional. Ex–Hacienda de San Juan Molino, s/n Km. 1.5. Tepetitla, Tlaxcala. 90600. México.* jdiazr2001@yahoo.com

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CYM P19 Análisis espectroscópico por infrarrojo (IR) de la mantequilla vegetal (MV) y mantequilla pura de vaca (MPV) J. A. Ariza-Ortega1, M. G. Méndez-Ramos1, M. E. Ramos-Cassellis2, R. J. Delgado Macuil1, J. Díaz Reyes1,* y R. R. Robles de la Torre1.-- 1Centro de Investigación en Biotecnología Avanzada, Instituto Politécnico Nacional. Ex–Hacienda de San Juan Molino, s/n Km. 1.5. Tepetitla, Tlaxcala. 90600. México. 2Facultad de Ingeniería Química, Colegio de Ingeniería de Alimentos. Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, México. Avenida San Claudio y Blv. 18 Sur, San Manuel. Puebla, Pue. México. * jdiazr2001@yahoo.com.

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Divulgación de la Ciencia / Science Divulgation

DCI P01 Parámetros Efectivos de Metamateriales Fonónicos J. Flores-Méndez* y F. Pérez-Rodríguez.-- Instituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Apdo. Post. J-48, Cd. Puebla, C.P. 72570, México. * jflores@sirio.ifuap.buap.mx

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DCI P02 Formulación y evaluación de un biolubricante A. Gutiérrez Franco1,*, L. García González1, P. J. García Ramírez1, T. Hernández Quiroz2, y J. Hernández Torres1.-- 1Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines 455, Fracc. Costa Verde, C.P. 94294, Boca del Río, Veracruz, México. 2 Facultad de Ingeniería Química, Universidad Veracruzana, Xalapa, Veracruz, México. *angelikagtzf@gmail.com

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DCI P03 Campo electromagnético en la calidad física del gra no de maíz para hacer tortillas R. Zepeda-Bautista1*, C. Hernández-Aguilar1, A. Domínguez-Pacheco1, A. Cruz-Orea2, E. Martínez-Ortíz1, L. M. Hernández-Simón1.-- 1Instituto Politécnico Nacional, Sepi-Esime, Zacatenco, Unidad Profesional “Adolfo López Mateos”, Col. Lindavista, México D.F., CP 07738, México. 2Departamento de Física, CINVESTAV–IPN, A. P. 14-740, México D.F., C.P. 07360, México. *rzb0509@hotmail.com

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DCI P04 Estudio termodinámico para obtener absorbentes sóli dos de CO 2 con aplicaciones a alta temperatura M. A. Escobedo-Bretado1,*, P. Ponce-Peña1, E. López-Chipres1, M. A. González-Lozano1., V. Collins-Martínez2., A. López-Ortiz2.-- 1 Depto. Ciencia de Materiales, Facultad de Ciencias Químicas, UJED, Av. Veterinaria S/N, Circuito Universitario, C.P. 34120, Durango, Dgo. México. 2 Depto. Química de Materiales, Centro de Investigación en Materiales Avanzados, S. C., Miguel de Cervantes 120, C. P. 31109, Chihuahua, Chih., México. * miguel.escobedo@ujed.mx

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DCI P05 Superconductores basados en hierro J. L. Maldonado-Mejía1,*, S. A. Palomares-Sánchez2, J. A. Matutes-Aquino3.-- 1,3 Centro de Investigación en Materiales Avanzados, Av. Miguel de Cervantes 120, Complejo Industrial Chihuahua, C.P. 31109, Chihuahua, Chihuahua, México. 2 Facultad de Ciencias, UASLP, Niño Artillero 45, Zona Universitaria, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México. *lidia.maldonado@cimav.edu.mx

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DCI P06 PROPUESTA PARA EL DISEÑO DE REGULADORES DE CD/CD CO N CONSTRUCCIÓN LCL. Martínez Cruz M.1, Leyva Ramos J.2, Ortiz López M. G.1,2.-- 1Universidad Politécnica de San Luis Potosí, Urbano Villalón #500, Col. La ladrillera. 2IPICYT Camino a la Presa San José 2055, Col. Lomas 4a. sección C.P. 78216, San Luis Potosí, San Luis Potosí, México

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DCI P07 IMPLEMENTACIÓN DE UN LABORATORIO DE ESPECTROFOTOMET RÍA EN LA UPSLP 1Hiram Sinué Quintero Méndez, 1Alma Gabriela Reyes González y 2Luiz Zamora Peredo.---1Universidad Autónoma de Coahuila, Blvd. Torreón - Matamoroz Km 7.5 Ciudad Universitaria, Torreón, Coah. 2Universidad Politécnica de San Luis Potosí, Urbano Villalón 500, Col. La Ladrillera, C. P. 78363, San Luis Potosí, S. L. P.

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DCI P08 Automatización de un laboratorio de espectroscopía óptica mediante LabView A. Cisneros-de la Rosa1*, V.H. Méndez-García1, L. Zamora-Peredo2.-- 1 Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470 Lomas 4ª Secc., C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., Mexico. 2 Universidad Politécnica de San Luis Potosí, Urbano Villalón 500, La ladrillera, C.P. 78363, San Luis Potosí, S.L.P., México. * alejandro_cisneros_delarosa@hotmail.com

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Espectroscopías Electrónicas / Electronic Spectroscopies

EEL-P01 Soft Mechanochemistry of Mordenite with Quaternary Ammonium Salts M. H. Farías1,*, J. F. Fernández-Bertrán2, M. P. Hernández2, J. A. Díaz1, I. Gradilla1, F. F. Castillón1..-- 1 Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Km 107 Carretera Tijuana-Ensenada, C.P. 22800, Ensenada, Baja California, México. 2 Instituto de Ciencia y Tecnología de Materiales, Zapata y G, P. O. Box 10400, Universidad de La Habana, Cuba * mario@cnyn.unam.mx

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EEL-P02 Estudio i n-situ por XPS de películas delgadas de nitruro de cobre dopadas con plata sintetizadas por erosión iónica I. Ponce-Cazares1,2 y W. De La Cruz1,*.-- 1Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM, Km 107carretera Tijuana-Ensenada, A.P. 356,C.P. 22860, Ensenada B.C., México. 2Posgrado en Física de Materiales, Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Km 107carretera Tijuana-Ensenada, A.P. 360, C.P. 22860, Ensenada B.C., México. * wencel@cnyn.unam.mx

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EEL-P03 Límites en la exactitud y precisión en la calibraci ón de equipos de XPS J.A. Muñoz-Salas1,* , A. Herrera-Gómez1.-- Cinvestav Querétaro. Libramiento Norponiente # 2000, Frac. Real de Juriquilla, Querétaro, Qro. México 76230. * amunoz@qro.cinvestav.mx

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EEL-P04 Desarrollo de un software para la obtención de prop iedades ópticas de materiales a partir de experimentos REELS I. M. Nava-Terríquez1*, F. Yubero-Valencia2, W. De la Cruz-Hernández3.-- 1 Posgrado en Ciencia e Ingeniería de Materiales. Universidad Nacional Autónoma de México. Km. 107 Carr. Tijuana-Ensenada, C.P. 22860, Ensenada, B.C., México. 2 Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla. Consejo Superior de Investigaciones Científicas-Universidad de Sevilla. Américo Vespucio nº 49, 41092, Sevilla, España. 3 Centro de Nanociencias y Nanotecnología. Universidad Nacional Autónoma de México. Km. 107 Carr. Tijuana-Ensenada, C.P. 22860, Ensenada, B.C., México. * inava@cnyn.unam.mx

165

EEL-P05 Estabilidad térmica de la interfaz TiN/HfO2 Óscar Ceballos Sánchez, Araceli Sánchez Martínez, Pierre Giovanni Mani González, Alberto Herrera Gómez.-- CINVESTAV-Unidad Querétaro Libramiento Norponiente 2000, Real de Juriquilla Querétaro, Qro. 76000, México.

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EEL-P06 Método discreto y continuo para la determinación de l espesor de películas de SiO 2 por XPS M. Vázquez-Lepe*, P. G. Maní-González, A. Herrera-Gómez.-- Cinvestav-Querétaro. Querétaro, Qro. 76230, México. *oswaldo@pv.udg.mx

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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Energías Renovables / Renewable Energy

ERW-05 Películas solares selectivas tipo pintura 1Barrera – Calva E., Solis Trobamala E. Gonzales G.F., Rosas C.R. y Zárate L.J.—1Departamento de Ingeniería de Procesos e hidráulica, Universidad Autónoma Metropolitana – Iztapalapa, Av. Purísima Esq. Michoacán, Col. Vicentina, México, D.F., 09340, México, Tels: 5804 4644/4645, Fax 5804 4900, e-mail: ebc@xanum.uam.mx

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ERW-8

Sistema de control para seguimiento solar empleando un FPGA.

L.A. Moreno-Coria1,*, J.G. Pérez-Luna1, B.S. Soto-Cruz1 .—1 Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, México. *acoria@ece.buap.mx, jgperezl@siu.buap.mx

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ERW-13 Electronic equipment to photovoltaic systems. J. Díaz-Reyes1,*, M. Ortega-López2, C. D. Gutiérrez-Lazos2.—1 Centro de Investigación en Biotecnología Aplicada, Instituto Politécnico Nacional. ExHacienda de San Juan Molino Km. 1.5. Tepetitla, Tlaxcala. 90700. México. 2 Departamento de Ingeniería Eléctrica, Sección de Electrónica del Estado Sólido. Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional. Apartado Postal 14-7 40, México, D.F. 07000. México. * jdiazr@yahoo.com

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Fenómenos Fototérmicos / Photothermal Phenomena

FFT-P01 Monitoreo del transporte de agua en rocas calcáreas por espectroscopia fotoacústica. J. May-Crespo1*, P. Martínez-Torres2, J. J. Alvarado-Gil3, P. Quintana4, J. Ordóñez-Miranda5, L. Vilca-Quispe6.-- 1,2,3,4,5,6 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional Unidad Mérida, Departamento de Física Aplicada, Carretera Antigua a Progreso km. 6, Col. Gonzalo Guerrero, C.P. 97310, Mérida, Yucatán, México.* jmayc@mda.cinvestav.mx

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FFT-P02 Shiftting to the red the absorption edge in TiO 2 films: a photoacoustic study F. Gordillo-Delgado 1, 2,*, K. Villa-Gómez1 and E. Marín 2.-- 1 Laboratorio de Optoelectrónica, Universidad del Quindío Apdo. Postal 2639 Armenia.2 Centro de Investigación en Ciencia aplicada y Tecnología Avanzada del I.P.N, Unidad Legaria. Legaria 694. Col. Irrigación México D.F, México 11500.*fgordillo@uniquindio.edu.co

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FFT-P03 Analysis of photosynthesis activity and morfo-anato micals characteristics of “ coffea arabica ” treated with microbiologycal products F. Gordillo-Delgado 1,2,*, C. Mejía-Morales 1, F. Zarate-Rincón 1.-- 1 Laboratorio de Optoelectrónica, Universidad del Quindío. Apdo. Postal 2639 Armenia, Colombia. 2 Centro de Investigación en Ciencia aplicada y Tecnología Avanzada del I.P.N, Unidad Legaria. Av. Legaria 694. Col. Irrigación, México D.F, México 11500. *fgordillo@uniquindio.edu.co

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FFT-P04 Regla de promedio para el pico termoluminiscente en halogenuros alcalinos ternarios R Rodriguez.-Mijangos1,*, G.Moroyoqui-Estrella2, R. Perez-Salas1.-- 1Departamento de Investigación en Física, Universidad de Sonora, Rosales y Luis Encinas s/n, C.P. 83000, Hermosillo, Sonora, México.2 Programa de Posgrado en Física, Universidad de Sonora, Rosales y Luis Encinas s/n., C P. 83000, Hermosillo, Sonora, México. * mijangos@cajeme.cifus.uson.mx

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FFT-P05 Análisis de térmico de semilla de maíz con plaga po r microscopía fotopiroeléctrica. A. Dominguez-Pacheco1,*, C. Hernández Aguilar1,2, A. Cruz-Orea2, R. Zepeda Bautista1 y E. Martínez Ortiz1.-- 1Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica Matemáticas, Instituto Politécnico Nacional, Edificio 5, U. P. Adolfo López Mateos, 07730, México D.F., México 2Departamento de Física, CINVESTAV – IPN, A. P. 14-740, México D.F., C.P. 07360, México * fartur@hotmail.com

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FFT-P06 Medición del Coeficiente de Absorción Óptico de Ace ites Vegetales por medio de Técnicas Fotoacústicas *José Abraham Balderas López, Axayacatl Medina Rosas, José Alberto Ariza Ortega1, Mario Cervantes Contreras y Joel Díaz Reyes1 .--Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del Instituto Politécnico Nacional, Avenida Acueducto S/N, col. Barrio la Laguna, C. P. 07340, México, D. F. *e-mail: abrahambalderas@hotmail.com 1Centro de Investigación en Biotecnología Aplicada, Ex-hacienda de San Juan Molino Km. 1.5 Tepetitla, Tlaxcala, C. P. 90700, México.

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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FFT-P07 Comparación entre Espectroscopias Moduladas y no Mo duladas en la cuantificación de Pigmentos en Solución *José Abraham Balderas López, Joshua Ismael Haase Hernández y Gonzalo Gálvez Coyt

Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del Instituto Politécnico Nacional, Avenida Acueducto S/N, col. Barrio la Laguna, C. P. 07340, México, D. F. *e-mail: abrahambalderas@hotmail.com

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FFT-P08 Time varying light excitation calorimetry for speci fic heat measurements in solids. A. Lara- Bernal*, E. Marin, A. Calderón. Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, CICATA-IPN, Legaria 694, Col. Irrigación, C.P. 11500, Del. Miguel Hidalgo, México, D.F. * nlarab0600@ipn.mx

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FFT-P09 Caracterización Térmica de Nanopartículas de TiO 2 para la destoxificación de aguas residuales empleando Espectrometría de Lente Térmic a. G.A. López-Muñoz1,, J.L. Jiménez-Pérez1*, J.F. Sánchez-Ramírez1, A. Cruz-Orea2, L. Martínez-Pérez1.-- 1 Instituto Politécnico Nacional-Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas, Avenida Instituto Politécnico Nacional No. 2580, Colonia Barrio la Laguna Ticomán Delegación Gustavo A. Madero, CP. 07340 México D.F. 2Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, C.P. 07360, México DF, México *jimenezp@fis.cinvestav,mx

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FFT-P10 Thermal characterization of SiO 2 nanofluids by photothermal techniques, D. Cornejo1, J.L. Jiménez-Pérez2*, J.F. Sánchez-Ramírez2, A. Cruz-Orea3.-- 1 Cicata-IPN, Calz. Legaria No. 694, Col. Irrigación, Del. Miguel Hidalgo, C.P. 11500, México DF. 2 Instituto Politécnico Nacional-Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas, Avenida Instituto Politécnico Nacional No. 2580, Colonia Barrio la Laguna Ticomán Delegación Gustavo A. Madero, CP. 07340 México D.F. 3 Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, C.P. 07360, México DF, México. *jimenezp@fis.cinvestav,mx

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FFT-P11 Propiedades térmicas de fosfatos de calcio usados e n implantes óseos. M. Méndez -Gonzalez1,*, L. Santamaria2, A. Cruz-Orea3, G. Mendez4.-- 1 Escuela Superior de Física Matemáticas, Instituto Politécnico Nacional, Edificio 9, U. P. Adolfo López Mateos, 07730, México D. F., México. 2 Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, IPN, Legaría 694. Colonia Irrigación, 11500 México D. F. 3 Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, México D. F., México. 4 Facultad de Química, UAQ Cerro las Campanas s/n, 76010, Querétaro, México * mmendezg07@yahoo.com.mx

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FFT-P12 Medición Fotoacústica de la Efusividad Térmica de H arinas Nixtamalizadas y su relación con el tamaño de Partícula *José Abraham Balderas López, Itzel Shantal Martínez López y Mireille León Martínez

Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del Instituto Politécnico Nacional, Avenida Acueducto S/N, col. Barrio la Laguna, C. P. 07340, México, D. F. *e-mail: abrahambalderas@hotmail.com

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FFT-P13 Absorción óptica de fosfatos de calcio usados como sustitutos óseos M. Méndez -Gonzalez1,*, L. Hernandez2, A. Cruz-Orea3, G. Mendez4.-- 1 Escuela Superior de Física Matemáticas, Instituto Politécnico Nacional, Edificio 9, U. P. Adolfo López Mateos, 07730, México D. F., México. 2 Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, IPN, Legaría 694. Colonia Irrigación, 11500 México D. F. 3 Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, C. P. 07360, México D. F., México. 4 Facultad de Química, UAQ Cerro las Campanas s/n, 76010, Querétaro, México. * mmendezg07@yahoo.com.mx

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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FFT-P14 Photoacoustic and infrared studies of compost obtai ned of non-toxic industrial sludge. J. Díaz-Reyes 1,*, M. M. Solís-Oba1, J. A. Balderas-López2.-- 1 Centro de Investigación en Biotecnología Aplicada, Instituto Politécnico Nacional. Ex-Hacienda de San Juan Molino Km. 1.5. Tepetitla, Tlaxcala. 90700. México. 2 Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional. Av. Acueducto S/N, Col. Barrio la Laguna, Del. Gustavo A. Madero, C. P. 07340, México, D. F. México. * jdiazr2001@yahoo.com

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FFT-P15 Analisys of sensitivity of an Electrochemical diffe rential photoacoustic cell used to study in-situ the growing process of porous silicon . Diego Germán Espinosa Arbeláez1,*, Adriana Gutiérrez2, Jairo Giraldo2, Rubén Velázquez-Hernández3, María Luisa Mendoza-López4, Alicia del Real1, Mario E. Rodríguez-García1.-- 1Departamento de Nanotecnología, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México, Campus Juriquilla, Querétaro, Qro. México A.P 1-1010. 2Departamento de Física, Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá, Avenida Carrera 30 N° 45-03, Ciudad Universitaria Bogotá D. C., Colombia. 3División de Estudios de Posgrado, Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Querétaro, Ciudad Universitaria, Querétaro, Qro, México. 4Instituto Tecnológico de Querétaro, Av. Tecnológico S/N, Querétaro, Querétaro, México. *marioga@fata.unam.mx

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FFT-P16 Restauración de Monumentos mediante la aplicación de Imágenes térmicas: caso Iglesia San Juan Bautista , San Juan del Rio, Queré taro. A.A. Acosta-Osorioa, Francisco Javier Gonzálezb, Samuel Kolosovasb, M. Galván Ruizc, Miguel Perez Larac, and M.E. Rodríguez-Garcíad*.-- aDivisión de Investigación y Posgrado, Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Querétaro, Cerro de las Campanas s/n, C.P. 76010 Querétaro, Qro. México. bInstituto de Investigaciones en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, San Luis Potosí, SLP. México cDivisión de Investigación y Posgrado, Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Querétaro, Cerro de las Campanas s/n, C.P. 76010 Querétaro, Qro. México. dDepartamento de Nanotecnología, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México, Campus Juriquilla, Querétaro, A.P. 1-1010, C.P. 76000, México. eCentro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Libramiento Norponiente No. 2000, Fracc. Real de Juriquilla CP 76230, Querétaro, Qro, México. *Corresponding author. Tel.: 52-442-2381141. Fax: 52-442-2381165. E-mail address: marioga@fata.unam.mx (M.E. Rodríguez-García).

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FFT-P17 Estudio de la evolución de CO2 en peras cubiertas c on películas de gelana y proteína de suero de leche empleando un método fototérmico. J. Yáñez -Fernández1,*, A Herrera- Morales1, S.A-Tomás 2, A. Cruz-Orea2.-- 1 Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Av.Acueducto s/n Bario la Laguna Ticomán, Méxic , C.P. 7340 D.F* . 2 Departamento de Fisica, CINVESTAV-IPN, A.P. 14-740, México, 07360 D. F. jyanezfe@ipn.mx

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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MEMS y Microelectrónica / Microelectronics and MEMS

MYM-P01 Anisotropy of the Electron Mobility in Inversion La yers on High Index Silicon Surfaces. E. González-B, I. Juárez-R, L. Tecuapetla-Q, M. Landa-V, N. Carlos-R, P. Alarcón-P, A. Itzmoyotl-T, M. Escobar-A, P. Rosales-Q, C. Zúñiga-I, L. Hernández-M, W. Calleja-A, and F. J. De la Hidalga-W*. Electronics Department, INAOE, Puebla, Mexico * jhidalga@inaoep.mx

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MYM-P02 Soluciones sólidas Ce (1-x) MX O2, M=Ru, In, Bi-Mo W como sensores de gases. L.Chávez Cháveza; R.Rangela, * , M. Melendrezb, E.Perez-Tijerinac, M.Garcíac.-- aDivisión de Estudios de Posgrado, Facultad de Ingenieria Quimica,Universidad Michoacana de S. N. H., Morelia, Michoacán, C.P. 58060. rrangel@umich.mx bM.F. Meléndrez, Laboratorio de Materiales Avanzados, Facultad de ciencias Químicas, Universidad de Concepción-Chile, Edmundo Larenas 129 Casilla 160-C. cLaboratorio de Nanociencias y Nanotecnologia, FCFM, UANL, Monterrey, N.L. C.P.66450 , México.

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MYM-P03 Caracterización simple de inductores de espiras cua dradas fabricados en tecnología PolyMUMPS M. Moreno-Villarreal1,*, J. Mireles Jr. García2.-- 1,2 Centro de Investigación en Ciencia y Tecnología Aplicada, Universidad Autónoma de Ciudad Juárez, Av. Del Charro 610, Partido Romero, C.P. 32310, Cd. Juárez, Mx.. * martha.g.moreno@hotmail.com

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MYM-P04 Monitoring and provision of Automatic Portable Oxyg en. J.W. López Gil *, V.I. Perdomo Trejo , S. Bustos C. , A. H. Heredia –J and L. Castro y Fernández del C.-- Universidad Popular Autónoma del Estado de Puebla. 21 sur 1103 Col. Santiago C.P. 72160, Puebla, Pue. México. *chucheirox09@gmail.com

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MYM-P05 Efecto del nitrógeno sobre las propiedades ópticas y estructurales del carbón amorfo hidrogenado. E. Pondigo de los A., M. Landa V., P. Rosales Q., A. Torres J., C. Zúñiga I., W. Calleja A., J. de la Hidalga W., C. Reyes B.

181

MYM-P06 µµµµSistema Para Activación de Alarma Sísmica. R. A. Rodríguez Jiménez1,*, J. Martínez Gordillo2, A. Heredia Jiménez1, L. C. y Fernández del Campo3, H. Ferrer Toledo4.-- 1Mecatrónica, 2Departamento de Arquitectura Diseño y Arte ,3Laboratorios Docentes, 4Departamento de Ingeniería, Universidad Popular Autónoma del Estado de Puebla, 21 Sur 1103, C.P. 1410, Cd. Puebla, México. * rafaelaurelio_rdz@hotmail.com

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MYM-P07 Análisis de la influencia de la tensión superficial de diferentes solventes sobre el colapso de micro-estructuras. Andrés Alanís1, F. Quiñones2, D. Diaz2, M. Landa2, N. Carlos2, M. Escóbar2, I. Juárez2, P. Alarcón2, J. M. Álvarez2, y Wilfrido Calleja2,* 1Centro de Investigación en Energía – UNAM, C.P. 62580, Morelos, México 2Laboratorio de Microelectrónica y Centro de Diseño de MEMS – INAOE, A. P. 51, C. P. 72000, Puebla, México, *wcalleja@inaoep.mx

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MYM-P08 Caracterización de difusiones poco profundas median te la técnica de perfilado electroquímico. N. Carlos R., M. Landa V., W. Calleja A., J. de la Hidalga W., P. Rosales Q., A. Torres J., C. Zúñiga I., C. Reyes B.

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MYM-P09 Caracterización de Silicio germanio amorfo para apl icaciones en sistemas microelectromecanicos MEMS. M Galindo-Mentle1, C.Zuñiga-Islas2, R. Palomino-Merino1.-- 1Laboratorio de Síntesis y Caracterización de Materiales, Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas BUAP. Av. San Claudio y 18 Sur Colonia San Manuel, Ciudad Universitaria, Puebla, Pue. C. P. 72570. E-mail: mgalindo@fcfm.buap.mx. 2 Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y ElectrónicaLuis Enrique Erro # 1, Tonantzintla, Puebla, México.

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MYM-P10 Película de TiO2/Co Aplicada como Resonador Acústic o. C. E. Rodríguez M1 *. A. Heredia-Jiménez1, L. Castro y de Fernández del C.2, 1Departamento de Mecatrónica, 2Laboratorios docentes UPAEP, Puebla, México. * c _e02@hotmail.com

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MYM-P11 Improvement on the Chemical and Electrical Characte ristics of H 20-Diluted SOG Thin Films Deposited on Silicon A. L. Muñoz Rosas1, J. Molina Reyes1,*, A. Torres Jacome1, M. Landa Vazquez1, M. Escobar Aguilar1. 1 Instituto Nacional de Astrofisica, Optica y Electronica (INAOE). Electronics Department, Microelectronics Group. Luis Enrique Erro #1, Tonantzintla, Puebla. C.P. 72000, Puebla, México. * jmolina@inaoep.mx

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Nanoestructuras / Nanostructures

NAE-P01 MOS interface for the electrochemical structured-ox idation of titanium. Flor María Rivas Esquivel, Erika Yuliana Lozano López and Rafael Quintero Torres* Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México, Boulevard Juriquilla 3001, Juriquilla, Querétaro 76230, México. * rquintero@fata.unam.mx

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NAE-P02 Characterization of AlGaAs/GaAs two- dimensional electron gas heteroestructures grown at different As-cracker temperature. D. Vázquez-Cortés1,*, L. Zamora-Peredo2, M. Lopez-Lopez3, C. Soubervielle-Montalvo1, V.H. Méndez-García1. 1 Coordinación para la Innovación y Aplicación de la Ciencia y Tecnología, San Luis Potosí, S.L.P., Mexico, 2 Universidad Politécnica de San Luis Potosí, Urbano Villalón 500, Col. La ladrillera, 78369, San Luis Potosí, S.L.P., México. 3 Physics Department, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional 2508 Col. San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F. davdvc@hotmail.com

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NAE-P03 Síntesis de SnO 2 por el método coloidal y su aplicación como sensor de gas. J.P. Morán Lázaro*, Carlos R. Michel, H. Guillén Bonilla Departamento de Física CUCEI, Universidad de Guadalajara, Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, Jalisco, 44410, México. *lazaro7mx27@hotmail.com

186

NAE-P04 Películas de oro nanoestructuradas usando como mold e la capa barrera de alúminas anódicas porosas. M. E. Mata-Zamora*, A. Esparza-García, J. Bañuelos-Muñetón, J. Saniger-Blesa, R. Sato-Berrú. Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, C.P. 04510, México D. F., México. *esther.mata@ccadet.unam.mx

187

NAE-P05 Gas sensing behavior of nanostructured CoSb 2O6 prepared by a colloidal method. H. Guillén Bonilla1*, Carlos R. Michel 1 J. Reyes Gómez2 J. P. Morán Lázaro1, D. Pozas Zepeda2 1 Departamento de Física CUCEI, Universidad de Guadalajara, Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, Jalisco, 44410, México.* piriel11@hotmail.com 2 Facultad de Ciencias, Universidad de Colima, Bernal Díaz del Castillo, 340 Colima, Colima, 28045, México.

187

NAE-P06 Estudio del comportamiento de la interface CdTe/CdS † R. Torres*, R. Baquero. Departamento de Física, Centro de Investigación y Estudios Avanzados, CINVESTAV,Av. Instituto Politécnico Nacional, C.P. 14740, Distrito Federal, México. * rtorres@fis.cinvestav.mx

188

NAE-P07 Fabricación y caracterización de láseres semiconduc tores de pozos cuánticos de InGaAs con puntos cuánticos de InAs embebidos. I. Lara-Velázqueza*, J. V. González-Fernándezb, R. Díaz de León-Zapataa,b, J. Ortega-Gallegosa A. Lastras-Martíneza, A. R. Garcés-Rodrígueza, y R.E. Balderas-Navarroa

aInstituto Tecnológico de San Luis Potosí, Av. Tecnológico S/N, Soledad de Graciano Sánchez San Luis Potosí. SLP. 78437. bInstituto de Investigación en Comunicación Óptica. Universidad Autónoma de San Luis Potosí. Av. Karakorum 1470. Lomas 4a. Secc. San Luis Potosí, SLP. 78210 México. *Tel: (444) 8127934, fax: (444) 8250198, e_mail: isma@cactus.iico.uaslp.mx

188

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

- 38 -

NAE-P08 A density functional study of stable structures of small titanium clusters. P.G. Alvarado-Leyva1,*, E.M. Sosa-Hernández2.-- 1 Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, C.P. 78000, San Luis Potosí, S.L.P., México.2 Departamento de Matemáticas Aplicadas, Facultad de Contaduría y Administración, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, C.P. 78000, San Luis Potosí, S.L.P., México * pal@fciencias.uaslp.mx

188

NAE-P09 Síntesis de Nanopartículas de Plata con Tamaño Cont rolado por la Técnica de Electroless Plating Method. S. Mendoza-Bello1,2,*, L. Flores-Santos2, M.C. Loza-Quitanar1,2.-- 1 Facultad de Química, Universidad Autónoma del Estado de México, , Paseo Colon esq. Paseo Tollocan s/n, C.P. 72570, Cd. Toluca, México.2 CID, Centro de Investigación y Desarrollo Tecnológico S.A. de C.V., Av. de los Sauces No. 87 Mz. 6, Parque Industrial Lerma, C.P. 52000, Lerma Edo. Méx., México. *quim.sam@gmail.com y/o samuel.mendoza@desc.com.mx

189

NAE-P10 Fabricación y Caracterización de Heteroestructuras de Baja Dimensionalidad SiOx/ Si:Ge /SiOx A. Hernández-Hernández1, F. de Moure-Flores1, José G. Quiñones-Galván1, K. E. Nieto-Zepeda1, S. Cerón-Gutiérrez3, M. Meléndez-Lira1,2.-- 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México.2CICATA-IPN, Unidad Legaría, Legaría 694, Col. Irrigación, 11500, México D.F., México. 3SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. *aptypo7@hotmail.com

190

NAE-P11 Study of a modified ECAP die for producing nanostru ctured Al6060 alloy using 3D finite element simulation. E. López-Chipres 1,*, E. García-Sánchez 2, P. Ponce-Peña 1, M.A. González-Lozano 1, R. Olvera 1, M.A. Escobedo-Bretado 1.-- 1 Depto. Ciencia de Materiales, Facultad de Ciencias Químicas, UJED, Av. Veterinaria S/N, Circuito Universitario, C.P. 34120, Durango, Dgo. México.Tel: (618) 1301120, fax (618) 1301111, e-mail: chipresche@yahoo.com 2 Universidad Autónoma de Nuevo León, FIME, México.

190

NAE-P12 Estudio teórico-experimental de la absorción en mul ticapas de silicio poroso. J. O. Estevez1, J. Arriaga1, A. Méndez Blas1, Vivechana Agarwal2.-- 1Instituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Apdo. Postal J-48, C.P. 72570, Cd. Puebla, México.2CIICAP, Universidad Autónoma del Estado de Morelos, C.P. 62209, Cuernavaca Mor., México jestevez@sirio.ifuap.buap.mx

191

NAE-P13 A novel information criterion applied on the enhan ced transmission phenomenon by a nano-slit. J. Sumaya-Martinez1,*, O. Olmos-Lopez1,2, F. M. Martinez-Rivera1 and P. Rosendo Francisco1 1 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma del Estado de México, C.P. 50000, Toluca, Estado de México, México. 2 Dirección de Ciencias Básicas, ITESM Campus Toluca, Eduardo Monroy Cárdenas 2000, C.P. 50110, Toluca, Estado de México, México.

191

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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NAE-P14 Efecto del espesor y morfología de la película de N i en la síntesis de nanotubos de carbono por PECVD. 1U.Morales 1S.Rodil,1S.Muhl. 2M.Camacho-López.-- 1Instituto de Investigaciones Materiales,Univesidad Nacional Autónoma de México, Circuito exterior s/n, Ciudad Universitaria, 04510, Coyoacan México D.F. 2Universidad Autónoma del Estado de México, UAEM Paseo Colón esq. Paseo Tollocan s/n,Apartado Postal A-20, C.P. 50120,Toluca, Estado de México *ubaldo19821010@yahoo.com.mx.

191

NAE-P15 Sintesis de Oxido de Cobre y de Oxido de Hierro. Cesar Cabrera. csarcabrera@gmail.com

192

NAE-P16

Modelo 1D para el estudio de propiedades ópticas en un sistema de cilindros. Irina S. Solís Mora, M. Palomino-Ovando. Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Rio Verde y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, México.marthap@fcfm.buap.mx

192

NAE-P17 Catalizadores de pd/ α-si 3n4 mediante impregnación y mocvd para la reacción de oxidación del benceno. Gabriela García-Cervantes*1, Eder Pulido-Barragán.-- 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada Unidad Altamira IPN. Km. 14.5 Carretera Tampico-Puerto Industrial, Altamira, C.P. 89600, Altamira, Tamps. Tel y Fax: (833) 264-93-02. Email: ggarciace@ipn.mx

193

NAE-P18 Síntesis de aluminosilicatos nanoestructurados por vía de organogeles. López León, C.M.1; Armendáriz Herrera, H.2; Guzmán Castillo, Ma. de L.2; Aragón Piña, A.3; Fripiat, J.J.2; Handy, B.E.1*; 1 CIEP/Facultad de Ciencias Químicas, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Dr. Manuel Nava #6, Zona Universitaria, San Luis Potosí, SLP, CP 78210 México 2Instituto Mexicano del Petróleo, Eje Central Lázaro Cárdenas #152, Col. San Bartolo Atepehuacan, Delg. Gustavo A. Madero, México D.F., CP 07730 México 3Instituto de Metalúrgia, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Sierra Leona #550, Lomas 2a. sección, CP 78210 San Luis Potosí, SLP, México *handy@uaslp.mx Tel: +52-444-826-2440 Ext: 508 Fax: 826-2372

193

NAE-P19 Estructura y propiedades Red-Ox de Vanadio soportad o en CeO 2/SiO2. J. L. Sánchez1, B. Handy1, M. G. Cárdenas1*, A. Rodríguez2, R. García3 . -- 1CIEP, Facultad de Ciencias Químicas, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Dr. Manuel Nava 6 Zona Universitaria, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México. 2Instituto de Investigaciones en Comunicaciones y Ópticas, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470 Lomas 4ª Secc., C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México. 3División de Estudios de Posgrado e Investigación del ITCM, Juventino Rosas y Jesús Urueta S/N Col. Los Mangos, C.P. 89440, Cd. Madero, Tamaulipas, México. * cardenas@uaslp.mx

194

NAE-P20 Synthesis of gold nanoparticles by reduction of HAu Cl4. B. Pérez-Delgadillo1, C. Mendoza-Barrera2, V. Altuzar2, M.A. Santana-Aranda3,*.-- 1Departamento de Química, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco. 2 Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines # 294, Boca del Rio, 94294, Veracruz, México.3 Departamento de Física, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco.* miguelangelsantana@gmail.com

195

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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NAE-P21 Characterization of Silver-Carbon Nanoparticles Pro duced by High-Current Pulsed Arc. S. Muhl1, F. Maya2,*, O. Peña1 and H. Zarco1 --1) Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, 04510, México D.F. 2) Plan Regional de Investigación en Ciencias Físico matemáticas, Universidad del Valle de México Campus Coyoacan, Calzada de Tlalpan # 3058, Col. Santa Ursula Coapa, Del. Coyoacan.04850, México D.F. *fermr@mexico.com

195

NAE-P22 Study of SnO 2 nanocrystals grown by precipitation method through the whole pH range using ethanol as solvent. C. E. Rivera-Enríquez1, E. H. Castro-Ocampo1, M. A. Santana-Aranda2, C. R. Michel-Uribe2, G. Gómez-Rosas2, O. Contreras-López3, A. Pérez-Centeno2,*.--1 Departamento de Química, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingeniería, Universidad de Guadalajara, Blvd. Marcelino García Barragán # 1421, Col. Olímpica,C.P. 44430, Guadalajara, Jal., México. 2 Departamento de Física, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingeniería, Universidad de Guadalajara, Blvd. Marcelino García Barragán # 1421, Col. Olímpica, C.P. 44430, Guadalajara, Jal., México. 3 Departamento de Nanoestructuras, Centro de Nanociencia y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Carretera Tijuana-Ensenada Km. 107, C.P. 22800, Ensenada, B. C, México * armando.centeno@cucei.udg.mx

196

NAE-P23 Study of GaAs surfaces treated with UV radiation for optoelectronic devices application. R. Contreras-Guerreroa, A. Guillen-Cervantesa, Z. Rivera-Alvareza, S. Gallardo-Hernandezb, Y. Kudriatsevb, J.S. Rojas-Ramireza, M. Rodriguez-Lopeza, I. Martinez-Velisa, and M. Lopez-Lopeza.-- a) Physics Department, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, ApartadoPostal14-740,Mexico D.F. 07000, Mexico. b) Electrical Engineering Department, Centro de Investigacion y Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, Mexico D.F. 07000, Mexico

196

NAE-P24 Evolución morfológica de partículas de WO 3-x obtenidas por procesos solvotermales. C. Chacón-Roa*, G. Rodríguez-Gattorno, E. Reguera-Ruíz. Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694, Col. Irrigación, C. P. 11500, México, D. F. * ceciliachacon28@hotmail.com

197

Cathodoluminescent and photoluminescent properties of samarium doped Y 2O3 nanoparticles prepared by polyol method. NAE-P25 R. Martínez-Martínez1,*, Z. Rivera2, U. Caldiño3, J. Guzmán4, M. García5, C. Falcony2. 1 Instituto de Física y Matemáticas, Universidad Tecnológica de la Mixteca. Carretera a Acatlima Km 2.5, C.P 69000. Huajuapan de León, Oax. México rafaelmtzmtz@yahoo.com.mx*. .-- 2 Centro de Investigaciones y Estudios Avanzados del IPN, Departamento de Física, PO Box14-7400, 7000 México, DF, México

3 Departamento de Física, Universidad Autónoma Metropolitana-Iztapalapa, PO Box 55-534, 09340 México, DF, México 4 CICATA-IPN, Legaria 694, Col Irrigación. Miguel Hidalgo, 11500 México D.F. 5 Instituto de Investigaciones en Materiales-Universidad Nacional Autónoma de México; A.P. 70-360, Coyoacán 04510, México D.F.

197

NAE-P26 SERS properties of gold nanoparticles systems. José Juan Francisco Castillo Rivera1,*, Ma. de Lourdes González González1, Elías Pérez López1, Elder de la Rosa Cruz2. -- 2Centro de investigaciones en óptica, Loma del Bosque #115 Colonia Lomas del Campestre, 1Instituto de Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Manuel Nava #6 Zona Universitaria. C.P 78290. *paco@ifisca.uaslp.mx

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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NAE-P27 Fotoluminiscencia a altas temperaturas de hilos cuá nticos basados en superredes de AlGaAs/GaAs crecidas en GaAs(631). L. Zamora-Peredo1*, G. García-Liñan2, V.H. Méndez-García2, J.S. Rojas-Ramirez3, R. Contreras-Guerrero3, E. Cruz-Hernández3, I. Martínez-Velis3, J. Hernández-Rosas3, S. Gallardo-Hernández3, M. Ramírez-López3 y M. López-López3 .-- 1 Universidad Politécnica de San Luis Potosí, Urbano Villalón 500, La ladrillera,C.P. 78363, San Luis Potosí, S.L.P., México. 2 Optical Communications Research Institute, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum #1470, Lomas 4a Secc., San Luis Potosí, S.L.P., México 78210 3 Physics Department, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional 2508 Col. San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F.

198

NAE-P28 RF-MBE growth of InN films on GaAs(100) substrates: structural and optical characterization. J. S. Rojas-Ramírez1*, D. Compean Garcia2, M. Ramírez-López1, I. Martínez-Velis1, R. Contreras-Guerrero1, V.H. Méndez-García2, S.Gallardo-Hernández3, Y. Kudriatsev3, M. López-López1.-- 1 Physics Department, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN Apartado Postal 14-740, México D.F, México 07000. 2Instituto de Investigación en Comunicación Optica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470 Lomas 4ª Secc., San Luis Potosí, S.L.P., Mexico. 3 Electrical Engineering Department, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN. Apartado Postal 14-740, México D.F, México 07000. * juans@fis.cinvestav.mx

199

NAE-P29 Surface modification study in stainless steel irrad iated with 3.66 MeV Ni ions. G. Reyna-García1*, A. García- Bórquez1*, G. Rueda- Morales2, U.S. Pacheco y Alcalá3, T. V. Torchynska1.-- 1Departamento de Ciencia de los Materiales, 2Física del Estado Sólido, Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN, Ed. 9 UPALM. 07738 México, D.F. 3Instituto Mexicano del Petróleo, Eje central Lázaro Cárdenas 152, C.P. 07730, México D.F. *gabriela_reyna_garcia@hotmail.com, borquez@esfm.ipn.mx

199

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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Películas Delgadas / Thin Films

PDD-P01 Growth of Cu 2TeOx Films: properties and thermal annealing effects. J. Carmona-Rodríguez1, A.Villada-Villalobos1, R.Lozada-Morales2, F. Rodríguez-Melgarejo1, C.I. Zúñiga-Romero1, J.E. Urbina-Alvarez1, J. Márquez-Marín1, M.A Hernández-Landaverde1and S. Jiménez-Sandoval1*.-- 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, México. 2Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av San Claudio y Río Verde, Puebla, Pue. 72570, México. *sjimenez@qro.cinvestav.mx

201

PDD-P02 Effect of thermal treatments on the properties of C o-doped TiO 2 films grown by rf reactive cosputtering. F. Rodríguez-Melgarejo1, J. Carmona-Rodríguez1, J.E. Urbina-Alvarez1, R. Rodríguez2, S. Vargas2, M. Estevez2, M.A. Hernández-Landaverde1 and S. Jiménez-Sandoval1*.--1 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, Mexico. 2Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 1-1010, Querétaro, Qro. 76000, Mexico. *sjimenez@qro.cinvestav.mx

201

PDD-P03 La estructura de nanopelículas de HfO 2 sobre GaInAs. Araceli Sánchez Martínez, Óscar Ceballos Sánchez, Pierre Giovanni Mani González, Alberto Herrera Gómez.--CINVESTAV-Unidad Queretaro, Queretaro 76000, Mexico

202

PDD-P04 Estabilidad térmica de la interfaz TiN/HfO2 Óscar Ceballos Sánchez, Araceli Sánchez Martínez, Pierre Giovanni Mani González, Alberto Herrera Gómez.-- CINVESTAV-Unidad Querétaro Libramiento Norponiente 2000, Real de Juriquilla, Querétaro, Qro. 76000, México.

202

PDD-P06 Holographic grating induced in liquid crystal films doped with azobenzene dye using random polarized laser and biphotonic process. R Chiu-Zarate1*, V Marañon-Ruiz1, M Mora-González1, JH Garcia-Lopez1, E. Villafaña-Rauda1 and MC Rizo-delaTorre1.-- 1Centro Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, Enrique Díaz de León 1144 Lagos de Moreno, Jalisco, 47460, México.*rchiu@culagos.udg.mx

202

PDD-P07 Electrical and optical characterization of Al XGa1-XAs grown by organometallic vapor phase epitaxy and solid arsenic. R. Castillo Ojeda*, R. Peña Sierra**. F. Marroquín Gutiérrez*, E. Pérez Pérez*.-- * Universidad Politécnica de Pachuca (UPP) Km. 20, Rancho Luna, Ex-Hacienda de Sta. Bárbara, Municipio de Zempoala, Hidalgo, C. P. 43830, tel 01(771)5477510 rcastillo@upp.edu.mx , http://www.upp.edu.mx/pag/. ** CINVESTAV-IPN. Departamento de Ingeniería Eléctrica- Sección de Electrónica Del Estado Sólido. Av. IPN#2508, 0700 México D. F. Apdo. Postal 14-740, FAX: 5747114

202

PDD-P08 Oxygen incorporation effects in the optical and str uctural properties of Al 0.2Ga0.3In0.5P:Be films. C. Soubervielle-Montalvo 1,*, M. Melendez-Lira 2, A.G. Rodríguez 1, D. Vázquez-Cortés 1, V.H. Méndez-García 1.--1 Instituto de Investigación en Comunicación Óptica (IICO), Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av Karakorum 1470, Lomas 4ª Sección, 78210 San Luis Potosí, S.L.P., MÉXICO. 2 Physics Department, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional 2508, San Pedro Zacatenco 07360, México, D.F.* sober@cactus.iico.uaslp.mx

203

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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PDD-P09 Aplicación de la Espectroscopia de Impedancia en la investigación de los mecanismos de cristalización en películas de calcogenuros. E. Prokhorov 1 , J. A. Muñoz-Salas 2,*.-- 1Centro de Investigación en Materiales Avanzados, S.C., Av. Miguel de Cervantes #120, Complejo Ind. Chihuahua. Chihuahua Chih. México C.P. 31109 (En sabático desde Cinvestav Querétaro). 2Cinvestav Querétaro, Libramiento Norponiente #2000, Frac. Real de Juriquilla, Querétaro, Qro. México C.P. 76230. * amunoz@qro.cinvestav.mx

204

PDD-P10 Películas delgadas de SnO 2:F preparadas por Erosión catódica RF. F. de Moure-Flores1, K.E. Nieto-Zepeda1, A. García-Sotelo1, M. Meléndez-Lira1, A. Hernández-Hernández1, José G. Quiñones-Galván1, S. Cerón-Gutiérrez2, M. de la L. Olvera2.-- 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN.2 SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN. *jdemoure@fis.cinvestav.mx

204

PDD-P11 Síntesis y caracterización de películas de boehmita nanoestructuradas con propiedades superhidrofóbicas. G. González Hueto1*, E. San Martín Martínez1, J. Guzmán Mendoza1.-- 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694. Colonia Irrigación, 11500 México D. F.* mina_linda30@hotmail.com

205

PDD-P13 Physical characterization of ITO thin films prepare d by pulsed laser deposition on flat and cylindrical substrates. L. Escobar-Alarcón1,*, E. Camps1, S, Romero1, M. Fernández2, K. Esquivel3, M.A. Camacho-Lopez4.-- 1 Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, México, DF 11801, México, (Apdo. Postal 18-1027). 2Departamento del Acelerador, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, México, DF 11801, México, (Apdo. Postal 18-1027). 3Departamento de Electroquímica, Centro de Investigación y Desarrollo Tecnológico en Electroquímica, S.C. Querétaro, México.4 Facultad de Química, UAEMex, Apdo. Postal 520, Toluca 50120, México. * luis.escobar@inin.gob.mx

205

PDD-P14 Síntesis y caracterización de un recubrimiento Ni-20%at Cr obtenido por Magnetrón Sputtering DC. V. Leyva-Hernández1*, H. González-Martínez1, J. Morales-Hernández2, F. J. Espinoza-Beltrán3.-- 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, CICATA-IPN Unidad Altamira. Km 14.5 Carretera Puerto-Industrial Altamira, Tamps, CP 89600, México. 2Centro de Investigación y Desarrollo Tecnológico en Electroquímica, S.C. Parque Tecnológico Querétaro Sanfandila, Querétaro, C.P. 76703, México. 3Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro. Libramiento Norponiente No. 2000, Fracc. Real de Juriquilla, Querétaro, Qro., CP 76230, México. *vleyvah@hotmail.com

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PDD-P15 Estudio de las propiedades superficiales de películ as de TiO 2 : Cr y TiO 2:Fe depositadas por vapores químicos mediante Microscop ia de Fuerza Magnética. Ángel Durán Ledesma, A. Conde-Gallardo, O Zelaya.-- Laboratorio Avanzado de Física, Departamento de Física, Cinvestav-IPN, Av. IPN 2508 Col. San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F.

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PDD-P17 Porosity analysis in carbon films deposited on glas s substrates coated by titanium films. M. Gustavo Díaz Carvajal, , A. Kosarev, A. Torres Jacome.-- Institute National for Astrophysics, Optics and Electronics , L.E.Erro 1, Tonantzintla, Puebla 72840, Mexico. moises_gustavo@inaoep.mx

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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PDD-P18 Propiedades ópticas y estructurales de películas de lgadas de CdS:B depositadas mediante la técnica de baño químico (CBD). F. de Moure-Flores1*, K.E. Nieto-Zepeda1, M. Meléndez-Lira1,2, M. de la L. Olvera2, A. García-Sotelo1, A. Hernández-Hernández1, José G. Quiñones-Galván1, S. Cerón-Gutiérrez2.—1Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. 2CICATA-IPN, Unidad Legaria, Legaria 694, Col. Irrigación, 11500, México D.F., México. 3SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. *jdemoure@fis.cinvestav.mx

208

PDD-P19 Obtención de TiO xNy con actividad fotocatalítica para la degradación d e compuestos orgánicos mediante luz visible. E. Hernández-Rodríguez* y A. Zapata-Navarro.—Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN, Unidad Legaria, Legaria # 694 Col. Irrigación, 11500, México D.F., México. *noehmx@hotmail.com

208

PDD-P20 Surface properties of AISI 4340 steel as a result o f variation in gas mixture and current density in a plasma nitriding process E. E. Granda-Gutiérrez1,*, J. C. Díaz-Guillén1, A. Campa-Castilla1, S. I. Pérez-Aguilar1, A. Garza-Gómez1, J. Candelas-Ramírez1, R. Méndez-Méndez1.—1 Corporación Mexicana de Investigación en Materiales S. A. de C. V. Calle Ciencia y Tecnología 790, Fraccionamiento Saltillo 400 Saltillo C. P. 25290, Coahuila, México. * egranda@comimsa.com

209

PDD-P21 Synthesis of Al doped ZnO thin films on glass subst rates L. Martínez Pérez1,* , N. Muñoz Aguirre2, P. Tamayo Meza2 and O. Zalaya-Angel3 .—1Instituto Politécnico Nacional, Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas , Av. IPN No. 2580, Col. Barrio La Laguna Ticomán, C.P. 07340, México D.F. México. 2Instituto Politécnico Nacional, Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica-UA. Av. Granjas, N°682, Colonia Santa Catarina. Del. Azcapotzalco, CP. 02550, México, DF. México. 3Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco, 07000 México, D.F. México. *buhomartin@yahoo.com

209

PDD-P22 Preparación de películas de NdFeFO para el estudio de superconductividad en sistemas basados en Fe. I. Corrales-Mendoza, A. Conde-Gallardo, O Zelaya-Angel.—Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional. Ave. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco. México 07360, D.F. México. rcorrales@fis.cinvestav.mx

210

PDD-P24 Optical and structural properties of ZnO thin films deposited by APCVD at low temperatures. G. Escalante2,*, H. Juárez1, M. Pacio1 and T. Díaz1.—1Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y Av. San Claudio, San Manuel. C.P. 72570, Puebla, México.2 Facultad de Ciencias de la Electrónica, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 18 Sur y Av. San Claudio, San Manuel C.P. 72570, Puebla, México. * gertrova@ece.buap.mx.

210

PDD-P25 Sensado eléctrico de gases basado en monocapas de s ilicio poroso obtenido por anodización electroquímica en soluciones de HF:etan ol y HF:formaldehído como surfactante alternativo. S. De la Luz Merino1, G. García Salgado2, A. Méndez Blas1*, T. Díaz Becerril2, H. Juárez Santiesteban2, E. Rosendo Andrés2, J. M. Gracia y Jiménez1.—1Instituto de Física “Luis Rivera Terrazas”, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av. 18 Sur y Av. San Claudio,

211

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

- 45 -

Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pue, México. 2 Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. *amendez@sirio.ifuap.buap.mx PDD-P26 Incorporación superficial de Nd en monocapas en sil icio poroso. L. Serrano Serrano, R. N. Silva González. A. Méndez-Blas*.—Instituto de Física “Luis Rivera Terrazas”, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. Av. 14 Sur y Av. San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pue, México. amendez@sirio.ifuap.buap.mx

211

PDD-P27 Laser-induced changes in Molybdenum thin films usin g fs laser pulses M. Cano-Lara1,∗, S. Camacho-López1, A. Esparza-García2, M. A. Camacho-López3.—1Departamento de Óptica, División de Física Aplicada, Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Km. 107 Carretera Tijuana – Ensenada, C.P. 22860, Ensenada, B.C. México. 2Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico CCADET, UNAM. Ciudad Universitaria, A.P. 70 – 186 México D.F.

212

PDD-P29 Estudio, fabricación y caracterización de películas delgadas de ZnO para el desarrollo de transistores FET 1,2T. Mendivil-Reynoso, 1*D. Berman-Mendoza, 1L. A. González, 1S. Jesús Castillo, 3L. A. García-Cerda, 2R. R. Bon.-- 1 Departamento de Física, Universidad de Sonora, Apdo. Postal 1626, CP. 83000 Hermosillo, Sonora, México. 2Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN. Unidad Querétaro, Apdo. postal 1-798, Querétaro, Qro., 76001, México. 3Centro de Investigacion en Quimica Aplicada, Blvd. Enrique Reyna Hermosillo No.140 C.P.25250 Saltillo, Coahuila México

212

PDD-P30 Estudio de peliculas delgadas de oxidos de hierro e n SiO 2 M. R. Alfaro Cruz1 , J. A, de la Cruz Mendoza1, G. Ortega Zarzoza1.—1. Facultad de Ciencias, UASLP, Diagonal Sur S/N, Zona Universitaria, C.P. 78290, San Luis Potosí, S.L.P., México

213

PDD-P31 Enhancing the corrosion resistance of dentistry dri lls by PIII process of AISI 434-based SS A. E. Muñoz-Castro1*, R. López-Callejas1,2, R. Valencia-Alvarado1, S. R. Barocio1, R. Peña-Eguiluz1, A. Mercado-Cabrera1, A. de la Piedad-Beneítez2.—1Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Plasma Physics Laboratory, AP 18-1027, 11801 México, D.F. 2Instituto Tecnológico de Toluca, AP 890, Toluca, México. *arturo.munoz@inin.gob.mx

213

PDD-P33 Estudio del cambio en la orientación preferencial e n función del espesor de las películas delgadas de NbN depositadas por sputterin g reactivo con magnetrón G. Ramírez1*, S.E. Rodil1, J.G. González-Reyes1, S. Muhl1, E. Camps2, L. Escobar-Alarcón2, J.L. Benitez1.—1Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior s/n, CU, México D.F. 04510, México. 2Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Apdo. Postal 18-1027, México, DF 11801, México. * enggiova@hotmail.com

214

PDD-P34 A pulsed current method for measuring the heat capa city of thin metallic films R. D. Maldonadoa, A. I. Olivab, H. G. Riverosb§.—aUniversidad del Mayab, Facultad de Ingeniería. Carretera Mérida-Progreso Km. 15.5, A P 96, Cordemex, CP 97310, Mérida, Yucatán, México. bCentro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN Unidad Mérida. Depto. de Física Aplicada Km. 6 Antigua Carretera a Progreso CP 97310. Mérida, Yucatán México. *ruben.dominguez@unimayab.edu.mx

214

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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PDD-P36 Synthesis of titanium and nitride chromium aluminum thin films on polyethylene (UHMW-PE) and characterization microstructural C. Rivera-Rodríguez1*, F.J. Espinoza-Beltrán2, F.J. García-Pérez3, J.G. Piña-Carrillo4.-- 1Centro de Investigación de Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN, Unidad Qro, Cerro Blanco No. 141. Col. Colinas del Cimatario, 76090 Querétaro, Qro., México. 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Qro, Libramiento Norponiente No. 2000, Fracc. 76230 Real de Juriquilla, Qro., México. 3 Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica del IPN, Av. de las Granjas No. 682 Col. Sta. Catarina,Delegación Azcapotzalco-México D.F. 4 Universidad Autónoma de Nayarit, Ciudad de la Cultura "Amado Nervo", 63155 Tepic, Nayarit. México. * cvrivera@ipn.mx, carlosriverar@yahoo.com

215

PDD-P37 Characterization of laser-induced grating-like stru ctures on titanium thin films Santiago Camacho-López1, Rodger Evans1, L. Escobar-Alarcón1, Oscar Olea-Mejía3, Marco A. Camacho-López3*.-- 1Departamento de Óptica, CICESE. Km 107 Carretera Tijuana-Ensenada, Ensenada, Baja California, 22860, MÉXICO. 2Departamento de Física, ININ, Apdo. Postal 18-1027, México DF 11801, MÉXICO. ININ.3Facultad de Química, UAEM, Tollocan s/n esq. Paseo Colón, Toluca Edo. de México, 50110, MÉXICO.*macamacholo@uaemex.mx

215

PDD-P39 Evaluación del carburo de renio como un material pr ospecto para recubrimientos duros. G. Soto*, H. Tiznado, J.A. Díaz, E.C. Samano and A. Reyes-Serrato. -- Universidad Nacional Autónoma de México, Km 107 carretera Tijuana-Ensenada, Ensenada Baja California, México. * gerardo@cnyn.unam.mx

216

PDD-P40 Propiedades fotoluminiscentes de películas de a: SiO x crecidos por la técnica HFCVD. A. Coyopol*, G. García Salgado, T. Díaz, E. Rosendo and H. Juárez. --CIDS-ICUAP, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 sur y Av. San Claudio, Edif. 137, Puebla 72570, Pue. México. *acoyopol@gmail.com

216

PDD-P41 Reflexión y transmisión de un plasmón superficial en una discontinuidad. J. S. Pérez Huerta1,*, W. Luis Mochán Backal1.-- 1 Instituto de Ciencia Físicas, Universidad Nacional Autónoma de México, Campus Morelos , Av. Universidad s/n, Col. Chamilpa, Cuernavaca, Morelos, 62210, México. jsperez@fis.unam.mx.

217

PDD-P42 Self assembling growth of ZnO ultra thin films by a tomic layer deposition (ALD) technique E. Martínez-Guerra 1,*, José A. Flores 2,3 and E. Pérez-Tijerina 2,3.--1 Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, Universidad Autónoma de Nuevo León, San Nicolás de los Garza, Nuevo León, México 66450. 2 Centro de Innovación, Investigación y Desarrollo en Ingeniería y Tecnología, Laboratorio de Nanociencias y Nanotecnología (CIIDIT-UANL), PIIT Monterrey, C.P. 66600, Apodaca, N.L., México. 3 Centro de Investigación en Materiales Avanzados, S.C.(CIMAV), Av. Alianza Norte #202, Parque de Investigación e Innovación Tecnológica (PIIT), Nueva Carretera Aeropuerto Km. 10, Apodaca, Nuevo León, México. C. P. 66600. * eduardo.martinez@cimav.edu.mx

217

PDD-P43 Depositacion de películas delgadas de ZnS por MOCVD utilizando Zn(TMHD) 2 como precursor de baja temperatura de descomposicion. *H. Vera D.1, F. Juárez, M.1 Juárez G.2.--1 Centro de Investigación e Innovación Tecnológica del Instituto Politécnico Nacional, Cerrada CECATI s/n Col. Santa Catarina, Azcapotzalco, C.P. 02050, México, D.F. 2 Centro Nacional de Metrología Carretera a Los Cués Km 4,5, El Marqués, Querétaro, México C.P. 76241, Apdo. Postal 1-100 Centro. * hverad0600@ipn.mx

219

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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PDD-P44 Desarrollo de un sistema de Microscopía Electroquím ica para caracterización y morfología de películas ferroeléctricas J. Guillén-Rodríguez1,*, A. Zapata-Navarro1, F. Rábago-Bernal2.-- 1CICATA-IPN Unidad Legaria, Legaria 694, Col. Irrigación, Delegación Miguel Hidalgo, C.P.11500 , México D.F., México. 2Instituto de Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosí. Av. Manuel Nava 6 Zona Universitaria 78290, San Luis Potosí SLP, México* jguillenrdz@hotmail.com

218

Recubrimiento electrolítico de zinc utilizando tita nio puro como sustrato PDD-P45 Martín Castilloa, Jaime Viteb, Manuel Vitea.-- aSección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME U. Zacatenco, IPN, México. bInstituto Nacional de Investigaciones Nucleares, México. Tel. (55) 57296000, ext.54745, avinfer@hotmail.com

219

PDD-P46 Análisis del desgaste y la resistencia a la fatiga estática del vidrio recubierto con una película delgada de óxido de niobio. P. González-Zavala1,*, S. Muhl2, J.G. Ramírez-González2, O.Y. Peña-Rodriguez2.-- 1 Facultad de Ingeniería, Universidad Nacional Autónoma de México, Av. Universidad 3000, Ciudad Universitaria, Coyoacán, C.P.04510, México D.F., México. 2 Instituto de Investigación de Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Coyoacán, C.P.04510, México D.F., México. * prettypatyg@yahoo.com.mx

219

PDD-P47 Diffraction X-Ray Characterization of chemicals bat h deposited CdS thin films doped with: Ni 2+, Hg2+, Zn2+ H. Lima Limaa∗, O. Portillo Morenoa, R. Lozada Moralesb, F. J. Martínez Juárezc O. Zelaya Ángeld..-- Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, México. aFacultad de Ciencias Químicas Blvd. 14 Sur y Av. Sn. Claudio, Col. Sn. Manuel, Puebla, Pue. México. bFacultad de Ciencias Fisicomatemáticas, Postgrado en Optoelectrónica Blvd. 14 Sur y Av. Sn. Claudio, Col. Sn. Manuel, Puebla, Pue. México. cCIDS - ICUAP Blvd. 14 Sur y Av. San. Claudio, Col. San. Manuel, Puebla, Pue. México. dDepartamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, 07360, México D. F. México.

220

PDD-P48 Resistencia a la Corrosión de Películas Delgadas Ce rámicas G. Carbajal-De la Torre1, J. Jesús Pacheco1, L.A. Ibarra-Bracamontes1, S.R. Galván1.-- 1Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo UMSNH, Facultad de Ingeniería Mecánica, Santiago Tapia 403. Centro C.P. 58000. Morelia Michoacán México. * gcginacarbajal@gmail.com

221

PDD-P49 Crecimiento de GaN y AlN por epitaxia de haces mole culares asistido por plasma. M. Ramírez-Lopez1,*, J.S. Rojas-Ramírez 1, S. Gallardo-Hernández 2, I. Martínez-Velis1 and M. López-López 1. -- 1 Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, México, D. F. 07360. 2 SEES, Departamento Ingeniería Eléctrica, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, México, D. F. 07360. * mrlopez@fis.cinvestav.mx

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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PDD-P50 Nitrogen Incorporation in Al 2O3 Thin Films Prepared by Pulsed Ultrasonic Sprayed Pyrolysis S. Carmona-Telleza,*, C. Palaciob, S. Gallardoc, Z. Riverac, M. Aguilar-Frutisa, M. Garcia-Hipolitod, G. Alarcon-Floresa , and C. Falconyc.-- aCICATA-IPN, Miguel Hidalgo 11500, Mexico, D.F., Mexico. bIIM-UNAM, Coyoacan 04510, Mexico, D.F., Mexico. cCINVESTAV-IPN, Apdo. Postal 14-740, 07000, Mexico, D.F., Mexico. dUniversidad Autónoma de Madrid, Departamento de Física Aplicada, Facultad de Ciencias C-XII, Cantoblanco, 28049-Madrid, España. * arribalarevolucion@hotmail.com

222

PDD-P51 Deposition and characterization of AlN films grown on Si 3N4/Si by pulsed laser deposition J.A.Pérez1*, H. Riascos1, F. N. Jiménez-García2, Felio A. Perez3, L. Ipaz 4.-- 1 Grupo Plasma, Láser y Aplicaciones, Universidad Tecnológica de Pereira –Colombia. 2Universidad Nacional Colombia, Departamento Física y Química, Manizales. 3 West Virginia University, Department of Physics, PO Box 6315, Morgantown, WV 26506. 4 Grupo de Películas Delgadas, Universidad del Valle, Cali –Colombia. jaimeandres.perez@gmail.com1*

222

PDD-P52 Películas delgadas de oxido de estaño, SnO 2, depositadas mediante erosión catódica RF. F. de Moure-Flores1*, M. Meléndez-Lira1,2, K.E. Nieto-Zepeda1, A. García-Sotelo1, M. de la L. Olvera2, A. Hernández-Hernández1, José G. Quiñones-Galván1, S. Cerón-Gutiérrez2. -- 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. 2CICATA-IPN, Unidad Legaria, Legaria 694, Col. Irrigación, 11500, México D.F., México. 3SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. *jdemoure@fis.cinvestav.mx

223

PDD-P53 Efecto de bi-capas ZrO 2 y ZrN sobre substratos de Si(100) en la síntesis d e películas superconductoras de Tl-1223. R. Balderas-Xicohténcatl1, J. Fernando Vargas-Peraza2, L. Pérez-Arrieta3, * y C. Falcony-Guajardo5.-- 1Facultad de Ciencias, Universidad Nacional Autónoma de México, Universidad 3000 Circuito Exterior S/N, C.P. 04510 Ciudad Universitaria. México, D. F. 2Centro Universitario de Los Lagos, Universidad de Guadalajara, Av. Enrique Díaz de León S/N, Col. Paseos de la Montaña C.P. 47460, Jalisco, México. 3Unidad Académica de Física, UAZ, Calzada Solidaridad Esq. paso La Bufa S/N, Zacatecas, Zac. C.P. 98060 ,4 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Apdo. Postal 14-740, 07300, México, D. F. México. * mlp.arrieta@yahoo.com.mx

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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PDD-P54 Caracterización de películas delgadas de MgO crecid as sobre Si(100) por Rocío Pirólitico J. Fernando Vargas-Peraza1, R. Balderas-Xicohténcatl2, L. Pérez-Arrieta3*, C. Falcony4.-- 1 Centro de Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, Av. Enrique Díaz de León 1144 Col. Paseos de la Montaña. C.P. 47460, Lagos de Moreno, Jalisco. 2 Facultad de Ciencias, Universidad Nacional Autónoma de México, Universidad 3000 Circuito Exterior S/N, C.P. 04510 Ciudad Universitaria. México, D. F. 3 Unidad Académica de Física, Universidad Autonoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad Esq. paseo La Bufa S/N, Zacatecas, Zac. C.P. 98060 4 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Av. Instituto Politécnico Nacional 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360 México, D.F. Apartado postal 14-740, 07000 México, D.F. * mlp.arrieta@yahoo.com.mx

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PDD-P55 The influence of Pt layers on the corrosion and tri bological behavior of TiAlN/TiAl multilayers. M. Flores1,*, E. Rodríguez1, E. De Las Heras2, L. Pazos2.-- 1Centro de Investigación en Materiales, DIP-CUCEI, Universidad de Guadalajara, A.P. 470, Zapopan Jal., C.P. 45101, México.2Grupo de Biomateriales, Instituto Nacional de Tecnología Industrial, Av. Gral. Paz 5445, B1650WAB San Martín, Buenos Aires, Argentina. *maflores@cucea.udg.mx

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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Plasmas y Vacío / Plasma and Vacuum

PYV-1 Plasma parameters influence on the properties of Ti CN films prepared by laser ablation. Enrique Camps1,*, L. Escobar-Alarcón1, S. Romero1, S. Muhl3, Iván Camps2,3..–1Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, México, D. F. 11801, México, (Apdo. Postal 18-1027). 2Facultad de Ciencias, UAEMex, Toluca Edo. Mex., México. 3Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior s/n, CU, México D.F. 04510, México. * enrique.camps@inin.gob.mx

226

PYV-2 Análisis de la colisión de dos plasmas inducidos po r láser. D. Mustri-Trejo1*, C. Sánchez-Aké1, T. García2, M. Villagrán-Muniz1.–1Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 70-186, México DF. 04510, México.2Universidad Autónoma de la Ciudad de México (UACM), Prolongación San Isidro 151, Col. San Lorenzo Tezonco, México DF, C.P. 09790, México. *mustrejo@gmail.com

226

PYV-03 Preparación de superficies de madera hidrófobas por polimerización descargas luminiscentes a presión atmosférica. V.J. Martínez –Gómez1,* M.G. Gutiérrez-Córdova 2, G. Toriz-González2.–1 Departamento de Ingeniería Química, Universidad de Guadalajara, Blvd. M. García Barragán 1421, C.P. 44330, Guadalajara, Jalisco México. 2 Departamento de Madera, Celulosa y Papel, Universidad de Guadalajara, km 15.5 Carretera Guadalajara –Nogales C.P. 45110, Zapopan Jalisco, México. *alvaro.martinez@cucei.udg.mx

227

PYV-04 Oxidación de carbón activado usando un sistema reac ción hibrido de lecho fluidizado-descargas luminiscentes a presión atmosférica. A. de J. Martínez-Gómez 1,*, M.A. Sánchez-Castillo2, L.E. Cruz-Barba1.–1 Departamento de Ingeniería Química, Universidad de Guadalajara, Blvd. M. García Barragán 1421, C.P. 44330, Guadalajara, Jalisco México. 2 Facultad de Ciencias Químicas, Universidad Autónoma de San Luís Potosí, Av. M. Nava 6, C.P. 78210, San Luis Potosí S.L.P., México *alvaro.martinez@cucei.udg.mx

228

PYV-05. Atomic hydrogen etching of silicon dioxide. O. Peña1, S. Muhl1, W. López1, L. Rodríguez-Fernández2, J. L. Ruvalcaba-Sil2.–1Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, AP 70-360, México, D.F. 04510, México. 2Instituto de Física, Universidad Nacional Autónoma de México, AP 20-364, México, D.F. 01000, México. muhl@servidor.unam.mx

228

PYV-06 Estudio del plasma de ablación láser usado en la fo rmación de a-C. V.H. Castrejón-Sánchez1*, Enrique Camps1,2 y L. Escobar-Alarcón1,2.–1Facultad de Química, Universidad Autónoma del Estado de México, Paseo Colón y Tollocan, Toluca, 50110, México. 2Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Apartado Postal 18-1027, México DF 11801, México. vic110579@hotmail.com

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PYV-07 Caracterización de películas obtenidas por vía PECV D de oligosiloxanos Q xMy. Oscar Lira-Negrete1, Juan Morales-Corona2, Alberto Herrera3, Antonio Villegas-Gasca1, Jorge Cervantes-Jáuregui1. – 1Chemistry Department, Universidad de Guanajuato, Noria Alta s/n, C.P. 36050, Guanajuato, Gto. México.e-mail: ojlira@quijote.ugto.mx, jauregi@quijote.ugto.mx 2Physics Department, Universidad Autónoma Metropolitana-Iztapalapa. México, D.F. 3CINVESTAV-Querétaro. Querétaro, México 76000.

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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Polímeros / Polymers

POL P01 Efectos del disolvente en la síntesis del poli (3-h idroxibutirato-g-acetato de vinilo) obtenido por copolimerización radio-inducida. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2.-- 1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México. 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México * mikegcu@gmail.com

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POL P02 Síntesis y caracterización físico-química del poli (3-hidroxibutirato-g-acrilamida) obtenido por copolimerización de injerto radio-indu cida. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2.-- 1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México * mikegcu@gmail.com

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POL P03 Síntesis y caracterización físico-química del poli (3-hidroxibutirato-g-metacrilato de butilo) obtenido por copolimerización radio-inducid a. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2 .-- 1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México * mikegcu@gmail.com

232

POL P04 Síntesis y caracterización físico-química del poli (3-hidroxibutirato-g-ácido metacrílico) obtenido por copolimerización radio-inducida. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2.--1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México * mikegcu@gmail.com

232

POL P05 Síntesis y caracterización físico-química del poli (3-hidroxibutirato-g-alcohol vinílico) obtenido por copolimerización radio-inducida. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2.-- 1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México. 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México. * mikegcu@gmail.com

233

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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POL P06 Copolimerización por injerto radio-inducida de monó meros hidrofílicos en los polihidroxialcanoatos. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2.-- 1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México. 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México. * mikegcu@gmail.com

234

POL P07 Efecto de la modificación química del SiO 2 y de fibras y microfibrilas de celulosa en las propiedades de compósitos de PVC J.F San Juan-Araiza1, M.A. Cortes-Ayala2, M. Mondragón2,*.--1ESIQIE-IPN, Edificio 7, U. P. Adolfo López Mateos, 07730, México D.F., México. 2ESIME- IPN Unidad Azcapotzalco, Av de las Granjas 682, Col. Sta. Catarina, 02250 México, D.F., México. * mmondragon@ipn.mx

234

POL P08 Thermal and rheological characterization of pectini c polymers from Crataegus pubescens (Tejocote) as gelling elements J. A. Linares-García, E. G. Ramos-Ramírez, M. P. Méndez-Castrejón, J. A. Salazar-Montoya*. Departamento de Biotecnología y Bioingeniería del CINVESTAV-IPN, Av. IPN 2508 col. San Pedro Zacatenco, C.P. 07360 México D.F. * jsalazar@cinvestav.mx

235

POL P09 Flow behavior of binary mixtures of gellan R. E. González-Cuello1, E. G. Ramos-Ramírez 1, A. Cruz-Orea2, A. Totosaus Sánchez3. J. A. Salazar-Montoya1*.-- 1 Departamento de Biotecnología y Bioingeniería, CINVESTAV-IPN, Av. IPN 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360 México, D.F. 2 Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, Av. IPN 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360 México, D.F.3Laboratorio de Alimentos, Tecnológico de Estudios Superiores de Ecatepec (TESE). Av. Tecnológico esq. Av. Central s/n, Ecatepec C.P. 55210, Estado de México. * jsalazar@cinvestav.mx

235

POL P10 Concentration effect in the flow behavior of potato starches J. P. Gómez-Ocampo, E. G. Ramos-Ramírez, M. Márquez-Robles, J. A. Salazar-Montoya*. -- Departamento de Biotecnología y Bioingeniería, CINVESTAV-IPN Av. IPN 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360, México D.F., México. * jsalazar@cinvestav.mx

236

POL P11 Detección de disolventes orgánicos con compuestos p oliméricos base negro de carbono Delfino Reyes-Contreras2*, Susana Hernández-López1, Enrique Vigueras-Santiago1.-- 1Laboratorio de Investigación y Desarrollo de Materiales Avanzados (LIDMA) Facultad de Química, Paseo Colón Esquina con Paseo Tollocan s/n, C.P. 50000, Toluca Estado de México, México. 2 Facultad de Ciencias Universidad Autónoma del Estado de México, Av. Instituto Literario 100 Ote. C. P. 50000, Toluca, Estado de México, México. dreyes.fc@gmail.com, shernandez@uaemex.mx, eviguerass@uaemex.mx

237

POL P12 Evaluación y detección de Hexano con compuestos pol iméricos de polibutadieno con negro de carbono Rosa Alejandra Sánchez 1, Delfino Reyes-Contreras2*, Susana Hernández-López1, Enrique Vigueras-Santiago1. 1 Laboratorio de Investigación y Desarrollo de Materiales Avanzados (LIDMA) Facultad de Química, Paseo Colón Esquina con Paseo Tollocan s/n, C.P. 50000, Toluca Estado de México, México. 2 Facultad de Ciencias Universidad Autónoma del Estado de México, Av. Instituto Literario 100 Ote. C. P. 50000, Toluca, Estado de México, México rosa.sanchez@solara.com.mx, dreyes.fc@gmail.com, shernandez@uaemex.mx, eviguerass@uaemex.mx,

237

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

- 53 -

POL P13 Thermal treatment of isopropanol and doped isopropa nol plasma polymerized films J. O. Martínez-Gutiérrez*, G. Romero-Paredes, R. Peña-Sierra, A. Ávila-García, G. Juárez-Díaz. CINVESTAV-IPN. Departamento de Ingeniera Eléctrica Sección de Electrónica del Estado Sólido. Av. IPN #2508, San Pedro Zacatenco, 07360 México D.F. *jomartinez@cinvestav.mx.

238

POL P14 Encapsulación de nanopartículas de Ag mediante poli merización en emulsión R. Betancourt-Galindo1, C. Cabrera-Miranda1, B. Puente Urbina1, O. Rodríguez Fernández1

1Centro de Investigación en Química Aplicada, Blvd. Enrique Reyna No. 140 Saltillo 400. Saltillo, Coah., México.*ccabrera1603@gmail.com

238

POL P15 Study of temperature dependence of dark and photoco nductivity in organic polymer-based semiconductor K. Alemán-Ayala1*, S. Mansurova1, A. Kosarev1, A. Medel Mejía2, P. Rodríguez Montero1

1 Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica Luís Enrique Erro No. 1, Santa Maria Tonantzintla, Puebla, C.P. 72840, Cd. Puebla, México. 2Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Físico Matemáticas. Av. San Claudio Col. San Manuel, C.P. 72570 Puebla, Puebla. México. *kaleman@zarzamora.com.mx

239

POL P16 Compósito silicón/BaTiO 3 usado como atenuador de campos eléctricos en aisla ntes de alto voltaje M. Paredes-Olguín1, F.P. Espino-Cortés2, C. Gómez-Yáñez1*

1 Departamento de Metalurgia y Materiales, ESIQIE, Instituto Politécnico Nacional 2 Sección de estudios de posgrado e investigación, ESIME, Instituto Politécnico Nacional U. P. Adolfo López Mateos, Zacatenco, D.F.,07738, México *cgomez@ipn.mx

239

POL P17 Estudio experimental del proceso de preparación de compuestos conductores de polietileno de baja densidad con negro de carbono J.M. Ayala Ibarrola, S. Hernández López y E. Vigueras Santiago*.Laboratorio de Investigación y Desarrollo de Materiales Avanzados, Facultad de Química, Universidad Autónoma del Estado de México. Paseo Colón esq. Paseo Tollocan, 50120 Toluca, México. *eviguerass@uaemex.mx

240

POL P18 Inmovilización de glucosa oxidasa en silicio poroso para el desarrollo de sensores biológicos L. Prunedaa, E. Pérezb, G. Palestinoa*.-- aFacultad de Ciencias Químicas-CIEP, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, bInstituto de Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosí Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, CP 78210, San Luis Potosí, México *palestinogabriela@fcq.uaslp.mx

240

POL P19 Stability and Compatibility of Titanium Dioxide Par ticles (TiO 2) in Suspensions and Films by Plasma Polymerization Araceli Solís(1), Marco A. Sánchez (2),Elías Pérez(1).--(1) Instituto de Física "Manuel Sandoval Vallarta", UASLP. (2) Facultad de Ciencias Químicas, UASLP Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, 78000, San Luis Potosí, S.L.P., México.

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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Semiconductores / Semiconductors

SEM P01 Fotoluminiscencia de partículas de CdTe depositadas por ablación láser en una matriz de silicio poroso A.C. Medina-Torres1,2,3, J. R. Aguilar-Hernández, G.S. Contreras-Puente, M. Becerril4 ---1 Becario CONACyT. 2Escuela Superior de Física y Matemáticas - Instituto Politécnico Nacional Edificio No. 9 U.P.A.L.M. Lindavista 07738, México D.F. 3 E.S.I.M.E. – Zacatenco – I.P.N. Edificio No. 4 U.P.A.L.M. Lindavista 07738, México D.F. 4 Dpto. de Física – CINVESTAV, Zacatenco 07000 México D.F.

242

SEM P02 Síntesis y caracterización de películas delgadas de CdS:F * K.E. Nieto-Zepeda1, M. Meléndez-Lira1, F. de Moure-Flores1, José G. Quiñónes-Galván1, A. Hernández-Hernández, E. Mota-Pineda1, A. García-Sotelo, S. Cerón-Gutiérrez2, M. de la L. Olvera2. -- 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN. 2 SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN

242

SEM P03 Efecto Hall con portadores fuera de equilibrio S. Molina-Valdovinos1,*, Y.G. Gurevich1. -- 1 Centro de Investigaciones y de Estudios Avanzados del IPN, Departamento de Física, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco, CP 0736, México, D.F., México.* sergiov6@gmail.com

242

SEM P04 Síntesis de fotocatalizadores de titania dopados c on fierro B. Zermeño-Resendiz1*, E. Moctezuma2, R. García-Alamilla1, R. Barbosa3. -- 1 División de Estudios de Posgrado, Instituto Tecnológico de Ciudad Madero, Juventino Rosas esquina con Jesús Urueta s/n, Col. Los Mangos, 89440, Cd. Madero, Tamps. México. 2 Centro de Investigación y Estudios de Posgrado, Facultad de Ciencias Químicas, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, 78290, San Luis Potosí S.L.P., México. 3 Instituto de Geología, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Dr. Manuel Nava No. 4, Zona Universitaria, 78290, San Luis Potosí S.L.P., México. * bbzr05@hotmail.com

243

SEM P05 Síntesis de catalizadores de plata soportados en Ti O2 y ZnO para su aplicación en la degradación de contaminantes orgánicos. R. Galindo1,*, E. Moctezuma1. -- 1 Centro de Investigación y Estudios de Posgrado, Facultad de Ciencias Químicas, UASLP, Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México. * chayitogalindo@yahoo.com.mx

243

SEM P06 CdS, CdSe and PbS prepared by Chemical Bath J. I. Contreras Rascona*, O. Portillo Morenob, R. Lozada Moralesc, J. Martínez Juáreza, O. Zelaya Ángeld, G. Juarez Diaze. -- a Posgrado CIDS-ICUAP Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, México. b Laboratorio de Ciencias de Materiales, Facultad de Ciencias Químicas BUAP. cFac. Ciencias Fisicomatemáticas Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, México. d Departamento de Física Centro de Investigación y de Estudios de Estudios Avanzados del IPN, 07360, México D. F. México. e Ing. Eléctrica SEES Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, 07360, México D. F. México.

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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SEM P07 Thin films Chemical-Bath deposited of CdS, Ni2 +, Hg2+ y Zn2+. O. Portillo Morenoa∗, J. I. Contreras Rascónb, J. Martínez Juárezb, G. Juarez Dàze, R. Lozada Moralesd, O. Zelaya Ángele. -- a Laboratorio de Ciencias de Materiales, Facultad de Ciencias Químicas BUAP. b Posgrado CIDS-ICUAP Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, Pue. México. c Ing. Eléctrica SEES Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, 07360, México D. F. México. d Facultad de Ciencias Fisicomatemática Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, Pue. México. eDepartamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, 07360, México D. F. México.

245

SEM P08 Characterization of Zinc Oxide films grown on silic on substrates by dc reactive magnetron sputtering J. Díaz-Reyes1,*, M. Galván-Arellano2, A. Balderas-López3.-- 1 CIBA-IPN. Ex-Hacienda de San Juan Molino Km. 1.5. Tepetitla, Tlaxcala. 90700. México.2 Depto. de Ing. Eléctrica, SEES. CINVESTAV-IPN. A. Postal 14-740. México, D. F. 07000. México. 3 UPIBI-IPN, Av. Acueducto S/N, Col. Barrio la Laguna, Del. Gustavo A. Madero, C. P. 07340, México, D. F. Méxic. * jdiazr2001@yahoo.com

245

SEM P09 Formación de fases en películas de CdTe:Cu crecidas por CSVT-FE M. Zapata-Torres1*, L. García-Pérez2, F. Chale-Lara2, M. Meléndez-Lira3.--- 1 CICATA –IPN. Unidad Legaria, Legaria 694 Col. Irrigación Del. Miguel Hidalgo, C.P. 11500 México D.F . 2 CICATA –IPN. Unidad Altamira, Km. 14.5 carretera Tampico-puerto Altamira, Altamira, Tamaulipas, C.P. 89600. 3 Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, AP 14-740, 07000 México, DF. * mzapatat@ipn.mx

246

SEM P10 Structural characterization of epitaxial GaN/AlN gr owth on Si(111) by MBE. S.Gallardo1, M. Ramírez2, R. Contreras2, I. Martínez2, J.S. Rojas2,J. Hernández2, M. López-López2, V. M. Sánchez R1.Yu.Kudriavtsev1. A.Escobosa1. -- 1Electrical Engineer Department- SEES, 2Physics Department, Cinvestav-IPN. Av.IPN # 2508, México, D.F. e-mail: sgh1977@hotmail.com

246

SEM P11 Effect of iron doping on titanium dioxide nanoparti cles D. González-Sánchez1, C.R. Michel-Uribe2, G.G. Toriz3, M.A. Camacho-López4, M. Meléndez-Lira5, A. Pérez-Centeno2, M.A. Santana-Aranda2,*. -- 1 Departamento de Matemáticas, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco. 2 Departamento de Física, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco. 3 Centro de Investigación en Biomateriales, DMCyP, CUCEI, Universidad de Guadalajara, Carr. Guadalajara-Nogales Km 15.5, Las Agujas, Zapopan, Jalisco. 4 Facultad de Química, Universidad Autónoma del Estado de México, Paseo Colón esq. Paseo Tollocan, Toluca, 50120, Edo. de México. 5 Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN #2508, Col. San Pedro Zacatenco México, 07360, D.F., México. * miguelangelsantana@gmail.com

246

SEM P12 Deposition of zinc sulfide films by the chemical ba th method A. Martínez-Benítez1,*, A. Chávez-Chávez1, J.L. González-Solis2, V. Altuzar3, A. Pérez-Centeno1, M.A. Santana-Aranda1. --- 1 Departamento de Física, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco. 2 Departamento de Ciencias Exactas y Tecnológicas, CU-Lagos, Universidad de Guadalajara, Av. E. Díaz de León 1144, Lagos de Moreno, Jalisco, Mexico. 3 Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines # 294, Boca del Rio, 94294, Veracruz, México. * alejandro_mabe@hotmail.com

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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SEM P13 Chemical bath deposition of mercury sulfide thin fi lms J.D. Arriaga-Galindo1, A. Chávez-Chávez1, J.L. González-Solis2, V. Altuzar3, A. Pérez-Centeno1, M.A. Santana-Aranda1,*. -- 1 Departamento de Física, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco. 2 Departamento de Ciencias Exactas y Tecnológicas, CU-Lagos, Universidad de Guadalajara, Av. E. Díaz de León 1144, Lagos de Moreno, Jalisco, Mexico. 3 Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines # 294, Boca del Rio, 94294, Veracruz, México. * miguelangelsantana@gmail.com

248

SEM P14 Study of the transport mechanisms in porous silicon layers M. A. Vásquez-A*, G. Romero-Paredes y R. Peña-Sierra. -- Departamento de Ingeniería Eléctrica, SEES del CINVESTAV-IPN. Apartado Postal 14-740, 07000 México D. F. *mava_vasquez@yahoo.com

248

SEM P 15 Synthesis and characterization of SnO 2 microstructures grown by precipitation chemical route C. E. Marín-Pineda1, E. H. Castro-Ocampo1, C. E. Rivera-Enríquez1, M. A. Santana-Aranda2, A. Chávez-Chávez2, J. C. Ibarra-Torres2, O. Contreras-López3, A. Pérez-Centeno2,*. -- 1 Departamento de Química, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingeniería, Universidad de Guadalajara, Blvd. Marcelino García Barragán # 1421, Col. Olímpica, C.P. 44430, Guadalajara, Jal., México. 2 Departamento de Física, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingeniería, Universidad de Guadalajara, Blvd. Marcelino García Barragán # 1421, Col. Olímpica, C.P. 44430, Guadalajara, Jal., México. 3 Departamento de Nanoestructuras, Centro de Nanociencia y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Carretera Tijuana-Ensenada Km. 107, C.P. 22800, Ensenada, B. C, México armando.centeno@cucei.udg.mx

248

SEM P16 Caracterización por Fotorreflectancia de Aleacione s Semiconductoras Cuaternarias de GaInAsSb impurificadas con Telurio. S. Arias-Ceron1, Y.E. Bravo-Garcia1, J.L. Herrera-Perez1, P. Rodríguez-Fragoso2,F. Sánchez-Sinencio2,3, J.G. Mendoza-Alvarez2 -- 1 CICATA-IPN. Unidad Legaria. Legaria 694, Col. Irrigación. México DF 11500. México. 2 Departamento de Física. Cinvestav-IPN. A.P. 14-740. México DF 07000. México. 3 Centro Latinoamericano de Física. Río de Janeiro, RJ. Brasil.

249

SEM P17 Índice de refracción del compuesto semiconductor Cu 2GeSe3 M. Álvarez Soto y J.L. Herrera-Pérez. -- Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN. Unidad Legaría. Av. Legaría 694.Col. Irrigación. México DF11500. * jherrerap@ipn.mx

249

SEM P18 Thermo-electronic and structural studies of Silicon doped GaAs growth by MBE using PCR J. A. Villada, M. López-López, S. Jiménez-Sandoval, M. E. Rodríguez-García -- CINVESTAV-Querétaro, Libr. Norponiente No. 2000, Fracc. Real de Juriquilla, CP 76230 Querétaro, Qro., México. Departamento de Nanotecnología, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, UNAM Apartado Postal 1-1010 76000 Querétaro, Qro., México.

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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SEM P19 Formación de mini-bandas en superredes infinitas de perfil Gaussiano I. E. Orozco, A. Enciso, S. J. Vlaev, D. A. Contreras-Solorio, I. Rodríguez-Vargas*. Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad Esquina Con Paseo La Bufa S/N, 98060 Zacatecas, ZAC., México * isaac@fisica.uaz.edu.mx

250

SEM P20 Synthesized ZnO micro-rods present strong exciton e mission (390 nm) and imperceptible visible emission, at room temperature , under UV-photon excitation. F Ramos-Brito1 , M García-Hipólito2, C Alejo-Armenta1, E Camarillo3, J Hernández A3, C Falcony4 and H Murrieta S3. 1Laboratorio de Materiales Optoelectrónicos, DIDe, Centro de Ciencias de Sinaloa, Av. de las Américas 2771 Nte. Col. Villa Universidad, Culiacán, Sinaloa C.P. 80010, México. 2Departamento de Materiales Metálicos y Cerámicos, Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, AP 70-360, Coyoacán 04510, DF, México. 3Instituto de Física, Universidad Nacional Autónoma de México, AP 20-364, Alvaro Obregón 01000, DF, México. 4Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, AP 14-740, 07000, DF, México. rbrito@correo.ccs.net.mx,castulo@correo.ccs.net.mx

250

SEM P21 Caracterización térmica del silicio poroso elaborad o mediante ataque electroquímico A. Florido Cuellar1, A. Calderón1.-- 1 Centro de Investigaciones de ciencias aplicadas y tecnología avanzada CICATA-IPN Unidad Legaría. * aflorido@ipn.mx

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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Sol Gel / Sol Gel

SGE P01 Silica films doped with nematic liquid crystal and azo dye methyl red that exhibit nonlinear optical properties V. Marañon-Ruiz1, R. Chiu-Zarate1*, M. Mora-González1, JH. Garcia-Lopez1, E. Villafaña-Rauda1 and MC. Rizo-delaTorre1 -- 1Centro Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, Enrique Díaz de León 1144 Lagos de Moreno, Jalisco, 47460, México. *rchiu@culagos.udg.mx

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SGE P02 Preparación de polvos nanoestructurados de TiO 2 por solgel: evolución estructural ββββ-monoclínica-anatasa-rutilo L.D. Gómez1*, J.A. Montes de Oca2, A. García1, H.J. Dorantes-Rosales3, N. Cayetano4, R. López5, R. Gomez5 -- 1 CICATA-IPN Unidad Altamira, Km. 14.5 Carret. Tampico-Pto. Industrial Altamira, C.P. 89600 Altamira, Tamps. MEXICO. 2CICATA-IPN Unidad Querétaro,Cerro Blanco 141 Col. Colinas del Cimatario, C.P. 76148 Querétaro, Qro. MEXICO. 3 Departmento de Ingenieria. Metalurgica, ESIQIE-IPN, Av. IPN s/n UPALM, 07340 D.F., MEXICO. 4 Instituto Mexicano del Petroleo, D.F., MEXICO. 5 Departamento de Química, ECOCATAL, UAM-Iztapalapa, D.F., MEXICO. * scorpion_gold7@hotmail.com

252

SGE P03 Estudio de la caracterización del ZrO 2 modificado con H 3PW12O40 J.M. Hernández-Enríquez1,*, L.A. García-Serrano1, R. García-Alamilla2, A. Cueto-Hernández3 1 Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Ingeniería Textil, Av. Instituto Politécnico Nacional s/n, Edificio #8, Col. Linda Vista, Delegación Gustavo A. Madero, 07738 México D.F., México. 2 Instituto Tecnológico de Cd. Madero (D.E.P.I.) 3 Universidad Autónoma Metropolitana-Azcapotzalco. * jmanuelher@hotmail.com

253

SGE P04 Caracterización óptica y estructural de películas d elgadas de ZnO crecidas mediante la técnica Sol-Gel utilizando dos soluciones precursor as novedosas J. G. Quiñones-Galván1, F. de Moure-Flores1, A. Hernández-Hernández1, M. Meléndez-Lira1, S. Cerón-Gutiérrez2, H. Tototzintle-Huitle3, J.J. Araiza3 and F. Puch3. -- 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F. 2 SEES Departamento de Ingeniería Eléctrica, Cinvestav-IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F. 3 Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad esq. con Paseo de la Bufa S/N, C.P. 98060, Zacatecas, Zac., México. * jquiones@fis.cinvestav.mx

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SGE P05 Al 2O3-MgO mixed oxides stabilized with Li 2O for catalytic applications Solís-Casados D.,1,* Klimova T.2,* -- 1 Centro de Investigación en Química Sustentable, Facultad de Química, UAEM, Km 14.5 Carretera Toluca-Atlacomulco, Toluca Estado de México. 2 Facultad de Química, Departamento de Ingeniería Química, UNAM, Ciudad Universitaria, México D.F., 04510, México. 1,*dasolisc@uaemex.mx, 2,* klimova@servidor.unam.mx

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SGE P06 Síntesis Y Aplicación de nanopartículas de oro sopo rtadas en TiO 2 en la degradacion Fotocatalítica de 4-Clorofenol Socorro Oros Ruiz*, Elías Pérez López, Edgar Moctezuma Velázquez. -- Facultad de Ciencias Químicas, UASLP, Av. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, CP 78290, San Luis Potosí, S.L.P., México. Doctorado Institucional en Ingeniería y Ciencia de Materiales

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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SGE P07 Efecto de la temperatura de calcinación sobre la ev olución de la estructura de polvos compósito de TiO 2-Al 2O3 obtenidos por sol-gel M.G. Lopez Granada1,*, J.A. Montes de Oca-Valero1, A. Perales Martínez1, J.J. Cruz-Rivera2 --

1 Centro de Investigaciones en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, Cerro Blanco No. 141, Col. Colinas del Cimatario, C.P. 76090 Querétaro, Qro. México. 2Facultad de Ingeniería-Instituto de Metalurgia, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Dr. Manuel Nava # 8 C.P. 78290, San Luis Potosí, S.L.P., México. * mlopezg0805@ipn.mx

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SGE P08 Influencia del alcóxido precursor del TiO 2 Sol-Gel; utilizado en la degradación fotocatalítica de Naranja de Metilo. T.J. Del Ángel-Sánchez1,* R. García-Alamilla1*, G. Sandoval-Robles 1, R. Silva-Rodrigo1, E. Moctezuma-Velázquez 2, F. Paraguay-Delgado3. -- 1 Depto. de Ingeniería Química. Instituto Tecnológico de Cd. Madero. J. Rosas y J.Urueta. Col. Los Mangos, Cd. Madero Tamaulipas, México. Tel.01 (833) 2 15 85 44. 2 Centro de Investigación y Estudios de Posgrado/FCQ, UASLP. Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, San Luis Potosí, SLP, México. 3 Centro de Investigación en Materiales Avanzados, CIMAV. Av. Miguel Cervantes 120 corredor Industrial, Chihuahua, México. rgalamilla@aol.com, tere_delangel@hotmail.com

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SGE P09 TiO2/SiO2 composite synthesized characterized by different analytical techniques M. Chávez Martínez1*, M. Ávila Jiménez1, L. Hernández Martínez1, H. Goñi Cedeño1, M. Cecilia Salcedo Luna2, M. Meijueiro Morosini3. -- 1Area de Química, Universidad Autónoma Metropolitana Azcapotzalco, Av. San Pablo No. 180, Col. Reynosa Tamaulipas, C. P. 02200, D. F., México. 2Unidad de Servicio y Apoyo a la Investigación, Facultad de Química, Universidad Nacional Autónoma de México, C. P. 04510, Coyoacán, D. F. México, 3Departamento de Química Inorgánica y Nuclear, Facultad de Química, Universidad Nacional Autónoma de México, C. P. 04510, Coyoacán, D. F. México. *cmm@correo.azc.uam.mx

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SGE P10 Reducción de Cromo, utilizando como fotocatalizado r TiO 2 preparado por el método Sol-Gel M. Malibrán-Domínguez1*, G. Sandoval-Robles1*, R. García-Alamilla1*, E. Moctezuma-Velázquez2, E. Ramírez-Meneses3. -- 1 Departamento de Ingeniería Química. Instituto Tecnológico de Ciudad Madero. J. Rosas y J. Urueta Col. Los Mangos, Cd. Madero Tamaulipas, México. 2 Centro de Investigación y Estudios de Posgrado/FCQ, UASLP, Ave. Dr. Manuel Nava No.6, Zona Universitaria, San Luis Potosí, SLP, México. 3 Km 14.5 Carretera Tampico Puerto Industrial Altamira S/N Col Santo Tomas Altamira Tamaulipas. C.P. 89600. melymalibran@hotmail.com, rgalamilla@aol.com, guillermosadov@gmail.com

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SGE P11 Síntesis de dióxido de titanio preparado por el mét odo sol-gel e hidrotérmico. Evaluados en la fotodegradación de naranja de metil o H. Esteban- Benito1*, T. del Ángel- Sánchez1, R. García- Alamilla1, G. Sandoval-Robles1, E. Moctezuma-V.2, B. B. Zermeño- Resendiz2., F. Paraguay Delgado 3. -- Instituto Tecnológico de Ciudad Madero. División de Estudios de Posgrado e Investigación J. Rosas y J. Urueta s/n Col. Los Mangos, 89440 Cd. Madero, Tamaulipas, México. Centro de Investigación y Estudios de Posgrado/ FCQ, UASLP. Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, San Luis Potosí, SLP, México. Centro de investigación en Materiales Avanzados, CIMAV. Av. Miguel Cervantes 120 corredor industrial, Chihuahua, México. *H_esteban08@hotmail.com; rgalamilla@aol.com

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SGE P12 Decoloración fotocatalítica de naranja de metilo us ando TiO 2 sol gel sulfatada. Optimización por metodología de superficie de respu esta. E. Cabrera-Culebro1, T. J. del Angel Sánchez2, C. A. Aguilar-López1, P. García-Alamilla3,*, R. García-Alamilla2, E. Moctezuma-Velazquez4. 1División Académica de Ciencias Agropecuarias (DACA). Universidad Juárez Autónoma de Tabasco (UJAT). Carretera Villahermosa-Teapa Km. 25 Col. La Huasteca. Villahermosa, Tabasco, México. 2 Instituto Tecnológico de Cd. Madero (ITCM) Cd. Madero, Tamaulipas. 3Instituto Tecnológico de Villahermosa (ITVH).Carretera Villahermosa-Frontera Km 3.5 Col Indeco. Villahermosa, Tabasco, México. 4 Facultad de Ciencias Químicas, UASLP, Av. Manuel Nava 6, San Luis Potosí, S.L.P., México. * shish_kko@hotmail.com

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SGE P13 Propiedades catalíticas mejoradas de compositos TiO 2-Ag preparados por la vía sol-gel P. C. Hernández-del Castillo1, G. A. Martínez-Castañón2, N. Niño-Martínez3, G. Ortega-Zarzosa3 y Facundo Ruiz3. 1 Instituto de Metalurgia, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Sierra Leona 550, C. P. 78290, San Luis Potosí, S. L. P., México. 2 Maestría en Ciencias Odontológicas, Facultad de Estomatología, UASLP, Av. Manuel Nava 2, Zona Universitaria, C. P. 78210, San Luis Potosí, S. L. P., México. 3 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, Col. Centro, C. P. 78000, San Luis Potosí, S. L. P., Mexico. * mtzcastanon@fciencias.uaslp.mx

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SGE P14 Enhanced luminescence of Er-Eu co-doped Silica Glasses produced by sol-gel. H. Arizpe-Chávez(1,*), M. Yáñez-Limón(2), R. Ramírez-Bon(2), M. Flores-Acosta(1). -- (1)

Departamento de Investigación en Física. University of Sonora, Mexico. (2) Laboratorio de Investigación de Materiales. CINVESTAV Querétaro, México.

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SGE P15 SINTESIS Y CARACTERIZACIÓN DE PARTICULAS COMPUESTAS SILICA:PLATA Ruiz-Torres L. A. 2 Morales-Sánchez J.E.1,2,3, Guajardo-Pacheco J.Ma.1,2,3, González Hernández J.3., Ruiz Facundo2,* -- 1Depto. Físico Matemáticas UASLP, 2Facultad de Ciencias UASLP, 3 Centro de Investigación en Materiales Avanzados (CIMAV). *facundo@fciencias.uaslp.mx

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SGE P16 Antibacterial effect of TiO 2 films deposited over silicon dioxide glass: Select ion of operational conditions. N.S. Rojas-Higuera1, A.M. Sanchez-Garibello1, Carrascal-Camacho1, A. Matíz-Villamil1, J.C. Salcedo3 A.B. Soto-Guzmán2 C. Falcony-Guajardo2, Pedroza-Rodríguez, A.M1*. -- 1

Environmental and Industrial Biotechnology Group. University Javeriana. Carrera 7 No. 43-82, Bogotá, Colombia. 2 Physics Department. Center for Research and Advanced Studies of I.P.N (CINVESTAV-IPN). Politécnico Nacional Avenue 2508. México D.F. México. 3 Thin Films Group. Physics Department. University Javeriana. Carrera 7 No. 43-82, Bogotá, Colombia. * aurapedroza@yahoo.com o apedroza@javeriana.edu.co

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Resúmenes / Abstracts

Plenarias / Plenary Lectures P1

High-k dielectric semiconductor interface formation investigated by photoelectron spectroscopy

Prof Greg Hughes

School of Physical Sciences, Dublin City University, Glasnevin, Dublin 9, Ireland Metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) based on the Si/SiO2 material system have played a central role in the advancement of microelectronics over the last 45years. Continuous device scaling with each generation of microprocessor has reduced the thickness of the SiO2 dielectric layer to below 1.5nm which gives rise to the unacceptably high leakage currents. This has driven the search for alternative high dielectric constant materials to replace SiO2 while maintaining the low defect state densities and thermal stability of the Si/SiO2 interface. The interface formation between the high-k dielectric material and semiconductor substrate has been the subject of extensive investigation as the mobility of charge carriers in the transistor channel critically depends on the quality of this interface. Results of core level photoemission studies of both insitu and exsitu interface formation between silicon and high-k dielectrics will be presented which focus on the interface chemistry and how it correlates with the electrical characteristics of MOS structures. Both conventional XPS and synchrotron radiation based core level photoemission studies of HfO2/Si and MgO/Si interface formation will be discussed. P2

The Surface Science of CuInSe2

Angus Rockett Department of Materials Science and Engineering

University of Illinois 201a MSEB, MC-246, 1304 W. Green St., Urbana IL 61801, USA

This paper describes results for surface characterization of the most promising thin film solar cell material for high performance devices, Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). This material in particular exhibits a range of exotic surface behaviors. The surface science of the material also has direct implications for the operation of solar cells based upon it. Some of the techniques and results described will include scanning probe (AFM, STM, KPFM) measurements of epitaxial films of

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different surface orientations, photoelectron spectroscopy and inverse photoemission, Auger electron spectroscopy, and more. Some bulk measurements will be included as support for the surface measurements such as cathodoluminescence imaging around grain boundaries and showing surface recombination effects, and transmission electron microscopy to verify the surface growth behaviors to be equilibrium rather than kinetic phenomena. The results show that the polar close packed surface of CIGS is the lowest energy surface by far. This surface is expected to be reconstructed to eliminate the surface charge. Evidence for one proposed surface reconstruction has been found directly by STM, although the STM measurements do not provide lattice resolution. A discussion of the reasons why this may be the case are given. Additional evidence for surface reconstruction is given by the absence of Cu on the surface as observed by photoemission. This also directly explains unpinning of the Fermi level and the operation of the resulting devices when heterojunctions are formed with the CIGS.

P3 New materials and device structures investigations by electromodulation spectroscopy

P. Sitarek, G. Sęk, R. Kudrawiec, M. Motyka, W. Rudno-Rudzinski, P. Podemski, K. Ryczko

and J. Misiewicz Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, Wyb. St. Wyspianskiego 27, 50-370

Wroclaw, Poland, Piotr.Sitarek@pwr.wroc.pl Modulation spectroscopy has proven to be a powerful experimental technique for studying and characterization of bulk semiconductors, reduced dimensional systems and device structures. The modulation can be accomplished in many ways to the system, but we will concentrate on two electromodulation techniques which are contactless: photoreflectance and contactless electroreflectance. The need of realizing active layers for devices working in infrared region, e.g. 1.3 – 1.5 µm, has recently led to intensive studies on new long wavelength light emitting materials. Electromodulation techniques let us to know its band parameters and provides an excellent opportunity to improve the performance of new optoelectronic devices. Improving light emitters is more efficient to use in active regions one- or zero-dimensional structures. We will present investigated by electromodulation techniques the optical properties of quantum dashes, columnar quantum dashes, columnar quantum dots and quantum rods. The examples of electric field influence on device structures and investigations of active region band structures, band-offsets and intermixing effects will be also presented.

P4 Cálculos Numéricos de Estados Electrónicos y de Impurezas en Heteroestructuras de Baja

Dimensionalidad.

Carlos Alberto Duque Echeverri Instituto Física, Universidad de Antioquía, AA 1226, Médellin-Colombia

En las últimas tres décadas ha habido un creciente interés en el estudio, tanto experimental como teórico, de las propiedades ópticas y electrónicas de heterostructuras semiconductoras de baja

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dimensionalidad tales como pozos, hilos y puntos cuánticos. Con efectos externos tales como campos eléctricos y magnéticos y presión hidrostática, es posible modular los espectros de absorción y de fotoluminiscencia de éstos sistemas cuánticos, haciéndolos adecuados para el diseño y construcción de dispositivos optoelectrónicos. En éste trabajo se hará un paseo general sobre algunos cálculos teóricos de estados de impurezas poco profundas y excitones confinados en diferentes heterostructuras semiconductoras de GaAs-(Ga,Al)As. Los estudios han sido realizados en las aproximaciones de masa efectiva y bandas parabólicas y empleando el método variacional para obtener las funciones de onda y las energías del estado fundamental. Algunos resultados han sido comparados con reportes experimentales mostrando un buen acuerdo teoría-experimento. P5

Fullerenes, Nanotubes, and Nanoparticles: properties and possible applications.

Ricardo Guirado López Instituto Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosi, Alvaro Obregon 64, Zona Centro,

San Luis Potosi, S.L.P. 78000, México.

In this talk, we will present recent theoretical studies, performed within our group, dedicated to analyze the electronic, structural, optical and hydration properties of various types of nanostructures. We will use several theoretical models with different degrees of approximation in order to study 1) the gas storage capacity of hollow carbon nanostructures, 2) the stability of various types of molecular coatings adsorbed on the surface of spheroidal fullerenes, 3) the optical properties of functionalized carbon materials, 4) the results of our simulations of transmission electron microscopy images of transition metal nanoparticles, and 5) the hydration properties of several types of carbon compounds. By directly comparing with experimental data, we conclude by saying that our results clearly underline the crucial role played by theoretical modeling in the understanding of the physical and chemical properties of nanostructured materials.

P6

Conductive IrO2 and RuO2 nanocrystals

Ying-Sheng Huang Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology.

We review the results of the synthesis of IrO2 and RuO2 nanocrystals (NCs) on different substrates via metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and reactive magnetron sputtering using Ir/Ru metal target. The surface morphology, structural and spectroscopic properties of the as–deposited NCs were characterized using field emission scanning electron microscopy (FESEM), transmission electron microscopy (TEM), selected-area electron diffractometry (SAD), X-ray diffractometry (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Raman spectroscopy. The roles of different substrates for the formation of various textures of nanocrystalline IrO2 and RuO2 were studied. Several one-dimensional (1D) nanostructures have evolved by decreasing the degree of interface instability. The morphological evolution

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occurs from triangular/wedged nanorods via incomplete/scrolled nanotubes to square nanotubes and square nanorods (NRs), with an increasing in morphological stability. The results showed that the three dimensional (3D) grains composing traditional film belong to the most stable form as compared to all the 1D NCs. In addition, the sequential shape evolution has been found to be highly correlated with a morphological phase diagram based on the growth kinetics. In addition, area selective growth of IrO2/RuO2 NRs has been demonstrated on sapphire(012) and sapphire(100) substrates which consist of patterned SiO2 as the nongrowth surface. The initial growth of IrO2/RuO2 nuclei was studied. Selectivity, rod orientation, and other morphological features of the nanorod forest could find their origins in the nucleation behavior during initial growth. XPS analyses show the coexistence of higher oxidation states of iridium (ruthenium) in the as-grown IrO2/RuO2 NCs. The usefulness of the experimental Raman scattering together with the modified spatial correlation (MSC) model analysis as a residual stress and structural characterization technique for 1D IrO2/RuO2 NCs has been demonstrated. The field emission properties of the vertically aligned IrO2/RuO2 NRs were studied and demonstrated as a high performance and robust field emitter material owing to its low work function, low resistivity and excellent stability against oxidation. The high aspect ratio and high surface area of the nanostructural IrO2/RuO2 make the material a particularly attractive candidate for further fundamental research study and for advanced catalytic and electronic applications. P7P7P7P7

Aspectos industriales y de ciencia básica en las celdas solares de CdTe / Basic and Technological aspects of CdTe/CdS solar cells

Oscar Ares Muzio.

Facultad de Física, Universidad de la Habana, Cuba En el campo de las celdas solares a películas delgadas, las fabricadas en base al semiconductor CdTe, comienzan a ocupar un lugar destacado. Su producción actual ronda el 1 % del total de celdas que se producen, incluidas las monocristalinas de silicio, lo que corresponde a algunos cientos de GW anuales con paneles típicamente de 1.2 * 0.6 m2 y de hasta con 12 % de eficiencia (First Solar, USA). El espesor de algunas micras de estas celdas y su tecnología, que individualiza cada celda por corte por láser, permite el abaratamiento del Watt de energía fotovoltaica de 3.5 a 1 dólar. En la presente conferencia se describe el proceso de fabricación de las celdas de CdTe, tanto a escala de laboratorio como la aproximación industrial actual. Se discuten diferentes aspectos de la ciencia de materiales involucrada, como la ínter difusión CdS/CdTe, la activación de las celdas introduciendo cloro, tratamientos térmicos, el problema del contacto posterior etc. y su vínculo con la eficiencia. Además se presentan y discuten los resultados obtenidos en el CINVESTAV- IPN de Mérida, en la obtención y estudio de este tipo de celdas. Abstract: CdTe solar cells play an important role in the field of thin film solar cells. The anual production of this type of cells, is arriving to a 1 % of the total cells world production. This corresponds to some thousand of GW. The panels of CdTe solar cells have usually dimensions of 1.2 * 0.6 m2 and efficiencies until 12 % (First Solar, USA). The thickness of this type of cells (below of 10 microns) and the use of laser scribing to isolate each cell, allow to decrease the price of watt, from 3.5 usd to 1 usd. In the present talk is described in detail, the fabrication process of CdTe/CdS solar cells, at laboratory and industrial level. Also, diferent aspects of

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Material Science such as intermixing in the interfase CdTe/CdS, activation with Clorine, thermal treatments, the problem of the back contact and the problem of efficiency are disscused in detail. In this presentation are included some results obtained in CINVESTAV-IPN, Merida, Mexico in the field of CdTe solar cells. P8

Issues with Data Acquisition and Processing for Surface Analysis

John T. Grant Research Institute, University of Dayton, 300 College Park, Dayton OH 45469-0051, USA,

j.grant@ieee.org, www.surfaceanalysis.org Methods that are used for data acquisition and data processing are very important when analyzing samples with surface analysis techniques, for example with x-ray photoelectron spectroscopy (XPS/ESCA) or Auger electron spectroscopy (AES). I have found that many operators do not understand how their instruments work and therefore are not taking data using optimal conditions. This can be as simple as using the wrong combinations of analyzer apertures and/or pass energies, energy step intervals, and even the x-ray source when more than one source is available for XPS. Sometimes, limitations for data acquisition are imposed by the acquisition software, which is usually supplied by the manufacturer. In data processing, the analyst is often limited to the processing software provided by the instrument manufacturer. There are however, some software packages that can convert data from several (proprietary) formats into ASCII. Also, software developers are increasingly providing output of their data into the ISO format for surface analysis (ISO 14976). This allows the analyst to select from a variety of data processing packages. Many software packages today are very powerful and provide quite a variety of processing options. This paper discusses and illustrates some basic issues with data acquisition and data processing in XPS/ESCA and AES. PPPP9999

Molecular beam epitaxy of semiconductor nanostructures

M. Lopez-Lopez1,*, V.H. Méndez-García2, J.S. Rojas-Ramirez1, M. Ramirez-Lopez1, I. Martinez-Velis1, R. Contreras-Guerrero1, S. Gallardo-Hernandez3, Y. Kudriatsev3

1Physics Department, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN,

Apartado Postal 14-740, México D.F, México 07000. 2 Instituto de Investigación en Comunicación Optica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí,

Av. Karakorum 1470 Lomas 4ª Secc., San Luis Potosí, S.L.P., Mexico 3 Electrical Engineering Department, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN.

Apartado Postal 14-740, México D.F., México 07000

Molecular beam epitaxy (MBE) allows a very precise control of the amount of deposited materials at sub-monolayer levels. Moreover, in MBE is possible to perform real-time in-situ measurements with techniques like reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and laser light scattering (LLS), among others [1]. The above mentioned characteristics made MBE an ideal technique for nanostructures fabrication. In this talk we shall describe the synthesis of

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semiconductor nanowires and quantum dots employing high index substrates. We have found that MBE growth of GaAs under appropriate conditions on (6,3,1) oriented substrates leads to the formation of nano-grooves on the surface [2] with a height of 1.5 nm and a width of 25 nm oriented along the [-5, 9, 3] direction. The initial nano-grooved surface is used as a template to induce lateral quantum confinement to obtain GaAs and InAs quantum wires. By the deposition of more than 2 ML of InAs we obtained the self-assembling of quantum dots aligned along the nano-grooves. We shall discuss the structural and optical properties of the nanostructures which show clear characteristics of low dimensional quantum confinement. [1] J. Huerta, M. López, and O. Zelaya,. Thin Solid Films 373, (2000) 239. [2] E. Cruz-Hernandez et al. J. Cryst Growth 301–302 (2007) 884. Acknowledgments: This work was partially supported by CONACYT and ICTDF. P10 Recent Developments in Atomic Force Microscope (AFM) Characterization of Electronic

Materials

John D. Alexander, Sergei Magonov, and Shijie Wu*

Agilent Technologies, Inc., Chandler, Arizona, USA Scanning probe microscopy has been widely applied to characterize the electronic properties of materials, including localized conductivity, surface charge and potential distribution, capacitance and dopant level, piezoelectric and ferroelectric properties, etc. The study of surface charge using electrostatic force measurement dates back to 1987 [1]. In this presentation, an overview of the key technologies for electronic material characterization and the recent advances of those techniques, particularly the single-pass SKFM using multi-frequency approach, will be presented. In this single-pass approach, surface potential measurement can be done either based on frequency modulation (FM) or amplitude modulation (AM). Comparison between the two techniques will be given using samples imaged in ambient condition. A recent technology developed for the characterization of semiconductor and dielectric materials is scanning microwave spectroscopy (SMM). SMM combines the resolution of scanning probe microscopy and the detection sensitivity of microwave technology, giving improved results for quantitative measurement, particularly for the determination of dopant level in semiconductor devices. The basic principle of SMM operation and its application will be discussed with experimental data obtained on industrial samples. *Dr. Shijie Wu has worked for over 10 years in the field of Scanning Probe Microscopy. He graduated from Nankai University in China, and received his M. Sc. and Ph.D. degrees in Physical Chemistry from the University of Guelph, Canada. After completing a two year NSERC industry Postdoctor fellowship in Ottawa, Canada, he joined Molecular Imaging in Pheonix, Arizona, as an Applications Scientist specialized in Electrochemical SPM. He joined Agilent in 2005 as a Senior Applications Scientist. Through years he has worked in many fields of SPM applications and technology development. [1]Y. Martin, C. C. Williams, H. K. Wickramasinghe “Atomic force microscope-force mapping and profiling on a sub 100-A scale” J. Appl. Phys. 61, 4723-29, 1987.

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P11

The SEMATECH High Resolution Initiative; Achievements and Challenges

Pat Lysaght SEMATECH, Austin, Texas,USA.

During the past decade the semiconductor industry has experienced tremendous challenges associated with maintaining the break-neck pace of CMOS scaling as predicted by Moore’s Law. In order to maintain scaling trends for conventional planar CMOS devices an unprecedented number of new materials have been required including La and Al cap layer doping of high-k gate dielectrics to increase the dielectric permittivity and tune the effective work function of n and p-type metal nitride electrodes, respectively. In addition, engineered high mobility substrates of strained Si, SiGe and III-V channel materials have been introduced. In spite of the significant progress achieved, the limit of conventional planar CMOS scaling is inevitable and new architectures, currently under intense competitive development, are being characterized and evaluated. The SEMATECH High Resolution Initiative, launched in 2002, has actively utilized advanced energy and spatial resolution synchrotron and neutron materials science techniques to identify local microstructure and bonding configurations. In this work, several examples of breakthrough measurements and analysis are presented to illustrate the critical need to advanced metrology in order to efficiently optimize processing to stretch the limits of electrical performance. Emphasis will also be placed on novel and emerging technologies including state-of-the-art measurement and analysis of graphene, the amazing single atom thick 2D carbon lattice material with great potential to revolutionize many fundamental microelectronic materials systems. P12

Modeling polymer behavior in a confined geometry: Some applications to the paint industry

Armando Gama Goicochea

Centro de Investigación en Polímeros (Grupo Comex) Marcos Achar Lobatón 2, Tepexpan 55885, Estado de México, Mexico

The properties of confined complex fluids are of great relevance for academic reasons, but they are in no minor way important for industrial applications as well. In this talk I shall review some of the work we have done recently on the modeling of complex polymeric fluids for the paints and coatings industry. Using both atomistic and mesoscopic molecular dynamics and Monte Carlo techniques in various ensembles we have predicted equilibrium values of the interfacial tension as a function of surfactant concentration, and structural properties of polyelectrolytes in solution. We have calculated also adsorption and disjoining pressure isotherms of various fluids confined by different types of surfaces, and designed polymeric dispersants to improve colloidal stability. It will be argued that these results are applicable to a large class of materials.

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P13

Industrial Applications of Photothermal Radiometry

Jose A. Garcia Centre for Advanced Diffusion Wave Technologies, Mechanical and Industrial Engineering

Department, University of Toronto, 5 King’s College Rd, Toronto, Ontario, Canada. Quantum Dental Technologies Inc., Toronto, Ontario, Canada.* garcia@mie.utoronto.ca

Photothermal (PT) techniques are widely used detection schemes for an optical-source-induced temperature rise in condensed matter and/or in adjacent fluid/gaseous media. These techniques have played an important role in nondestructive testing (NDT) for thermophysical property measurements as well as for surface/ subsurface defect detection. They are capable of nondestructive characterization of sub-surface features on the order of a few micrometers to millimeters in depth in composite or inhomogeneous materials through thermal-diffusion-length probing by scanning the modulation frequency of the incident laser power. Non-contact, non-intrusive photo-thermal radiometry (PTR) has been used in our laboratory (CADIFT) for a wide variety of applications. These include characterization of multiple semiconductor processes, aerospace components, and bio-materials. Various aspects of instrumentation development as well as quantitative results for selected industrial applications will be presented. The principle of PTR is based on the detection of changes in thermal radiation emission from a material surface as a result of the absorption of an intensity-modulated laser beam. This laser-based thermal-wave technique shows great potential to meet the industrial demand for on-line or near-line process control such as steel hardness, Si wafer ion-implantation, early caries lesion diagnostics, and many other industrial processes. P14

Materials Issues in Flexible Electronics

Jay Lewis Principal Research Scientist, Center for Materials and Electronic Technologies

RTI International, Research Triangle Park, NC 27709.

There is increasing interest in the fabrication of electronic and optoelectronic devices on flexible substrates. Depending on the application critical advantages may include increased robustness, lighter weight, new form factors, biomedical compatibility, lower material costs, and high throughput roll-to-roll manufacturing. But the transition to flexible substrates is not usually a simple one. Factors such as surface quality, dimensional stability, mechanical failure of thin films, permeation of moisture and gases, and thermal processing restrictions can complicate device fabrication and performance. We will review efforts at RTI International to develop technologies for flexible electronics. These include technologies for flexible displays, photovoltaics, large-area sensor arrays, and bio-implantable devices.

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P15

Nonlinear optics and ultrashort techniques

Roberto Ortega Martínez Laboratorio de Optica Nolineal, Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico,

Universidad Nacional Autónoma de México, Coyoacan, D.F. 04510, México. P.O. Box 70-183.

We will explain the liquid crystals (LC)and nanostructure systems, the Sol-Gel tecnique for developing hybrid optical materials and some applications. The basis of the optical characterization in hybrid materials. The experimental feasibility of generating optical spatial solitons in the liquid crystal using simultaneous exhibition of positive and negative nonlinear refractive index. The basis of the Z-scan technique for the optical characterization of LC. The ultrafast technique for studying transient dynamics on surfaces like metals. The Transient-Thermo-Reflectivity (TTR)will be metion. Finally, the Frequency-Resolved Optical-Gating technique for the characterization of ultrashort pulses technique and its energy measure sensibility. P16

Caracterización Advanced characterization of nanometer multilayers: Depth profiling comparison of RBS, SIMS, XPS and GDOES

Ramón Escobar Galindo

Consejo Superior de Investigaciones Científicas, Spain

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P17

Using Nanostructures to Probe the Universe

Dennis Martinez Lockheed Martin Solar and Astrophysics Laboratory, 3251 Hanover Street, O/L9-41, B/252, Palo

Alto, CA 94304, denmart@lmsal.com The implementation of advanced technologies developed in the study of nano-scale science has recently led to ground breaking discoveries in solar and astrophysics. Since the initial discovery of "X" radiation by William Roetgën in 1895, these "invisible" rays have played an illusive but significant role in our unraveling many of the secrets of our Sun and of our Universe. In this talk, we will take a brief stroll through historical developments in some of the technologies used for UV and soft X-ray solar and astrophysics, showing recently recorded observations. We will then briefly overview present day research in multilayer optics that are used to yield ground breaking, space-based solar observations seen at EUV wavelengths. Lastly (if time permits), we will discuss future developments in microcalorimeters and discuss their implication to furthering solar and astrophysics discoveries

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Resúmenes / Abstracts

Cursos Cortos / Short Courses CCI.

An Introduction to Surface Analysis Techniques: AES, XPS/ESCA, ISS, SIMS, and RBS....

John T. Grant Research Institute, University of Dayton, 300 College Park, Dayton OH 45469-0051, USA,

j.grant@ieee.org, www.surfaceanalysis.org. The most commonly used techniques for surface analysis include Auger electron spectroscopy (AES), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS or ESCA), ion scattering spectroscopy (ISS), secondary ion mass spectrometry (SIMS), and Rutherford backscattering spectrometry (RBS). This course discusses the basic principles of each of these techniques and compares their relative advantages and disadvantages for both surface analysis and depth profiling. Examples are given to illustrate the applications of each technique for solving surface-related problems. A discussion of typical instrumentation is also included. Upon completion of the course, those who attended should be able to evaluate the appropriateness of each of these techniques for many surface analysis situations.

CCII.

Cálculos numéricos de estados electrónicos y de impurezas en heteroestructuras de baja dimensionalidad

Carlos Alberto Duque Echeverri

Instituto Física, Universidad de Antioquía, AA 1226, Médellin-Colombia

En el taller de cálculo variacional se hará un trabajo asistido de cálculo numérico de la energía de enlace para impurezas y excitones en pozos cuánticos de barreras infinitas y finitas. Inicialmente, en las aproximaciones de masa efectiva y de bandas parabólicas, se formula la ecuación de Schrödinger para un electrón o un hueco en un pozo cuántico tanto infinito como finito. Para el caso finito se hallará numéricamente la energía del primer estado ligado para los electrones y huecos confinados (se analizarán diferentes técnicas de solución). Posteriormente al sistema se le agregará una impureza poco profunda bien sea donadora o aceptora y en el caso de los excitones se considerará la interacción electrón-hueco. En este paso, usando el método variacional, se propondrá una función de prueba tipo hidrogenoide dependiente de un parámetro variacional. Numéricamente se hallará la función de onda y la energía del primer estado de impureza o de excitón en el pozo cuántico. Se calculará la energía de enlace en función del ancho del pozo, en el caso de impurezas de la posición de la misma, y en el caso de pozos finitos de la altura de la barrera de potencial. Se discutirán los diferentes casos límite de los sistemas en consideración. Se

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dejarán como temas de trabajo los problemas de impurezas y excitones en hilos y puntos cuánticos con diferentes geometrías. El trabajo se hará en ambiente Windows. Se pide a los asistentes instalar en sus computadores un editor y compilador Fortran 77 o Fortran 90 (existe una versión libre FORCE 2.0 en la dirección http://download.cnet.com/3001-20_4-10067832.html?spi=824adfff3403e7f356729c67b18cdb15) y un paquete gráfico como Origin (existen versiones de prueba que pueden ser descargados de la dirección http://origin.softonic.com/descargar#pathbar o de la página de www.microcal.com) CCIII.

Introduction to Sputter Deposition of Thin Films

Angus Rockett Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois 201a MSEB, MC-246,

1304 W. Green St., Urbana IL 61801, USA.

This course presents a brief review of fundamentals of sputtering including the sputtering process and how the sputtering rate varies with ion mass, energy, and incidence angle. Cosputtering and reactive sputtering concepts are summarized. Fundamentals of glow discharges are described and related to applications in magnetron sputtering, reactive sputtering, and arc formation. The difference between rf and dc sputtering is described. The design of sputtering systems is also included with relevant concepts as they relate to fundamental concepts discussed. All of these aspects are connected to ion modification of the growing film. Finally, how ion modification of the growing film affects the resulting material is discussed.

CCIV.

Introducción a la Tecnología del Vacío

Jean-Marc Zisa Pages IME-ESME Paris, Fundador y Director de INTERCOVAMEX SA de CV Cuernavaca.

Objetivos: - Entender rápidamente los conceptos fundamentales de la tecnología del vacío. - Tomar conciencia de la amplia gama de aplicaciones académicas e industriales del vacío. - Tener un panorama de las tecnologías más utilizadas en cuanto a bombas, medidores, controladores y materiales Breve descripción: Este curso de 2 horas 40 min es un breve resumen de un curso de duración normal de 16 horas. Después de listar los sectores industriales en los cuales se utiliza el vacio en México, se define el vacio y se da una descripción de las condiciones existentes dentro de un sistema de vacío. Se describe cómo se comportan los gases en el vacío, en particular en el régimen viscoso y molecular. Se presentan las diferentes tecnologías de bombas, medidores y dispositivos de control de presión con el fin de poder escoger la tecnología más adecuada en función de la aplicación. Se describen brevemente los materiales compatibles con el alto y ultra alto vacío. Quien debe atender? Estudiantes y personal de apoyo técnico que utilizan sistemas de vacio.

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CCV.

Semiconductor characterization by modulation spectroscopy/ Contactless electromodulation and surface photovoltage spectroscopy for the non-destructive

characterization of III-V semiconductor device structures

Ying-Sheng Huang Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology.

Topic I: Modulation spectroscopy is a powerful method for the study and characterization of a large number of semiconductor configurations. Furthermore, the influence of external perturbations such as temperature, electric fields, hydrostatic pressure, uniaxial stress, etc. can be investigated. This optical technique utilizes a very general principle of experimental physics, in which a periodically applied perturbation (either to the sample or probe) leads to sharp, derivative-like spectral features in the optical response of the system. Due to the richness of the derivative-like spectra, the information in the lineshape fits, room temperature performance and relative simplicity of operation this method is becoming increasingly more important as a tool to study these materials and structures.

In this course, we will review the main developments in modulation spectroscopy during the past thirty years. Section I discusses a number of modulation techniques with an emphasis on contactless approaches. Lineshape consideration for various modulation methods, particularly electromodulation, is the subject of Section II. The information contained in the modulation phase, frequency and amplitude are presented in Section III. New applications to the study of bulk/thin film properties, including the influence of external perturbations (alloy composition, temperature, hydrostatic pressure, and uniaxial stress) is the topic of Section IV. Section V is case studies. It is divided into three parts. In Section V-A, some results of bulk material and epitaxial layers are presented. Section V-B is devoted to micro/nano- structures (SQWs, MQWs, SLs, quantum wires, and QDs) of materials with diamond- and zincblend-type lattices. The influence of external perturbations (electric field, temperature, hydrostatic pressure, and uniaxial stress) on the quantum transitions in these micro/nano- structures will be discussed. The application of modulation spectroscopy, particularly the nondestructive modes of photoreflectance (PR) and contactless electroreflectance (CER), for the characterization of actual device structures (heterojunction bipolar transistors (HBT), pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMTs), edge-emitting and vertical-cavity surface-emitting quantum well lasers) is reviewed in Section V-C. In Section VI some speculations about future trends will be mentioned. Topic II: This report reviews the use of contactless methods of photoreflectance, contactless electroreflectance, and surface photovoltage spectroscopy for the nondestructive, room temperature characterization of a wide variety of wafer-scale III-V semiconductor device structures. Some actual device structures will be discussed, including heterojunction bipolar transistors (determination of the collector and emitter doping levels, alloy composition and degree of ordering), pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs high electron mobility transistors (determination of the composition, width, and two-dimensional electron gas density in the channel), and vertical-cavity surface-emitting lasers (determination of the fundamental conduction to heavy-hole excitonic transition and cavity mode).

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CCVI.

Processing of Semiconductor Devices

Servando Aguirre Tostado Centro de Investigacion en Materiales Avanzados, Parque de Investigación e Innovación

Tecnológica Apodaca, Nuevo León, México

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Resúmenes / Abstracts

Sesiones Orales / Oral Sessions

SIMPOSIO DE BIOMATERIALES. Biomaterials Quantitative analysis of antigen - antibody molecular interactions by using an optical surface plasmon resonance microscope and microarrays BIO 01 V. Altuzar 1,*, C. Mendoza-Barrera1, M.L. Muñoz-Moreno2, J. Mendoza-Alvarez3, F. Sánchez-Sinencio3 1Laboratorio de Bionanotecnología, Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines 455, Fracc. Costa Verde, C.P. 94294, Boca del Río, Veracruz, México. 2Departamento de Genética y Biología Molecular y 3Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Av. I.P.N. 2508, Col. Zacatenco, 07000, México D.F., México. *valtuzar@gmail.com In the last two decades, microarray technology has been capture the attention due their applicability to the qualitative but also quantitative parallel analysis of hundred of biomolecular interactions in a short experiment time. The present work is focused to the measurement of protein-protein interactions by using a surface plasmon resonance microscope (SPRM) combined with microarrays. The “spots” (or actives sites) were fabricated by printing four different antibodies: (1) human serum albumin HSA (0.1, 05, 1.0 mg/ml), (2) lysozyme Lyz (0.1, 05, 1.0 mg/ml), (3) anti bovine serum albumin antiBSA (1.0 mg/ml), and bovine serum albumin BSA (0.1, 05, 1.0 mg/ml). The antigen solution

(antiBSA, 1mg/ml) was injected onto the printed spots during a period of 2h. The spots diameters were 125 µm each, the spot distance center to center was 300 µm, and the microarray printed area of 12 mm2. We determined that the mass surface concentration of adsorbate during the antibody/antigen interaction were 660 ng/cm2 for BSA, 366ng/cm2 for HSA, 22.3 ng/cm2 for Lyz, and 8.3 ng/cm2 in anitBSA case. Acknowledgedment: Work supported by CONACyT (projects #60548 VA, #68123 VA, #50603 LMM). BIO 02 Recubrimientos de HA sobre Ti6Al4V por flama spray H. H. Rodríguez-Santoyo1*, M. C. Piña-Barba1; G. Torres-Villaseñor1; A. Barba-Pingarrón2. 1Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Circuito exterior s/n, C.P. 04510 México D.F. * ekkodnam@hotmail.com 2Centro de Ingeniería de Superficies y Acabados, Facultad de Ingeniería, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria. C.P. 04510. México D.F. Debido a las propiedades mecánicas de las aleaciones metálicas como el Ti6Al4V y el acero 316L, estos siguen siendo los materiales más usados para prótesis e implantes óseos, sobre todo si se trata de huesos largos [1]. Sin embargo, se puede presentar la corrosión de los mismos cuando se encuentran en contacto con fluidos fisiológicos, debido a la acidez o

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basicidad de dichos fluidos; y cuando esto sucede se pueden liberar al torrente sanguíneo iones metálicos que pueden ser causantes de tumores o enfermedades como la metalosis [2]. De modo que es deseable impedir que se presente esta fuente de iones y una solución es cubrir el metal con una cerámica biocompatible que evite el contacto del sustrato metálico con los fluidos fisiológicos. Este trabajo consistió en el desarrollo y caracterización de un recubrimiento bioactivo sobre Ti6Al4V por el método de proyección térmica por flama, para lo cual se empleó hidroxiapatita sintética de Aldrich y muestras cilíndricas de 12.7mm de diámetro y 5mm de espesor de Ti6Al4V. Los recubrimientos fueron caracterizados por difracción de rayos X, espectrometría de energía dispersa, microscopía electrónica de barrido. La bioactividad fue determinada al dejar inmersas las muestras recubiertas en fluidos fisiológicos simulados. La adherencia fue medida de acuerdo a la norma ASTM. Los fluidos fisiológicos simulados remanentes fueron analizados químicamente. Se obtuvo un recubrimiento continuo de hidroxiapatita con una relación Ca/P de 1.57. No se decrementaron las propiedades mecánicas del sustrato metálico, la adherencia fue superior a los 8.5MPa ya que falló la resina epóxica utilizada y no el recubrimiento. No se detectaron iones metálicos en el recubrimiento ni en los fluidos fisiológicos remanentes. Lo anterior indica que éste novedoso procedimiento puede ser utilizado para formar recubrimientos potencialmente oseointegrables sobre substratos metálicos. [1] Michele J. Grimm, Selection of materials for biomedical applications Handbook of Materials Selection, Edited by Myer Kutz, John Wiley & Sons, Inc., New York, (2002) [2] S. Weiner and H. D. Wagner: The material bone structure-Mechanical Function Relations, Annu. Rev. Mater. Sci. 28, (1998), 271-98 Agradecimientos: A la DGAPA-UNAM por el apoyo al proyecto 1N 104008. Al CONACYT por la beca de Posgrado del Dr. Héctor Rodríguez Santoyo. BIO 03 Fenómenos ópticos en sistemas biológicos *

P. González-Vellano1,*, M. P. Sampedro2, M. Palomino-Ovando3. 1 Facultad de Ciencias de la Electrónica, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 2 Instituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 3 Facultad de Ciencias Fisico Matematicas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. * amigopablo_123@hotmail.com La importancia que hay en la estructura de multicapas en las alas de las mariposas es por que producen escalas de colores iridiscentes al reflejar la luz [1]. Estos fenómenos ópticos, cambian a diferente ángulo de incidencia sobre la superficie de las alas. El rango de colores va desde el verde hasta el violeta que se puede observar en las escalas iridiscentes de la mariposa Papilio Blumei. Ya que la estructura de las alas de esta mariposa es semejante a un medio de multicapas periódicas compuestas por Aire y Quitina, utilizamos la teoría sobre los fenómenos ópticos en medios periódicos de multicapas, y reflectores de Bragg para determinar el espectro de reflectividad para las escalas iridiscentes de la mariposa P. Blumei[2]. También presentamos los espectros de reflexión en polarización S y P con incidencia a diferentes ángulos observando el corrimiento de los máximos a mayores frecuencias y ensanchamiento de de estos máximos que corresponden a la teoría. [1] Serge Berthier, Iridescence, Springer, (2007). [2] Pochi Yeh, Optical Waves in Layered Media, Wiley-Interscience (2005). Agradecimientos: Al proyecto-VIEP denominado “Estudio de propiedades ópticas en meta materiales” con clave G/EXC/08. Al proyecto denominado “Propagación de Luz en Sistemas Cuasirregulares” con clave SASX-EXC09-I, y a la encargada del proyecto Dra. Xóchitl I. Saldaña

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BIO 04 PREPARATION OF TiO2 FILMS BY CVD ON A PRETREATED SURFACE TITANIUM N. León Lugo1, J.R. Vargas Garcia1

1Depto. de Ingeniería Metalúrgica, ESIQIE-IPN, México 07300, D. F., MEXICO. E-mail: iinathyelyleon@yahoo.com.mx, jr_vargas_garcía@hotmail.com Abstract: Titanium and alloy materials are used in orthopedic and dental implants because of their biocompatibility, mechanical strength, corrosion resistance, and low specific gravity. In recent years, titanium oxide has been proposed as a surface modifier for Ti implants, because its anatase phase is capable of promoting the growth of hydroxyapatite (HA) [1]. Since HA is the main inorganic material constituent of human bones, it is necessary to achieve a good surface interaction with implants which results in a better biocompatibility. Amongst the methods employed to grow titanium oxide films there are sol-gel, plasma spraying and chemical vapor deposition (CVD), but films synthesized by CVD exhibit the highest purity and their growth can also be controlled [2]. Recent investigations have studied different techniques, such as chemical and electrochemical attack, and thermal oxidation [3,4,5] in order to modify the surface roughness of titanium implants for promoting the growth of HA [6]. In this work, we have studied the preparation of titanium oxide films, in the anatase phase, and the effect on their morphology and structure by controlling the CVD process variables, i.e., deposition time, gas flow rate, pressure and temperature. Pure titanium was used as substrate, and its surface was pre-treated by chemical etching HF, HNO3 and H2O2 to different concentrations. Surface observations of both titanium and titanium oxide were carried out by means of atomic force and scanning electron microscopes. Crystal structure was characterized by X-ray diffraction. Results revealed differences on the morphological features of oxide films with dependency on the treatment of the titanium surface, i.e., polishing or etching. [1] Gianluca Giavaresi, Luigi Ambrosio, Giovanni A. Battiston, Umberto Casellato, Rosalba

Gerbasi, Milena Finia, Nicolo Nicoli Aldini, Lucia Martini, Lia Rimondini, Roberto Giardino. Histomorphometric, ultrastructural and microhardness evaluation of the osseointegration of a nanostructured titanium oxide coating by metal-organic chemical vapour deposition: an in vivo study Biomaterials 25 (2004) 5583-5591 [2] Ulrika Backman, Ari Auvinen, Jorma K. Jokiniemi. Deposition of nanostructure titania flims by particle-assisted MOCVD Surfase and Cotings Tecnology 192 (2005) 81-87 [3] Mark J. Jackson, Waqar Ahmed. Surface Engineered Surgical Tools and Medical Devices Springer [4] Young-Taeg Sula,, Carina Johanssonb, Eungsun Byonc, Tomas Albrektssona The bone response of oxidized bioactive and non-bioactive titanium implants Biomaterials 26(2005) 6720-6730 [5] M. Yoshimura, K. Byrappa. Hydrothermal processing of materials: past, present and future J. Mater Sci 43 (2008) 2085–2103 [6] Jan Eirik Ellingsen, Peter Thomsen & S. Petter Lyngstadaas. Advances in dental implant materials and tissue regeneration Periodontology 2000 - 2006, 41(2006) 136-156 BIO 05 Obtención y caracterización de colágena tipo I a partir de tendón bovino K. Gómez-Lizárraga*, C. Piña-Barba, N. Rodríguez-Fuentes. Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM Ciudad Universitaria, Circuito Exterior s/n 04510 México D.F. México * karlagomliz@hotmail.com La colágena tipo I esta constituida por tres cadenas α, dos de las cuales son idénticas y una diferente[α1(I)]2 α2(I), pertenece a la rama de las proteínas fibrosas que conforman el tejido conjuntivo, de ahí que la colágena tipo I se encuentra en piel tendón y huesos. Es debido a que provee principalmente un apoyo estructural y mecánico, así como su fácil disponibilidad, biodegradabilidad y baja inmunogenicidad, que la colágena es utilizada como biomaterial. Este trabajo pretende establecer el procedimiento más viable, así como su reproducibilidad para la obtención de colágena tipo I a partir de tendón bovino y para ello se

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requiere de una serie de pasos. Previo a la extracción se llevó a cabo la limpieza del tejido con acetona para poder eliminar los restos de grasa. La extracción de la colágena a partir de tendón bovino se realizó en un medio ácido (ácido acético 0.5M, pH 2.5), se homogenizó con un polytron hasta disgregar por completo el tendón y obtener una solución homogénea y viscosa. Se realizaron dos ciclos de purificación, cada ciclo consiste en la precipitación de la proteína de interés (salting out) por medio de NaCl 2M [1], centrifugación y redisolución en ácido acético 0.5 M. Al término de este proceso, se llevo a cabo la diálisis de la muestra, esto con el fin de eliminar la sal excendente y/o partículas de menor tamaño al de la colágena. La cuantificación de colágena se logra a partir de primero cuantificar hidroxiprolina, aminoácido característico de la molécula de colágena y que se encuentra en un 12 % de ella, esto se hizó por el método de Woessner[2], el cual consiste en hidrolizar la muestra para medir la concentración de hidroxiprolina por medio de la absorción de luz visible a una longitud de onda de 557 nm, usando como blanco NaCl y una curva estándar de hidroxiprolina. La caracterización de la colágena se realizó por electroforesis discontinua en gel de poliacrilamida. Finalmente se espera poder determinar la actividad biológica a través de Western blot, así como la estabilidad térmica de la muestra por DSC. [1] Miller E.J. & Rhodes R.K. Preparation and characterization of different types of collagen. Methods in Enzymology. Vol. 82 (1982) 33-64. [2] Woessner J.F. The determination of hydroxyproline in tissue and protein samples containing small proportions of this imino acid. Arch. of Biochem. & Biophys. Vol. 93(1961) 440-447. Agradecimientos: IIM-UNAM, INR, Al Dr. Fernando Edgar Krötzsch Gómez por el apoyo brindado en la realización de este trabajo. BIO 06 Cinética de reacción de glucosa en medios biológicos catalizada por sistemas híbridos-nanoestructurados de silicio poroso Balderas-Valadez R.F1., Cervantes-Rincón N. A1, Cárdenas-Galindo M.G. 1, Sandoval-Zarate Y. 1, Agarwal V.2, Palestino-Escobedo. A. G. 1*

1FCQ -CIEP, Universidad Autónoma de San Luis Potosí Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, CP 78210, San Luis Potosí, México

2 CIICAP-UAEM, Av. Universidad 1001, Col Chamilpa, Cuernavaca, Mor., México

*palestinogabriela@fcq.uaslp.mx La fabricación de sensores químicos y biológicos altamente específicos y sensibles, es de gran interés sobre todo en áreas como la medicina, ya que permiten el monitoreo de alteraciones en el cuerpo humano provocadas por diferentes enfermedades, entre ellas destaca la Diabetes Mellitus, que se caracteriza por un desorden en el nivel de glucosa en sangre. El silicio poroso (SiP) es un material prometedor para el desarrollo de sensores de glucosa no invasivos basados en la detección de esto marcadores directamente en fluidos corporales como el aliento o la saliva. En esta dirección, en este trabajo de investigación se presenta el desarrollo de nanoestructuras híbridas de SiP generadas por la inmovilización covalente de la enzima glucosa oxidasa (GOX) en la matriz porosa de este soporte. La GOX es un catalizador biológico sumamente selectivo a la descomposición de glucosa. Las estructuras híbridas SiP-enzima (GOX) se utilizaron para monitorear el avance de reacción de la descomposición de glucosa en diferentes medios (solución acuosa, suero reconstituido y suero sanguíneo). Los resultados obtenidos de la cinética de reacción en los diferentes sistemas muestran que la estructura híbrida SiP-enzima (GOX) correlaciona los moles reaccionantes del sustrado y el tiempo de reacción mediante un polinomio de segundo orden. Los parámetros de reacción (KM y Vmáx) fueron evaluados con el modelo cinético de Michaelis-Menten. Los resultados obtenidos muestran una menor KM cuando el biocatalizador GOX esta inmovilizado en las estructuras de SiP lo que parece indicar una mayor eficiencia en la reacción cuando existen interferentes como en el caso del suero fisiológico y el suero sanguíneo. El análisis global de las velocidades máximas de reacción obtenidas, demuestran que las cinética de reacción proceden más rápidamente en medios acuosos puros y con la enzima libre, comparados con aquellos en los que la glucosa se encuentra en medios biológicos y con la

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enzima inmovilizada, , sin embargo, aunque se sacrifique la velocidad de reacción, la selectividad que presenta el material híbrido SiP-enzima lo hace mas apropiado para la detección en medios biológicos, lo cual constituye una ventaja para el desarrollo de métodos de detección de glucosa no invasivos (aliento y saliva) donde la concentración de los analitos de interés está en el orden de ppb. BIO 07 Superficies biomiméticas: Efectos del agente osteoinductor. López-Aldrete A., Hernández-Salinas A. E., Palestino-Escobedo A. G., Enriquez J., Alvarado Estrada K. N., Terán-Figueroa Y., Pérez E. El titanio es el material por excelencia utilizado en la fabricación de todo tipo de implantes debido a las características de biocompatibilidad y módulo de elasticidad. El material empleado para la fabricación de los implantes dentales intraóseos es el Ti comercialmente puro el cual es resistente a la corrosión y apto para la osteointegración. Esta fue descubierta en 1938 por el Dr. Branemark de Suecia, no es más que la unión funcional y estructural entre el hueso y la superficie del implante, es decir el hueso crece y vive de forma íntima con la superficie del implante y se dice que está osteointegrado mientras no haya pérdida del hueso que lo rodea al estar sometido a fuerzas masticatorias, pero debe mencionarse que la vida media de un implante dental aún con las características positivas mencionadas del material utilizado, es de solamente 10 años promedio. El punto clave para el éxito real de un implante radica en transformarlo en un implante bioactivo, lo cual puede lograrse al cubrirlo con una sustancia biomimética tal como un factor de crecimiento (por ejemplo Fosfatas Alcalina (FA), BMP2, Calcitonina, etc.) ó un agente farmacológico (Bifosfonato, Fosfato de Calcio, Hidroxiapatita, etc.). La modificación de superficies, tanto metálicas como poliméricas, puede lograrse mediante reacciones de injerto de compuestos químicos y, dependiendo del tipo de funcionalidad química resultante en la superficie, se pueden obtener a partir de dichos grupos funcionales, polímeros con estructuras convenientes para hacer bioactivos a estos

materiales, denominados entonces biomateriales. Dentro del campo de los materiales poliméricos, los complejos de polielectrolitos tienen una gran relevancia debido a la propiedad de auto-ensamblamiento que se presenta cuando un polianión y un policatión se ponen en contacto, ya sea en solución o durante la adsorción sobre una superficie. Esta característica ha sido utilizada para preparar complejos de polielectrolitos y películas multicapa buscando aplicaciones específicas, una de ellas la biotecnología, donde al inmovilizar enzimas en las superficies o complejos de polielectrolitos se puede dotar de propiedades biológicas a estas estructuras. Ejemplo de lo anterior lo representa el trabajo de Schuler y col. en el 2006, donde ellos adsorbieron el péptido RGDSP sobre un implante con el fin de evaluar la respuesta en cultivos celulares, por otra parte en el 2003 Verbal y col., evaluaron la estabilidad de la enzima fosfatasa alcalina dentro de películas de polilectrolitos aparte de las investigaciones en el 2006 de Tang y Hunt en donde determinan los efectos de la incorporación de polímeros al ser evaluados en cultivos celulares. En este trabajo presentamos la modificación de superficies de titanio por medio de dos técnicas de polimerización, polimerización por plasmas y adsorción de polielectrolitos, sobre las cuales se hace la adsorción de biomoléculas (fosfatasa alcalina y calcitonina), y estas superficies modificadas bioactivas son evaluadas con cultivos celulares de osteoblastos, por medio de MEB, MCF. Para determinar por fluorescencia la expresión de moléculas de adhesión (Vinculina e Integrina beta) de los osteoblastos sobre las superficies modificadas. Analizar la expresión de prolongaciones citoplasmáticas o microvellosidades de los osteoblastos sobre las superficies modificadas. BIO 08 Estudio de Fluorescencia y Difracción de Rayos X para cuantificación de hidroxiapatita en hueso descalcificado M. L. Cortés-Ibarra1*, J. A. Mondragón-Herrera2, J. A. Yescas-Hernández1 1 Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional. Av. Acueducto s/n, Col. Barrio La laguna Ticomán C.P. 07340, México, D.F., México.

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2 Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, Depto de Fisiología, Biofísica y Neurociencias, Av. IPN # 2508 Col. San Pedro Zacatenco, México, D.F., México. *mcortesi@ipn.mx El proceso de descalcificación en la población mexicana se ha ido incrementando en los últimos años. En la actualidad se han planteado diferentes alternativas para ayudar a retardar el proceso de descalcificación. La técnica de radiación electromagnética no ionizante, además de que ayudar a fijar las partículas de hidroxiapatita en los huesos, está apoyando el proceso de rehabilitación después de haber sufrido alguna fractura. Estudiar cristales de hidroxiapatita es poco investigado, por lo que se propone obtener las concentraciones en hueso con tratamiento de radiación electromagnética para validar dicha técnica. En este trabajo se presentan los resultados obtenidos de la difracción de rayos X y fluorescencia obtenidos de la caracterización de muestras de hueso largo como es el fémur de rata cepa Wistar con diferentes concentraciones de hidroxiapatita. Mediante el estudio de fluorescencia a 300 K se encuentran dos regiones fluorescentes en las muestras de fémur incinerado y pulverizado que van de los 480 a 550 nm y de 560 a 638 nm, las cuales concuerdan con reportes anteriores[1]. Los análisis realizados mediante difracción de Rayos X revelan un comportamiento decreciente en la zona amorfa que va de 2θ = 10 º a 2θ = 25 º. Basados en los resultados se ha encontrado que los parámetros biológicos, juegan un papel importante en el análisis, ya que las muestras analizadas proporcionan un factor comparativo importante en el proceso de descalcificación, ya que dos muestras aparentemente diferentes tienen espectros de fluorescencia y difracción de rayos X muy parecidos, pero considerablemente propios de estudio. Se propone resaltar la concentración de hidroxiapatita en hueso descalcificado, y así validar la metodología de aplicación. La técnica planteada nos da evidencia palpable del proceso de remodelación ósea.

[1] S.N. Danilchenko, C. Moseke, L.F. Sukhodub, B. Sulkio-Cleff, Cryst. Res. Technol. 39, No. 1, (2004) 71-77

BIO 09 Armazones Celulares Pablo Cajero Vázquez *¹, Miguel Meléndez Lira ², Miguel Ángel Camacho López ³ ¹ Facultad de Medicina UAEMex-TESJO. Paseo Tollocan S/N, esquina con Jesús Carranza Colonia Moderna de la Cruz C.P. 50180, Toluca, Estado de México ² Departamento de Física, CINVESTAV. Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco México D.F. 07300. ³ Facultad de Medicina UAEMex. Paseo Tollocan S/N, esquina con Jesús Carranza Colonia Moderna de la Cruz C.P. 50180, Toluca, Estado de México * grupodefisica@yahoo.com.mx Se presenta una breve descripción de la técnica electrospinning (electrohilado), alcance, aplicaciones actuales y una propuesta para el desarrollo de equipos que son relativamente sencillos de implementar, en instituciones educativas o centros de investigación. Los primeros resultados con mucilago de nopal para el desarrollo de armazones celulares. Recientemente la técnica llamada “electrospinning” (electrohilado) es propuesta para el desarrollo armazones celulares (andamios tridimensionales), dispositivos que proporcionan a las células el apoyo necesario para su proliferación y el mantenimiento de sus funciones diferenciadas y las señales biológicas requeridas para la conservación de la expresión génica específica, además, definen la arquitectura del tejido. La técnica de electrospinning consiste en que una solución polimérica es forzada a través de una boquilla mediante un campo eléctrico en donde el polímero forma fibras que rápidamente se adelgazan a diámetros más pequeños del orden de nm y µm [1], esta técnica de electrohilado tiene sus orígenes en los Estados Unidos en la década de los 30’s con otra serie de patentes procuradas por Formahls [2], haciéndose popular hasta la década de los 90’s [3], donde tiene su mayor auge con fines cercanos a la industria textil, está técnica es propuesta para su uso en Salud particularmente en la ingeniería de tejidos, reparación de tejidos y, liberación de drogas [4]. Nuestra propuesta es sintetizar un biomaterial haciendo depósitos de un composito

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de calcio mediante la técnica de electrohilado para formar un andamio tridimensional que simule el tejido óseo. Los desarrollos de la técnica pueden verse en las más de ochocientas patentes que pueden encontrarse en [5], y que solo en el año 2008 a la fecha se dieron 245 patentes con el uso de la técnica, tan diversas aplicaciones como las planteadas antes. Nuestra propuesta es la construcción de un equipo que incorpora en la técnica de electrospinning: un dispositivo para un margen de movilidad de 360º (2πrad) a lo largo del eje de chorro, un dispositivo para mezclar dos o tres polímeros, un dispositivo para la variación de la distancia entre el electrodo positivo y el electrodo negativo y además una caja de un material no conductor que protege al usuario. [1] M. G. McKee, J. M. Layman, M. P. Cashion, and T. E. Long. Phospholipid Nonwoven Electrospun Membranes, Virginia Tech en Blacksburg, VA. [2] Instituto de Biomecánica de Valencia, Biomecánica Articular. [3] Formhals, A.US, 2, (1934), 123,992. [4] S. Ramakrishna, K. Fujihara, W-E. Teo, T. Yong, Z. Ma, and R. Ramaseshan, Materials today, 340, (2006). [5]http://www.patentstorm.us Agradecimientos: Agradecemos al Departamento de Física del Cinvestav por permitirnos usar los laboratorios para la síntesis y caracterización de nuestras armazones celulares. Además, el Fís. Pablo Cajero Vázquez agradece a la Secretaria de Investigación y Estudios Avanzados (SIEA) de la UAEM por la Beca Enlace otorgada para realizar sus estudios de Doctorado en Ciencias con Especialidad en Física Medica. BIO 10 Modelo semiesférico para el esparcimiento de luz en un coral J. Jasso-Montoya1, J. Sumaya-Martinez2*, O. Olmos-Lopez2,3. 1 Instituto Tecnológico de Boca del Río, Km. 12 Carretera Veracruz-Córdoba, C.P. 94290, Toluca, Edo.Méx.,México.

2 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma del Estado de México, Instituto Literario 100, Col. Centro, C.P. 50000, Toluca, Edo.Méx., México. 3 ITESM Campus Toluca, Eduardo Monroy 2000, San Antonio Buenavista, C.P. 50110, Toluca Edo. Méx., México * jsm@uaemex.mx

Resumen:

Empleando un modelo de absorción de luz simple calculamos el aumento de irradiancia local generado por el esparcimiento de luz en el interior de un esqueleto de coral (coralite). El hueco formado por el coralite es modelado mediante una superficie semiesférica con un índice de reflectividad ad-hoc.. Calculamos y graficamos la distribución de irradiancia en el interior del coralite para este modelo.

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SIMPOSIO DE CERÁMICOS AVANZADOS Y MULTIFUNCIONALES. Advanced and Multifuctional Ceramics CAM 01 Efectos de la sustitución de estroncio sobre las propiedades estructurales y magnéticas en la hexaferrita de plomo. A. L. Guerrero-Serrano1, S. A. Palomares-Sánchez2, J. A. Matutes-Aquino1, M. Mirabal-García3

1Centro de Investigación en Materiales Avanzados (CIMAV); Chihuahua, Ch. 2Facultad de Ciencias, UASLP; San Luis Potosí, S. L. P. 3Instituto de Física, UASLP; San Luis Potosí, S. L. P. Se sintetizó mediante el método cerámico la familia de hexaferritas de plomo parcialmente sustituidas con estroncio, aplicando el método de refinamiento de Rietveld, se cuantificó la fracción de plomo que se evapora durante el proceso de sinterización y se compensó añadiendo el exceso correspondiente de óxido de plomo para obtener la fase pura. La sustitución de estroncio en la hexaferrita de plomo, provoca modificaciones en la estructura cristalográfica de la hexaferrita; estas variaciones son estudiadas, para diferentes contenidos de estroncio, mediante difracción de rayos X y refinamiento de Rietveld. Se hace especial énfasis en la determinación de la ocupación catiónica y la estructura cristalográfica. Las propiedades magnéticas de la hexaferrita de plomo sustituida con estroncio son estudiadas mediante magnetometría de muestra vibrante (MMV); Además, las muestras son estudiadas mediante microscopía electrónica de barrido (MEB) para observar la distribución y tamaño de partículas, lo que permite realizar una correlación entre las propiedades magnéticas y la forma y distribución de las partículas. CAM 02

Síntesis y caracterización estructural y magnética de la hexaferrita de bario tipo M dopada con Nd 2O3

1T. Pérez-Juache,2 S. A. Palomares-Sánchez, 3

J. Matutes-Aquino, 3A. L. Guerrero Serrano 4M. Mirabal-García, 4A. Encinas, 5L.Narváez, 5X. González-Galván 1Instituto de Metalurgia, UASLP. Sierra Leona 100. 78290 San Luis Potosí, S. L. P. México 2Facultad de Ciencias, UASLP, Salvador Nava Martínez, s/n. Zona Universitaria. San Luis Potosí S.L.P., México 3Centro de Investigación en Materiales Avanzados. Miguel de Cervantes 120. Complejo Industrial Chihuahua. 31109 Chihuahua, Chih. México. 3Instituto de Física, UASLP, Dr. Manuel Nava No. 6. Zona Universitaria. 78290 San Luis Potosí S.L.P., México 5 Instituto de Metalurgia, Sierra Leona S/N Universidad Autónoma de San Luis Potosí, S.L.P. Las ferritas magnéticas duras son usadas ampliamente como imanes permanentes; por esta razón, en años recientes se ha incrementado la investigación sobre este tipo de materiales. En este trabajo se preparó la hexaferrita de bario BaFe12O19, por medio del método cerámico convencional, agregando pequeñas cantidades de óxido de neodimio (0, 0.25, 0.5, 0.75, 1.0, 1.5 y 2.0% en peso) y se estudió el efecto sobre sus propiedades magnéticas y estructurales. Se realizó un estudio sistemático de este compuesto mediante XRD, SEM, VSM; los resultados muestran importantes resultados sobre la estructura cristalina, que fue refinada mediante el método de Rietveld; además, se muestran variaciones sobre las propiedades magnéticas, tales como magnetización de saturación, Ms, magnetización de remanencia, Mr, y campo coercitivo, Hc, en función de la cantidad de óxido agregada. CAM 03 Propiedades magneticas del compuesto Tb 1-

xAxMnO3 con A = Al, Ga y X = 0.05 y 0.1 J. Heiras 1*, F. Pérez2, J. M. Siqueiros1, A. Durán1, O. Raymond1, M. P. Cruz1, L. Salamanca-Riba3

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1Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Ensenada, B. C., México 2Posgrado en Física de Materiales, CICESE-UNAM, Ensenada, B. C., México 3Department of Materials Science and Engineering, University of Maryland, USA

Entre los materiales multifuncionales existe un enorme interés en estudiar los materiales multiferroicos, esto es, materiales que presentan al menos dos de las tres propiedades ferroicas: ferrolectricidad, ferroelasticidad y ferromagnetismo. Algunos de los materiales magnetoeléctricos (multiferroicos con un orden magnético coexistiendo con ferroelectricidad) más estudiados se encuentran el BiFeO3, el BiMnO3 y el TbMnO3 (TMO) siendo este último uno de los más representativos de los multiferroicos tipo II [1] donde el ordenamiento magnético y, en consecuencia, el ordenamiento eléctrico así como el acoplamiento entre ellos se llevan a cabo a baja temperatura (por debajo de los 41 K). Se presentan aquí los resultados del estudio de las propiedades magnéticas en cerámicas y algunos estudios preliminares de películas delgadas del compuesto Tb1-xAxMnO3 en donde A es un elemento del grupo 13 (Al, Ga) con niveles de dopaje de 0.05 y 0.1. Las muestras se prepararon por el método de reacción en estado sólido obteniéndose compuestos de una sola fase según el análisis por difracción de rayos-X (DRX). El análisis por microscopía electrónica de barrido exhibe el carácter poroso de las muestras. Las películas delgadas fueron crecidas por el método de ablación laser y depositadas sobre SrTiO3 (100). DRX muestra que las películas crecen en la dirección (002). Las medidas magnéticas, realizadas desde temperatura ambiente hasta 4 K, revelan la coexistencia de un ferromagnetismo débil con un orden antiferromagnético. Las temperaturas de Curie-Weiss y de Neel así como los momentos magnéticos efectivos son similares para todas las muestras.

[1] D. Khomskii, Physics 2, 20 (2009)

Agradecimientos: Este trabajo fue apoyado a través de los proyectos PAPIIT No. IN114207, IN102908 y IN109608 así como CONACyT No. 85303 y 49986-F, además de NSF-MRSEC

under grant No. DMR 0520471. Se agradece el apoyo de las facilidades del CNAM y FABLAB de la Universidad de Maryland. F. Pérez reconoce el apoyo de la Beca-Mixta CONACyT CAM 04 Efecto de la temperatura de temperatura de calcinacion en la respuesta luminiscente de alumina dopada con europio A. Ceja1,*, J. Zarate1, T. Rivera2

1Instituto de Investigaciones Metalúrgicas, Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo, Morelia, Michoacán, México. E-mail: andreacejaf@yahoo.com.mx. 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada-Legaria, Instituto Politécnico Nacional Av. Legaria 694 Col. Irrigación 11500 México D.F. En el presente trabajo se estudian las características de la alúmina dopada con Europio obtenida a partir de pseudoboehmita sintetizada mediante el método U. G. y Eu2O3. La pseudoboehmita, que es un precursor de la alúmina, es básicamente bohemita pobremente cristalizada y puede ser representada mediante la fórmula Al2O3.xH2O donde 1<x<2. El óxido de Europio en solución coprecipitado con la obtención de la pseudoboehmita. Los polvos fueron calcinados a diferentes temperaturas, 1200, 1400 y 1600° C durante 1 hora, para obtener diferentes fases y tamaños de partícula, así como para analizar la respuesta luminiscente en cuanto a la variación de la temperatura. Las caracterizaciones estructurales y morfológicas fueron realizadas mediante Difracción de Rayos X y Microscopía Electrónica de Barrido. Los patrones de difracción de la alfa alúmina sugieren que el grado de cristalinidad incrementa con la temperatura pero decrece o se retarda con la adición del dopante. Las micrografías de los polvos de alúmina muestran una morfología semiesférica con tamaños de grano que oscilan entre 1 a 4 µm. Este material muestra una buena respuesta termoluminiscente después de haber sido irradiados con rayos gamma de Co60. En base a las temperaturas de calcinación, la respuesta termoluminiscente no necesariamente es proporcional a la temperatura como se observó en los resultados obtenidos, donde la muestra calcinada a 1400° C fue la que presentó mayor

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respuesta termoluminiscente. A partir de estos resultados se puede concluir que el método U.G. es una buena opción para preparar polvos de alúmina dopados con europio para aplicaciones luminiscentes. CAM 05 Compuestos multifuncionales con estructura tipo perovskita Los compuestos con estructura tipo perovskita han sido muy estudiados en la química y en la física del estado sólido debido a sus múltiples propiedades eléctricas, dieléctricas, ópticas, magnéticas, catalíticas entre otras, y por tanto por el sin fin de aplicaciones tecnológicas que poseen. Las perovskitas forman además una familia muy numerosa, ya que casi todos los iones metálicos de la tabla periódica pueden incorporarse a esta estructura. Se describirán algunas de las familias de actual interés como los compuestos tipo Aurivillius y las que exhiben propiedades multiferroicas, compuestos que están siendo estudiados exhaustivamente.

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SIMPOSIO DE CÁLCULOS AB-INITIO Y SUPERCÓMPUTO. Ab-Initio Calculation and Supercomputing CAS 01 Adsorción de Alanina sobre Cu311 L. Morales de la Garza1, S.Driver2, S. Karakastani2, y D.A. King2

1 Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Apdo. Postal 356, C.P. 22800, Ensenada, Baja California, México. 2 University of Cambridge, Department of Chemistry, Lensfield Road, Cambridge CB2 1EW, United Kingdom. Se estudió la superestructura formada por la adsorción de alanina, [NH2-CH(CH3)-COOH], sobre la superficie cristalina de Cu311 por medio de Difracción de Electrones de Baja Energía, (LEED, Low Energy Electron Difraction) asistido por fibra óptica y por cálculos de primeros principios por el método de la Funcional de Densidad, DFT (Density Funtional Theory). En la técnica de LEED asistida por Fibra Óptica se emplean corrientes de haz del orden de nanoamperios lo que permite estudiar estructuras sensibles al daño electrónico producido por el haz de electrones al incidir sobre la superficie. El mejor modelo obtenido fue en el que la Alanina forma una superestructura ordenada [2,1;1,2] sobre Cu311 con un cubrimiento de 1/3 de monocapa como se muestra en la figura.

Agradecimientos: L. Morales de la Garza agradece el apoyo económico de la Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA) de la UNAM durante mi estancia sabática en la Universidad de Cambridge, en el Reino Unido. CAS 02 Formación de líneas moleculares de acetona en la superficie Si(100)-(2x1)-H mediante cálculos DFT M. Gallo1*, L.E. Serrato1, J. A. Rodríguez2, N. Takeuchi3 1 Facultad de Ciencias Químicas Universidad Autónoma de Coahuila, Blvd. Venustiano Carranza s/n, Saltillo, Coahuila, C.P. 25280, México. 2 Departamento de Física,, Universidad Nacional de Colombia, Bogota Colombia. 3 Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Apdo. Postal 2681, Ensenada, Baja California, 22800, México. * marco.gallo@uadec.edu.mx En base a estudios experimentales en los cuales se demostró el crecimiento de líneas de acetona en la superficie Si(100)-(2x1)-H a partir de enlaces flotantes, se procedió a estudiar el mecanismo de reacción de la molécula de acetona con la superficie del silicio mediante técnicas de primeros principios en base a funcionales de la densidad. Este crecimiento de líneas moleculares de acetona se realiza con mayor facilidad en la superficie que el crecimiento a base de otras moléculas como el estireno, vinil ferroceno y el benzaldehido [1]. Las configuraciones geométricas adoptadas por la molécula de acetona en la superficie en diferentes sitios y energías de enlace fueron obtenidos; Es interesante el hecho de que el crecimiento de líneas moleculares de acetona se lleva a cabo únicamente en la dirección paralela a la fila de dimeros de la superficie [1]. Utilizando el método de cuerda [2] se determino la trayectoria de minima energía para la formación de líneas de acetona en dirección

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paralela y perpendicular a la fila de dimeros y se identificaron los estados de transición y barreras energéticas de activación de cada reacción. El análisis energético del crecimiento de lineas de acetona en ambas direcciones, revelo que ambas reacciones son energéticamente favorables, mas sin embargo para el crecimiento de líneas moleculares en la dirección perpendicular a los dimeros se requiere el sobrepasar una mucho mayor barrera energética (~1.2 ev), en relación con la dirección paralela a los dimeros, lo cual nos permitió elucidar por que este tipo de líneas moleculares no fueron vistas experimentalmente en la superficie [1]. [1] M.Z. Hossain, H.S.Kato, y M. Kawai, Journal of the American Chemicals Society, 2007, 129, 12304. [2] Y. Kanai, A. Tilocca, A. Selloni, R. Car Journal of Chemical Physics , 2004, 121(8), 3359. CAS 03 Oxidación de CO asistido por un cúmulo de Au 8 sobre una superficie de Mg(100). Alfredo Tlahuice-Flores1*, Sergio Mejía-Rosales1,2, Edgar Martínez-Guerra1, Eduardo Pérez-Tijerina1,2 y Noboru Takeuchi Tan3

1Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Universidad Autónoma de Nuevo León, San Nicolás de los Garza, N. L., 66450, México, 2Centro de Innovación, Investigación y Desarrollo en Ingeniería y Tecnología (CIIDIT), Universidad Autónoma de Nuevo León, Apodaca, Nuevo León, México 66600, y 3Centro de Nanociencias y Nanotecnologia-Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 2681, Ensenada, B. C. * tlahuicef@yahoo.com El Oro en estado sólido es un material inerte a reaccionar con la mayoría de los gases presentes en la atmósfera. En cambio cuando el Oro está compuesto de cientos de átomos, se ha conocido que posee una habilidad de actuar como catalizador de diversas reacciones químicas tales como la oxidación de CO [1]. De

manera que, si se tiene un cúmulo de ocho átomos de oro (Au8) su actividad catalítica medida es grande [2], con lo cual se abre la posibilidad de usarlo como un agente anticontaminante [3-4]. En este trabajo, se estudia la adsorción de un cúmulo de Au8 depositado sobre una superficie de MgO(100) y la oxidación de CO sobre este sistema, mediante cálculos de energía total, dentro de la teoría del Funcional de la Densidad. Hemos encontrado que la estructura inicial del cúmulo neutro Au8 que es bidimensional, con una simetría D4h, es transformada en una estructura 3D una vez que interacciona con la superficie de MgO(100), arreglándose de modo que los átomos de Au se localizan en los sitios intersticiales del sustrato. Además, la oxidación del CO puede ocurrir por una coadsorción de las moléculas de CO y O2 sobre el cúmulo, sin la necesidad de que una de las moléculas sea adsorbida sobre el sustrato o en la interfase sustrato-cúmulo. La barrera de energía para la oxidación del CO sobre la interfase Au8/MgO calculada es de 0.88 eV, valor que puede ser atribuido al rompimiento del enlace O-O en el estado metaestable CO-O2.

[1] (a) M. Haruta, N. Yamada, T. Kobayashi and S. Ijima, J. Catal., 128, (1991), 378, (b) M. Haruta, Catalysis Today, 36, (1997), 153 (c) M. Haruta, T. Kobayashi, H. Sano, and N. Yamada, Chem. Lett. 2, (1987),405.

[2] A. Sanchez, S. Abbet, U. Heiz, W.-D. Schneider, H. Hakkinen, R. N. Barnett, and Uzi Landman, J. Phys Chem. A 103, (1999) 9573-9578.

[3] R. Meyer, C. Lemire, Sh. Shaikhutdinov, H.-J. Frund, Gold Bulletin, 37, (2004), 72-124

[4] J. K. Norskov, M. Scheffler and H. Toulhoat, MRS Bulletin, 31, (2006), 669-674.

Agradecimientos: Agradecemos el soporte de la UANL a través del apoyo PAICYT, CA1267-06; del CONACYT, con el apoyo 43772 (Ciencia Básica); y del Consejo Estatal de Ciencia y Tecnología del Estado de Nuevo León. CAS 04 Modos guiados en un sistema de multicapas dieléctricas de Thue-Morse A. Aguirre-Méndez1,*, X. I. Saldaña-Saldaña2, M. P. Sampedro3

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1 Facultad de Ciencias de la Electrónica, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 2Instituto de Física de la Universidad Autónoma de Puebla, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 3Instituto de Física de la Universidad Autónoma de Puebla, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. * luge@ece.buap.mx En este trabajo se presenta el cálculo de los modos electromagnéticos guiados [1] en un sistema de multicapas dieléctricas aperiódico del tipo Thue-Morse. El sistema aperiódico se construye de acuerdo a la regla de recurrencia de Thue-Morse: Sj=Sj&Ŝj en donde & significa la unión del conjunto Sj y Ŝj. Ŝj significa cambiar A por B y B por A en cada generación j de la secuencia aperiódica. A y B son literales a las que se les asignan capas dieléctricas distintas homogéneas e isotrópicas con índices de refracción y anchos diferentes [2]. En este caso los dieléctricos no presentan absorción ni disipación de luz. Para analizar los modos guiados en este tipo de superred se utiliza la ecuación de onda de Maxwell, el método de la matriz de transferencia y la aproximación racional. Se calcula el diagrama de bandas de los modos guiados variando el índice de refracción y el grosor de las capas, así mismo se indica bajo que condiciones tenemos modos guiados en esta superred. Finalmente se compararán estos resultados con los resultados que se obtienen para el caso de la propagación de ondas electromagnéticas en este mismo tipo de sistema. [1] Pochi Yeh, Opticals wave in layerd media, Wiley 1988 [2] Wanda Teresa Pardo Tamayo, Tesis “Caracterización Matemática de las Sucesiones y Heteroestructuras cuasirregulares” La habana, Cuba, 2005. Agradecimientos: Trabajo apoyado por VIEP-BUAP, México, proyecto SASX-EXC09-I CAS 05

Estudios de la adsorción del B y Ga en la superficie (0001) de Nitruro de Galio

L. A. Palomino-Rojas1,*, Gregorio H. Cocoletzi2, y Noboru Takeuchi2,3. 1. Física Aplicada, Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. Colonia San Manuel, Ciudad Universitaria, Puebla 72570, México

2. Instituto de Física, Universidad Autónoma de Puebla, Apartado Postal J-48, Puebla 72570, México.

3. Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 2681, Ensenada, Baja California, 22800, México.

*plar88@yahoo.com.mx Durante los años 90´s el nitruro de galio GaN se desarrolló para la fabricación de diodos emisores de luz (LED´s), ya que este material emite en el visible, específicamente, emite luz azul. Como sabemos, la eficiencia en la emisión de luz de los diodos está directamente relacionada con la calidad de los materiales utilizados para su construcción. Sin embargo, los procedimientos actuales del crecimiento todavía no son completamente satisfactorios, por ejemplo, las densidades de dislocación típicas en las películas de GaN todavía son del de orden de 107 cm−2 o más [1]. En este trabajo realizamos cálculos de la energía total mediante primeros principios dentro de la teoría del funcional de la densidad (DFT), usando la aproximación de gradiente generalizado GGA [2], implementado en el código QUANTUM-ESPRESSO [3], para estudiar la adsoción de Ga y B sobre la superficie (0001) del GaN. Estamos interesados en conocer los procesos de formación de estructuras sobre GaN, por lo que estudiamos la adsorción de B y Ga sobre la superficie y en los sitios intersticiales del GaN. Para nuestros estudios utilizamos dos tipos de geometrías como base de la supercelda de GaN, la estructura wurtzita y la estructura √3. Para la primera configuración utilizamos un arreglo de 2x2 con un total de 4 bicapas, mientras para la segunda utilizamos un arreglo 1x1 con 5 bicapas, crecidas ambas en la dirección (0001). Como primer paso, relajamos las superceldas de nitruro de galio GaN. Posteriormente se deposita Ga sobre la superficie de GaN en los sitios de alta simetría

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(T4, Top y H3)[4]. Similarmente se coloca B en los mismos sitios de alta simetría. Adicionalmente se investiga la estructura atómica cuando se coloca B entre las dos últimas bicapas, con el fin de obtener la adsorción en la zona intersticial en la dirección (000-1). Los sitios de alta simetría se localizan en (0.16,0.33,Z), (0,0,Z), (0.25,0.25,Z) para T4, Top y H3, respectivamente. Los resultados hasta ahora obtenidos son los siguientes: para Ga tenemos que al ser depositado en la superficie de GaN este se localiza de forma preferencial en el sitio T4, mismo sitio en el cual se ubica B cuando es depositado, mientras que cuando dejamos a Ga en T4 y colocamos a B en la superficie, este último se ubica en el sitio (0.33,0.66,Z). Mientras que cuando colocamos a B en las zonas intersticiales, tenemos que este se localiza de manera preferencial en el sitio Top. [1]. O. Ambacher, J. Phys. D 31, 2653, (1998). [2]. J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996). [3]. S. Baroni, A. dalCorso, S. deGironcoli, P. Giannozzi, C. Cavazzoni, [4]. N. Takeuchi, A. Selloni, T. H. Myers, and A. Doolittle, PRB 72, 115307 (2005) CAS 06 Surface Segregation in Binary Alloys Metallic Clusters José Luis Rodríguez-López División de Materiales Avanzados, IPICYT Camino Presa Sn. José 2055, Lomas 4a Secc. 78216, San Luis Potosí, SLP, México jlrdz@ipicyt.edu.mx We predict general trends for surface segregation in binary metal clusters based on the difference between the atomic properties of the constituent elements. The energetically most favorable site for a guest atom on a pure metal cluster is determined considering the attractive and repulsive contributions of the cohesive energy of an atom in the cluster. It is predicted that for adjacent elements in a period of the periodic table, the bimetallic system would be more stable if the component with smallest valence electron density is placed on the surface. On the other hand in bimetallic clusters built with elements of only one group, the trend

to be in the volume (of the atomic component with smaller core density) will be higher for that cluster with atomic components most separated in the group. Such chemical ordering trends in the lowest energy configurations of Pt-Au, Pt-Pd and Pt-Ni binary alloy clusters are verified for their 561 atom systems through simulated annealing process. Some of our atomistic predictions are also verified through quantum mechanical calculations. CAS 07 Calculation of the dielectric function of zigzag (6,0) boron nitride nanotubes with adsorption of molecular hydrogen R.A. Vázquez-Nava1, N. Arzate1 and J.E. Mejía2

1Centro de Investigaciones en Óptica, México, 2Centro Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, México We present ab initio calculations for the dielectric function of single wall zigzag (6,0) boron nitride nanotubes as a function of molecular hydrogen adsorption. The ab initio calculations are performed within Density Functional Theory. We consider different nanotube-structures adsorbed with different coverage of molecular hydrogen. We find optimized atomic coordinates for such structures and calculate binding energies for the molecule of hydrogen on the nanotube. We also present the energy loss function spectra of the considered structures. This work has been partly supported by CONACYT, México, grants:SEP-2004-C01-48142 and SEP-2003-C02-42576, SEP-2005-C01-49678-F. CAS 08 Theoretical Studies of Structural and Electronic Properties of Clusters Michael Springborg Physical and Theoretical Chemistry, University of Saarland, 66123 Saarbrücken, Germany

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Clusters contain more than just some few atoms but not so many that they can be considered infinite. By varying their size, their properties can often be varied in a more or less controllable way. Often, however, the precise relation between size and property is largely unknown: the sizes of the systems are below the thermodynamic limit. Theoretical studies of such systems can provide relevant information, although in many cases idealized systems have to be treated. The challenge of such calculations is the combination of the relatively large size of the systems together with an often unknown structure. In this presentation, different theoretical methods for circumventing these problems shall be discussed. They shall be illustrated through applications on various types of clusters. These include isolated metal clusters with one or two types of atoms, metal clusters deposited or grown on a metal surface, nanostructured HAlO, and semiconductor nanoparticles.

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SIMPOSIO DE CARACTERIZACIÓN Y METROLOGÍA. Characterization and Metrology CYM 01 Obtención de isotermas de sorción de mango ( Magnifera indica L .) variedad Ataulfo. M. E. Rosas Mendoza1,2* , J. L. Fernández Muñoz2 1 Departamento Ingeniería y Tecnología, FES-Cuautitlán UNAM. Av. 1º de mayo s/n, Col Atlanta, Cuautitlán Izcalli, 54740 Edo. de México, México. *merosas@servidor.unam.mx 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694. Colonia Irrigación, 11500 México, D. F. El mango (Magnifera indica L) pertenece a la familia de las Anacardiaceas, es apreciado en las regiones tropicales por su valor económico. Como otros frutos y vegetales, el mango tiene una corta vida de anaquel por su alto contenido de humedad. Pero el contenido de humedad, por sí solo, no es siempre el mejor parámetro para expresar los efectos del agua en las velocidades de reacción durante el deterioro, por lo que normalmente se utiliza la actividad de agua (aw) [1]. Las propiedades de hidratación en equilibrio (isotermas de sorción de humedad) y la difusión de humedad, son factores importantes requeridos para el cálculo y modelación de varios procesos como deshidratación, rehidratación, empaque y almacenamiento [2]. Las predicciones teóricas de estas propiedades en alimentos frescos o procesados, o en intervalos altos de actividad acuosa, generalmente no es posible; entonces, se hace necesario la medición experimental [3]. El objetivo fue el de implementar una técnica para la obtención de isotermas de sorción del mango a diferentes condiciones de humedad y temperatura, que sirvan para futuras predicciones o cálculos en procesos de transformación. Se adaptaron celdas de aproximación al equilibrio para llevar a cabo un método isopiéstico [4], en el que el contenido de humedad de la muestra se determina hasta que

la presión de vapor de equilibrio de ciertas sales de referencia [5] sea idéntica a la presión de vapor de la muestra en el equilibrio. La actividad acuosa fue calculada por interpolación gráfica [6] y la humedad relativa en equilibrio de las muestras se determinó por el método 934.06 de la AOAC (2000). En combinación con la técnica 96-80 del ASTM (1986), y con los valores promedio analizados por intervalos de confianza para la media (α= 0.05), se obtuvieron las isotermas de sorción completas. Además se construyó una cámara de atemperamiento para asegurar que la temperatura experimental se mantuviera lo más estable posible y evitar efectos ambientales. [1] Karel, M. Principles of Food Science. Vol 2. Fenema, O. Ed. Marcel Dekker, (1976). [2] Labuza, T. P. Food Technology 23 (1968), 15. [3] Guillard, V., Broyart, B., Bonazzi, C., Guilbert, S. & Gontard, N. Journal of food science 68 (2003), 555. [4] Lang, K. W., McCune, T.D., Steinberg, M.P. Journal of food science 46 (1981), 936. [5] Greenspan L. Journal of Research National Bureau of Standard* A. Physical and Chemistry, 81A (1977), 89. [6] Landrock, A. H.,& Proctor, B. E. Mod. Package. 24 (1951), 123. CYM 02 Simulación y caracterización de un transductor ultrasónico utilizando Rexolite como acoplamiento acústico. Israel Sánchez Domínguez, Pedro Acevedo Contla. Juan Antonio Contreras Instituto de Investigaciones en Matemáticas Aplicadas y en Sistemas- UNAM Circuito Escolar s/n Ciudad Universitaria, C.P. 04510, Del. Coyoacan, México DF. Email: israel@uxdea4.iimas.unam.mx Se presenta la caracterización de un transductor ultrasónico, el cual utiliza como material de acoplamiento Rexolite, que es un material novedoso en aplicaciones acústicas. Nuestro transductor emplea elementos piezoeléctricos tipo PZT como materiales sensores. El material empleado para este trabajo fue Rexolite, el cual

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presenta características idóneas para trabajar como elemento de acoplamiento en los transductores, además de las características físicas y acústicas del Rexolite como material de trabajo, se presentan las simulaciones realizadas con un software de simulación que utiliza elementos finitos (COMSOL), dicho software nos permite determinar los diversos modos de respuesta del transductor junto con el Rexolite como material de acoplamiento. Dichas simulaciones fueran hechas utilizando una cerámica piezoeléctrica modelo PIZ155 (PI) así como Rexolite (1422). Las simulaciones demuestran que el Rexolite es un excelente material para ser empleado en la etapa de acoplamiento, debido a la similitud de su impedancia con la del agua. Esta similitud facilita la emisión máxima de la señal generada por el transductor, reduciendo las perdidas por los cambios de medio. Adicionalmente, el Rexolite ofrece otras bondades al utilizarse como material de acoplamiento por ejemplo; la facilidad de ser maquinado y adaptado a un transductor. Este material se utilizó, ya como parte del transductor, en vivo en la detección del flujo sanguíneo presentando resultados satisfactorios en las señales capturados. Concluyendo con ésto que para las presentes y futuras aplicaciones, este material puede ser la solución idónea para mejorar la adquisición de las señales médicas dentro de nuestra línea de investigación. CYM 03 AFM contact current images of piezoelectric aluminium doped ZnO

N. Muñoz Aguirre1,*

, J. E. Rivera López1, Y. C.

Pérez Albarrán 1, P. Tamayo Meza1 and L.

Martínez Pérez2

. 1

Instituto Politécnico Nacional, Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica-UA. Av. Granjas, N°682, Colonia Santa Catarina. Del. Azcapotzalco, CP. 02550, México, DF. México. 2 Instituto Politécnico Nacional, Unidad

Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas, Av. IPN No. 2580, Col. Barrio La Laguna Ticomán, C.P. 07340, México D.F. México.

Atomic Force Microscopy (AFM) contact current images of piezoelectric aluminum doped ZnO thin films [1] are got. When no bias voltage is applied to the conductive tip, a current image is got because of the piezoelectric effect on the sample [2]. Such image corresponds to the topographic image because of the magnitude of the pressure of the tip on the sample. When the piezoelectric effect is minimized increasing the absolute value of the reference, which corresponds to minimize the tip-sample force interaction, a current image is got applying a bias voltage to the conductive tip. In this current image, the superficial conductive trajectories between the grains can be observed. The I-V curve behaviour is also discussed. [1] L. Martínez Pérez, M. Aguilar-Frutis, O. Zelaya-Angel, and N. Muñoz Aguirre, Physica Status Solidi a, 203, No. 10, (2006) 2411-2417. [2] Zhong Lin Wang and Jinhui Song, Science, 312, no. 5771 , (2006) 242 – 246. Agradecimientos: Work supported by Instituto Politécnico Nacional from México with the CGPI project numbers SIP-20090931 and SIP-20091216. The authors also would like to acknowledge the technical assistance of Ing. Ana Berta Soto and QFB. Marcela Guerrero from the Physics Department of CINVESTAV-IPN. CYM 04 Analysis by Raman spectroscopy in an Evolution crystal-amorphous on vanadate compounds R. Lozada-Morales1a, G. Calzada-López1a, Ma. E. Zayas2, J. Martínez-Juárez1b, G. Juárez-Díaz1b, O. Zelaya- Ángel3, S. Jiménez-Sandoval4, J. Carmona-Rodriguez4,1, F. Rodríguez-Melgarejo4, O. Portillo-Moreno1c. Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. 1aPostgrado en Física Aplicada. Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas 1bDepartamento de Dispositivos Semiconductores. 1cFacultad de Ciencias Químicas. . Av. 14, San Claudio, Col. San Manuel, Puebla, México. 2Departamento de Investigación en Física de la Universidad de Sonora, Edificio 3I, Blvd. Edificio 5 E, Luís Encinas s/n, Col. Centro, 83000. Hermosillo, Sonora, México. 3Departamento de Física,

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Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, P.O. Box 14-740, México 07360 D. F. 4Centro de Investigación y de Estudios Avanzadazos del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, México In this work, by using the traditional melt quenching method different proportions of weight (wt%) of the oxides Cd, ZnO, V2O5, were melted and distinct kinds of vanadate compounds have been found . When the wt% of the V2O5 oxide is in the order of 70-80% of the total weight, the X-rays-diffraction and the Raman spectroscopy shown that structure like V2O5 and CdV2O6 were obtained. After, when the V2O5 oxide is in the order of 40-50wt% of the total weight and the CdO oxide is in the same proportion, the diffractograms of X-rays and Raman spectroscopy shown that the Cd2V2O7 compound in crystalline structure was obtained. Finally when the V2O5 is in the order of 30-10wt of the total weight and the CdO is in the order of 70-80wt% of the same total weight, the X-rays-diffraction and the Raman spectroscopy shown that an amorphous structure of the Cd2V2O7 compound has been obtained. In all the samples fabricated, the 10wt% of the ZnO compound was used. CYM 05 Micro-Raman and photoluminescence Studies on crystalline and amorphous structures of vanadate compounds. R. Lozada-Morales1a, G. Calzada-López1a, Ma. E. Zayas2, J. Martínez-Juárez1b, G. Juárez-Díaz1b, O. Zelaya- Ángel3, S. Jiménez-Sandoval4, J. Carmona-Rodriguez4,1, F. Rodríguez-Melgarejo4, O. Portillo-Moreno1c. Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. 1aPostgrado en Física Aplicada. Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas 1bDepartamento de Dispositivos Semiconductores. 1cFacultad de Ciencias Químicas. . Av. 14, San Claudio, Col. San Manuel, Puebla, México.2Departamento de Investigación en Física de la Universidad de Sonora, Edificio 3I, Blvd. Edificio 5 E, Luís Encinas s/n, Col. Centro, 83000. Hermosillo, Sonora, México. 3Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, P.O. Box 14-740, México 07360 D.

F. 4Centro de Investigación y de Estudios Avanzadazos del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, México Abstract: By the traditional melt quenching method, appropriate proportions of the oxides CdO, ZnO, V2O5, were melted and simultaneously doped with the Er3+. The Raman spectroscopy shows that the glassy matrix obtained is completely constituted by pyrovanadato compound (Cd2V2O7) in amorphous phase, and that some micro-crystals of VO2 are within these glassy matrices. The photoluminescence spectroscopy shows that different kinds of spectra can be obtained for the transitions of the Er3+ ions. If the Er3+ is inside the Cd2V2O7 with amorphous structure, different transition showing doublet and threeplet were detected. Meanwhile, when the Er3+ was trapped into VO2 micro-crystals, in the transition 4F9/2 a very intense multiplet has been detected. CYM 06 Determination of the magnetic anisotropy field in permalloy films by means of microwave absorption technique. H. Montiela,*, A. Esparza-Garcíaa, M. E. Mata-Zamoraa, R. Zamoranob and G. Alvarezc aDep. de Tecnociencias, Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico de la Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 70-360, Coyoacan DF, 04510, México. bDep. de Física, ESFM-IPN, U. P. Adolfo López Mateos Edificio 9, Av. Instituto Politécnico Nacional S/N, Col. San Pedro Zacatenco, 07738 DF, México. cDep. de Materiales Metálicos y Cerámicos, Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Coyoacan DF, 04510, México. *herlinda_m@yahoo.com In this work, the magnetic anisotropy is determined in permalloy films (Ni80Fe20 alloys) by means of microwave absorption measurements. These magnetic films are

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obtained by magnetron sputtering under the same experimental conditions: 300 Watts (DC), 3.3x10-4 mBar and substratum temperature of 150 °C; the thickness films are 150 nm, 300 nm and 500 nm, for deposit times of 55 sec, 105 sec and 158 sec, respectively. The films are carried out in silicon substrata (001) on the rough and refined faces. Measurements were carried out at X Band (9.2 GHz), where the applied magnetic field DC could be varied from -1000 Oe to 5000 Oe. We carry out a comparative study of the magnetic properties of permalloy films, by means of the vibrating sample magnetometry (VSM), low field microwave absorption (LFA), and ferromagnetic resonance (FMR). It is necessary to mention that LFA technique is highly sensitive to changes in the magnetic anisotropy, and therefore it is an important technique for the analysis of permalloy films. Acknowledgements. Support from project PAPIIT IN116608 is gratefully acknowledged. The author acknowledges a Martín Briseño García for the technical support. CYM 07 Obtención de películas magnéticas de ferrita de Ni-Zn por depósito electroforético. J. F. Barrón-Lopez1,*, M. E. Mata-Zamora1, G. Alvarez2, H. Montiel1 1 Centro de Ciencia Aplicada y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior S/N, Ciudad Universitaria, C.P. 04510, Distrito Federal, México.

2 Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Del. Coyoacán, C.P. 01250, México D.F., México. * jf.barron82@gmail.com Resumen: Mediante la técnica de depósito electroforético (DEF) se obtiene una película de ferrita de níquel zinc (FNZ) de composición Ni0.5Zn0.5Fe2O4. La técnica de DEF emplea una dispersión coloidal de partículas cargadas (sol), de un precursor químico de la ferrita. A este sol se le aplica una diferencia de potencial mediante

un par de electrodos que induce la migración de las partículas coloidales hacia uno de los electrodos que se emplea como substrato [1]. Con espectroscopia Raman y DRX se confirma la obtención de la fase FNZ. El ciclo de magnetización de la película medido a distintas orientaciones indica que la respuesta magnética de la película está determinada por la anisotropía magnetocristalina de la FNZ. El espectro de Resonancia Ferromagnética (RFM) presenta una línea de absorción ancha debida a una distribución amplia de tiempos de relajación, la cual se origina por la microestructura de la película. Adicionalmente, en el espectro RFM se observa una señal de absorción no resonante a campo bajo la cual es característica de los materiales magnéticamente ordenados [2]. La topografía de la muestra se evaluó por medio de microscopia de fuerza atómica (MFA) y su arreglo magnético superficial se observó por medio de microscopia de fuerza magnética (MFM). Mientras que MFA revela una microestructura considerablemente rugosa, MFM muestra una estructura magnética muy homogénea sobre el plano de la muestra. Estos resultados indican que el DEF es una técnica prometedora para la obtención de películas de materiales magnéticos con potenciales aplicaciones en microcomponentes electrónicos y en recubrimientos para supresión de interferencia electromagnética. [1] Laxmidhar Besra, Melilin Liu, Progress in Materials Science, 52 (2007) 1-61. [2] H. Montiel, G. Alvarez, M. P. Gutiérrez, R. Zamorano y R. Valenzuela, Journal of Alloys and Compounds, 369 (2004), 141-143. Agradecimientos: Los autores agradecen a la DGAPA-UNAM por el financiamiento recibido a través del proyecto PAPIIT No. IN116608, y al técnico Carlos Flores por las imágenes de MFA y MFM.

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SIMPOSIO DE ENERGÍAS RENOVABLES: CELDAS SOLARES Y MATERIALES Renewable Energy: Solar Cells and Materials ERW-01 Annealing effects on the charge transport properties of CdS:Er films. C.I. Zúñiga-Romero1, R.Lozada-Morales2, O. Portillo3, J. Carmona-Rodríguez1, F. Rodríguez-Melgarejo1, E. Urbina-Alvarez1, M.A Hernández-Landaverde1 and S. Jiménez-Sandoval1* 1 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, México. 2Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, 3Facultad de Ciencias Químicas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av San Claudio y Río Verde, Puebla, Pue. 72570, México *sjimenez@qro.cinvestav.mx Cadmium Sulfide (CdS) is a semiconductor employed as the semitransparent layer in solar cell heterostructures of the type CdTe/CdS. Our group is developing photovoltaic devices based on the semiconductor alloy CuCdTeO as the photon absorbing layer instead of pure CdTe. As part of this program, we have prepared n-type CdS films by incorporating Er as the dopant element. In this work we present the effect of thermal treatments on the properties of CdS:Er films, focusing on the charge transport characteristics. The as-grown films were prepared by chemical bath where 4, 6, 8 and 10 ml of Er(NO3)3 were added in the solution for different batches This method produced films with resistivities in the 2 - 4 x 102 Ω-cm range. It was also observed that the optical transparency (>70%) for wavelengths larger than 500 nm was not dependent on the amount of Er used in the solution. The treatments were carried out for two hours at 350 and 450 °C in a continuous Ar flow containing sublimated sulphur. The properties of the as-grown and annealed films have been studied by X-ray diffraction, energy dispersive spectroscopy, UV-Vis and micro Raman spectroscopies. In particular, the electrical

properties were studied by the four point probe method and Hall effect measurements. ERW-02 Thermodinamic trends driven by thermal annealings in graded Cux(CdTe)yOz films studied by scanning electron microscopy. J.E. Urbina-Alvarez1, J. Carmona-Rodríguez1, F. Rodríguez-Melgarejo1, C.I. Zúñiga-Romero, J. Márquez-Marín, , M.A. Hernández-Landaverde1, R. Lozada-Morales2 and S. Jiménez-Sandoval1*

. 1 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, Mexico 2Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av San Claudio y Río Verde, Puebla, Pue. 72570, México *sjimenez@qro.cinvestav.mx It has been reported about the feasibility of the semiconducting alloy Cux(CdTe)yOz (hereafter designated as CCTO) as the absorbing layer in photovoltaic heterostructures [1]. Indeed, to engineer the optical and charge transport properties of CCTO is readily achieved by changing the relative concentration of its constituents, with no need of further post deposition treatments. Films of CCTO have been grown by reactive rf cosputtering in stationary substrates in a two-target (CdTe and Cu) configuration yielding films with graded chemical composition. Since these films were grown in out-of-equilibrium conditions, the thermodynamic trend has been investigated by carrying out prolonged thermal annealings in inert atmosphere to allow the system to evolve to thermodynamically more stable compositions and phases. The annealing temperature was chosen to exceed the one used during growth. In this work is presented a scanning electron microscopy study, including energy dispersive spectroscopy analyses, of the different regions formed after the thermal treatments. This procedure has provided information useful to identify the stable phases in the CCTO system which will be used in future work. [1] “Band Gap tuning and high electrical conductivity in amorphous and polycrystalline

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films of the Cux(CdTe)yOz system” S. Jiménez-Sandoval, G.E. Garnett-Ruiz, J. Santos-Cruz, O. Jiménez-Sandoval. G. Torres-Delgado, R. Castanedo-Pérez and E. Morales-Sánchez, J. Appl. Phys. 100, 113713 (2006). ERW-03 Dependence of the properties of Cu2xTe films on composition and substrate temperature. J. A. Villada1,*, M. E. Rodríguez-García2, J. Carmona-Rodríguez1, F. Rodríguez-Melgarejo1, J.E. Urbina-Alvarez1, J. Márquez-Marín1 and S. Jiménez-Sandoval 1*. 1 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, Mexico 2 Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México Campus Juriquilla, Apartado Postal 1-1010, Querétaro, Qro. 76000, Mexico *sjimenez@qro.cinvestav.mx Copper telluride (Cu2-xTe) is a degenerate semiconductor material relevant for solar cells of the type CdTe/CdS. It has been used to achieve ohmic contacts to CdTe and is also related to CdTe-based alloys such as CuCdTeO which also possess potential applicability in photovoltaics [1]. Unfortunately, reports on the properties of Cu2-xTe are rather scarce. We have initiated a program that includes theoretical and experimental determination of relevant physical properties for this material. In this work the results of our experimental findings are presented. We have grown Cu2-xTe films by rf cosputtering by using two targets: one made of Cu2-xTe and other of high purity Cu. The power applied to the Cu2-xTe target was constant, namely 40 W, while that on the Cu target was varied from 10 to 30 W in 5-W steps, for different runs. This procedure allowed obtaining samples with different Cu/Te ratios. Additionally, films were grown using substrate temperatures of 50, 200 and 300 °C. This study showed that the best crystalline quality, in terms of the FWHM of the peaks in X-ray diffraction, was achieved when the Cu target was sputtered with 15 W. The samples were characterized by energy dispersive spectroscopy, UV-Vis and micro Raman spectroscopies and low temperature Hall effect measurements.

[1] “Band Gap tuning and high electrical conductivity in amorphous and polycrystalline films of the Cux(CdTe)yOz system” S. Jiménez-Sandoval, G.E. Garnett-Ruiz, J. Santos-Cruz, O. Jiménez-Sandoval. G. Torres-Delgado, R. Castanedo-Pérez and E. Morales-Sánchez, J. Appl. Phys. 100, 113713 (2006). ERW-04 Caracterización eléctrica de películas de CdTe:Cu F. de Moure-Flores1, M. Zapata-Torres2, M. Meléndez-Lira1,2, M. de la L. Olvera3, K.E. Nieto-Zepeda1, A. García-Sotelo1, José G. Quiñones-Galván1, A. Hernández-Hernández1, S. Cerón-Gutiérrez3. 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. 2CICATA-IPN, Unidad Legaria, Legaria 694, Col. Irrigación, 11500, México D.F., México. 3SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. *jdemoure@fis.cinvestav.mx El sistema CdS/CdTe posee un gran potencial en la producción de sistemas fotovoltaicos, debido a que aun se esta muy lejos de alcanzar la eficiencia teórica del 30%. El CdTe tiene una energía de banda prohibida de absorción de 1.5 eV, lo cual lo hace un candidato ideal para la producción de fotovoltaicos, debido a que su energía de banda prohibida de absorción coincide con el máximo del espectro de emisión del espectro solar y el proceso de absorción en este semiconductor es de tipo directo. Sin embargo, la función de trabajo del CdTe es 5.9 eV [1], lo cual es un problema para la formación de contactos ohmicos en el CdTe. Formar contactos ohmicos de baja resistencia en un semiconductor es un requisito básico y de gran importancia para la producción de fotovoltaicos de alta eficiencia. Es por esto, que existe un gran interés en el desarrollo de un semiconductor basado en CdTe que se encuentre impurificado, que sea tipo p y que forme un contacto con altura de barrera baja,

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con la finalidad de ser utilizado en la producción de fotovoltaicos de alta eficiencia. En el presente trabajo se caracterizan eléctricamente películas de CdTe:Cu depositadas mediante la técnica de transporte de vapor en espacio cerrado combinada con evaporación libre (CSVT-FE, por sus siglas en ingles). Se fabricaron contactos ohmicos en las películas de CdTe:Cu, se presentan los resultados de la caracterización I vs V, de Efecto Hall y de la resistividad de dicho material. Referencias. [1] Janik E, Triboulet R. J. Phys. D, Appl. Phys. 1983;16:2333–9. Agradecimientos: Trabajo apoyado parcialmente por CONACyT.

ERW-06

Photocurrent losses due to absorption

in CdTe/CdS solar cells.

L. Gonzalez-Mosqueda and R. Castro-Rodríguez*

Applied Physics Department, CINVESTAV-IPN Mérida, C.P. 97310, Mérida, Yucatán México *romano@mda.cinvestav.mx A practical cell will have losses which reduce its efficiency, and quantification of these losses can identify promising pathways for further cell improvements. The more important losses in solar cells are the Short Circuit Photocurrent (JSC), Open Circuit Voltage and the Fill Factor losses. In this work we propose an investigation of JSC losses due to reflection glass, glass absorption, TCO absorption and specifically the CdS films absorption losses in the structures Glass/ITO/CdS/CdTe solar cells. The JSC in each case was calculated by integrating the Transmittance (T) spectrum multiplied

by the AM1.5 solar photon current

where , q the electric charge and PSolar(λ) is the AM1.5 Solar Spectrum. Using this equation and ideal CdTe cell with band gap of 1.5 eV and T of 100% will yield a photocurrent of 30.5 mA/cm2, that is the maximum

photocurrent available from a CdTe cell under the standard global spectrum normalized to 100 mW/cm2. From the T spectrum of the glass, ITO and the CdS films used in this work, we find that the reflection loss was estimated in 1.9 mA/cm2, glass loss absorption 1.35 mA/cm2, ITO loss absorption 1.43 mA/cm2 and CdS loss absorption of 4.7 mA/cm2. This work has been supported by project No. 59996 CONACyT/México. ERW-07 Influence of two different methods activation treatments on the photovoltaic parameters of CdS/CdTe solar cells. A. Rios-Flores1,*, O. Ares2, R. Castro-Rodríguez1, J.L. Peña1

1Applied Physics Department, CINVESTAV-IPN Mérida, C.P. 97310, Mérida, Yucatán México 2Applied Physics Department, Physics Faculty, Havana University, Havana, C.P 10400 Cuba. * arios@mda.cinvestav.mx We studied the obtention of CdS/CdTe solar cells normalized to the area of 1 cm2 using two different methods of activation treatment. The first method consists in treat cells using CdCl2 vapor in closed space sublimation (CSS) configuration. This treatment was done by varying the treatment time (t) from 15 to 90 min. The substrate temperature and temperature of CdCl2 powder source was 400 ºC. The second treatment method consists in use Freon gas. We placed the cells in a quartz ampoule and a mixture of Ar + CHF2Cl is used. The Freon pressure is varied among between 25 and 35 mbar of partial pressure, with respect to the complete total Ar + CHF2Cl pressure of 400 mbar. After a thermal treatment is performed at 400 ºC for 5 min and samples are kept in vacuum for another 10 min at the same temperature. The best results were obtained using Freon gas. The cells are examined by measuring their current density vs. voltage (J-V) characteristics. The surface morphologies of the cells were analyzed by SEM. The micrographs show that small grains disappear in both cases.

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ERW-09 ZnO deposited by sputtering using N 2O and their characterization using several optics and electric techniques S. Cerón-Gutiérrez1, M de la L. Olvera-Amador1, M. Meléndez-Lira1, F. de Moure-Flores1, J. G. Quiñónes-Galván1, A. Hernández-Hernández1. 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados Del instituto Politécnico Nacional. Av. Instituto Politécnico Nacional 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360 México, D.F. sceron@cinvestav.mx In this work, policristaline ZnO thin films by reactive radiofrecuency magnetron sputtering on silicon (100) substrates and glass sheets –objects employing a 99.995 % pure Zinc target has been produced. Substrate temperature was changed betwen room temperature and 400 ºC with radio frecuency power betwen 25 and 125 W. Partial pressures of N and Argon gases were changed by using values for the presure Ar betwen 0 and 19.5 mTorr and maintaining a total pressure of 20 mTorr. Characterization by X-ray diffraction (XRD) and spectroscopy UV/Vis was carried out, Surface morphology of samples was evaluated by atomic force microscopy (AFM). The effects of the gas composition, temperature and power deposition on the optical, estructural and electric properties are shown. [1] H. L. Dawar, A.K.Jain, C. Jagadish, Semiconducting Transparent Thin Films, Institute of Physics Publishing (1995). [2] D.C. Look, D.C. Reynolds, C.W. Litton, R.L. Jones, D.B. Eason, and G. Cantwell, Applied Physics Letters, 81, (2002) 1830. ERW-10 Physical, optical and electrical properties of undoped ZnO thin films deposited by sputtering. S. Cerón-Gutiérrez1, M de la L. Olvera-Amador1, M. Meléndez-Lira1, F. de Moure-Flores1, J. G. Quiñónes-Galván1, A. Hernández-Hernández1. 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados Del instituto Politécnico Nacional. Av. Instituto Politécnico Nacional 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360 México, D.F. sceron@cinvestav.mx

In this work, policristaline ZnO thin films by reactive radiofrecuency magnetron sputtering on silicon (100) substrates and glass sheets–objects employing a 99.995 % pure Zinc target has been produced. Substrate temperature was changed betwen room temperature and 400 ºC with radio frecuency power betwen 25 and 75 W. Partial pressures of oxygen and Argon gases were changed by using values for the presure Ar betwen 0 and 20 mTorr and maintaining a total pressure of 20 mTorr. Characterization by X-ray diffraction (XRD), PL and spectroscopy UV/Vis was carried out, Surface morphology of samples was evaluated by atomic force microscopy (AFM). The effects of the gas composition, temperature and power deposition on the optical, estructural and electric properties are shown. From the X-ray spectra it can be evidenced that all the films are polycrystalline with a wurtzite hexagonal structure, and a (002) preferential orientation. the optical transmittance was higher than 80%, and ZnO sputtered films deposited in an atmosphere containing only Ar showed a low reflectance. [1] H. L. Dawar, A.K.Jain, C. Jagadish, Semiconducting Transparent Thin Films, Institute of Physics Publishing (1995). [2] Zu-Po Yang, Lijie Ci, James A. Bur, Shawn-Yu Lin, Pulickel M. Ajayan, Nano Letthers, 8 No.2 (2008) 446-451. [3] G. Katumba, L. Olumekor, A.Forbes, G.Makiwa, B. Mwakikunga, J.Lu, E. Wäckerlgård, Solar Enegy Materials & Solar Cells, 92 (2008) 1285-1292. ERW-11 Comparación de la degradación de celdas solares de CdTe con CdS procesado por CBD y CSVT. R. Mendoza-Pérez 1, *, J. Sastre-Hernández 2, G. Contreras-Puente 2 and J. Aguilar Hernández 2 1 Universidad Autónoma de la Ciudad de México; Av. Prolongación San Isidro Núm. 151; Col. San Lorenzo Tezonco; C. P. 09790; México, D. F. 2 Escuela Superior de Física y Matemáticas del IPN., Edificio 9, U.P.A.L.M.; Col. Lindavista; C. P. 07738; México, D. F.

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*kayabix@yahoo.com.mx y rogelio.mendoza@uacm.edu.mx Presentamos los efectos de la degradación en celdas solares de película delgada de CdS/CdTe; cuando la capa de Sulfuro de Cadmio es depositada por las técnicas de Depósito por Baño Químico (CBD) y Transporte de Vapor en Espacio Cercano (CSVT), y con la capa de CdTe depositada por CSVT. En las celdas solares CdS-CBD, el CdS fue depósitado a diferentes concentraciones de azufre con respecto al cadmio en el baño químico S/Cd, mientras que las celdas solares CdS-CSVT el CdS fue depósitado con diferentes tiempos. Tanto el CdS como el CdTe se sometieron a tratamiento térmico con CdCl2. La eficiencia inicial de la celdas solar CdS-CBD fue de 12.3% cuando la relación S/Cd=5 en el depósito de la capa de CdS, por otra parte la eficiencia inicial de la celda solar CdS-CSVT fue de 11.2% cuando el espesor de la capa de CdS fue de 140 nm antes del tratamiento térmico. La variación en el tiempo de los parámetros eléctricos de las celdas solares muestra los efectos de la degradación de estos dispositivos fotovoltaicos hasta nuestros días sometidos a la intemperie. Un estudio y comparación del deterioro de las celdas solares CdS-CBD con diferentes razones S/Cd y CdS-CVST con diferentes tiempos de depósito se muestra en este trabajo mediante la caracterización eléctrica I vs. V. Las condiciones medioambientales de contaminación en la ciudad de México reducen la vida media de las celdas solares. Palabras clave: celdas solares, CdS/CdTe, degradación, eficiencia. ERW-12 I-V response in bio-batteries as a function of electrodes design. C. García-Pacheco1; E. Aquino-García2; J. J. Hernández-Barriga2 y D. C. Altamirano-Juárez2, * 1Instituto Tecnológico de Chetumal, Av. Insurgentes #330. David Gustavo Gutierrez. C. P. 77013, Chetumal, Quintana Roo, México 2Universidad de la Sierra Sur, Guillermo Rojas Mijangos S/N. Col. Cd. Universitaria. C. P.

70805 Miahuatlán de Porfirio Díaz, Oaxaca, México * E-mail de contacto: delcris_1@yahoo.com Bio-batteries were elaborated using 4% of hidroxipolyndol dissolved in water as electrolyte. Due to organic source of the electrolyte the I-V response was evaluated using electrodes of several materials and applying different configurations. The potentials reached up to 0.7V for each battery and until 5.8 V with a battery arrangement connected in series. The produced current has been enough to feed devices of solid state as a ULTRA LED. It is observed that the quantity of produced current varies in function from the variations to the design of the electrodes. The volume of electrolyte of a reference cell is of 800 ml and it has been reduced up to 60 ml, achieving with it improvement of I-V response. These results demonstrate that bio-batteries are true bio-generators of renewable electrical energy Biobaterías fueron elaboradas usando como electrolito un polímero al 4% de concentración disuelto en agua. Debido a la naturaleza orgánica del electrolito, la respuesta I-V fue evaluada usando electrodos de distintos materiales y aplicando distintas configuraciones. El Los potenciales alcanzaron hasta 0.7 V por cada batería y hasta 5.8 V conectadas en serie. La corriente producida ha sido suficiente para alimentar dispositivos de estado sólido como un LED ULTRA. Es observado que la cantidad de corriente producida varía en función de las variaciones al diseño de los electrodos. El volumen de electrolito de una celda de referencia es de 800 ml y se ha reducido hasta 60 ml, con un 50% de incremento en la eficiencia. Estos resultados demuestran que las bio-baterías son verdaderos bio-generadores de energía electricidad renovable.

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SIMPOSIO DE FENÓMENOS FOTOTÉRMICOS Photothermal Phenomena Teoría de las técnicas fototérmicas diferenciales. FFT-01 R Ivanov1, E Marín2, A Cruz-Orea3, I Moreno1, C Araujo-Andrade1 . 1 Facultad de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calz. Solidaridad Esquina Paseo de la Bufa s/n, C.P. 98060, Zacatecas, Zac., México. 2 Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada-Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694, Col. Irrigación, CP 11500, México D.F., México. 3 Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, Av. IPN No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, C.P. 07360, México D.F., México. Las técnicas fototérmicas son una herramienta útil para medir las propiedades térmicas y ópticas de los materiales. En esta presentación vamos a concentrarnos sobre las propiedades térmicas. Muchas veces el error experimental es mayor que la diferencia entre las propiedades térmicas del material de investigación y la muestra de referencia. En tal caso se usan métodos diferenciales de las técnicas fototérmicas, por ejemplo [1,2]. Se presenta la teoría general de los métodos diferenciales y su aplicación. Se muestran las condiciones necesarias para medir la efusividad térmica o/y la difusividad térmica de la muestra. [1] R Ivanov, G Gutierrez-Juarez, J L Pichardo-

Molina, I Moreno, A Cruz-Orea, E Marín. Differential sensor in front photopyroelectric technique. I. Theory. Journal of Physics D: Applied Physics, 2008, vol. 41, N° 8, p. 085106

[2] R Ivanov, E Marín, A Cruz-Orea, J. L. Pichardo-Molina, I Moreno, C Araujo-Andrade. Differential sensor in front photopyroelectric technique: II. Experimental. Journal of Physics D: Applied Physics, 2009 , vol 42, N° 12, p. 125504

FFT-02 Propiedades térmicas efectivas de sistemas multicapas con resistencia térmica de interface en un modelo hiperbólico de conducción de calor. J. Ordóñez-Miranda* and J. J. Alvarado-Gil** Departamento de Física Aplicada, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N-Unidad Mérida. Carretera Antigua a Progreso km. 6, A.P. 73 Cordemex, Mérida, Yucatán, México, C.P. 97310. *eordonez@mda.cinvestav.mx ** jjag@mda.cinvestav.mx El transporte unidimensional de calor mediante ondas térmicas en sistemas multicapas con resistencia térmica de interface es estudiado usando el modelo de Cattaneo-Vernotte de la conducción de calor [1] y considerando una excitación térmica modulada para las condiciones de frontera de Dirichlet y Neumann. En el régimen térmicamente delgado, para la condición de frontera de Dirichlet, una conocida fórmula para la resistencia térmica efectiva es obtenida; mientras que bajo la condición de frontera de Neumann, sólo una identidad para la capacidad calorífica es encontrada. Sin embargo, en el régimen térmicamente grueso y para las condiciones de frontera de Dirichlet y Neumann, una expresión analítica para la difusividad térmica efectiva es obtenida en términos de las propiedades térmicas de las capas componentes y de su resistencia térmica de interface. Se muestra que cuando el tiempo de relajación térmica es del mismo orden de magnitud que el tiempo de termalización de las capas componentes la difusividad térmica efectiva experimenta un fuerte crecimiento. Se encuentra que los límites de aplicabilidad de nuestra ecuación en el régimen térmicamente grueso, dan simples y útiles resultados para la caracterización de sistemas de capas. También se demuestra que nuestros resultados se reducen a los resultados obtenidos usando la ley de Fourier de la conducción de calor [2], cuando los tiempos de relajación térmica de las capas componentes se reducen a cero. El rol del tiempo de relajación térmica, de la resistencia térmica de interface y sus implicaciones en el notable incremento del transporte del calor observado y recientemente

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reportados en datos experimentales [3], son discutidos. [1] D.D. Joseph, L. Preziosi, Heat waves, Rev.

Mod. Phys. 61 (1) (1989) 41-73. [2] J.L. Lucio, J.J. Alvarado-Gil, O. Zelaya-

Angel and H. Vargas, On the thermal properties of a two-layer system, Phys. Stat. Sol. (a) 150 (2) (1995) 695-704.

[3] J.A. Eastman, S.U.S. Choi, S. Li, W. Yu, L.J. Thompson, Anomalously increased effective thermal conductivities of ethylene glycol-based nanofluids containing copper nanoparticles Appl. Phys. Lett. 78 (6) (2001) 718–720.

FFT-03 Análisis de la difusión del azul de metileno en agar phantoms. L. Vilca-Quispe1,*, J. Ordonez-Miranda2, J. J. Alvarado-Gil3, P. Quintana4, J. May-Crespo5

1,2,3,4,5 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional Unidad Mérida, Departamento de Física Aplicada, Carretera Antigua a Progreso km. 6, Col. Gonzalo Guerrero, C.P. 97310, Mérida, Yucatán, México. * lvilca@mda.cinvestav.mx En este trabajo la cinética de difusión del azul de metileno en agar acuoso es estudiada usando una técnica fotoacústica. El agar phantom es muy usado en medicina, porque este imita el tejido celular [1]. Uno de los principales intereses de estudiar la difusión de substancias en tejidos es entender que sucede luego de que el medicamento es administrado. Se prepararon dos concentraciones de agar en agua de 0.01% y 0.05% relación peso volumen. El estudio fue realizado usando una celda Rosencwaig modificada [2], la cual es cerrada por ambos lados con ventanas transparentes. La muestra es depositada directamente en la ventana superior, por el lado opuesto, la muestra fue iluminada por un láser modulado. Los experimentos fueron desarrollados recolectando la evolución temporal de la señal fotoacústica a frecuencias fijas. Durante los primeros segundos del experimento, la amplitud experimentó un cambio notable, seguido por un decaimiento gradual y de larga duración temporal. Resultados para frecuencias en el

rango de 10 a 80 Hz para las diferentes concentraciones son presentados, mostrando grandes diferencias en el proceso de difusión del azul de metileno. Se mostró que el comportamiento de los resultados experimentales está predicho por el modelo teórico desarrollado. Referencias. [1] Ernest L Madsen, Maritza A Hobson, Hairong

Shi, Tomy Varghese and Gary R Frank Phys. Med. Biol. 50 (2005) 5597–5618.

[2] Nils C. Fernelius, J. Appl. Phys.51(1), 1980. FFT-04 Estudio de procesos termo-transitorios ultrarrápidos en superficies metálicas J. Garduño-Mejía*, R. Ortega-Martínez Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Cto. Ext. s/n, C.P. 04510, D.F., México. * jesus.garduno@ccadet.unam.mx Las propiedades térmicas y eléctricas de una película delgada, para el mismo material, son diferentes en bulto ó volumen, debido por ejemplo, a los cambios en la estructura de grano, concentración de defectos, espesor mismo ó interacción con el sustrato. Estas diferencias pueden tener como consecuencia la variación en propiedades como los tiempos de termalización, propiedades ópticas, etc. Debido a que un comportamiento universal para estas diferencias no es esperado y ya que no pueden ser predichos fácilmente, las propiedades de cada material deben ser medidas de manera independiente, aplicando para ello diferente tipo de técnicas. Técnicas relativamente simples, no invasivas que nos ayuden a determinar parámetros importantes y permitan la caracterización de diferentes materiales son deseables. En el presente trabajo se describe una técnica de espectroscopia de resolución temporal basada en la Reflectancia y Transmitancia Termo-Transitoria (TTR y TTT) [1,2], para el estudio de la dinámica electrónica en películas metálicas y superficies semiconductoras utilizando un láser de femtosegundos. En estas, un pulso es dividido en dos, uno intenso (bombeo) y otro débil (prueba). El pulso

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de bombeo es utilizado para perturbar la superficie del material y por otro lado, controlando la longitud de camino óptico del pulso de prueba, se produce un tiempo de retraso relativo entre ambos. El pulso de prueba, entonces, toma una “fotografia” de la reflectancia o transmitancia a diferentes tiempos de retraso, con resolución temporal del orden de la duración del pulso. Los cambios en la reflectancia y transmitancia medidos estarán asociados a los tiempos de termalización, evolución de la temperatura electrónica, evolución de la temperatura de la red (lattice) y el factor de acoplamiento térmico entre electrones-fonónes del material bajo prueba. Siendo un método no invasivo, es muy atractivo para la caracterización de películas ultra delgadas (<10 nm) y nanoestructuras metálicas [3,4]. [1] S. I. Anisimov, B. L. Kapeliovich and T. L. Perel’man, Soviet Physics Jetp, 39, (1974) 375 [2] Rosei R., Physical Review B , 10, (1974), 474-483. [3] J. Garduño-Mejía, M. P. Higlett and S. R. Meech, Chemical Physics, 341, (2007), 276-284 [4] J. Garduño-Mejía, M. P. Higlett and S. R.

Meech, Surface Science, 602, (2008), 3125–3130

Agradecimientos: Los autores agradecen el apoyo por parte del CONACyT (CB-2007-80313, 34921-E y 4480-A9406) FFT-05 Structural, microstructural and photothermal characterization Cu x(CdTe)yOz thin films growth by radiofrequency sputtering R. Velazquez-Hernandeza,*, I. Rojas-Rodriguezb, S. Jiménez-Sandovalc, M.E. Rodriguez-Garciad

a División de Investigación y Posgrado, Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Querétaro, Cerro de las Campanas S/N, Querétaro, Qro., México, C.P. 76010 b Universidad Tecnológica de Querétaro, México. Av. Pie de la Cuesta S/N, Sn. Pedrito Peñuelas Querétaro, Qro. México c Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado

Postal 1-798, Querétaro, Qro., México C.P.76001 d Departamento de Nanotecnología, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México, Campus Juriqulla, Apartado Postal 1-1010, Querétaro, Qro. México In this research presents a structural and photothermal characterization of quaternary thin films Cux(CdTe)yOz growing by reactive radiofrequency co-sputtering introducing oxygen and argon in the chamber during growth. The electronic carrier density as a function of the position was studied by using photocarrier radiometric spectroscopy (PCR). Optical and structural characterization was carried out by micro Raman spectroscopy and X-ray diffraction. PCR and micro Raman images were used to study the position carrier distribution and crystalline quality. Due to the non destructive and non contact characteristics, the PCR is an excellent technique; it allows us to obtain electronic distributions and also can be used at in-situ applications. FFT-06 Diagnóstico médico por medio de termografía infrarroja. Eleazar Samuel Kolosovas Machuca1,2* 1 Instituto de Investigación en Comunicación Optica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470 Lomas 4ª Secc., C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., Mexico 2 Facultad de Ciencias, UASLP, Nillo Artillero 45, Col. Universidad, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., Mexico kolosovas@cactus.iico.uaslp.mx El aumento de temperatura es comúnmente utilizado como un indicador de enfermedad y como índice del progreso de la mayoría de las afecciones [1]. La distribución de temperatura en la piel humana ya ha sido utilizada para diagnóstico clínico [2,3], para el monitoreo de la efectividad de tratamientos [4] y para estudiar funciones fisiológicas en sujetos normales [5]. Muchas enfermedades e infecciones presentan, entre sus primeros síntomas, a la fiebre que es un aumento significativo en la temperatura corporal y está puede ser detectada incluso por el paciente que la padece. En el caso específico del cáncer de seno se ha demostrado que un

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tumor puede elevar la temperatura de la superficie de la piel hasta 2 grados centígrados [6]. En el caso de las quemaduras, la piel quemada presenta necrosis y menor circulación sanguínea lo que hace que la zona afectada presente menor temperatura. Usando una cámara termográfica es posible conocer con mucha precisión puntos o áreas de temperatura. La sensibilidad de los instrumentos infrarrojos ha mejorado notablemente y ahora se acerca a los 0.025 grados C, por lo que ahora permiten medir confiablemente pequeños cambios de temperatura [7]. [1] R. P. Clark and M. R. Goff, “Medical Thermography - Current Status,” Proc of SPIE Vol. 1320, 1990, pp. 242-250. [2] D. Park, N. H. Seung, J. Kim, et al., “Infrared thermography in the diagnosis of unilateral carpal tunnel syndrome,” Muscle and Nerve, Vol. 36, No. 4, 2007, pp. 575-576. FFT-07 Thermo-electronic and structural studies of Silicon doped GaAs growth by MBE using PCR. J. A. Villada, M. López-López, S. Jiménez-Sandoval, M. E. Rodríguez-García CINVESTAV-Querétaro, Libr. Norponiente No. 2000, Fracc. Real de Juriquilla, CP 76230 Querétaro, Qro., México. Departamento de Nanotecnología, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, UNAM Apartado Postal 1-1010 76000 Querétaro, Qro., México. This work presents a detailed study of the thermo-electronical and structural properties of silicon doped GaAs. The study was made on a set of eight samples grown by Molecular Beam Epitaxy. The temperature of the Silicon effusion cell was varied from 1120 to 1330ºC in order to obtain GaAs layers with different Silicon concentrations. Parameters such as: substrate temperature, Gallium effusion cell temperature and growing time remained constant. The final Si-doping level was obtained by Hall measurements at room temperature; it is evident that electrical deactivation occurs for higher temperatures than 1240ºC; this phenomenon can be associated to an auto-compensation process. The signal of Photo Carrier Radiometry (PCR) was related with the carrier concentration measured by Hall Effect. Additionally, PCR

images were obtained for the whole surface for each sample in order to establish the uniformity of the carrier incorporation into the sample. On the other hand, the structural properties were studied by X-ray rocking curves. It is presents for the first time how the preferential incorporation of the silicon into the GaAs can be observed in the X-ray pattern comparing the peaks correspond to (400) and (200) directions. Making a correlation between Hall measures, PCR intensity and X-ray pattern is possible to determinate that the auto-compensation is not the only mechanism to explain the electrical deactivation. [3] F. M. M. Ya'ish, J. P. Cooper, M. A. C. Craigen, “Thermometric diagnosis of peripheral nerve injuries - Assessment of the diagnostic accuracy of a new practical technique,” Journal of Bone and Joint Surgery, Vol. 89B, No. 7, 2007, pp. 933-939. [4] L. Weibel, M. C. Sampaio, M. T. Visentin, et al., “Evaluation of methotrexate and corticosteroids for the treatment of localized scleroderma (morphoea) in children,” British Journal of Dermatology, Vol. 155, No. 5, 2006, pp. 1013-1020. [5] V. Shusterman, K. P. Anderson and O. Barnea, “Spontaneous skin temperature oscillations in normal human subjects,” Am J Physiol Regul Integr Comp Physiol, Vol. 273, 1997, pp. R1173-R1181. [6] W. Xie, P. Mccahon, K. Jakobsen, and C. Parish, "Evaluation of the Ability of Digital Infrared Imaging to Detect Vascular Changes in Experimental Animal Tumours," Int. J. Cancer 108 (2004) 790. [7] J. F. Head, R. L. Elliott, “Infrared imaging: making progress in fulfilling its medical promise,” IEEE Eng in Med and Biol Mag, Volume 21, Issue 6, Nov.-Dec. 2002, pp. 80 – 85. FFT-08 ESPECTROSOCPIA FOTOACUSTICA APLICADA EN EL ANALISIS CUANTITATIVO. Dr. José Abraham Balderas López Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del Instituto Politécnico Nacional, Av. Acueducto S. N., col. Barrio la Laguna Ticomán, Del. Gustavo A. Madero, C. P. 07340, México, D. F., MEXICO

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Desde el desarrollo de las técnicas fotoacústicas, utilizando micrófonos como sistemas de detección, se han llevado a cabo diversas metodologías para llevar a cabo caracterización térmica y óptica de la materia en la fase condensada. La aplicación de estas metodologías en el análisis cuantitativo (cuantificación de una especie química que se encuentra disuelta en otra) sin embargo, no se ha llevado a cabo en forma sistemática debido en parte a la carencia de los modelos fotoacústicos apropiados para dichos objetivos. En este trabajo se exponen algunos esquemas fotoacústicos, recientemente desarrollados por el autor, para llevar a cabo el análisis cuantitativo de pigmentos en soluciones líquidas e inmersos en una matriz sólida, se describen los modelos matemáticos utilizados y se presentan algunos resultados.

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SIMPOSIO DE MEMS Y MICROELECTRÓNICA. Microelectronics and MEMS Test Structures for Transmission Line Characterization used in Clock Generation and Distribution Systems. MYM-01 O. González-Díaz, M. Linares-Aranda, R. Torres-Torres. Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE), Luis Enrique Erro No. 1 Santa María Tonantzintla, Puebla C. P. 72840 Apartado Postal 5, Puebla México. mlinares@inaoep.mx Nowadays, the demand for ever higher operation frequencies and data rates impose a significant challenge for the design of clock distribution networks for Systems on chip (SoC) applications. Due to the continuous down scaling of the fabrication technology and increased area of the integrated circuits the global interconnections have a significant impact in the performance of high frequency systems. This is owed mainly to the increase in the density and the distance that the global interconnections need to span. Traditionally the interconnections have been modeled using simple R and RC models. Nevertheless, in current and future high-speed IC’s technologies that model for interconnection lines is becoming inadequate and inaccurate. Therefore, the current trends make it necessary to consider a high-frequency R, L, C equivalent model for delay calculations in the interconnections. In previous woks the high frequency equivalent model is obtained from technology parameters and from S-parameter data. The results show that the equivalent model obtained from S-parameters presents better accuracy when are compared with simulations that take into account more parasitic effects. In this work, we present the design and fabrication of high frequency test structures for the transmission line characterization. The test structures are eight microstrip lines designed using various conductor and ground plane

configurations. The interconnection lines are designed and fabricated in metal4 level using an Austriamicrosystems 0.35 µm process technology. Access to the microstrip line conductors is provided by chamfered 95 x 95 µm2 signal pads constructed in metal4. On either side of each pad signal, pads are used to contact the ground plane using ground-signal-ground (GSG) device probes of 150-µm pitch. The S-parameter measurements obtained from the test structures are used to obtain the values of the resistance, inductance and capacitance for the high frequency equivalent model. Acknowledgment. This work was supported by the Conacyt-Mexico under Grant #51511-Y and scholarship #166074. MYM-02 Análisis y caracterización de un acelerómetro capacitivo fabricado con tecnología PolyMUMP’s. R.I Rincon-Jara1,*, R. Ambrosio1, J. Mireles1. 1 Centro de Investigación en Ciencia y Tecnología Aplicada, Universidad Autónoma de Ciudad Juárez, Ave. Del Charro 450 N, C.P. 32310, Cd. Juárez, Chihuahua, México. * ivancatedral@yahoo.com.mx En este trabajo se presenta el análisis y caracterización del diseño de un acelerómetro del tipo capacitivo desarrollado en el CICTA y fabricado con tecnología PolyMUMP’s. Simulaciones experimentales de referencia mediante Coventor indican que para la utilización de un sensado capacitivo, se requiere un sistema que pueda detectar fF (fempto Faradios) de resolución, lo cual es un problema de ingeniería y conectividad no sencillo. El diseño del acelerómetro cuenta con un conjunto de peines fijos y otro con peines móviles que tienen las mismas dimensiones de 3.5µm de grosor, 2µm de ancho y 30µm de longitud. Este dispositivo se caracterizó con el fin de determinar los diferentes parámetros de operación y desempeño, los resultados se obtuvieron integrando un sistema experimental compuesto por un aparato de vibración llamado Shaker y realizando las mediciones con un lector de capacitancia universal MS3110 [1], además se muestran resultados de vibraciones estructurales obtenido con el analizador de vibraciones Polytec. Debido a las capacitancias

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existentes entre las diferentes placas del dispositivo se analizo sus valores con el MS3110, capaz de medir valores de capacitancia con resolución de 4.0aF/rtHz y cuyos valores para las capacitancias fueron de

111 1.48 10CS x F−= y 112 1.3075 10CS x F−= para cada uno de los segmentos del dispositivo respectivamente. La capacitancia inicial ayudo a conocer cuales serian las valores de referencia a los que el acelerómetro se sometería al momento de poner el mismo bajo un sistema de vibración. Para someter el acelerómetro bajo movimiento, fue necesario analizarlo bajo un sistema de vibración estructural con el fin de determinar las resonancias mecánicas que afectaran al dispositivo bajo una respuesta a la frecuencia, las frecuencias mecánicas fueron obtenidas con un analizador de vibración estructural MS-400 de Polytec y realizando una medición fuera del plano del mismo, los resultados obtenidos fueron 359Hz, 718Hz y 12.38KHz. El acelerómetro se encapsulo en un dispositivo tipo DIP SO4, para poder montarlo sobre el shaker y conectarlo al lector de capacitancia, así con el encapsulado listo el acelerómetro se puso en vibración, obteniendo un voltaje de salida proporcional a una respuesta a la frecuencia. Las figuras de merito mas importes obtenidas se presentan en este trabajo: la sensibilidad y la no linealidad. Los resultados obtenidos mostraron un valor de sensibilidad por el cambio de voltaje en relación a la gravedad de 1.4 mV/g y la no linealidad que este presentaba a la máxima desviación de la curva de la sensibilidad de 0.85. [1] “MS3110BDCP Operating Specifications and User Manual”, Irving Sensor Corporation, Costa Mesa, California USA, 2004. MYM-03 Micro-electronic circuit design for amplification and modulation in a MEMs human blood-pressure sensor. E. Vela-Peña1, I. Quiñones-Urióstegui1, F. Martinez-Piñon2, J.A. Alvarez-Chavez2,* 1Instituto Nacional de Rehabilitacion, Calz. México Xochimilco No. 289 Col. Arenal de Guadalupe, C.P.14389 D.F. Mexico 2Centro de Investigacion e Innovacion Tecnologica – IPN, Cerrada Cecati S/N, Col. Santa Catarina, C.P. 02250, D.F. Mexico

*Corresponding autor: jalvarezch@ipn.mx In this paper the design and simulation of an integrated circuit for electric signal amplification and digitalization from a MEMS pressure sensor is presented. The signal consists on a variable voltage from 0 to 10 mV, 1 mA and frequency from 50 to 500 Hz. Its simple, but effective design consists on an operational amplifier (op-amp) configured as a differential amplifier which amplifies the signal (up to 3V and 10mA), originating from a Wheatstone bridge in the MEMS sensor, and then this signal is digitalized and modulated via pulse width modulation (PWM). The technology used in this circuit is MOSIS AMI 1.5 um. The circuit was designed with a two-stage Op-Amp used along several stages of the system. The use of a differential amplifier, the two-stage Op-Amp and the PWM simplifies the design and makes it compact due to the use of fewer components (40 transistors). The use of PWM facilitates processing of the signal in later stages. The result is the design and simulation of the circuit. It consists in the schematic diagram and layer diagram with all the rules specified in the process MOSIS AMI 1.5 um. Electric and LTspice software were used in the design and simulating of the circuit. A full description of the design philosophy, design criteria, output traces and curves and results will be presented. MYM-04 Punta con microelectrodos de silicio tipo P +.

Benítez-Lara1*, S. Alcántara-Iniesta1, F. López-Huerta2, B.S. Soto-Cruz2, 1 Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 2 Facultad de Ciencias Fisico-Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria C.P. 72570, Cd. Puebla, México. *titomate@hotmail.com Los electrodos son transductores de iones que permiten hacer contacto eléctrico entre medio electrolito a un circuito; un microelectrodo es la misma interfaz, sólo que a dimensiones

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micrométricas. Existen distintos tipos de microelectrodos; los elaborados con alambre de tungsteno, de micropipeta y los elaborados por tecnología de microelectrónica y micromaquinado. Algunos microelectrodos basados en esta tecnología, utilizan interfaz metal-electrolito; existen otros que utilizan la interfaz semiconductor electrolito. En este trabajo se presenta el diseño y desarrollo del proceso tecnológico de una punta de microelectrodos de silicio tipo p+. Este dispositivo será parte de un sistema de posicionamiento (microdrive) ocupado para estudios en cerebro de ratas de laboratorio. La elaboración de esta punta se basa en tecnología de microelectrónica y micromaquinado, para dar forma al material a dimensiones micrométricas. Se diseñó un procedimiento de micromaquinado, que consiste en ataque anisotropico gradual para formar la punta. La punta consiste de 5 microelectrodos de 30 x 30m a una distancia entre ellos de 150m, conectados a las terminales de un circuito integrado amplificador. Se empleo sustratro de Silicio tipo N, resistividad 2 x 1015cm-3. Sensores piezoeléctricos de fluoruro de polivilideno modificado con nanopartículas de sílice para aplicaciones en MEM'S. MYM-05 Concepción Arenas1*, Erika Loa2, Domingo Rangel1, Victor M. Castaño1. 1 Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada Universidad Nacional Autónoma de México, Boulevard Juriquilla, Santiago de Querétaro, Querétaro 76230, México. 2 Universidad Autónoma de Querétaro, Centro Universitario s/n Col. Las Campanas Querétaro, Querétaro 76000, México. *mcaa@fata.unam.mx; castano@fata.unam.mx El fluoruro de polivideno (PVDF) es un termoplástico semicristalino con tres fases cristalinas (β, α, γ). A temperatura ambiente, coexisten las fases alfa y beta, siendo ésta última polar y responsable de las características piezoeléctricas del PVDF. El predominio de la fase beta en el polímero se ha logrado mediante un estiramiento mecánico o bien, a través de una coextrusión en estado sólido. Masahiro et al y Wenzhong encontraron que la fase beta puede

predominar al someter el polímero a un tratamiento térmico entre 60 y 80ºC [1,2]. Se ha encontrado que este polímero en forma de película presenta microcavidades afectando sus propiedades mecánicas y eléctricas. La inclusión de otro polímero con diferentes solventes han mejorado la superficie de las películas de PVDF [2]. Por otro lado, las principales aplicaciones tecnológicas de este polímero piezoeléctrico han sido como sensores de presión y sensores táctiles en el campo de la medicina [2,3]. Sin embargo, su utilización en la tecnología MEM's no ha sido completamente aprovechada. En este trabajo de investigación se propone desarrollar sensores piezoeléctricos de PVDF con nanopartículas de sílice para su posible aplicación en MEM's. Se prepararon películas de PVDF con diferentes concentraciones de nanopartículas de sílice, utilizando como solvente dimetilformamida (DMF). La mezcla del polímero + sílice se expuso a una temperatura de 70ºC y las películas se prepararon por drop-casting. Se dejaron secar a una temperatura de 60ºC durante 24 horas para obtener mayor homogeneidad en las películas. Se fabricaron dispositivos de PVDF con contactos metálicos de cobre, con y sin nanopartículas de sílice, para determinar sus propiedades piezoeléctricas. Las películas fueron caracterizadas mediante infrarrojo, rayos-X, microscopía electrónica de barrido y medidas sus propiedades mecánicas. [1] Masahiro Inoue, Yasunori Tada, Katsuaki Suganuma, Hiroshi Ishiguro, Polymer Degradation and Stability, 92 (2007) 1833. [2] Wenzhong Ma, Jun Zhang, Shuangjun Chen, Xiaolin Wang, Applied Surface Science, 254 (2008) 5635. [3] A.V. Shirinov, W.K. Schomburg, Sensors and Actuators A, 142 (2008) 48. [4] Kazuto Takashima, Satoshi Horie, Toshiharu Mukai, Kenji Ishida, Kazumi Matsushige, Sensors and Actuators A, 144 (2008) 90. MYM-06 Diseño de un transductor aplicable en un sensor de presión arterial inspirado en el modelo de la elasticidad arterial, utilizando la tecnología MEMS. M.F. Franco-Ayala1, F. Martínez-Piñón1, J. A. Alvarez-Chavez1 *, A. Reyes-Barranca2.

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1Centro de Investigación e Innovación Tecnológica (CIITEC) - IPN Cerrada Cecati s/n, Col. Santa Catarina, Del. Azcapotzalco, México D.F. 02250 2Centro de Investigación y Estudios Avanzados (CINVESTAV) del IPN Ave. Instituto Politécnico Nacional 2508 Col San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F. *mfrancoa0800@ipn.mx En este trabajo de presenta un diseño de un sensor de presión arterial invasivo basado en la elasticidad de la pared arterial utilizando como base la tecnología de micro fabricación Bio-MEMS. La presión arterial (PA) o tensión arterial (TA) es la presión que ejerce la sangre contra la pared de las arterias. Esta presión es imprescindible para que circule la sangre por los vasos sanguíneos y aporte el oxígeno y los nutrientes a todos los órganos del cuerpo para que puedan funcionar. Es un tipo de presión sanguínea[1]. La presión arterial tiene dos componentes: Presión arterial sistólica: corresponde al valor máximo de la tensión arterial en sístole (cuando el corazón se contrae). Se refiere al efecto de presión que ejerce la sangre eyectada del corazón sobre la pared de los vasos. Presión arterial diastólica: corresponde al valor mínimo de la tensión arterial cuando el corazón está en diástole o entre latidos cardíacos. Depende fundamentalmente de la resistencia vascular periférica. Se refiere al efecto de distensibilidad de la pared de las arterias, es decir el efecto de presión que ejerce la sangre sobre la pared del vaso. La presión arterial es la fuerza que ejerce la sangre al circular por las arterias, mientras que tensión arterial es la forma en que las arterias reaccionan a esta presión, lo cual logran gracias a la elasticidad de sus paredes. Si bien ambos términos se suelen emplear como sinónimos, es preferible emplear el de presión arterial. La relación entre ambas se puede expresar mediante la ley de Laplace

Donde P es la presión T es la tensión y r el radio de un vaso sanguíneo[2]. Basándonos en estos parámetros se realizo el diseño de la membrana transductora[3] la cual realizara la medición de la presión ejercida por la sangre en la pared arterial, para esta estructura utilizaremos las propiedades

piezoeléctricas del silicio, tomando como base la estructura mencionada se han modificado diferentes parámetros entre los que destacan el tamaño de la superficie de contacto la cual es un cuadrado de 1000 µm y el espesor de la membrana, que se deforma al recibir la presión ejercida por la sangre en la pared arterial, siendo la medida de diseño en un principio de 18 µm[4] pero al ir desarrollando el modelo de la arteria, nos hemos dado cuenta que es un espesor bastante grande, el cual podría funcionar de mejor forma al reducirlo, se presenta este trabajo el modelado y simulación del diseño de esta estructura realizado con ayuda del software COVENTOR[5] en el cual se modifico el espesor de la membrana a la medida de 3 µm[6]. Esta medida se tomo basandonos en la capacidad de definición que tiene el proceso desarrollado por la empresa MultiMEMS la cual muestra en sus reglas de diseño. [1]O'Rourke M (1995). «Mechanical principles in arterial disease». Hypertension 26 (1): 2–9. PMID 7607724. [2] Textbook of Medical Physiology, 7th Ed., Guyton & Hall, Elsevier-Saunders, ISBN 0-7216-0240-1, page 220. [3] Madou, M. J. (2002). Fundamentals of Microfabrication. (2nd ed.). CRC Press. [4] Stephen D. Senturia, “MICROSYSTEMS DESIGN”, Kluwer Academic Publishers [5] http://www.coventor.com/ [6]MultiMEMS Design Hand Book Version 4.1 ©2007 Infineon Technologies SensoNor AS. All Rights reserved. Agradecimientos: CONACYT, SIP-IPN MYM-07 Fabricación y Caracterización de Estructuras Micromecánicas con Polisilicio para el Análisis de Mecanismos de Colapso . D. Díaz A.*, A. Alanís N.1, A. Torres J., W. Calleja A., F.J. De la Hidalga W., J. Molina, M. Linares A., C. Zuñiga, C. Reyes B., M. Landa, M. Escobar A., N. Carlos R., I. Juárez R., J.M. Álvarez L., F. Quiñones N., A. Cortes C., A. Itzmoyotl T., M.E. Hernández L. INAOE Laboratorio de Microelectrónica y Centro de Diseño de MEMS, Tonantzintla, Puebla, Méx.

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1 Centro de Investigación en Energía – UNAM, Morelos, México. * ddalonso@inaoep.mx Los esfuerzos mecánicos residuales presentes en las películas de silicio policristalino (Polisilicio) son críticos en la operación mecánica de sensores y actuadores. A partir del diseño, fabricación y caracterización de estructuras de prueba, tales como estructuras tipo Puente, Anillo-Viga y Diamante [1] se realizaron las mediciones experimentales de los esfuerzos residuales. Se realizó un análisis en las películas de polisilicio sin tratamiento térmico post-dopado, obteniéndose un esfuerzo residual de compresión de MPa79−=σ , reduciéndose

a MPa21−=σ con un tratamiento térmico post-dopado a 1000ºC y 1100ºC durante 30 minutos en ambiente de nitrógeno, en ambos casos se utilizó un valor del Módulo de Young de MPaE 160= . Es importante mencionar que en la práctica es imposible eliminar completamente los esfuerzos residuales, sin embargo, un valor considerado como “cero esfuerzo residual” es típicamente de ±5MPa [2]. El proceso de fabricación de las estructuras de prueba se realizó utilizando la tecnología de micromaquiado superficial PolyMEMS III con dos niveles de polisilicio, ajustando las dimensiones de las estructuras para magnificar la influencia de los esfuerzos mecánicos residuales. Para analizar la operatividad de las estructuras de prueba se realizaron simulaciones con condiciones establecidas por el proceso de fabricación, utilizando el programa de simulación con licencia CoventorWare. [1] H Guckel, D Burns, C Rutigliano, E Lovell and B Choi, “Diagnostic Microstructures for the Measurement of Intrinsic Strain in Thin Films,” Journal of Micromechanical Microengineering, Vol. 2, 1992, p.86 [2] Buschow, K.H.J., et al Encyclopedia of Materials Science and Technology. Elsevier, Oxford, 2001. MYM-08 Diferencias divididas de Newton para interpolación de presiones máximas obtenidas en asientos prototipos para lesionados medulares G. Gayol-Merida1, F. Martinez-Piñon2, J.A. Alvarez-Chavez2,*

1Instituto Nacional de Rehabilitacion, Calz. México Xochimilco No. 289 Col. Arenal de Guadalupe, C.P.14389 D.F. Mexico 2Centro de Investigacion e Innovacion Tecnologica – IPN, Cerrada Cecati S/N, Col. Santa Catarina, C.P. 02250, D.F. Mexico *Corresponding autor: jalvarezch@ipn.mx Los lesionados medulares, por su condición se encuentra en mayor riesgo de desarrollar úlceras por presión. esta complicación puede ocasionar mayor discapacidad o llevarlos a la muerte. Una forma prevenir la formación de úlceras es a través del uso de asientos especiales. Existen diferentes tipos de asientos la mayoría de este tipo de asientos son comerciales, de importación y en muchas ocasiones no satisfacen las necesidades de reducción de presión de los usuarios. Una forma de cubrir las necesidades de reducción de presión, es diseñando un asiento a la medida del usuario mediantes las herramientas que nos proporcionan los métodos numéricos. El presente trabajo, expone ejemplo del uso del método de diferencias divididas de Newton que para el análisis de resul-tados de presión de pacientes reales y sanos a quienes, basados en el análisis se les diseño un asiento prototipo. Dichos asientos están siendo desarrollados en el Instituto Nacional de Rehabilitación y el Centro de Investigacione Innovacion Tecnologica del IPN mediante la tecnología MEMs basada en parte, en estos cálculos. El método usado de diferencias divididas de Newton, se eligio con el fin estimar valores de presión de valores inter-medios de pesos corporales y su alto grado de confiabilidad. El trabajo presentara extensivamente los resultados obtenidos hasta ahora.

MYM-09 Conferencia Invitada Effects of Electrical Stimulator over Human Cornea Luis Niño de Rivera and Daniel Robles Camarillo National Polytechnic Institute of Mexico, SEPI luisninoderivera@gmail.com We discuss the effects of electrical stimulation in human corneas (transcorneal electrical

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stimulation (TES).) The applied waveform model is generated on a digital processor by means of an adaptive finite impulse response (FIR) filter, which output waveform is synthesized from the original waveform registered from a multi-focal electroretinograph (MF-ERG). The electrical stimulation applied in patients with central retinal artery occlusion (CRAO) reported phosphenes The ERG analysis indicates that the TES indeed causes an effect of neuronal activity improving sight vision in patients with CRAO. We discuss the effects of electrical stimulation over human cornea, to investigate possibilities for transmitting electrical Patterns and images to the area vision through optical nerves.

Paciente 1: 69 a –os, OACR 2 meses

Respuesta electroretinogr ‡fica paciente 1

a)

b)

ERG de Control ERG 1 d’a despu s ERG 7 d ’as despu s

Figura 2 respuesta electroretinogr ‡ficapaciente 1 con modificaci —n de la onda B

Real time acquisitionand processing

Estimulaci—n electricaa a nervio —ptico

Communicationvia RF

[1] Luis Niño de Rivera, Alejandra Alcalá D, Miguel Cruz Irisson, and V.I. Ponomaryov. "A Biocompatible PMMA Encapsulated Vision Prosthesis Case for Silicon Retina" Telecommunications and Radio Engineering, Vol. 64-No.12 ISSN 0040-2508 Index By Inspec and Scopus.,PP 1047-1056 [2] D. ROBLES, CAMARILLO, L. NIÑO DE RIVERA, H. QUIROZ "Cornea`s Stimulator Electronic System", 19 TH BIENNIAL INTERNATIONAL EURASIP CONFERENCE "BIOSIGNAL 2008"

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SIMPOSIO DE NANOESTRUCTURAS. Nanostructures NAE-01 Elaboración de moldes de alúmina porosa para fabricación de nanoAlambres metálicos. A.J. Giménez Gómez*, J.M. Yáñez Limón. Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional Libramiento Norponiente #2000, fracc. Real de Juriquilla. C.P. 76230. Santiago de Querétaro, Qro., México. *agomez@qro.cinvestav.mx Se reporta la elaboración de plantillas o moldes de óxido de aluminio con poros de un diámetro de aproximadamente 35 nm, estos moldes son útiles para fabricar nanoAlambres usando métodos de depósito electroquímico. Estos poros se elaboran por medio de un proceso de anodizado en dos pasos sobre aluminio metálico, el anodizado se realiza en una solución de acido oxálico donde se aplica una corriente eléctrica usando una fuente de poder controlada por computadora que fue diseñada específicamente con este fin. Se realiza un proceso de dos pasos para mejorar el orden y la uniformidad en la formación de los poros. Para poder realizar el depósito electroquímico es necesario remover la capa remanente de óxido de aluminio en el fondo del poro esto se realiza con un ataque de acido fosfórico al mismo tiempo que se mide la conductividad eléctrica de la capa del óxido de aluminio con el fin de hacer un ataque óptimo sin disolver en exceso la matriz porosa. Agradecimientos. Se agradece el apoyo de CONACYT (beca doctoral) y Concyteq (apoyo a congreso). NAE-02 Nanoencapsulación De Coenzima Q10 En Polímeros Derivados Del Ácido Láctico Por El Método De Desplazamiento De Solvente.

E. Ronquillo de Jesús1*, San Martín Martínez1, José Guzmán Mendoza1, Ruth Pedroza1

Centro de investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694. Colonia Irrigación, 11500 México D. F. elba_ronquillo@hotmail.com La coenzima Q10 (Ubiquinona) (CoQ10), es una molécula cristalina insoluble en agua que se sintetiza de manera natural en las células de todos los organismos que metabolizan el oxigeno para su respiración, su principal función es como cofactor, participando en el transporte de electrones en la cadena respiratoria dónde la célula sintetiza la energía que requiere para realizar todas sus funciones metabólicas en forma de adenosin trifosfato (ATP) [1]. Hoy en día el mercado ofrece diversas formulaciones para la suplementación con CoQ10. Sin embargo el tamaño de partícula de la CoQ10 sigue siendo un problema debido a la baja solubilidad en agua y el organismo es incapaz de absorber esta molécula cristalina. Existen además otros factores que pueden afectar la absorción de la CoQ10, como son el tipo de vehículo que se usa para trasportar a la CoQ10 y la dosis diaria. [2]. Se realizo la nanoencapsulación de Coenzima Q10 en polímeros derivados del ácido láctico por el método de desplazamiento de solvente, obteniéndose una suspensión coloidal estable con tamaño de partícula homogénea, y se obtuvieron estructuras de tamaño nanométrico. Estas estructuras de CoQ10 fueron evaluadas por Transmission electron microscopy (TEM), observándose diferentes morfologías del cristal, además se visualizo la heterogeneidad de tamaño del cristal, por Difracción de Rayos X se obtuvo un tamaño promedio de 20nm aproximadamente. Con este método se logro disminuir el tamaño del cristal de la Coenzima Q10, y se espera que la solubilidad de la partícula se vea beneficiada [1] Barrett J. Nehilla, Magnus Bergkvist, KetulC.

Popat, Tejal A. Desai. Purified and surfactant-free coenzyme Q10-loaded biodegradable nanoparticles, I. J of Pharmaceutics, 2007.

[2] Henelyta S. Ribeiro, Boon-Seang Chu, Sosaku Ichikawa, Mitsutoshi Nakajima,

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Preparation of nanodispersions containing -carotene by solvent displacement method Food Hydrocolloids 22:12-17 (2008).

Agradecimientos. Agradecemos al Programa Institucional de Formación de Investigadores (PIFI) y a la Secretaria de Investigación y Posgrado (SIP), ambos del IPN por su apoyo a este trabajo, así como también a la Secretaria de Investigación y Posgrado. NAE-03 Interaction of Gallium Salts with Carbon Nanotubes T.J. Simmons1,2*, M. Bravo Sanchez1, M. Terrones3, M.A. Vidal Borbolla1 1 Coordinación para la Innovación y la Aplicación de la Ciencia y la Tecnología, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470 Lomas 4ª Secc., C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México 2Department of Chemistry & Chemical Biology, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, 12180, USA 3 Materiales Avanzados, IPICYT, Camino de la Presa de San José, Col. Lomas 4a, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México * simmot@rpi.edu Group III nitrides are important materials for a variety of optical and semiconductor applications, and in particular GaN has become an area of increasing interest. Another important class of materials that has become the source of a great deal of investigations are carbon nanotubes (CNTs). In this work, the interaction of a gallium salt, gallium iodide (GaI3), with carbon nanotubes has been investigated. It has been determined that a unique interaction occurs between nitrogen-doped multi-wall carbon nanotubes (CNx-MWNTs) and GaI3, and that this interaction is the result of bonding between the nitrogen and gallium. Optical photography, electron microscopy, and energy dispersive x-ray spectroscopy along with standard empirical methods allow for the characterization of this interaction and the resultant material. This work represents the first step toward incorporating

CNTs into crystals of GaN, and perhaps may lead to the development of novel functionalized carbon nanotube structures with unique electro-optical properties. NAE-04 Síntesis de nanopartículas de Si y CdTe embebidas en SiO2 E. Mota-Pineda1,*, M. Meléndez-Lira+2, M. Zapata-Torres2, A. Pérez-Centeno3, M.A. Santana-Aranda3, P. del Angel4 1Departamento de Física, Cinvestav IPN, Apdo. 17-740 México D.F., México 07000. 2CICATA-IPN, Unidad Legaria, Legaria 694 Col. Irrigación, Del. Miguel Hidalgo, C.P. 11500, Mexico D.F. 3Departamento de Física, CUCEI, Universidad de Guadalajara, Blvd. Marcelino García Barragán # 1421, Col. Olímpica, C.P. 44430, Guadalajara, Jal., México. 4Instituto Mexicano del Petróleo, Dirección de Investigación y Posgrado, Eje Central L. Cárdenas 152, 07730 México, D.F., México + en año sabático del Departamento de Física, Cinvestav-IPN * emota@fis.cinvestav.mx La síntesis de semiconductores nanoestructurados ha mostrado potenciales aplicaciones en casi todas las áreas de la ciencia. En el campo de la opto-electrónica, las nanopartículas de silicio presentan la posibilidad de superar las limitaciones relacionadas a la emisión de luz del material en bulto; mientras que en el ámbito de la producción de energía las nanopartículas de CdTe permitirían la fabricación de módulos fotovoltaicos que superen los límites de eficiencia convencionales. Presentamos una metodología original que permite sintetizar en forma exitosa nanoestructuras semiconductoras inmersas en una matriz de oxido de silicio. La metodología propuesta explota las características de la técnica de erosión catódica reactiva para generar moldes nanométricos. La metodología es aplicada a los semiconductores silicio y CdTe. Las heteroestructuras obtenidas

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pueden ser representadas como SiO2/CdTe/SiO2 y SiO2/Si/SiO2. Los resultados muestran que esta metodología puede emplearse exitosamente en la producción de nanopartículas semiconductoras en un proceso de síntesis de un solo paso. En ambos sistemas se observa fotoluminiscencia a temperatura ambiente, la cual puede ser ajustada variando las condiciones de crecimiento y/o el recocido térmico empleado NAE-05 Electronic transitions in low dimensional systems of III-V compound semiconductors at high-index crystalline growth. J. Hernández-Rosas1*, S. Gallardo-Hernández2, J. G. Mendoza-Álvarez, E. Cruz-Hernández1, J. S. Rojas-Ramírez1, R. Contreras-Guerrero and M. López-López1 1Departamento de Física, 2Departamento de Ingeniería Eléctrica, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, México D.F. 07000, México. *jhr@xanum.uam.mx Employing the effective mass approximation we calculated electronic interband transitions in nanostructures commonly grown by molecular beam epitaxy (MBE) of III-V compound semiconductors. Our results show the electronic transition energy as a function of the size of quantum wells (QWs), quantum wires (QWRs) and quantum dots (QDs). The calculations were done for heterostructures without strain, such as GaAs/AlxGa1-xAs, and also for heterostructures where the strain is very important such as InxGa1-xAs/GaAs and InAs/GaAs, taken into account the band-gap temperature dependence. A discussion about the wave functions corresponding to the energy levels is included. Our calculations consider also the dependence of the mass as a function of the crystalline growth direction. The authors are thankful to the Mexican Agency, CONACYT, for financial support

NAE-06 Mechanical, wear and corrosion behavior of Cr/crn nano-multilayers grown by the unbalanced magnetron sputtering technique. U. Piratoba1, D.M. Marulanda2, E. Camps3, J.J. Olaya2

1Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia, UPTC 2Departamento de Ingeniería Mecánica y Mecatrónica, Universidad Nacional de Colombia 3 Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares de México Cr/CrN nano-multilayers were grown on H13 steel and silicon (100) with different period (Λ) at room temperature through the Unbalanced Magnetron Sputtering technique (UBM) by varying the degree of unbalancing (KG) to investigate its effect on multilayer properties. KG was determined characterizing the magnetic field fluxes in the r-Z plane perpendicular to the target. Multilayers consisted of 10 (Λ = 200 nm), 20 (Λ = 100 nm) and 100 (Λ = 20 nm) bilayers and ~1µm total thickness. The film microstructure, hardness, wear and corrosion resistance were measured in function of the bilayer period and degree of unbalancing and results show that the properties are highly influenced by these parameters. Keywords: Unbalanced Magnetron sputtering, UBM, multilayers, Cr/CrN NAE-07 Optical and structural characterization of (Ga,Mn)As/GaAs(001) structures grown by MBE. I. Martínez-Velis1,*, A. Pulzara-Mora2, J.S. Rojas-Ramírez1, M. Contreras-Guerrero1, S. Gallardo-Hernández3, Y. Kudriatsev3, J. Hernández-Rojas1 and M. López-López1. 1 Physics Department, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, México D.F, México 07000.

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2 Laboratorio de Magnetismo y Materiales Avanzados. Universidad Nacional de Colombia Sede Manizales. A.A. 127. 3 Engineering Department, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, México D.F., México 07000 * imartinez@fis.cinvestav.mx In this work GaMnAs layers were grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs(001) substrates. We prepared different series of samples varying two fundamental parameters; the growth temperature (250≤Tg≤350 oC), and the Manganese effusion cell temperature (680 <Tc<745 oC). In order to study the structural properties, Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS) was employed to determine the amount of Mn in our samples as a function of the effusion cell temperature and growth temperature. We found that the amount of Mn in the samples monotonically increases with the Mn-cell temperature, and moreover it shows a very strong dependence with the substrate temperature. This study was complemented with room temperature optical analysis like micro-Raman and Photoreflectance studies. The micro-Raman spectroscopy measurements were carried out using a 488 nm laser line with a power of 40 mW and the photoreflectance were made using a mercury lamp, a monochromator and a Si detector. We observed in the Raman spectra that the longitudinal optical (LO-like) and transversal optical (TO-like) GaAs modes present a systematical red-shift [1,2]; except for the sample grown at 350oC this red-shift increases with the amount of Mn. Additionally, between the LO-like and TO-like GaAs modes in the Raman spectra we observed a coupled LO phonon plasmon mode (CLOPM), which also red-shifts with the concentration of Mn, but again the sample grown at 350 oC presented a different behavior. Moreover, for this sample we observe the appearance of phonon modes in the range of 320-330 cm-1, which are assigned to MnAs compounds. The presence of this kind of compounds causes a strong change in the structure of the GaMnAs alloys, and it reflects a

change in the incorporation mechanism of Mn in the GaAs matrix. At the higher growth temperature of 350 oC, the competition of forming GaMnAs and MnAs compounds seems to be more severe. And last, photoreflectance studies show us characteristic Franz-Keldysh oscillations (FKO) principally at 300°C growth temperature that indicate the presence of a strong built-in internal electric field, the rest of the samples at 250°C and 350°C growth temperature present less defined FKO. [1] W. Limmer, M. Glunk, W. Schock, A. Koder, R. Kling, R. Sauer, A. Waag, Phisica E 13 (2002), 589-592. [2] W. Limmer, M. Glunk, S. Mascheck, A. Koeder, D. Klarer, W. Schock, K. Thonke, R. Sauer, and A. Waag, Physical Review B 66, (2002) 205-209. NAE-08 Multiple peak emission using a SRO multilayer stack. Karim M. Leyva*, Mariano Aceves, Zhenrui Yu Department of Electronics. National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics. Apdo. 51, Puebla, 72000. Puebla, Mexico. *kmonfil@inaoep.mx Silicon Rich Oxide (SRO) has been currently studied because it shows strong photoluminescence (PL) in the visible range and interesting electrical effects like charge trapping and tunneling. SRO is a more stable material than a-SiOx:H or porous Si and can be obtained by several techniques compatible with conventional CMOS process. In particular, SRO can be obtained by low pressure chemical vapour deposition (LPCVD) using SiH4 mixed with N2O as reactive gases where silicon excess is well controlled by the partial pressure ratio Ro=P(N2O)/P(SiH4). In spite of the large amount of publications on the optical and electrical properties of this material, most of them are concentrated on single layer structures. The combination of several SRO layers containing

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different Si excess with optimal electrical and optical properties represents an important step of Si nanostructures towards optoelectronic devices. In this work, we report the optical properties of SRO multilayer stacks with Ro=30/10/30 and Ro=10/30/10 synthesized by LPCVD. The absorbance spectra were obtained to identify compounds or bonding types. The PL emission and absorption properties were compared with that ones of single layers (Ro=10 or Ro=30). A strong relationship between Si excess and PL was confirmed. Highest emission was obtained on sample with Ro=30/10/30 but both SRO stacks presented clearly emission from 550 nm to 850 nm with three main peaks. PL emission at 720 and 810 nm can be related with donor-acceptor decays between traps in Ro30 layers and emission at 585 nm can be attributed to interface effects. The microstructure properties of samples were studied by using transmission electron microscopy (TEM). Many silicon nanoislands with several dislocations and stacking faults were observed only at the interface of silicon/Ro10 layer. A great number of Si-nanocrystals were observe in the Ro=10 layers with mean diameter around 5.5 nm. By optimizing the parameters of our multilayer structures, intense white light emission with desirable electrical properties could be achieved in future research. PACS: 61.72.Uf, 78.55.Ap, 78.67.Pt, 81.15Gh KEYWORDS: Si-implantation, LPCVD, photoluminescence, SRO.

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SIMPOSIO DE PELÍCULAS DELGADAS. Thin Films PDD-05 Dependence of the thickness and composition of the HfO 2/Si interface layer on annealing P.G. Mani-Gonzalez1,*, A. Herrera-Gomez1

1CINVESTAV Unidad Querétaro, Libramiento Norponiente #2000, Frac. Real de Juriquilla, Querétaro, Qro. México C.P. 76230. *gmani@qro.cinvestav.mx The interface layer that forms when HfO2 is grown on Si affects the electrical performance of hafnium-based MOS devices. The characterization of this interface is a challenging problem. Angle Resolved X-Ray Photoelectron Spectroscopy (ARXPS) is the ideal technique for this task because it combines chemical and depth resolution. Previous ARXPS studies on hafnia deposited with Atomic Layer Deposition (ALD), employing TEMA-Hf as precursor, showed that the composition of the interface layer is Hf0.5Si0.5O2. The thickness of this hafnium silicate layer depends on the substrate surface: it was twice thicker when the hafnia was grown on clean Si than on top of a SiO2 layer. We will present ARXPS studies of the hafnia/Si system when TDMA-Hf is employed as the ALD precursor. This will include the dependence of the composition and thickness of the interface layer on the annealing time and temperature. PDD-12 Diseño de experimentos de mezclas para la formulación de un recubrimiento epóxico con pigmentos de diferentes óxidos metálicos y zinc para la protección de materiales. J. C. Axotla García1, A. Aguilar Márquez1, M. de N. Pineda Becerril1., O. García León1, F. M. León Rodríguez1 1 Facultad de Estudios Superiores Cuautitlán. Universidad Nacional Autónoma de México. Carretera Cuautitlán-Teoloyucan Km. 2.5, Colonia San Sebastián Xhala. Cuautitlán Izcalli, Estado de México, C. P. 54714.

*charly_axotla@fesc.cuautitlan2.unam.mx; mnazarethp@fesc.cuautitlan2.unam.mx El objetivo de esta investigación fue la de determinar la eficacia de doce recubrimientos basados en resinas, mezclados con diversas cantidades de óxidos metálicos y zinc, en combinación con un disolvente oxigenado. La visión ha sido puesta en los óxidos metálicos de hierro, elemento mineral de mayor abundancia y por lo tanto de menor coste. Actualmente existe una gran diversidad de pinturas y recubrimientos, catalogadas principalmente por su ligante utilizado, teniendo como principales exponentes las elaboradas con resinas vinílicas, acrílicas, alquílicas, esmaltes, expóxicas, de base poliuretano, entre otras. Como es de esperarse, existe una pintura y un recubrimiento para cada ambiente. Las hay de uso interior, así como para exteriores, ambientes corrosivos, marinos, entre muchos otros. Hablando específicamente de pinturas y recubrimientos anticorrosivos, tema a tratar en este trabajo, se destaca que independientemente del ligante con que se elaboren, el elemento principal ha sido el zinc y sus compuestos. Se planteó desarrollar una serie de recubrimientos anticorrosivos eficaces y resistentes a la radiación UV, elaborados a partir de resinas, zinc y óxidos. La mezclas se determinaron utilizando mediante un diseño optimal D. Se obtuvieron 12 diferentes formulaciones, que se probaron en 3 probetas del material. Las probetas fueron sometidas a condiciones de intemperismo acelerado y posteriormente se sometieron a ensayos de colorimetría, adherencia y velocidad de corrosión. Es importante un buen diseño experimental, para evitar pérdidas tanto económicas como de tiempo porque a partir de unos puntos experimentales, se logro crear una serie de superficies de respuesta para cada variable y se pudo obtener la región optimizada que más cumplió las exigencias planteadas las cuales nos llevaron a concluir que los recubrimientos con mejor comportamiento, tanto en la resistencia a la corrosión, aspecto, brillo y adherencia, la obtuvieron las mezclas con cantidades mínimas de fosfatos y grandes cantidades de óxidos metálicos. PDD-16 Evaluation of the electrochemical behaviour of tantalum oxide thin films for biomedical applications.

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P-N. Rojas1, S. Muhl1, S.E. Rodil1 1 Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito exterior s/n, Ciudad Universitaria, Coyoacán, 04510 México D.F. The corrosion resistance of materials in the body fluids is on essential factor to determine the lifetime of medical implants. Tantalum oxide films were deposited on medical grade stainless steel using an rf-magnetron sputtering system working at three different powers (50, 150 and 200 W) and different working pressures (0.67, 2, 4 Pa). These films were evaluated using Potentiodynamic polarization (PP) in 0.89% NaCl (7.4 pH) in order to determine the conditions that lead to the best corrosion resistance. The effect of the deposition conditions on the film physical properties was also evaluated by means of electron microscopy, energy dispersive analysis, ultraviolet-visible spectroscopy, and infrared spectroscopy and correlated to the electrochemical parameters. The analysis of these characterizations guided to choose one single condition in order to evaluate it by electrochemical impedance spectroscopy (EIS) and Potentiodynamic polarization as a function of three simulated corrosive body fluids; 0.89% NaCl solution, Hartman (ringers-lactate) and Gey´s solution, correlating it protective properties against the different chemical composition of these electrolytes. Tantalum oxide films on stainless steel 316L are physically described using electrical circuit simulation. PDD-23 Caracterización óptica de películas de nitruro de aluminio depositadas por ablación láser usando un blanco de aluminio F. Chalé-Lara1,4, M.H. Farías2,*, C. Huerta-Escamilla3, M. Xiao2. 1Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Apartado Postal 2681, Ensenada, Baja California, C.P. 22800, México. 2Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 365, Ensenada CP 22800, Baja California, México. 3Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de Baja California, Km. 103 Carretera Tijuana–

Ensenada, C.P. 22800, Ensenada, Baja California, México. 4CICATA-IPN Unidad Altamira, Km. 14.5 Carretera. Tampico-Puerto Industrial CP 89600, Altamira, Tamaulipas, México. * mario@cnyn.unam.mx Se depositaron películas de AlN sobre substratos de silicio (111), utilizando la técnica de ablación láser en el sistema de crecimiento Riber LDM-32. La temperatura del substrato fue de 600°C y ambiente. La presión de nitrógeno se mantuvo constante a 60 mTorr. Para el depósito de las películas se utilizó un láser pulsado de KrF (248 nm), con una frecuencia de disparo de 5Hz y la potencia del pulso láser de 200 mJ, con un tiempo de crecimiento de 90 minutos. El blanco utilizado para el depósito de las películas fue aluminio de alta pureza (99.9%). Se realizó caracterización in situ mediante XPS y REELS, y de manera ex situ por XRD y reflectancia. Para los análisis XPS y REELS se utilizó un analizador de electrones Mac-3 de la marca CAMECA. Las mediciones de reflectancia óptica fueron realizadas utilizando una fuente de luz incoherente. Se prepararon dos series de muestras (M1 y M2) variando la densidad del pulso láser. En los difractogramas de la serie M1 se observa la presencia de la fase hexagonal del nitruro de aluminio y de aluminio metálico, en la serie M2 solo se observó la presencia del plano correspondiente la fase hexagonal, desapareciendo el pico del aluminio. Los espectros de reflectancia muestran un comportamiento diferente para ambas series de películas, la M1 reporta un comportamiento asociado a la presencia de aluminio metálico en la superficie, mientras en la segunda serie el espectro óptico de reflectancia muestra un comportamiento que corresponde a una superficie dieléctrica. Agradecimientos: Los autores agradecen por su apoyo técnico a J.A. Díaz, E. Aparicio, I. Gradilla, J. Peralta, M. Sáenz, E. Medina, A. Tiznado, J. Palomares y C. González. Este trabajo fue financiado por los proyectos CONACYT 50203-F y PAPIIT-DGAPA IN111508-3. PDD-28 Selectividad de la fotoluminiscencia mediante microcavidades fabricadas con multicapas de silicio poroso.

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K. Pérez, J. Arriaga, A. Méndez Blas* Instituto de Física “Luis Rivera Terrazas”, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Apdo. Postal J-48, C.P. 72570, Puebla, Pue. México. *amendez@sirio.ifuap.buap.mx Debido a la fotoluminiscencia en la región visible del espectro que presenta el silicio poroso (SP) [1], este tiene potenciales aplicaciones en una gran variedad de dispositivos ópticos y optoelectrónicos [2]. Además, diversos tipos de estructuras como espejos y microcavidades se pueden fabricar a partir de este material por anodización electroquímica [3], de modo tal que se pueden controlar sus propiedades ópticas. Acoplando una capa activa luminiscente y una microcavidad ha sido posible filtrar una región de la emisión a través de un modo localizado de luz característico de la microcavidad [4]. En este trabajo se presenta la comparación del espectro de fotoluminiscencia de un dispositivo autofiltrante, es decir, una monocapa luminiscente seguida de un filtro de Fabry-Perot en el mismo sustrato, con el espectro de una estructura acoplada que se construye de la monocapa luminiscente sobre la que se acopla el filtro de SP pero separado de otro sustrato. Para la construcción del autofiltro se ha empleado silicio tipo n y para la estructura acoplada se empleó silicio tipo n y p de distintas resistividades. [1] L. T Canham., Appl. Phys. Lett. 57, 1046, (1990). [2] J. O. Estevez, J. Arriaga, A. Méndez Blas and V. Agarwal2, Appl. Phys. Lett. 93, 191915, (2008). [3] Properties of Porous Silicon, Edited by Leigh Canham DERA, Malvern, UK. Published by: INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, London, United Kingdom (1997). [4] L. Pavesi, C. Mazzoleni, Appl. Phys. Let. 67, 22, (1995). Agradecimientos: Este trabajo fue parcialmente financiado por el proyecto PROMEP (BUAP-PTC-113). PDD-32 Dependence of the Critical Loads on the Parameters of the Scratch Test

I. Camps1*, S. Muhl1, S. E. Rodil1, E.Camps2, L. Escobar-Alarcon2. 1 Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM, México. 2 Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, México. * icaba@yahoo.com The Scratch Test provides information about the mechanical integrity of a coated surface, such as the adherence to the substrate. The test consists of applying a constant or variable force to the coating-substrate system and monitoring the type of failure. The scratch typically is made using a diamond Rockwell C geometry stylus, the failures are analyzed by direct microscopy observation and reported as critical loads (LC). Commonly, the rate of increase of the normal force is 100N/min and the scratch speed is 10mm/min. In the present work, a series of experiments were carried out on hard coatings deposited on stainless steel by PVD. The tests were performed using both of the diamond tip and 100Cr6 Steel balls. The reproducibily of the results without changing the experimental parameters was studied and the dependence of the critical loads on the rate of increase of the normal force and the traverse speed was analyzed. PDD-35 Influencia del espesor de las películas amorfas de oxido de niobio en la protección de la corrosión del acero inoxidable AISI 316L G. Ramírez1*, S.E. Rodil1, D. Turcio-Ortega1, S. Muhl1, E. Camps2, L. Escobar-Alarcón2 1 Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior s/n, CU, México D.F. 04510, México 2 Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Apdo. Postal 18-1027, México, DF 11801, México * enggiova@hotmail.com El recubrimiento de oxido de niobio amorfo puede ofrecer protección de la corrosión al acero, esto se ha observado a través de las pruebas de corrosión realizadas en estudios

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anteriores, pero aun no se ha establecido la influencia del espesor en la efectividad de la protección. En este trabajo se prepararon recubrimientos de oxido de niobio sobre el acero inoxidable AISI 316L. Las películas fueron depositadas por la técnica de sputtering reactivo con magnetrón desbalanceado y se crecieron con diferentes espesores. Las películas fueron caracterizadas para obtener las propiedades estructurales, mecánicas, electroquímicas y de composición elemental, usando difracción de rayos-x (XRD), espectroscopia de retrodispersión de Rutherford (RBS), nanoindentación y microscopia de fuerza atómica. Las pruebas electroquímicas utilizadas fueron polarización potenciodinámica y espectroscopia de impedancias. Los resultados mostraron películas amorfas con estequiometria cercana al Nb2O5. Las pruebas electroquímicas realizadas en solución de 0.89% de NaCl mostraron que con el aumento del espesor de las películas se ofrece una mayor protección del sustrato y se hace mas aislante el conjunto, haciendo difícil el paso de la corriente a través de la película. Agradecimientos: Especial agradecimiento al grupo de técnicos académicos: L. Baños, H. Zarco y S. Romero. El apoyo económico de CONACYT P45833 y DGAPA IN102907. PDD-38 Propiedades ópticas y estructurales de películas delgadas de a-C:Au depositadas por dc magnetron co-sputtering Z. Montiel-González1,*, S. E. Rodil1, S. Muhl1, and L. Rodríguez-Fernández2 1Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM, Circuito exterior s/n CU, Apartado Postal 70360, Coyoacán 04510, México D.F. 2Instituto de Física, Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 20-364, México D.F., C.P. 01000, México. *zeuzmontiel@yahoo.com.mx En este trabajo se reporta el estudio de propiedades ópticas y estructurales de películas delgadas de carbono amorfo (a-C) y a-C:Au depositadas por medio de dc magnetron co-suttering. Para los depósitos de a-C se usó un blanco de grafito y para incorporar el metal se

colocó una pequeña lámina de oro sobre el banco de grafito. El portasubstrato se mantuvo rotando a velocidad constante a una distancia de 28 mm del balnco. Para las dos series de películas de a-C (con y sin oro) se varió la potencia eléctrica de los depósitos entre 40 y 130 W con intervalos de 30 W. Todas las demás condiciones de depósito fueron las mismas para todos las potencias de depósito. La caracterización se llevó a cabo por medio de Retrodispersión de Rutherford (RBS) y Elipsometría Espectroscópica (SE). Los resultados de RBS y SE muestran que el Au no está presente como una fase separada, independientemente de la potencia del depósito, a pesar de que está uniformemente distribuido en el volumen de la matriz de a-C. Se recurrió al modelo de Tauc-Lorentz para semiconductores amorfos para representar la respuesta óptica de las películas y los resultados del proceso de ajuste muestran una disminución en el valor del ancho de la banda prohíbida para películas con contenido de oro.

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SIMPOSIO DE POLÍMEROS Polymers POL 01 Initial Stage in the 4-oxo-TEMPO-Mediated Thermal Copolymerization of Styrene/Maleic Anhydride: Kinetics and Simulations Josué D. Mota-Moralesa, Enrique Saldívar-Guerrab, J. Gabriel Luna-Bárcenasa

Judith Percino c, Víctor Chapela c

aCinvestav Querétaro, Libramiento Norponiente No. 2000, Fracc, Real de Juriquilla, Querétaro, Qro. 76230, México. bCentro de Investigación en Química Aplicada, Blvd. Enrique Reyna No. 140, Saltillo Coah. 25253, México. cLaboratorio de Polímeros, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, México jmota@qro.cinvestav.mx Various mechanisms have been proposed to explain the initiation mechanism of self initiated copolymerizations of styrene (S) with electron acceptor monomers such as maleic anhydride (MA), acrylonitrile, vinyliden cyanide or dimethyl 1,1- dicianoethane-2-2-dicarboxylate. In this work we study the mechanism and kinetics of the spontaneous copolymerization of S and MA in the presence of 4-oxo-TEMPO. Mechanism and simulations of the period of induction, when this was present as such and when it was present as a severe retardation, and of the initial polymerization stages in the nitroxide mediated autopolymerization of S and MA are discussed. S/MA copolymerization proceeded faster compared to styrene homopolymerization. This acceleration in the velocity of copolymerization is due to the initiation stage in the copolymerization and not to the propagation stage. From previous experimental data and simulations, initial estimates of kdsa 9 x10-6, kisa 1 x108, kp 102, khsa 10 and Kadma 3 x103 L mol-1 s-1 obtained at 125 °C. POL 02 Copolimerización por injerto radio-inducida de monómeros hidrofílicos en los polihidroxialcanoatos. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2

1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México * mikegcu@gmail.com Los polihidroxialcanoatos son una familia de polímeros verdes. El polihidroxibutirato (PHB) es el primer miembro de esta familia. Es un poliéster, termoplástico, biodegradable, obtenido microbiológicamente. Es valorado como material estratégico por ser de origen de fuente renovable, e importante para usar en el campo de la bioingeniería. Este material es moderadamente hidrofóbico, esto puede ser un inconveniente en sus aplicaciones, por lo que se hace necesario estudiar su modificación. Una contribución a la solución de este problema significaría un aporte científico novedoso de utilidad práctica. Por lo expuesto anteriormente es que en este trabajo se realizó la síntesis de una familia de materiales poliméricos a partir de la reacción de copolimerización por injerto radio-inducida de monómeros hidrofílicos en el PHB por el método de la irradiación simultánea. Se escogieron monómeros típicos: acetato de vinilo, acrilamida, ácido metacrílico y metacrilato de butilo. El estudio se llevó a cabo por el método de la irradiación simultánea. Los materiales obtenidos fueron caracterizados por diferentes técnicas espectroscópicas y otras técnicas como análisis termo-gravimétrico (ATG) y calorimetría diferencial de barrido (DSC). Los resultados obtenidos demuestran que se obtuvieron copolímeros de injerto novedosos que podrían ser utilizados en la nanotecnología. [1] Mitomo, H. and Enjôji, T., Watanabe Y., Yoshii F., Makuuchi K., Saito T., J. M. S.- Pure Appl. Chem., 1995 A32(3): 429-442 [2] Bahari, K., Mitomo, H., Enjoji, T., Hasegawa, S., Yoshii, F., Makuuchi, K., Die Angewandte Makromolekulare Chemie 1997; 250(4352): 31-44 [3] Mitomo, H., Watanabe, Y., Yoshif, F. and Makuuchf, K., Radiat. Phys. Chem., 1995. 46(2): 233-238 [4] Jiang, T., Hu, P., Polymer Journal 2001. 33(9): 647-653

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[5] - Grøndahl L., Chandler-Temple A. and Trau M. Biomacromolecules. 2005. 2197-2203 [6]- Yuki Wada, Hiroshi Mitomo et al. 2006. J Appl Polym Sci., 101: 3856–3861 [7]- Yuki Wada et al. 2007. Radiation Physics and Chemistry, 76: 1075-1083. POL 03 Obtención y estudio de superficies lignocelulósicas modelo Sergio Espinosa Domínguez1, Maribel Hernández-Guerrero1, Hiram I.Beltrán Conde2, José Campos Terán1*

1 Departamento de Procesos y Tecnología, Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Cuajimalpa, México. 2 Departamento de Ciencias Naturales, Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Cuajimalpa, México. * jcampos@correo.cua.uam.mx Los materiales lignocelulósicos son la fuente más abundante de biomasa del planeta, es por ello que actualmente se busca utilizarla para la producción de biocombustibles, ampliando así las posibilidades del uso de recursos naturales renovables. [1] Para volver rentable y eficiente el proceso productivo de biocombustibles y productos químicos, a partir de estos materiales, es prioritario estudiar las interacciónes existentes entre superficies lignocelulósicas y las enzimas que degradan lignina (lacasas) y celulosa (celulasas) [2]. En este trabajo se plantea la creación y uso de superficies lignocelulósicas modelo para estudiar de manera sistemática estas interacciones. Para lograr lo anterior, se realizaron estudios sobre la disolución de lignina y celulosa comerciales en tres distintos solventes, y se analizaron estas soluciones con técnicas espectroscópicas (FTIR y UV). Con los polímeros en solución se generaron películas en la interfase aire-agua, para estudiar sus propiedades mediante el análisis de isotermas presión superficial vs área y con BAM, además de realizar depósitos LB, evaluando el substrato sólido adecuado. El efecto de condiciones experimentales como la temperatura, pH y uso de mezcla de solventes sobre la estabilidad térmica, estructural y morfologica de las películas fue estudiado. En este trabajo se

presentan los resultados alcanzados hasta el momento. [1] Ragauskas A., Williams C., Davison B., Britovsek G., Cairney J. y Eckert C, Science, 311 (2006) 484. [2] Turon X., Rojas O., y Deinhammer S, Langmuir, 24 (8) (2008) 3880. POL 04 Synthesis and mechanical properties evaluation of waterborne PSA’s with homogeneous morphology R Mascorro 1b, G Rosano1, M Corea 2a

1 Laboratorio de Investigación en Ingeniería Química Ambiental, SEPI-ESIQIE, Instituto Politécnico Nacional, UPALM, Zacatenco, Gustavo A. Madero, C.P. 07738, México, D.F. 2 ESIQIE, Instituto Politécnico Nacional, UPALM, Edificio Z-6, Zacatenco, Gustavo A. Madero, C.P. 07738, México, D.F. aemail: mcoreat@ipn.mx, brmascof_75@yahoo.com.mx Adhesion science is an area of widespread interest from both scientific and technical standpoints. Pressure-Sensitive Adhesives (PSA) is very important by their commercial use in applications as labels and identification products, industrial tapes and medical and cosmetic products. PSA`s are viscoelastic-elastomeric materials that can adhere strongly to solid surfaces upon application of light pressure and short contact time [1]. The PSA adhesion properties are result of three processes. The physical bond formation, adsorption by intermolecular interaction and viscoelasticity energy dissipation [2]. The performance of PSA’s systems is normally determined by mechanical tests (peel, tack and shear), which give macroscopic information of the bond strength [3]. Growing environmental pressures and the advent of increasingly string legislation concerning solvent emissions have been forced the coating industry to seek the replacement of solvent-borne adhesives by water-borne coatings [4]. The principal way to obtain these kinds of materials is by means of emulsion polymerization [5]. In this work, a series of pressure sensitive adhesives of poly(n-butyl acrylate-2-ethyl hexyl acrylate- acrylic acid) were synthesized via emulsion polymerization. The PSA particles

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were prepared using a semicontinuos process of one stage. In which the poly(butyl acrylate-co-2-ethyl hexyl acrylate) with a composition of 50 wt % was synthesized. The acrylic acid was varied between 0, 1, 3 and 5 wt.%. The PSA`s were characterized by dynamic light scattering and zeta potential, which shown that average particle size was 350 nm and also as we increase the acrylic acid content, the zeta potential is depleted. The mechanical properties (peel, tack, shear) were evaluated following ASTM procedure and they shown that latex films with hydrogen bonding yield higher adhesion energies as we increase the acrylic acid amount, they also shown a good balance between the mechanical properties at 5 wt.% of acrylic acid that represent the best material performance. [1] Tobing, S.,D., Klein, A., “Mechanistic Studies in Tackified Acrylic Emulsion Pressure Sensitive Adhesives”, J. Polym.Sci., 76, 1965-1976, (2000). [2] Tobing, S.,D., Klein, A., “Mechanistic Studies in Tackified Acrylic Emulsion Pressure Sensitive Adhesives”, J. Polym.Sci., 76, 1965-1976, (2000) [3] Vabrik, R., Czajlik, I, Bertoti, I., Keresztes, Zs., Ille, A., Russzanak, I., Vig, A., Kalman, E., “Application of state-of-the-art methods in adhesion technology 1”, Int. Polym. Sci., 27, 6, 7-9, (2000). [4] Garrett, John., Lovell, P., A., Shea, A., J., Viney, R., D., “Water-Borne Pressure-Sensitive Adhesives: Effects of Acrylic Acid and Particle Structure”, Macrom. Symp., 151, 487-496, (2000). [5] Mallégol, J., Gorce, J.-P., Dupont, O., Jeynes, C., MacDonald, P., J., Keddie, J., L., “Origins and Effects of a Surfactant Excesnear the Surface of Waterborne Acrylic Pressure-Sensitive Adhesives”, Langmuir, 18, 4478-4487, (2002) POL 05 Electrostatic Dissipative Particle Dynamics in the Grand Canonical Ensemble: A Study of Properties of Polyelectrolyte Solutions. F. Alarcón Oseguera [1] [2], A. Gama Goicochea [2] and E. Pérez [1]

[1] Instituto de Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, San Luis Potosí, México.

[2] Centro de Investigación en Polímeros, COMEX Group, Marcos Achar Lobatón 2, 55885 Tepexpan, Edo. de México, México. We have studied a bulk electrolyte, and polyelectrolyte-surfactant solutions by means of the mesoscopic dissipative particle dynamics (DPD) method, in the Grand Canonical ensemble. The electrostatic interactions are calculated using the Ewald sum method and the structure of the fluid is analyzed through the radial distribution function between charged particles. The results are in very good agreement with those reported in the literature using a different method for the calculation of the electrostatic forces, and with those obtained using DPD in the canonical ensemble. We also studied solutions confined by walls, and analyzed the salt-dependent and pH-dependent conformation of dilute flexible polyelectrolytes in solution. For the complex systems mentioned above, the electrostatic interactions play a key role in understanding phenomena that do not occur in noncharged systems. Therefore, the inclusion of these interactions is essential to capture phenomena such as polyelectrolyte-surfactants aggregates. The implications and further applications of this work are presented too. POL 06 Comparison of mesoscopic solvation forces at constant density and at constant chemical potential M. A. Balderas Altamirano1 , Rendon, R and A.2 Gama Goicochea2* 1Departamento de Química, Universidad Autónoma Metropolitana-Iztapalapa, Avenida San Rafael Atlixco 186, Col. Vicentina, 09340 México D.F., Mexico 2Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma del Estado de México. Ave. Instituto Literario 100, Col. Centro, 50 000, Toluca, Estado de México, Mexico 3Centro de Investigación en Polímeros (Grupo COMEX) Marcos Achar Lobatón No. 2, Tepexpan, 55885Acolman, Estado de México, Mexico The solvation forces arising from the confinement of a fluid by surfaces are calculated

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under two different thermodynamic conditions, namely at constant density and at constant chemical potential, through mesoscopic-scale simulations. We consider two fluids, a model for water on the one hand, and a fluid composed of linear polymers dissolved in water. For these systems our simulations show that the prediction of the disjoining (or solvation) pressure when the chemical potential is kept fixed is different from that obtained when the total density is fixed. Comparison of our predictions with measurements of the disjoining pressure using atomic force microscopy, or the surface force apparatus show that it is the chemical potential what should be fixed. We find however, that the same trend between both types of simulations can be obtained if, when working at fixed density, the number of particles is reduced a constant amount with respect to the total averaged density of the calculations at fixed chemical potential. * Corresponding author. Email:

agama@cip.org

POL 07 Efecto de la velocidad de calentamiento en la resistividad eléctrica de compuestos poliméricos base Poliestireno y negro de carbono Delfino Reyes-Contreras2*, Susana Hernández-López1, Enrique Vigueras-Santiago1 dreyes.fc@gmail.com, shernandez@uaemex.mx, eviguerass@uaemex.mx, 1 Laboratorio de Investigación y Desarrollo de Materiales Avanzados (LIDMA) Facultad de Química, Paseo Colón Esquina con Paseo Tollocan s/n, C.P. 50000, Toluca Estado de México, México. 2 Facultad de Ciencias Universidad Autónoma del Estado de México, Av. Instituto Literario 100 Ote. C. P. 50000, Toluca, Estado de México, México En éste trabajo analizamos el efecto de la velocidad de calentamiento (vc) en la resistividad eléctrica de capas delgadas (30-40 µm) de compuesto polimérico de poliestireno (PS) con negro de carbono (NC). Dos capas fueron sometidas a ciclos de calentamiento-enfriamiento, los cuales consisten en calentar de

temperatura ambiente (24 °C) hasta 120 °C, por arriba de la temperatura de transición vítrea (98 °C) [1] y después dejar enfriar a temperatura ambiente. Para la primera muestra, vc=2 °C/min , la resistividad eléctrica sigue una trayectoria casi lineal hasta llegar a 100 °C, a partir de esa temperatura la trayectoria se vuelve exponencial y la resistividad aumenta precipitosamente hasta llegar a 120 °C. En la segunda muestra, tratada a 5 °C/min , la resistividad eléctrica presenta un incremento abrupto entre 24 y 80 °C, a partir de entonces incrementa casi linealmente. En el proceso de enfriamiento la resistividad eléctrica sigue una trayectoria similar para ambas muestras, y no regresa al valor inicial previo al ciclo térmico, la velocidad de enfriamiento (ve=3 °C/min ) es la misma en ambos casos. El incremento de la resistividad eléctrica se explica en términos de la expansión térmica del compuesto. Cuando el polímero se expande, la distancia de separación entre agregados de negro de carbono aumenta, separación que esta estrechamente relacionada a la velocidad de calentamiento. Esto puede explicar el incremento casi lineal de la resistividad cuando vc es pequeña. Cuando vc es grande, la separación de las partículas de NC en el tiempo es rápida, lo cual explica el incremento abrupto de la resistividad en la segunda muestra. El comportamiento diferente de la resistencia por encima de la temperatura de transición vítrea del compuesto, se atribuye al aumento en la movilidad de las cadenas poliméricas [2], que induce la redistribución de las partículas del NC, redistribución que es diferente, dado que la distribución del NC en cada película antes del calentamiento es diferente. La no reversibilidad en el ciclo completo es el resultado mismo de la redistribución, ocasionando que la distribución espacial del negro de carbono al inicio y al final del ciclo sea ligeramente diferente. [1] R. San Juan-Farfán, S. Hernández-López, G. Martínez-Barrera, M. A. Camacho-López, and E. Vigueras-Santiago , Phys. Stat. Sol. C. Vol 2, No. 10, (2005) 3762-3765. [2] S. Hernández-López, E. Vigueras-Santiago, M. Mayorga-Rojas, D. Reyes-Contreras, Institute Of Physics. Confference Series, 167 (2009). Agradecimientos: Este trabajo fue financiado a través del proyecto UAEM 2215/2006 y el programa “Fortalecimiento de Actividades de

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Tutoría y Asesoría a Estudiantes de Nivel Licenciatura” CONACyT 104534. POL 08 Compósito polianilina/alcohol polivinílico codopado con ácido clorídrico y ácido canforsulfónico

Jorge E. Osorio-Fuente, Carlos Gómez–Yáñez,* María de los Ángeles Hernández–Pérez

Departamento de Metalurgia y Materiales, ESIQIE, Instituto Politécnico Nacional Ed. 7, U. P. Adolfo López Mateos, 07738, México D.F., México. *cgomezy@ipn.mx Durante este trabajo se obtuvo un compósito de polianilina/alcohol polivinílico (PANi/PVA) mediante polimerización oxidativa empleando persulfato de amonio como oxidante. Se usaron ácido clorídrico (HCl) y ácido canforsulfónico (ACS) como dopantes. Se agregan dopantes para obtener conductividades relativamente altas que permitan usar el material para la construcción de dispositivos electrónicos. El PVA debe ser agregado para otorgar a la PANi procesabilidad. El compósito se puede obtener en forma de película gruesa. En el caso de los compósitos se obtuvieron conductividades del orden de 10-5 S/cm lo cual es tres órdenes de magnitud menores que la conductividad de la polianillina sin PVA (10-2 S/cm). Los espectros de absorbancia en el UV y en el IR muestran la existencia de las bandas correspondientes a los polarones característicos de los polímeros intrínsecamente conductores. La estabilidad térmica disminuye al adicionar PVA y se encontró una transición vítrea alrededor de los 120 °C. Fotografías de microscopía electrónica muestran que la PANi toma la típica forma de semiesferas mientras que el PVA se presenta en forma de hojuelas. POL 09 Morfología de complejos de polielectrolitos. Un estudio por simulaciones de Monte Carlo. Claudio F. Narambuena, Elías Pérez*. IF-UASLP, Av. Manuel Nava 6 Zona Universitaria, C.P. 78290, entro de Investigaciones en Dispositivos

Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, San Luis Potosí, S.L.P., Mexico * elias@ifisica.uaslp.mx En esta plática se presentarán algunos resultados de simulaciones computacionales de la formación de complejos de polielectrolitos basado en el método de Monte Carlo. Primeramente son evaluadas las propiedades estructurales de las cadenas de polímeros aisladas mediante la distancia extremo-extremo de la cadena y el radio de giro. Los resultados muestran que estas distancias siguen una ley de escalamiento con el número de monómeros de la cadena, lo cual es sorprendente para un sistema cargado eléctricamente. Además, se muestra que la rigidez interna de la cadena es la que define las dimensiones características de los complejos de polielectrolítos que son formados por la presencia de dos polielectrolito flexibles de carga contraría. Esto significa que la rigidez impuesta por las cargas electrostáticas juega un rol menor debido al apareamiento entre cargas de signo contrario. La formación de los complejos es totalmente espontánea y la morfología de los complejos se evalúo mediante el factor de esfericidad (Glóbulo 0; Toroide 0.22, Varilla 1.0). Estos resultados tienen una implicación directa en la interpretación de la formación toroidal en los complejos de polielectrolitos, pero también en la condensación del ADN en presencia de policationes.

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SIMPOSIO DE SEMICONDUCTORES. Semiconductors SEM 01 Photocatalytic efficiency in the visible light range of N–TiO 2 powders obtained by high energy milling. L. Rojas Blanco1,*, J. Velásquez Salazar2, A. Herrera Gomez1, R. Ramírez Bon1, F. J. Espinoza Beltran1 1 Cinvestav-Querétaro del Instituto Politécnico Nacional, Libramiento Norponiente No. 2000 Fraccionamiento Real de Juriquilla C.P. 76230 Santiago de Querétaro, Qro., México. 2 University of Texas at Austin¡Error! Referencia de hipervínculo no válida., TX 78712, United States. * smile_liz18@hotmail.com In this work, N-TiO2 powders were prepared by high-energy ball milling, using commercial titanium dioxide (TiO2) in the anatase phase and urea in order to introduce nitrogen to TiO2 and optimize its photocatalytic properties in visible light region. TiO2-N was milling during 2, 4, 8, 12 and 24 hours and characterized by spectroscopic and analytical techniques. The X-ray diffraction (XRD) results showed the coexistence of anatase and the high-pressure srilankite phase. Scanning electron microscopy (SEM) revealed than the grain size decreases to 200nm at 24 h milling time. UV–vis diffuse reflectance spectroscopic data showed a clear shift in the onset light absorption from 387 to 469 nm. The photocatalytic activity of obtained N-TiO2 samples was evaluated by methylene blue degradation under visible light irradiation. It was found that N-TiO2 samples had higher photocatalytic activity than Degussa P25, which could be assigned to the effect of introducing N atoms and XPS results confirm it. Acknowledgments: The authors are grateful to Dr. A. Herrera Gomez and M.C. P. G. Mani Gonzalez for XPS measurements SEM 02 Photoluminescence studies of Mg-doped Gallium Nitride layers grown by metal-organic chemical vapor deposition

C. Guarneros* and V. Sánchez

Sección de Electrónica del Estado Sólido, Departamento de Ingeniería Eléctrica Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional Av. I. P. N. 2508, San Pedro Zacatenco, 07360 México, D. F. MEXICO Phone (01) (55) 5754 3800 Ext. 3780 Fax (01) (55) 5747 3978 *E-mail: cesyga@yahoo.com.mx III-Nitride materials with wide band gap have become the material of choice for the fabrication of light emitting diodes for the green, blue, and violet region of the visible spectrum. However, it has been difficult to obtain a high quality p-type GaN, because of hydrogen suppresses the formation of self-compensating native point defects in Mg-doped GaN during metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) growth, and inhibits the p-type doping efficiency due to the formation of neutral (Mg-H)0 complexes [1]. Consequently, Mg must be activated post growth; the activation process involves the dissociation of acceptor-hydrogen complex rather than the removal of separate compensating donors [2]. Low energy electron beam irradiation (LEEBI), rapid thermal annealing (RTA), the activation method using laser, and the thermal annealing for short time at high temperature after the long time annealing at low temperature, has been mainly used to activate p-type conduction in Mg doped GaN grown by MOCVD [3]. We report Mg-doped GaN layers grown by metal-organic chemical vapor deposition method on sapphire (α-Al2O3) substrates at low pressure. The concentration of magnesium was changed by varying the flow rate of bis-cyclopentadienyl magnesium (Cp2Mg). Photoluminescence measurements were made on the as-grown and annealed samples at room temperature and at low temperature. The photoluminescence from p-type Mg-doped samples was dominated by shallow-donor-shallow acceptor pair recombination and blue emission band centered at 3.0 eV. Carrier concentration (1019 cm-3) and mobility (15 to 17 cm2/Vs) were measured by the Hall Effect technique. X-ray pattern shows that the p-GaN layers grow with (0002) preferential orientation.

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[1] O. Gelhausen, H. N. Klein, and M. R. Phillips, Applied Physics Letters, 81 (2002) 3747 [2] W. Götz, N. M. Johnson, J. Walker, Applied Physics Letters, 68 (1996) 667 [3] J. H. Kim T. S. Jeong, J. H Lim, M. S. Han, Journal of Crystal Growth, 280 (2005) 401 SEM 03 Preparación y caracterización morfológica, estructural y eléctrica de capas delgadas de Alq 3, depositadas por evaporación térmica en vacío G. F. Acevedo-Amaya, H. Y. Valencia-Martínez, N. T. Ramírez-Márquez, A.M. Ardila Vargas* Grupo de Física Aplicada Departamento de Física, Facultad de Ciencias Universidad Nacional de Colombia. Bogotá, Colombia. * amardilav@unal.edu.co Películas delgadas de tris(8-hydroxyquinolato) de aluminio (Alq3) fueron depositadas sobre óxido de indio y estaño (ITO) por evaporación térmica en alto vacío, a diferentes tasas y temperaturas de deposición. La tasa de depósito se varió desde 0.6 hasta 3.0 Å/s, mientras que la temperatura de sustrato se varió desde 20 hasta 150°C. En ambos casos se estudió la morfología, estructura química y composición de las películas depositadas, por medio de SEM, EDX y XRD. Las superficies más uniformes fueron obtenidas con temperaturas de substrato inferiores a 100 ºC, y se encontró que la película presenta menos defectos superficiales cuando la tasa de deposición es del orden de los 1.7 Å/s. Las propiedades de transporte de la estructura ITO/Alq3/Al se estudiaron a temperatura ambiente por medio de la característica I-V y los resultados fueron analizados por los modelos SCLC y TCLC. Se encontró que aparecen trampas con una energía inferior a 1 eV. SEM 04

Fotodegradación de lignina por catalizadores nanoestructurados, M/M*:

M: NT-CeO2, NT-La2O3, NTC´s, M*:TiO 2

G. J. Lopez Mercado1 R. Rangel1,*, G. Martinez 1 y P. Bartolo-Pérez2

1División de Estudios de Posgrado, Facultad de Ingenieria Quimica,Universidad Michoacana de S. N. H., Morelia, Michoacán, C.P. 58060. rrangel@umich.mx 2 CINVESTAV-IPN, Unidad Mérida, Depto. de Física Aplicada, Mérida, Yuc., México

La contaminación del agua se convierte en un tema a tratar en esta investigación, dado su impacto en la calidad de vida y a que las descargas de materiales tóxicos en aguas es un problema habitual en las ciudades grandes o aquellas en desarrollo industrial. En la industria Papelera, el uso de grandes cantidades de agua en su proceso, contribuye de manera importante a la contaminación del agua. Uno de los componentes del agua residual proveniente de esta fuente, es la lignina; compuesto macromolecular muy complejo y difícil de degradar. Se han desarrollado diversos sistemas de catalizadores para la fotodegradación de la lignina donde el semiconductor, TiO2,es el material más estudiado, por ser altamente estable y oxidante[1]. Se propuso la adición de óxidos que funcionen como promotores, tales como nanotubos de Ceria, Lantana y Carbono; con el fin de incrementar el poder oxidante de la fase activa. La preparación de los materiales consistió en tres etapas fundamentales, (1) Síntesis de óxidos por método sol-gel a partir de sales precursoras, (2) Preparación de nanoestructuras por tratamiento hidrotérmico [2] y (3) Obtención de catalizadores por la impregnación de las nanoestructuras de óxidos sobre la Titania. La evolución de los catalizadores durante las etapas de síntesis, fueron analizadas por medio Difracción R-X, SEM, Evaluación de Área Superficial y EDS. La eficiencia de los catalizadores fue medida en la reacción de fotodegradación de la molécula de Lignina, mediante espectrofotómetrìa UV-Vis. Los sistemas en estudio, lograron disminuir la concentración de lignina en 60%, en 90 minutos, con una radiación de luz UV, λ = 365 nm [3] y utilizando una cantidad de catalizador de 0.1 g /100 mL de solución. Para los materiales impregnados, se obtuvo una degradación más rápida que para la fase activa, TiO2); estableciendo como mejor sistema los

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Nanotubos de Lantana impregnado sobre Titania, llegando hasta una concentración de 4.31 PPM al termino de la reacción. La síntesis hidrotérmica, permtió obtener nanoestructuras cilíndricas en forma de barras o estructuras “tipo flor”.

[1] Mills A. y Valenzuela M., 2004, ¨Semiconductores y fotocatálisis¨ Materiales avanzados, 2, 19-22 [2] Tsai C. y Teng H.,2005 ¨Structural Features of Nanotubes Synthentized from NaOH Treatment on TiO2 with Different Post-Treatment¨ Chem. Matter, 2006,18,367-373 [3] Dahm A., Lucian L. ¨Titanium Dioxide Catalyzed Photodegradation of Lignin in Industrial Effluents¨ Ind. Eng. Chem. Res. 2004, 43, 7996-8000 SEM 05 Analytical study of thin AlN film on sapphire

O. Koudriavtseva1,*, M.Avendaño1, A. Escobosa1, V.M.Sanchez –R.1, R.Asomoza1, Yu.Kudriavtsev1, S.Nikishin2

1Dep. Ingenieria Electrica –SEES, CINVESTAV-IPN, Av. IPN # 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Mexico DF. 2Texas Technical University, Lubbock, TX, USA * kud-olga@yandex.ru III-nitride semiconductors (AlN, GaN, InN and ternaries, quaternaries formed them) offer a very perspective material for LEDs working in blue and UV diapasons. Despite a great progress in manufacturing of nitrides based devices there is still a great reserve for their improvements. In our study we focused our attention on the first step of LED manufacturing: deposition of AlN thin buffer on sapphire substrate. This buffer layer “adapts” two solid reds with a high mismatch (GaN and sapphire). Deposition of AlN film is made in two steps: nitridation of the sapphire surface in ammonia under high temperature, then deposition over formed nitride layer thin AlN film with effusion cell as a source of Al in MBE reactor. We have applied a complex approach for analytical study of AlN/Al2O3 structure. Crystalline quality and phase composition of AlN film were analyzed by HR XRD. Structure of deposited AlN film and its surface morphology were tested by AFM. Chemical composition and

3-dimentional distribution of main elements and contaminations over all the structure were analyzed by SIMS. We have found that nitridation process provides formation of an ultrathin AlN layer enriched by oxygen. High concentrations of H, O, and C were found in the MBE deposited AlN thin film: a growth of their concentration is presented as a quasi-interface in SIMS depth profile over all the structure analyzed. Experimental measurement of 3-dimentional surface relief made by AFM demonstrated formation of surface pyramids (inversion domains). In this report we discuss possible mechanisms, which can explain formation of the pyramids and other structural features in the AlN film. SEM 06 The Technological Potential of Memristors and Resistive Switching David Zubia University of Texas at El Paso, El Paso, Texas, 79968 The semiconductor industry is a leader of advanced high-technology manufacturing, producing trillions of devices annually with unprecedented nanometric scale precision (~3 nm vertically and 30 nm laterally – 22 atoms vertically and 220 atoms laterally) for electronic applications ranging from wireless communications, to computers, to consumer electronics with ever increasing levels of sophistication and functionality. The building block of integrated electronic circuits is the transistor. However, continued miniaturization will cause Moore’s Law to reach the end of the road in the year 2020 according to the Semiconductor Industry Association’s technology road map. This has created much interest in creating a new device with more advanced functionality to replace the transistor. One recent invention is the memristor, which has great potential due to its simple structure and concomitant ease of fabrication, increased packing density due to its small size and amenability for complex nonlinear functionality. This new device creates the opportunity to continue increasing the functionality of integrated electronics well beyond 2020. However, much research is needed to understand the operating mechanisms, optimize the device and create high-tech fabrication processes that are compatible with existing

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CMOS. Memristors are two-terminal, bi-stable, passive devices. It is a fourth new passive circuit element in the category of the resistor, inductor and capacitor. However, it is uniquely new in the sense that it implements nonlinear functions that no combination of the other passive elements can reproduce. This presentation reviews memristors and resistive switching. It highlights the major applications, technologies and operating mechanisms of this exciting and potentially revolutionary device. SEM 07 Photoluminescence and Photoacoustic Characterization of Ternary Alloys of InAs xSb1-x Grown by LPE for Medium IR Photodetectors J.G. Mendoza-Alvarez1, Y.E. Bravo-Garcia2, P. Rodriguez-Fragoso1, I.Riech5, M.L. Gomez-Herrera3, J.L. Herrera-Perez2, A. Cruz-Orea1, F. Sanchez-Sinencio1,4 1 Departamento de Física. Cinvestav-IPN. A.P. 14-740. México DF 07000. México 2 CICATA-IPN. Unidad Legaria. Legaria 694, Col. Irrigación. México DF 11500. México 3 Facultad de Ingeniería. Universidad Autónoma de Querétaro. Querétaro, Qro. 76010. México 4 Centro Latinoamericano de Física. Río de Janeiro, RJ. Brasil 5 Facultad de Ingenieria, Universidad Autonoma de Yucatán, Merida, Yuc. 150. México The band-gap energy in semiconductor ternary alloys of the type InAsxSb1-x can be tuned in the range 0.42-0.24 eV (2.95-5.25 microns) by adjusting the alloy stoichiometry between InAs and InSb. For applications in the detection of polycyclic aromatic hydrocarbons (PAH’s), we need to develop the protocols to grow high quality InAsxSb1-x epitaxial layers with band-gap energy values around 3.0-3.3 microns, the spectral region where the main absorption bands of the PAH’s relies. Using the liquid phase epitaxy (LPE) growth technique, we have grown these InAsxSb1-x layers on top of (100) GaSb substrates, using the Sb-saturation regime for the growth melt, in order to avoid substrate dissolution and the use of very high supercooling temperatures. In order to optimize the lattice-matching conditions between substrate and layer, a series of InAs1-xSbx layers were grown with very small variations in the As concentration

around 90%, to optimize lattice match between substrate and layer. Using the photoacoustic (PA) technique we have analyzed the substrate-layer interface in terms of the interface non-radiative recombination (nr) times obtained from the analysis of the frequency dependence of the PA phase intensity signal. Higher nr’s times means lower non-radiative recombination probabilities; and consequently, better interfaces in terms of defects. We applied these PA measurements to the series of InAsSb layers grown under different growth conditions such as substrate temperatures and melt cleaning protocols. Also, the PA characterization was applied to the series of InAsSb layers with very slight stoichiometry variations to get the best lattice-matched growth conditions. Low temperature photoluminescence (PL) measurements have been used to characterize the layer’s crystalline quality through the analysis of the PL spectra, in particular, the detection of exciton-related emission bands. We present all these PA and PL results, discussing their relation to the layer crystalline quality, and interface perfection, both fundamental for the application of these ternary semiconductor alloys in the development of optoelectronic devices. SEM 08 Películas policristalinas de Cd 1-xAl xTe de baja resistividad M. Becerril1*, O. Zelaya-Angel1, O. Vigil-Galán2, G. Contreras Puente2 1Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, Apdo. Postal 14-740 07000. México, D.F., México 2Escuela Superior de Física y Matemáticas. Instituto Politécnico Nacional, 07738 México D.F., México *becerril@fis.cinvestav.mx Heterouniones de CdTe/Al fueron crecidas por diferentes técnicas de depósito: el CdTe fue depositado por erosión catódica de radiofrecuencia y el aluminio por evaporación térmica en substratos de vidrio Corning 7059. Se crecieron diferentes muestras de CdTe/Al variando el espesor del aluminio. Las heterouniones se sometieron a tratamiento térmico (TT) variando la temperatura y el tiempo de exposición con la finalidad de difundir el Al en la red del CdTe. Las propiedades ópticas, eléctricas y estructurales de las películas fueron estudiadas a partir de la formación del ternario

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Cd1-xAlxTe. Se encontró que conforme aumenta la concentración Al(x) la resistividad disminuye hasta alcanzar propiedades metálicas. El patrón de difracción de rayos-x nos indica preferentemente la fase cúbica del CdTe. El espectro de absorbción nos muestra que el ancho de banda prohibido aumenta a medida que el tiempo de TT disminuye. De los resultados podemos concluir que a partir de esta técnica de deposición se puede formar películas policristalinas de Cd1-

xAlxTe de baja resistividad. Simposio de Sol Gel. SGE 01 Síntesis y Caracterización de Compuestos Intermetálicos con Propiedades de Imanes Permanentes .

Aranda García Rubén Jonatana, Pacheco Espejel Jesús Vicenteb. aFacultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. bInstituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla jonatan_izucar@hotmail.com

Resumen: La búsqueda de un nuevo compuesto intermetálico a base de tierras raras con aplicaciones potenciales de imán permanente condujo al estudio del sistema RE2Fe17-xMx en donde RE= Sm y M= Cu. Se obtuvo el compuesto Sm2Fe17 mediante reacciones de reducción-difusión de óxidos precursores con tamaño de partícula nanométrico. Los precursores (óxidos de metales de transición y tierras raras) fueron obtenidos por el método Sol-Gel-Calcinación. Posteriormente fueron reducidos con CaH2 in situ en un equipo de Análisis Térmico Diferencial integrado en una caja de guantes con atmósfera inerte de Ar, empleando condiciones suaves de reacción. SGE 02 Síntesis y caracterización de porfirinas embebidas en una matriz de Silica-Xerogel D.E. Espericueta González1, 2*, J.R. Martínez 3 , G. Ortega3 1 Centro de Investigaciones en Materiales Avanzados, S.C, Miguel de Cervantes Saavedra

No. 120, Complejo Industrial Chihuahua, Chihuahua, México. despericueta@uaslp.mx 2 Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Manuel Nava No.8, Zona Universitaria, San Luis Potosí, S.L.P., México. 3 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Salvador Nava S/N, Zona Universitaria, San Luis Potosí, S.L.P. , México.

Resumen: Compósitos de sílice xerogel con incorporación de moléculas macro-cíclicas provenientes de la clorofila en extractos de hojas de espinaca, fueron preparados mediante la técnica de Sol-Gel usando diferentes relaciones molares de agua a TEOS. Se discuten los efectos estructurales y ópticos de dichos compósitos ante tratamientos térmicos, en particular los efectos de desvitrificación parcial de la matriz vítrea en estructuras abiertas y cerradas inducidas por los componentes orgánicos. Agradecimientos: Al Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología por la beca número: 165484. SGE 03 Aumento de los valores de coercitividad por la incorporación de polvos magnéticos CoFe O2 4 embebido en una matriz

inorgánica. J. Román de Alba1, 2,3,*, I. G. Blanco1, 2, G. Martínez-Castañón1. A. Encinas-Oropeza1.*, J. R. Martínez. Mendoza1, 2, y J. González-Hernández2 1 Centro de Investigaciones en Materiales Avanzados S. C., 31109 Chihuahua, Chih, México. 2 Facultad de Ingeniería, UASLP, Salvador Nava # 8, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México 3 Facultad de Ciencias, UASLP, Niño Artillero 45, Col. Universidad, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México * jr@ualp.mx

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Polvos precursores de 2 4CoFe O

fueron preparados por coprecipitación química y embebidos en matrices de sílica xerogel y polianilina, respectivamente. Se observaron cambios evidentes en la coercitividad entre los polvos precursores puros de 2 4CoFe O y cuando son embebidos en

matrices de sílica xerogel y polianilina. Los polvos precursores de 2 4CoFe O

embebidos en una matriz de sílica xerogel y de polianilina presentan cambios considerables de coercitividad de dos órdenes de magnitud. Estos resultados son debidos a la reducción de tamaño de grano y por efectos derivados de sus pequeñas dimensiones. Para los polvos precursores puros de 2 4CoFe O y los

embebidos en una matriz vítrea y en polianilina, el valor de la coercitividad creció desde 52 hasta 2,200 Oersteds y hasta 1,054 Oersteds, respectivamente. Agradecimientos: Al consejo nacional de ciencia y Tecnología por la beca número 273882. SGE 04 Degradación Fotocatalítica de fenol utilizando como catalizadores TiO2 y TiO 2-SO4

=. T.J. Del Ángel- Sánchez1*, R. García- Alamilla1*, G. Sandoval-Robles1, R. Silva-Rodrigo1, C.E. Ramos-Galván1, S. Robles-Andrade1, E. Moctezuma-Velázquez2. 1 Depto. de Ingeniería Química. Instituto Tecnológico de Cd. Madero. J. Rosas y J.Urueta. Col. Los Mangos, Cd. Madero Tamaulipas, México. Tel.01 (833) 2 15 85 44.

2 Centro de Investigación y Estudios de Posgrado/FCQ, UASLP. Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, San Luis Potosí, SLP, México. *E-mail:rgalamilla@aol.com, tere_delangel@hotmail.com Resumen: Se preparó Dióxido de titanio (TiO2) por el método Sol-Gel analizando el efecto del pH de síntesis (pH 3, 5, 7 y 9) [1], estos catalizadores fueron sulfatados con H2SO4, la finalidad fue

analizar el efecto de estos parámetros (pH de síntesis y del ión sulfato), sobre la degradación fotocatalítica de fenol en presencia de luz UV y oxígeno. Las pruebas de fotodegradación se realizaron en un reactor tipo Batch irradiado con 4 lámparas UV, se usó en todas las pruebas una solución de 50 ppm de fenol, 90 cm3/min de O2 y 0.25 gramos de catalizador. Las reacciones fueron llevadas a un tiempo de seis horas. En todos los casos se obtuvieron intermediarios de reacción como hidroquinona, benzoquinona, catecol y benzenotriol. Los fotocatalizadores más activos fueron los preparados a pH ácido, alcanzando un porcentaje de degradación de fenol de entre 70 y 80% y un 70% de mineralización a CO2 y agua. En el caso de los materiales sulfatados, el catalizador preparado a pH 5 degradó el 100 % de la solución en las primeras 4 horas de reacción y el preparado a pH3 tuvo un 95% de mineralización. En las pruebas en las que se ajustó el pH de la solución a 3 se obtuvo un 98% de degradación. [1] M. A. Santana-Aranda, M. Morán-Pineda, J. Hernández, S. Castillo y R. Gómez “Physical properties of TiO2 prepared by sol-gel Ander different pH conditions for photocatalysis”; 2005. Agradecimientos: A COSNET por el financiamiento otorgado para la realización de este proyecto mediante el convenio 447.05-P. y a la Universidad Autónoma de San Luis Potosí (UASLP), por las facilidades para realizar las pruebas de actividad catalítica. SGE 05 Síntesis y caracterización de ferrofluidos. I.G. Blanco-Esqueda1,2,*, G. Ortega-Zarzosa1, J.R. Martínez-Mendoza1, J.A. Matutes-Aquino2. 1 Facultad de Ciencias, UASLP, Diagonal Sur S/N, Zona Universitaria, C.P. 78290, San Luis Potosí, S.L.P., México *blancoivang@gmail.com. 2 Centro de Investigación en Materiales Avanzados (CIMAV), Ave. Miguel de Cervantes 120 Complejo Industrial Chihuahua, C.P. 31109, Chihuahua, Chihuahua, México. Se propone el estudio de la preparación de un ferrofluido y posteriormente el recubrimiento con SiO2, para garantizar una mayor estabilidad química y biocompatibilidad. Este ferrofluido esta constituido por nanopartículas de magnetita

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(Fe3O4) preparadas mediante la técnica de coprecipitación y para evitar la aglomeración se utilizó hidróxido de tetrametilamonio como surfactante [1][2]. Para recubrir las nanopartículas se llevó a cabo mediante la técnica de Stöber modificada [3][4]. Se discute la caracterización de nuestras muestras por las siguientes técnicas: difracción de rayos X (DRX), espectroscopía IR, microscopia electrónica de barrido (MET) y magnetometría. [1] Charles, S W, Rosensweig R E., J. Magn. Magn, Mat., 39 (1983), 190-220. [2] Jonathan Breitzer and GeorgeLisensky, J. Chem. Educ., (1999), 76, 943-948 . [3] Shi-Yong Yu, Hong-Jie Zhang, Jiang-Bo Yu, Cheng Wang, Li-Ning Sun, and Wei-Dong Shi, Langmuir (2007), 23, 7836-7840. [4] Lihua Zhang, Baifeng Liu, and Shaojun Dong, J. Phys. Chem., (2007), 111, 10448-10452. SGE 06 Propiedades ópticas de películas delgadas de SiO 2 con los colorantes Cristal Violeta y Verde Brillante. J. O. García-Torija1,*, R. Palomino-Merino1, P. del Angel Vicente2, E. Rubio-Rosas3, R. Lozada-Morales1, J. Martínez-Juárez4, G. Juárez-Díaz4, M. de la L. García-Cruz4, S. Jiménez-Sandoval5, F. Rodríguez-Melgarejo5, S. A. Tomás-Velázquez6. 1 Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, México. 2Instituto Mexicano del Petroleo, Eje Central Lázaro Cárdenas 152 Col. San Bartolo Atepehuacan, C.P. 07730, México D.F., México. 3Centro de Vinculación Universitaria, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla,

14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, México. 4 Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 5Libramiento Norponiente no. 2000 frac. Real de Juriquilla, C.P. 76230, Santiago de Querétaro, Querétaro, México. 6Av. Instituto Politécnico Nacional 2508, Col. San Pedro Zacatenco, C.P. 07360, México D.F., México. * joscargt@yahoo.com Los colorantes orgánicos con moléculas orgánicas que por sus orbitales deslocalizados absorben y emiten fuertemente en la región visible del espectro electromagnético. Sus aplicaciones son vastas y van desde láseres sintonizables hasta sensores de gas. En este trabajo presentamos y discutimos los espectros de absorción y fotoluminiscencia de los colorantes orgánicos Cristal Violeta (CV) y Verde Brillante (VB) incorporados en películas delgadas hechas por el método Sol-Gel variando la concentración de los colorantes. Los colorantes presentan un máximo de absorción en los 594 nm (CV) y en los 624 nm (VB), siendo la altura de la señal proporcional a la concentración. En la fotoluminiscencia muestran sus máximos en 650 nm (CV) y en 660 nm (VB) sin que la señal sea proporcional a la concentración.

H. H. Rodríguez-Santoyo1*, M. C. Piña-Barba1; G. Torres-Villaseñor1; A. Barba-Pingarrón2.

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Resúmenes / Abstracts

Sesión de Carteles / Poster Sessions SIMPOSIO DE BIOMATERIALES. Biomaterials BIO-P01 Measurement of protein-protein interaction by using an array of Quartz Crystal Microbalance biosensors J.M. Hernández-Lara1,2, V. Altuzar2, S. Muñoz-Aguirre3, C. Mendoza-Barrera2,* 1Postgrado en Micro y Nanosistemas y 2Laboratorio de Bionanotecnología, Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines 455, Fracc. Costa Verde, C.P. 94294, Boca del Río, Veracruz, México 2Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av. San Claudio y 18 Sur, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Puebla, México *cmendoza_barrera@hotmail.com A biosensor is defined as a functionalized surface with specific binding sites with bioaffinity to biomolecules or ligands. The generated signal due to the biomolecular interaction can be detected by using a transducer that measure a physical parameter such as resistance, pH, mass or heat. The signal detected allows getting quantitative and/or qualitative information about the biomolecular interaction. In this work, a 2x2 quartz crystal microbalance sensor array was used to measure the binding between monoclonal human anti-fibrinogen (1.5 and 0.15 mg/ml) and human fibrinogen or bovine serum albumin. The biosensing surfaces were prepared by adsorbing fibrinogen or bovine serum albumin (1.5mg/ml) onto aminofunctionalized gold plane substrates for 2 h. By using the experimental results and Sauerbrey equation, the mass

density of anti-fibrinogen adsorbed onto the biosensors was quantified. Also, the behavior of frequencies f0 (gold electrode), f’0 (clean gold electrode), f1 (organic monolayer), and f2 (protein monolayer) during the biosensor fabrication are shown. Finally, we present the results of biosensor half-life and stability vs time. Acknowledgedment: Work supported by CONACyT (projects #101972 CMB and #60548 VA). The authors thank to Erika Torres Luna (MICRONA-UV) for her technical support. BIO-P02 Synthesis of Hydroxyapatite nanoparticles via chemical route F. Vázquez-Hernández1, M. de la L. Olvera1, M. Meléndez-Lira2, V. Altuzar3, V. Garibay-Febles4, C. Mendoza-Barrera3,* 1Departamento de Ingeniería Eléctrica y 2Departamento de Física, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Av. Instituto Politécnico Nacional 2508, Col. San Pedro Zacatenco, C.P. 07360, Distrito Federal, México.

3Laboratorio de Bionanotecnología, Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines 455, Fracc. Costa Verde, C.P. 94294, Boca del Río, Veracruz, México 4LAMEUAR, Instituto Mexicano del Petróleo, Eje Central Lázaro Cárdenas Norte 152, Col. San Bartolo Atepehuacan, C.P. 07730, Distrito Federal, México. *cmendoza_barrera@hotmail.com Hydroxyapatite (HAp) is a crystalline calcium phosphate bioceramic formed by three calcium phosphate and one calcium

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hydroxide molecules (Ca/P = 1.67). The biocompatibility, bioactivity, osteoconductivity, and direct bone union are properties widely exploited from HAp. The application of synthetic and natural HAp are several, between them we found bone implants, protein purification, prosthetic covering, water filtration, and molecular recognition studies. In fact, the physical and chemical properties of HAp such as geometry, particle and porous sizes, density, mechanical strength, purity, and chemical phase should be determined for each particular application. In this work, we have synthesized homogeneous nanoparticles of HAp by hydrothermal technique combined with a molecule-template changing the first thermal time treatment t1 at 12, 16, 20, and 24 h (T1= 120oC, T2= 70oC, and t2= 24h), and also changing the second thermal treatment T2 at 50, 70, and 90 (T1= 120oC, t1= 12 and 24 h, t2= 24h). The HAp particles were characterized by X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), and energy dispersive spectroscopy (EDS). Acknowledgedment: The authors thank to Nicolás Cayetano (LAMEUAR, Instituto Mexicano del Petróleo) for TEM analysis, Ana B. Soto and Marcela Guerrero (Departamento de Física, CINVESTAV-IPN) for their technical support. Work supported partially by CONACyT.

BIO-P03 Obtención y caracterización de nanocristales de Hidroxiapatita. Daniel Meza Arredondo, M. C. Piña-Barba Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Circuito exterior s/n, C.P. 04510 México D.F. dnl.meza@gmail.com; mcpb@unam.mx. La hidroxiapatita (HA), cuya fórmula química es Ca10(PO4)6(OH)2, es el mineral que constituye el hueso de los mamíferos, por lo que es de gran importancia para la substitución de huesos y dientes de humanos y animales en caso de que éstos falten por cualquier razón. Presenta una alta biocompatibilidad cuando se emplea en forma de matriz ósea (hueso anorgánico) y como recubrimiento de prótesis metálicas. Cabe hacer la aclaración de que no se puede emplear en cualquier forma, ya que su uso en polvo

micrométrico causa mucho rechazo al ser empleado en pacientes ortopédicos. Actualmente se están haciendo estudios para su uso en forma de nanocristales depositados sobre fibras poliméricas biocompatibles en el campo de la odontología. En este trabajo se presenta un método para sintetizar polvos de hidroxiapatita usando como reactivos nitrato de calcio tetrahidratado [Ca(NO3)2-4H2O] y pentóxido de fósforo [P2O5] por el método de sol-gel. Los polvos obtenidos se lavaron y luego se calcinaron a diferentes temperaturas. Al ser analizados mediante difracción de rayos X (DRX) se encontró que lo que se obtuvo fue hidroxiapatita pura. Al ser analizados por microscopía de fuerza atómica (MFA) se encontró que su tamaño fue de 200 nm. [1] Shuying Gu, Hui Zhan, Jie Ren, Xinyu Zhou, Polymers & Polymer Composites, 15 (2007) 137-144. [2] C. Guzmán Vázquez, C. Piña Barba, N. Munguía. Stoichiometric Hydroxyapatite obtained by precipitation and sol gel processes. Rev. Mex. Fís. 51 (2005) 284-293. Agradecimientos. A la DGAPA-UNAM por el apoyo al proyecto 1N 104008. Al IIM-UNAM por la beca de Daniel Meza Arredondo. BIO-P04 Caracterización y aplicación de biopelículas comestibles de alginato de sodio y goma de mezquite. M. Aguilar-Alejo1*, R. S Filio-Hernández1, k. M. García-Banda1, AE Sánchez-Mendoza1, ME Vargas-Ugalde1, D.L.Villagómez-Zavala1 y R. Pedroza-Islas 1Facultad de Estudios Superiores Cuatlitlán. Universidad Nacional Autónoma, Km. 2.5 carretera cuautitlán Teoloyucan San Sebastián Xhala CP 54740, Cuautitlán, Izcalli, Edo. De Méx. doraluzvillagomezzavala@yahoo.com.mx

Debido a que los biopelículas son utilizadas como empaques de alimentos capaces de incrementar la vida de anaquel al controlar el paso de agua y gases son empleados en frutas climatéricos en donde se crean una atmósfera controlada, que retarda el deterioró y senescencia del fruto, además de que son elaborados por materiales de bajo costo y

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biodegradables lo que disminuye el daño ambiental. Por lo que el trabajo busco analizar el efecto de dos polímeros (alginato de sodio (AS) 100%, mezquite (GM) 50%/ alginato de sodio (AS) 50% y Alginatode Sodio (AS) 67%/ mezquite (GM) 33%), utilizando glicerol como plastificante al 35 % en base a sólidos. Proporción de los biopolímeros se manejo en una proporción de un 5% del total de la mezcla. Las biopelículas se caracterizaron mediante las siguientes determinaciones: Color, actividad de agua (mediante el A qualt), espesor de la película empleando un vernier digital, ángulo de contacto, micro estructura empleando un microscopio electrónico), permeabilidad al vapor de agua a tres humedades diferentes (68,73 y 45 %) y pruebas mecánicas empleando un analizador de textura TA-XT2, una vez caracterizadas las películas estas se emplearon para cubrir ciruelos durante 14 días. Los cuales se evaluaron mediante las siguientes pruebas: pH, pérdida de peso, Bx0 . La aw de las biopelículas fue de (0.4 a 0.5, a 280 C), el espesor de 0.114 Mm., el color de las películas eran de un color café conforme aumentaba la concentración de mezquite, las elaboradas con AS eran transparentes. Se observo que la permeabilidad al vapor al vapor de las películas incrementaba conforme aumentaba la concentración de alginato de sodio. Con respecto a la humedad Relativa de 87% no presentaron un comportamiento congruente. Se pudo apreciar que las biopelículas elaboradas a base de mezclas AS/GM, no presentaron diferencia significativa entre ellas en los valores de permeabilidad, pero las biopelículas 100% alginato si existe una diferencia notable. Para el cálculo de difusividad se empleo la segunda Ley de Fick para una placa infinita en estado estacionario. Cuando las biopelículas se elaboraron únicamente con AS se encontró diferencia significativa en cuanto al coeficiente de difusión, sin embargo, a medida que aumentaba el % de GM en la mezcla, comienza a notarse diferencia entre las Humedades Relativas. El uso de recubrimiento comestible con As y GM/As produjo un retraso en la maduración y en la pérdida de peso de los ciruelos que se tradujo en un aumento de la vida útil poscosecha de los ciruelos. [1] Alvarado Suárez Luis Angel (2008). Tesis: Estudio para evaluar biopeliculas comobarreras protectoras de los alimentos. Universidad

Nacional Autonoma de México. Facultad de Química. México. [2] Krochta,J.M.and Mulder-Johston c.(1997) Eddible and biodegradable polymer film,Challenges and apportunities. Food Technology 51,61-74 [3] López, Franco, Yolanda, et al (2006). Goma de mezquite una alternativa de uso insuatrial Interciencia, Marzo, año/numero 003,pag 183-189

BIO-P05 Biopelículas comestibles aplicadas a queso fresco D. L. Villagómemez-Zavala1, 3*, R.Pedroza-Islas2,

3, ME Vargas-Ugalde1 y E. Fuentes-Romero4 1Facultad de Estudios Superiores Cuautitlán. Universidad Nacional Autónoma de México Km. 2.5 carretera Cuautitlán Teoloyucan San Sebastián Xhala CP 54740, Cuautitlán, Izcalli Edo. De México 2Programa de Ingeniería de Alimentos. Departamento de Ingeniería y Ciencias Químicas Universidad Iberoamericana 3CICATA, IPN. Calzada Lagaría 694, Irrigación, México D.F. 4Facultad de Estudios Superiores Cuautitlán. Universidad Nacional Autónoma de México, Cuautitlán, Izcalli de Romero Rubio doraluzvillagomezzavala@yahoo.com.mx Las películas comestibles son utilizadas como empaque en alimentos para alargar la vida útil del alimento y retardar el deterioro del alimento de allí que el objetivo de este trabajo fue investigar si las películas elaboradas con alginato de sodio(AS), K carragenina (KC), Suero de leche WPC) .y la mezcla de ellos, son capaces de alargar la vida de anaquel del queso panela conservando sus propiedades. Para cumplir este objetivo se eligió un diseño de mezclas simple centroide para tres componentes que dio como resultado 10 formulaciones, se utilizó como plastificante glicerol al 35% en base a sólidos. La proporción de los biopolímeros fue del 5% con respecto al total de la mezcla. Se determina al inició al queso: humedad , actividad de agua, peso antes de cubrirlo con la película y textura. Se prepararon las dispersiones de los biopolímeros y las mezclas de ellos. Se

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sumergió el queso panela en la dispersión y se dejo secar por 24 horas a 25 C0 (cada tratamiento se hizo por triplicado). Una vez seco el recubrimiento en el queso se volvía a sumergir en la dispersión y se dejaba secar a 25 C0.... Se el recubrimiento con el queso se pesaba y se almacenaba en refrigeración a una temperatura de 9 C0 durante 20 días y cada tres días se tomaban muestras para hacer mediciones de: peso, actividad de agua y TPA y observaciones si había contaminación. Previamente a las películas se habían caracterizado mediante ángulo de contacto y microestrustura) (Microscopio Electrónico) y propiedades mecánicas con texturómetro TA-TX2.Las películas con mayor factor de ruptura, esfuerzo textil y energía fueron las elaboradas con alginato de sodio, los valores menores fueron las mezclas de alginato y carragenina y cuando en la mezcla predominaba el suero sobre el alginato la películas eran suaves. El ángulo de contacto que contenía suero fue de 43 grados, películas elaboradas con carragenina 420 . La película que dieron mejores resultados para conservar el queso panela fueron dos tratamientos: Uno la mezcla de (WPC 66.7%/AS 16.7%/ KC 16.7%), el queso cubierto con estas películas después de 20 días tuvo una pérdida de peso de 15% y una textura de (7.26 KG F), los quesos cubiertos con películas de suero tuvieron en el mismo periodo de tiempo una perdida de peso de 15% y una textura de (6.80 KG F), en cambio el testigo una perdida de peso 35% y una textura de (15.45 KGF). [1] Briston J H (1990). Plastic fims. Pp 93-112 Longman Scientific Techical England. Kruif, CG and Tuinuier, R (2001). [2] Polysaccharide protein interation. Food Hydrocolloids 15, 555-563 BIO-P06 Preparación y caracterización de polvos nanoestructurados de hidroxoapatita S. E. Hernández-Martínez1, G. A. Martínez-Castañón2, J. P. Loyola-Rodríguez2, N. Patiño-Marín2, J. F. Reyes-Macías2 y Facundo Ruiz3. 1Facultad de Ciencias Químicas, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, Col. Centro, C. P. 78000, San Luis Potosí, S. L. P., Mexico.

2Maestría en Ciencias Odontológicas, Facultad de Estomatología, UASLP, Av. Manuel Nava 2, Zona Universitaria, C. P. 78210, San Luis Potosí, S. L. P., México 3Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, Col. Centro, C. P. 78000, San Luis Potosí, S. L. P., Mexico. * mtzcastanon@fciencias.uaslp.mx El factor de bioactividad de Hidroxifosfato de Calcio es determinado por las características del biomaterial, ya que depende en gran parte de la cristalinidad, morfología, porosidad y algunos otros factores así como las diferentes fases que se puedan presentar en la producción del biomaterial [1]. En este trabajo se prepararon polvos de hidroxiapatita por medio de una reacción de precipitación en medio acuoso variando algunos parámetros de reacción como temperatura, pH, naturaleza y velocidad de adición de los reactivos. Los productos obtenidos fueron caracterizados utilizando las técnicas de Calorimetría Diferencial de Barrido, Difracción de Rayos X, Análisis Rietveld, Microscopía Electrónica de Barrido y Espectroscopia Visible para observar los efectos que tienen los cambios sobre la estructura, morfología, tamaño y propiedades ópticas del material obtenido. Observamos que al variar el pH se producen cambios en la estructura cristalina del material; al variar la temperatura de reacción hubo cambios en la cristalinidad; al cambiar la velocidad de adición tenemos cambios en la crsitalinidad y en el tamaño de partícula y al cambiar la naturaleza de los reactivos observamos cambios en la identidad del material obtenido. Aunque no se llevaron a cabo pruebas in vitro e in vivo para la evaluación de la bioactividad y las osteointegración del producto obtenido, de acuerdo las características ideales del biomaterial encontradas en la bibliografía reportada, se presume que el biomaterial sintetizado podría efectuar un buen trabajo como sustituto óseo en base a los resultados obtenidos de la medición de las propiedades con las cuales fue producido.

[1] Thea Welzel, Wolfgang Meyer-Zaika and Matthias Epple, Chem. Commun., 10 (2004) 1204.

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Agradecimientos. Los autores agradecen el apoyo del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACYT, Apoyo 80401), Programa de Mejoramiento del Profesorado (PROMEP, Apoyo PROMEP/103.5/08/5521) y al Fondo de Apoyo a la Investigación (FAI, Apoyo C08-FAI-10-3.39) de la Universidad Autónoma de San Luis Potosí (UASLP).

BIO-P07 Calcium phosphate cements (CPC) reinforced with collagen fibres. Ismael González Hernández, María Cristina Piña Barba Instituto de Investigaciones en Materiales. Universidad Nacional Autónoma de México Circuito Exterior s/n, Ciudad Universitaria, México 04510 D.F.; A.P. 70-360. isgohe_fi@yahoo.com.mx, mcpb@servidor.unam.mx Calcium phosphate cements (CPC) are bioactive bone substitute materials with properties for bone regeneration, they are injectables and they have in vivo setting ability. CPC are hydraulic cements, which means that water is used as the liquid phase, but we used an solution of NaCl in water as helper to setting. The CPC form a direct bonding with bone, and they are osteoconductive and resorbable materials, with a resorption rate which depends on their composition and microstructural features[1,2]. Three different formulations of the calcium phosphate cements reinforced with collagen fibres from bovine tendon were studied in their mechanical properties; were analyzed stress-strain curves to determine Young's Modulus, the force of compression and the elastic and plastic regions of these cements. [1] Ginebra MP, Delgado JA, Harr I, Almirall A, Del Valle S, Planell JA. Factors affecting the structure and properties of an injectable self-setting calcium phosphate foam. Biomed Mater Res 80A: 351-361, 2007. [2] Ginebra MP, Driessens FCM, Planell JA. Effect of the particle size on the micro and nanostructural features of a calcium phosphate

cement: a kinetic analysis. Biomaterials 25:3453-3462, 2004. BIO-P08 Formación , caracterización y prueba in vivo de termogeles de quitosán -captopril obtenidos con β-glicerol fosfato de sodio y alcohol polivinílico en un modelo de rata hipertensa S.P. Miranda*,N.R. Martínez,A.Cedillo, G.Arciniaga, L. Martínez Facultad de Estudios Superiores Cuautitlan. UNAM. Av Primero de mayo s/n Cuautitlán Izcalli.Edo de México. C.P. 54740. *spmcunam55@gmail.com En los últimos años .los polímeros que se han convertido en el grupo más importante y representativo en estas áreas biomédicas son los Biopolímeros. Los materiales poliméricos inteligentes presentan una respuesta a los cambios de estímulo como la temperatura, fuerza iónica, cambios de pH, [1] resultando en la formación de hidrogeles termosensibles, que son de gran interés en liberación de medicamentos, encapsulación de células e ingeniería de tejidos. En el siguiente trabajo se formaron termogeles mediante la mezcla de quitosán (Qs), alcohol polivinílico (PVA)/ bicarbonato de sodio [3] y termogeles de quitosán (QS) y β-glicerol fosfato de sodio (β-GP) variando la concentración del quitosán de 1% hasta el 5% en ambos casos. También se realizaron termogeles variando el peso molecular del quitosán a partir de 55,435 – 192,132 Da. Los termogeles de quitosán-PVA fueron mezclados con captopril (agente hipertensivo) y probados in vivo en ratas hipertensas. Los resultados obtenidos fueron que las mezclas de los polímeros resultaron ser líquidas a bajas temperaturas (cercanas a los 4°C) y cercanos a la temperatura de 37°C se convierten en geles. Las características termosensitivas, la estructura y la apariencia son afectados por la concentración y el peso molecular del quitosán. Son altamente dependientes del pH y temperatura. La morfología interna de los termogeles además de la porosidad de la estructura fue analizada por medio de espectroscopia electrónica, demostrando que la estructura es altamente

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porosa y heterogénea. Los termogeles fueron caracterizados por medio de análisis de textura (TPA). En cuanto a las pruebas in vitro, las ratas hipertensas mostraron tanto la presión diastólica como la presión sistólica dentro de valores normales, lo que demuestra la liberación del medicamento. La frecuencia cardíaca se mantuvo inalterada. [1] A.Sosnik Diseño de biomateriales inyectables para aplicaciones biomédicas y farmacéuticas. Pasado, presente y futuro de los implantes generados in situ. Ars Pharm 48 (1) (2007); pp 83-102. [2] O Felt,P,Buri and R Gruñí. Chitosan: A unique polysaccharide for drug delivery . Drug development and Industrial Pharmacy, 24, (1998) 979-993 [3] Tang, Yu-Feng, Du Yu-Min, Hu Xian-Wen, Shi Xiao-Wen, J. F. Kennedy. Rheological characterisation of a novel thermosensitive chitosan/poly(vinylalcohol) blend hydrogel .. Carbohydrate polymers 67 (2007) pp.491-499. Agradecimientos. Los autores agradecen a Rodolfo Robles por su asistencia técnica en la microscopia electrónica y a la Dra. María Eugenia Ramírez Ortiz por su asistencia técnica en el análisis de textura.| BIO-P09 Detección de metales pesados con sistemas hibridos-nanoestructurados de silicio poroso Escudero-García S.1, Rodríguez-Villanueva A.L.1, Balderas-Valadez R. F.1, Medellín-Rodríguez F.1 Agarwal V.2 Palestino-Escobedo. A. G. 1* 1FCQ-CIEP, Universidad Autónoma de San Luis Potosí Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, CP 78210, San Luis Potosí, México 2 CIICAP-UAEM, Av. Universidad 1001, Col Chamilpa, Cuernavaca, Mor., México palestinogabriela@fcq.uaslp.mx1* La acumulación de metales pesados en el cuerpo humano y en el medio ambiente puede causar serias enfermedades y daños irreversibles en los ecosistemas debido a que no pueden ser química ni biológicamente degradados. Actualmente los métodos para detectar metales pesados en fuentes acuosas requieren de instrumentación especializada, son

de costo elevado, y no son portables. Estos métodos utilizan técnicas de análisis complejas como plasma acoplado inductivamente, absorción atómica o espectroscopia de emisión. El objetivo en el desarrollo de nuevos dispositivos es crear sensores altamente específicos y sensibles con dimensiones pequeñas y costos de fabricación bajos. Es por eso que en este trabajo se presenta una alternativa de detección realizando la síntesis de materiales nanoestructurados de silicio poroso para evaluar su utilidad como plataformas para el desarrollo de dispositivos luminiscentes a través de la quelación de la 8-hidroxiquinoleina (8-HQ) con iones metálicos para implementar sensores colorimétricos simples para la detección de metales pesados en sistemas acuosos. Previo a la inmovilización de las moléculas fluorescentes en las matrices de silicio poroso se estudio el comportamiento de la formación de complejos quelatos en disoluciones acuosas como una función del pH dado el carácter anfótero de la 8-HQ, por lo tanto se utilizaron disoluciones superácidas de etanol-acido sulfúrico. Esto dio como resultado una dependencia lineal inversa al aumento en la concentración del metal. Al inmovilizar la 8-hidroxiquinoleina en el silicio poroso se observó un aumento en la intensidad de emisión fluorescente comparado con los complejos en solución, esto se atribuye a las características ópticas del silicio poroso que producen la amplificación de la señal luminiscente. Las estructuras modificadas con el agente quelante (8-HQ) se pusieron en contacto con una solución acuosa de Cd+2 y Cr+2. Los resultados muestran que la incorporación de los metales en la matriz porosa produce una disminución de la fluorescencia, comportamiento similar al observado cuando los complejos metálicos se forman en solución acuosa. Esta atenuación o inhibición (quenching) de la fluorescencia normalmente se produce después de la excitación, si la disipación de la energía hasta el nivel basal ocurre sin emitir luz por colisiones con otras moléculas presentes en el medio, cuyos choques sean efectivos (inhibidores), lo que parece que ocurre en el caso de los iones metálicos. Sin el embargo la rozón de la atenuación de la fluorescencia al incorporarse en la estructura solida aun se encuentra en estudio.

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BIO-P10 Non-conventional low-cost biomaterial for heavy metal removal in wastewater. K. Ruiz-Tovar1, D. Morales-Fonseca1, M.M. Martínez-Salgado1, A.B. Soto-Guzmán2, C. Falcony-Guajardo2, R. Rodríguez-Vázquez3, A.M. Pedroza-Rodríguez1*. 1Environmental and Industrial Biotechnology Group. University Javeriana. Carrera 7 No. 43-82, Bogotá, Colombia. 2Physics Department. Center for Research and Advanced Studies of I.P.N (CINVESTAV-IPN) Politécnico Nacional Avenue 2508. México D.F. México. 3Biotechnology and Bioengineering Department. Center for Research and Advanced Studies of I.P.N (CINVESTAV-IPN) Politécnico Nacional Avenue 2508. México D.F. México. *aurapedroza@yahoo.com o apedroza@javeriana.edu.co Adsorption techniques are widely used to remove certain classes of pollutants from waters, especially those that are not easily biodegradable. Heavy metals represent one of the problematic groups. Although commercial activated carbon is a preferred sorbent for metals removal, its widespread use is restricted due to high cost. As such, alternative non-conventional biomaterials have been investigated. It is well-known that natural materials, waste materials from industry and agriculture and biosorbents can be obtained and employed as inexpensive sorbents. In this work development a new biomaterial using biomass of Phanerochaete chrysosporium immobilized in synthetic and organic supports (polyurethane foam, polystyrene films, Luffa cylindrica sponge and fibers of fique). These materials were evaluated to Cd, Ni, Pb, Cr and Cu removal in water. According to results the biomaterial (P. chrysosporium immobilized) is a hypertolerant fungus to Cd (300 mg/L), Ni (50 mg/L), Pb (4,500 mg/L) Cr (85,000 mg/L) and Cu (2,500 mg/L) with environmental application. The biosorption of the metals on the fungal wall were analyzed by SEM and EDX demonstrating that the chitin was a good bioadsorbent with high

affinity for all the metals. With regard to the efficiency of removal of the biosorbent the obtained percentages were 43, 93, 83, 85 and 95% to Cd, Pb, Ni, Cr and Cu respectively, at four days the treatment. Additionally it was demonstrated that the product can be used by three operating cycles, each one of 16 days. [1] S. Gómez-Bertel, D. Amaya-Bulla, C. Maldonado-Saavedra, M.M. Martínez-Salgado, B. Quevedo-Hidalgo, A.B. Soto-Guzmán, A.M. Pedroza Rodríguez. Revista Internacional de Contaminación acuática. 24 (2008) 93-106.

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SIMPOSIO DE CERÁMICOS AVANZADOS Y MULTIFUNCIONALES. Advanced and Multifuctional Ceramics CAM-PO1 Phase transition, microstructure and electrical properties of (K 0.5Na0.5)(Nb0.9Ta0.1)O3 lead free ceramics. J.Portelles1,2,3, E. Rodriguez1,2, O.Raymond3, D.Rivero4, J.Fuentes1 J. Heiras3, J.M. Siqueiros3. 1Facultad de Física-IMRE, Universidad de La Habana, 10400, Cuba. 2Instituto de Física, Cibernética, Matemática Aplicada, ICIMAF, Cuba. 3Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, UNAM, Ensenada, B.C, México. The lead free ceramic (K0.5Na0.5)(Nb0.9Ta0.1)O3 (KNNTa10) was prepared by the traditional solid state reaction technique. X-ray diffraction (XRD) results show that Ta enters substitutional in the structure of the K0.5Na0.5NbO3 compound. This result is verified through permittivity and dielectric loss measurements at different frequencies, in the 25-500 oC temperature range, where the phase transitions orthorhombic-tetragonal at 186 oC and tetragonal-cubic at 355 oC are made evident. Scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive spectroscopy (EDS) are used to study morphology and composition and a grain size of 1.4 µm is found, lower than that of other reports in the literature. The characteristics of the phase transition and the relation between the permittivity and grain size are also analyzed. Hysteresis loops taken at 1.8 KV/mm and 25 oC show that the compound is a hard ferroelectric with high coercive field (Ec= 0,8 KV/mm) and high values of the remnant polarization (Pr=22 µC/cm2). CAM-P02 A microwave power absorption characterization of the Pb(Fe 1-xMx)O3 (M = Nb, Ta, W) perovskites.

G. Alvarez1,*, J. A. Peña2, M. A. Castellanos2, J. Heiras3, R. Zamorano4

1Depto. de Materiales Metálicos y Cerámicos, Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, A.P. 70-360, Coyoacan DF 04510, México. 2Facultad de Química, Universidad Nacional Autónoma de México, Cd. Universitaria, México DF 04510, México. 3Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Km. 107, Carretera Tijuana Ensenada, Ensenada, Baja California 22860, México. 4Departamento de Física, ESFM-IPN, U. P. Adolfo López Mateos Edificio 9, Av. Instituto Politécnico Nacional S/N, San Pedro Zacatenco, 07738 DF, México. * memodin@yahoo.com Complex oxides of perovskite-type structure Pb(Fe1/2Ta1/2)O3 (PFT), Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 (PFN) and Pb(Fe2/3W1/2)O3 (PFW) exhibit relaxor ferroelectricity which allows them to behave as pyroelectrics and/or piezoelectrics materials with a high technological interest [1]. These oxides have several applications on electronic devices such as: sensors, multilayered ceramic capacitors, computer memories, pyroelectric sensors, piezoelectric transducers, sonars and ultrasounds. PFT, PFN and PFW compounds present a para-antiferromagnetic transition [2] at 180 K, 143 K and 363 K, respectively; also they have a para-ferroelectric transition [2] at 233 K, 387 K and 178 K, respectively. In this work, we report on the effects of dc magnetic field and temperature on the microwave power absorption measurements at X-band (8.8-9.8 GHz), in powder samples of PFT, PFN and PFW. In all these multiferroic materials, at room temperature (300 K), the Electron Paramagnetic Resonance (EPR) spectra -dP/dH vs. magnetic field- show a single broad symmetric Lorentzian line, due to the spin of the Fe+3 ions. These resonant absorption modes change at low temperature (77 K), where these changes can be associated with: (I) a canting of Fe+3 ion sublattices in the antiferromagnetic matrix [3] or/and (II) a strong magnetic dipolar interaction between Fe+2 and Fe+3 ions [4]. By means of the modification of an EPR spectrometer, the experimental microwave absorption methods LFMA (Low-Field

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Microwave Absorption) and EFMA (Extended-Field Microwave Absorption) have been implemented [5]; where these methods are employed originally in the characterization of superconductors materials [5]. LFMA and EFMA techniques have been employed with success in the characterization of multiferroic materials [6,7]. In this work, these techniques are used for a further knowledge on these materials, giving an additional support to our interpretations. [1] Michael M. A. Sekar et al. Journal Materials Research 11 (1996) 1210. [2] G. A. Smolenskii et al. Sov. Phys. Usp. 25 (1982) 475. [3] G. Alvarez et al. Physica B 384 (2006) 322. [4] G. Alvarez et al. Solid State Sciences 11 (2009) 881. [5] G. Alvarez et al. J. Alloys Compd. 369 (2004) 231. [6] G. Alvarez et al. J. Phys. Chem. Solids 68 (2007) 1436. [7] G. Alvarez et al. Materials Science and Engineering B 150 (2008) 175. CAM-P03 Determinación de la fracción de lantano perdida durante la obtención de la hexaferrita de lantano preparada mediante el método cerámico. A. L. Guerrero-Serrano1,*, S. A. Palomares-Sánchez2, L. Narvaéz3, M. Mirabal-García4 T. Pérez Juache2. 1Centro de Investigación en Materiales Avanzados (CIMAV), Ave. Miguel de Cervantes 120, Complejo Industrial Chihuahua, Chihuahua, Chihuahua, México. 2Facultad de Ciencias, UASLP, Av Dr. Nava Martínez s/n, Zona Universidad, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México. 3Instituto de Metalurgia, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Sierra Leona No. 550, Lomas 2° Sección. San Luis Potosí, S.L.P., México. 4Instituto de Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Manuel Nava s/n, Zona Universitaria, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México. * azdrubal@fciencias.uaslp.mx

Las ferritas hexagonales son compuestos ferrimagnéticos con estructura hexagonal, generalmente de bario o estroncio; éstas tienen aplicaciones como imanes permanentes y como filtros de alta frecuencia. La hexaferrita de lantano ha despertado actualmente gran interés, ya que presenta un aumento considerable en la anisotropía magnetocristalina; sin embargo, la dificultad inherente a la preparación de este compuesto inhibe el estudio de sus propiedades. Una de las causas que dificultan la obtención de la hexaferrita de lantano es que se forma a partir de 1360°C y hasta 1420°C, pero al enfriarse, se descompone en hematita y ortoferrita de lantano. Otro de los factores que dificultan la obtención de este compuesto es que el lantano se evapora durante los tratamientos térmicos, por lo que se requiere añadir un exceso de lantano para conservar la estequiometria. En este trabajo se determinaron las mejores condiciones para la preparación de la hexaferrita de lantano mediante el método cerámico; se realizó la optimización de los parámetros involucrados y se determinó cuantitativamente, aplicando el método de refinamiento de Rietveld, la cantidad de lantano que se pierde durante el proceso de preparación, lo que permitió obtener el compuesto de una manera sencilla y sistemática. CAM-P04 Medición de curvas lambda y Resonancia Paramagnética Electrónica de muestras de PZT, sintetizadas por sol gel y mezcla de óxidos, de composiciones cercanas a la línea morfotropica. G. Rivera-Ruedas1*, J. M. Yáñez-Limón1, R. Zamorano-Ulloa2, F. Sánchez de Jesús3, A. Bolarín-Miró3 y J. Muñoz-Saldaña1. 1Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN. Unidad Querétaro. Libramiento Norponiente No. 2000, Fraccionamiento Real de Juriquilla, cp. 76230 Querétaro Qro. 2Escuela Superior de Fisico Matemáticas, Instituto Politecnico Nacional, Edificio 9, U. P. Adolfo López Mateos, 07730, México D.F., México

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3Instituto Tecnológico de Querétaro Av. Tecnológico S/N Esq. M. Escobedo, Col. Centro, cp. 76000 Querétaro, Qro. México. *mrivera@qro.cinvestav.mx En el presente trabajo se presentan los resultados de la caracterización mediante resonancia paramagnética electrónica y curvas lambda en muestras de titanato zirconato de plomo (PZT) en composiciones cercanas a la línea morfotrópica del diagrama de fases. Las rutas utilizadas en la síntesis del PZT fue mezcla de óxidos con mecanoactivación utilizando tres diferentes óxidos de plomo (PbO, PbO2 Y Pb3O4) y mediante la técnica sol gel por la ruta del 2-metoxietanol. Los espectros de resonancia paramagnética electrónica fueron tomados mediante un espectrómetro EPR JEOL JES-RE3X. Se llevaron a cabo mediciones a temperatura ambiente y a temperatura del nitrógeno líquido. La potencia de microondas fue de de 1 mW, a una frecuencia de microondas alrededor de 9.45 GHz (Banda X). Los estudios de resonancia paramagnética electrónica revelaron la existencia del Cu2+, Mn2+, y Fe2+, en el caso de las muestras sintetizadas por mezcla de óxidos, incorporándose en el sitio de (Zr4+, Ti4+) como aceptor, creando vacancias de oxígeno para mantener la electroneutralidad de la red. En el caso de muestras sintetizadas por sol gel se observó la existencia de Cr3+ y Cu2+. A cada una de las muestras se le determino la curva lambda. La medida de la admitancia Y*, en un barrido en temperatura a diferentes frecuencias se realiza con un sistema armado en el ICMM. El rango de frecuencia analizado fue desde 100 Hz hasta 1MHz. Los valores de la permitividad dieléctrica se miden de manera continua desde temperatura ambiente hasta 475ºC y en la etapa de enfriamiento hasta temperatura ambiente a una razón de 2ºC/min. Cada una de las gráficas obtenidas exhiben un pico bien definido en la temperatura de transición (Tc), mostrando una transición de tipo normal. Las curvas son considerablemente anchas, típico de relajaciones con transición de fase difusa. Las pérdidas dieléctricas exhiben su máximo a la misma temperatura Tc. Agradecimientos: Los autores agradecen al CONACYT el financiamiento a través del proyecto CB-2007-01-82843. CAM-P05

Caracterización de las propiedades mecánicas por mecánica de contacto de materiales cristalinos de YAG dopados con europio, neodimio y sin dopar D. Lozano-Mandujano1,*, J. Muñoz-Saldaña1, Zárate-Medina 2. 1Centro de Investigaciones y de Estudios Avanzados del I.P.N., Unidad Querétaro Libramiento Norponiente 2000, Fracc. Real de Juriquilla, C.P. 76230 Santiago de Querétaro, Qro. 2Instituto de Investigaciones Metalúrgicas., Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo, Edificio U, C.U., C.P. 58060 Morelia, Mich. * dlozano@qro.cinvestav.mx El Garnet de Itrio y Aluminio (YAG) es ampliamente usado en la producción de sistemas láser en estado sólido, en recubrimientos de dispositivos electrónicos, como fósforo para tubos de rayos catódicos y últimamente, se ha considerado como un buen material para aplicaciones estructurales a elevadas temperaturas, como refuerzo de matrices cerámicas, principalmente alúmina y en la producción de fibras [1]. La mayoría de los métodos para la síntesis de YAG implican varias etapas de procesamiento. En este trabajo se ha utilizado la ruta química del citrato precursor (Pechini) modificada para la síntesis de polvos con la composición de la fase YAG [2]. Esta modificación consiste en el empleo del secado de los polvos precursores mediante aspersión (spray drying). Los polvos precursores de la fase YAG resultantes del secado por aspersión consisten de aglomerados con una morfología esférica y diámetro aproximado de entre 0.4 y 1.3 µm. Particularmente, se reporta la caracterización mecánica y estructural de materiales cristalinos de Garnet de ytrio y aluminio puro y con adiciones de 2 y 5% atómico de Eu y Nd. El método de síntesis utilizado permitió la obtención de polvos y cerámicos que contienen la fase pura de YAG. Las propiedades mecánicas de dureza y módulo de elasticidad se midieron en un sistema Hysitron Ubi 1 (con un indentador de geometría Berkovich). Se utilizó un análisis estadístico Weibull del comportamiento mecánico, cuyos resultados fueron asociados a la microestructura de las muestras, lo cual indicó que era

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necesaria una etapa de una molienda de alta energía para refinar la granulometría obtenida de la síntesis y procesamiento. Después del proceso de molienda y sinterización, un conjunto de mediciones de nanoindentación fue llevado a cabo produciendo distribuciones unimodales y baja dispersión (m>23). Las muestras con 2% at de Eu y Nd alcanzaron los valores más altos de propiedades mecánicas siendo 22.63 y 21.24 GPa para la dureza y 265.57 y 264 GPa para el módulo elástico, respectivamente. Sin embargo, no hay diferencias significativas con respecto al resto de las composiciones. Los materiales de YAG en su forma policristalina son buenos candidatos para ser utilizados como agentes de reforzamiento, debido a que mostraron excelentes comportamientos mecánicos. [1] Xia Li, Hong Liu, Jiyang Wang, Hongmei Cui, Xudong Zhang, Feng Han, Materials Science and Engineering A, 379 (2004) 347-350. [2] J. Zárate, R. López, E.A. Aguilar, Advances in Technology of Materials and Materials Processing, 7[1] (2005) 53-56. CAM-P06 Li 2TiO3 Sintetizado por Combustión en Solución para la Sorción de Co 60+ Elizabeth Luna1, F. Granados2, N. Tepale3, Daniel Cruz3, *. 1ESIQIE Escuela Superior de Ingeniería Química e Industrias Extractivas, Instituto Politécnico Nacional, Unidad Profesional "Adolfo López Mateos", Zacatenco, Del. Gustavo A. Madero, C.P. 07738, México D.F. 2Departamento de Química, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Apdo. Postal 18-1027, México 11801, D.F., México 3Facultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. * daniel.cruz@fiquim.buap.mx En este trabajo se estudio el método de combustión en solución para producir titanato de litio (Li2TiO3). Durante la síntesis se estudio el efecto de agregar diferentes cantidades de agua destilada antes de la calcinación. El Li2TiO3 fue

preparado usando como precursores hidróxido de litio (LiOH), óxido de titanio (TiO2) y urea (CH4N2O), posteriormente se agregaron diferentes cantidades de agua destilada (0.5, 1, 1.5 y 2 ml) y se llevaron a calcinación a 750°C durante 5 minutos. Los polvos obtenidos se caracterizaron por difracción de rayos X (DRX), microscopía electrónica de barrido (MEB), análisis termogravimétrico (TGA) y área superficial y volumen total de poro (BET). Por DRX se observó la formación de Li2TiO3, por MEB se observaron diferentes formas y texturas en las muestras analizadas debido a la adición de agua destilada, por TGA se observa que las muestras pierden peso principalmente debido a procesos de deshidratación, deshidroxilación y descarbonatación. Por BET se observa un aumento en el área superficial a medida que se incrementa la cantidad de agua antes de la calcinación. Finalmente, la sorción de Co60+ en el Li2TiO3 fue mayor para la muestra de Li2TiO3 a la que se le adicionó 2 ml de agua destilada antes de la calcinación. CAM-P07 Oxidación total del metano a partir de catalizadores de Pd soportados en polvos cerámicos. Gabriela García-Cervantes1*, Viridiana Osorio-Zarate1, Jorge Morales-Hernandez1

1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada Unidad Altamira IPN. Km. 14.5 Carretera Tampico-Puerto Industrial, Altamira, C.P. 89600, Altamira, Tamps. Tel y Fax: (833) 264-93-02. Email: ggarciace@ipn.mx: El metano, el dióxido de carbono y los óxidos nitrosos son gases de efecto invernadero, siendo el de mayor importancia el metano, pues si bien su efectividad radiante es 23 veces más que la del CO2 y cualquier disminución tendrá un impacto ambiental favorable. La mayor parte de los requerimientos energéticos actuales se obtienen por combustión térmica de combustibles fósiles, entre estos el gas metano, sin embargo este presenta problemas tanto energéticos como ambientales tales como inestabilidad en los procesos, como es la combustión incompleta, así como altas temperaturas de operación lo cual propicia la formación de NOx. Se desea reducir las

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emisiones de gas metano a la atmosfera, ya que en la mayoría de las industrias mexicanas el metano es quemado directamente; a través de la combustión simple con presencia de una flama y residuos indeseables, los cuales son fuentes de contaminación. La alternativa propuesta en esta investigación para solucionar los problemas mencionados consiste en utilizar un material catalíticamente activo para la oxidación total del metano, el cual facilitara la combustión completa del metano aun por debajo del límite inferior de inflamabilidad, sin presencia de llama, y sin problemas de inestabilidad y no homogeneidad observados en la combustión no catalítica. Por ello es necesario, depositar la fase activa sobre soportes termoestables que presenten una buena transferencia térmica, para evitar sobrecalentamientos locales que conlleven a la perdida de la fase activa y por ende una pérdida en la actividad catalítica. Para atenuar esta problemática, se utilizará un soporte cerámico Nitruro de Boro (BN), este material posee propiedades altamente superiores a las de los soportes convencionales como la alta conductividad térmica. En esta investigación, se ha seleccionado el método MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) como una nueva alternativa para preparar catalizadores debido a que es posible obtener la fase activa del catalizador en orden nanométrico, lo cual incrementa la relación superficial y la eficiencia del catalizador. La caracterización de los catalizadores de Pd se efectuará mediante Difracción de Rayos-X, Espectroscopia Infrarroja, Microscopia Electrónica de Barrido y la evaluación catalítica será efectuada mediante la reacción de oxidación total del metano. [1] F.J. Cadete Santos Aires, I. Kurzina, G. Garcia Cervantes, J.C. Bertolini, Catalysis Today, Volume 117, Issue 4, 15 October 2006, Pages 518-524. [2]Jeffrey C.S. Wu, Shang-Jie Lin, Chemical Engineering Journal 140 (2008) 391–397. Agradecimiento: SIP20091695. CAM-P08 Efecto de la Adición de Zirconia Estabilizada con Ytria (7YSZ) en Medios de Molienda de Alúmina.

D. L. Trejo Arroyo1,*, G.G. Ortiz Siqueiros1, J. Zárate Medina1, J. Muñoz Saldaña2

1 Instituto de Investigaciones Metalúrgicas, Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo, Edif. “U”, C.U, C.P. 58060, Morelia, Mich., México. 2Centro de Investigaciones y Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Libramiento Norponiente 2000, Fracc. Real de Juriquilla, C.P 76230, Santiago de Querétaro, Qro. *dannaar4@hotmail.com Las propiedades de los materiales dependen en gran medida de la síntesis y procesamiento. En el caso de la alúmina, las propiedades mecánicas están en función de la microestructura, tipo y forma de refuerzo, entre otras.[1] En este trabajo se presenta la caracterización correspondiente a determinar el efecto de la adición de zirconia estabilizada con 6.5, 7.5 y 8.5% YO1.5 (7YSZ) en las propiedades mecánicas de medios de molienda (agregados esféricos) de alúmina para molinos de atrición. La adición de 7YSZ en la alúmina fue de 5 y 10% en peso. Los agregados esféricos fueron obtenidos por medio de un proceso de aglomeración mediante el goteo de suspensiones de pseudoboehmita (PB) con 7YSZ obtenidas por sol-gel.[2] La PB fue obtenida por el proceso U.G, y sembrada con 2.5% en peso de α-alúmina durante la síntesis de la PB (sembrado in-situ). La adición de 7YSZ se realizó durante el tratamiento mecanoquímico en la etapa de elaboración de la suspensión. Posteriormente, los polvos fueron secados a temperatura ambiente por 24 hrs, calcinados a 5°C/min hasta 1000°C por 1 hr y finalmente sinterizados a 10°C/min a 1550°C por 2 hrs. De acuerdo al análisis de DRX, (difractómetro de rayos-X, Bruker D8-Advance), en los polvos de 7YSZ calcinados a 800°, 1000° y 1300°C, ya se observa la fase tetragonal estable de la zirconia desde los 800°C, por lo que, los polvos obtenidos a 800°C fueron adicionados en la suspensión de pseudoboehmita. La caracterización de los medios de molienda reforzados con 7YSZ se llevó a cabo tomando como referencia los resultados de la caracterización de la muestra de pura alúmina sembrada in-situ con semillas de α-alúmina. Se obtuvo la densidad aparente de los medios de molienda, por medio de un método de prueba

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estándar de la ASTM (Designación C 20-00), conforme al método general de Arquímedes. Los resultados mostraron un incremento del ~14% en la densidad aparente de los medios de molienda reforzados. Por otro lado, se llevaron a cabo los ensayos de DSC-TGA, los cuales mostraron que, la secuencia de transformación de pseudoboehmita→α-alúmina no se vio afectada por la adición de 7YSZ en los medios, ya que no se mostraron cambios significantes en sus curvas. La microdureza de los medios de pura alúmina sembrada fue de 14.14 GPa, mientras que en los medios reforzados incrementó en general un ~25%. Por la técnica de nanoindentación, con un sistema HYSITRON Ubi1 (con un indentador de geometría Berkovich), se determinó la nanodureza (H) y modulo de Young (E*) y se observó el mismo efecto que en los ensayos de microindentación. [1]Messing G. L., Kumagai M. Shelleman R. A. and McArdle J. L., “Seeded transformations for microstructural control in ceramics”. Science of Ceramic Chemical Processing. L. L. Lench / D. R. Ulrich. John Wiley and sons. p. 259, (1986). [2]Ruvalcaba Luna, J.M. y Juárez Medina, H., 1993, Obtención de hidrogeles esferoidales de alúmina, aglomerados por goteo, Acta Universitaria. Guanajuato, Vol. 3, No. 2, p., 28-31. CAM-P09 Piezoelectricidad y análisis óptico en muestras dopadas de PZT en función de la temperatura. María D. Durruthy-Rodríguez1, 4, Jorge Portellez-Rodríguez 2, Francisco Calderón-Piñar3 y J. M. Yáñez-Limón4

1Departamento de Física Aplicada, Instituto de Cibernética, Matemática y Física, CITMA, 15 # 551, Vedado, La Habana, Cuba, CP 10400. 2 Departamento de Física General, Facultad de Física, Universidad de la Habana, San Lázaro y L, Vedado, La Habana, Cuba, CP 10400. 3Laboratorio de Magnetismo, Instituto de Materiales y Reactivos, Universidad de la Habana, San Lázaro y L, Vedado, La Habana, Cuba, CP 10400.

4CINVESTAV-Unidad Querétaro, IPN, Santiago de Querétaro, Querétaro, México. *dolores@icmf.inf.cu. En este trabajo se hace una caracterización mediante espectroscopia Raman y se determinan las características electromecánicas del sistema PLZT 53/47/0.1 en función de la temperatura, y reanaliza la estabilidad del sistema. Las muestras fueron obtenidas por el método de mezcla de óxidos, calcinadas a 900oC durante 90 min y sinterizadas a 1250oC durante 100 min, confirmando su estructura cristalina mediante difracción de rayos X obteniendo mezcla de fases romboédrica y tetragonal, debido a que la composición se encuentra en la frontera de fase morfotrópica del sistema PZT. También se analiza la evolución de tamaño de granos por microscopía electrónica de barrido, se determina la transición de fase Ferroeléctricas-Ferroeléctricas (romboédrica-tetragonal) a través de las curvas lambda, el corrimiento de las frecuencias de resonancia y el espectro Raman con temperatura. Agradecimientos. M. D. Durruthy Rodríguez agradece a CONACYT la beca otrogada para la realización de su estancia sabática en Cinvestav-Qro. CAM-P10 Síntesis mecano-química de PZT utilizando Pb304 como fuente de Pb y dopado con Nb. Ramírez-López L. M.1, Rivera-Ruedas G. 2, Durruthy-Rodriguez M. D2,3., Gómez-Guzmán O.1, y Yáñez-Limón J. M.2*

1Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN. Unidad Querétaro. Libramiento Norponiente No. 2000, Fraccionamiento Real de Juriquilla, cp. 76230 Querétaro Qro. 2Instituto Tecnológico de Querétaro Av. Tecnológico S/N Esq. M. Escobedo, Col. Centro, cp. 76000 Querétaro, Qro. México. 3Laboratorio de Magnetismo, Instituto de Materiales y Reactivos, Universidad de la Habana, San Lázaro y L, Vedado, La Habana, Cuba, CP 10400, calderon@fisica.uh.cu. *jmyanez@qro.cinvestav.mx

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En este trabajo se presentan los resultados obtenidos en la síntesis de cerámicos ferroelectricos del tipo PZT, por medio de la técnica Mecano-química, trabajando con las composiciones 51/49, 53/47 y 55/45, dentro del diagrama de fases del sistema PbZrO3/ PbTiO3, llevándolo acabo a diferentes pruebas en las temperaturas de calcinación y sinterización, con dopaje de Nb y sin dopar. Se analizan las etapas de molienda de los polvos, calcinación, preconsolidación (en este caso por prensado uniaxial) hasta la sinterización de los cerámicos. Se presentan los resultados experimentales correspondientes a la caracterización química, estructural, morfológica por MEB desde los polvos de los óxidos de partida utilizados como materia prima, en función de los diferentes tiempos de molienda, que en este caso fueron desde 1 hr. hasta 8 hrs. de molienda y a caracterización morfológica y estructural de las muestras calcinadas y sinterizadas. El tamaño de partícula y la morfología de los óxidos de partida sometidos al proceso de molienda, muestran que estos evolucionan a una morfología globular, equiaxial y con tamaño submicrométrico homogéneo (del orden de cientos de nanómetros). Se identifican las diferentes fases cristalinas presentes en las diferentes etapas de procesamiento mediante difracción de rayos-x, también se analiza el comportamiento de la densidad de los materiales obtenidos en función de las diferentes temperaturas de sinterización donde se observa una tendencia decreciente en la densidad con respecto a la variación en composición. Agradecimientos. Se agradece a CONACYT el apoyo para la realización de este trabajo a través del proyecto CB-2007_01-82843.

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SIMPOSIO DE CÁLCULOS AB-INITIO Y SUPERCÓMPUTO. Ab-Initio Calculation and Supercomputing CAS-P01 Análisis de la modificación química del óxido de grafeno: Un enfoque molecular J. J. Hernández Rosas1, H. Hernández Cocoletzi1, M. Salazar Villanueva2, E. Chigo Anota1,* 1Cuerpo Académico de Ingeniería en Materiales-Facultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 18 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 2Facultad de Ingeniería, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 18 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. * echigoa@yahoo.es En el presente trabajo se estudia por simulación molecular al óxido de grafeno [1] usando como modelo al cúmulo C55H17 para simular dicha hoja. Se analiza el cambio en las propiedades electrónicas (gap= HOMO-LUMO) variando los grupos funcionales presentes como el ácido carbóxilo, el grupo hidróxilo y en oxígeno en el grupo epóxido. Para dicho estudio se usa la teoría DFT a nivel de la Aproximación de la Densidad Local (LDA). [1] J. J. Hernández Rosas, E. Chigo Anota, articulo en extenso ‘’Estudio preliminar del óxido de grafeno’’ del 440 Congreso Mexicano de Química, Puebla (2009); J. J. Hernández Rosas, M. Salazar Villanueva, A. Escobedo Morales, E. Chigo Anota, en arbitraje en la Rev. Mex. Fís. (2009). Agradecimientos. Al proyecto VIEP-BUAP No: CHAE-ING08-I, a los Proyectos Internos de Investigación FIQ 2008-2009, FI-2008-2009 y al Cuerpo Académico de Ingeniería en Materiales (BUAP-CA-177). CAS-P02

Cálculo vibracional de compuestos Hidrogenados de C 60 y Titanio mediante DFT. A. Tlahuice-Flores1,*, D. Homero-Galván2. 1Facultad de Físico Matemáticas, Universidad Autónoma de Nuevo León, San Nicolás de los Garza, N. L., 66450, México, and

2Centro de Nanociencias y Nanotecnologia-Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 2681, Ensenada, B. C. * tlahuicef@yahoo.com El estudio del C60 unido a metales de transición ha tenido un auge recientemente debido a las posibles aplicaciones, dentro de estas se encuentra la de usar este tipo de nanoestructuras para el almacenamiento de hidrógeno [1-3]. En este trabajo reportamos el cálculo de los espectros IR y Raman de los compuestos C60TiHn (siendo n= 2, 4,6 y 8), además del compuesto hexacoordinado C60Ti6H48. Hemos encontrado que todos los compuestos C60TiHn, poseen espectros IR similares con un máximo alrededor de 1600 cm-1, que corresponde al modo vibracional de alargamiento-encogimiento del enlace Ti-H. Este pico se corre hacia frecuencias menores cuando se adicionan más átomos de H al compuesto original C60TiH2, dicho corrimiento corresponde a un enlace Ti-H más débil en el caso del C60TiH8. Además en el caso de n= 4 y 8, existen dos picos alrededor de 3410 y 3880 cm-1, los cuales corresponden a vibraciones de alargamiento-encogimiento apical y azimutal de las moléculas enlazadas de H2 respectivamente. El espectro Raman para n=2 presenta picos más intensos que en los otros casos (n=4, 6 y 8), siendo su máximo presente alrededor de.1150 cm-1. Finalmente en el caso del compuesto C60Ti6H48 [4], este posee a los átomos de titanio en un arreglo octaedral y sobre cada átomo de titanio se tienen 8 átomos de H. Su espectro IR muestra un máximo alrededor de 1590 cm-1 y su espectro Raman alrededor de 3850 cm-1. Todos los espectros IR y Raman calculados pueden ser empleados para identificar a los compuestos aquí estudiados una vez que sean sintetizados. [1] Yufeng Zhao, Yong-Hyun Kim, A. C. Dillon, M. J. Heben, and S. B. Zhang. PRL, 94, (2005) 155504

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[2] Jorge Iñiguez, Wei Zhou, Taner Yildirim. Chemical Physics Letters 4444, (2007) 140. [3] T. Yildirim, Jorge Iñiguez and S. Ciraci. PRB, 72, (2005) 153403. [4] Paul J Fajan, Joseph C. Calabrese and Brian Malone. Acc. Chem. Res., 25, (1992) 134-142. Agradecimientos. Al departamento de supercómputo de la UNAM. CAS-P03 Estudio de las propiedades mecánicas de la aleación AlSc mediante primeros principios J. H. Camacho García1, A. Bautista Hernández2, J. F. Rivas Silva1

1IFUAP, Universidad Autónoma de Puebla,

Apdo. Postal J-48,

Puebla, Pue. 72570, Mexico 2Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Puebla, Apdo. Postal J-39, CP 72570, Puebla, Pue., México.

Presentamos el calculo del modulo de Young, modulo de corte y constantes elásticas de la aleación AlSc, mediante primeros principios. Estudiamos diferentes composiciones tales como D019 (AlSc3), B82 (AlSc2), B2 (AlSc), C15 (Al2Sc), L12 (Al3Sc) que aparecen a nivel experimental y teórico. Dichos cálculos son realizados a nivel de la teoría del funcional de la densidad con la aproximación GGA. Se reportan además parámetros de red y modulo de bulto, en buen acuerdo con datos experimentales y teóricos. Finalmente, analizamos la dependencia del modulo de Young, modulo de corte y constantes elasticas en función de la composición. Agradecimientos. Este trabajo ha sido apoyado por CONACyT y VIEP BUAP. CAS P04 Calculo de la función dieléctrica de las calcopiritas basadas en Cu. F. Puch1,*, H. Tototzintle-Huitle1, R. Baquero2 y J.J. Araiza1. 1Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, calzada solidaridad

esquina con paseo a la bufa S/N, C.P. 98060, Zacatecas, Zacatecas, México. 2Departamento de Física, Centro de investigación y estudios avanzados, Av. IPN 2508, CP 07360, col. San Pedro Zacatenco, México, D.F. * frpuch@fisica.uaz.edu.mx Utilizando la ecuación de Kubo-Greenwood y las estructuras electrónicas de bandas de las calcopiritas CuBIIIC2

VI (BIII = Al, Ga In, y CVI = S, Se, Te) hemos determinado las componentes ε2xy(ω) y ε2z(ω) de la parte imaginaria de la función dieléctrica. La estructura electrónica de toda la familia se obtuvo utilizando el método de amarre fuerte, y se considero la siguiente base de orbitales: para el catión Cobre spd, para el catión BIII y el anión CVI sp [1]. En la aproximación para obtener la estructura electronica consideraron solamente interacciones a primeros vecinos y en el cálculo de la función dieléctrica solo se tomaron en cuenta transiciones interatómicas. Los resultados concuerdan con los reportado experimentalmente [2]. También se ha podido determinar cuáles son las transiciones interatómicas principales que determinan la forma del espectro, [1] Hugo Tototzintle Huitle, Tesis de Doctorado, CINVESTAV-IPN, 2007. [2] M. I. Alonso, K. Wakita, J. Pascual, M. Garriga, and N. Yamamoto, Physics Review B 63 (2001), 075203. CAS P05 Bandas fonónicas de un sistema de multicapas de impedancia acústica modulada según un perfil Gaussiano. Xóchitl I. Saldaña1,*, D. A. Contreras-Solorio2, J. Madrigal Melchor2. 1 Instituto de Física Luis Rivera Terrazas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Avenida San Claudio y 18 Sur, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pué., México. 2 Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad Esq. Paseo la Bufa s/n C. P. 98060, Zacatecas, Zac.,México. * xochitl@sirio.ifuap.buap.mx

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En este trabajo se hace un análisis teórico del diagrama de bandas de las ondas elásticas [1] longitudinales mediante el método de la matriz de transferencia [2] aplicado a un cristal fonónico de materiales fluidos cuya impedancia acústica se modula de acuerdo a un perfil Gaussiano. En este estudio se establece qué parámetros de la estructura hay que considerar en la obtención de los gaps de modos fonónicos y en que rangos de energía es posible obtenerlos. [1] M. Shen and W. Cao, J. of Phys. D: Appl. Phys., 33 (2000) 1150. [2] P.Yeh, Optical Waves in Layered Media, Wiley, New York (1988). Agradecimientos. Trabajo apoyado por la VIEP-BUAP, SASX-EXC09-I, México. CAS P06 Calculo de espectros de reflactancia de sistemas periódicos de multicapas en las alas de las mariposas *

P. González-Vellano1,*, M. P. Sampedro2, X. I. Saldaña2, F. Pérez-Rodríguez2. 1Facultad de Ciencias de la Electrónica, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 2Instituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 3Facultad de Ciencias Fisico Matematicas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. * amigopablo_123@hotmail.com La importancia que hay en las alas de las mariposas es porque en su estructura se encuentra una composición de múltiples capas periódicas compuestas por quitina y aire, que cuando incide la luz en ellas producen colores iridiscentes que son reflejados en la superficie de las alas de las mariposas [1]. El rango de colores va desde el verde hasta el violeta como se puede encontrar en las mariposas, principalmente trabajaremos con la mariposa Papilio Blumei y Albulina Metallica, utilizando la

teoría sobre los fenómenos ópticos en medios periódicos de multicapas[2], y reflectores de Bragg para determinar el espectro de reflactancia de las escalas iridiscentes de ambas mariposas y a si observar que los colores varían dependiendo el ángulo de incidencia de la luz, el grosor de cada capa y el numero de capas que tenga cada ala de estas mariposas. [1] Serge Berthier, Iridescence, Springer, (2007). [2] Pochi Yeh, Optical Waves in Layered Media, Wiley-Interscience (2005). Agradecimientos. Al proyecto VIEP denominado “Propagación de Luz en Sistemas Cuasirregulares” con clave SASX-EXC09-I. Xóchitl I. Saldaña CAS P07 Generalización de la formula de Frobenius para inversión de matrices arbitrarias. J. G. Rojas, A. Espinoza, J.C. Martínez-Orozco*, S. J. Vlaev. Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad esquina con Pasea la Bufa S/N. Zacatecas, Zac. México C.P. 98060. * jcmover@correo.unam.mx En este trabajo generalizamos la conocida formula de Frobenius para la inversión de matrices arbitrarias. Después de varios pasos en la división de la matriz inicial en bloques, encontramos un algoritmo numérico exacto para la inversión. En trabajos previos hemos publicado y desarrollado algoritmos para la inversión exacta de matrices tridiagonales en bloques [1]. El nuevo algoritmo presentado en este trabajo abre nuevas oportunidades para cálculos numéricos con mucha precisión y rapidez de matrices arbitrarias. Discutimos en este trabajo algunos ejemplos de la física de nanoestructuras y matemáticas aplicadas. [1] S. Vlaev, V.R. Velasco, F. García-Moliner, Phys. Rev. B 49 (1994) 11222.

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CAS P08 Capacitancia diferencial y estructura electrónica de niveles para un delta-FET en GaAs bajo presión hidrostática. A. Del Rio de Santiago1, J. C. Martínez-Orozco1,*, M. E. Mora-Ramos2, I. Rodriguez-Vargas1. 1Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad esquina con Pasea la Bufa S/N. Zacatecas, Zac. México C.P. 98060. 2Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de del Estado de Morelos, Av. Universidad 1001, Col. Chamilpa, 62210 Cuernavaca, Mor. México. * jcmover@correo.unam.mx En este trabajo realizamos el cálculo del perfil de la capacitancia diferencial para un transistor efecto de campo delta-dopado tipo n en una matriz de GaAs cuando este se somete al efecto de la presión hidrostática y calculamos también la estructura electrónica para un rango más amplio de valores de los parámetros del sistema. Este trabajo es continuación de trabajos previos en este dispositivo, ya que se ha calculado por ejemplo como es que afecta a la capacitancia diferencial por unidad de área la presencia del pozo delta-dopado de impurezas tipo n en la vecindad del contacto Metal-Semiconductor [1], además de que se ha hecho un primer estudio de la estructura electrónica de niveles para este dispositivo cuando se somete al efecto de la presión hidrostática [2] considerando el paso Γ-X, es decir que existe un valor de la presión a partir del cual este sistema pasa de ser un material de gap directo a uno indirecto. En esta ocasión se estudia cómo se comporta la región de empobrecimiento para el dispositivo cuando este es sometido al efecto de presión hidrostática, ya que como se sabe esto produce que el pozo de potencial tipo n cambie su forma como función de la presión (Por la dependencia de los parámetros básicos con la presión), dando como resultado cambios significativos en la estructura electrónica de niveles y por la misma razón afectara el comportamiento de la región de empobrecimiento como función de la presión y por ende el de la capacitancia diferencial, que

es lo que nosotros caracterizamos numéricamente en esta ocasión. [1] J.C. Martínez-Orozco, L.M. Gaggero-Sager, Stoyan J. Vlaev, Solid-State Electronics 48 (2004) 2277. [2] J.C. Martínez-Orozco, I. Rodríguez-Vargas, M.E. Mora-Ramos, C.A. Duque, Microelectronics Journal 39 (2008) 648.

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SIMPOSIO DE CARACTERIZACIÓN Y METROLOGÍA. Characterization and Metrology CYM-P01 Study on the nonlinear optical properties of beta vulgaris betacyanins and betaxanthins by z-scan measurements V Marañon-Ruiz1, R Chiu-Zarate1*, M Mora-González1, JH Garcia-Lopez1, E. Villafaña-Rauda1 and LC Rizo-delaTorre1

1Centro Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, Enrique Díaz de León 1144 Lagos de Moreno, Jalisco, 47460, México. *rchiu@culagos.udg.mx Nonlinear optics (NLO) has been expected to play an essential role in emerging technologies of photoelectronics and photonics. In the last years, the necessity of new materials with nonlinear optical properties has given rise to an intense investigation by research groups around the world. In this work we present an alternative material based on betalain, which is, a mixture of phytochromophore derived from beets (Beta vulgaris), which consists mainly of betacyanins and betaxanthins. The third order optical nonlinear properties of phytochromofore were investigated by means of Z-scan technique. The solution samples of betacyanins and betaxanthins exhibited large changes on nonlinear refractive indices under the excitation of a 633 nm laser. Moreover, the processes of nonlinear refraction induced by the laser thermal effect and isomerization effect were also analyzed in this work. CYM-P02 Caracterización de la madurez del mango (Magnífera indica L .) variedad Ataulfo. M. E. Rosas Mendoza1,2,*, J. L. Fernández Muñoz2 1 Departamento Ingeniería y Tecnología, FES-Cuautitlán UNAM. Av. 1º de mayo s/n, Col Atlanta, Cuautitlán Izcalli, 54740 Edo. de México, México.

*merosas@servidor.unam.mx 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694. Colonia Irrigación, 11500 México, D. F. El mango Ataulfo (Mangifera indica L.) es considerado como uno de los tres o cuatro frutos tropicales más finos. Es una fruta climatérica con un alto valor comercial en el mercado internacional. Su extraordinario sabor, olor, color y textura lo hacen especial, no solo para su consumo en fresco, sino también como ingrediente en otros productos, aprovechando las características de su pulpa de consistencia firme, poca fibra y baja acidez, de excelente valor nutrimental como vitaminas A, C, tiamina y niacina [1]. Se han realizado intentos por fijar un estándar de madurez para los mangos, basado en la gravedad específica y firmeza, pero las inconsistencias entre diferentes variedades de mango han restringido su uso como un criterio para predecir la madurez [2, 3, 4]. El objetivo de este trabajo fue caracterizar el estado de madurez del mango Ataulfo, mediante pruebas fisicoquímicas, con el propósito de establecer ciertos estándares que sirvan de referencia para la selección de estos frutos, de acuerdo al proceso de transformación al que se quieran someter. Los mangos fueron adquiridos en un mercado local, en un grado de madurez fisiológica; una vez lavados con agua caliente (55ºC) para evitar descomposición, se mantuvieron bajo control de temperatura y humedad relativa (14ºC/90% HR) hasta alcanzar la madurez comercial. Las pruebas realizadas a las muestras fueron: Evaluación del color, mediante imágenes digitales [5] en la escala CIE Lab y se calculó el ángulo de matiz (°Hue) y la cromaticidad. También se determinó el peso, además del tamaño y esfericidad [6]. La firmeza y los sólidos solubles del mango, fueron monitoreados de acuerdo a la NMX-FF-058-SCFI-2006. La acidez titulable y la humedad por los métodos 942.15 y 934.06 de la AOAC (2000), respectivamente. Con los datos obtenidos se realizaron histogramas y la correlación entre variables, de manera que se establecieron 5 estados de madurez de acuerdo a los valores de los resultados encontrados. [1] Baldwin, E. A., Burns, J. K., Kazokas, W.,

Brecht, J. K., Hagenmaier, R. D., Bender,

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R. J., et al. Postharvest Biology and Technology 17 (1999), 215.

[2] Tandon, D. K., & Kalra, S. K. Indian Journal of Horticulture 43 (1986), 51. [3] Tandon, D. K., Kalra, S. K., & Singh, B. P. Indian Journal of Horticulture 45 (1988), 219. [4] Samson, J. A. Tropical fruits. London: Longman (1980). [5] Yam,K. L., Papadakis, S. E. Journal of Food Engineering 61 (2004), 137. [6] Jha S. N., Kingsly A. R. P., Chopra, S. Journal of Food Engineering 72 (2006), 73. CYM-P03 Diffraction of Hermite-Gaussian Beams by Periodic and Aperiodic Metallic Rulings Oscar Mata Mendez Esc. Sup. de Física y Matemáticas, I. P. N. 07738 Zacatenco, D. F. México. We study the diffraction of Hermite-Gaussian beams by periodic and aperiodic rulings by means of the Rayleigh-Sommerfeld theory in the scalar diffraction regime. We extend to Hermite-Gaussian beams the results of a previous paper where Gaussian beams were considered [J. Opt. Soc. Am. A25, 2743-2748(2008)]. The transmitted power and the normally diffracted energy are analyzed as a function of the beam radius. Two methods to determine the Hermite-Gaussian beam radius by means of aperiodic rulings are proposed. These two methods are based on the maximum and minimum transmitted power, and in the normally diffracted energy. The diffraction patterns obtained at maximum and minimum transmitted power are also considered. CYM-P04 Depósito de películas luminiscentes de HfO2:Dy por rocío pirolítico ultrasónico. A. Peláez-Rodríguez1, R. Domínguez-Domínguez1, J. Guzmán-Mendoza1, M. A. Aguilar-Frutis1, M. García-Hipólito2, C. Falcony3

1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694. Colonia Irrigación, 11500 México D. F.

2Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior, Ciudad Universitaria, Coyoacán 04510, D.F. 3Departamento de Fisica, CINVESTAV-IPN, A.P. 14-740, México, 07360 D. F. Se prepararon películas delgadas de óxido de hafnio estequiometrias e impurificadas con disprosio mediante la técnica de rocío pirolítico ultrasónico. Los depósitos se llevaron a cabo sobre sustratos de vidrio, variando las concentraciones del impurificante en 1, 2, 3, 5, 10 y 20% átomo con respecto a la cantidad de hafnio y las temperaturas de depósito en el intervalo de 300 a 600°C con incrementos de 50°, con el fin de determinar las condiciones óptimas de depósito que permitieran la síntesis de películas con las mejores propiedades luminiscentes. Se determinó la morfología superficial por medio de microscopia electrónica de barrido (MEB). Se obtuvieron micrografías de las películas intrínsecas observándose la formación de una microestructura en forma de venas a bajas temperaturas de depósito, como consecuencia del impacto del material en fase líquida sobre el substrato. En general se aprecia una película compacta, rugosa con distribución uniforme del material depositado, al aumentar la temperatura de depósito se obtienen películas más gruesas y rugosas con la formación de estructuras esféricas dispuestas en su superficie. A altas temperaturas de depósito (600°C), se observa la formación de cúmulos de partículas esféricas homogéneamente distribuidas. La composición elemental se determinó mediante espectroscopia por dispersión de energía. Los espectros obtenidos, muestran la presencia de cloro en las películas, el cuál va disminuyendo con el aumento de la temperatura. Conforme aumenta la temperatura de depósito, la relación Hf/O se acerca más a la estequiometria ideal (0.5). A temperaturas menores a 400°C se presentan películas amorfas, por análisis de rayos X se muestra la presencia de la fase monoclínica del HfO2 en las películas a temperaturas mayores a 450°C. Las propiedades luminiscentes se evaluaron por medio de los espectros de emisión obtenidos por foto y catodoluminiscencia.

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CYM-P05 Study of the initial stages during postdischarge nitriding process. J. L. Bernal1*, L. Béjar2, A. Medina3

1Universidad Politécnica del Valle de México. Avenida Mexiquense s/n, esquina isla de la Plata , Col. Villa Esmeralda, C.P. 54910, Tultitlán, Estado de México 2UMSNH. Facultad de Ingeniería Mecánica, Edificio W, Ciudad Universitaria, Morelia, Michoacán. 58000. México. (3) UMSNH. Instituto de Investigaciones Metalúrgicas, Edificio U, Ciudad Universitaria, Morelia, Michoacán. 58000. México. ariosto@umich.mx * Corresponding author. Study of the initial stages during the nitriding post-discharge process by microwave is set. Based on the nitride growth kinetics during the initial stages and their dependence on the densities of the absorbed species a characterization of phase formation was developed. Experimental studies on short periods, in addition to providing information relevant to the study allowed us to microstructural analysis and collect some data that will be used later in diffusion theory. CYM-P06 Sensado de concentraciones de etanol aplicando espectroscopia de resonancia de plasmones superficiales K.I. Izundegui-Lázaro1,2, C. Mendoza-Barrera2, V. Altuzar2,* 1Facultad de Ingeniería- Región Veracruz y

2Laboratorio de Bionanotecnología, Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines 455, Fracc. Costa Verde, C.P. 94294, Boca del Río, Veracruz, México

*valtuzar@gmail.com La espectroscopia de resonancia de plasmones superficiales (SPR) es una técnica de análisis superficial que explota el fenómeno de reflexión total interna (TIR) en la interficie de dos medios con propiedades ópticas diferentes descritos por sus funciones dieléctricas (por ejemplo

dieléctrico y metal). Este fenómeno ha sido explotado en la fabricación de biosensores para la medición de interacciones moleculares y como sensor químico tanto de gases como de líquidos, entre otros. De esta técnica se aprovechan los cambios de reflexión que permiten determinar cuantitativamente el índice de refracción η de un soluto que esté en contacto con el metal tal que sea posible determinar la concentración de dicho soluto. En éste trabajo se aplicó el fenómeno SPR para cuantificar diferentes concentraciones de etanol diluido en agua (0, 5, 10, 15 y 20 %v/v). Para cada dilución se determinó el correspondiente ángulo crítico de resonancia de plasmones superficiales θc. Agradecimientos: Este trabajo fue apoyado por CONACyT (proyectos #68123 VA y #60548 VA). Los autores agradecen a Erika Torres Luna (MICRONA-UV) por su asistencia técnica. CYM-P07 Determinación de la permeabilidad inicial en ferritas suaves con el método modificado de anillo de Rowland M. E. Mata-Zamora*, B. Valera-Orozco, H. Montiel. Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, A. P. 70-186, C.P. 04510, D .F., México. * esther.mata@ccadet.unam.mx La permeabilidad magnética inicial está definida a partir de la curva de magnetización inicial de un material y corresponde al cociente de la inducción magnética B respecto al campo aplicado H, considerando sólo la zona en la que el comportamiento es lineal. La importancia de establecer las condiciones experimentales a las cuales se determina µi, es el de restringir sólo a la contribución de los procesos de magnetización reversibles, donde no hay pérdidas de energía. Esta región de comportamiento es lineal y es una condición necesaria para la determinación de la Temperatura de Curie. En el presente trabajo se propone una metodología, para medir la permeabilidad inicial en ferritas suaves (Hc∼20 Oe), basada en el método del anillo de Rowland [1]. A través de un software [2], el circuito

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magnético permite observar una gráfica de voltajes de entrada contra voltajes de salida que son proporcionales a B y a H. El arreglo experimental de Rowland se implementa al integrar un sistema de medición empleando técnicas de procesamiento digital de señales sobre la base de una PC y la tarjeta de adquisición NI USB-6211 con interfase USB. La tarjeta genera una señal analógica senoidal, que es entrada al embobinado primario de la ferrita toroidal. El voltaje senoidal en el embobinado secundario, también es digitalizado. Para obtener la susceptibilidad magnética (µ) en función de los respectivos voltajes de entrada y salida se propone un algoritmo de medición que extrae la componente fundamental de las señales de voltaje, v(t), para obtener el valor promedio o el valor RMS. Los valores calculados de la permeabilidad inicial son comparables a los que el fabricante reporta. [1] R. López Cruz, H. Montiel, M. E. Mata, B. Valera. Memorias SOMI XXII, Congreso de Instrumentación (2007) 55-RLC [2].R. López Cruz, Tesis de licenciatura “Desarrollo de un sistema de medición del capo crítico de propagación y la temperatura de Curie en ferritas”. Facultad de Ingeniería UNAM, 2008. Agradecimientos. Los autores agradecen a la DGAPA-UNAM por el financiamiento a través del proyecto PAPIIT-UNAM 2007 No. IN116608. CYM-P08 Desarrollo de un programa de adquisición para mediciones eléctricas de materiales semiconductores J. A. Melchor Robles1, J. Pérez Serapio1, M. A. Maldonado Rosas1, M. A. Hernández Grande1, A. Corona Ibarra1, A. Guillén Cervantes1, F. de Moure-Flores1, M. Meléndez Lira2*. 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Departamento de Física. Apdo. 17-740 México D.F., México 07000. 2CICATA-IPN, Unidad Legaria Legaria 694 Col. Irrigación, Del. Miguel Hidalgo, C.P. 11500, México D.F Para este trabajo se desarrolló un programa de adquisición de datos para aplicación en mediciones eléctricas de materiales

semiconductores empleando un equipo PCX. El programa esta diseñado en el lenguaje de programación gráfica LabVIEW, el cual es considerado multiplataforma. Para comprobar el funcionamiento del programa se caracterizaron dos muestras semiconductoras por la técnica de Van der Pauw. Además se realizaron mediciones I vs V para celdas CdTe/CdS y para una celda solar comercial cuya respuesta es conocida. De los resultados obtenidos concluimos que el programa que se desarrolló es óptimo para este tipo de caracterización. * En estancia sabática del Departamento de Física, CINVESTAV-IPN. CYM P09 Study and characterization of Natrolite from San Juan Viejo, Parangaricutiro, México M. Chávez Martínez1,*, M. Ávila Jiménez1, L. Hernández Martínez1, H. Goñi Cedeño1, M. Cecilia Salcedo Luna2, M. Meijueiro Morosini3. 1Área de Química, Universidad Autónoma Metropolitana Azcapotzalco, Av. San Pablo No. 180, Col. Reynosa Tamaulipas, C. P. 02200, D. F., México. 2Unidad de Servicio y Apoyo a la Investigación, Facultad de Química, Universidad Nacional Autónoma de México, C. P. 04510, Coyoacán, D. F. México, 3Departamento de Química Inorgánica y Nuclear, Facultad de Química, Universidad Nacional Autónoma de México, C. P. 04510, Coyoacán, D. F. México. *cmm@correo.azc.uam.mx A Natrolite-cemented Palagonite ash tuff unit is reported in a palaeo-basin in northeast Michoacán. Phillipsite and Chavazite are also identified. The Zeolites[1], were formed due to transformation of volcanic glass granules into Palagonite by the reaction with percolating water in a closed hydrological system. Consequently, Si, Al, Ca, Na and K are leached out and precipitated in a series of layers developed at the extreme edge of the granules. The recorded paragenetic sequence is Smectite → Phillipsite → Chavazite → Natrolite → Analcime → Calcite. The Natrolite studied is chemically similar to

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those reported in the literature with minor variations[2]. The Phillipsite and Chavazite studied are chemically different from the other Phillipsite and Chavazite reported. The latter are chemically equivalent to those formed under open hydrological systems, whereas the Phillipsite and Chavazite in this study are chemically equivalent to those formed in saline lakes and arid soil environments. This conclusion is based on the (Na+K)/(Na+K+Ca+Mg) ratio. The unit cell content of Natrolite is Na16Al16Si24O80·16 H2O with a Si/Al ratio of 1.6 and total pore volume of 24%. The Chavazite is enriched with Na and Mg and is depleted in Ca and K and is close in composition to Chavazite from a hydrologically closed system and arid soil. Chemical analysis of Natrolite indicates that it is Na dominated with narrow chemical variations. [1] Wrching, U. and Höler, H. Experimental Studies on Zeotilte Formation Conditions. European Journal of Mineralogy, 1, (1989) 489-506 [2] ICDD Pwder Diffraction File, International Centre for Diffraction Data, 12 Campus Boulevard, Newton Square, (2004), PA 19073-37720. CYM-P10 Evaluación de la uniformidad del acabado superficial de materiales utilizando un dispositivo opto-mecánico. H. A. Llanito Urbano.1, A. López Cervantes.2,*, I. Domínguez López.2 y A. L. García García.2 1 Instituto Tecnológico de Celaya, Av. Tecnológico y A. García Cubas S/N, C.P. 38010, Celaya Gto., México. 2 Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, Cerro Blanco 141, Colinas del Cimatario, C.P. 76090, Querétaro, Qro., México. * adrian_linces@hotmail.com La rugosidad de los materiales juega un papel importante en su desempeño tribológico, de hecho la norma ASTM G99-05 para pruebas de desgaste en configuración de perno en disco recomienda que la rugosidad promedio del disco no exceda de 0,8 m [1]. Por otro lado, las mediciones de rugosidad típicas, usando un perfilómetro de contacto, determinan el acabado

superficial en regiones muy localizadas de la muestra, por lo que es difícil conocer la uniformidad real del acabado en toda la superficie. En este trabajo se reporta el uso de un dispositivo opto-mecánico que permite la aplicación de la técnica de esparcimiento de luz láser para evaluar la uniformidad en el acabado superficial de materiales. Las mediciones del acabado superficial de los materiales se llevaron a cabo haciendoles un escaneo o barrido con el láser en tres modalidades: a) sobre una línea recta; b) sobre una trayectoria circular y, c) sobre toda la superficie. Los materiales analizados fueron: una superficie de rugosidad patrón, un disco de acero inoxidable y un disco de polímero de ultra alto peso molecular. Los resultados obtenidos muestran la sensibilidad del aparato para detectar cambios en la uniformidad de la rugosidad de los diferentes materiales bajo prueba y su utilidad en el área de tribología para hacer una evaluación integral de la uniformidad del acabado superficial de los materiales, antes y después de ser sometidos a desgaste. [1] Standard Test Method for Wear Testing with a Pin-on-Disk Apparatus, ASTM International, 2005. Agradecimientos. Los autores agradecen el financiamiento parcial otorgado por la Secretaría de Investigación y Posgrado del IPN, mediante el proyecto No. 20091134. CYM -P11 Diseño de un Electrocardiógrafo vía conexión USB R. Robles-Arce, A. Peña-Orea, G. Mondragón, A. Garduño, M. G. Ramirez-Sotelo y A. I. Cabrera-Llanos. Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del IPN Av., Acueducto s/n Barrio La Laguna Ticoman, C.P. 7340, GAM, Distrito Federal, México. acabrerall@ipn.mx La adquisición de datos del Electrocardiograma (ECG) es una parte fundamental en la detección de enfermedades cardiacas, por lo que es de suma importancia su empleo en áreas de cuidado intensivo dentro de un hospital. Actualmente, los electrocardiógrafos utilizados

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dentro del área de cuidados intensivos, tienen un elevado costo y difícilmente se puede acceder a los datos almacenados por el equipo, ya que se encuentran codificados para que solo se puedan interpretar por el software especifico para cada electrocardiógrafo y no pueden ser empleados para aplicarles un tratamiento matemático para futuros estudios. Por otra parte, muy pocos electrocardiógrafos incluyen algún tipo de interfaz hacia una computadora, y aquellos que la poseen generalmente es por el puerto serial, el cual prácticamente ya no se utiliza. El objetivo de este trabajo es diseñar y desarrollar un sistema simple de adquisición de señales electrocardiográficas, compuesto de un único dispositivo de grabación y almacenamiento (computadora personal) de bajo costo. Elegimos utilizar el puerto USB para comunicar el electrocardiógrafo con la computadora, debido a que este puerto transfiere los datos de manera rápida, es fiable y prácticamente cualquier computadora cuenta con varios puertos USB. Los controladores que permiten la comunicación con el electrocardiógrafo y la computadora fueron diseñados para ser compatibles con Microsoft Windows Vista ®. La interfaz gráfica del equipo fue diseñada bajo la plataforma de Matlab ®, donde se muestra el electrocardiograma y se realiza el almacenamiento de los datos. El diseño electrónico del electrocardiógrafo se basó en lo establecido por la normatividad correspondiente. [1] E. Mena, J. P. Ruiz, A. I. Cabrera, Método Computacional de Análisis de Arritmias, III Congreso Internacional de Ingeniería Física, México 2004, Pág. 329-336. [2] A.I. Cabrera, J. I. Chairez, E. Mena, Solución Numérica basada en la transformada Wavelet para Diagnostico Cardiaco, IEEE 3º Congreso Internacional en Innovación y Desarrollo Tecnológico, 2005. Agradecimientos. Al apoyo de la Secretaria de Investigación y Posgrado del IPN por el apoyo otorgado en el proyecto SIP 20090340 CYM P12 Desarrollo de un Prototipo eficiente para la diferenciación de Enfermedades Morfológicas de la Cornea

A. Peña-Orea, R. Robles-Arce, G. Mondragón, M. G. Ramirez-Sotelo y A. I. Cabrera-Llanos. Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del IPN Av., Acueducto s/n Barrio La Laguna Ticoman, C.P. 7340, GAM, Distrito Federal, México. acabrerall@ipn.mx Se presenta el desarrollo de un prototipo para la integración de un banco de imágenes digitales de la cornea, estas son tomadas utilizando un sistema de bajo costo por medio de una cámara Web Cam, donde la cornea es sometida a estímulos visuales con diferentes longitudes de onda; posteriormente la diferenciación de las patologías de la cornea se realiza en base a la comparación entre una población de individuos con un diagnostico médico previo. Además se realizo un algoritmo de procesamiento digital de las imágenes, con el fin de encontrar las características relevantes en cada una de ellas, y así poder establecer las relaciones entre las características obtenidas por el procesamiento digital de la imagen, con la presencia de patologías dentro de los individuos de la población. Las variaciones se presentan de manera grafica dentro de los vectores representativitos a cada longitud de onda en un mismo individuo. Las características obtenidas serán tomadas para poder desarrollar un sistema de pre diagnóstico de enfermedades morfológicas de la cornea. [1] Aguirre-González, Baca-Lozada, Velasco-Ramos, “Seguimiento del queratocono mediante topografía de elevación”, Revista Mexicana de Oftalmología, Marzo-Abril 2003, Vol.(77) 2. [2] Gonzales R. C., Woods R. E., Digital Image Processing, 2a edition, Prentice Hall, USA, 2002. [3] Fernandez-Vidal X. R. , Garcia J. A. y Fernandez Valdivia, A perceptual measure to predict the visual distinction between two colors images, Pattern Recognition Letters 1998. CYM P13 Development of the experimental method to study the temperature effect on the mayority and minority carriers transport lengths in semi-insulating semiconductors A. Medel Mejía1*, K. Alemán-Ayala2, S. Mansurova2, A. Kosarev2,

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1 Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Físico Matemáticas. Av. San Claudio Col. San Manuel, C.P. 72570 Puebla, Puebla. México. 2 Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica Study of correlation between electronic structure of the material and its photoelectric properties is a task of paramount importance aiming the development of new material and devices.A decade ago the important class of characterization techniques based on spatial and temporal modulation of the excess carriers (so called charge grating techniques) induced by the dynamic (running, oscillating, or temporally modulated in amplitude) interference pattern created by the superposition of two coherent laser beams appeared. Recently one of these techniques (called non-steady-state photo-EMF) which uses periodically oscillating interference pattern to induce alternating current (ac) through the short-circuited photoconductive sample was successfully applied to inorganic and organic (polymer) photoconductor. Theoretical model of non-steady-state photo-EMF effect was developed [1] for monopolar and bipolar photoconductor and it was shown experimentally that the number of important photoelectric parameters such as majority and minority carriers diffusion and drift length, photocarriers lifetime τ , dielectric relaxation time diτ , primary

quantum efficiency of charge generation φ , etc. can be determined using this technique.

Despite of being non-steady state photo-EMF effect a highly efficient tool a characterization of the material photoelectric parameters, no attempt have been done till now to use this technique to study the correlations between electronic structure of the material and its photoelectric properties. It is well known, however, that temperature dependent measurements are one of the widely used methods to elucidate the materials electronic structure. Here we develop a new methodology performing the measurements of non-steady-state photo-EMF effect at different temperature regimes.

For validating the method, the 0.5 mm thick semi-insulating Gallium Arsenide (GaAs) was chosen as a test material. Pair of silver electrode with 3mm inter-electrode spacing were painted on the samples front surface. Two

mutually coherent beams derived from a cw HeNe laser ( = 633nm) intersected on the crystal surface creating an interference pattern. The beam crossing angle was varied within a range 0 – 0.1 rad. The phase of one of the beams was periodically modulated by an electro-optic modulator. The sample was short-circuited through a load resistor RL (10 kΩ) and connected to the input of digital lock-in amplifier SRS-830. For the temperature measurements liquid nitrogen vacuum cryostat has been used with the samples placed on top of a copper plate. Temperature was varied in the range 300 – 460 K. In addition dark and photo conductivity measurements were accomplished using a programmable Keitley 617 digital electrometer / voltage source interfaced to a computer. Our data shows that photo-EMF current amplitude slightly increased at the increasing temperature. Photo-EMF current dependence on spatial and temporal frequency of modulation has been measured and majority and minority carrier’s diffusion lengths have been estimated. Finally, its dependence on temperature has been analyzed. [1] S.Stepanov in “Handbook on Advanced Electronic and Photonic Materials”. Vol.2, edited by H.S.Nalwa (Academic), San Diego, 2001. CYM P14 Caracterización mediante espectroscopia Raman de óxidos magnéticos del tipo Ni 1-

xZnxFe2O4 J. F. Barrón-Lopez1,*, M. E. Mata-Zamora1, R. Sato Berrú1, H. Montiel1, J. M. Saniger- Blesa1 1 Centro de Ciencia Aplicada y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior S/N, Ciudad Universitaria, C.P. 04510, Distrito Federal, México. * jf.barron82@gmail.com Las ferritas son óxidos mixtos del tipo MFe2O4 que poseen una estructura cristalina de tipo espinela. Estos materiales poseen una gran importancia científica y tecnológica debido a sus propiedades magnéticas dinámicas. En este trabajo se sintetizaron muestras de ferrita de níquel zinc (Ni1-xZnxFe2O4; x = 0.45, 0.55, 0.65, 0.75 y 0.85) por coprecipitación química. Mediante espectroscopia Raman se estudió la evolución del espectro vibracional del sistema

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en función del contenido de Zn2+, el cual coincide con el de otras espinelas magnéticas del tipo MFe2O4 pertenecientes al grupo espacial Fd3m. El rasgo distintivo del espectro Raman de las ferritas de níquel zinc es la presencia de dos modos vibracionales de simetría A1g, cuyas intensidades relativas varían en función de la composición de la muestra y que están asociados al estiramiento simétrico (stretching) de los enlaces Fe-O (670-700 cm-1) y Zn-O (645-655 cm-1) dentro de los sitios tetraédricos (MO4) de la espinela. Adicionalmente, un estudio magnético permite correlacionar la evolución del espectro Raman con la variación de las propiedades magnéticas del sistema en función de la substitución del Fe3+ por Zn2+ en los sitios tetraédricos de la estructura cristalina de la ferrita. Agradecimientos: Los autores agradecen a DGAPA-UNAM por el financiamiento recibido a través del proyecto PAPIIT No. IN116608. CYM P15 Cuantificación de iones de calcio por metodo colorimétrico en hueso descalcificado tratado electromagnéticamente M. L. Cortés-Ibarra1*, J. A. Mondragón-Herrera2, J. A. Yescas-Hernández1, Rigoberto Garibay Sánchez1, Alejandro Dueñas Tinoco3, Xitlaly Araceli Pan Morán3, Beatriz Elguera Gómez3 1 Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional. Av. Acueducto s/n, Col. Barrio La laguna Ticomán C.P. 07340, México, D.F., México. 2 Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, Depto de Fisiología, Biofísica y Neurociencias, Av. IPN # 2508 Col. San Pedro Zacatenco, México, D.F., México. 3 Estudiante de Ingeniería Biomédica, Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional. Av. Acueducto s/n, Col. Barrio La laguna Ticomán C.P. 07340, México, D.F., México. *mcortesi@ipn.mx Uno de los principales problemas que se le puede presentar a una mujer mayor de 45 años

es el de tener una fractura, después de una caída , debido a que su masa ósea este disminuida, las partes óseas que resultan más vulnerables en la senectud y principalmente con padecimiento de osteoporosis son: cadera, fémur y tibia. En la actualidad contamos con diferentes métodos que permiten y facilitan la medición de parámetros como este, sin embargo los recursos se limitan en ciertos aspectos, cuando realmente es posible realizar estas mediciones, por medio de otras técnicas, es por eso que este proyecto se preocupa por hallar una metodología alternativa que permita estimular las células generadoras de calcio y por ende de densidad ósea. El calcio es uno de los principales minerales que forma parte del organismo cumpliendo con importantes funciones a nivel intracelular y extracelular; pero además es componente del 99% de los huesos (en donde se encuentra como carbonato de calcio). Por esto es de suma importancia tener métodos alternativos que permitan su identificación y determinación de concentraciones en una solución.El equipo propuesto para la terapia, consiste principalmente de un par de bobinas Helmholtz las cuales nos proporcionan un campo magnético uniforme, con lo cual se logra la estimulación de las células regeneradoras en los huesos, dicho equipo está integrado por dos partes fundamentales, la primera está constituida por la etapa generadora de los pulsos de estimulación. La segunda está constituida por un generador de frecuencias, en un principio esta se mantenía fija, pero los estudios recientes nos han llevado a cambiar los parámetros para poder observar de una manera más clara el efecto que tiene la variación de esta sobre el tratamiento paliativo de la descalcificación ósea, esta parte está integrada por un Pic 16F877 y un oscilador 555. El medidor de calcio consta de un emisor y receptor infrarrojo con el cual se conocerá la concentración de iones de calcio en una muestra incinerada y pulverizada, la cual es disuelta en solución de alizarin. Se realizaron mediciones con muestras tratadas. La calibración se llevó a cabo en muestras de hueso sano y de aquí se evaluaran diferentes muestras con tratamientos varios. Los resultados obtenidos nos dan evidencia de que cada sujeto necesita su tratamiento personal y esta técnica proveerá una oportunidad.

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CYM P16 Estudio de la variación de los parámetros de depósito en las propiedades morfológicas y estructurales de las películas de nanofibras de TiO 2 depositadas por electrospinning. N. Cruz-González1*, A. Zapata-Navarro1. 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN, Unidad Legaria. Calzada Legaria 694, Colonia Irrigación, C.P. 11500, México D.F. *nadhya81@hotmail.com Se fabricaron películas de nanofibras de TiO2 depositadas sobre sustratos metálicos mediante la técnica de electrospinning, se estudio la influencia de la variación en los parámetros de depósito sobre las propiedades morfológicas y estructurales de las nanofibras de TiO2. Se preparo un sol-gel a partir de tetraisopropóxido de titanio, 2-propanol, agua desionizada y ácido nítrico. El gel se inyecto con una jeringa manteniendo constante el flujo de inyección, la distancia entre la punta metálica y el substrato colector se vario entre los 5 – 10 cm, de igual manera se vario el voltaje aplicado para la formación de las nanofibras entre los 20 – 30 kV. Las películas de nanofibras obtenidas se deshidrataron a 110°C durante 1 h, posteriormente se les dio tratamiento térmico a 500°C por 2 h en una atmósfera de argón. Las películas de nanofibras de TiO2 se caracterizaron por microscopía electrónica de barrido (SEM) y por Difracción de Rayos-X (DRX). Los resultados de SEM muestran que los diámetros de las nanofibras variaron con el voltaje aplicado, obteniéndose pequeños diámetros cuando se utilizo el menor voltaje. Los patrones de DRX muestran que las películas de nanofibras obtenidas son cristalinas. Este trabajo fue financiado por la SEP-CONACYT bajo el proyecto No. SEP-2004-C01-47934 y por la Secretaría de Investigación y Posgrado (SIP) del IPN bajo el proyecto No. 20090484. CYM P17

Comportamiento eléctrico de Ca 10(P04)6 20H M. G. López-Buisan Natta1, M. Méndez-González1,*

1Escuela Superior de Física y Matemáticas del Instituto Politécnico Nacional, Edificio 9, U. P. Adolfo López Mateos, 07730, México D.F., México. *mmendezg07@yahoo.com.mx En los vertebrados el compuesto fosfato-calcico Ca10(P04)620H denominado hidroxiapatita (HAP), forma la estructura mineral del hueso. Este fosfato calcico sintetico se utiliza para prótesis y material de aporte en cirugía reconstructiva. En este trabajo se muestran las curvas de polarización potenciostatica obtenidas con un potenciostato-galvanostato AUTOLAB-PGSTAT30. Obtenidas al ser aplicadas en fosfato calcico sintetico, con el fin de obtener su comportamiento de polarización e impedancia. La resistividad incremental en la zona ohmica es de 1657 Ωm. Las densidades de corriente de saturación son 15 y - 23 µA/cm2. El corrimiento (offset) en el potencial es de 5 mV. Con la técnica EIS, y utilizando el modulo FRA del mismo equipo, se obtuvieron diagramas de Nyquist que corresponden a un circuito Randles clásico. Los parámetros son los siguientes: resistividad ~ 109 ohm.cm; permitividad ~ 10-13 F/cm. No hay evidencia de un comportamiento lineal en el extremo de altas frecuencias. La porosidad, estimada con la misma técnica EIS, es aproximadamente 80%. No se encontraron indicios de rectificación, ni de la conductividad iónica detectada por otros autores[1].. [1] M. A. Fanovich, M. S. Castro y J. M. Porto, Ceramics International, 25, (1999), 517-522. Agradecimientos: Agradecemos a la Secretaria de Investigación y de Posgrado del IPN por su apoyo para la realización de este trabajo. CYM P18 Análisis espectroscópico por infrarrojo (IR) de los ácidos grasos trans (AGT) en los aceites de girasol (AG) y oliva (AO) J. Díaz Reyes1,*, J. A. Ariza-Ortega1, M. G. Méndez-Ramos1, R. J. Delgado Macuil1, y R. R. Robles de la Torre1 1 Centro de Investigación en Biotecnología Avanzada, Instituto Politécnico Nacional. Ex–

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Hacienda de San Juan Molino, s/n Km. 1.5. Tepetitla, Tlaxcala. 90600. México. * jdiazr2001@yahoo.com Los aceites durante su almacenamiento sufren una degradación en sus ácidos grasos que afecta su calidad. Para determinar los daños en el aceite se emplean índices químicos. Estos fueron las primeras herramientas para conocer acerca del grado de ácidos grasos libres, enranciamiento y autooxidación de los aceites, así como el grado de dobles enlaces que presentan los ácidos grasos, sin embargo no describen el total de triacilglicéridos o tipo de ácidos de grasos, para profundizar el análisis químico se recurre al los métodos instrumentales. Las técnicas instrumentales, permiten conocer estos parámetros, sino que además son más rápidos y versátiles, algunos de ellos no usan reactivos químicos y no contaminan. La finalidad de este trabajo fue aplicar el IR para estudiar los AGT en los AG y AO. Los aceites fueron adquiridos en un supermecado local. Se empleó un IR por Transformada de Fourier, en el modo de Reflectancia Total Atenuada, y se midió en la región de 4000-400 cm-1. Se analizó la frecuencia de cada banda de los espectros automáticamente mediante el software del equipo. Se observó en los AG y AO en la región de 1742 cm-1, la frecuencia de la banda que corresponde al grupo funcional éster con vibración de estiramiento. En el AG se identificó el grupo funcional trans en la región 968 y 3025-3040 cm-1. Mientras que el AO sólo en la región 968 cm-1. La autooxidación en el AO fue menor debido a los antioxidantes naturales que contiene CYM P19 Análisis espectroscópico por infrarrojo (IR) de la mantequilla vegetal (MV) y mantequilla pura de vaca (MPV) J. A. Ariza-Ortega1, M. G. Méndez-Ramos1, M. E. Ramos-Cassellis2, R. J. Delgado Macuil1, J. Díaz Reyes1,* y R. R. Robles de la Torre1 1 Centro de Investigación en Biotecnología Avanzada, Instituto Politécnico Nacional. Ex–Hacienda de San Juan Molino, s/n Km. 1.5. Tepetitla, Tlaxcala. 90600. México. 2 Facultad de Ingeniería Química, Colegio de Ingeniería de Alimentos. Benemérita

Universidad Autónoma de Puebla, México. Avenida San Claudio y Blv. 18 Sur, San Manuel. Puebla, Pue. México. * jdiazr2001@yahoo.com Los ácidos grasos con isomería trans (AGT) se originan en forma natural y artificialmente. En el primero, se producen en los rumiantes a través de una biohidrogenación parcial de los AG insaturados. En el segundo, durante el proceso de hidrogenación de los aceites vegetales. Diversas investigaciones realizadas para conocer el efecto de los AGT en la salud, han informado que estos AG consumidos en grandes proporciones incrementan la lipoproteína de baja densidad y disminuyen la concentración de la lipoproteína de alta densidad, originando un desequilibrio en el colesterol, situación más dañina que por el consumo de los AG saturados. Debido a lo anterior, algunos países han regulado y legislado el contenido de AGT en los alimentos. La idea fundamental del presente trabajo fue anilzar la MV y la MPV por el IR. Las mantequillas fueron adquiridas en un supermercado local. Para el análisis de los AG se empleó el IR por Transformada de Fourier, en el modo de Reflectancia Total Atenuada, y se midió en la región de 4000-400 cm-1. Se observaron bandas de absorción alrededor de los 2850 y 2920 cm-1 que son característicos del enlace C-H asociados a los grupos CH2 y CH3

respectivamente. Sin embargo, en la región de 3005-3000 cm-1 se observó una intensidad en la MPV, lo cual se asoció al grupo funcional cis. En la MV se identificó la banda a 3040-3010 cm-1 asociado a los AGT. Por lo tanto, es posible definir con precisión el pico asociado al grupo funcional trans.

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Simposio de Divulgación de la Ciencia. Science Divulgation DCI 01 Parámetros Efectivos de Metamateriales Fonónicos J. Flores-Méndez* y F. Pérez-Rodríguez Instituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Apdo. Post. J-48, Cd. Puebla, C.P. 72570, México. * jflores@sirio.ifuap.buap.mx Se presenta una teoría de homogeneización para cristales fonónicos compuestos de materiales sólidos o líquidos que permite calcular los parámetros efectivos en función de su estructura y forma de las inclusiones dentro de la celda unitaria, y determinar las condiciones en que su respuesta efectiva tiene un comportamiento metamaterial. Cuando la longitud de onda de las ondas acústicas es mucho mayor que la constante de red de los respectivos cristales, estos compuestos artificiales se pueden modelar como medios homogéneos con parámetros físicos efectivos. En el presente trabajo, se aborda la homogeneización considerando que el sistema es periódico, lo que nos permite expandir los parámetros que aparecen en la ecuación de onda en series de Fourier. Además, se puede utilizar el teorema de Bloch para expresar los diferentes campos como una onda plana viajera con vector de onda k y frecuencia ω, multiplicada por una función que tiene la periodicidad de la red y, por lo tanto, puede ser expandida en otra serie de Fourier. La teoría convencional de homogeneización establece que el promedio de un campo en el límite de grandes longitudes de onda, o sea k muy pequeños o en el rango de bajas frecuencias (es decir, en la parte inferior de la estructura de bandas), describe las vibraciones macroscópicas (aquellas que varían a distancias mucho mayores que la constante de red), y está determinado por la componente correspondiente al vector de red recíproca nulo, G = 0, en la expansión en ondas planas. Dentro del marco de esta teoría convencional, los parámetros efectivos se definen a partir de la ecuación para la componente de variación lenta (macroscópica) del campo. Por el contrario, la

teoría aquí presentada, denominada “Teoría de la envolvente”, hace uso del teorema de Bloch para definir los parámetros efectivos. Según el teorema de Bloch, los valores del campo de desplazamientos evaluado en dos puntos cuya distancia entre ambos es un múltiplo de la constante de red son distintos solo por el cambio de fase de la función envolvente. Tomando una red de puntos que coincida con la red de Braviais del cristal fotónico se puede definir un medio efectivo con parámetros que describen la respuesta acústica del medio homogeneizado. La ecuación que se obtiene para los campos evaluados en esos puntos de la red es la ecuación que satisface la función envolvente, la cual describe el campo de desplazamientos en un medio continuo efectivo. A diferencia de la teoría convencional, nuestro enfoque es válido para cualquier valor del vector de onda de Bloch, k, dentro de la primera zona de Brillouin. DCI 02 Formulación y evaluación de un biolubricante A. Gutiérrez Franco1,*, L. García González1, P. J. García Ramírez1, T. Hernández Quiroz2, y J. Hernández Torres1

1 Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines 455, Fracc. Costa Verde, C.P. 94294, Boca del Río, Veracruz, México. 2 Facultad de Ingeniería Química, Universidad Veracruzana, Xalapa, Veracruz, México. *angelikagtzf@gmail.com La demanda de lubricantes biodegradables se debe a una creciente preocupación por el impacto que nuestra tecnología esta haciendo a nuestro medio ambiente. Es por ello que algunos países han creado nuevas legislaciones que han obligado a muchos fabricantes de lubricantes ha desarrollar “lubricantes amigables al ambiente” o “biolubricantes”, entendiendo por biolubricante, un producto que cuentan con una formulación que permite una rápida biodegrabilidad y una toxicidad ambiental reducida, y que además que cuenta con un porcentaje considerable de materias primas renovables como ceras derivadas de aceites vegetales o animales. La biodegradabilidad de

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un aceite se define como la habilidad que tiene un aceite para ser descompuesto en dióxido de carbono y agua por la acción de microorganismos en un período de tiempo determinado, que hacen que finalmente se vuelva poco nocivo para el entorno que lo rodea. Los biolubricantes son producidos principalmente a base de productos vegetales, sin embargo no se descartan otras materias primas como productos animales y productos sintéticos con propiedades biodegradables. Actualmente la industria de biolubricantes prefiere aceites con alto contenido oleico y bajo nivel de ácidos grasos. Estas preferencias concuerdan con las de otras industrias y más aún con la de consumo humano quienes exigen aceites cada vez más saludables [1,2,3]. Por esta razón, es que actualmente en la Universidad Veracruzana se está proponiendo estudiar y obtener los aceites a partir de semillas vegetales de segunda generación endémicas de la región de Veracruz como el cachichin (Oecopetalum mexicanum) y la higuerilla (Ricinus comunis L); y de grasas de residuos avícolas (piel de pollo). [1] www.cemue.com.mx [2] http://www.biourbano.260mb.com/index_archivos/biolube.htm [3] Rudnick Leslie R. Synthetics, mineral oils, and bio-based lubricants. Chemistry and Technology. Editorial CRC Taylor & Francis Group (2005). Agradecimientos: Este trabajo fue apoyado por el Fondo Mixto de Fomento a la Investigación Científica y Tecnológica CONACYT Gobierno del Estado de Veracruz, por medio del proyecto No. 095111. Así mismo, agradecemos a la Dirección General de Investigaciones (DGI) con LEDIV Desarrollo Tecnológico Innovador de la Universidad Veracruzana por su apoyo brindado. DCI 03 Campo electromagnético en la calidad física del grano de maíz para hacer tortillas R. Zepeda-Bautista 1*, C. Hernández-Aguilar 1,

A. Domínguez-Pacheco 1, A. Cruz-Orea 2, E.

Martínez-Ortíz 1, L. M. Hernández-Simón 1.

1Instituto Politécnico Nacional, Sepi-Esime, Zacatenco, Unidad Profesional “Adolfo López Mateos”, Col. Lindavista, México D.F., CP 07738, México. *rzb0509@hotmail.com 2Departamento de Física, CINVESTAV–IPN, A. P. 14-740, México D.F., C.P. 07360, México En México, cada persona consume 121 kg de tortilla por año, que satisfacen el 37 y 46 % de la proteína y energía requerida por el cuerpo humano, respectivamente; sin embargo, en ocasiones la calidad del grano de maíz no cumple la Norma NMX-FF-034/1-SCFI-2002 [1]. Se evaluó el efecto de la irradiación electromagnética sobre la calidad física del grano de variedades de maíz (Zea mays L.) para hacer tortillas en el Valle de México; así como la respuesta de cada variedad. En junio de 2009, se evaluaron 12 tratamientos (tres variedades: AS-722, HS-2 y Criollo, y cuatro dosis de campo electromagnético: 0, 5, 10 y 15 minutos) en un diseño de bloques completos al azar con dos repeticiones, la unidad experimental fue de 500 g. El grano se radió con una instrumentación automatizada y controlada por una computadora, con la cual se controló el tiempo e intensidad del campo electromagnético que fue inducido por un solenoide. El análisis de las muestras se hizo en el Laboratorio de Maíz del Instituto Nacional de Investigaciones Forestales, Agrícolas y Pecuarias (INIFAP) [2]. Hubo diferencias ( 05.0≤p ) entre variedades y dosis de campo electromagnético (CE) para peso hectolítrico (PH), índice de flotación (IF), peso de cien granos (PCG) y color de grano y tortilla (CG y CT, % reflectancia). En promedio, con 15 minutos de CE se disminuyeron en 15.5 y 4.1 % el IF del grano y CT, respectivamente, en comparación con el testigo. En IF del grano, HS-22 disminuyó 39.1 % con 15 minutos de CE; mientras que, en AS-722 y Criollo no hubo cambio significativo, en comparación con 0 minutos de CE. Asimismo, en CT, Criollo y HS-22 disminuyeron 4.9 y 6.0 %, respectivamente, con 15 minutos de CE. En AS-722, se observó un aumento de 2.6 y 4.5 % en PCG y CG con la exposición de 10 minutos de CE, en comparación con el testigo. Cada variedad respondió diferente a la aplicación de campo electromagnético en función de la estructura y composición química del grano.

Palabras clave : Zea mays L., índice de flotación, color de grano y peso hectolítrico.

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[1] Zepeda B. R., A. Carballo C., A. Muñoz O., J. A. Mejía C., B. Figueroa S. y F. V. González C. Fertilización nitrogenada y características físicas, estructurales y calidad del nixtamal-tortilla del grano de híbridos de maíz. Agric. Téc. Méx. 33(1) 2007:17-24. [2] Salinas M., Y. y Vázquez C., G. Metodologías de análisis de calidad nixtamalera-tortillera en maíz. INIFAP. Campo Experimental Valle de México, Chapingo, México. 2006. 91 p. DCI 04 Estudio termodinámico para obtener absorbentes sólidos de CO 2 con aplicaciones a alta temperatura M. A. Escobedo-Bretado1,*, P. Ponce-Peña1, E. López-Chipres1, M. A. González-Lozano1., V. Collins-Martínez2., A. López-Ortiz2. 1 Depto. Ciencia de Materiales, Facultad de Ciencias Químicas, UJED, Av. Veterinaria S/N, Circuito Universitario, C.P. 34120, Durango, Dgo. México. 2 Depto. Química de Materiales, Centro de Investigación en Materiales Avanzados, S. C., Miguel de Cervantes 120, C. P. 31109, Chihuahua, Chih., México. * miguel.escobedo@ujed.mx Este trabajo estudia la viabilidad de obtener un absorbente alcalino sólido de CO2. El análisis termodinámico para determinar el equilibrio químico fue utilizado para identificar el material absorbente de CO2, el efecto de la temperatura y presión parcial de dióxido de carbono en la absorción y calcinación. Los elementos químicos involucrados en este estudio fueron Li, Na, K, Mg, Ca, Sr, Zr y Si. Los resultados indican la formación de silicatos y zirconatos capaces de capturar dióxido de carbono en forma adecuada a alta temperatura. El análisis termodinámico de presión parcial de CO2 muestra los rangos de temperatura y concentración donde es posible realizar la carbonatación y calcinación del material. Sin embargo, aunque los resultados teóricos presentan las condiciones óptimas para obtener y desarrollar un nuevo absorbente de CO2, es posible que estas condiciones puedan cambiar en la etapa experimental, principalmente debido a efectos cinéticos de reacción.

Palabras clave: absorbente de CO2, análisis termodinámico, captura de CO2. DCI 05 Superconductores basados en hierro J. L. Maldonado-Mejía1,*, S. A. Palomares-Sánchez2, J. A. Matutes-Aquino3. 1,3 Centro de Investigación en Materiales Avanzados, Av. Miguel de Cervantes 120, Complejo Industrial Chihuahua, C.P. 31109, Chihuahua, Chihuahua, México. 2 Facultad de Ciencias, UASLP, Niño Artillero 45, Zona Universitaria, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México. *lidia.maldonado@cimav.edu.mx Desde el descubrimiento, hace dos décadas, de la superconductividad de alta temperatura en los óxidos de cobre se ha establecido firmemente que el plano de CuO2 es esencial para la superconductividad y que da lugar a un conjunto de otras propiedades no usuales. Pero en el año 2008 se reportó el descubrimiento de una nueva familia de materiales cerámicos superconductores con la composición general LaFeAsO1-xFx, donde el plano superconductor es de FeAs, en lugar de CuO2, lo que abre la posibilidad de un mecanismo de apareamiento diferente en estos compuestos. El valor de TC y las similitudes aparentes con los cupratos superconductores de alta temperatura han hecho de estos sistemas un campo de investigación intensamente estudiado. En este trabajo se hace una reseña completa de la historia del descubrimiento de los superconductores basados en hierro y sus implicaciones que tendría el descubrimiento del origen de sus propiedades y que permitiría, en el mejor de los casos, obtener superconductores a temperatura ambiente. 1. Yoichi Kamihara, Hidenori Hiramatsu, Masahiro Hirano, Ryuto Kawamura, Hiroshi Yanagi,Toshio Kamiya, and Hideo Hosono, J. Am. Chem. Soc. 128,10012-10013(2006). 2. Kamihara, Y., Watanabe, T., Hirano M. and Hosono, H., J. Am. Chem. Soc. 130, 3296-3297(2008)

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3. Takahashi, H et al., Nature 453, 376-378(2008) 4. Yang J. et al., Supercond. Sci. Technol. 21, doi:10.1088/0953- 2048/21/8/082001 (2008) 5. Grant, P.M., Nature 453, 1000-1001(2008) 6. T.Y. Chen, Z. Tesanovic, R.H. Liu, X.H. Chen, C.L. Chien, Nature 453, 1224-1227 (2008) 7. X. Huang arXiv0808.4093v3 [Cond-mat.ste-el] 2008. 8. Chandra Shekhar, Sonal Singh, P K Siwach, H K Singh and O N SrivastavaarXiv:0811.0094v1 [cond-mat.supr-con] 2008. 9. Xiyu Zhu, Fei Han, Gang Mu, Peng Cheng, Bing Shen, Bin Zeng, Hai-Hu Wenar, arXiv:0811.2205v1 [cond-mat.supr-con] 2008. 10. P. Quebe, L.J. Terbu¨chte, W. Jeitschko, Journal of Alloys and Compounds 302, 70.74(2000). 11. Y. Qiu et al.,arXiv:0805.1062v1[cond-mat..supr-con] 7 May 2008. 12.Vladimir Cvetkovic, Zlatko Tesanovic arXiv:0804.4678v3 [cond-mat.suprcon]. DCI 06 Propuesta para el diseño de reguladores de CD/CD con construcción LCL. Martínez Cruz M. 1, Leyva Ramos J. 2, Ortiz López M. G. 1,2 1Universidad Politécnica de San Luis Potosí, Urbano Villalón #500, Col. La ladrillera 2IPICYT Camino a la Presa San José 2055, Col. Lomas 4a. sección C.P. 78216, San Luis Potosí, San Luis Potosí, México Actualmente, las nuevas tecnologías en sistemas electrónicos como equipo de cómputo y médico requieren fuentes de alimentación de CD confiables, con parámetros regulados y de alto desempeño como por ejemplo voltaje de salida constante y libre de ruido o perturbaciones. En ese sentido, en las configuraciones básicas de convertidores de CD/CD, se ha utilizado un inductor de salida como una forma de filtro adicional [1]. Esto, desde un punto de vista analítico, implica una modificación en el comportamiento dinámico del sistema al incrementar el orden de la ecuación característica de segundo a tercero. Este problema es interesante debido a que un sistema de orden mayor a dos no permite de

manera directa, proponer alguna estrategia que permita diseñar tanto los elementos del sistema, específicamente el inductor de salida, como el controlador. Una solución al problema es aproximar la ecuación característica del sistema a una ecuación de segundo orden de tal manera que exista la posibilidad de analizar el comportamiento dinámico con herramientas conocidas [2]. Otra posibilidad es propuesta en este trabajo y comparada con la anterior de tal manera que se observen las diferencias entre ambas. Además una ecuación es derivada para la selección del inductor de salida en función de la cantidad de rizo que se pretende rechazar. Finalmente se propone una estrategia para el diseño del controlador. [1] P. A. Dahono, “A Control Method for DC-DC Converter That Has an LCL Output Filter Based on New Virtual Capacitor and Resistor Concepts”, IEEE Power Electron. Specialist Conf., pp. 36-39, 2004. [2] B. C. Kuo , Sistemas de Control Automático, Séptima edición, Prentice Hall Hispanoamericana, 1996. DCI 07 Implementación de un laboratorio de espectrofotometría en la UPSLP 1Hiram Sinué Quintero Méndez, 1Alma Gabriela Reyes González y 2Luiz Zamora Peredo 1Universidad Autónoma de Coahuila, Blvd. Torreón - Matamoroz Km 7.5 Ciudad Universitaria, Torreón, Coah. 2Universidad Politécnica de San Luis Potosí, Urbano Villalón 500, Col. La Ladrillera, C. P. 78363, San Luis Potosí, S. L. P.

En este trabajo se presenta los resultados preliminares de la implementación de un laboratorio de espectrofotometría en la Universidad Politécnica de San Luis Potosí (UPSLP), como resultado de la estancia del verano de la ciencia de dos estudiantes de la Universidad Autónoma de Coahuila. Se presentan los espectros obtenidos las mediciones de transmitancia y absorbancia en muestras de agua, clorofila comercial y natural, así como de suero oral de distintos sabores. Mediante esta técnica fue posible identificar tres tipos de colorantes en el suero oral y determinar su concentración relativa. Además, se determinó

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el tipo de clorofila utilizado en una marca comercial, basados en su espectro de absorbancia. Con este trabajo se pretende ilustrar a estudiantes de las carreras de ingeniería de la UPSLP la utilidad de las técnicas ópticas en el estudio de los materiales [1-3].

1. Guía técnica sobre trazabilidad e incertidumbre en las mediciones analíticas que emplean la técnica de espectrofotometría de ultravioleta-visible, CENAM, 2004.

2. Fotosíntesis, Mathews, Van Holde, 3era edición, editorial: Addison Wesley

3. Biology of plants, Peter H. Raven, Ray F. Evert, Susan E. Eichhorn.. Freeman and Company Worth Publishers, 1999.

DCI 08 Automatización de un laboratorio de espectroscopía óptica mediante LabView A. Cisneros-de la Rosa1*, V.H. Méndez-García1, L. Zamora-Peredo2. 1 Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470 Lomas 4ª Secc., C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., Mexico. 2 Universidad Politécnica de San Luis Potosí, Urbano Villalón 500, La ladrillera, C.P. 78363, San Luis Potosí, S.L.P., México. * alejandro_cisneros_delarosa@hotmail.com En este trabajo se presentan los resultados obtenidos de la automatización de un laboratorio de espectroscopía óptica en la Universidad Politécnica de San Luis Potosí. Mediante el software LabView de National Istruments se diseño una serie de dispositivos virtuales que fuesen capaces de controlar un monocromador de la marca Horiba Jobin Yvon de manera que se tuviese información en tiempo real de la longitud de onda del sistema, de la rejilla de difracción activa, de las distancias de apertura de las entradas y salidas. Además, con el mismo software fue posible obtener las señales registradas por un amplificador lock-in y por un

multímetro de la marca Keithley. El programa final es capaz de generar una rutina de autocalibración en donde el sistema garantiza la reproducibilidad de las mediciones. Mediante el control de los dispositivos antes mencionados fue posible diseñar un programa para mediciones de espectrofotometría, fotoluminiscencia y fotorreflectancia. Para corroborar la funcionalidad de nuestro laboratorio se realizaron mediciones de: a) Espectrofotometría, en donde se estudiaron

los espectros de absorción del agua, de clorofila comercial, clorofila natural y de los colorantes utilizados en suero oral de una marca comercial.

b) Fotoluminiscencia, en donde se estudiaron heteroestructuras de AlGaAs/GaAs.

c) Fotorreflectancia de hilos cuánticos basados en una superred de AlGaAs/GaAs crecida en substratos de GaAs(631).

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Simposio de Espectroscopías Electrónicas Electronic Spectroscopies EEL-P01 Soft Mechanochemistry of Mordenite with Quaternary Ammonium Salts M. H. Farías1,*, J. F. Fernández-Bertrán2, M. P. Hernández2, J. A. Díaz1, I. Gradilla1, F. F. Castillón1. 1 Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Km 107 Carretera Tijuana-Ensenada, C.P. 22800, Ensenada, Baja California, México. 2 Instituto de Ciencia y Tecnología de Materiales, Zapata y G, P. O. Box 10400, Universidad de La Habana, Cuba * mario@cnyn.unam.mx The molecular interactions of mordenite with Quaternary Ammonium Salts (QAS) are studied by Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), X-Ray Photoelectron Spectroscoy (XPS) and X-Ray Diffraction (XRD). Three different QAS, Dodecyltrimethyl Ammonium Bromide, Tetradecyltrimethyl Ammonium Chloride and Octadecyltrimethyl Ammonium Chloride react strongly with mordenite in the solid state, by milling the reagents in an agatha mortar using samples of 1:10 weight ratio. The mechanochemical processes lead to de-alumination and elimination of Na cations. Acknowledgements: The authors would like to acknowledge the skillful technical support of E. Aparicio, J.A. Peralta, M. Sáenz, E. Medina, A. Tiznado, J. Palomares and C. González. This work was partially financed by PAPIIT-DGAPA (project IN111508-3) and CONACYT (project 50203-F). EEL-P02 Estudio i n-situ por XPS de películas delgadas de nitruro de cobre dopadas con plata sintetizadas por erosión iónica I. Ponce-Cazares1,2 y W. De La Cruz1,*

1Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM, Km 107carretera Tijuana-Ensenada, A.P. 356,C.P. 22860, Ensenada B.C., México. 2Posgrado en Física de Materiales, Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Km 107carretera Tijuana-Ensenada, A.P. 360, C.P. 22860, Ensenada B.C., México. * wencel@cnyn.unam.mx El nitruro de cobre es un material que presenta una estructura anti-ReO3, es decir, es una estructura cúbica en donde los átomos de nitrógeno están localizados en las esquinas del cubo y los átomos de cobre están localizados a la mitad de cada arista. Actualmente, se intenta dopar el nitruro de cobre de tal forma que se introduzca un átomo extra en el centro de la celda y, de esta forma mejorar las propiedades ópticas y eléctricas de dicho material, las cuales son muy interesantes en el campo de la industria electrónica. En este trabajo se presentan los resultados del crecimiento y caracterización in-situ de películas delgadas de nitruro de cobre dopadas con plata, depositadas por la técnica de erosión iónica DC con magnetrón. Para los depósitos se utilizó una mezcla de gases de ultra alta pureza (de Ar + N2) y un blanco de cobre de 99.99% (al cual le fue incrustado cilindros de plata de 3 milímetros de diámetro y 99.99% de pureza). El flujo de nitrógeno se varió de 1 a 5 sccm, manteniendo constante el flujo de argón a 5 sccm, la potencia durante el depósito fue de 30 Watts. La cantidad de cilindros de plata que deben ser incrustados en el blanco de cobre, se determina por la estequiometría final de la película depositada (la cual debe de corresponder a la estequiometría deseada), dichas estequiometrías fueron calculadas a partir de las intensidades de los picos de fotoemisión de cada elemento. Los resultados de XPS mostraron que fue posible tener películas delgadas con una relación de Cu:N:Ag de 3:1:1, cuando se utiliza un blanco de cobre con dos cilindros de plata. Agradecimientos: Se agradece a los proyecto DGAPA Nos: IN-107508 y IN106709, así como al proyecto CONACYT No 50203-F. Los autores también agradecen a D. Domínguez, J. Díaz, A. Tiznado y E. Medina por el apoyo técnico en la construcción del sistema utilizado para los depósitos.

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EEL-P03 Límites en la exactitud y precisión en la calibración de equipos de XPS J.A. Muñoz-Salas1,* , A. Herrera-Gómez1 Cinvestav Querétaro. Libramiento Norponiente # 2000, Frac. Real de Juriquilla, Querétaro, Qro. México 76230. * amunoz@qro.cinvestav.mx La espectroscopia de fotoelectrones excitados por rayos x (XPS) es una técnica de análisis químico de superficies. Los electrones detectados dan información de composición de las primeras capas atómicas en un material. Sin embargo, el análisis de los electrones detectados puede resultar erróneo si no se tiene cuidado con la calibración de la escala de la energía. El método ASTM de calibración energética fue aplicado a un equipo convencional. El método implica la toma de datos de XPS, utilizando como fuente la emisión Kα de Al (1486.6 eV), de los niveles profundos de Au 4f (83.95eV), Ag 3d (368.22 Ev) y Cu 2p (932.62 Ev). La exactitud y precisión de la calibración está limitada por varios factores tales como la precisión en la determinación de la energía de los picos, presencia de contaminantes en las muestras utilizadas para la calibración, fallas en el aterrizaje eléctrico de la muestra, y la linealidad de las fuentes de voltaje usadas por el analizador. En este trabajo se compara la contribución al error de diferentes orígenes. Se encontró que una de las fuentes más importantes de la dispersión de los resultados es la dependencia de la energía del pico con la posición de la muestra. EEL-P04 Desarrollo de un software para la obtención de propiedades ópticas de materiales a partir de experimentos REELS I. M. Nava-Terríquez1*, F. Yubero-Valencia2, W. De la Cruz-Hernández3. 1 Posgrado en Ciencia e Ingeniería de Materiales. Universidad Nacional Autónoma de México. Km. 107 Carr. Tijuana-Ensenada, C.P. 22860, Ensenada, B.C., México. 2 Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla. Consejo Superior de Investigaciones Científicas-

Universidad de Sevilla. Américo Vespucio nº 49, 41092, Sevilla, España. 3 Centro de Nanociencias y Nanotecnología. Universidad Nacional Autónoma de México. Km. 107 Carr. Tijuana-Ensenada, C.P. 22860, Ensenada, B.C., México. * inava@cnyn.unam.mx Puede obtenerse la función dieléctrica de un sólido a partir de su caracterización por espectroscopía de pérdida de energía de electrones por reflexión (REELS), de donde se extrae información cuantitativa de la sección eficaz diferencial de dispersión inelástica (Ksc) para electrones de baja energía (<10 keV). La interpretación de los resultados experimentales no es directa, pues dentro del sólido los electrones sufren dispersiones múltiples, además, deben considerarse efectos de superficie durante el transporte de electrones que se superponen a los de volumen. En este trabajo se expone un algoritmo para reproducir Ksc, basado en la modificaciones de algunos modelos publicados[1]. En el algoritmo se considera la transferencia de momento y efectos de superficie de los procesos inelásticos. Se ha desarrollado un software que efectúa automáticamente la deconvolución de los diferentes procesos que se llevan a cabo. Los datos de entrada del software son la geometría experimental, la energía del haz primario de los electrones, y el espectro REELS, y las salidas son la función dieléctrica y los índices de refracción n y κ del material. Se presenta un estudio sistemático que prueba el algoritmo y el software encontrando propiedades ópticas para algunas muestras. [1] Yubero, F. et al., Phys. Rev. B, 53 (1996) 9719-9727. Agradecimientos: Este trabajo fue realizado gracias al apoyo de las becas de posgrado Nacional y Mixta CONACyT (No. de becario 207278). Asimismo se agradece la hospitalidad del Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla para la realización de la estancia de investigación durante la cual se desarrolló parte del trabajo.

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EEL-P05 Estabilidad térmica de la interfaz TiN/HfO2 Óscar Ceballos Sánchez, Araceli Sánchez Martínez, Pierre Giovanni Mani González, Alberto Herrera Gómez. CINVESTAV-Unidad Querétaro Libramiento Norponiente 2000, Real de Juriquilla Querétaro, Qro. 76000, México. El nitruro de titanio es un material ideal como el metal en estructuras Metal-Óxido-Semiconductor (MOS). Uno de los principales problemas que enfrenta es la que parece ser inevitable incorporación de oxígeno a lo largo de toda la capa de TiN, aumentando la resistencia a la conducción eléctrica. El oxígeno también puede causar estados de interfaz que modifican la alineación de bandas. En este cartel se presentarán estudios de Espectroscopía de Fotoelectrones de Rayos-X con Resolución Angular (ARXPS) sobre el perfil de composición de nanopelículas de TiN crecidas sobre HfO2. Las muestras fueron crecidas en SEMATECH, el cual es un consorcio de compañías de la industria semiconductoras en donde se cuenta con instalaciones para desarrollar innovaciones en esa industria. EEL-P06 Método discreto y continuo para la determinación del espesor de películas de SiO 2 por XPS M. Vázquez-Lepe*, P. G. Maní-González, A. Herrera-Gómez. Cinvestav-Querétaro. Querétaro, Qro. 76230, México. *oswaldo@pv.udg.mx A más de cuatro décadas de su uso en la industria de circuitos integrados, la interfaz SiO2/Si continúa siendo sujeta a estudios. La reducción del tamaño de los dispositivos de efecto de campo (MOSFETs) exige a su vez la reducción del espesor de óxido a sólo 1 nm, lo que corresponde a tres capas de moléculas de SiO2 [1]. Esta capa interfaz es de gran importancia porque determina el comportamiento electrónico de los dispositivos. Esto requiere desarrollar una metrología

adecuada a estos espesores. Los semiconductores pueden ser oxidados por varios métodos, siendo la oxidación térmica la más importante para los dispositivos de silicio. En este estudio se empleó oxidación térmica en seco a 900°C durante 5 minutos con flujo de oxigeno a presión ambiental. La muestra fue tratada químicamente con solución de ácido fluorhídrico (HF) de distinta concentración para lograr un decapado en el óxido. Al exponer la muestra en la solución de HF por cierto tiempo, se obtuvieron espesores del orden de nanómetros. Las muestras fueron analizadas con Espectroscopia de Fotoelectrones Excitados con Rayos-X (XPS). Las áreas de los picos de Si 2p proveniente del substrato y de la capa de óxido fueron determinadas. La fórmula que se emplea tradicionalmente para obtener el espesor de la capa de óxido a partir de esas áreas corresponde a la aproximación continua. En ésta se modela al material como un medio continuo. En realidad los niveles profundos de los cuales provienen los electrones están sumamente localizados, por lo que un modelado más preciso involucra fuentes aproximadamente puntuales. En este trabajo se compara el método continuo para la determinación del espesor del óxido (método estándar) con un método propuesto donde la señal de XPS se modela a través de fuentes discretas. [1] Hirose K, H. Nohira, K. Azuma, T. Hattori, Prog Surf Sci. 82 (2007) 3.

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Simposio de Energías Renovables: Celdas Solares y Materiales. Renewable Energy: Solar Cells and Materials ERW-05 Películas solares selectivas tipo pintura

1Barrera – Calva E., Solis Trobamala E. Gonzales G.F., Rosas C.R. y Zárate L.J. 1Departamento de Ingeniería de Procesos e hidráulica, Universidad Autónoma Metropolitana – Iztapalapa, Av. Purísima Esq. Michoacán, Col. Vicentina, México, D.F., 09340, México, Tels: 5804 4644/4645, Fax 5804 4900, e-mail: ebc@xanum.uam.mx Hoy en día es necesario contar con recubrimientos solares selectivos de propiedades ópticas adecuadas para colectores solares cada vez con estándares de calidad más estrictos. La aplicación de pinturas convencionales comerciales para recubrir las aletas de los colectores solares ya no es posible de ser utilizada, pues la normatividad y criterios de calidad en la tecnología solar globalizada exige el uso de superficies hechas a la medida como recubrimientos fototérmicos. En este trabajo se presentan los resultados preliminares de la preparación de un recubrimiento selectivo fototérmico tipo pintura en el ánimo de que los fabricantes nacionales de colectores solares cuenten con la posibilidad de usar un recubrimiento solar de buenas propiedades ópticas y además con la ventaja de la facilidad de la aplicación de dicho recubrimiento solar selectivo, tipo pintura. La metodología del trabajo consiste en primero preparar pigmentos inorgánicos a base de Óxidos de manganeso y oxido de manganeso dopado con zinc y oxido de manganeso-hierro. La preparación de los pigmentos inorgánicos se efectúo a partir de sales inorgánicas del metal de interés por el método de precipitación, con lo que se formaron los hidróxidos del metal y con el tratamiento térmico adecuado se transformaron en los óxidos correspondientes. Posteriormente se estudia la dispersión de los pigmentos en diferentes resinas poliméricas, del tipo epóxicas, alquidalicas y fenólicas, entre otras. Una vez preparada las pinturas se busco agregar un aditivo dispersante adecuado y la micronizacion

se realizo a través de un fuerte proceso ultrasónico. El manejo de la viscosidad, se regulo por medio de un solvente específico de bajo costo. Preparadas las pinturas, se aplicaron sobre diversos sustratos metálicos y se investigo la estabilidad térmica de la pintura y sus propiedades ópticas. Se designa como la mejor película al recubrimiento que presenta buena uniformidad y buenas propiedades ópticas para la conversión fototérmica de la energía solar, estimadas por la medida de la reflectividad total del sistema sustrato-recubrimiento, en la región del uV-Vis e Infrarrojo. Se analiza la composición de los pigmentos preparados, así como la de las pinturas preparadas por medio de la técnica de difracción de rayos X, DRX. ERW-8 Sistema de control para seguimiento solar empleando un FPGA. L.A. Moreno-Coria1,*, J.G. Pérez-Luna1, B.S. Soto-Cruz1 1 Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, México. *acoria@ece.buap.mx, jgperezl@siu.buap.mx Los sistemas de control desarrollados para manejar mecanismos de seguimiento solar de alta precisión, son requeridos para múltiples aplicaciones; algunas de las cuales son: para la medición de la radiación solar por medio de pirheliómetros; la de concentradores solares de tipo parabólicos, para realizar conversión directa de energía [1], así como también; para obtener síntesis de ftalocianinas [2]. Los sistemas que se han desarrollado en México, han sido de tipo analógico e inclusive del tipo digital [3], sin embargo, estos últimos requieren de una computadora dedicada exclusivamente a esta función. En este trabajo, se plantea la implementación de un sistema de control de seguimiento solar de tipo polar empleando un FPGA. El sistema en desarrollo emplea las ecuaciones geométricas que definen la posición aparente del sol. El sistema de control aborda a partir del estudio del movimiento solar en relación con la posición de la tierra. Lo anterior conlleva a establecer conceptos y cálculos relacionados con la geometría solar, tales como; latitud, longitud, ángulos de declinación, posición solar en relación a la tierra, ecuación de tiempo,

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ángulo horario, altura solar, azimut solar; así como, los diagramas de trayectorias solares, a los cuales se les asocia su respectiva ecuación matemática. Es durante la implementación, donde se establecen las ecuaciones matemáticas. El valor de la respuesta de salida, es enviado como ciclo de trabajo PWM [4], debido a que cuando se utiliza un solo canal, el efecto que tiene sobre un motor de cd, es que permite variar su velocidad. En este trabajo se presenta un avance del sistema de control y los resultados obtenidos. [1] URL: http://www.cie.unam.mx/ [2] Moisés Fuentes R. y Virgilio A. Escobar P., Síntesis de ftalocianinas usando como fuente alternativa de energía la radiación concentrada de un prototipo solar. BUAP, 2007. [3] Marco A. Ramírez B., Diseño de un seguidor solar de alta precisión mediante un DSP. BUAP 2004. [4] Joseph J. Carr. Designer’s Handbook of Instrumentation and Control Circuits, Editorial Academic Press, UK 1991. ERW-13 Electronic equipment to photovoltaic systems. J. Díaz-Reyes1,*, M. Ortega-López2, C. D. Gutiérrez-Lazos2. 1 Centro de Investigación en Biotecnología Aplicada, Instituto Politécnico Nacional. Ex-Hacienda de San Juan Molino Km. 1.5. Tepetitla, Tlaxcala. 90700. México 2 Departamento de Ingeniería Eléctrica, Sección de Electrónica del Estado Sólido. Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional. Apartado Postal 14-7 40, México, D.F. 07000. México. * jdiazr@yahoo.com This paper reports a new technique proposal to improve the photovoltaic system. It was done designing and implementing an electronic system to detect, capture and transfer the maximum power of photovoltaic (PV) panel to optimize the supplied power of solar panel. The electronic system works on base technical proposal of electrical sweeping of electrics characteristics using capacitive impedance. The maximum power is transformed and the solar panel energy is sent to automotive battery. This electronic system reduces the energy lost

originated when the solar radiation level decrease or the PV panel temperature is increased. This electronic system tracks, captures and storages the PV module maximum power into a capacitor. After, a voltage level higher step up circuit was designed to increase the voltage of PV module maximum power and then its current can be sent to battery. The experimental results show us that the developed electronic system has the 95 % of efficiency. The measurement was made to 50 W., the electronic system works rightly with solar radiation rate from 100mW/m to 1000W/m and the PV panel temperature rate changed from 1 to 75 ºC. The main advantage of this electronic system compared with present methods is the elimination of microprocessors, computers and sophisticated numerical approximations, and it does not need any small electrical signals to track the maximum power. The proposed method is simple, fast and is also cheaper.

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SIMPOSIO DE FENÓMENOS FOTOTÉRMICOS. Photothermal Phenomena FFT-P01 Monitoreo del transporte de agua en rocas calcáreas por espectroscopia fotoacústica. J. May-Crespo1*, P. Martínez-Torres2, J. J. Alvarado-Gil3, P. Quintana4, J. Ordóñez-Miranda5, L. Vilca-Quispe6. 1,2,3,4,5,6 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional Unidad Mérida, Departamento de Física Aplicada, Carretera Antigua a Progreso km. 6, Col. Gonzalo Guerrero, C.P. 97310, Mérida, Yucatán, México. * jmayc@mda.cinvestav.mx Las rocas de carbonato de calcio o calcáreas son unos de los materiales inorgánicos más abundantes, las cuales han sido utilizadas por diferentes culturas para la construcción de monumentos, tal es el caso de los Mayas en la Península de Yucatán. Uno de los cambios más importantes en estas estructuras está relacionado con el agua y su transporte dentro de estas, la cual induce a un deterioro muy serio en la rocas [1]. La técnica fotoacústica (PA) es altamente sensible que permite estudiar el comportamiento dinámico de sistemas complejos monitoreando la evolución de propiedades térmicas y ópticas de los materiales estudiados [2,3]. En este trabajo, la técnica fotoacústica es utilizada para monitorear la permeabilidad del agua en dos diferentes clases de rocas calcáreas y polvo compactado de las mismas. El análisis de la permeabilidad de las rocas fue realizado usando una celda modificada de Rosencwaig. Cuando una pequeña gota de agua es puesta en contacto con la superficie externa de la roca, se puede observar un decaimiento gradual de la amplitud fotoacústica debido al mojado progresivo de la roca. Basado en este espectro, se determina el coeficiente de difusión para cada tipo de roca y se obtiene el espectro de la evolución temporal de la efusividad térmica de las rocas. Este espectro puede ser utilizado como la base para el entendimiento del deterioro de los monumentos históricos construidos con este tipo de rocas.

[1] Peraza Zurita Yaiza. Tesis Doctoral. 2004. Universidad de Granada. España.

[2] J. Alexandre, F. Saboya, B.C. Marques, M.L.P. Ribeirio, C. Salles, M.G. da Silva, M. S. Sthel, L.T. Auler and H. Vargas. Analyst, 1999, 124, 1209-1214.

[3] D.R. dos Santos, R. Toledo, M.S.O. Magassuna, J.G. Carrió, L. T. Auler, E. C. da Silva, A. Garcia-Quiroz and H. Vargas. Rev. Sci. Instrum, 74. No.1, 2003.

FFT-P02 Shiftting to the red the absorption edge in TiO2 films: a photoacoustic study

F. Gordillo-Delgado 1, 2,*, K. Villa-Gómez1 and E. Marín 2

1 Laboratorio de Optoelectrónica, Universidad del Quindío Apdo. Postal 2639 Armenia. 2 Centro de Investigación en Ciencia aplicada y Tecnología Avanzada del I.P.N, Unidad Legaria. Legaria 694. Col. Irrigación México D.F, México 11500. *fgordillo@uniquindio.edu.co

When Titanium dioxide in contact with a polluted water sample is irradiated with ultraviolet light, electron-hole pairs can be generated, which can react with oxygen and water producing free radicals that can degrade the pollutants, changing them into harmless compounds for the environment. The ultraviolet component of the solar radiation is around 7%. Therefore, it is convenient to modify the TiO2 films crystalline structure for obtaining photocatalytical processes with visible light. In this work we report on the growth of TiO2 thin films by the Sol-gel technique considering the incorporation of AgNO3 in the initial solution containing the precursor. The concentration of the AgNO3

saline solution was changed between 5 and 30% to control the grain size of the grown TiO2

nanocrystals, impregnating 6 layers over glass slide substrates and using a sintering temperature of 600 °C. The obtained films were characterized structurally by means of X-ray diffraction. The shift in the forbidden energy bandwidth value to the red part of the optical absorption spectrum was evidenced by Photoacoustic (PA) Spectroscopy. The photocatalytic activity was tested on a solution of methylene blue using also the PA technique.

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Thankfulness: we acknowledge the partial financial support of COLCIENCIAS, “Universidad del Quindío” and SIP-IPN through project number 20090477.

Analysis of photosynthesis activity and morfo-anatomicals characteristics of “ coffea arabica ” treated with microbiologycal products FFT-P03

F. Gordillo-Delgado 1,2,*, C. Mejía-Morales 1, F. Zarate-Rincón 1. .1 Laboratorio de Optoelectrónica, Universidad del Quindío. Apdo. Postal 2639 Armenia, Colombia. 2 Centro de Investigación en Ciencia aplicada y Tecnología Avanzada del I.P.N, Unidad Legaria. Av. Legaria 694. Col. Irrigación, México D.F, México 11500. *fgordillo@uniquindio.edu.co

Conventional agricultural practices cause damages to soil contributing in great manner to the current weather changing. Thus it is convenient to promote environmental friendly practices such as those based in the use of microorganisms for revitalizing the soils and the use of pest’s biological controllers for avoiding the indiscriminate use of toxic agents. Particularly in the coffee producer zones in Colombia, the grown of coffee plants in large earth extensions has been destroyed the microfauna and the biodiversity of several regions affecting the sustainability. In this work the photoacoustic technique was used to measure the photobaric process in plants treated with biofertilizers and chemical agents to compare their photosynthetic activity. In addition, a cell structure morphological study of leaves was done using optical microscopy. The results showed a better photosynthetic activity in plants cropped by biofertilizers with similar leaves cellular characteristics respecting control group plants treated only with water. Thankfulness: the authors are grateful to COLCIENCIAS, “Universidad del Quindío” and SIP-IPN through project number 20090477 by partial financial support and to company “Biointegrados de Armenia-Colombia” by donated biofertilizers and coffee plants.

FFT-P04 Regla de promedio para el pico termoluminiscente en halogenuros alcalinos ternarios R Rodriguez.-Mijangos1,*, G.Moroyoqui-Estrella2, R. Perez-Salas1. 1Departamento de Investigación en Física, Universidad de Sonora, Rosales y Luis Encinas s/n, C.P. 83000, Hermosillo, Sonora, México. 2 Programa de Posgrado en Física, Universidad de Sonora, Rosales y Luis Encinas s/n., C P. 83000, Hermosillo, Sonora, México. * mijangos@cajeme.cifus.uson.mx

La dependencia de la composición de aniones del pico de la curva de termoluminiscencia de las mezclas ternarias de halogenuros alcalinos impurificadas con Europio divalente: KCl0.50:KBr0.25:RbX0.25:Eu2+ (X=Cl, Br) es estudiada. Cada material muestra una curva de brillo termoluminiscente consistente de dos picos de brillo cuyas temperaturas están entre las de los cristales simples impurificados con Europio divalente: KCl:Eu2+ y KBr:Eu2+ El más intenso está relacionado a la destrucción de centros F como ocurre en el caso de los cristales KCl:Eu2+ [1] y su temperatura característica depende fuertemente de la composición de los aniones (halógenos). Este comportamiento confirma que la temperatura de la recombinación de centros F-H en este tipo de materiales depende más de la proporción de los aniones que de los cationes. A partir de los resultados obtenidos se considera una regla generalizada de promedio para los materiales ternarios, de manera equivalente en que ya se demostró funciona en sistemas binarios KClX:KBr(1-X):Eu2+ [2]., asi, se discute la posibilidad de que la temperatura del pico termoluminiscente de la mezcla ternaria se obtendría promediando las temperaturas características como función de la temperatura, teniendo como factor de peso la concentración de sus componentes.. [1] R. Aceves, R. Perez-Salas, M. Barboza-Flores, J. Phys. Condens. Matter, 6, (1994) 10397.. [2] R. Rodríguez-Mijangos, R. Perez-Salas, Physica status solidi (c), 4, (2007), 954.. Agradecimientos: Agradecemos al Dr Hector Riveros del Instituto de Física, UNAM, México y al Fis. Ignacio Camarillo del Departamento de

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Física de la UAM-Iztapalapa, México el crecimiento de los cristales. Al M. S. Abraham Mendoza Córdova del Departamento de Geología de la Universidad de Sonora, México, por obtener el difractograma de rayos X. FFT-P05 Análisis de térmico de semilla de maíz con plaga por microscopía fotopiroeléctrica.

A. Dominguez-Pacheco1,*, C. Hernández Aguilar1,2, A. Cruz-Orea2, R. Zepeda Bautista1 y E. Martínez Ortiz1. 1Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica Matemáticas, Instituto Politécnico Nacional, Edificio 5, U. P. Adolfo López Mateos, 07730, México D.F., México 2Departamento de Física, CINVESTAV – IPN, A. P. 14-740, México D.F., C.P. 07360, México * fartur@hotmail.com El análisis de la composición de materiales que se realizan con diferentes disciplinas ha permitido el conocimiento y el desarrollo de técnicas que facilitan el estudio de parámetros que afectan a los materiales en su estructura y composición. Los análisis de materiales metálicos, semiconductores y líquidos homogéneos han sido estudiados en sus propiedades térmicas como la conductividad, densidad y calor especifico, como también la obtención de imágenes superficiales y a una profundidad dada (mde la superficie, esta profundidad está en función de la frecuencia de modulación de la luz sobre la muestra [1]. El desarrollo de las técnicas fototérmicas con sensores fotopiroeléctricos permite obtener, por ejemplo en una configuración fotopiroeléctrica inversa, parámetros e imágenes térmicas teniendo presente solo la longitud de onda térmica, sin el efecto óptico, ya que la luz modulada incide sobre el sensor fotopiroeléctrico que en este caso es ópticamente opaco. En el presente estudio se obtuvo la imagen térmica mediante microscopía fotopiroeléctrica (MFPE) de un objeto biológico no homogéneo, semilla de maíz híbrido HV-65/INIFAP, producido en Zumpango Edo. de México en el ciclo agrícola PV-2008. La composición de la semilla pudo ser observada a través de la imagen térmica, al obtener diferentes coloraciones debido a los diversos valores de diferencias de potencial obtenido

sobre el sensor fotopiroeléctrico en el escaneo de la muestra causado por las diferencias en parámetros térmicos que componen la semilla. En el caso de este estudio la muestra fue una semilla infectada por plaga palomilla (Ostrinia nubilalis) y en la imagen térmica muestra el daño producido en el interior de la semilla de maíz por esta plaga. El análisis de este tipo de materiales biológicos y no homogéneos podría ser útil en la Agricultura ya que se pueden analizar las diferentes componentes estructurales de las semillas así como en caso de que presente daño por plaga, en base a la diferencia de los parámetros térmicos de las estructuras que lo conforman, sin destruir las muestras ya que la técnica de MPPE es no destructiva. Bibliografía: [1] A. Rosencwaig, Science, Vol. 218 (1982), 223-228. Agradecimientos: Los autores agradecen a los organismos de México, CONACYT, COFAA, EDI y CGPI de apoyo financiero de este trabajo, también reconocemos al Ing. Esther Ayala, del Departamento de Física del CINVESTAV-IPN por su apoyo técnico. FFT-P06 Medición del Coeficiente de Absorción Óptico de Aceites Vegetales por medio de Técnicas Fotoacústicas *José Abraham Balderas López, Axayacatl Medina Rosas, José Alberto Ariza Ortega1, Mario Cervantes Contreras y Joel Díaz Reyes1

Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del Instituto Politécnico Nacional, Avenida Acueducto S/N, col. Barrio la Laguna, C. P. 07340, México, D. F. *e-mail: abrahambalderas@hotmail.com 1Centro de Investigación en Biotecnología Aplicada, Ex-hacienda de San Juan Molino Km. 1.5 Tepetitla, Tlaxcala, C. P. 90700, México. Los aceites vegetales están tomando cada vez más importancia en todos los ámbitos de nuestra vida diaria, constituyen una importante fuente nutricional para los seres vivos e industrialmente, se han utilizado tradicionalmente como base para la industria de las frituras. Desde el unto de vista nutricional constituyen una fuente importante de ácidos

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grasos esenciales y el contenido de pigmentos en algunos de ellos (especialmente en aquellos que se extraen de frutos) constituyen una fuente importante de elementos antioxidantes. Sin embargo el contenido de pigmentos en estos últimos depende fuertemente de los procesos físico-químicos involucrados en su extracción. La cuantificación pigmentos es entonces un parámetro importante para definir la calidad de un aceite vegetal. Es sabido, por otra parte que los constituyentes básicos de los aceites vegetales son los ácidos grasos, cuya absorción principal esta en las regiones ultravioleta e infrarroja del espectro electromagnético, los pigmentos tales como clorofilas o carotenos, por otro lado, absorben en la región visible. Su cuantificación por espectroscopias convencionales se ve dificultada por la gran dispersión que tienen los aceites vegetales en la región visible. Las técnicas fotoacústicas, por ser sensibles directamente a la radiación absorbida, no presentan estos problemas, por lo cual resultan muy adecuadas para la cuantificación de pigmentos en estos tipos de sustancias. En este trabajo se presenta una novedosa técnica fotoacústica [1] para la cuantificación de pigmentos, especialmente clorofilas, pues se utiliza una longitud de onda de 658 nm. Se demuestra en particular que es posible medir el coeficiente de absorción óptico de aceites refinados y no refinados (Figuras 1 y 2). Para este fin se utilizaron dos tipos de aceites de oliva comerciales, un aceite extra virgen y otro ya refinado.

0.05 0.100.018

0.050

Sample: Exra Virgin Olive oil (Borges)

β

PA

Am

plitu

de (

mV

)

Relative sample's thickness (cm)

0.05 0.10

0.05

Sample: Olive oil (Borges)β

PA

Am

plitu

de (

mV

)

Relative sample's thickness (cm)

[1] J. A. Balderas-López, Rev. Sci. Instrum., (77), 086104 (2006). Los autores agradecen el apoyo de COFAA-IPN y CONACYT.

FFT-P07 Comparación entre Espectroscopias Moduladas y no Moduladas en la cuantificación de Pigmentos en Solución *José Abraham Balderas López, Joshua Ismael Haase Hernández y Gonzalo Gálvez Coyt

Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del Instituto Politécnico Nacional, Avenida Acueducto S/N, col. Barrio la Laguna, C. P. 07340, México, D. F. *e-mail: abrahambalderas@hotmail.com Las espectroscopias ópticas se han utilizado desde hace mucho tiempo en la química analítica para la cuantificación de especies químicas en solución. La idea fundamental que subyace en estas metodologías es la comparación directa entre la radiación que atraviesa una longitud dada de una especie química absorbente (usualmente 1 cm) con la correspondiente a una sustancia no absorbente, utilizada como blanco. Se utiliza para esto una fuente de radiación continua. La utilización de métodos que involucran señales DC tiene sin embargo algunas limitaciones en el sentido que se requiere de sistemas apropiados para eliminar las posibles fuentes de ruido, ya que estas pueden afectar en gran medida la precisión de las mediciones que se llevan a cabo. Es interesante entonces llevar a cabo las mediciones correspondientes utilizando una fuente de radiación modulada y llevar a cabo la detección de señales mediante dispositivos lockin, los cuales son capaces de detectar señales a una frecuencia de modulación específica. La ventaja de estos dispositivos consiste en que toda señal ajena a la obtenida del experimento y que no tiene la frecuencia de esta última es eliminada de forma muy eficiente. Las técnicas foto térmicas, basadas en este principio, han proveído de métodos muy precisos para la cuantificación de especies químicas en solución [1]. En este trabajo se presentan las mediciones del coeficiente de absorción óptico de soluciones de sulfato de cobre a una longitud de onda de 658 nm, utilizando para esto señales moduladas y no moduladas, se investiga con esto sobre la posible mejoría en los límites de detección de pigmentos utilizando las técnicas moduladas.

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[1] J. A. Balderas-López, Rev. Sci. Instrum., (77), 086104 (2006). Los autores agradecen el apoyo de COFAA-IPN y CONACYT. FFT-P08 Time varying light excitation calorimetry for specific heat measurements in solids. A. Lara- Bernal*, E. Marin, A. Calderón Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, CICATA-IPN, Legaria 694, Col. Irrigación, C.P. 11500, Del. Miguel Hidalgo, México, D.F. * nlarab0600@ipn.mx

Time Varying Light Excitation Calorimetry (TVLEC) is a technique inspired in the well known temperature relaxation method under continuous illumination. In this work we present the physical basis and implementation of a new method for measuring the specific heat, c, of solid samples. The method is characterized by an inexpensive and relatively simple experimental setup and it is based on first disturbing a sample from its state of equilibrium, and then measuring the time changes in its temperature. In TVLEC a sample is supported adiabatically in a recipient under vacuum conditions, while one of its surfaces is illuminated with a time variable light beam at the same time that the temperature, T, of the opposite surface is measured as a function of time, t. The light power, P, has the dependence P= P’(1+cos(ωt)), where P’ y ω are constants. From the dependence T (t), obtained by solving the energy balance equations, the specific heat capacity, C, can be determined, and from its value the specific heat can be calculated as c=C/ρ if the mass density, ρ, is well known. On the basis of mathematical simulations we discuss the advantages of this configuration when compared with the case of constant illumination and the ramp of illumination [1]. In particular, it was shown that samples with very closer values of their specific heat capacities (differing in about 1 J/cm3K) can be characterized with this new configuration. These kinds of samples are obtained, for example, when a reference material has been slightly modified (impurities, contaminations, chemical and photochemical reactions, etc.). A typical experimental setup, minimizing convection

effects and allowing the simultaneous support of several samples (this will reduce considerably the time of the experiment) is described in detail Experimental measurements with test samples showed the possibilities of the method.

[1] A. Lara-Bernal, E. Marín and A. Calderón Superficies y Vacío 23, 3, 2008 Acknowledgements: This work was supported by CONACYT grant 83289 and SIP-IPN project 20090160. The authors also thank COFAA-IPN support through the PIFE and SIBE programs. FFT-P09 Caracterización Térmica de Nanopartículas de TiO 2 para la destoxificación de aguas residuales empleando Espectrometría de Lente Térmica. G.A. López-Muñoz1,, J.L. Jiménez-Pérez1*, J.F. Sánchez-Ramírez1, A. Cruz-Orea2, L. Martínez-Pérez1

1 Instituto Politécnico Nacional-Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas, Avenida Instituto Politécnico Nacional No. 2580, Colonia Barrio la Laguna Ticomán Delegación Gustavo A. Madero, CP. 07340 México D.F. 2 Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, C.P. 07360, México DF, México *jimenezp@fis.cinvestav,mx La espectrometría de lente térmica es una técnica fototérmica no destructiva y altamente sensible[1] aplicada enter otros al estudio de las propiedades termo-ópticas de nanofluidos metálicos y semiconductores. Se empleó la técnica en modo desacoplado de dos láseres [2], un láser de Ar+ como haz de calentamiento y un láser de He-Ne como haz de prueba. Mediante un ajuste del modelo teórico a los datos experimentales se obtiene la constante de tiempo característica del fenómeno de la lente térmica para el estudio de la difusividad térmica en líquidos con nanopartículas de TiO2. Este estudio brinda la promesa del uso de materiales nanoestructurados en la optimización de la transferencia de calor en fluidos [3,4] aplicado a la degradación de contaminantes en aguas residuales [5]. [1] J.P. Gordon et al., J. Appl. Phys. 36 (1965) 3.

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[2] J. Park, V. Privman, and E. Matijevic, J. Phys. Chem. B 105(2001) 11630. [3]S.K. Das, N. Putra, P. Thiesen, and W. Roetzel, ASME J. Heat Trans. 125 (2003) 567. [4] D. Wen and Y. Ding, J. Heat Mass Trans.. 47 (2004) 5181. [5] V.Rodríguez-González, R. Zanella, G. del Angel and R. Gómez, J. Molec. Catal. A:Chem. 281 (2008) 93. FFT-P10 Thermal characterization of SiO 2 nanofluids by photothermal techniques. D. Cornejo1, J.L. Jiménez-Pérez2*, J.F. Sánchez-Ramírez2, A. Cruz-Orea3

1 Cicata-IPN, Calz. Legaria No. 694, Col. Irrigación, Del. Miguel Hidalgo, C.P. 11500, México D.F. 2 Instituto Politécnico Nacional-Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas, Avenida Instituto Politécnico Nacional No. 2580, Colonia Barrio la Laguna Ticomán Delegación Gustavo A. Madero, CP. 07340 México D.F. 3 Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, C.P. 07360, México D.F., México *jimenezp@fis.cinvestav,mx Thermal Lens Spectrometry (TLS) and photopyroelectric (PPE) techniques were used to measure the thermal diffusivity and effusivity respectively of nanofluids, prepared by dispersion of SiO2 nanoparticles in water. Complementary techniques as SEM and EDS used also to characterize the SiO2 nanoparticles which have spherical shape with diameters around 100, 300 and 500 nm average size. The experimental results show that thermal diffusivity (D) increases when the particle diameter increases. Also the thermal effusivity (e) has a similar behavior to thermal diffusivity results. The relation between D and e is given by k=e (D)1/2, where k is the thermal conductivity. FFT-P11 Propiedades térmicas de fosfatos de calcio usados en implantes óseos.

M. Méndez -Gonzalez1,*, L. Santamaria2, A. Cruz-Orea3, G. Mendez4

1 Escuela Superior de Física Matemáticas, Instituto Politécnico Nacional, Edificio 9, U. P.

Adolfo López Mateos, 07730, México D. F., México 2 Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, IPN, Legaría 694. Colonia Irrigación, 11500 México D. F. 3 Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, C. P. 07360, México D. F., México. 4 Facultad de Química, UAQ Cerro las Campanas s/n, 76010, Querétaro, México * mmendezg07@yahoo.com.mx Las posibilidades que ofrecen las técnicas fototérmicas para determinar las propiedades térmicas han sido ampliamente demostradas. De estas técnicas, la fotoacústica y la fotopiroelectrica han resultado ser de gran utilidad en estudios de materiales biológicos, los cuales frecuentemente presentan muchas dificultades debido a una alta dispersión a la luz y estructuras que varían con la profundidad. En este trabajo utilizamos la técnica fotoacústica en la configuración de celda abierta (CFA) y la técnica fotopiroelectrica, para determinar las propiedades térmicas de fosfatos de calcio sintéticos y naturales de uso biomédico. Reportamos la determinación de los valores obtenidos para la difusividad α, efusividad ε, conductividad térmica k y capacidad calorífica ρc, de 6 muestras de fosfato de calcio sintético y 5 muestras de fosfatos de calcio natural. Los valores obtenidos para las propiedades térmicas de los fosfatos de calcio sintético resultan ser 82% similares a los valores obtenidos para los fosfatos de calcio de origen natural. Este comportamiento nos permite proponer a los fosfatos de calcio obtenidos en nuestro laboratorio como sustitutos óseos con propiedades térmicas similares a las de los fosfatos de calcio de origen natural. Agradecimientos: Agradecemos a la Secretaria de Investigación y Posgrado y al Programa Institucional de Formación de Investigadores del Instituto Politécnico Nacional y al CONACYT por su apoyo a este trabajo. FFT-P12 Medición Fotoacústica de la Efusividad Térmica de Harinas Nixtamalizadas y su relación con el tamaño de Partícula

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*José Abraham Balderas López, Itzel Shantal Martínez López y Mireille León Martínez Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del Instituto Politécnico Nacional, Avenida Acueducto S/N, col. Barrio la Laguna, C. P. 07340, México, D. F. *e-mail: abrahambalderas@hotmail.com El tamaño promedio de partícula de las harinas nixtamalizadas es un parámetro importante que define, en cierta medida, las propiedades reológicas de los productos derivados, en especial las tortillas[1]. Aunque existen diversos métodos para medir este parámetro, entre los que se encuentran técnicas de dispersión de radiación o bien microscopias ópticas, estas son difíciles de implementar pues se requiere poner en suspensión las muestras de interés. En virtud de que estos materiales granulares tienen aire en proporción directa al tamaño de partícula y la efusividad térmica del aire es varios órdenes de magnitud menor que el correspondiente a la materia en fase condensada resulta natural considerar este parámetro térmico como un indicador del tamaño promedio de partícula. En este trabajo se describe una técnica fotoacústica para medir la efusividad térmica de materiales granulares [2], esta se aplica para medir este parámetro térmico para harinas de maíz nixtamalizdas. Se utilizaron para este fin harinas nixtamalizdas comerciales las cuales fueron tamizadas a fin de separar las diferentes fracciones de tamaños. La efusividad térmica de estas fracciones fue medida por medio de la técnica fotoacústica y su relación con el tamaño de partícula fue determinada. Se demuestra de este modo la conveniencia de la técnica fotoacústica para determinar el tamaño promedio de partícula de harinas nixtamalizadas, el cual se puede determinar midiendo la efusividad térmica de una harina dada e interpolando con el tamaño de partícula a través de la relación efusividad térmica-tamaño de partícula obtenida en este trabajo. [1] Bedolla, S., Rooney, L. W., Cereal Foods World. 29, 732 (1984). [2] J. A. Balderas-López, Rev. Sci. Instrum., 78, 064901 (2007). Los autores agradecen el apoyo de COFAA-IPN y CONACYT.

FFT-P13 Absorción óptica de fosfatos de calcio usados como sustitutos óseos M. Méndez -Gonzalez1,*, L. Hernandez2, A. Cruz-Orea3, G. Mendez4

1 Escuela Superior de Física Matemáticas, Instituto Politécnico Nacional, Edificio 9, U. P. Adolfo López Mateos, 07730, México D. F., México 2 Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, IPN, Legaría 694. Colonia Irrigación, 11500 México D. F. 3 Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, C. P. 07360, México D. F., México. 4 Facultad de Química, UAQ Cerro las Campanas s/n, 76010, Querétaro, México * mmendezg07@yahoo.com.mx Con la finalidad de tener bioceramicos del grupo de los fosfatos de calcio que puedan ser utilizados como sustitutos óseos en ortopedia, es importante estudiar sus propiedades físicas, entre ellas las propiedades ópticas ya que se busca que los materiales sintéticos tengan propiedades similares al tejido con el que interaccionen y los fluidos fisiológicos con los que se encuentren en contacto, sin que sufran alteraciones una vez implantados en el cuerpo humano. Por tal motivo, en este trabajo obtuvimos los espectros de absorción óptica de fosfatos de calcio sintéticos y naturales, mediante la técnica de Espectroscopia Fotoacústica. El rango de absorción óptico observado fue de 300 a 800 NM. Se estudiaron fosfatos de calcio sintético obtenidos mediante el método de precipitación con diferentes tratamientos térmicos y fosfatos de calcio natural provenientes de vertebrados y caparazones de moluscos. Agradecimientos: Agradecemos a la Secretaria de Investigación y Posgrado del IPN su apoyo a este trabajo. FFT-P14 Photoacoustic and infrared studies of compost obtained of non-toxic industrial sludge.

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J. Díaz-Reyes 1,*, M. M. Solís-Oba1, J. A. Balderas-López2. 1 Centro de Investigación en Biotecnología Aplicada, Instituto Politécnico Nacional. Ex-Hacienda de San Juan Molino Km. 1.5. Tepetitla, Tlaxcala. 90700. México 2 Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional. Av. Acueducto S/N, Col. Barrio la Laguna, Del. Gustavo A. Madero, C. P. 07340, México, D. F. México * jdiazr2001@yahoo.com Soil erosion is accelerating in all continents and is degrading some 2000 million hectares of croplands and pasture, which represents a serious threat to global food supply. Each year, soil erosion causes a loss of 5 to 7 million hectares of arable lands that is why to find alternative solutions to rescue these lands is urgent. On the other, there are non-toxic industrial sludges of several companies that represent potential sources of carbon and nitrogen, which may be included in a composting process for their use and thus restore agricultural soils. This work isolated microbial strains from forest soil and domestic compost with capacity for degrading non-toxic industrial sludge, as a way to improve the composting process. Different mixes of composition were tested in a composting process under greenhouse conditions, with or without inoculation, to determine the effect of inoculation on reducing the period of maturation. Fungal strains that allowed reducing in one third of the time period of the maturation of compost, under greenhouse trials, were selected. Harmlessness of the obtained compost was verified by testing phytotoxicity on lettuce, beans and corn seeds. Besides, by photoacoustic and infrared spectroscopy were obtained the physical properties of the compost obtained of non-toxic industrial sludge. FFT-P15 Analisys of sensitivity of an Electrochemical differential photoacoustic cell used to study in-situ the growing process of porous silicon. Diego Germán Espinosa Arbeláez1,*, Adriana Gutiérrez2, Jairo Giraldo2, Rubén Velázquez-Hernández3, María Luisa Mendoza-López4, Alicia del Real1, Mario E. Rodríguez-García1.

1Departamento de Nanotecnología, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México, Campus Juriquilla, Querétaro, Qro. México A.P 1-1010 2Departamento de Física, Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá, Avenida Carrera 30 N° 45-03, Ciudad Universitaria Bogotá D.C., Colombia. 3División de Estudios de Posgrado, Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Querétaro, Ciudad Universitaria, Querétaro, Qro, México. 4Instituto Tecnológico de Querétaro, Av. Tecnológico S/N, Querétaro, Querétaro, México. *marioga@fata.unam.mx In order to study in-situ the growing process of porous materials, a new electrochemical differential photoacoustic cell (DPC) was developed. This differential photoacoustic systems permits to obtain the electro-thermal signal by discrimination of the externals noises. The analysis of the behavior of the ratio signal / noise is a mean importance to in situ characterization by photo acoustic technique. In order to determine the sensibility of differential photoacoustic cell, it was used two electret microphones and some variants of pre-amplification, amplification and polarization circuits. It was found a strong dependence between room noise and the amplification system and its polarization. It was demonstrated the increasing in the signal using a DC battery source in the polarization of microphone and it improved the signal / noise ratio. Finally, it was shown the best configuration circuit is obtained by combining of a "lock-in amplifier" with a proper DC polarization source. FFT-P16 Restauración de Monumentos mediante la aplicación de Imágenes térmicas: caso Iglesia San Juan Bautista , San Juan del Rio, Querétaro. A.A. Acosta-Osorioa, Francisco Javier Gonzálezb, Samuel Kolosovasb, M. Galván Ruizc, Miguel Perez Larac, and M.E. Rodríguez-Garcíad,* aDivisión de Investigación y Posgrado, Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de

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Querétaro, Cerro de las Campanas s/n, C.P. 76010 Querétaro, Qro. México. bInstituto de Investigaciones en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, San Luis Potosí, SLP. México cDivisión de Investigación y Posgrado, Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Querétaro, Cerro de las Campanas s/n, C.P. 76010 Querétaro, Qro. México. dDepartamento de Nanotecnología, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México, Campus Juriquilla, Querétaro, A.P. 1-1010, C.P. 76000, México. eCentro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Libramiento Norponiente No. 2000, Fracc. Real de Juriquilla CP 76230, Querétaro, Qro, México. *Corresponding author. Tel.: 52-442-2381141. Fax: 52-442-2381165. E-mail address: marioga@fata.unam.mx (M.E. Rodríguez-García). Este trabajo está enfocado en la investigación de los componentes primarios de estucos coloniales, utilizados principalmente en la construcción de edificios religiosos que debido al uso y mal uso ha tenido un desgaste paulatino que conduce a la restauración, que en la mayoría de los casos es simplemente el acomodo de un remiendo que demerita su valor histórico y cultura. La restauración comprende pues tres etapas primordiales, investigación de las materias primas desde un punto de vista científico, desarrollo de materiales similares o idénticos en composición y el desarrollo de metodologías de aplicación de los estucos en los sitios que así lo requieran. Debido al uso de pinturas vinilicas o base cal, el interior de la superficie ha restaurar es poco visible y no se puede identificar los sitios que requieren de la misma a no ser por una inspección minuciosa. Una técnica conocida como imagen infrarroja que se basa en la emisión de radiación de cuerpo negro de la superficie fue utilizada para identificar las regiones que corresponden a intervenciones con materiales no aptos para la restauración. La iglesia de San Juan Bautista fue analizada con imágenes infrarrojas para determinar las aéreas de intervención y remoción y fue restaurada mediante la aplicación de estucos reproducidos de los originales. Las técnicas fototermcias permitieron identificar con precisión las regiones de

intervención de una manera remota y no destructiva FFT-P17 Estudio de la evolución de CO2 en peras cubiertas con películas de gelana y proteína de suero de leche empleando un método fototérmico. J. Yáñez -Fernández1,*, A Herrera- Morales1, S.A-Tomás 2, A. Cruz-Orea2. 1 Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Av.Acueducto s/n Bario la Laguna Ticomán, Méxic , C.P. 7340 D.F* . 2 Departamento de Fisica, CINVESTAV-IPN, A.P. 14-740, México, 07360 D. F. jyanezfe@ipn.mx En el presente trabajo se estudio la evolución de CO2 en peras variedad D´Anjou con un color de maduración amarillo brillante, las cuales una vez sanitizadas, fueron cubiertas por inmersión en una dispersión de gelana y proteína desuero de leche durante 20 segundos y posteriormente se almacenaron en refrigeración (3ºC), 24 h antes de su análisis. Las peras fueron cubiertas con tres formulaciones de mezclas de goma gelana y PSL. La evolución de la respiración de las peras cubiertas con película y sin cobertura fue cuantificada por medio del CO2 producido por los frutos, empleando un método fototérmico. Los frutos fueron colocados en cámaras de vidrio para crecimiento de plantas (Hot Pack, USA) a una temperatura de 20± 1°C y por medio un flujómetro (Brooks Instuments USA) se regulo la entrada de aire. A la salida de cámara se conectó un analizador de gases por infrarrojo (ABB Automation Products Alemania) para cuantificar la cantidad de CO2. Las peras testigo (sin cobertura) mostraron un comportamiento de fruto climatérico semejante al reportado por otros métodos convencionales, alcanzando su punto climatérico entre los 9 y 11 días, con una producción máxima de CO2 de 18 mL CO2/Kg*h, otros autores [1] reportan la producción de 25 mL CO2/Kg*h, sin embargo las diferencias dependen en muchas ocasiones del manejo y corte del fruto, particularmente debido a que este fruto es susceptible a daño mecánico. Durante los diecinueve días de almacenamiento las peras tratadas con las diferentes coberturas no mostraron cambios en

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la tasa de respiración, lo anterior índica que la velocidad de respiración fue atenuada probablemente por el efecto barrera que se obtiene por parte de las coberturas de PSL y gelana. [1] Maftoonazad. A, and Ramasway, LWT-Food Science and Technology. 38 (2005) 617–624. Agradecimientos: Departamento de Física, CINVESTAV-IPN por el soporte técnico y al IPN por el soporte económico a través del proyecto SIP: 20080447

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SIMPOSIO DE MEMS Y MICROELECTRÓNICA. Microelectronics and MEMS MYM-P01 Anisotropy of the Electron Mobility in Inversion Layers on High Index Silicon Surfaces. E. González-B, I. Juárez-R, L. Tecuapetla-Q, M. Landa-V, N. Carlos-R, P. Alarcón-P, A. Itzmoyotl-T, M. Escobar-A, P. Rosales-Q, C. Zúñiga-I, L. Hernández-M, W. Calleja-A, and F. J. De la Hidalga-W* Electronics Department, INAOE, Puebla, Mexico * jhidalga@inaoep.mx Electron mobility in surface inversion layers is a fundamental parameter which must be accurately known for device design and circuit simulation [1]. Currently, Si(0 0 1) is the main substrate for electronic device fabrication. Electron mobility in this surface has been extensively measured, studied and modeled. However, high-index silicon surfaces presents interesting characteristics that can play an important role in nanoelectronics, MEMS, heteroepitaxy, and for growing 1-D nanostructures [2]. Currently, high index surfaces are being investigated for specialized applications [2-8]. Ideally, a high index surface would consist of a periodic array of low-index terraces separated by steps of monatomic height; however, the actual surface morphology on high-index Si is usually not ideal. In the family of Si surfaces oriented between (0 0 1) and (1 1 1), only a few high-index surfaces form stable planar reconstructions: (1 1 4), (1 1 3) and (5 5 12) [2]. This work reports the measurement and study of inversion layer electron mobility in Si(1 1 4) and Si(5 5 12), for medium and high effective transverse electric fields. These orientations were chosen because they incorporate row-like features with a relatively long (1-digit nanometer) inter-row periodicity [2-3] that could be used to develop nm-like MOSFETs. Typical Si(0 0 1) transistors, presenting an isotropic mobility and

fabricated simultaneously, were also included for comparison. We studied the channel mobility in these surfaces as a function of the channel direction, where the mobility shows a clear anisotropy in high index surfaces, for the 77 K-300 K range of temperature. S. Takagi, A. Toriumi, M. Iwase, and H. Tango, IEEE Trans. on Elect. Devices, 41, , 1994 A.A. Baski, S.C. Erwin and L.J. Whitman, Surface Science, 392, 69, (1997). S.C. Erwin, A.A. Baski, and L.J. Whitman, Physical Review Letters, 77, 687, (1996). A.A.Baski, K.M.Saud and K.M. Jones, Applied Surface Science, 182, 216, (2001). Y. Peng, T. Suzuki, H. Minoda, Y. Tanishiro and K. Yagi, Surface Science, 493, 499, (2001). A.A. Baski, S.C. Erwin, and L.J. Whitman, Surface Science, 269, 1556, (1995). J. Liu, M. Takeguchi, Q. Zhang, H. Yasuda and K. Furuya, , J. Cryst. Growth, 237, 188, (2002). S. Jeong, H.Jeong, S. Cho, and J.M. Seo, Surface Science, 557, 1883, (2004). MYM-P02 Soluciones sólidas Ce (1-x) MX O2, M=Ru, In, Bi-MoW como sensores de gases. L.Chávez Cháveza; R.Rangela, * , M. Melendrezb, E.Perez-Tijerinac, M.Garcíac aDivisión de Estudios de Posgrado, Facultad de Ingenieria Quimica,Universidad Michoacana de S. N. H., Morelia, Michoacán, C.P. 58060. rrangel@umich.mx bM.F. Meléndrez, Laboratorio de Materiales Avanzados, Facultad de ciencias Químicas, Universidad de Concepción-Chile, Edmundo Larenas 129 Casilla 160-C. cLaboratorio de Nanociencias y Nanotecnologia, FCFM, UANL, Monterrey, N.L. C.P.66450 , México. La obtención de nuevos materiales semiconductores ha cobrado gran importancia debido a su diversidad de aplicaciones, entre las cuales se encuentran sensores en estado sólido utilizando materiales de transición, lo cual mediante la adsorción de un gas en la superficie de un semiconductor de óxido metálico origina un gran cambio de su resistencia eléctrica. La ceria es un material que en años recientes se ha utilizado para varias aplicaciones entre las cuales está la

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fabricación de sensores de gases gracias a su propiedad peculiar de oxido-reducción. [1] En estudios previos de oxido de cerio nanoestructurado presenta una respuesta sensorial alta para el dióxido de nitrógeno y etanol hasta 200°C [2].La selectividad y sensibilidad de los mismos se pueden mejorar usando dopantes y aditivos. [3] [4]. Se prepararon materiales en estado sólido de Ce (1-x) M(x)O2, M=Ru, Zn, In, Bi2Mo(1-x)W(x)O6,utilizando la técnica sol-gel [5] con el objetivo de evaluarse como sensores de gases, los materiales se colocaron un circuito integrado para evaluar la variación de la resistencia eléctrica como función del los gases de prueba (NO2, CO). Las concentraciones de gases empleadas para el estudio fueron CO (100-1000 ppm) y NO2 (1-10 ppm). Para cada gas utilizado, se encontró diferente pulso de señal, para el CO, disminuye la resistencia del material debido a que cuando reacciona con la superficie del oxido aporta electrones, después de la reacción superficial se desorbe CO2, Para el NO2 aumenta la resistencia del material debido a que cuando reacciona con la superficie del oxido se lleva electrones, por lo que la conducción se da por portadores positivos. Los resultados obtenidos cada sistema demuestran variaciones debidas al tipo de solución sólida evaluada, siendo el sistema Ce-Ru el que mostró las mejores características en cuanto a los tiempos de respuesta y de recuperación. Los sistemas estudiados con la impurificación muestran mejora en su comportamiento cuando se comparan con el CeO2. El presente trabajo demuestra que los sistemas estudiados pueden ser aplicados como sensores de gas. [1] L. Liano, H.X Mai;” Single CeO2 Nanowire Gas Sensor Supported with Pt Nanocrystals: gas Sensitivity, Surface Bond States, and Chemical Mechanism”, J. Phys. Chemic. C XXXX, xxx, 000, 2008. A-E. [2] Davide Barreca, Alberto Gasparotto, “Columnar CeO2 nanostructures for sensor application” Nanotechnology 18 (2007) 125 502 (6pp). [3] H. Nanto, H. Sokooshi, T. Kawai, and T. Usuda, J. Mater. Sci. Lett. 11 (1992) 235. [4] H. Nanto, H. Sokooshi, T. Kawai, and T. Usuda, Sensors and Actuators 13-14 (1992) [5] J.Zhang, K.H. Au, Z.Q.Zhu, S.O’Shea;” Sol-Gel preparation of poly (ethylene glycol) doped Indium tin oxide thin films for sensing applications”. Optical Materials 26, (2004), 47-55

Agradecimientos: L.Chávez-Chávez agradece al CONACyT por la beca otorgada. R. Rangel agradece a la CIC-UMSNH y al COECyT-Michoacán, por el apoyo otorgad MYM-P03 Caracterización simple de inductores de espiras cuadradas fabricados en tecnología PolyMUMPS M. Moreno-Villarreal1,*, J. Mireles Jr. García2. 1,2 Centro de Investigación en Ciencia y Tecnología Aplicada, Universidad Autónoma de Ciudad Juárez, Av. Del Charro 610, Partido Romero, C.P. 32310, Cd. Juárez, Mx.. * martha.g.moreno@hotmail.com En los últimos años los sistemas RF MEMS han sido empleados para contribuir con la reducción de tamaño y mejoramiento en funcionalidad y manejo de señales a altas frecuencias de los sistemas de comunicación, para lo cual se han planteado opciones de fabricación de elementos pasivos como inductores micromaquinados en espera de lograr la optimización de su desempeño y contribuir al objetivo mencionado. Por lo anterior, la necesidad de caracterización de estos componentes requiere un enfoque especial ya que no ha logrado completarse debido a la complejidad de los requerimientos analíticos que se han presentado. Por lo cual resulta necesaria la implementación y aportación de procedimientos sencillos y comprobados de análisis de inductores planos. Las contribuciones a este tema se han realizado a través de diversas tecnologías como CMOS de 10 µm [1], 0.35 µm AMS [2] e incluso con PolyMUMPS [3]; sin embargo, la aportación adicional consiste en documentar claramente y evidenciar la correlación de los resultados simulados contra calculados proponiendo el método más factible para tal finalidad. El trabajo realizado se enfoca al análisis de 3 inductores RF MEMS de 3, 6 y 10 espiras cuadradas de oro fabricados en tecnología PolyMUMPs. El proceso consiste en la determinación de las pérdidas del conductor, las cuales presentan mayor influencia efecto a partir de los 220 MHz y visualizar la reducción del ancho efectivo del conductor debido al efecto piel de 0.52 µm hasta 0.35 µm a 15 GHz, así como el incremento de resistencia del

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conductor conforme aumenta la frecuencia de 0.0470 Ω a 100MHz hasta 0.0380 Ω a 15 GHz . Enseguida se logran extraer los parámetros Y o admitancias permitiendo aplicar ecuaciones que definen los valores de los elementos del modelo pi de dos puertos para, finalmente, obtener a partir de estos el factor de calidad Q y la frecuencia de resonancia para cada uno de ellos. De lo anterior se concluye que a menor número de espiras se mejora el desempeño del inductor, obteniendo un factor Q de 41.06 a una frecuencia de resonancia de 5.65 GHz para el inductor de 3 espiras. Adicionalmente se calculan y simulan los elementos parásitos que forman parte del modelo pi del inductor de mejores propiedades corroborando que su inductancia es aproximadamente 0.5 nH, la resistencia Rs varía entre 6 y 8 Ω, mientras que las capacitancias Cs, y Csi se obtienen en el rango de los femtofaradios y las Rsi de los kilo-Ohms. Finalmente, el estudio corrobora que los resultados obtenidos por simulación en Sonnet con respecto a los valores calculados debido a la geometría varían en un porcentaje aproximado de 13%. Por lo tanto, se concluye que la aproximación del modelo del inductor a través de cálculos simples es posible y tiene un factor de error permisible. [1] J. Huerta-Chua, R. Murphy-Arteaga, Superficies y Vacío 13 (2001) 44-49. [2] A. Goñi Iturri, Aportaciones al diseño, simulación, caracterización y modelado de inductores integrados sobre silicio, ULPGC, 2007. [3] S. Foudali, M. Bakri-Kassem, R. R. Mansour, Can. J. Elect. Comput. Eng., Vol. 31 (2006). MYM-P04 Monitoring and provision of Automatic Portable Oxygen. J.W. López Gil *, V.I. Perdomo Trejo , S. Bustos C. , A. H. Heredia –J and L. Castro y Fernández del C. Universidad Popular Autónoma del Estado de Puebla. 21 sur 1103 Col. Santiago C.P. 72160, Puebla, Pue. México. *chucheirox09@gmail.com This device has been developed with the intention of measuring and gives oxygen of

automatic form, also with a portable technology diminishing the weight and volume in such a way that it generates its own oxygen by means of a nebulizer. This system will be fed for rechargeable batteries in such a way the patient will be able to move of unlimited form because the device will have less weight than regulars nebulizers. The amount of oxygen in the blood is measuring by a non-invasive system but trough optoelectronic sensor. The oxygen supplied must have a humidity percentage that also it’s going to be monitored and controlled. The supply oxygen is activated when the measure of the patient is less than 90% of oxygen in blood. The supplemental oxygen must be administered just when the percentage of humidity is 41% to avoid nasal irritation. Consist at signal processing module that control all the system and results are shown in a LCD, also has a system which indicate the decrease of oxygen trough sound giving the enough time to put the mask into the nose and restore the levels of oxygen in the body. MYM-P05 Efecto del nitrógeno sobre las propiedades ópticas y estructurales del carbón amorfo hidrogenado. E. Pondigo de los A., M. Landa V., P. Rosales Q., A. Torres J., C. Zúñiga I., W. Calleja A., J. de la Hidalga W., C. Reyes B. En este trabajo se presenta el efecto del nitrógeno (N) en las películas de a-C:H sobre las propiedades ópticas y estructurales. Las películas de carbón amorfo fueron depositadas por plasma usando CH4 como gas fuente, el hidrogeno (H2) se usó como diluyente y el N2 como dopante. El efecto del N2 sobre la estructura de las películas de carbón amorfo fue investigado usando espectroscopia de UV- Visible, Transformada de Fourier en el infrarrojo y caracterización eléctrica. Es bien sabido que el cambio en la estructura en las películas de carbón amorfo hidrogenado (a-C:H) es debido al efecto favorable de la incorporación del H2 en los sitios sp3. Este efecto relaja la estructura para mejorar las propiedades electrónicas por la saturación de enlaces abiertos. Las películas de a-CN:H se caracterizan por el contenido de enlaces con átomos de N, los cuales son muy

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importantes por su influencia en las propiedades electrónicas de las películas de carbón. El N altera la estructura del carbón y crea cavidades responsables de la inclusión de hidroxilos (OH). El efecto de la incorporación del N en función de la dilución de H2 fue estudiada. En este experimento se observó una disminución significativa en la resistividad, un comportamiento inverso en la constante dieléctrica y una variación no definida en el ancho de la banda óptica comparada con aquellas películas solo diluidas con H2. Propiedades que son muy atractivos para su aplicación en procesos de fabricación de dispositivos y circuitos MOS. MYM-P06 µµµµSistema Para Activación de Alarma Sísmica. R. A. Rodríguez Jiménez1,*, J. Martínez Gordillo2, A. Heredia Jiménez1, L. C. y Fernández del Campo3, H. Ferrer Toledo4

1Mecatrónica, 2Departamento de Arquitectura Diseño y Arte ,3Laboratorios Docentes, 4Departamento de Ingeniería, Universidad Popular Autónoma del Estado de Puebla, 21 Sur 1103, C.P. 1410, Cd. Puebla, México. * rafaelaurelio_rdz@hotmail.com Se debe estar preparado para enfrentar cualquier sismo (temblores o terremotos). De esta manera los peligros que se presentan podrían ser enfrentados debidamente y sus consecuencias serán minimizadas. En este trabajo presenta algunos resultados obtenidos en la activación de una alarma cuando sucede un sismo, consiste en un sistema tipo acelerómetro fabricado en placa de cobre para circuito impreso. Para la fabricación de este dispositivo se utilizo la técnica empleada en fabricación de circuitos integrados, las dimensiones son de 800µm de longitud y 400µm de ancho, la geometría es del tipo ínterdigitado con anchos de líneas de 50µm, en el cual se en tiene una sensibilidad menor a 1Hz y registrar vibraciones con rangos 0.5g a 10g, el grado de polarización puede ser hasta 10V CD, entregando respuesta en corriente de 400mA. AGRADECIMIENTOS: Los autores agradecen la valiosa colaboración y el financiamiento para el desarrollo del trabajo a los departamentos de

Investigación, Ingeniería y tecnología de la información, a la escuela de Mecatrónica y a los laboratorios docentes de la UPAEP. MYM-P07 Análisis de la influencia de la tensión superficial de diferentes solventes sobre el colapso de micro-estructuras. Andrés Alanís1, F. Quiñones2, D. Diaz2, M. Landa2, N. Carlos2, M. Escóbar2, I. Juárez2, P. Alarcón2, J. M. Álvarez2, y Wilfrido Calleja2,* 1Centro de Investigación en Energía – UNAM, C.P. 62580, Morelos, México 2Laboratorio de Microelectrónica y Centro de Diseño de MEMS – INAOE, A. P. 51, C. P. 72000, Puebla, México, *wcalleja@inaoep.mx La fabricación de micro-estructuras mediante la técnica de micro-maquinado superficial ha sido utilizada de manera exitosa por un gran número de fabricantes y por grupos de investigación [1, 2] alrededor de todo el mundo para su aplicación en sistemas micro-electro-mecánicos (MEMS). El principal problema relacionado al rendimiento de los procesos de fabricación de micro-estructuras utilizando ésta técnica es el colapso de las estructuras durante la liberación mecánica [3] -para obtener estructuras suspendidas. A la fecha se han desarrollado e implementado técnicas para incrementar el rendimiento de los procesos de micro-maquinado superficial, abatiendo los principales problemas de colapso por adhesión de las estructuras, modificando la tensión superficial de los solventes al entrar en contacto con el aire, sin embargo, generalmente se hace necesario el uso de material y equipo sofisticado, como sistemas a presión y temperatura controlada en ambientes de dióxido de carbono (CO2 dryer) [4]; sistemas para depósito de películas mono-atómicas de teflón (PTFE) [5], entre otros. En este trabajo se muestra la factibilidad para utilizar procesos convencionales -de bajo costo- durante la etapa de secado mediante solventes orgánicos (i.e., acetona, metanol, isopropanol y agua) comúnmente utilizados en la industria de semiconductores, para incrementar el rendimiento de los procesos de micro-maquinado superficial. Como resultado de un análisis de la tensión superficial de los diferentes solventes en función de su temperatura, se observó que las magnitudes de

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tensión superficial son: 17.3mN/m y 64.5mN/m @ 65 ºC para el 'isopropanol' y 'agua' respectivamente, mientras que para el 'metanol' es de 19.5mN/m [6] cerca de su punto de ebullición (64.7 ºC), lo que eventualmente restringiría su uso. Por lo anteriormente expuesto, el isopropanol representa la mejor alternativa para desarrollar la etapa de secado de las micro-estructuras. Finalmente, una vez establecido las condiciones óptimas de la etapa de secado, se fabricaron de manera exitosa -mediante el proceso PolyMEMS del INAOE- [7] estructuras de silicio policristalino tipo trampolín (o viga; cantilever) de 10µm y 20µm de ancho y 2µm de grosor, alcanzando longitudes críticas (lcr) de 50µm < lcr < 60µm, en comparación con los procesos utilizando agua como solvente, en donde el rendimiento fue prácticamente nulo. http://www.memscap.com/ [1] http://www.memscap.com [2] http://mems.sandia.gov [3] Madou M., “Fundamentals of Microfabrication”, CRC Press (2002). [4] Mulhern T., Soane S and Howe R., “Supercritical carbon dioxide drying of microstructures” Proc. 7th Int. Conf. on Solid-State Sensors and Actuators, (1993), pp 296–9. [5] Doms M., Feindt H., Kuipers W., Shewtanasootorn D., Matar A., Brinkhues S., Welton E., Mueller J., “Hydrophobic coatings for MEMS aplications”, J. of Micromechanics Microengeneering, 18 (2002), pp 1. [6] Lides D., “Handbook of Chemistry and Physics”, CRC Press (1993). [7] Alanís A., Tesis de Maestría: “Desarrollo del Proceso de Fabricación PolyMEMS-INAOE”, INAOE (2008). MYM-P08 Caracterización de difusiones poco profundas mediante la técnica de perfilado electroquímico. N. Carlos R., M. Landa V., W. Calleja A., J. de la Hidalga W., P. Rosales Q., A. Torres J., C. Zúñiga I., C. Reyes B. En este trabajo, se presenta el perfilado electroquímico, como una técnica rápida y precisa para determinar la concentración y profundidad de unión de difusiones poco profundas obtenidas por la técnica de

tratamiento térmico rápido (Rapid Thermal Process RTP). Con este sistema es posible obtener perfiles de distribución de impurezas que son críticos en circuitos de ultra alta escala de integración (ULSI). La técnica de perfilado electroquímico consiste en formar un contacto Schottky entre la superficie de la muestra a caracterizar y un electrolito; la acción del electrolito está delimitada por un anillo herméticamente sellado que evita fugas. Polarizando inversamente la unión electroquímica, se caracteriza mediante mediciones Capacitancia-Voltaje (C-V) con aproximación de unión de “un sólo lado”. Para obtener el perfil de distribución de impurezas completo de una región dopada, se realiza por etapas de grabado controlado por una solución anódica. Para el caso de difusiones tipo “P”, se polariza inversamente el material; en el caso de difusiones tipo N, se polariza inversamente y además se ilumina la interfaz con luz UV. Se realizó un proceso alterno de grabado y medición C-V para evaluar la distribución de dopantes en el semiconductor. Se discute la herramienta de análisis y se presentan los resultados obtenidos en difusiones de 0.3 micras con concentraciones superficiales de 1015 cm-3. MYM-P09 Caracterización de Silicio germanio amorfo para aplicaciones en sistemas microelectromecanicos MEMS. M Galindo-Mentle1, C.Zuñiga-Islas2, R. Palomino-Merino1 1 Laboratorio de Síntesis y Caracterización de Materiales, Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas BUAP. Av. San Claudio y 18 Sur Colonia San Manuel, Ciudad Universitaria, Puebla, Pue. C. P. 72570. E-mail: mgalindo@fcfm.buap.mx 2 Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y ElectrónicaLuis Enrique Erro # 1, Tonantzintla, Puebla, México. Los Sistemas Micro Electro Mecánicos (MEMS) en base a películas de Silicio-Germanio amorfo han tenido un rápido crecimiento debido a las múltiples aplicaciones prácticas que se pueden fabricar, esto ha traído como consecuencia que muchas empresas estén invirtiendo fuertes cantidades en su producción. Las propiedades del silicio ó del germanio amorfo y las

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combinaciones entre ellos son comparables a las propiedades del polisilicio, las cuales pueden ser aplicadas en la producción de microestructuras. Al depositarse por plasma (PECVD) tienen la ventaja de realizarse a baja temperatura, reduciendo así las tensiones mecánicas estructurales; los materiales depositados a bajas temperaturas son de vital importancia en la aplicación de post-proceso de CI´s CMOS. Considerando aplicaciones tales como sensores es posible variar el ancho de banda desde 1.1 eV con 100% germanio, 1.8 con 100% silicio y hasta 2.5 eV en silicio; en otra variante se agrega una proporción de carbón al silicio, lográndose mayor flexibilidad mecánica, velocidad de respuesta y sensibilidad en los sistemas fabricados. MYM-P10 Película de TiO2/Co Aplicada como Resonador Acústico. C. E. Rodríguez M1 *. A. Heredia-Jiménez1, L. Castro y de Fernández del C.2, 1Departamento de Mecatrónica, 2Laboratorios docentes UPAEP, Puebla, México * c _e02@hotmail.com En este trabajo se presentan el comportamiento electro acústico de una película de Oxido de titanio dopada con cobalto TiO2/Co depositada sobre una membrana de nitruro de silicio, Los materiales empleados para la obtención del material son Isopropoxido de Titanio, Tolueno, Nitrato de Cobalto, y Ac. Acético. El comportamiento de la membrana se realizó a frecuencias acústicas y ultrasónicas, se encontró que se tiene muy buena respuesta en el rango audible, lo que sienta las bases para ser utilizada como un dispositivo de ayuda auditiva. Los parámetros de la membrana y el material piezoeléctrico fueron obtenidos en el rango de frecuencias de 20Hz a 2.5kHz, obteniéndose voltajes de hasta 200mv. La membrana se realizo sobre oblea de silicio micromaquinada en volumen con dimensiones de 70x50 µm y un espesor de 0.2 µm con una resolución en presión de 20mPa. Agradecimientos.Los autores agradecen la valiosa colaboración y el financiamiento para el desarrollo del trabajo a los departamentos de Investigación, Ingeniería y tecnología de la información, a la escuela de Mecatrónica y a los laboratorios docentes de la UPAEP.

MYM-P11 Improvement on the Chemical and Electrical Characteristics of H 20-Diluted SOG Thin Films Deposited on Silicon A. L. Muñoz Rosas1, J. Molina Reyes1,*, A. Torres Jacome1, M. Landa Vazquez1, M. Escobar Aguilar1. 1 Instituto Nacional de Astrofisica, Optica y Electronica (INAOE). Electronics Department, Microelectronics Group. Luis Enrique Erro #1, Tonantzintla, Puebla. C.P. 72000, Puebla, México. * jmolina@inaoep.mx In this work, the physical, chemical and electrical properties of Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitors with Spin-On-Glass (SOG)-based thin films as gate dielectric have been investigated. Experiments of SOG diluted within two different solvents (n-propanol and deionized water) were done in order to reduce the viscosity of the SOG solution so that thinner films (down to ~20nm) were obtained and their general characteristics compared. Thin films of SOG were deposited on silicon by the sol-gel technique and they were thermally annealed within conventional oxidation furnace and Rapid Thermal Processing (RTP) system in N2 ambient after deposition. Annealing at relatively high temperatures (≥450°C) is important to reduce the organic content of the films. Fourier Transform Infrared (FTIR) spectroscopy analysis has shown that the films obtained by dilution of SOG in deionized water are able to keep the chemical properties of undiluted SOG while reducing the chemical-bonds related to their organic content after annealing. Capacitance-Voltage (C-V) measurements prove the electrical improvement of the films diluted in deionized water compared with the films diluted in n-propanol. The electrical characteristics of H2O-diluted SOG thin films on silicon are very similar to those obtained from thermal oxides so that their application as gate dielectrics for MOS devices must be thoroughly investigated since those characteristics are quite promising. Acknowledgements: This work was fully supported by the Mexican Council for Science and Technology (CONACYT), Mexico.

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SIMPOSIO DE NANOESTRUCTURAS. Nanostructures NAE-P01 MOS interface for the electrochemical structured-oxidation of titanium. Flor María Rivas Esquivel, Erika Yuliana Lozano López and Rafael Quintero Torres* Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México, Boulevard Juriquilla 3001, Juriquilla, Querétaro 76230, México. * rquintero@fata.unam.mx An electrostatic and carriers transport model is presented to explain the closed packing of nanotubes structures observed in anodic oxidation of titanium. The model is suggested by the experimental results of impedance spectroscopy performed during the growth of titanium oxide nanotubes in a polar non aqueous electrolyte. The growth and dissolution of the titanium oxide has two points of view, on one side is the chemical variable in the cell that helps to understand the nanotubes formation [1] and on the other hand are the energy of the interfaces and the charge exchange between them [2, 3]. The continuity equation are regularly used in the study of the electrical properties of semiconductor structures, here we outline an extension to include liquid materials and some phenomenology to include the chemical reactions taking place at the interface. This work is intended to exploit the carrier mobility and density in the structure and the charges exchange at the interfaces extending the device physics to include electrochemical cells. Titanium dioxide has many ongoing and potential applications; like carrier conduction in hybrid solar cells, dielectrics in capacitors, in fuel cells, gas sensors, water photolysis, molecular filtration, and tissue engineering. Some applications of the material are enhanced with a large ratio of surface area to volume when nanotubes are formed and also by the anisotropy of the structure. Here we address this problem by considering a closely related and parallel question, namely, the origin of the close packing observed in large nanotubes (~100 nm diameter). The origin of this arrangement should be different to those behind the arrangement

observed in small nanotubes (~5 nm diameter), like the single walled nanotubes where the covalent structure and van der Waals forces play the central role. The peculiar close packing and column arrangement of the nanotubes’ array could be defined in part by the electrostatic equilibrium, which in turn is established by the applied electric field in the cell and the electrical properties of the titanium oxide produced, density of holes mainly. The first stage is controlled by the oxidation of the titanium; a second stage is defined by the holes available in the titanium oxide feeding the reaction, the titanium oxide far from the titanium is depleted of holes and the battery is the only supply of holes through the titanium. In the last stage the growth is controlled by the possibility to move the by products from the bottom of the tube to the bulk of the solution. References. [1] Modeling of Growth and Dissolution of

Nanotubular Titania in Fluoride-Containing Electrolytes Electrochem. Solid-State Lett., Volume 12, Issue 3, pp. C5-C9 (2009) F. Thébault,1 B. Vuillemin,1 R. Oltra,1 J. Kunze,2 A. Seyeux,2 and P. Schmuki2

[2] Paulose, M.; Shankar, K.; Yoriya, S.; Prakasam, H. E.; Varghese, O. K.; Mor, G. K.; Latempa, T. A.; Fitzgerald, A.; Grimes C. A. J. Phys. Chem. B, 2006, 110, 33, 16179.

[3] R. Quintero-Torres, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 7, no. 3, may 2008 pp. 371-375

NAE-P02 Characterization of AlGaAs/GaAs two-dimensional electron gas heteroestructures grown at different As-cracker temperature. D. Vázquez-Cortés1,*, L. Zamora-Peredo2, M. Lopez-Lopez3, C. Soubervielle-Montalvo1, V.H. Méndez-García1. 1 Coordinación para la Innovación y Aplicación de la Ciencia y Tecnología, Av. Karakorum #1470, Lomas 4a Secc., San Luis Potosí, S.L.P., Mexico 78210 2 Universidad Politécnica de San Luis Potosí, Urbano Villalón 500, Col. La ladrillera, 78369, San Luis Potosí, S.L.P., México. 3 Physics Department, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. Instituto

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Politécnico Nacional 2508 Col. San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F. davdvc@hotmail.com High electron mobility transistor (HEMT) is one of the most important electronic devices because its unique properties which make possible to built low noise amplifiers at high frequency such as 12GHz. HEMTs are based on AlGaAs/GaAs heteroestructures. In these heteroestructures, high electron mobility is accomplished by confining the electrons in a triangular quantum well in the AlGaAs/GaAs heterojunction. The electrons generated in the n-type AlGaAs drop completely into the next GaAs layer to form a depleted AlGaAs layer, because the hetero-junction created by different band gap materials forms a step nanocanyon in the GaAs side where the electrons can move quickly without colliding with any impurity. Even though electrons not collide with impurities they can collide with defects in the lattice created during the growth. To reduce these defects crystal quality must be enhanced. This enhancement may be achieved by varying the growth conditions. In this work we have investigated the optical properties of AlxGa1-

xAs/GaAs modulation doped heterostructures grown under different experimental conditions. We changed molecular species of the As-beam, by varying the As cracker cell temperature. The samples optical properties were studied by analyzing temperature dependence photoluminescence, and room temperature photoreflectance spectra (PR) in the near band gap energy of GaAs and AlGaAs. By low temperature photoluminescence (LT-PL) spectra we observed that using As2 instead of As4, the crystal quality of the barrier (200 nm of AlGaAs:Si) significantly improves, since narrower lines were obtained when the temperature of the As-cracker zone is increased. The experimental position of the energy of the ternary band-gap transition as a function of temperature, satisfactory fits the Varshni and Viña functional forms, but it is more difficult to asses the data for those samples grown employing As4. On the other hand, the PL spectra line shape in the GaAs-bandgap region showed three main transitions associated to: Band to band transition (BB), exciton bound to neutral point defects (d,X) and conduction band to neutral C acceptor (C,A0) [1]. The intensity of these transitions was found to be independent of the As-molecular beam species; nevertheless, the PR spectra of the samples showed changes close to the GaAs

band gap energy. This region has been previously associated with the electron mobility of the two dimensional electron gas systems (2DEG) [2].Therefore, this work shows that by using As2 flux it is possible to improve the crystal quality of 2DEG containing heterostructures. [1] L. Pavesi, M. Guzzi, J. Appl. Phys. 75, 4779 (1994). [2] L. Zamora-Peredo, M. López-López, A. Lastras-Martínez, J. Cryst. Growth 278, 591 (2005). NAE-P03 Síntesis de SnO 2 por el método coloidal y su aplicación como sensor de gas. J.P. Morán Lázaro*, Carlos R. Michel, H. Guillén Bonilla Departamento de Física CUCEI, Universidad de Guadalajara, Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, Jalisco, 44410, México. *lazaro7mx27@hotmail.com El óxido de estaño (SnO2) ha sido uno de los materiales más estudiados en lo relativo a su capacidad de detectar diversos gases, sin embargo, estas propiedades dependen de gran medida de las características morfológicas: tamaño de partículas, área superficial, etc. En este trabajo el óxido de estaño fue sintetizado por un método coloidal, usando cloruro estánico, n-dodecilamina y alcohol etílico. La solución obtenida por este proceso se agitó por 24 hrs y usando radiación de microondas, se evaporó para obtener un material precursor. La calcinación del polvo precursor a 400 °C produjo el material nanoestructurado SnO2. Por difracción de rayos X en polvo se identificó la estructura tetragonal con parámetros de la celda a = 4.7382 Å, b = 4.7382 Å and c = 3.1871 Å y grupo espacial P42/mnm. Mediante microscopía electrónica de transmisión se examinó la nanoestructura del material. El tamaño promedio de la partícula de SnO2 fue de 9.5 nm; además, se forman aglomeraciones esféricas con diámetros en el rango de 0.1-0.24 µm. Para probar SnO2 como sensor de gas, se elaboró una película gruesa con el polvo calcinado a 400 °C. La caracterización eléctrica se llevó acabo en corriente alterna, evaluando la respuesta dinámica de la magnitud de la impedancia (ǀZǀ) en atmósferas de aire, CO2 y O2. Esta

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caracterización se realizó a frecuencias de 1 kHz y 10 kHz, a 300 °C. Los resultados indicaron un decremento en ∆ǀZǀ al aumentar la frecuencia: de 444 a 393 kΩ para el CO2 y 410.6 a 254.3 kΩ para el O2. Las curvas de ǀZǀ en función del tiempo en distintas concentraciones (aire:CO2 y aire:O2), mostraron que SnO2 responde a dichos cambios. NAE-P04 Películas de oro nanoestructuradas usando como molde la capa barrera de alúminas anódicas porosas. M. E. Mata-Zamora*, A. Esparza-García, J. Bañuelos-Muñetón, J. Saniger-Blesa, R. Sato-Berrú. Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, C.P. 04510, México D. F., México. *esther.mata@ccadet.unam.mx Las nanoestructuras metálicas son determinantes para el avance en el diseño de dispositivos eficientes para sensores químicos o biológicos vía su respuesta óptica. En particular los metales nobles de dimensiones nanométricas exhiben un fenómeno conocido como amplificación Raman por efecto de superficie o por sus siglas en inglés SERS (Surface Enhaced Raman Spectroscopy). El aspecto importante de usar este fenómeno como técnica de detección es el diseño de los sustratos metálicos que deben ser de rugosidad nanométrica controlada, reproducibles, robustos y de bajo costo [1, 2]. Con el fin de conseguir un sustrato con estas características, se utilizó la morfología de la capa barrera de la alúmina anódica porosa como sustrato nanoestructurado para el depósito de películas delgadas de oro (10, 20 y 40 nm). El depósito se llevó a cabo mediante erosión catódica con magnetrón (potencia 30 W, presión tot. 4.7x10-3 mBar, en argón a temperatura ambiente). Para comparar los cambios en la morfología de las películas, también se realizaron depósitos de oro sobre sustratos de alúmina anódica sin nanoestructura porosa. Se analizaron los cambios en la topografía de las películas de oro, inducidos por el sustrato rugoso de alúmina, en función del espesor y del tratamiento térmico aplicado. La se fijó a 300 °C por 4 horas, con una rampa de calentamiento 5

°C/min. en atmósfera estática de aire. Además se analizo la evolución de la banda plasmónica en función de los cambios morfológicos de las películas de oro. [1] A. M. Schwartzberg, J. Z. Zhang. Novel

optical properties and emerging applications of metal nanostructures. J. Phys. Chem.C 112, 2008, 10323.

[2] D. Y. Wu, J. F. Li, B. Ren, Z. Q. Tian. Electrochemical surface-enhanced Raman spectroscopy of nanostructures. Chem. Soc. Rev., 37, 2008, 1025.

Agradecimientos. Los autores agradecen al Instituto de Ciencia y Tecnología del Distrito Federal (ICyT-DF) por el financiamiento económico. NAE-P05 Gas sensing behavior of nanostructured CoSb2O6 prepared by a colloidal method. H. Guillén Bonilla1*, Carlos R. Michel 1 J. Reyes Gómez2 J. P. Morán Lázaro1, D. Pozas Zepeda2 1 Departamento de Física CUCEI, Universidad de Guadalajara, Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, Jalisco, 44410, México. * piriel11@hotmail.com 2 Facultad de Ciencias, Universidad de Colima, Bernal Díaz del Castillo, 340 Colima, Colima, 28045, México. Nanostructured powders of CoSb2O6, possessing the trirutile-type structure, were synthesized by a colloidal method using antimony chloride, cobalt nitrate and n-dodecylamine. By this process a colloidal dispersion was obtained after mixing the reagents in ethyl alcohol, and stirring for 24 h. Microwave-assisted evaporation at low power was performed to obtain a solid precursor material. The thermal decomposition at 700oC in air produced the target composition. X-ray powder diffraction was used to identify the crystal structure, which corresponds to the tetragonal with cell parameters a = 4.6544 Å and c = 9.2823 Å, and space group P42/nmn. SEM and TEM were used to analyze particle size and shape; by SEM, monodisperse CoSb2O6 particles with an average diameter of 2µm were observed. By TEM was confirmed that the particles were hollow. To test CoSb2O6 as a gas sensor material, the powder calcined at 700oC was deposited on alumina substrates using the

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screen-printing technique. DC electrical characterization was performed in air, O2 and CO2 from room temperature to 600oC. The dynamic response of resistance tests of this material show a variation of resistance of about 103 Ω when CO2 was supplied, whereas for O2 a change in the order of 102 Ω was measured. Polarization curves were recorded to obtain quantitative information about CO2 and O2 detection. Estudio del comportamiento de la interface CdTe/CdS † NAE-P06 R. Torres*, R. Baquero Departamento de Física, Centro de Investigación y Estudios Avanzados, CINVESTAV, Av. Instituto Politécnico Nacional, C.P. 14740, Distrito Federal, México. * rtorres@fis.cinvestav.mx Un hecho de gran interés es que las propiedades físicas de una interface pueden ser muy diferentes a las de sus componentes en volumen. En particular, propiedades magnéticas y superconductoras presentan esta propiedad. Recientemente, por ejemplo, se ha encontrado interfaces superconductoras de elementos no superconductores, metálicos e incluso aislantes [1,2]. Estas propiedades electrónicas diferentes encuentran también aplicaciones en espintronica y en general en nanotecnología. En este trabajo presentamos un estudio de la estructura electrónica de la interface CdTe/CdS por el método de amarre fuerte y de primeros principios utilizando la teoría del funcional de densidad. Este trabajo servirá de base para el cálculo de varias funciones termodinámicas de esta interface y para el análisis de resultados experimentales que estamos realizando. † Parte de mi tesis de maestría ante el departamento de física del CINVESTAV. [1] S. Smadici, et al., arXiv:0805.3189v2 [cond-mat.str-el], (2009) [2] A. Gozar et. al. Nature Letter, 455, 782 (2008) Agradecimientos. Doy mis más sinceros agradecimientos al Centro de Investigación y Estudios Avanzados del I.P.N. (CINVESTAV), quienes además colaborar con mi formación

académica y científica, con su apoyo económico hacen posible mi participación en la International Conference on Superfaces, Materials and Vacuum 2009. NAE-P07 Fabricación y caracterización de láseres semiconductores de pozos cuánticos de InGaAs con puntos cuánticos de InAs embebidos. I. Lara-Velázqueza*, J. V. González-Fernándezb, R. Díaz de León-Zapataa,b, J. Ortega-Gallegosa A. Lastras-Martíneza, A. R. Garcés-Rodrígueza, y R.E. Balderas-Navarroa

aInstituto Tecnológico de San Luis Potosí, Av. Tecnológico S/N, Soledad de Graciano Sánchez San Luis Potosí. SLP. 78437 bInstituto de Investigación en Comunicación Óptica. Universidad Autónoma de San Luis Potosí. Av. Karakorum 1470. Lomas 4a. Secc. San Luis Potosí, SLP. 78210 México. *Tel: (444) 8127934, fax: (444) 8250198, e_mail: isma@cactus.iico.uaslp.mx Se presenta el diseño y la fabricación de láseres semiconductores basados en los elementos III-V. De manera específica, la región activa consta de tres pozos cuánticos de In0.15Ga0.85As de 11 nm de espesor, se parados por barreras de GaAs de 50 nm. A cada pozo le insertaron una matriz de puntos cuánticos de InAs, con una densidad nominal de 1012 cm2 medidos por microscopía de fuerza atómica in-situ. Para los espectros de electroluminiscencia se clivaron barras de 1mm x 0.5mm, con una guía de contacto (stripe) de 100 µm. La emisión se detectó en 1125 nm a temperatura ambiente en forma pulsada, con corrientes de umbrales de 0.5 A.cm-2. NAE-P08 A density functional study of stable structures of small titanium clusters. P.G. Alvarado-Leyva1,*, E.M. Sosa-Hernández2. 1 Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, C.P. 78000, San Luis Potosí, S.L.P., México.

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2 Departamento de Matemáticas Aplicadas, Facultad de Contaduría y Administración, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, C.P. 78000, San Luis Potosí, S.L.P., México * pal@fciencias.uaslp.mx Transition metals (TM) atomic clusters have drawn much attention because of their excellent properties and great technological application in many fields. But the researchers of TM atomic clusters present a tremendous challenge for both experimental and computational prediction, because TM elements always posses complicated electronic structures caused by the 4s3d electrons. Titanium as a typical TM element has the 3d2 open shell. For Ti clusters, the energies between different spin multiplicities states are so close that determining the ground states structures is always a complicated progress even a challengeable work. Though many studies about Ti clusters have been done, the ground states structures are not determined conformably all the while, besides a study about the magnetic properties has not been done neither. In this work we present spin-polarized total energy calculations using the SIESTA code [1] within the generalized gradient approximation (GGA) for the exchange-correlation energy as parameterized by Perdew, Burke and Ernzerhorf. The norm conserving Troullier-Martins pseudopotentials in the Kleinman-Bylander factorized form with non linear core corrections were used to consider core electrons, valence electrons are described by linear combinations of numerical pseudoatomic orbital using a split valence double zeta basis set with polarization functions. With this method we found the lowest energy structures for Tin clusters with n= 2-7 atoms, all the clusters studied prefer three dimensional structures, besides our calculations show that for cluster with n≤ 5 atoms present a magnetic behavior, all the local magnetic moments are alligned parallely in these clusters, giving a ferromagnetic-like order. Besides we present the electron distribution of the valence electron orbital. [1] P. Ordejón, E. Artacho, and J.M. Soler, Phys. Rev. B, 53 (1996) 10441.

NAE-P09 Síntesis de Nanopartículas de Plata con Tamaño Controlado por la Técnica de Electroless Plating Method. S. Mendoza-Bello1,2,*, L. Flores-Santos2, M.C. Loza-Quitanar1,2. 1 Facultad de Química, Universidad Autónoma del Estado de México, , Paseo Colon esq. Paseo Tollocan s/n, C.P. 72570, Cd. Toluca, México. 2 CID, Centro de Investigación y Desarrollo Tecnológico S.A. de C.V., Av. de los Sauces No. 87 Mz. 6, Parque Industrial Lerma, C.P. 52000, Lerma Edo. Méx., México. *quim.sam@gmail.com y/o samuel.mendoza@desc.com.mx. En el presente trabajo se ha abordado el estudio de la concentración de HCl sobre la activación con SnCl2 de un nanosustrato tipo aluminosilicato, que se denominó nanoarcilla X, para la depositación en su superficie de plata metálica mediante la técnica de Electroless Plating Method. La caracterización morfológica de los materiales activados y metalizados se realizó con microscopias electrónicas de barrido usando electrones secundarios, obteniendo que no existen cambios significativos, con respecto a la morfología, del material sin tratar y el activado, sin embargo para el material metalizado contra el blanco se notó un ligero incremento en la rugosidad conforme aumentaba la relación SnCl2/HCl en la activación, este cambio se debió al incremento de plata depositada en la superficie del nanosustrato, lo cual se confirmo por microanálisis elemental por EDS. Para conocer en que manera se depositó el metal se realizaron las microscopias electrónicas de transmisión a tres muestras de nanoarcilla X metalizada, correspondientes a niveles de concentración de HCl: alto, medio y bajo, observándose que la depositación de plata sobre el nanosustrato se había logrado en forma de nanopartículas y al hacer el análisis de tamaño de partícula de las muestras el cambiar la concentración de HCl durante la activación permite obtener un control en el crecimiento de las mismas, yendo desde los 2-6nm para el nivel de HCl mas alto hasta los 12-20nm para el nivel mas bajo, el tamaño tan pequeño de la partículas sobre el nanosustrato, de longitudes de 1.0-1.5micras de largo y 50-100nm de diámetro, explica porque el cambio en la rugosidad no se noto tan fácilmente en SEM. Las propiedades térmicas del material metalizado

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también se analizaron encontrando por TGA que la estabilidad térmica de la nanoarcilla X no se ve alterada por la adición del metal dado que las perdidas de peso tanto del blanco como de todas las muestras metalizadas se presentaron en el mismo rango de temperaturas; por otro lado, la capacidad calorífica (Cp) analizada por DSC cambia para las muestras metalizadas el desde 1.2 J/gºC para las muestras con menor depositación a 0.8 J/gºC para las de mayor depositación, comparando con el valor de 1.5 J/gºC que presenta el blanco de la nanoarcilla X fue posible obtener un nanocomposito metal-cerámico de un material que en principio es aislante térmico para volverlo ligeramente conductor. Agradecimientos. Se agradece al Centro de Investigación y Desarrollo Tecnológico CID por las facilidades prestadas en la realización de este trabajo. NAE-P10 Fabricación y Caracterización de Heteroestructuras de Baja Dimensionalidad SiOx/ Si:Ge /SiOx A. Hernández-Hernández1, F. de Moure-Flores1, José G. Quiñones-Galván1, K. E. Nieto-Zepeda1, S. Cerón-Gutiérrez3, M. Meléndez-Lira1,2. 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. 2CICATA-IPN, Unidad Legaría, Legaría 694, Col. Irrigación, 11500, México D.F., México. 3SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. *aptypo7@hotmail.com Se prepararon heteroestructuras de SiOx/Ge:Si/SiOx mediante la técnica de erosion catódica por radio frecuencia utilizando substratos de Si monocristalino (100) y portaobjetos de vidrio comercial. La temperatura de deposito fue de 400°C empleando un blanco de Si policristalino y Ge los cuales fueron erosionados a diferentes potencias de radiofrecuencia. Además se investigo el efecto de la presión parcial de oxigeno presente en el plasma del Sputtering, así como el espesor de la capa de germanio y silicio además de la potencia de radiofrecuencia en las propiedades de las

muestras. Se obtuvieron corrimientos Raman asociados a arreglos de nanoparticulas de Ge y Si. Las propiedades electrónicas se estudiaron por espectroscopias Raman, transmisión UV-Vis, infrarrojo y fotoluminiscencia. Los espectros de FTIR muestran picos de absorción asociados con los modos de vibración de SiO2. La topografía superficial de la muestra se caracterizo por medio de AFM. Agradecimientos: M. en C. Alejandra García Sotelo (Raman), Ing. Marcela Guerrero C. (UV Vis, IR y XRD), M. en C. Rogelio Fragoso (AFM). NAE-P11 Study of a modified ECAP die for producing nanostructured Al6060 alloy using 3D finite element simulation. E. López-Chipres 1,*, E. García-Sánchez 2, P. Ponce-Peña 1, M.A. González-Lozano 1, R. Olvera 1, M.A. Escobedo-Bretado 1. 1 Depto. Ciencia de Materiales, Facultad de Ciencias Químicas, UJED, Av. Veterinaria S/N, Circuito Universitario, C.P. 34120, Durango, Dgo. México. Tel: (618) 1301120, fax (618) 1301111, e-mail: chipresche@yahoo.com 2 Universidad Autónoma de Nuevo León, FIME, México. Using FEM simulations is possible to study the homogeneity of deformation due to several conditions in the ECAP process. In this work an investigation about the influence of a modified die on strain distribution in an ecaped Al6060 alloy was carried out. Due to that tensile stress occurs in the vicinity of upper surface of the specimen in the severe plastic deformation zone, which increases the cracking and fracture tendency of the specimen and impedes the further ECAP processing, the conventional ECAP die was modified to eliminate the tensile stress and enhance the compressive stress in the severe plastic deformation zone and reducing the cracking and fracture tendency of the specimen. Finite element analysis demonstrated that the stress state changes from tensile to strongly compressive when using the modified die. The aim of this study is to evaluate the advantages/disadvantages of the modified ECAP die and processing conditions.

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Keywords: Ultra-fine grained metals, severe plastic deformation processes, finite element method, aluminum alloys, deformation and fracture. NAE-P12 Estudio teórico-experimental de la absorción en multicapas de silicio poroso. J. O. Estevez1, J. Arriaga1, A. Méndez Blas1, Vivechana Agarwal2 1Instituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Apdo. Postal J-48, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. 2CIICAP, Universidad Autónoma del Estado de Morelos, C.P. 62209, Cuernavaca Mor., México jestevez@sirio.ifuap.buap.mx En este trabajo se estudian sistemas de multicapas construidas a base de silicio poroso (SP) por el método de anodización electroquímica [1]. Las estructuras fueron diseñadas en la región visible del espectro y se simularon usando el método de la matriz de transferencia. Cada celda unitaria de la estructura fotónica esta compuesta por dos partes A y B, con anchos dA y dB respectivamente. El índice de refracción de la parte A varia de acuerdo a la envolvente de una función Gaussiana [2,3], mientras que la parte B es una capa constante y tiene un valor de índice de refracción nB. Los índices de refracción fueron estimados por el modelo de Bruggeman a partir de la porosidad de las capas. Debido a que las capas de SP presentan absorción en la región visible del espectro, es necesario considerar la parte imaginaria del índice de refracción en modelo teórico, dando como resultado una buena aproximación con el espectro de reflectancia experimental. [1] Properties of Porous Silicon, Edited by Leigh Canham DERA, Malvern, UK. Published by: INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, London, United Kingdom (1997) [2] J. Arriaga and X. I. Saldaña, J. Appl. Phys., 100, 044911 (2006) [3] J. O. Estevez, J. Arriaga, A. Méndez Blas and V. Agarwal, Appl. Phys. Lett., 93, 191915 (2008) Agradecimientos: Este trabajo fue parcialmente financiado por el proyecto PROMEP (BUAP-

PTC-113), Conacyt (CB-83485) y VIEP (MEBA-EX08-I) NAE-P13 A novel information criterion applied on the enhanced transmission phenomenon by a nano-slit. J. Sumaya-Martinez1,*, O. Olmos-Lopez1,2, F. M. Martinez-Rivera1 and P. Rosendo Francisco1 1 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma del Estado de México, C.P. 50000, Toluca, Estado de México, México. 2 Dirección de Ciencias Básicas, ITESM Campus Toluca, Eduardo Monroy Cárdenas 2000, C.P. 50110, Toluca, Estado de México, México. A novel information criterion based on the principle of minimum Fisher information is presented in order to locate resonant wavelengths at which enhanced tranmission occurs in the interaction of electromagnetic beams with a metallic nano-slit. A numerical comparison with the results obtained using the Maxwell electromagnetic theory is accomplished. Nevertheless both theories give similar results, it is shown that the information approach is more efficient than the classical one. We also propose this criterion could be applied to find out resonances in more complex systems. NAE-P14 Efecto del espesor y morfología de la película de Ni en la síntesis de nanotubos de carbono por PECVD. 1U.Morales 1S.Rodil,1S.Muhl. 2M.Camacho-López 1Instituto de Investigaciones Materiales,Univesidad Nacional Autónoma de México, Circuito exterior s/n, Ciudad Universitaria, 04510, Coyoacan México D.F. 2Universidad Autónoma del Estado de México, UAEM Paseo Colón esq. Paseo Tollocan s/n,Apartado Postal A-20, C.P. 50120,Toluca, Estado de México *ubaldo19821010@yahoo.com.mx.

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El método de depósito físico en fase vapor asistido por plasma es una de las técnicas más utilizadas para el depósito y crecimiento de películas delgadas. Este trabajo consistió en encontrar las condiciones optimas para el depósito de la películas de níquel utilizadas como catalizador para las síntesis de nanotubos de carbono. Para encontrar estos parámetros se utilizo un método de deposito basado en la técnica de evaporación física, sin las asistencia de un magnetrón, debido a las propiedades ferromagnéticas del níquel. La técnica que se utilizo para el depósito de la película metálica sobre el substrato de SiO2, fue Sputtering-RF por cátodo hueco asistido por un plasma de argón y se tomaron como condiciones experimentales el tiempo de depósito (1-7.5) min y (12-40) min respectivamente para cada presión de trabajo (25mTorr y 250mTorr), obteniendo películas con un espesor que va de (11-68.4) nm. En el crecimiento de nanotubos de carbono la película catalizadora debe ser de pocos nanometros de grosor para permitir la formación de pequeños cúmulos una vez calentada. Estos cúmulos funcionan como semillas para el crecimiento del CNT a través de la difusión de los átomos de carbono en el metal. Para que la película de Ni tenga estas condiciones, se le hizo un tratamiento térmico (700º-500º) C y un tratamiento con plasma de (H2). La diferentes morfologías obtenidas fueron analizadas por perfilometria y microscopia de fuerza atómica (AFM). El análisis de las micrografías de los depósitos de las películas a 700°C con un espesor de Ni de 46 nm y una concentración de gases de C2H2, N2 y H2 de (20, 23 y 64) SCCM respectivamente mostro que eran las condiciones optimas en las cuales se observo pequeñas formaciones de carbono de forma tubular. Lo que mostro la técnica de espectroscopia de Raman que la morfología del depósito correspondía con los espectros de los nanotubos de multípared. [1] Jae-Hee Han , Sun Hong Choi , Tae a a Young Leea, Ji-Beom Yooa,1,*, Chong-Yun Parkb, Ha Jin Kimc, In-Taek Hanc, SeGi Yuc, Whikun Yic, Gyeong Soo Parkd, Minho Yangd, Nae Sung Leee, J.M. Kimc. Effects of growth parameters on the selective area growth of carbon nanotubes. Thin Solid Films 409 (2002) 126–132

NAE-P15 Sintesis de Oxido de Cobre y de Oxido de Hierro. Cesar Cabrera csarcabrera@gmail.com Se reporta la síntesis de oxido cuproso y oxido ferroso, mezclando nitrato de cobre o nitrato de hierro respectivamente, fructosa, acido ascórbico e hidróxido de sodio,para obtener estructuras nanocubicas. Estas nanoestructuras fueron caracterizadas por medio de espectroscopia infrarroja, difracción de rayos x y TEM (siglas en ingles).Se explica la reacción para formar las nanopartículas de forma cúbica. Algunos de los factores fueron modificados lo cual indica que la concentración de acido ascórbico, pH y fructosa son los tres factores más importantes para la creación de nanomateriales en esta síntesis, así tambien un proceso de centrifugado afecta en cierto grado a la muestra. Todo esto hace pensar la posibilidad de crear nanocubos metalicos solo con la condicion que este tenga la capacidad de oxidarse. NAE-P16

Modelo 1D para el estudio de propiedades ópticas en un sistema de cilindros. Irina S. Solís Mora, M. Palomino-Ovando. Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Rio Verde y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, México. marthap@fcfm.buap.mx Se usa un modelo aproximado unidimensional para describir la reflectividad de un sistema periódico de cilindros largos distribuidos en una red cuadrada, esta estructura corresponde a un caso típico de cristal fotónico 2D, dentro de estos cilindros pueden hacerse inclusiones de materiales dieléctricos, semiconductores o metales. La función dieléctrica usada corresponde al modelo de Drude. La ventaja de esta aproximación es que los cálculos resultan simples lo que nos permite hacer análisis para diferentes parámetros de red así como de materiales constituyentes, además de que ha mostrado reproducir resultados experimentales

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adecuados en regiones de frecuencias cercanas a las del gap fotónico. Se presentan espectros de reflectividad y se discuten los resultados para las regiones de frecuencia mayores y menores que la frecuencia del plasma, así como los efectos de absorción. NAE-P17 Catalizadores de pd/ α-si 3n4 mediante impregnación y mocvd para la reacción de oxidación del benceno. Gabriela García-Cervantes*1, Eder Pulido-Barragán 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada Unidad Altamira IPN. Km. 14.5 Carretera Tampico-Puerto Industrial, Altamira, C.P. 89600, Altamira, Tamps. Tel y Fax: (833) 264-93-02. Email: ggarciace@ipn.mx Los COVs (compuestos orgánicos volátiles) se encuentran presentes en la atmosfera por emisiones naturales, ya que forman parte del ciclo de carbono de las plantas y microorganismos. Sin embargo, algunas emisiones son de origen antropogénico a través del uso de solventes orgánicos, de vehículos de transporte y de los procesos de combustión. El benceno forma parte de estos compuestos, en la naturaleza se presenta en muy bajas concentraciones, pero se fabrica y procesa a nivel industrial como benceno puro. La gasolina común contiene entre 12 y 16 g/l, además de los vehículos de motor, las calderas, refinerías, incineradoras, la industria química así como los depósitos de combustibles, son fuentes de emisión de este COV. El benceno está reconocido como cancerígeno en seres humanos y otros mamíferos lactantes. Una manera de reducir las emisiones de los COV's, es a través de la oxidación catalítica, sin embargo, los catalizadores disminuyen su efectividad debido al sobrecalentamiento que promueve la difusión y sinterización, por lo tanto, se modifican sus propiedades catalíticas. Por lo cual, es necesario depositar la fase activa sobre soportes termoestables, para reducir el sobrecalentamiento y por ende se reduzca la pérdida de la actividad catalítica. Para resolver este problema, se utilizará como soporte α-Si3N4 [1], ya que es un soporte refractario ultra-estable, el cual posee propiedades altamente

superiores a los soportes convencionales. Se pretende explorar el método MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition), para la obtención de los catalizadores, que es un método que nos ofrece la posibilidad de obtener catalizadores con una alta dispersión y las partículas se obtienen en el orden nanometrico. La caracterización de los catalizadores de Pd se efectuará mediante Difracción de Rayos-X, Espectroscopia Infrarroja, Microscopia Electrónica de Barrido y la actividad catalítica se realizará mediante la reacción de oxidación de benceno. [1] F.J. Cadete Santos Aires, I. Kurzina, G. Garcia Cervantes, J.C. Bertolini, Catalysis Today, Volume 117, Issue 4, 15 October 2006, Pages 518-524. [2]Jeffrey C.S. Wu, Shang-Jie Lin, Chemical Engineering Journal 140 (2008) 391–397. Agradecimiento: SIP20091695. NAE-P18 Síntesis de aluminosilicatos nanoestructurados por vía de organogeles. López León, C.M.1; Armendáriz Herrera, H.2; Guzmán Castillo, Ma. de L.2; Aragón Piña, A.3; Fripiat, J.J.2; Handy, B.E.1*; 1 CIEP/Facultad de Ciencias Químicas, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Dr. Manuel Nava #6, Zona Universitaria, San Luis Potosí, SLP, CP 78210 México 2Instituto Mexicano del Petróleo, Eje Central Lázaro Cárdenas #152, Col. San Bartolo Atepehuacan, Delg. Gustavo A. Madero, México D.F., CP 07730 México 3Instituto de Metalúrgia, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Sierra Leona #550, Lomas 2a. sección, CP 78210 San Luis Potosí, SLP, México *handy@uaslp.mx Tel: +52-444-826-2440 Ext: 508 Fax: 826-2372 La síntesis de aluminosilicatos con un mejor control sobre el tamaño de poro, tanto microporos y mesoporos, tiene importancia en procesos catalíticos que involucran moléculas grandes, como hidrocarburos pesados. Este trabajo presenta una síntesis novedosa de materiales, que consiste en tres etapas: la formación de un organogel, producto de una

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eterificación entre el glicerol y las fuentes de silicio y aluminio [1], una etapa de hidrólisis en la que se añade bromuro de tetrapropil amonio acuoso (TPA-NBr) y por último una etapa de añejamiento a 135 °C y presión autógena [2]. Con este método se pueden sintetizar diferentes tipos de zeolitas a temperaturas menores de 200 °C; además, se pueden obtener materiales que sean completamente cristalinos, o bien, materiales con un porcentaje de cristalinidad variado y que al mismo tiempo estén soportados en sílice amorfa. Esto depende de las condiciones de síntesis, pues el sistema es sensible al pH, al contenido de agua, al tipo de surfactante y al tiempo y temperatura de añejamiento. El aprovechamiento de materias primas locales, como fuente de aluminio (clinoptilolita), y de residuos de la industria alimentaria como fuente de silicio, cascarilla de arroz calcinada (RHA, Rice Hull Ash), le dan un valor agregado a esta técnica de síntesis. Con un microcalorímetro tipo Tian Calvet, se estudió la termoquímica de la etapa de hidrólisis. Para esto se realizó una serie de experimentos donde se varió la relación “R” entre el volumen de agua/masa de sólidos iniciales. Se encontró una tendencia a incrementar el calor integral cuando el valor de R aumenta. Con difracción de rayos X se determinó el porcentaje de cristalinidad y el tamaño de los cristales, ambos aumentan cuando R decrece. Por estudios de fisisorción de N2 a 77 K, se determinó que a medida que R aumenta, también aumenta el área asociada a microporos. Se estudió la morfología por microscopía electrónica de barrido, MEB. [1] Pacheco Malagón, G; Pérez Romo, P; Sánchez Flores, NA; Guzmán Castillo, Ma de L; López Franco C; Saniger, JM; Hernández Beltrán F and Fripiat, JJ. Inorg Chem. 44 (2005) 8486. [2] Pacheco Malagón, G; Sánchez Flores, NA; Saniger Blesa, J; Baños, L; Pérez Romo, P; Valente JS; Guzmán Castillo, Ma de L; Hernández Beltrán F; Fripiat, JJ. Microporous and Mesoporous Materials 100(2007). 70 Agradecimientos: UASLP-CA32/PROMEP 2006-24-40 UASLP-CA32/PROMEP 2007-23-29 UASLP-Convenio C06-PIFI-11.20.41

NAE-P19 Estructura y propiedades Red-Ox de Vanadio soportado en CeO 2/SiO2. J. L. Sánchez1, B. Handy1, M. G. Cárdenas1*, A. Rodríguez2, R. García3 1CIEP, Facultad de Ciencias Químicas, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Dr. Manuel Nava 6 Zona Universitaria, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México. 2Instituto de Investigaciones en Comunicaciones y Ópticas, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470 Lomas 4ª Secc., C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México. 3División de Estudios de Posgrado e Investigación del ITCM, Juventino Rosas y Jesús Urueta S/N Col. Los Mangos, C.P. 89440, Cd. Madero, Tamaulipas, México. * cardenas@uaslp.mx Los óxidos de V soportado, se utilizan en un gran número de procesos catalíticos. Se ha encontrado que su comportamiento en las reacciones de oxidación parcial depende del tipo de soporte, así como de los aditivos y iones presentes. La presencia de Na disminuye la actividad en la oxidación, debido a la formación de especies difíciles de reducir [1]. Los catalizadores a base de CeO2 también han sido ampliamente estudiados [2,3]. La característica más atractiva del CeO2 como material catalítico, es su capacidad para almacenar O2 y la facilidad para reducirse de Ce4+ a Ce3+ a temperaturas moderadas. El objetivo de esta investigación es encontrar la naturaleza y el comportamiento fisicoquímico de las especies resultado de la interacción entre Ce y V soportados en SiO2 comercial. La síntesis de los materiales se realizó mediante el graftado de una monocapa teórica de V en SiO2 (Aerosil 380, degussa). Este material tenía previamente depositado Ce en diferentes porcentajes, correspondientes a 1 y 0.5 monocapa teórica, el Ce fue depositado por las técnicas de grafting e impregnación húmeda incipiente. Los resultados de DRX y Raman muestran la presencia de VOx y CeOx en la superficie de la sílice. Con Raman se encontró la presencia de cristales de CeVO4

(452 cm-1) en los materiales donde el grafting se utilizó para soportar cerio y vanadio, también se encontró la presencia de CeO2 y V2O5 en los materiales donde el cerio se incorporó mediante la impregnación húmeda incipiente. Para la

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muestra en donde media monocapa teórica de Ce se incorporó mediante grafting, se observó la presencia de cristales de CeO2, sin embargo estos cristales son más pequeños o menos desarrollados que los presentes en la muestra donde se tiene una monocapa completa de Ce, complementando este estudio con TEM, se encontraron estructuras de tamaño nanométrico. El análisis TPR de las muestras, indicó que la reducción del material se llevó a cabo en dos etapas, la primera a temperatura cercana a 500 °C correspondiente a especies aisladas de Ce y la segunda cercana a 800 °C indica la reducción de especies cristalinas de V y Ce. Existe la posibilidad que la capacidad de almacenamiento de O2 del Ce, combinada con las propiedades Red-Ox de V soportado, de cómo resultado un catalizador con una fuente controlada de oxígeno capaz de activar alcanos a bajas temperaturas, manteniendo una baja actividad para una oxidación completa que es deseable en la DHO de alcanos. [1] Takenaka S.; Yamazaki T.; Funabiki T.; Yoshida S.; J. Phys. Chem. B., 101 (1997) 9035. [2] Reddy B.; Lakshmanan P.; Khan A.; J. Phys. Chem. B, 108 (2004) 16855. [3] Trovarelli A.; Leitenburg C.; Catal. Today 50 (1999) 353. NAE-P20 Synthesis of gold nanoparticles by reduction of HAuCl 4.

B. Pérez-Delgadillo1, C. Mendoza-Barrera2, V. Altuzar2, M.A. Santana-Aranda3,*. 1 Departamento de Química, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco. 2 Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines # 294, Boca del Rio, 94294, Veracruz, México. 3 Departamento de Física, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco. * miguelangelsantana@gmail.com In recent years Gold nanoparticles (Au NPs) have attracted much attention because of their catalytic, electronic and optical properties, making them very attractive in fields such as

sensing, bioconjugation and SERS enhancement [1]. In this work, we present the synthesis of gold nanoparticles by a simple chemical route; making some variations from the method reported by Hope et al. [1]. We used different polymers as reducing agents of trihydrated tetrachloroauric acid. Those polymers and their mixtures were employed at various concentrations. Synthesis was monitored by UV-Visible absorbance every 10 minutes in order to observe the evolution of the nanoparticles. Obtained nanoparticles were observed by transmission electron microscopy, in order to determine particle size and shape. We also performed some surface enhanced Raman scattering tests. [1] C.E. Hoppe, M. Lazzari, I. Pardiñas-Blanco, M.A. López-Quintela, Langmuir 22 (2006) 7027. Agradecimientos: Authors want to thank financial support from UdeG (under program proSNI) and PROMEP (under project 103.5/08/2919). NAE-P21 Characterization of Silver-Carbon Nanoparticles Produced by High-Current Pulsed Arc. S. Muhl1, F. Maya2,*, O. Peña1 and H. Zarco1 1) Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, 04510, México D.F. 2) Plan Regional de Investigación en Ciencias Físico matemáticas, Universidad del Valle de México Campus Coyoacan, Calzada de Tlalpan # 3058, Col. Santa Ursula Coapa, Del. Coyoacan.04850, México D.F. *fermr@mexico.com In this paper, we report the characterization of silver-carbon encapsulated metal nanoparticles (EMN´s) made by a high-current pulsed arc system in an argon atmosphere. The deposits were studied by Optical Extinction Spectroscopy (OES), X-ray diffraction (XRD), Scaning Electron Microscopy and High Resolution Transmission Electron Microscopy (HRTEM); the chemical analysis of the deposits was performed using Energy Dispersion X-ray spectroscopy (EDX). Using the total nanoparticle diameter, the bulk

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crystalline density of silver and an estimate amorphous carbon (a-C) density we have calculated the size of the silver nucleus and the thickness of the a-C coating as a function of the argon gas pressure. The OES spectra of the EMN's exhibited two peaks characteristic of the Surface Plasmon Resonance (SPR) of elongated/very close silver nanoparticles; a subsequent thermal annealing strongly increased the SPR peaks. The double peak SPR spectra were modeled using calculations based on the existence of silver nanoparticles in the form of prolate spheroids. NAE-P22 Study of SnO 2 nanocrystals grown by precipitation method through the whole pH range using ethanol as solvent. C. E. Rivera-Enríquez1, E. H. Castro-Ocampo1, M. A. Santana-Aranda2, C. R. Michel-Uribe2, G. Gómez-Rosas2, O. Contreras-López3, A. Pérez-Centeno2,*. 1 Departamento de Química, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingeniería, Universidad de Guadalajara, Blvd. Marcelino García Barragán # 1421, Col. Olímpica, C.P. 44430, Guadalajara, Jal., México. 2 Departamento de Física, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingeniería, Universidad de Guadalajara, Blvd. Marcelino García Barragán # 1421, Col. Olímpica, C.P. 44430, Guadalajara, Jal., México. 3 Departamento de Nanoestructuras, Centro de Nanociencia y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Carretera Tijuana-Ensenada Km. 107, C.P. 22800, Ensenada, B. C, México * armando.centeno@cucei.udg.mx Tin dioxide (SnO2) is a semiconductor with a 3.7eV band gap at room temperature. It is a suitable material to fabricate gas sensors, solar cells, chemical batteries and transistors. One of the issues in this material is to synthesize nanocrystals in order to improve the gas sensors by increasing the surface/volume ratio [1]. In this work, we present the results on SnO2 nanocrystals grown by precipitation chemical route using ethanol as solvent. In order to appreciate the ethanol effect, we evaluated for the whole available pH range, from 2 to 11. In the synthesis, the SnCl4*5H20 was used as Sn precursor, while the NaOH acted as agent to

change the solution pH. The chemical reaction was for 20 hrs. The precipitated material was cleaned also with ethanol through conventional ultrasonic bath. The results showed a S-shape dependence of the pH value versus NaOH concentration. The SnO2 structural properties were analyzed by X-ray diffraction (XRD), the morphology was studied by optical and scanning electron microscopy (SEM), and the optical gap measurements through UV-Vis. The precipitated materials presented large dimension geometries, whereas the XRD pattern indicated that the crystallite size was decreasing as pH value increased. The nanocrystal size was between 6 and 2nm. However, the SEM images showed agglomeration without any tendency. Finally, UV-Vis showed a dependence of the optical gap as function of crystallite size. [1] G. Eranna, B. C. Joshi, D. P. Runthala, R. P. Gupta, Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, 29 (2004) 111. Acknowledgments: Authors want to thank Israel Gradilla for his technical help in the SEM characterization. This work was partially supported by PROMEP (under projects 103.5/07/2636 and 103.5/08/2919) and PROSNI program from the Universidad de Guadalajara. NAE-P23 Study of GaAs surfaces treated with UV radiation for optoelectronic devices application. R. Contreras-Guerreroa, A. Guillen-Cervantesa, Z. Rivera-Alvareza, S. Gallardo-Hernandezb, Y. Kudriatsevb, J.S. Rojas-Ramireza, M. Rodriguez-Lopeza, I. Martinez-Velisa, and M. Lopez-Lopeza.

a) Physics Department, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, ApartadoPostal14-740,Mexico D.F. 07000, Mexico b) Electrical Engineering Department, Centro de Investigacion y Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, Mexico D.F. 07000, Mexico Surface analysis is one of the most important steps in device manufacture. Researchers are interested to use GaAs and III-V semiconductors for device applications. However air exposed GaAs surface has poor optical and electrical properties[1]. This study is focus in ultra-violet

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(UV) irradiation as cleaning treatment and passivating process for GaAs surfaces. We exposed GaAs surfaces to UV radiation in air (employing a 15 W Hg lamp separated 0.5 cm from the GaAs surface) at different times to study the effects of this treatment. We used photo-reflectance (PR) and Raman spectroscopies, to characterize the optical and structural effects on the surfaces, and atomic force microscopy (AFM) to follow the changes in their morphology. The results show that there is an optimal exposure time of few seconds in order to obtain smooth surfaces with improved optical and structural characteristics. As a next step GaAs/AlGaAs quantum wells were grown by molecular beam epitaxy on the UV-irradiated surfaces. The photoluminescence properties of the QW structures were correlated with the UV-exposure time. [1] V. Malhotra and C.W. Wilmsen. In: P.H. Holloway and G.E. McGuire, Editors, Handbook of Compound Semiconductors, New Jersey, Noyes Publications (1995), pp. 328–369. NAE-P24 Evolución morfológica de partículas de WO 3-

x obtenidas por procesos solvotermales. C. Chacón-Roa*, G. Rodríguez-Gattorno, E. Reguera-Ruíz. Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694, Col. Irrigación, C. P. 11500, México, D. F. * ceciliachacon28@hotmail.com El interés en obtener WO3-x radica en su aplicación potencial en dispositivos fotoelectroquímicos para la generación de energía eléctrica a partir de luz solar. Para esta aplicación la arquitectura del óxido debe ofrecer un área superficial alta y efectiva, en este sentido el control en la morfología y tamaño del material es muy importante, siendo las estructuras unidimensionales opciones que resultan muy atractivas [1,2]. Sin embargo, el tener control experimental sobre el tamaño, fase cristalográfica y morfología durante la preparación de partículas de WO3-x no es una tarea sencilla debido a la complejidad de la química en solución del tungsteno. En este trabajo se reporta la síntesis de partículas de WO3-x usando como precursor WCl6 y como

solvente etanol anhidro. La síntesis se llevo a cabo mediante el método solvotermal a temperatura constante, modificando la concentración del precursor en el intervalo de 0.1 a 0.0125M. Los productos obtenidos fueron caracterizados por MEB, DRX y espectroscopia UV-Vis. Los resultados obtenidos muestran que la variación de la concentración inicial influye considerablemente en el tamaño, morfología y respuesta óptica del producto final. [1] Y. M. Zhao and Y. Q. Zhu. Sensors and Actuators. B 1377 (2009) 27-31. [2] Z. Zao and M. Miyauchi. Angew. Chem. Int. Ed. 47 (2008) 7051-7055. [3] H. Choi, Y. Jung and D. Kim. J. Am. Ceram. Soc. 88, (2005) 1684-1686. Agradecimientos: Al Programa Institucional de Formación de Investigadores (PIFI), Secretaria de Investigación y Posgrado SIP-IPN proyecto No. 20090677. También al CONACyT por su apoyo a través del proyecto No. 89247. NAE-P25 Cathodoluminescent and photoluminescent properties of samarium doped Y 2O3 nanoparticles prepared by polyol method. R. Martínez-Martínez1,*, Z. Rivera2, U. Caldiño3, J. Guzmán4, M. García5, C. Falcony2. 1 Instituto de Física y Matemáticas, Universidad Tecnológica de la Mixteca.Carretera a Acatlima Km 2.5, C.P 69000. Huajuapan de León, Oax. México rafaelmtzmtz@yahoo.com.mx* 2 Centro de Investigaciones y Estudios Avanzados del IPN, Departamento de Física, PO Box14-7400, 7000 México, DF, México 3 Departamento de Física, Universidad Autónoma Metropolitana-Iztapalapa, PO Box 55-534, 09340 México, DF, México 4 CICATA-IPN, Legaria 694, Col Irrigación. Miguel Hidalgo, 11500 México D.F. 5 Instituto de Investigaciones en Materiales-Universidad Nacional Autónoma de México; A.P. 70-360, Coyoacán 04510, México D.F. Y2O3: Sm3+ nanoparticles were successfully prepared by a polyol process using diethylene glycol (DEG) as solvent. The catholuminescence (CL) and emission spectra were obtained the intensity as a function of the electron accelerating voltage for Y2O3: Sm3+ nanopowders. The results indicated that the

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Y2O3: Sm3+ nanopowders might have high CL efficiency because of their low vibrational energy. The photoluminescence (PL) and excitation spectra of the doped with Sm3+ samples have been investigated at room temperature. Under UV excitation of 410 nm wavelength, the nanopowders showed (4G5/2 → 6H5/2,

4G5/2 → 6H5/2, 4G5/2 → 6H5/2,

4G5/2 → 6H5/2) PL emissions. The structural properties of Y2O3:Sm3+ nanopowders were characterized the particle size was estimated to be in the range of 25–28 nm as determined by X-ray diffractometry and transmission electron microscopy. The particle morphology was observed by using SEM and TEM technique. The element compositions were detected with an energy dispersive spectrometer (EDS), which was equipped in the SEM system. Preparing photoluminescent and cathodoluminescent powder nanostructures is becoming increasingly important given the need for ever more highly functional solids. Acknowledgments: M. Guerrero and A.B. Soto. NAE-P26 SERS PROPERTIES OF GOLD NANOPARTICLES SYSTEMS. José Juan Francisco Castillo Rivera1,*, Ma. de Lourdes González González1, Elías Pérez López1, Elder de la Rosa Cruz2. 2Centro de investigaciones en óptica, Loma del Bosque #115 Colonia Lomas del Campestre, 1Instituto de Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Manuel Nava #6 Zona Universitaria. C.P 78290. *paco@ifisca.uaslp.mx In this work, we propose the formation of gold nanostructures onto silicon substrate modified with 3-Aminopropyl triethoxysilane (APTES) using a classical self-assembly to obtain a gold monolayer, and, on the other hand, using a template of silica particles to obtain gold porous structure. This structures was used to measure Surface Enhanced Raman Scattering of Rhodamine 6G at low concentrations. NAE-P27 Fotoluminiscencia a altas temperaturas de hilos cuánticos basados en superredes de AlGaAs/GaAs crecidas en GaAs(631).

L. Zamora-Peredo1*, G. García-Liñan2, V.H. Méndez-García2, J.S. Rojas-Ramirez3, R. Contreras-Guerrero3, E. Cruz-Hernández3, I. Martínez-Velis3, J. Hernández-Rosas3, S. Gallardo-Hernández3, M. Ramírez-López3 y M. López-López3 1 Universidad Politécnica de San Luis Potosí, Urbano Villalón 500, La ladrillera, C.P. 78363, San Luis Potosí, S.L.P., México. 2 Optical Communications Research Institute, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum #1470, Lomas 4a Secc., San Luis Potosí, S.L.P., México 78210 3 Physics Department, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional 2508 Col. San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F. En este trabajo se presentan los resultados del estudio, mediante fotoluminiscencia (PL) en función de la temperatura, de un conjunto de superredes de AlGaAs/GaAs crecidas sobre substratos de GaAs (631) y GaAs (100). Se realizaron mediciones de PL en un rango de temperaturas de 24 K hasta 200 K. Se encontró que las muestras crecidas en la dirección (631) presentaron dos picos de fotoluminiscencia, entre las señales asociadas al ancho de energía prohibida del GaAs y AlGaAs, los cuales fueron asociados a efectos de confinamiento por la formación de hilos cuánticos de GaAs. Dichos picos fueron observados hasta temperaturas mayores de 200 K, a diferencia de las crecidas en la dirección (100) que no muestran señales asociadas a confinamiento electrónico, aun a la mínima temperatura. Además, estos picos presentaron un ensanchamiento muy superior a lo reportado en crecimientos similares, debido probablemente a la poca uniformidad de los tamaños de los hilos cuánticos. Este estudio aporta evidencia suficiente sobre la conveniencia de utilizar substratos con altos índices de desorientación para la obtención de sistemas de baja dimensionalidad como los hilos cuánticos. [1] Xue-Lun Wang and Valia Voliotis, Journal of applied physics 99, 121301 (2006). [2] Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledentsov; Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester) (1999). [3] N Saucedo-Zeni, AY Gorbatchev and VH Mendez-Garcia; Journal of Vacuum Science & Technology B, 22, 1503 -1507 (2004).

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NAE-P28 RF-MBE growth of InN films on GaAs(100) substrates: structural and optical characterization. J. S. Rojas-Ramírez1*, D. Compean Garcia2, M. Ramírez-López1, I. Martínez-Velis1, R. Contreras-Guerrero1, V.H. Méndez-García2, S.Gallardo-Hernández3, Y. Kudriatsev3, M. López-López1. 1 Physics Department, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN Apartado Postal 14-740, México D.F, México 07000 2Instituto de Investigación en Comunicación Optica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Karakorum 1470 Lomas 4ª Secc., San Luis Potosí, S.L.P., Mexico 3 Electrical Engineering Department, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN. Apartado Postal 14-740, México D.F, México 07000 * juans@fis.cinvestav.mx InN is a potential material for infrared and high-speed electronic device applications due to characteristic physical properties, like band-gap and electron mobility. In this work, we report the structural and optical characterization of InN films grown on GaAs(100) substrates. A sample consisting of a 100 nm InN film of nominal thickness has been successfully grown on a GaAs(100) substrate by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). We followed the surface state along the film growth using reflection high energy electron diffraction (RHEED). Atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM) measurements were carried out to evaluate the surface morphology. We used µ-Raman spectroscopy to characterize the structural properties of the film. Our results show that it is difficult to obtain high quality InN material. We must investigate the optimal growth conditions in order to improve its crystal quality. NAE-P29 Surface modification study in stainless steel irradiated with 3.66 MeV Ni ions.

G. Reyna-García1*, A. García- Bórquez1*, G. Rueda- Morales2, U.S. Pacheco y Alcalá3, T. V. Torchynska1. 1Departamento de Ciencia de los Materiales, 2Física del Estado Sólido, Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN, Ed. 9 UPALM. 07738 México, D.F. 3Instituto Mexicano del Petróleo, Eje central Lázaro Cárdenas 152, C.P. 07730, México D.F. *gabriela_reyna_garcia@hotmail.com, borquez@esfm.ipn.mx Sputtering is considered as a destruction effect in high temperatures plasma experiments, like it occurs at thermonuclear fusion and fission reactors. A clear example is the neutron irradiation damage of the stainless steel and other alloys forming the vessel walls in nuclear reactors. A lot of research has been reported in this field but only few of them report surface modification under irradiation [1]. In this work, a study has been done by means of scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) of the surface topographic modification of DIN 1.4970 and DIN 1.4981 austenitic stainless steel irradiated with Ni ions of 3.66 MeV at 650 ºC and high dose. The observations made by SEM show changes in the surface morphology after irradiation, which was confirmed and quantified with AFM. A determination of the global and specific roughness was made following hills and pores evolution. HR-AFM nanofeatures evidence are interpreted as certain crystalline planes preferential erosion and others, as possible dislocations. The sputtering rate at multicomponentes, like stainless steels, depends on the ion fluence, showing mostly complicate behaviors [1]. For example, the sputtering rate calculated by the SRIM program, predicts Ni enrichment at the surface, in agree with experimental results obtained before in these steels [2,3,4]. [1] Rainer Behrisch, WolfgangEckstein. Sputtering by Particle Bombardment. Springer –Verlag Berlin Heidelberg (2007). [2] A. García-Bórquez.;Tesis doctoral en Física:TEM-Study of Microstructural Evolution in Ion-Irradiated Austenitic Steel. ESFM, Instituto Politécnico Nacional, México (1994). [3] K. Ehrlich, J. Konys, L. Heikinheimo, S. Leistikow, H. Steiner, P. Arnoux, M. Schirra. In-

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core and Out-of-core. Materials Selection for the HPLWR. Institut für Materialforschung. (2004). [4] N.A. Flores-Fuentes; Tesis maestría en Física: Physics, Simulation and Detection of Damage by Irradiatión of Ni ++ in Diferent Alloy. ESFM, Instituto Politécnico Nacional, México (2009). Acknowledgments: To the Institutional Program for Researchers Training (PIFI), Commission of Operation and Promotion of Academic Activities of the IPN (COFAA), CGPI 2009-1315 Project; GRG thanks the academic dispense for master studies sponsored by the UNAM.

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SIMPOSIO DE PELÍCULAS DELGADAS. Thin Films PDD-P01 Growth of Cu 2TeOx Films: properties and thermal annealing effects J. Carmona-Rodríguez1, A.Villada-Villalobos1, R.Lozada-Morales2, F. Rodríguez-Melgarejo1, C.I. Zúñiga-Romero1, J.E. Urbina-Alvarez1, J. Márquez-Marín1, M.A Hernández-Landaverde1and S. Jiménez-Sandoval1* 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, México. 2Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av San Claudio y Río Verde, Puebla, Pue. 72570, México. *sjimenez@qro.cinvestav.mx Polycrystalline Cu2TeOx thin films were obtained on glass substrates at 200oC by rf magnetron sputtering. The oxygen flow was varied from 0 to 12sccm (in 3sccm steps) while the Ar flow was held constant at 15 sccm. Subsequently, the samples were annealed for 2h in a continuous argon flux at 300, 400 and 500oC. Analyses of the as-grown and annealed samples were carried out by X-ray diffraction (XRD), micro Raman spectroscopy, X-ray energy dispersive spectroscopy, optical transmittance and four point probe to determine the electrical resistivity. XRD patterns show a transition from polycrystalline (low oxygen concentration samples) to amorphous (for the largest oxygen flows) structure in the as-grown samples. The annealed samples presented all polycrystalline structure. In the Raman spectra is evident the formation of a broad band in the interval of 500-800cm-1 whose intensity increases with the oxygen flow in the growth chamber. This band is in good agreement with the vibrational modes of TeO4 and TeO3 structural units found in different Te and CdTe oxides. The four probe measurements at room temperature indicated that the resistivity of the as-grown Cu2TeOx films varied in the 10-4-102

Ω-cm interval depending upon the oxygen concentration.

PDD-P02 Effect of thermal treatments on the properties of Co-doped TiO 2 films grown by rf reactive cosputtering. F. Rodríguez-Melgarejo1, J. Carmona-Rodríguez1, J.E. Urbina-Alvarez1, R. Rodríguez2, S. Vargas2, M. Estevez2, M.A. Hernández-Landaverde1 and S. Jiménez-Sandoval1*

. 1 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apartado Postal 1-798, Querétaro, Qro. 76001, Mexico 2 Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 1-1010, Querétaro, Qro. 76000, Mexico *sjimenez@qro.cinvestav.mx Titanium dioxide (TiO2) is an important material due to its wide range of applications, among which the development of efficient photo catalysts and dye-sensitized solar cells can be highlighted. In a previous work [1] it was reported a study on below-bandgap photoluminescence in Co2+-doped TiO2 films with anatase phase elaborated by the sol-gel technique. The origin of such photoluminescence was ascribed to electronic states caused by defects in the form of oxygen vacancies, produced by the incorporation of Co2+ and the existence of Ti3+ ions. In this work we present results of Co-doped TiO2 films grown by reactive rf sputtering on glass and silicon substrates. This process produces a substantially lower defect density when compared to the sol-gel made samples. The effect of thermal treatments carried out at 300, 450 and 750 °C in an Ar atmosphere is presented for three different Co concentrations obtained in a cosputtering configuration when 5, 10 or 15 W were applied to the Co target. The structure, composition and optical properties of the films have been analyzed by X-ray diffraction, energy dispersive spectroscopy, and Raman and photoluminescence spectroscopies. It was found that the resulting TiO2:Co crystalline structure, anatase or rutile, was dependant on, not only the temperature, but also on the Co concentration. [1] R. Rodríguez, S.Jiménez-Sandoval, S.

Vargas and M. Estevez, J. Non-Cryst. Solids 351, 167 (2005).

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PDD-P03 La estructura de nanopelículas de HfO 2 sobre GaInAs. Araceli Sánchez Martínez, Óscar Ceballos Sánchez, Pierre Giovanni Mani González, Alberto Herrera Gómez. CINVESTAV-Unidad Queretaro, Queretaro 76000, Mexico Desarrollos recientes en la calidad de la interfaz GaAs/óxido, han vuelto a poner en el mapa al arsenuro de galio como el posible semiconductor en dispositivos MOSFETs. Uno de los principales candidatos como material aislante es el óxido de hafnio ya que posee una constante dieléctrica relativamente alta. En este cartel se presentarán estudios de Espectroscopía de Fotoelectrones de Rayos-X con Resolución Angular (ARXPS) sobre el perfil de composición de nanopelículas de óxido de hafnio crecidas sobre GaInAs. Las muestras fueron crecidas en SEMATECH, el cual es un consorcio de compañías de la industria semiconductoras en donde se cuenta con instalaciones para desarrollar innovaciones en esa industria. PDD-P04 Estabilidad térmica de la interfaz TiN/HfO2 Óscar Ceballos Sánchez, Araceli Sánchez Martínez, Pierre Giovanni Mani González, Alberto Herrera Gómez. CINVESTAV-Unidad Querétaro Libramiento Norponiente 2000, Real de Juriquilla Querétaro, Qro. 76000, México. El nitruro de titanio es un material ideal como el metal en estructuras Metal-Óxido-Semiconductor (MOS). Uno de los principales problemas que enfrenta es la que parece ser inevitable incorporación de oxígeno a lo largo de toda la capa de TaN, aumentando la resistencia a la conducción eléctrica. El oxígeno también puede causar estados de interfaz que modifican la alineación de bandas. En este cartel se presentarán estudios de Espectroscopía de Fotoelectrones de Rayos-X con Resolución Angular (ARXPS) sobre el perfil de composición de nanopelículas de TaN crecidas sobre HfO2. Las muestras fueron crecidas en SEMATECH, el cual es un consorcio de compañías de la

industria semiconductoras en donde se cuenta con instalaciones para desarrollar innovaciones en esa industria. PDD-P06 Holographic grating induced in liquid crystal films doped with azobenzene dye using random polarized laser and biphotonic process. R Chiu-Zarate1*, V Marañon-Ruiz1, M Mora-González1, JH Garcia-Lopez1, E. Villafaña-Rauda1 and MC Rizo-delaTorre1

1Centro Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, Enrique Díaz de León 1144 Lagos de Moreno, Jalisco, 47460, México. *rchiu@culagos.udg.mx In recent years azobenzene containing organic materials have been the subject of intensive research due to their potential applications[1]. Holographic gratings can be optically induced in different forms of these materials[2]. In this work, we present the optical recording in dye doped liquid crystal film by means of biphotonic process. The experiments were performed on a liquid crystal film doped with methyl red. The films were developed using a glass cell; each inner wall of the cell was previously coated with a layer of polyvinyl alcohol. A random polarized He-Ne laser of 633 nm was used to write and read the grating. A linear polarized He-Ne laser of 543 nm was used to pump the grating. When both lasers were present over the sample a diffraction pattern was observed. The results show that the diffracted orders are linearly polarized, while the zero order remains unpolarized. Depending of the exposition time of the film, it is possible to record either dynamic or static grating. [1] T. Ikeda and Y. Wu, Pure and Appl.Chem.

71,2131 (1999) [2] N.Tsutsumi and A.Fujihara, Appl. Phys. Lett.

85,4592 (2006) PDD-P07 Electrical and optical characterization of Al XGa1-XAs grown by organometallic vapor phase epitaxy and solid arsenic.

R. Castillo Ojeda*, R. Peña Sierra**. F. Marroquín Gutiérrez*, E. Pérez Pérez*

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* Universidad Politécnica de Pachuca (UPP) Km. 20, Rancho Luna, Ex-Hacienda de Sta. Bárbara, Municipio de Zempoala, Hidalgo, C. P. 43830, tel 01(771)5477510 rcastillo@upp.edu.mx , http://www.upp.edu.mx/pag/ ** CINVESTAV-IPN. Departamento de Ingeniería Eléctrica- Sección de Electrónica Del Estado Sólido. Av. IPN#2508, 0700 México D. F. Apdo. Postal 14-740, FAX: 5747114 The most serious difficulty on growing AlXGa1-

XAs epitaxial layers by Metallorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) is the incorporation of carbon and oxygen as residual impurities. These impurities in minute concentrations in AlXGa1-XAs epitaxial layers have very strong deleterious effect on their optical and electrical characteristics. In this work we are reporting some results of the studies related to the growth and characterization of AlXGa1-XAs epitaxial layers. The gallium and aluminum precursors used were trimethylgallium (TMGa) and trimetylaluminum (TMAl) respectively. The arsenic was introduced by diffusion on the growth zone using a metallic arsenic source. In order to evaluate the electrical characteristic, Vander Pau-Hall effect was performed. The optical characterization of these layers was performed by 12K photoluminescence and Raman spectroscopy, the surface morphology was evaluated using Atomic Force microscopy and for detecting the presence of silicon, carbon and oxygen, SIMS profile was performed. The results of these characterizations and the conclusions are presented in this work. PDD-P08 Oxygen incorporation effects in the optical and structural properties of Al 0.2Ga0.3In0.5P:Be films. C. Soubervielle-Montalvo 1,*, M. Melendez-Lira 2, A.G. Rodríguez 1, D. Vázquez-Cortés 1, V.H. Méndez-García 1 1 Coordinacion para la Inovacion de la Ciencia y la Tecnología, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av Karakorum 1470, Lomas 4ª Sección, 78210 San Luis Potosí, S.L.P., MÉXICO. 2 Physics Department, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional 2508, San Pedro Zacatenco 07360, México, D.F.

* sober@cactus.iico.uaslp.mx The quaternary alloy system (AlxGa1-x)0.5In0.5P, lattice matched to GaAs, is one of the most important materials for optoelectronic device engineering. Composition, strain and degree of ordering are crucial information for the correct performance of optoelectronic devices utilizing this material. Recently, in order to improve the growth of the quaternary alloy and reduce the inclusion of non-intentional impurities, it has been used solid source molecular beam epitaxy (SSMBE), which usually requires a phosphorus cracker cell. On the other hand, it is known that phosphorus cracker cell is a native source of oxygen, which is incorporated efficiently in the quaternary alloy if the temperature of the phosphorus cracking zone (PCT) is not correctly optimized [1]. In this work we present a study of the crystalline quality of Al0.2Ga0.3In0.5P:Be films grown on GaAs (1 0 0) substrates in a Veeco-Applied Epi GenIII SSMBE system varying the PCT. The Be-cell temperature (BeCT) was 1015°C for all samples. Samples P1, P2 and P3 were grown at PCT 800, 900 and 1000°C, respectively. The samples were characterized by Raman with a 488 nm-laser and Photoluminescence (PL) with a 325 nm-laser at room temperature. The similar Raman shifts of the different optical phonons corresponding to InP-, GaP-, AlP-like longitudinal optical (LO) and InP-like transverse optical (TO) reveal non compositional variations among the samples. From Raman selection rule of zinc-blend crystals with the (100) surface, the TO phonon is forbidden and LO is allowed. The integrated intensity ratio between the allowed GaP-LO phonon and the forbidden TO phonon (IGaP-

LO/ITO) is found to be very sensitive to PCT. Therefore, it will be used to evaluate the films quality [2]. We observed that IGaP-LO/ITO decreased as PCT is increased indicating a reduction of the order and crystalline quality of the samples. On the other hand, we observed in the room temperature PL spectra from the films that by increasing PCT from 800 to 1000°C the PL-intensity of the peaks decreased dramatically, indicating a significant degradation of the quantum efficiency of the films. Also we noted that the full width at half maximum (FWHM) is broadest for the sample grown at the highest PCT, corroborating that the crystal quality of the films decreased as PCT is increased. Therefore, it is shown that the oxygen

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incorporation in the films induces disorder and reduces the crystalline quality of the samples. 1] C. Soubervielle-Montalvo et al, J. Cryst.

Growth, 311 (2009) 1650. [2] Z. C. Feng et al, Thin Solid Films, 498 (2006)

167. PDD-P09 Aplicación de la Espectroscopia de Impedancia en la investigación de los mecanismos de cristalización en películas de calcogenuros. E. Prokhorov 1 , J. A. Muñoz-Salas 2,* 1Centro de Investigación en Materiales Avanzados, S.C., Av. Miguel de Cervantes #120, Complejo Ind. Chihuahua. Chihuahua Chih. México C.P. 31109 (En sabático desde Cinvestav Querétaro) 2Cinvestav Querétaro, Libramiento Norponiente #2000, Frac. Real de Juriquilla, Querétaro, Qro. México C.P. 76230. * amunoz@qro.cinvestav.mx La espectroscopia de impedancia es un método de investigación muy conocido, el cual es ampliamente usado en electroquímica, en la investigación de estructuras policristalinas, en tejidos biológicos, etc. Pero desde nuestro conocimiento, no se ha aplicado el método de espectroscopia de impedancia para la investigación de mecanismos de cristalización en materiales amorfos. De entre los diferentes métodos usados para investigación de la mecanismos de cristalización (ópticos, DSC, XRD, etc.) espectroscopia de impedancia es las mas sensitivas a los cambios de fase en el material. Esto es porque la resistencia del material en su estado amorfo es de 3 a 5 ordenes de magnitud mayor que la del estado cristalino vez que el material se cristalizo la constante dieléctrica llega a ser 2-3 veces mayor que el valor en estado amorfa. En este trabajo proponemos aplicar la impedancia eléctrica para la investigación de la transformación de fase en películas delgadas de materiales calcogenuros tales como Ge2Sb2Te5, Ge1Sb2Te4, Ge1Sb2Te7, Ge4Sb1Te5, Sb2Te3. (Los materiales más comunes para memorias ópticas y eléctricas reversibles de cambio de fase). Usando espectroscopia de impedancia se mostró el proceso de cristalización de películas delgadas de Ge1Sb2Te7, Ge4Sb1Te5, Sb2Te3,

esto se da en 2 etapas, primeramente por nucleación y después por crecimiento de grano en la matriz amorfa. Así, en un cierto intervalo de temperatura, se tiene una mezcla de las dos fases con un valor diferente de la resistividad y constante dieléctrica. En contrario en el proceso de cristalización de películas delgadas de Ge2Sb2Te5 y Ge1Sb2Te4 aparecen núcleos cristalinos a temperaturas menores a la temperatura de cristalización Tc. Esta fase intermedia tiene la composición y estructura de la fase cristalina fcc Ge1Sb4Te7 y otros valores de constante dieléctrica y resistividad comparados con materiales primarios como Ge2Sb2Te5 y Ge1Sb2Te4. Se mostró que el modelo de clásicos el cual es ampliamente usado en la literatura para la interpretación de los resultados experimentales no es aplicable directamente en la cinética de transformación de películas de Ge2Sb2Te5 y Ge1Sb2Te4, porque durante la primera etapa del proceso de cristalización, coexisten una fase estable y una fase meta estable con composición Ge1Sb4Te7) de nucleación. PDD-P10 Películas delgadas de SnO 2:F preparadas por Erosión catódica RF. F. de Moure-Flores1, K.E. Nieto-Zepeda1, A. García-Sotelo1, M. Meléndez-Lira1, A. Hernández-Hernández1, José G. Quiñones-Galván1, S. Cerón-Gutiérrez2, M. de la L. Olvera2. 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN 2 SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN, *jdemoure@fis.cinvestav.mx Se propone la adición de flúor en el SnO2 para incrementar el dopaje y ser usado como electrodo transparente en heteroestructuras fotovoltaicas. Las películas delgadas se depositaron sobre un substrato de vidrio (a distintas temperaturas) mediante la técnica de erosión catódica RF usando un blanco de SnO2:F empleando una atmosfera de Argón/Oxigeno. Las películas delgadas se sometieron a un tratamiento térmico usando un flujo de argón. Se presentan los resultados de la caracterización estructural y química obtenida mediante difracción de rayos-X, microscopia de fuerza atómica, microscopia electrónica de barrido y microanálisis de rayos-X por dispersión

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de energía. Se analizan las propiedades estructurales y electro-ópticas antes y después del tratamiento térmico, los resultados se discuten en términos de los detalles del crecimiento. Agradecimientos. Un especial agradecimiento, por su gran trabajo, a los auxiliares de investigación del Departamento de Física del Cinvestav-IPN: Marcela Guerrero, Ana B. Soto y Rogelio Fragoso. Trabajo apoyado parcialmente por CONACyT. PDD-P11 Síntesis y caracterización de películas de boehmita nanoestructuradas con propiedades superhidrofóbicas. G. González Hueto1*, E. San Martín Martínez1, J. Guzmán Mendoza1 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del Instituto Politécnico Nacional, Legaria 694. Colonia Irrigación, 11500 México D. F. * mina_linda30@hotmail.com La superhidrofobicidad (SH) es otra propiedad importante de un sólido debido a sus aplicaciones prácticas, este fenómeno tiene sus orígenes en el efecto Lotus [1] que consiste en la combinación de hidrofobicidad y auto-limpieza basado en superficies nanoestructuradas. Para que una superficie sea considerada SH debe tener un ángulo de contacto mayor a 150º [2-3]. La SH está relacionada directamente con dos factores: la rugosidad, una superficie rugosa tendrá menos puntos de apoyo para un líquido permitiendo que éste se deslice fácilmente sobre ella y la baja energía superficial no permite la interacción del agua con la superficie, logrando así que el líquido no se adsorba totalmente. Estudiando el efecto de la temperatura de deposición a 200°C, 300°C y 400°C y la concentración del oxihidróxido de aluminio (0.025M, 0.1M y 0.4M) se realizo la preparación de la película sobre substrato de acero inoxidable (AISI 304). A través de la microscopia óptica fue seleccionada las películas que presentaban una superficie homogénea y posteriormente la morfología y topografía de la superficie de la película se examinó por microscopia electrónica de barrido (SEM). Evaluaciones del perfil de

rugosidad de las películas obtenidas del perfilómetro indicaron que las muestras con 0.025M y 0.4M muestran una altura promedio de 5657.6Å y 6128.4 Å respectivamente. La película depositada a 300°C y a 0.1M presento una superficie homogénea y rugosidad de tamaño manométrico. Películas más rugosas serán evaluadas su propiedad superhidrofobica. Para corroborar que la película tiene propiedades superhidrofóbicas se realizaran pruebas con diferentes tamaños de gota colocadas en diferentes posiciones para medir el ángulo promedio de contacto entre gota y superficie, verificando que exista un fácil desplazamiento de la gota de agua. Una vez sintetizada y caracterizada, se le aplicará un recubrimiento para disminuir la energía superficial [1] Wilhelm Bartlott, descubre y patenta el

Efecto Lotus (1997). [2] Li, X,-M.; Reinhoudt, D.; Crego-Calama, M.

Chem. Soc. Rev. (2007), 36, 1350. [3] Feng, L.; Li, S. H.; Li,Y. S.; Li, H. J. ; Zhai, J. ;

Song, Y. Li.; Liu, B. Q. ; Jiang, L. ; Zhu, D.B. Adv. Mater. (2002), 14, 1857.

Agradecimientos. Agradecemos a CONACYT y a la Secretaria de Investigación y Posgrado (SIP) del Instituto Politécnico Nacional (IPN) por su apoyo a este trabajo. PDD-P13 Physical characterization of ITO thin films prepared by pulsed laser deposition on flat and cylindrical substrates. L. Escobar-Alarcón1,*, E. Camps1, S, Romero1, M. Fernández2, K. Esquivel3, M.A. Camacho-Lopez4 1 Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, México, DF 11801, México, (Apdo. Postal 18-1027) 2Departamento del Acelerador, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, México, DF 11801, México, (Apdo. Postal 18-1027) 3 Departamento de Electroquímica, Centro de Investigación y Desarrollo Tecnológico en Electroquímica, S.C. Querétaro, México. 4 Facultad de Química, UAEMex, Apdo. Postal 520, Toluca 50120, México * luis.escobar@inin.gob.mx

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Indium Tin Oxide (ITO) thin films were deposited by pulsed laser deposition from an ITO target (Lesker; 99.9 % purity) using a Q-switched Nd:YAG laser with emission at the second harmonic line (= 532 nm) with a 5 ns pulse duration. The target was ablated in an argon-oxygen atmosphere (80/20) keeping the working pressure at 1x10-2 Torr. Thin films were deposited on glass and silica optical fibers (600 m diameter) as substrates, which were kept at room temperature during deposition. The effect of the post-deposition annealing in air, at temperatures ranging from 100 to 400 ºC, on the structure, resistivity, optical properties, composition, and morphology of the films was studied. The development of crystalline phases formed during annealing was investigated by micro-Raman Spectroscopy. Optical properties (absorption coefficient, refractive index, optical band gap) and thickness were determined from UV-Vis measurements. Resistivity was determined from electrical resistance measurements carried out using a 4-point probe head. The film composition was determined by Elastic Forward Analysis (EFA). The morphology was examined using Scanning Electron Microscopy. In general terms, nanostructured ITO thin films with resistivity values from 4.4x10-

2 Ω·cm to 5.6 x10-4 Ω·cm were obtained depending on the annealing temperature. The refractive index and band gap values are in good agreement with the values reported in the literature for ITO. The deposited material is potentially attractive for photo-catalytic applications. PDD-P14 Síntesis y caracterización de un recubrimiento Ni-20%at Cr obtenido por Magnetrón Sputtering DC. V. Leyva-Hernández1*, H. González-Martínez1, J. Morales-Hernández2, F. J. Espinoza-Beltrán3. 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, CICATA-IPN Unidad Altamira. Km 14.5 Carretera Puerto-Industrial Altamira, Tamps, CP 89600, México. 2Centro de Investigación y Desarrollo Tecnológico en Electroquímica, S.C. Parque Tecnológico Querétaro Sanfandila, Querétaro, C.P. 76703, México

3Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro. Libramiento Norponiente No. 2000, Fracc. Real de Juriquilla, Querétaro, Qro., CP 76230, México. *vleyvah@hotmail.com Empleando la técnica de erosión catódica asistida por un magnetrón (Magnetrón Sputtering DC) se prepararon recubrimientos de Ni-Cr sobre sustratos de acero AISI 316 a partir de un blanco aleado mecánicamente con una composición nominal Ni-20%atCr obtenido después de 16h de molienda en un molino de alta energía SPEX 8000. Los depósitos se realizaron en una atmósfera de gas Ar a temperatura ambiente, con una potencia de 100 W, a diferentes tiempos de crecimiento. La composición química, microestructura, topografía, nanodureza y desgaste de los recubrimientos fueron evaluados por medio de las técnicas de Microanálisis por Energía Dispersiva de Rayos X (EDX), Difracción de Rayos-X (DRX), Microscopía de Fuerza Atómica (MFA), Nano-Indentación y Pin-On-Disk, respectivamente. Los resultados del análisis químico muestran que se conserva la estequiometria del producto aleado en los depósitos. Los análisis por DRX revelaron que la estructura de la aleación Ni-Cr obtenida por aleado mecánico, se conserva en los depósitos. Por medio de Microscopía de Fuerza Atómica se observó una alta homogeneidad y baja rugosidad del recubrimiento. Los valores de nanodureza obtenidos fueron del orden de 10 GPa promedio con un Modulo de Young de 195 GPa promedio. La adherencia de las películas se evaluó en función de su resistencia a la fractura, al ser indentadas a diferentes cargas con un microdurometro Vickers. Los resultados del ensayo de desgaste presentaron valores del coeficiente de fricción del orden de 0.75 ± .08 en las muestras con el mayor tiempo de crecimiento. PDD-P15 Estudio de las propiedades superficiales de películas de TiO 2 : Cr y TiO 2:Fe depositadas por vapores químicos mediante Microscopia de Fuerza Magnética. Ángel Durán Ledesma, A. Conde-Gallardo, O Zelaya. Laboratorio Avanzado de Física

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Departamento de Física, Cinvestav-IPN Av. IPN 2508 Col. San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F. Películas de TiO2:Cr, y TiO2:Fe fueron depositadas mediante vapores químicos asistidos por aerosol en dos configuraciones diferentes: Sistema horizontal y vertical. La topografía superficial depende de la configuración, obteniendo un crecimiento en el que las superficies son más uniformes, delgadas, con menos rugosidad y mas brillosas en la configuración horizontal. La cristalinidad, obtenida mediante difracción de rayos-x, es muy similar para ambas configuraciones. La técnica de Microscopia de Fuerza Magnética (MFM) fue empleada para investigar regiones magnéticas en las muestras de TiO2:Cr y TiO2:Fe. Los resultados indican que el magnetismo es muy débil y uniforme o simplemente no existe magnetismo. Antes de las mediciones en las películas de TiO2:Cr y TiO2:Fe nuestro microscopio de fuerza atómica fue calibrado utilizando una muestra de disco duro, en donde los dominios magnéticos son evidentes. PDD-P17 Porosity analysis in carbon films deposited on glass substrates coated by titanium films. M. Gustavo Díaz Carvajal, , A. Kosarev, A. Torres Jacome. Institute National for Astrophysics, Optics and Electronics , L.E.Erro 1, Tonantzintla, Puebla 72840, Mexico. moises_gustavo@inaoep.mx Organic devices of today require better protection barriers preventing deterioration of electronics properties due to the ambient than those in microelectronics. These devices must be protected from air and humidity to work well [1-2], so porosity study becomes of much importance [3-5]. Today thin films have been developed with different materials in order to be applied as protection barriers but many of them were fabricated at higher temperatures (T ≥ 400ºC) [1,3,6], which are no compatible with organic materials. This work reports a porosity investigation in amorphous carbon thin films (a-C:H) fabricated at low temperatures (T < 400ºC) compatible with organic semiconductors.

Porosity was studied by two techniques, optical microscopy images (OMI) and ellipsometric spectroscopy (ES) as a complementary technique. The a-C:H films were deposited by low frequency (LF) PECVD at temperature ranges Td = 50ºC – 350ºC, power 250 W, pressure P = 0.6 Torr. From gas mixture CH4+H2

and gas flows QCH4 = 375 sccm, QH2 = 125 sccm. The substrates were “Corning -1737” glass coated by titanium. Experimental set up for pore characterization consisted of an optical microscope with 0.1 µm resolution operating in reflective mode, a digital camera from Pixelink Co. fixed to microscope and PC with software for image processing. Resolution of this system is 1 pixel = 0.17 µm analysing area is 8400 µm2. OMI of a-C:H films on glass substrates coated by titanium allowed us to perform statistical analysis. We used statistical characteristics as follows: distribution function of pore diameters, mean diameters <D>; Number of pores N, two dimensional porosity (P2D), three dimensional (P3D) defined as fraction of area or volume occupied by pores as percentage respectively. There is agreement among porosity analysis done with OMI and porosity analysis done by ES. The characteristics obtained with OMI reflect through pores and semi opened pores on frontal surface while refraction index is mostly related to bulk porosity (close pores). OMI technique gives information about behaviour of distribution functions of diameter of pores, averaged diameter of pores and percentage of porosity in films. OMI can be used in situ experiments; it is very competitive over ES technique. Mean diameters of pores <D> in films decreased linearly with Td and N decreased too but after 200ºC started to increased slowly while <D> continue decreasing, it was reflected in a minimum porosity in films at 200ºC. [1] Jay Lewis, Materials today, volume 9 ,

number 4, (2006), pp 38 – 45. [2] Jay Lewis and Michel S. Weaver, IEEE

Journal of selected topics in quantum electronics, volume 10, number 1, 2004, pp 45-57.

[3] R. Peatzold, A.Winnacker, D. Henseler, V. Cesari and K.Heuser, Revew of scientific instruments, volume 74 , number 12, (2003), pp. 5147-5150.

[4] Wu, W. L. Wallace, W. E., Lin, E. K., Lynn, G. W., and C. J. Glinka, J.Applied Phys., 87, (2000), pp 1193.

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[5] J. Sharma, C.S. Coffey, R.W. Armstrong, W. L. Elban and M.Y.D Lanzerotti, Shock Compression of Condenced Matter, (2000), pp.719-722.

[6] D. Shamiryan, M. R. Baklanov, G. Vereecke, S. Vanhaelemeersch and K.Maex, Solid State Phenomena, 76-77 (2001), pp 135-138.

Aknowledgements. M.G.Díaz Carvajal acknowledges support by CONACYT scholarship No.159473. PDD-P18 Propiedades ópticas y estructurales de películas delgadas de CdS:B depositadas mediante la técnica de baño químico (CBD). F. de Moure-Flores1*, K.E. Nieto-Zepeda1, M. Meléndez-Lira1,2, M. de la L. Olvera2, A. García-Sotelo1, A. Hernández-Hernández1, José G. Quiñones-Galván1, S. Cerón-Gutiérrez2. 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. 2CICATA-IPN, Unidad Legaria, Legaria 694, Col. Irrigación, 11500, México D.F., México. 3SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. *jdemoure@fis.cinvestav.mx El sulfuro de cadmio (CdS) es un semiconductor de gran importancia, debido a que su energía de la banda prohibida de absorción es de 2.53 eV es utilizado como capa ventana en la fabricación de heteroestructuras fotovoltaicas. Se depositaron películas delgadas de CdS impurificadas con boro sobre sustratos de vidrio mediante la técnica de baño químico (CBD, por sus siglas en ingles) a una temperatura de 75°C. El deposito se realizo utilizando las siguientes soluciones: CdCl2 (0.02M), KOH (0.5M), NH4NO3 (1.5M), SC(NH2)2 (0.2M) y distintos volúmenes de H3BO3 para impurificar el CdS con boro. Se presentan los resultados de la caracterización estructural y óptica obtenida mediante difracción de rayos-X y espectroscopia UV-vis. Los resultados se discuten en términos de los detalles de crecimiento. Agradecimientos.

Un especial agradecimiento, por su gran trabajo, a la auxiliar de investigación del Departamento de Física del Cinvestav-IPN: Marcela Guerrero Trabajo apoyado parcialmente por CONACyT. PDD-P19 Obtención de TiO xNy con actividad fotocatalítica para la degradación de compuestos orgánicos mediante luz visible. E. Hernández-Rodríguez* y A. Zapata-Navarro

Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN, Unidad Legaria, Legaria # 694 Col. Irrigación, 11500, México D.F., México. *noehmx@hotmail.com Se prepararon películas delgadas de oxinitruros de titanio (TiOxNy) por la técnica de rf-sputtering reactivo a partir de un blanco de titanio metálico y en una atmósfera argón/oxígeno/nitrógeno. Para obtener películas con distinta composición, los porcentajes de los flujos de los gases reactivos (N2:O2) inyectados hacia la cámara de depósito fueron modificados entre 0:100 % y 100:0% con un flujo total N2+O2 de 5 sccm, mientras que el flujo de argón se mantuvo a 15 sccm para todas las muestras preparadas. Las películas fueron caracterizadas mediante difracción de rayos x y espectroscopía UV-vis, mientras que su actividad fotocatalítica fue evaluada mediante la degradación fotocatalítica de una solución de rodamina B. Los difractogramas mostraron que para bajos porcentajes de nitrógeno las películas están compuestas de TiO2 en fase anatasa, pero cuando el porcentaje se incrementa hasta 17:83% las películas están conformadas por oxinitruro de titanio el cual deja de obtenerse cuando el porcentaje de nitrógeno se incrementa por arriba de este valor donde las películas están compuestas por TiN. Los espectros de transmisión óptica muestran que existe un corrimiento en el borde de absorción óptico hacia regiones de menor energía para las películas que están compuestas de oxinitruro de titanio, mostrando también los bordes de absorción correspondientes al TiO2 en fase anatasa y al TiN para las películas compuestas por estos materiales. Las pruebas de degradación de rodamina mostraron que las películas compuestas de TiO2 y TiOxNy son fotocatalíticas cuando son irradiadas con luz UV+visible, siendo las películas compuestas por

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TiO2 las mas fotoactivas. Sin embargo, cuando las muestras son irradiadas solamente con luz visible, las pruebas de fotocatálisis mostraron que la película compuesta por TiOxNy presenta la mejor respuesta fotocatalítica. Lo anterior indica que es posible, a través de la técnica de rf-sputtering reactivo, obtener películas basadas en el TiO2 que presenten actividad fotocatalítica inducida mediante luz visible. PDD-P20 Surface properties of AISI 4340 steel as a result of variation in gas mixture and current density in a plasma nitriding process E. E. Granda-Gutiérrez1,*, J. C. Díaz-Guillén1, A. Campa-Castilla1, S. I. Pérez-Aguilar1, A. Garza-Gómez1, J. Candelas-Ramírez1, R. Méndez-Méndez1

1 Corporación Mexicana de Investigación en Materiales S. A. de C. V. Calle Ciencia y Tecnología 790, Fraccionamiento Saltillo 400 Saltillo C. P. 25290, Coahuila, México * egranda@comimsa.com Plasma nitriding is a surface hardening technique which uses a direct current glow discharge to introduce elemental nitrogen in the surface of metallic pieces for subsequent diffusion process into the crystalline lattice of the material [1]. Nowadays, the technology trend of ion nitriding is the use of pulsed power supplies with the aim of providing high energy impulses to the plasma while the formation of arcs is avoided [2]. Several parameters are involved in the outcome of the nitriding process, including: temperature [3], pulse frequency [4] and pulse duration [5]. In this sense, in order to evaluate the effect of the gas mixture and the current density on the surface properties of low alloy AISI 4340 steel, representative samples of that material were processed in a pulsed-plasma nitriding system under strictly controlled conditions. The samples were held at a constant temperature of 500 °C and a pulsed plasma source was used to produce and sustain stable plasma at 800 V with a repetition rate of 1000 pulses per second and pulse duration fixed at 300 µs, in a N2/H2 reactive atmosphere. Thus, a selective set of experiments were designed to put into evidence the effect of the gas mixture (% N2 / % H2

mixtures: 25/75, 50/50 and 75/25) and current density (0.5, 1.0 and 2.0 mA/cm2). These conditions were chosen with the purpose of demonstrate their clear impact on the most representative parameters of the treated samples surface. After treatment, samples were evaluated by metallographic studies using optical and scanning electron microscopy; the existing crystalline phases were determined by x-ray diffraction; microhardness tests were performed and finally, the technique of potentiodynamic polarization curves was used with an aim to evaluate the corrosion performance in comparison with the untreated reference sample. It is concluded that the gas mixture and the current density have an important influence on the surface properties of the treated material, such as: hardness, diffusion depth of the nitrogen into the steel lattice, crystalline phases and corrosion resistance. [1] ASM International. ASM Handbook Heat Treating, 5th edition. USA (2001) [2] D. Pye, Practical nitriding and ferritic nitrocarbuizing. ASM International. Ohio, USA (2003) [3] B. Podfornik, J. Vižintin and V. Leskovšek. Surface and Coatings Technology 108 – 109 (1998) 454 [4] J. C. Díaz-Guillén, A. Campa-Castilla, S. I. Pérez-Aguilar, A. Garza-Gómez, J. Candelas-Ramírez, R. Méndez-Méndez. Proc. of the 6th CIINDET 2008, Morelos, México (2008) 100 [5] J. C. Díaz-Guillén, A. Campa-Castilla, S. I. Pérez-Aguilar, E. E. Granda-Gutiérrez, A. Garza-Gómez, J. Candelas-Ramírez, R. Méndez-Méndez. Superficies y Vacío 22 (2009) In press PDD-P21 Synthesis of Al doped ZnO thin films on glass substrates L. Martínez Pérez1,* , N. Muñoz Aguirre2, P. Tamayo Meza2 and O. Zalaya-Angel3 1Instituto Politécnico Nacional, Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas , Av. IPN No. 2580, Col. Barrio La Laguna Ticomán, C.P. 07340, México D.F. México.

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2Instituto Politécnico Nacional, Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica-UA. Av. Granjas, N°682, Colonia Santa Catarina. Del. Azcapotzalco, CP. 02550, México, DF. México. 3Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco, 07000 México, D.F. México. *buhomartin@yahoo.com Aluminum doped ZnO thin films by the water-mist-assisted spray pyrolysis method [1] were synthesized. The X-Ray diffraction measurements showed the hexagonal wurtzite structure of the samples and a partial growth on the c-axe orientation. The EDS measurements showed a 5 % of incorporated aluminium. The samples showed an electrical resistivity of the order of 10-4 Ω-cm. [1] L. Martínez Pérez, M. Aguilar-Frutis, O. Zelaya-Angel, and N. Muñoz Aguirre, Physica Status Solidi a, 203, No. 10, (2006) 2411-2417. Agradecimientos: Work supported by Instituto Politécnico Nacional from México with the CGPI project numbers SIP-20090931 and SIP-20091216. The authors also would like to acknowledge the technical assistance of Ing. Ana Berta Soto and QFB. Marcela Guerrero from the Physics Department of CINVESTAV-IPN. PDD-P22 Preparación de películas de NdFeFO para el estudio de superconductividad en sistemas basados en Fe. I. Corrales-Mendoza, A. Conde-Gallardo, O Zelaya-Angel Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional Ave. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco. México 07360, D.F. México rcorrales@fis.cinvestav.mx Basados en la nueva clase de superconductores de alta temperatura (HTS) llamados “pnictides”, constituidos de arsénico y hierro, aquí presentamos estudios preliminares del crecimiento de películas delgadas precursoras de NdFeFxOy para una posterior

difusión de arsénico y fabricación de dichos materiales en forma de películas. Las películas fueron crecidas mediante el Depósito de vapores químicos, sobre substratos de ZrO2 a partir de fuentes metal-orgánicas. Se presentan resultados de composición evaluadas mediante EDS como función de la composición nominal, y de las condiciones de crecimiento. Así mismo se presentan los resultados preliminares de la evolución cristalográfica de muestras con diferente contenido de Fe y Nd; los que indican que las películas precursoras cristalizan en una fase similar a la del FeOF y/o NdOF. El comportamiento de la resistencia eléctrica como función de la temperatura es muy similar al del compuesto LaOFeAs que ha sido asociado a ondas de densidad de spin. PDD-P24 Optical and structural properties of ZnO thin films deposited by APCVD at low temperatures. G. Escalante2,*, H. Juárez1, M. Pacio1 and T. Díaz1. 1 Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y Av. San Claudio, San Manuel. C.P. 72570, Puebla, México. 2 Facultad de Ciencias de la Electrónica, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 18 Sur y Av. San Claudio, San Manuel C.P. 72570, Puebla, México. * gertrova@ece.buap.mx.

Zinc Oxide (ZnO) is an important electronic and photonic semiconductor material because of its wide band gap (3.37eV). Recently, ZnO thin films have been gaining much attention as transparent conducting films because of the abundance and non-poisonous nature of the materials used for obtaining the films. In this work, ZnO thin films were grown on a glass substrate by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD). Zinc acetate (Zn(CH3COO)2) was used as a zinc precursor and ozone was used as an oxidizing agent for obtaining the ZnO films. An aqueous solution of zinc acetate in de-ionized water was prepared. The aqueous solution of zinc acetate was bubbled into the reaction chamber using a nitrogen flow. The precursor was kept at room temperature. The structural and optical properties of ZnO films were investigated in

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different deposition conditions. The substrate temperature used for deposition was varied from 300 to 400 ºC. X-ray diffraction spectra indicate that ZnO films possess a polycrystalline hexagonal wurtzite structure with (100) orientation. The average nanocrystal size was determined using Scherrer’s formula. Photoluminescence (PL) spectra show that there is a very low concentration of oxygen vacancies in the ZnO films. Samples show a transmittance that goes from 75% to 90% in the visible range, depending on the deposition temperature. Atomic force microscopy results show an increase in surface roughness of the ZnO films with annealing temperature. PDD-P25 Sensado eléctrico de gases basado en monocapas de silicio poroso obtenido por anodización electroquímica en soluciones de HF:etanol y HF:formaldehído como surfactante alternativo. S. De la Luz Merino (1), G. García Salgado (2), A. Méndez Blas (1)*, T. Díaz Becerril (2), H. Juárez Santiesteban (2), E. Rosendo Andrés (2), J. M. Gracia y Jiménez (1),

1Instituto de Física “Luis Rivera Terrazas”, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Av. 18 Sur y Av. San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pue, México. 2 Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 Sur y San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Cd. Puebla, México. * amendez@sirio.ifuap.buap.mx En este trabajo se analizó la respuesta de sensores basados en monocapas de silicio poroso (SP), con porosidad y espesor alrededor de 36% y 7.5µm respectivamente, obtenidas por ataque electroquímico en modo de control de corriente sobre obleas de silicio cristalino tipo p con una resistividad ρ= 0.02-0.05 Ω·cm y usando 2 electrolitos distintos: HF:etanol y HF:formaldehído. Para medir la respuesta eléctrica, sobre estas capas se depositaron idénticos patrones geométricos de aluminio por evaporación térmica los cuales se usaron como contacto eléctrico. El SP modifica su resistividad al adsorber los gases, lo que permite usar el cambio en la corriente como parámetro para medir la respuesta de los sensores. Se presentan los resultados de la respuesta

eléctrica de muestras de SP usando formaldehído como electrolito y se comparan con muestras obtenidas por el método tradicional en el que se usa etanol como electrolito, se evalúan las diferencias en la respuesta de los sensores obtenidos con los electrolitos mencionados al ser sometidos a ambientes de metanol, acetona, etanol, isopropanol, agua, formaldehído e hidróxido de amonio. Agradecimientos: Este trabajo fue parcialmente financiado por el proyecto Conacyt (CB-83485) y VIEP (MEBA-EX08-I) PDD-P26 Incorporación superficial de Nd en monocapas en silicio poroso. L. Serrano Serrano, R. N. Silva González. A. Méndez-Blas*. Instituto de Física “Luis Rivera Terrazas”, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. Av. 14 Sur y Av. San Claudio, Ciudad Universitaria, C.P. 72570, Puebla, Pue, México. amendez@sirio.ifuap.buap.mx Una de las rutas de investigación mas importante para lograr la construcción de dispositivos optoelectrónicas basados en Silicio (Si-c), es la que se refiere al Silicio Poroso (SP) [1]. Esta forma nanoestructurada de Silicio presenta propiedades muy interesantes ya que, por efecto del confinamiento cuántico en la estructura porosa, presenta fotoluminiscencia y electroluminiscencia en la región visible del espectro (λ=620-740 nm). Por otro lado, las propiedades ópticas de los iones del grupo de los lantánidos (Ln3+), han sido ampliamente estudiadas [2] y sus aplicaciones son evidentes en fibras ópticas (Er3+) y en láseres de alta eficiencia (Nd3+). La combinación de la luminiscencia del SP y la actividad óptica de los lantánidos, en particular Nd3+, resulta muy atractiva para el desarrollo de microcavidades láser basadas en Silicio [3]. En este trabajo se estudio la región de deposito del ion Nd3+ en monocapas de SP, como un primer paso en el estudio de la actividad óptica del sistema SP:Nd3+. Las monocapas de silicio poroso (SP) se prepararon por anodización electroquímica sobre sustratos de Si tipo-p/Boro de orientación (100) con resistividad de 5-10Ω⋅cm, en una solución de HF(40%), etanol y glicerol en una proporción 3:7:1 en volumen, que equivale al

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12% de HF en la solución electrolítica, a la cual se aplicaron densidades de corriente de 30 mA/cm2 y 10 mA/cm2 por 60 min. a temperatura ambiente. La incorporación de Nd en las monocapas de SP se realizo con el método de electrodeposición en una celda electroquímica con una solución a 0.997M de NdCl3 en agua desionizada aplicando una secuencia de pulsos de corriente en ciclos de 2 segundos con 100 µA y dos segundos sin aplicar corriente, por 900 ciclos. Las muestras fueron analizadas en un SEM con un sistema (EDS). Los resultados obtenidos muestran los espectro de EDS en cada uno de los espectros se pueden observar las líneas asociadas a los átomos esperados de Nd y Cl [1] G. Amato, C. Delerue, H.J. von Bardeleben (eds.). Structural and Optical Properties of Porous Silicon nanostructures. Gordon and Breach Science Publishers, ( 1997) [2] Alexander A. Kamisnkii, Laser Crystals: Their Physics and Properties. Springer Series in Optical Science. Springer-Verlag. (1990). [3] X.X. Zhang, H.Y. Sang, J.X. Shi, M.L. Gong, J.Y. Zhou, Z.R. Qiu. J. Mater. Chem. 11 (2001) 696. Agradecimientos: Este trabajo fue parcialmente financiado por el proyecto PROMEP (BUAP-PTC-113), Conacyt (CB-83485) y VIEP (MEBA-EX08-I) PDD-P27 Laser-induced changes in Molybdenum thin films using fs laser pulses M. Cano-Lara1,∗, S. Camacho-López1, A. Esparza-García2, M. A. Camacho-López3. 1Departamento de Óptica, División de Física Aplicada, Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Km. 107 Carretera Tijuana – Ensenada, C.P. 22860, Ensenada, B.C. México. 2Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico CCADET, UNAM. Ciudad Universitaria, A.P. 70 – 186 México D.F. 3Facultad de Química, Universidad Autónoma del Estado de México, C.P. 50110, Toluca. México. ∗ mcano@cicese.mx Experimental results on fs-laser pulsed irradiation of Molybdenum (Mo) thin films are presented. The Molybdenum thin films were

deposited on silicon and glass substrates by DC-sputtering technique. The thickness of the molybdenum thin films was 500 nm. The irradiation of the samples was carried out in atmospheric air, using a pulsed femtosecond laser (Ti: sapphire @ 800 nm, 60 fs). The energy per pulse was 2.45 nJ, the applied fluence of 30 mJ/cm2 and the delivery rate was of 70 MHz, since we used the direct output of our Ti:sapphire oscillator. We designed laser scans of the Mo films in the form of linear segments several mm long and a few micros wide (we used a NA=0.5 and f=6mm aspheric lens to focus down the laser beam). The delivered laser fluence was kept fix below the ablation threshold and we performed an increasing number of one way and round trip scans in fresh sites. The laser irradiated paths on the Mo thin films were characterized by means of Optical microscopy, Scanning Electron Microscopy with X-ray microanalysis (SEM/EDS) and micro-Raman spectroscopy. Results show that it is possible to induced the metal oxidation by irradiation with the fs-laser pulses and it is accompanied by the formation of crystalline molybdenum. The size of the laser spot ∼3x5 µm is confirmed when using SEM since it reveals well defined ablation spots which are an exact print out of the laser beam incident on the film. Furthermore, we can see how the effect of the laser irradiation extends as far as ~ 25 µm sideways, these irradiated paths shows inner colored fringes 10 µm wide, caused by the increase of temperature due to the irradiation. [1] J. Hermann et al. Applied Surface Science 252, 4814–4818 (2006) PDD-P29 Estudio, fabricación y caracterización de películas delgadas de ZnO para el desarrollo de transistores FET 1,2T. Mendivil-Reynoso, 1*D. Berman-Mendoza, 1L. A. González, 1S. Jesús Castillo, 3L. A. García-Cerda, 2R. R. Bon. 1 Departamento de Física, Universidad de Sonora, Apdo. Postal 1626, CP. 83000 Hermosillo, Sonora, México. 2Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN. Unidad Querétaro, Apdo. postal 1-798, Querétaro, Qro., 76001, México

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3Centro de Investigacion en Quimica Aplicada Blvd. Enrique Reyna Hermosillo No.140 C.P.25250 Saltillo, Coahuila México Actualmente el Óxido de Zinc como un material con gran ancho de banda (3.3eV) ha encontrado aplicaciones promisorias en el área de optoelectrónica[1]. Debido a sus ventajas intrínsecas tales como alta transparencia en la región visible y alta movilidad, el ZnO se presenta como una alternativa para la fabricación de transistores de capa delgada (TFTs, por sus siglas en ingles-Thin Film Transistors) que pueden aplicarse en el desarrollo de circuitos para el manejo de matrices activas tales como las pantallas de cristal liquido (AMLCDs) y de manera general en el desarrollo de electrónica transparente[2, 3]. En este trabajo se realiza un estudio del desempeño de películas delgadas de ZnO fabricadas por el método de RF magnetrón sputtering, las cuales se emplearon para el desarrollo de TFT. Se reportan resultados morfológicos, estructurales, ópticos y eléctricos de las películas depositadas para establecer las condiciones óptimas que permitan desarrollar TFTs con ZnO cuya operación se caracteriza por formar canales tipo n. Una película de ZnO de aproximadamente 100 nm de espesor se depositó sobre SiO2, con sustratos de silicio de baja resistividad. Se presenta un análisis de los factores que intervienen en el desempeño de los transistores fabricados al variar tanto los parámetros de depósito de la película de ZnO; así como la estructura de los contactos para producir diferentes longitudes de canal que se reflejan en las características de operación eléctrica de los TFTs. Para ello se presenta un análisis a partir de las curvas características de corriente-voltaje (ID-VDS) para diferentes voltajes de compuerta (VGS), voltaje de umbral (VT) y la movilidad de efecto de campo (µFE). [1] J. Zhu et. al., Journal of electronic materials, 37 (2008) 1237-1240. [2] R. L. Hoffman, Journal Appl. Phys, 95 (2004) 5813. [3] S.- Masuda et. al., Journal Appl. Phys, 93 (2003) 1624 Agradecimientos: Al grupo de investigación del Dr. Bruce Gnade de la Universidad de Texas en Dallas por las facilidades brindadas en la fabricación de los dispositivos.

PDD-P30 Estudio de peliculas delgadas de oxidos de hierro en SiO 2 M. R. Alfaro Cruz1 , J. A, de la Cruz Mendoza1, G. Ortega Zarzoza1

1. Facultad de Ciencias, UASLP, Diagonal Sur S/N, Zona Universitaria, C.P. 78290, San Luis Potosí, S.L.P., México Se prepararon películas delgadas de oxido de hierro por el método sol-gel para el estudio de su morfología. Las razones H2O/TEOS y EtOH/TEOS de 11 y 4 respectivamente. Las películas delgadas fueron depositadas en sustratos mediante la técnica de Dip-coating. La inmersión de los sustratos se realizo a temperatura ambiente en el sol, controlando la viscosidad de este para obtener mejores resultados. Las películas fueron tratadas térmicamente a 300°C durante 10 minutos para después ser caracterizados en el Microscopio de Fuerza Atómica. Se discuten los resultados obtenidos. PDD-P31 Enhancing the corrosion resistance of dentistry drills by PIII process of AISI 434-based SS A. E. Muñoz-Castro1*, R. López-Callejas1,2, R. Valencia-Alvarado1, S. R. Barocio1, R. Peña-Eguiluz1, A. Mercado-Cabrera1, A. de la Piedad-Beneítez2 1Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Plasma Physics Laboratory, AP 18-1027, 11801 México, D.F. 2Instituto Tecnológico de Toluca, AP 890, Toluca, México. *arturo.munoz@inin.gob.mx In order to enhance the resistance to the pitting corrosion due to asepsis processes and to avoid structural fractures in dentistry drills, a plasma immersion ion implantation (PIII) treatment using nitrogen has been performed. The selected drill samples, made of AISI 434 based stainless steel with a 0.670 mm diameter, were treated at a -1kV bias between 350°C and 450°C, this temperature being controlled by both a 20-50 µs pulse width and a 200-1000 Hz repetition rate in the bias. The drills were analysed by cyclic potentiodynamic tests showing a good pitting

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corrosion resistance when treated at around 400°C, as follows from a resulting very low hysteresis loop. Yet, the resistance appears somehow diminished by the presence of sputtering when processed at temperatures near 450°C. It is also found that the PIII nitriding effectiveness appears to be limited by the appearance of uniform corrosion. Finally, X-ray diffraction of the samples has revealed the presence of two new phases, namely ε-Fe2N and Fe4.4N, while scanning electron microscopy of the treated surfaces has suggested a sputtering enhancement at the highest temperatures. PDD-P33 Estudio del cambio en la orientación preferencial en función del espesor de las películas delgadas de NbN depositadas por sputtering reactivo con magnetrón G. Ramírez1*, S.E. Rodil1, J.G. González-Reyes1, S. Muhl1, E. Camps2, L. Escobar-Alarcón2, J.L. Benitez1

1 Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior s/n, CU, México D.F. 04510, México 2 Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Apdo. Postal 18-1027, México, DF 11801, México * enggiova@hotmail.com El recubrimiento de nitruro de niobio ha sido estudiado ampliamente y está bien establecido que su dureza depende en parte de la orientación preferencial que se pueda lograr en su preparación, en el presente trabajo se estudia el cambio de orientación que se da a través del espesor del recubrimiento. Se prepararon películas delgadas de nitruro de niobio por la técnica de sputtering reactivo con magnetrón desbalanceado. Las películas fueron depositadas sin calentamiento y sin polarización sobre sustratos de silicio monocristalino. La estructura cristalina de las películas fue estudiada por medio de difracción de rayos-x con la técnica de ángulo rasante. El ángulo de incidencia en modo rasante fue variado entre 2 y 16 grados. También se midieron las propiedades mecánicas de las películas con pruebas de nanoindentación. Los resultados de XRD mostraron que las películas tienen un cambio en la proporción de las orientaciones

111 y 200 de la fase FCC del NbN entre la superficie de la película y el interior de ella. De los resultados de XRD también se pudo obtener información acerca del tamaño de grano el cual no tuvo un cambio significativo en función del cambio del ángulo rasante. Las mediciones de nanoindentación arrojaron como resultado durezas superiores a los 20 GPa. Agradecimientos: Especial agradecimiento al grupo de técnicos académicos: L. Baños, H. Zarco y S. Romero. El apoyo económico de CONACYT P45833 y DGAPA IN102907. A pulsed current method for measuring the heat capacity of thin metallic films PDD-P34 R. D. Maldonadoa, A. I. Olivab, H. G. Riverosb§

a Universidad del Mayab, Facultad de Ingeniería. Carretera Mérida-Progreso Km. 15.5, A P 96, Cordemex, CP 97310, Mérida, Yucatán, México. b Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN Unidad Mérida. Depto. de Física Aplicada Km. 6 Antigua Carretera a Progreso CP 97310 Mérida Yucatán México. *ruben.dominguez@unimayab.edu.mx Nanotechnology applications have become a reality in some materials science fields. Thermal and electrical properties of metallic nanofilms reported in the literature have shown to posses different values as compared with their bulk properties [1-3]. The determination of the thermal properties plays a key role in the design of components and the production of new materials. In this work a new method for measuring the heat capacity of metallic thin films is discussed. Au, Al and Cu (50 to 250 nm as thickness) thin films were deposited by thermal evaporation on p-type Silicon (100) substrates. The proposed method consists in to apply a dc current pulse (60 ms) to the metallic film and acquire in real time the corresponding potential and the increment of low temperature as a consequence of the current pulse. The heat capacity is obtained from the initial slope of the heating curve captured with software developed in LabView 7.0. The morphology and heat capacity of films were obtained as a thickness function. The morphology, analyzed by atomic force microscopy (AFM), is related with the values obtained of heat capacity. The heat

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capacity of Au, Al and Cu thin metallic films tends to increase with the reduction of thickness and presents important differences as compared with the bulk values. §On leave from Instituto de Fisica, UNAM, AP 20-364, 01000, México, D. F. Work supported by Conacyt-México through project F1-54173. [1] M. Zhang, M. Yu. Efremov, F.

Schiettekatte, E. A. Olson, A. T. Kwan, S. L. Lai, T. Wisleder, J. E. Greene and L. H. Allen, Phys. Rev. B, 62 (2000) 10548.

[2] L. Shi, Q. Hao and Ch. Yu, Appl. Phys. Lett., 84 (2004) 2638.

[3] D. Song and G. Chen, Appl. Phys. Lett., 84 (2004) 687.

PDD-P36 Synthesis of titanium and nitride chromium aluminum thin films on polyethylene (UHMW-PE) and characterization microstructural C. Rivera-Rodríguez1*, F.J. Espinoza-Beltrán2, F.J. García-Pérez3, J.G. Piña-Carrillo4. 1 Centro de Investigación de Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN, Unidad Qro, Cerro Blanco No. 141. Col. Colinas del Cimatario, 76090 Querétaro, Qro., México. 2 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Qro, Libramiento Norponiente No. 2000, Fracc. 76230 Real de Juriquilla, Qro., , México. 3 Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica del IPN, Av. de las Granjas No. 682 Col. Sta. Catarina,Delegación Azcapotzalco-México D.F. 4 Universidad Autónoma de Nayarit, Ciudad de la Cultura "Amado Nervo", 63155 Tepic, Nayarit. México. * cvrivera@ipn.mx, carlosriverar@yahoo.com Were deposited Titanium and Nitride Aluminum Chromium thin films covered substrates of polyethylene ultra high molecular weight (UHMW-EP), previously polished, with dimensions of 1x1 inches and ¼" thick, by the technique of cathodic erosion (Sputtering) reactive and not reactive, assisted by a magnetron direct current, resulting samples with good adhesion and thicknesses of 800 nm approximately for titanium film and 1500 nm for

the nitride chromium aluminum film. Studies were accomplished surface morphological both in the material basis as in the base-film, obtained through the technique of atomic force microscopy (AFM), where clearly shows the changes caused on the surface of the samples in spite of the polyethylene presents a surface highly fibrous. Through this same technique were obtained the friction forces and normal force, applied in the material basis and base-film, for posteriorly calculate the friction coefficients of each of them, assisted by a software called "Matlab 7.0". Studies were conducted for chemical composition by the technique of Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy (EDS) to confirm the elements present in each sample and studies topography, through Scanning Electron Microscope (SEM) to corroborate the results already achieved through AFM, finally was determined the hardness of each of the samples by means of nano-indentation, where showed an increase radical in samples with thin films. Acknowledgments: To “Secretaria de Investigación y Posgrado del IPN, México” for the support for the realization to this work, as well as the program for the “XIV Verano de la Investigación Científica del Pacífico, Delfin". PDD-P37 Characterization of laser-induced grating-like structures on titanium thin films Santiago Camacho-López1, Rodger Evans1, L. Escobar-Alarcón1, Oscar Olea-Mejía3, Marco A. Camacho-López3* 1Departamento de Óptica, CICESE. Km 107 Carretera Tijuana-Ensenada, Ensenada, Baja California, 22860, MÉXICO 2Departamento de Física, ININ, Apdo. Postal 18-1027, México DF 11801, MÉXICO. ININ 3Facultad de Química, UAEM, Tollocan s/n esq. Paseo Colón, Toluca Edo. de México, 50110, MÉXICO *macamacholo@uaemex.mx Results on morphological characterization of polarization-dependent laser-induced effects on titanium (Ti) thin films are presented. Titanium thin films were irradiated in ambient air, using a nanosecond Nd:YAG laser (532 nm, 9 ns pulse duration, 10 Hz). To study the laser-induced

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changes on the surface of the titanium films the following characterization techniques were used: Optical Microscopy, Scanning Electron Microscopy, Atomic Force Microscopy and microRaman Spectroscopy. Using a series of pulses of fluence well below the ablation threshold, it was possible to form grating-like structures, whose grooves run parallel to the linear polarization of the incident beam. No grating-like structures were obtained when circularly polarized light was used, but the formation of doughnut-like structures was found by AFM. Our results revealed the remarkable formation of tiny (100 nm and even smaller diameter) craters, which self-arrange quasi-periodically along the ridges (never on the valleys) of the grating-like structure. Micro-Raman spectroscopy was used to analyze the irradiated areas on the titanium films. The Raman analysis demonstrated that the grooves in the grating-like structure, build up from the laser-induced oxidation of titanium, corresponding to TiO2 in the well-known Rutile phase. This is the first time, to the best of our knowledge, that periodic surface structures are reported to be induced below the ablation threshold regime, with the grooves made of crystalline metal oxide, in this case. The laser irradiated areas on the film acquired selective (upon recording polarization) holographic reflectance. Evaluación del carburo de renio como un material prospecto para recubrimientos duros. PDD-P39 G. Soto*, H. Tiznado, J.A. Díaz, E.C. Samano and A. Reyes-Serrato. Universidad Nacional Autónoma de México Km 107 carretera Tijuana-Ensenada, Ensenada Baja California, México * gerardo@cnyn.unam.mx La literatura reciente reporta que los compuestos intersticiales basados en renio como precursor pueden ser extremadamente duros. Por ejemplo, ha tomado notoriedad el diboruro de renio por su capacidad de rayar la superficie del diamante [1-2]. Siendo lo anterior cierto, podría aprovecharse las características del renio para producir recubrimientos duros. En este trabajo hemos producido capas delgadas de carburo de renio por el método de ablación

láser en modo reactivo. Como gas reactivo se uso metano en un rango de presiones de ultra-alto-vacio hasta 100 mTorr y como blanco renio metálico al 99.9 de pureza %. La dureza de las capas producidas fue estimada por nano-indentación. La máxima dureza así medida fue de 22.5 Gpa. Desafortunadamente nosotros no encontramos evidencia alguna que los depósitos de carburo de renio tengan dureza, o resistencia a la deformación plástica, que sea comparable a compuestos modernos superduros. Estos desalentadores resultados, aunados al hecho de que el renio es un metal escaso y tremendamente costoso, sugieren que los reportes previos que han propuesto al renio como un brillante precursor de recubrimientos duros son sobre- optimistas. [1] H.-Y Chung, M. B. Weinberger, J. B. Levine, A. Kavner, J.-M Yang, S. H. Tolbert, R.B. Kaner, Science 316 (2007) 436. [2] Z. Chen, M.Gu, C.Q. Sun, X. Zhang and R.Liu, Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 061905. Agradecimientos: El apoyo financiero para realizar este trabajo proviene de CONACYT, proyecto U50203-F y de DGAPA-UNAM IN107508. Agradecemos la asistencia técnica de E. Aparicio and F. Ramirez. PDD-P40 Propiedades fotoluminiscentes de películas de a: SiO x crecidos por la técnica HFCVD. A. Coyopol*, G. García Salgado, T. Díaz, E. Rosendo and H. Juárez. CIDS-ICUAP, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 14 sur y Av. San Claudio, Edif. 137, Puebla 72570, Pue. México. *acoyopol@gmail.com

La emisión de luz en nanocristales de silicio (nc-si), ha sido posible debido a efectos de confinamiento cuántico, desde entonces fuerte luminiscencia en el rango visible ha sido reportada en estructuras como son: Silicio poroso, Óxidos Ricos en Silicio, nc-si embebidos en matriz de SiO2 [1, 2, 3], entre otras. En los últimos años se ha intensificado el estudio de este tipo de películas por su posible aplicación en dispositivos fotónicos usando como materia prima al silicio. En este trabajo se reportan propiedades fotoluminiscentes de películas de a:SiOx obtenidas por la técnica HFCVD (Deposito Químico en Fase Vapor Habilitado por

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Filamento Caliente) [4] en el rango de 400 a 1100 nm, depositadas sobre substratos de silicio cristalino tipo (p) de 40 Ωcm. Los picos de fotoluminiscencia (FL) obtenidos en los espectros, sufren un corrimiento de 854 a 630 nm conforme la temperatura del substrato decrece (1050 °C – 800 °C), también un pico de fotoluminiscencia adicional aparece en todos los espectros alrededor de los 930 nm, no sufriendo corrimiento significativo con la temperatura del substrato. De estudios por FL y Absorbancia se determino un tamaño aproximado del los nc-si, encontrando un tamaño entre 3.11 – 6.98 nm, de acuerdo a las temperaturas de crecimiento (1050 °C – 800 °C). De estos resultados, es probable que la fotoluminiscencia en las películas de a:SiOx obtenidas por esta técnica de crecimiento, sea debida a efectos cuánticos en los nc-si, los cuales se forman en la matriz del oxido de silicio, explicándose por el corrimiento observado en los picos de FL. En cuanto al pico observado en 930 nm, no puede ser atribuido a efectos cuánticos, debido a no sufrir corrimiento significativo en los picos de fotoluminiscencia, por lo cual es atribuido a defectos de interface entre los nc-si y la matriz del oxido. [1] Erik Edelberg et al. J. Appl. Phys. 81 (1997), No.15, p.2410. [2] Y.C. Fang et al. Journal of Luminescence 126 (2007), p.145. [3] Tsutomu Shimizu, Setsuo Nakao and Noriaki Itoh. J phys Condens Matter 6 (1994), L601-L606. [4] Coyopol Solís Antonio Tesis de Maestría. CIDS-BUAP. (2009). Puebla, México. PDD-P41 Reflexión y transmisión de un plasmón superficial en una discontinuidad J. S. Pérez Huerta1,*, W. Luis Mochán Backal1. 1 Instituto de Ciencia Físicas, Universidad Nacional Autónoma de México, Campus Morelos , Av. Universidad s/n, Col. Chamilpa, Cuernavaca, Morelos, 62210, México. jsperez@fis.unam.mx. Estudiamos la propagación de plasmones superficiales en sistemas metal-dieléctrico, y en particular, su reflexión y transmisión cuando en su trayectoria se presenta una discontinuidad, tal y como un cambio en la respuesta dieléctrica

o en la geometría del sistema. El principal problema a resolver es satisfacer en todo el espacio las condiciones de continuidad de las componente del campo eléctrico y magnético, lo cual no se puede resolver de manera exacta y analítica. Se presentan resultados numéricos obtenidos mediante una expansión modal con coeficientes optimizados para minimizar el desajuste de los campos en la frontera entre las distintas regiones del sistema, de donde podemos extraer los coeficientes de reflexión y transmisión. Se evalúa la convergencia de los resultados numéricos examinando el flujo de energía en todo el sistema. PDD-P42 Self assembling growth of ZnO ultra thin films by atomic layer deposition (ALD) technique E. Martínez-Guerra 1,*, José A. Flores 2,3 and E. Pérez-Tijerina 2,3 1 Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, Universidad Autónoma de Nuevo León, San Nicolás de los Garza, Nuevo León, México 66450 2 Centro de Innovación, Investigación y Desarrollo en Ingeniería y Tecnología, Laboratorio de Nanociencias y Nanotecnología (CIIDIT-UANL), PIIT Monterrey, C.P. 66600, Apodaca, N.L., México 3 Centro de Investigación en Materiales Avanzados, S.C.(CIMAV), Av. Alianza Norte #202, Parque de Investigación e Innovación Tecnológica (PIIT), Nueva Carretera Aeropuerto Km. 10, Apodaca, Nuevo León, México. C. P. 66600. * eduardo.martinez@cimav.edu.mx

Atomic Layer Deposition (ALD) is a chemical vapor deposition technique that is suitable for the controlled growth of thin films at atomic scale. Zinc oxide ultrathin films were grown by this technique controlling experimental conditions as substrate temperature, exposure time of precursor (DEZ-water pulse) and purging time between deposition cycles. X-Ray diffraction (XRD) analysis confirmed the polycrystalline growth with a hexagonal structure wurtzite. As the deposition temperature was raised, the crystallinity improved and particularly the ZnO (002) peak was observed indicating formation of highly oriented films along the [001] direction. The ZnO textured growth was

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analyzed by a high resolution microscopy study (HRTEM) and also performed through the film/substrate region to determine the crystallographic nature of the interface. Surface morphology and topography of the ZnO films were characterized by Scanning Electron Microscopy (SEM) and Atomic Force Microscopy (AFM) to determine the influence of experimental parameters. AFM and SEM analyses show the good surface structural quality of the obtained films as confirmed by RMS roughness values and also comparable with previously reported work [1,2]. A model for the mechanism growing of zinc oxide using Diethylzinc by ALD has been proposed using primary calculations.

[1] U.Ozgur, Ya.I.Alivov, C.Liu, A.Teke, M.A.Reshchikov, S.Dogan, V.Avrutin, S.J.Cho and H.Morkoc, Journal of Applied Physics, 98 (2005) 41301. [2] Pieter C.Rowlette, Cary G.Allen, Olivia B.Bromley, Amy E.Dubetz and Colin A.Wolden, Chem.Vap.Deposition, 15 (2009), 15. Aknowledgments: The authors thank to M.C. J.A. Aguilar, R.J. Saenz Hernández for their technical support. PDD-P43 DEPOSITACION DE PELÍCULAS DELGADAS DE ZnS POR MOCVD UTILIZANDO Zn(TMHD)2 COMO PRECURSOR DE BAJA TEMPERATURA DE DESCOMPOSICION. *H. Vera D.1, F. Juárez, M.1 Juárez G.2

1 Centro de Investigación e Innovación Tecnológica del Instituto Politécnico Nacional, Cerrada CECATI s/n Col. Santa Catarina, Azcapotzalco, C.P. 02050, México, D.F. 2 Centro Nacional de Metrología Carretera a Los Cués Km 4,5, El Marqués, Querétaro, México C.P. 76241, Apdo. Postal 1-100 Centro. * hverad0600@ipn.mx El difícil manejo de los precursores, la baja estabilidad térmica, toxicidad y su contaminación con carbono a las películas hace necesaria la investigación de nuevos precursores que superen las desventajas y/o disminuyan los efectos nocivos. A partir de la utilización del precursor Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)zinc(II) o [Zn(TMHD)2] es posible la fabricación de películas delgadas de

ZnS por la técnica MOCVD con control de dimensión y a temperaturas de proceso relativamente bajas. Se utilizo como precursor de baja temperatura de descomposición el compuesto Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)zinc(II), para la depositación de películas delgadas de ZnS en un sustrato de Si (111) mediante un sistema de Depositación química en fase vapor de metalorganicos (MOCVD) original, para establecer las condiciones termodinamicas tales como temperatura de depositacion y sublimacion, de depositacion de las peliculas. Dichas peliculas fueron analizadas por microscopia electronica de barrido, difraccion de rayos x y espectroscopia de energia dispersa [1] Yong Shin Kim*, Sun Jin Yun. Basic Research Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute, Applied Surface Science 229 (2004) 105–111 [2] Everett Y.M. Lee, Nguyen H. Tran*, Robert N. Lamb. School of Chemistry, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia. Applied Surface Science 241 (2005) 493–496 [3] L.V. Saraf,a) M.H. Engelhard, C.M. Wang, A.S. Lea, D.E. McCready, V. Shutthanandan, D.R. Baer, andS.A. Chambers; Pacific NorthwestNationalLaboratory, Richland, Washington 99352 J. Mater. Res., Vol. 22, No. 5, May 2007 [4 M. Y. Nadeem, Waqas Ahmed, M. F. Wasiq. DepartmentofPhysics, BahauddinZakariyaUniversity, Multan, Pakistan. Journal ofResearch (Science), Bahauddin Zakariya University, Multan, Pakistan. Vol.16, No.2, October 2005, pp. 105-112 ISSN 1021-1012 PDD-P44 Desarrollo de un sistema de Microscopía Electroquímica para caracterización y morfología de películas ferroeléctricas J. Guillén-Rodríguez1,*, A. Zapata-Navarro1, F. Rábago-Bernal2 1CICATA-IPN Unidad Legaria, Legaria 694, Col. Irrigación, Delegación Miguel Hidalgo, C.P.11500 , México D.F., México. 2Instituto de Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosí. Av. Manuel Nava 6 Zona Universitaria 78290, San Luis Potosí SLP, México * jguillenrdz@hotmail.com

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Durante los años recientes el estudio de películas ferroeléctricas ha seguido creciendo debido principalmente a su utilidad en la aplicación y desarrollo de memorias no volátiles, por otro lado el arribo relativamente reciente y la utilización del microscopio electroquímico[1] y sus potenciales y versátiles aplicaciones dentro de la investigación ha despertado gran interés en la comunidad científica. Presentamos la implementación y puesta a punto de un microscopio electroquímico integrado con software especializado para caracterizar y obtener la morfología de películas ferroeléctricas. Nuestro sistema logra desplazamientos con resoluciones superficiales de 60 nm y en profundidades de 8nm. Es el primer microscopio electroquímico implementado con servomecanismos y posee ventajas potenciales sobre los implementados con motores de paso y elementos piezocerámicos. El software desarrollado permite el control total del sistema, obtiene curvas de acercamiento entre microelectrodos y superficies dieléctricas y utiliza dichas curvas para obtener la morfología al realizar un rastreo(scanning) de los microelectrodos sobre superficies dieléctricas. El software también obtiene las gráficas de histéresis de campo eléctrico versus polarización de películas ferroeléctricas utilizando una modificación del circuito Tower-Sawyer[2]. Se reportan los ciclos de histéresis de Polarización versus Campo Eléctrico de películas ferroeléctricas de PZT para diferentes tamaños de capacitores( 1000u2-100,000u2 y 2550 Å) de espesor a diferentes voltajes y frecuencias de excitación(1-9Volts, 1-100Hz) y se muestran las curvas de acercamiento entre microelectrodos de 10 y 25 micras de diámetro y superficies ferroeléctricas , finalmente se muestra la morfología de dichas superficies. [1] A.J. Bard, F.-R. F. Fan, D. T. Pierce, P. R. Unwin, D. O. Wipf, and F. Zhou, Science 254:68-74, 1991 [2]C.B. Sawyer, C. H. Tower, Phys. Rev., 35,269, 1930 Agradecimientos: Se agradece el apoyo dado por la Secretaría de Investigación y Posgrado I.P.N. a través del proyecto SIP 20090484 para la realización del presente proyecto.

PDD-P45 Recubrimiento electrolítico de zinc utilizando titanio puro como sustrato Martín Castilloa, Jaime Viteb, Manuel Vitea

aSección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME U. Zacatenco, IPN, México bInstituto Nacional de Investigaciones Nucleares, México Tel. (55) 57296000, ext.54745, avinfer@hotmail.com El objetivo de este trabajo de investigación, fue depositar electrolíticamente zinc sobre titanio puro como sustrato, se utilizo como electrolito una solución compuesta de cianuro de zinc (Zn(CN)2), dietilentriaminpentacetato (DTPA) como agente complejante e hidróxido de sodio (NaOH), los electrodos utilizados se fabricaron de plomo, el PH de la solución fue de 1.5 a 3.5, se utilizo un rango de amperaje de de 2 – 3 A/dm2, se encontró que el espesor de la capa depositada de Zn varia de 600nm a 10µm, dependiendo del tiempo de inmersión en el baño electrolítico, se observo que cuando se alcanza un espesor de 10mm el recubrimiento pierde adherencia, el análisis se llevo a cabo mediante microscopia electrónica de barrido. Palabras clave: Recubrimiento de zinc, sustrato, titanio, microscopia electrónica de barrido PDD-P46 Análisis del desgaste y la resistencia a la fatiga estática del vidrio recubierto con una película delgada de óxido de niobio. P. González-Zavala1,*, S. Muhl2, J.G. Ramírez-González2, O.Y. Peña-Rodriguez2. 1 Facultad de Ingeniería, Universidad Nacional Autónoma de México, Av. Universidad 3000, Ciudad Universitaria, Coyoacán, C.P.04510, México D.F., México. 2 Instituto de Investigación de Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Coyoacán, C.P.04510, México D.F., México. * prettypatyg@yahoo.com.mx

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En este trabajo se analiza el fenómeno de la fatiga estática, que se puede describir como la perdida gradual de la resistencia del vidrio sometido a una carga constante y a un ambiente húmedo, en probetas de vidrio con y sin un recubrimiento de óxido de niobio. El recubrimiento de óxido de niobio fue depositado mediante la técnica de sputtering magnético utilizando una fuente de corriente directa. Para la creación del plasma en el proceso se utilizó argón como gas inerte y oxígeno como gas reactivo. La resistencia del vidrio a la fatiga estática fue determinada mediante la medición de los logaritmos de los tiempos de falla. Para lo cual se diseñó y construyó, mediante el software denominado Solid Edge V18 y especificaciones de la norma ASTM C158-84, un aparato denominado “Dispositivo de Flexión Estática”. Todas las probetas fueron sometidas a un proceso de abrasión sistemática y de envejecimiento. Los logaritmos de los tiempos de falla de las probetas de vidrio presentaron una distribución gaussiana o normal, igual que los resultados reportados en la literatura, lo cual nos indica que el Aparato de Flexión Estática funciona de una manera adecuada. De acuerdo a los resultados, es posible probar gráficamente que existe un aumento en los tiempos de fractura de las probetas recubiertas. Sin embargo, para que exista una diferencia mayor en el comportamiento entre el vidrio con y sin recubrimiento es necesario aumentar los 200 nanómetros de espesor del recubrimiento. A pesar de lo delgada que es la película depositada, las medias aritméticas de los logaritmos de los tiempos de fractura de las probetas recubiertas son mayores para los vidrios recubiertos. Esto nos indica que la película delgada proporciona cierta protección superficial en los vidrios recubiertos. En este trabajo también se determinó la resistencia al desgaste del vidrio con y sin la película delgada de oxido de niobio por medio de la técnica de Ball Cratering que utiliza un método de desgaste abrasivo. Mediante esta técnica fue posible determinar que una película delgada de óxido de niobio ayuda a protege al vidrio del desgaste abrasivo, aún después de que el cráter tenga una profundidad mayor a los 200 micrometros de espesor de la película.

PDD-P47 Diffraction X-Ray Characterization of chemicals bath deposited CdS thin films doped with: Ni 2+, Hg2+, Zn2+ H. Lima Limaa∗, O. Portillo Morenoa, R. Lozada Moralesb, F. J. Martínez Juárezc O. Zelaya Ángeld. Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, México. aFacultad de Ciencias Químicas Blvd. 14 Sur y Av. Sn. Claudio, Col. Sn. Manuel, Puebla, Pue. México. bFacultad de Ciencias Fisicomatemáticas, Postgrado en Optoelectrónica Blvd. 14 Sur y Av. Sn. Claudio, Col. Sn. Manuel, Puebla, Pue. México. cCIDS - ICUAP Blvd. 14 Sur y Av. San. Claudio, Col. San. Manuel, Puebla, Pue. México dDepartamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, 07360, México D. F. México. By Chemicals Bath were prepared films of CdS doped with: Ni2+, Hg2+, Zn2+ at constant temperature: T = 80 ± 2ºC. This films were obtained using solutions prepared with deionised water of resistivity 18.2 MΩ, and concentrations prepared with normal conditions of temperature and pressure: KOH 0.5M, CdCl2 0.02M, NH4NO3 1.5M and SC(NH2)2 0.2M. Dopant used are: Zn(NO3)3.3H2O, Hg(NO3)3.3 H2O, Ni(NO3)3.3H2O with concentration 0.03M, 0.025M and 0.01M, respectively. By means X-ray diffraction (XRD) from this films were investigated the dopant effects in crystalline phase, grain size (GS) and interplanar distance (ID). Samples from CdS with different concentrations of dopant were made. The dopant produced crystalline disorder on CdS films with Hg2+, diminution grain size and variation of interplanar distance. In films doped with Zn2+ was observed a great crystalline disorder at greatest concentrations of 30 ml from dopant. The films are amorphous with diminution grain size grain even minimum value of 9 nm. Nevertheless, in films doped with Ni2+, no one important effect on structure was observed.

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PDD-P48 Resistencia a la Corrosión de Películas Delgadas Cerámicas G. Carbajal-De la Torre1, J. Jesús Pacheco1, L.A. Ibarra-Bracamontes1, S.R. Galván1 1Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo UMSNH, Facultad de Ingeniería Mecánica, Santiago Tapia 403. Centro C.P. 58000. Morelia Michoacán México * gcginacarbajal@gmail.com Las películas delgadas en superficies metálicas sintetizadas por el método sol-gel han proveído un camino útil para proteger contra la corrosión [1-3]. La barrera de protección de la película hecha vía el proceso sol-gel y que cubre al metal consiste en la preparación de una solución (el sol) formando posteriormente el gel se obtiene y aplica por varios métodos a las superficies a ser protegidas [3]. La protección de resistencia a la corrosión de aceros con películas de circonio [4] y películas de aluminio con sílice [5] son dos recientes ejemplos que se han estudiado en la literatura. En este trabajo se ha propuesto la síntesis y caracterización de un recubrimiento híbrido a base de Polimetilmetacrilato (PMMA) y óxido de zirconio (ZrO2), y óxido de titanio (TiO2) resistente a la corrosión. La síntesis de la fase inorgánica se llevó a cabo por los métodos sol-gel vía alcóxidos y polimerización de la fase orgánica vía radicales libres. De acuerdo a las metas, se obtuvo un recubrimiento transparente y continuo, que forma una barrera química y física contra el ambiente corrosivo, evitando el paso de éste a través del recubrimiento protector. Para la caracterización de este recubrimiento y su evaluación se utilizaron las técnicas Electroquímicas de Polarización Lineal y de Impedancia, Espectroscopia de Infrarrojo, Microscopía electrónica de barrido, y Difracción de Rayos X. 1. J.L. Almaral-Sanchez, E. Rubio, A. Mendoza-Galvan, R. Ramirez-Bon, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 66, (2005) 1660. 2. P. de Lima-Neto, M. Atik, L.A. Avaca, M.A. Aegerter, J. Sol-Gel Science Technology, 2, (1994) 529. 3. M. Atik, P. de Lima-Neto, L.A. Avaca, M.A. Aegerter, J. Zarzycki, J. Material Science Lett., 13, (1994) 1081.

4. M. Atik, and M.A. Aegerter, Journal of Non-Crystalline Solids, 147-148, (1992) 813. 5. K. Kato, Journal of Materials Science, 28, (1993) 4033. PDD-P49 Crecimiento de GaN y AlN por epitaxia de haces moleculares asistido por plasma. M. Ramírez-Lopez1,*, J.S. Rojas-Ramírez 1, S. Gallardo-Hernández 2, I. Martínez-Velis1 and M. López-López 1. 1 Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, México, D. F. 07360. 2 SEES, Departamento Ingeniería Eléctrica, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, México, D. F. 07360. * mrlopez@fis.cinvestav.mx Los nitruros del grupo III (GaN, Aln, InN) han sido considerados como semiconductores ideales para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos que funcionen en el intervalo azul-ultravioleta (UV). Usando epitaxia de haces moleculares asistido por plasma de nitrógeno (PA-MBE del ingles), hemos crecido películas de GaN, AlN y su aleación Al0.3Ga0.7N sobre substratos de Si(111). Los contaminantes de carbono en la superficie del substrato fueron eliminados mediante el método Shiraki-Ishisaka [1]. Cuando el Si(111) ha sido desorbido a la temperatura de 900 C, el patrón de difracción de electrones de alta energía ( RHEED del ingles) muestra una reconstrucción 7x7. Al encender el plasma (flujo de nitrógeno de 0.25 sccm y potencia de excitación de 150 W), dicha reconstrucción se desvanece rápidamente debido a la formación de SixNy. Las películas de GaN y AlN fueron crecidas a la temperatura de 800 C y se obtienen principalmente en fase hexagonal (como lo demuestran espectros de difracción de rayos X) y con una rugosidad promedio de 30 Å (medidas mediante microscopia de fuerza atómica). Durante el crecimiento de GaN (AlN) los patrones RHEED son 1x1 y muestran una distribución puntual de las difracciones, lo cual indica que se tiene un crecimiento cristalino altamente rugoso. Un método de crecimiento alternativo que evita la formación del SixNy, fue crecer previamente al encendido del plasma una capa de aluminio (30

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Å). Bajo estas condiciones, el patrón RHEED durante el crecimiento de las películas de nitruros se mantiene lineal solo para temperaturas del substrato superiores a 840 C, temperatura a la cual las películas de GaN (AlN) crecen con una rugosidad menor a la obtenida en el primer método de crecimiento (rugosidad de la superficie 19 Å). [1] Akitoshi Ishizaka and Yasuhiro Shiraki, J. Electrochem . Soc ., vol.133, num.4, (1986) 666. PDD-P50 Nitrogen Incorporation in Al 2O3 Thin Films Prepared by Pulsed Ultrasonic Sprayed Pyrolysis S. Carmona-Telleza,*, C. Palaciob, S. Gallardoc, Z. Riverac, M. Aguilar-Frutisa , M. Garcia-Hipolitod, G. Alarcon-Floresa , and C. Falconyc aCICATA-IPN, Miguel Hidalgo 11500, Mexico, D.F., Mexico bIIM-UNAM, Coyoacan 04510, Mexico, D.F., Mexico cCINVESTAV-IPN, Apdo. Postal 14-740, 07000, Mexico, D.F., Mexico dUniversidad Autónoma de Madrid, Departamento de Física Aplicada, Facultad de Ciencias C-XII, Cantoblanco, 28049-Madrid, España * arribalarevolucion@hotmail.com The optical, electrical and structural properties of aluminum oxide thin films deposited by pulsed ultrasonic sprayed pyrolysis are reported. The films are deposited on crystalline silicon (100 and 111) at temperatures from 400 to 550 0C using a chemical solution of aluminum acetylacetonate as source of aluminum and N,N-Dimethylformamide as solvent, in addition a H2O-NH4OH mist was supplied simultaneously during deposition to improve the overall properties of these films. The results showed that the characteristics and properties of the deposited films depended strongly on the substrate temperature and the number of pulses used on them. The chemical composition profiles were determined by XPS and SIMS. XPS shows that all the samples have a composition of aluminum and oxygen close to the ideal aluminum oxide, although it is also possible to observe the presence of carbon in all the samples due to the incomplete decomposition of the source

materials [1]. On the other hand SIMS results confirm that there is a large amount of silicon on top of the films, in this case, although in very small quantity, nitrogen is observed to be localized at the interface with the Si substrate. The profile distribution for 28Si++ was singled out and separated from the N counts through the high mass resolution analysis in order to avoid errors on the estimation and profile distribution of N in the film. The thickness of the films is under 300 Å and the best films’ properties showed an index of refraction close to 1.6 and a root mean square surface roughness of about 7.5 Å in average [2]. Infrared spectroscopy shows that SiO2 is observed at the interface with silicon of the Al2O3 films and seemed to play, as expected, a dramatic role in the electrical characteristics of the interface [3,4]. Films with a dielectric constant higher than 8 and an interface trap density at midgap in the 1010 eV−1 cm−2 range are obtained. Films deposited with three pulses and at 550 °C are able to stand an electric field up to 4 MV/cm [1,2]. [1] S. Carmona-Tellez, Tésis de Maestía, 2007, CICATA Leg. México D.F. [2] S. Carmona-Tellez, J. Guzman-Mendoza, M. Aguilar-Frutis, G. Alarcon-Flores, M. Garcia-Hipolito, M. A. Canseco, and C. Falcony, Journal of Applied Physics 103, 034105 (2008). [3] M. Aguilar-Frutis, M. García, C. Falcony, Applied Physics Letters, Volume 72, Number 14 (1998) 1700-1702 [4] M. Aguilar-Frutis, M. García, Ciro Falcony, Thin Solid Films, 389 (2001) 200-206 Acknowledgments: The authors are also grateful for the financial support from CONACyT México, as well as to SIP-IPN and COFAA-IPN. PDD-P51 Deposition and characterization of AlN films grown on Si 3N4/Si by pulsed laser deposition J.A.Pérez1*, H. Riascos1, F. N. Jiménez-García2, Felio A. Perez3, L. Ipaz 4

1 Grupo Plasma, Láser y Aplicaciones, Universidad Tecnológica de Pereira –Colombia. 2Universidad Nacional Colombia, Departamento Física y Química, Manizales 3 West Virginia University, Department of Physics, PO Box 6315, Morgantown, WV 26506

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4 Grupo de Películas Delgadas, Universidad del Valle, Cali –Colombia. jaimeandres.perez@gmail.com1*

AlN thin films were deposited on Si3N4/Si(1 0 0) substrates heated at 630 oC by pulsed laser ablation of Al targets using an (Nd: YAG: 9 Jcm-

2, 9ns). We report herewith new results in depositing AlN films from Al targets under N2 reactive gas and their characterization by X-ray diffraction (XRD), along with Fourier transform infrared (FTIR) investigations in transmittance mode, energy dispersive X-ray (EDX) data and optical microscopy. The X-ray investigations confirm the formation of polycrystalline AlN films. We observed the Al line in the XRD spectra. The gradual decomposition of the Al target in the zones beneath and around the crater, induced by nanosecond multipulse laser irradiation, was study by a change at pressure N2 flux (3–5 mTorr) during deposition. The reflection IR spectra display features characteristic to LO phonons in AlN. Optical microscopy images evidenced an interdigital structure of AlN films on Si3N4/Si with a thickness of about 75 nm for future micro-electronic applications (SAW). Keywords : AlN; PLD; FTIR, interdigital structure. PDD-P52 Películas delgadas de oxido de estaño, SnO 2, depositadas mediante erosión catódica RF. F. de Moure-Flores1*, M. Meléndez-Lira1,2, K.E. Nieto-Zepeda1, A. García-Sotelo1, M. de la L. Olvera2, A. Hernández-Hernández1, José G. Quiñones-Galván1, S. Cerón-Gutiérrez2. 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. 2CICATA-IPN, Unidad Legaria, Legaria 694, Col. Irrigación, 11500, México D.F., México. 3SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360 México D.F., México. *jdemoure@fis.cinvestav.mx Los estudios sobre películas de óxidos semiconductores transparentes de alta conductividad han atraído la atención de varios grupos de investigación, debido a sus amplias aplicaciones en la industria. Una de las aplicaciones de los óxidos conductores transparentes (TCO, por sus siglas en ingles) es

el de contacto frontal en la heteroestructura fotovoltaica CdTe/CdS, dicha heteorestructura a sido centro de atención de diversos centros de investigación, debido a que aun se esta lejos de alcanzar su eficiencia teórica del 30%. Se depositaron películas delgadas de oxido de estaño, SnO2, sobre substratos de vidrio mediante la técnica de erosión catódica RF (a distintas temperaturas), utilizando un blanco de SnO2 de una pulgada, empleando una atmosfera de Argón. Se presentan los resultados de la caracterización estructural y óptica obtenida mediante difracción de rayos-X y espectroscopia UV-vis. Los resultados se discuten en términos de los detalles de crecimiento. Agradecimientos. Un especial agradecimiento, por su gran trabajo, a la auxiliar de investigación del Departamento de Física del Cinvestav-IPN: Marcela Guerrero Trabajo apoyado parcialmente por CONACyT. PDD-P53 Efecto de bi-capas ZrO 2 y ZrN sobre substratos de Si(100) en la síntesis de películas superconductoras de Tl-1223 R. Balderas-Xicohténcatl1, J. Fernando Vargas-Peraza2, L. Pérez-Arrieta3, * y C. Falcony-Guajardo5 1Facultad de Ciencias, Universidad Nacional Autónoma de México, Universidad 3000 Circuito Exterior S/N, C.P. 04510 Ciudad Universitaria. México, D. F. 2Centro Universitario de Los Lagos, Universidad de Guadalajara, Av. Enrique Díaz de León S/N, Col. Paseos de la Montaña C.P. 47460, Jalisco, México. 3Unidad Académica de Física, UAZ, Calzada Solidaridad Esq. paso La Bufa S/N, Zacatecas, Zac. C.P. 98060 , 4 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Apdo. Postal 14-740, 07300, México, D. F. México. * mlp.arrieta@yahoo.com.mx El estudio de la cinética de síntesis de películas superconductoras de Tl-1223 sobre substratos de Si(100) se realizó siguiendo un proceso de tres etapas. La primera etapa consistió en el recubrimiento de obleas de Si(100) con capas buffer de ZrO2 y ZrN mediante RF-sputtering

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utilizando un blanco metálico de Zr en una atmósfera de Argón, con flujos de oxígeno (1 sccm, 30 min, 24oC), nitrógeno (5 sccm, 10 min, 31oC), potencia de plasma 100 W y vacío de 6x10-3 torr. Adicionalmente con el objetivo de minimizar la formación de la capa de SiO2 entre el substrato y la primera capa buffer se realizó un pre-sputtering. Estas capas funcionaron como barreras químicas y aislante eléctrico entre el substrato y la película superconductora, requisito indispensable para ser empleados en la fabricación de dispositivos superconductores. Bajo las condiciones empleadas se obtuvieron espesores aproximados de 1000 Å para cada una de las capas. La segunda y tercera etapa incluye la síntesis de la fase superconductora por el método de dos pasos en un horno de dos zonas. Específicamente en la segunda etapa se realizó el depósito de películas precursoras de composición Ba2Ca2Cu3Ag0.3Ox sobre los substratos preparados, Si(100)/ZrO/ZrN, por Rocío Pirolítico Ultrasónico a partir de una solución orgánica de acetil-acetonatos de Ba, Ca, Cu y Ag y N, N-dimetil-formamida (0.006M). Finalmente, para la tercera etapa se incorporó el Tl por difusión térmica en un horno de dos zonas a partir de una pastilla de Tl2O3. En este proceso empleamos una temperatura de 830 a 850 oC en la zona de la película precursora y 750 oC en la zona de la fuente de talio, y un flujo de oxígeno de 5 ml/min, que resultaron en presiones parciales de O2, p(O2) ~ 1 atm y óxido taloso, p(Tl2O)=10-2 atm. Estos parámetros en estudios anteriores permitieron la obtención de la fase superconductora TlBa2Ca2Cu3O9-x (Tl-1223) sobre substratos de Ag [1]. Sin embargo; en el caso de los substratos monocristalinos preparados de esta forma la cinética de crecimiento de la fase superconductora parece seguir un mecanismo diferente. El análisis por DRX muestra que todavía existe un bajo desarrollo de la fase superconductora aún a la temperatura de 850oC. Las películas obtenidas también se caracterizaron mediante las técnicas convencionales como, R vs T (TC), EDS y SEM. [1] L.Perez-Arrieta, M.Aguilar-Frutis, J.L Rosas-Mendoza, C.Falcony and M.Jergel, Rev. Mex. Fís. 54 (2008) 446. Agradecimientos: Agradecemos la asistencia técnica de Z. Rivera Álvarez, M. Guerrero-Cruz, A.B Soto-Guzmán, Departamento de Física, CINVESTAV-IPN

PDD-P54 Caracterización de películas delgadas de MgO crecidas sobre Si(100) por Rocío Pirólitico J. Fernando Vargas-Peraza1, R. Balderas-Xicohténcatl2, L. Pérez-Arrieta3*, C. Falcony4. 1 Centro de Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, Av. Enrique Díaz de León 1144 Col. Paseos de la Montaña. C.P. 47460, Lagos de Moreno, Jalisco. 2 Facultad de Ciencias, Universidad Nacional Autónoma de México, Universidad 3000 Circuito Exterior S/N, C.P. 04510 Ciudad Universitaria. México, D. F. 3 Unidad Académica de Física, Universidad Autonoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad Esq. paseo La Bufa S/N, Zacatecas, Zac. C.P. 98060 4 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Av. Instituto Politécnico Nacional 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360 México, D.F. Apartado postal 14-740, 07000 México, D.F. * mlp.arrieta@yahoo.com.mx Las características del óxido de magnesio (MgO) tales como estabilidad química, térmica y eléctrica permiten que el material en forma de películas delgadas sea utilizado como capas buffer para el depósito de óxidos ferroeléctricos y superconductores de alta Tc. Adicionalmente la facilidad del desarrollo de los planos (200) durante la síntesis favorece el crecimiento epitaxial de metales y superconductores [1].

En este trabajo comparamos nuestros resultados con los obtenidos por otros autores quienes han depositado MgO sobre diversos sustratos tales como cuarzo, silica fundida, zafiro y Si (100) por diferentes técnicas empleando reactivos inorgánicos y metal-orgánicos como nitratos, cloruros, acetatos y acetil-acetonatos [2, 3]. El crecimiento de MgO se realizo sobre substratos de Si (100) por la técnica de Roció Pirólitico Ultrasonico a partir de una solución de acetil-acetonato de magnesio Mg(2-4 pentanedionato)2 y N-N dimetil-formamida de concentración 0.1 y 0.05M, variando la temperatura desde 400 a 600 oC. El análisis térmico del reactivo empleado (TGA/DTA) en la región de temperaturas de 30 – 800 oC mostró diferentes etapas de

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descomposición y principalmente que la temperatura de 500 oC es adecuada para la formación del óxido. Los tiempos de depósito fueron de 3-12min y flujos de aire desde 9 – 14 L/min. En el proceso se empleo un nebulizador comercial (Sunshine) con una frecuencia de operación de 750 kHz que permite obtener gotas de tamaño promedio de 7 µm. Las películas preparadas son uniformes y presentan diferentes colores dependiendo de la temperatura, flujo de aire y tiempo de depósito. Estas características fueron analizadas mediante elipsometría. Se obtuvieron espesores de 2500 Å e índices de refracción de n~1.7. El análisis de las películas mediante microscopia electrónica de barrido muestra que el incremento en la molaridad de la solución y flujo de aire durante el depósito son críticos para la obtención de películas libres de quiebres y defectos estructurales. Los resultados por difracción de R-X indican la presencia de una orientación en la dirección preferencial (200). [1] M. Gurvitch, A. T. Fiory, Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 1027. [2] A. M. Ezhil Raj, et al.; J. of Non-Crystalline Solids, 354 (2008) 3773. [3] W. J. DeSisto and R. L. Henry, J. of Cryst. Grow. 109 (1991) 314. Agradecimientos: De parte de los autores nuestros más sinceros agradecimientos a los técnicos Zacarías Rivera Álvarez, Marcela Guerrero Cruz y Ana B. Soto Guzman.CINVESTAV-IPN. PDD-P55 The influence of Pt layers on the corrosion and tribological behavior of TiAlN/TiAl multilayers. M. Flores1,*, E. Rodríguez1, E. De Las Heras2, L. Pazos2. 1Centro de Investigación en Materiales, DIP-CUCEI, Universidad de Guadalajara, A.P. 470, Zapopan Jal., C.P. 45101, México. 2Grupo de Biomateriales, Instituto Nacional de Tecnología Industrial, Av. Gral. Paz 5445, B1650WAB San Martín, Buenos Aires, Argentina. *maflores@cucea.udg.mx

In the present work we report the results of studies about the influence of Pt layers on the corrosion, wear and friction of TiAL/TiALN multilayers deposited on 316L stainless steel by magnetron sputtering. Coatings investigated were TiAlN/TiAL/Pt multilayers and duplex coatings with substrates nitrided by pulse plasma nitriding. The thickness of the Pt layers was from 50 nm to 200 nm and the period of TiALN/TiAL multilayer from 250 to 500 nm. The friction and wear tests were performed on a ball-on-flat tribometer and conducted in dry (unlubricated) conditions at room temperature. The loads used were from 2N to 10N and the oscillating frequency from 1 Hz to 5 Hz. The corrosion was studied using open circuit potential measurements and potentiodinamyc polarizations in ringer solutions. The structure and thickness of multilayers were studied by means of XRD, and profilometry respectively. The surface topography and wore surface were studied by means of optical microscopy and profilometry. The results indicate that coefficient of friction (COF) of TIALN coatings decreased when metal layers are introduced and the corrosion resistance of TiAL/TiAlN multilayers is improved when Pt layers are deposited. Agradecimientos: Proyecto Conacyt Ciencia Básica 25457.

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SIMPOSIO DE PLASMAS Y VACÍO. Plasma and Vacuum PYV-1 Plasma parameters influence on the properties of TiCN films prepared by laser ablation. Enrique Camps1,*, L. Escobar-Alarcón1, S. Romero1, S. Muhl3, Iván Camps2,3.

1 Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, México, D. F. 11801, México, (Apdo. Postal 18-1027) 2 Facultad de Ciencias, UAEMex, Toluca Edo. Mex., México 3 Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, Circuito Exterior s/n, CU, México D.F. 04510, México * enrique.camps@inin.gob.mx Laser ablation is commonly used for the deposition of thin films, its ability to use a wide range of plasma parameters, make this technique interesting and useful for academic and practical purposes. Nevertheless, the wide range of plasma parameters that can be used, forces the user to have a control method, in order to improve reproducibility. In this work a Langmuir probe is used to measure the mean kinetic ion energy and the plasma density which can be obtained both from the time of flight curves. The product of these two parameters is used as a measure of the degree of bombardment that the growing films undergo during their deposition. For the case of the TiCN thin films of the present experiment, two perpendicularly positioned targets were ablated in a nitrogen atmosphere, the substrates were kept at room temperature. The Titanium target was ablated under the same conditions (so as to obtain on the substrate the same mean kinetic ion energy and plasma density) for all the deposits of the present study, and the plasma parameters of the ablated carbon target were changed, so as to study the properties of the material as a function of the degree of bombardment due the variation of energy and density of the carbon ions. The deposited films are a composite of nanocrystals of TiN, of about 15 nm, with a preferred orientation in the (111) direction and an amorphous carbon-nitrogen

matrix, as it could be observed from the XRD and Raman meassurements. It is also reported the hardness of the films, obtained by nanoindentation as a function of the degree of bombardment. There exists an optimum value of the degree of bombardment, at which a maximum hardness value of 33 GPa was obtained. Some depositions were carried out on 4140 stainless steel, in order to run scratch tests, where a maximum critical load of 22 N was obtained. PYV-2 Análisis de la colisión de dos plasmas inducidos por láser. D. Mustri-Trejo1*, C. Sánchez-Aké1, T. García2, M. Villagrán-Muniz1

1Centro de Ciencias Aplicadas y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México, Apartado Postal 70-186, México DF. 04510, México. 2Universidad Autónoma de la Ciudad de México (UACM), Prolongación San Isidro 151, Col. San Lorenzo Tezonco, México DF, C.P. 09790, México. *mustrejo@gmail.com La colisión entre plasmas inducidos por láser y los fenómenos involucrados durante este proceso conforman un campo de estudio que, desde su aparición a principios de los 70’s, ha sido poco explorado y explotado por la alta complejidad de los fenómenos físicos comprendidos y del arreglo experimental requerido. En particular, gran parte de los experimentos desarrollados requieren de altos presupuestos derivados del uso de láseres de alta densidad de potencia. Tales investigaciones se enfocan al estudio y diseño de cavidades de fusión por confinamiento inercial y a la amplificación de rayos X, así como la simulación de plasmas interestelares [1,2]. Recientemente se han desarrollado nuevos experimentos a energías más moderadas y escalas más pequeñas aplicadas a la simulación de fenómenos astrofísicos y al depósito de películas delgadas. Por otro lado, en el campo de la espectroscopía de rompimiento inducida por láser (Laser Induced Breakdown Spectroscopy, LIBS), la colisión/interacción de plasmas se utiliza para optimizar la caracterización de materiales[3]. Con el fin de incrementar la intensidad de emisión se han

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desarrollado diversas configuraciones experimentales que involucran distintas geometrías y sincronías entre los plasmas. No obstante, la mayoría de estos experimentos se han desarrollado a presión atmosférica y los procesos físicos involucrados no están entendidos del todo. En este trabajo se estudió la interacción de dos plasmas inducidos por láser en vacío (5x10-6 torr) en una configuración alternativa a las técnicas convencionales de LIBS. En este arreglo, los blancos se colocan uno frente a otro, de modo que los plasmas posean la misma dirección de expansión pero sentido contrario. Los plasmas se generaron con un láser de excímero (KrF) emitiendo a 248 nm y un láser de Nd:YAG emitiendo en 1064 nm que actúan sobre un blanco de cobre y uno de carbono respectivamente. Por medio de espectroscopía de emisión resuelta en tiempo y fotografía rápida se estudió la intensidad de emisión de las distintas especies en función del retraso entre láseres. Para una distancia entre blancos de ∼ 16 mm, los cambios más sobresalientes en la emisión se dieron para un retraso entre láseres de 500 a 600 ns. En esta condición, la emisión de los iones de cobre se intensificó, mientras que la intensidad de emisión de los átomos neutros de cobre disminuyó considerablemente. Por otro lado, la emisión de las especies atómicas de carbono observadas se redujo y se generaron especies moleculares C2. La intensificación del primer plasma se debe a la ionización y excitación de los átomos neutros de cobre promovidos por la interacción con el plasma de carbono. [1] Harilal S. S., Bindhu C. V., Shelvenko V. P. ,

Kunze H-J., J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 34 (2001) 3717-3726.

[2] Hough P., McLoughin C., Kelly T. J., Hayden P., Harilal S. S., Monsier J. P., Costello J. T., J. Phys. D: Appl. Phys. 42 (2009) 055211-1-6

[3] Babushok V. I., DeLucia Jr. F. C., Gottfried J. L., Munson C. A., Miziolek A. W., Spectrochim. Acta Part B 61 (2006) 999-1014.

PYV-03 Preparación de superficies de madera hidrófobas por polimerización descargas luminiscentes a presión atmosférica. A. J. Martínez -Gómez1,* M.G. Gutiérrez-Córdova 2, G. Toriz-González2

1 Departamento de Ingeniería Química, Universidad de Guadalajara, Blvd. M. García Barragán 1421, C.P. 44330, Guadalajara, Jalisco México. 2 Departamento de Madera, Celulosa y Papel, Universidad de Guadalajara, km 15.5 Carretera Guadalajara –Nogales C.P. 45110, Zapopan Jalisco, México. *alvaro.martinez@cucei.udg.mx Piezas de chapa de madera seca (17 x 17 mm2) fueron tratadas con descargas luminiscentes (GD) en metano, etileno, hexafluoropropeno y clorotrifluoroetileno bajo diferentes condiciones de frecuencia y tiempo de exposición. Las descargas luminiscentes fueron generadas en un reactor de platos paralelos por la aplicación de alta tensión. El carácter hidrófobo de la superficie de madera modificada por polimerización-GD fue analizado por ángulo de contacto, mientras la repelencia al agua fue evaluada por la obtención del perfil de la rapidez de absorción de agua. Por uso de la metodología de superficie de respuesta, se determinó que el tipo gas precursor de las GD necesita condiciones de reacción especificas para lograr un máximo ángulo de contacto (hidrofobicidad). La polimerización-GD en hexafluoropropeno fue la de mejor respuesta a la hidrofobicidad con un valor de ángulo de contacto de 145.2°, misma que mostró la mayor repelencia al agua líquida con un factor de 6 veces menor de absorción respecto a la muestra sin tratamiento. La espectroscopia de fotoelectrones de rayos-X estableció significativos incrementos de concentración atómica de carbono (8-23.2%), flúor (28.9-49.2%) y cloro (4.5%) para las superficies de maderas modificadas por polimerizaciónes-GD. La relativa composición química de los espectros de C 1s después de las polimerizaciónes-GD en etileno y metano, mostraron incrementos de grupos de átomos carbono enlazados solo con átomos de carbono e hidrógeno y las disminuciones para los grupos –COH, -C=O y –COOH. Por otro lado, el espectro de C 1s de la polimerización-GD en hexafluoropropeno mostró incrementos importantes de concentraciones de los grupos –C-CF, -CF-CFn -CF, -CF2 y -CF3, mientras el espectro de C1s de la polimerización-GD en clorotrifluoroetileno mostró también importantes incrementos de los grupos –CF2 y –CClF.

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PYV-04. Oxidación de carbón activado usando un sistema reacción hibrido de lecho fluidizado-descargas luminiscentes a presión atmosférica. A. de J. Martínez-Gómez 1,*, M.A. Sánchez-Castillo2, L.E. Cruz-Barba1 1 Departamento de Ingeniería Química, Universidad de Guadalajara, Blvd. M. García Barragán 1421, C.P. 44330, Guadalajara, Jalisco México. 2 Facultad de Ciencias Químicas, Universidad Autónoma de San Luís Potosí, Av. M. Nava 6, C.P. 78210, San Luis Potosí S.L.P., México *alvaro.martinez@cucei.udg.mx Se estudió la oxidación de carbón activado en polvo por el acoplamiento de condiciones de reacción a presión atmosférica de los parámetros de fluidización y de descargas luminiscentes (GD) en aire seco. Se colocaron dos electrodos en posición coaxial en un tubo de vidrio Pyrex, mismo que fungió como cámara de reacción. Un electrodo fue una malla de cobre que envolvió el diámetro exterior de la cámara de reacción, mientras el electrodo interior y estresado fue una varilla de cobre cubierta con tubo de vidrio Pyrex. La generación de las microdescargas fue utilizando una fuente de alto tensión con frecuencia variable. El carbón activado pulverizado fue empacado con partículas secas a una relación igual a 1 de diámetro de la cámara de reacción/altura de lecho fijo. Libre de partículas de carbón activado, se empleó la metodología de superficie de respuesta para optimizar la producción de ozono y establecer los parámetros (frecuencia, velocidad del aire seco y distancia interelectródica) de operación del reactor coaxial de descargas luminiscentes. Los valores óptimos de las variables estudiadas arrojaron un máximo en la producción de ozono a una frecuencia de 103.7 Hz, a una velocidad de aire seco de 0.0575 m/s y a una distancia interelectródica de 0.007 m. Se estableció el valor óptimo de la velocidad superficial del aire como parámetro para llevar a cabo la oxidación de carbón activado. Este correspondió a 5.28 veces la velocidad mínima de fluidización, lo que garantizó un movimiento traslacional de las partículas en el lecho. Por espectroscopia de

fotoelectrones de rayos-X se determinó incrementos de la concentración atómica de oxígeno (% O 1s) de 3.8-12.1 % en las partículas tratadas. Se evaluó el efecto de la frecuencia sobre la concentración atómica de oxígeno a diferentes tiempos de exposición. Los perfiles mostraron un máximo de % O 1s a una frecuencia de 103.7 Hz, misma que resultó congruente con el valor óptimo de la producción de ozono. Los espectros de alta resolución de C 1s de las partículas tratadas con GD en aire mostraron incrementos en las concentraciones referentes a los grupos funcionales –COH, -C=O y –COOH, y la disminución de grupos de átomos de carbono enlazados solo con átomos de carbono e hidrógeno. Imágenes de SEM mostraron que el polvo de carbón activado mantuvo estabilidad mecánica durante los tratamientos y que sus superficies fueron modificadas uniformemente. El análisis de área superficial BET indicaron que polvos tratados con GD en aire preservó prácticamente su valor inicial. PYV-05. Atomic hydrogen etching of silicon dioxide. O. Peña1, S. Muhl1, W. López1, L. Rodríguez-Fernández2, J. L. Ruvalcaba-Sil2

1Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, AP 70-360, México, D.F. 04510, México. 2Instituto de Física, Universidad Nacional Autónoma de México, AP 20-364, México, D.F. 01000, México Corresponding autor : Stephen Muhl muhl@servidor.unam.mx Chemical etching of various materials has been observed when hydrogen plasmas are used in material processing. In the case of the deposition of diamond films the preferential etching of sp2 bonded carbon is considered to be of fundamental importance. Similarly, recent reports have described the growth of crystalline silicon films by the low temperature atomic hydrogen etching of a silicon source and the deposition by the thermal decomposition of the etched molecules on a hot substrate. A few papers have been published which have indicated that etching by hydrogen ions is different to that by hydrogen atoms. In this paper we describe the etching of silicon dioxide by hydrogen which was plasma-activated in a

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molybdenum-lined RF hollow cathode. The etch rate was seen to be thermally activated but decreased with increasing plasma power. The addition of a few percentage of helium increased the etch rate. The application of a -50 V bias to the sample holder almost doubled the etch rate indicating the importance of ion bombardment for the chemical reaction. At high plasma powers and substrate temperatures in excess of 450 oC a thin molybdenum deposit was formed on the quartz samples. PYV-06 Estudio del plasma de ablación láser usado en la formación de a-C. V.H. Castrejón-Sánchez1*, Enrique Camps1,2 y L. Escobar-Alarcón1,2. 1Facultad de Química, Universidad Autónoma del Estado de México, Paseo Colón y Tollocan, Toluca, 50110, México. 2Departamento de Física, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Apartado Postal 18-1027, México DF 11801, México. *vic110579@hotmail.com Se depositaron películas de carbono amorfo utilizando un plasma de carbono mediante la ablación láser de un blanco de grafito. La ablación láser se llevó cabo con láser pulsado Nd:YAG que emite en su línea fundamental con una duración de pulso 5 ns. Al plasma producido, se le realizó un diagnostico por medio de sondas electrostáticas (sondas de Langmuir) y por Espectroscopia de Emisión Óptica (OES). Con estás técnicas fue posible conocer la energía cinética promedio de los iones (Ep), la densidad de plasma (Np) y la principal especie química excitada presente en la descarga. Por medio de OES se encontraron las especies excitadas de carbono en el plasma (C+, C++ y C2). Siendo el C+ el que emitía con mayor intensidad y que tenia un tiempo de vida mucho mayor después del pulso láser. Por lo que se asume que esta especie es el principal componente del plasma. Considerando lo anterior, fue posible obtener la Ep y se eligieron 4 regímenes de energía: 50, 100, 200 y 300 eV. Para realizar los depósitos de las películas delgadas de a-C, la energía de iones se mantuvo constante y como variable Np desde 1 x 1012 cm-3 hasta 7 x 1013 cm-3. Los depósitos fueron caracterizados por espectroscopia Raman, por nanoindentación y por el método

de cuatro puntas, a fin de obtener la estructura, la dureza y la resistividad volumétrica respectivamente. Los valores máximos de dureza (~ 31 GPa) y resistividad (~9x1011 Ω*cm) fueron obtenidos cuando Ep=200eV y Np=6x1013cm-3. Los resultados nos mostraron que la tendencia de la estructura de las películas depositadas, determinada por la espectroscopia Raman coincide con el comportamiento de la dureza y la resistividad de las muestras depositadas. Esto concuerda con el modelo de subplantación, de modo que una mayor energía de iones provoca una disminución en las propiedades medidas. Los resultados obtenidos nos permiten concluir que las propiedades del a-C depositado, dependen fuertemente del valor de la energía y de la densidad de los iones que arriban al sustrato donde crece la película delgada. PYV-07 Caracterización de películas obtenidas por vía PECVD de oligosiloxanos Q xMy. Oscar Lira-Negrete1, Juan Morales-Corona2, Alberto Herrera3, Antonio Villegas-Gasca1, Jorge Cervantes-Jáuregui1

1Chemistry Department, Universidad de Guanajuato, Noria Alta s/n, C.P. 36050, Guanajuato, Gto. México.e-mail: ojlira@quijote.ugto.mx, jauregi@quijote.ugto.mx 2Physics Department, Universidad Autónoma Metropolitana-Iztapalapa. México, D.F. 3CINVESTAV-Querétaro. Querétaro, México 76000. Recientemente hemos reportado la aplicación de hexametildisiloxano por vía PECVD con la finalidad de proteger canteras [1]. Esto ha demostrado que la polimerización por plasma puede ser utilizada para modificar propiedades superficiales de los sustratos sin modificar sus demás propiedades. Éste proceso es rápido, uniforme y barato. Una ventaja de ésta técnica es que se evita el uso de componentes volátiles orgánicos (VOC’s, disolventes). En este trabajo se ha utilizado la PECVD (Plasma Enhanced Vapor Chemical Deposition) de QM4, tetrakis(trimetilsililoxi)silano, para generar películas delgadas con la finalidad de de mejorar las propiedades superficiales de diferentes sustratos (cuero y vidrio por ejemplo). El QM4 (Q= SiO4/2, M= (CH3)3SiO1/2) fue obtenido por medio de la reacción de

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trimetilsililación de silicatos naturales [2]. Los sustratos fueron expuestos al plasma de los siloxanos (QM4 y HMDS) utilizando diferentes condiciones de potencia del plasma y tiempo de exposición. En general la polimerización por plasma de QM4 genera recubrimientos con propiedades interesantes.El aspecto principal que se va a discutir en esta presentación será la caracterización de las películas generadas. Con la finalidad de caracterizar las películas han sido utilizadas varias técnicas, tales como: AFM, SEM, FTIR, medición de ángulo de contacto, pruebas de permeabilidad al vapor de agua. Particularmente el enfoque estará dirigido a la información obtenida por medio de XPS. [1] López-Barrera, J.A., Morales, J., Cervantes, J., and Olayo, R. J. of Applied Organomet. Chem., 21, 10, 858 (2007) [2] Caudillo, M., Sandoval, C., Cervantes, J. J. of Applied Organomet. Chem. (2006), 20, 382-392. Agradecimientos: agradecemos a CONACYT el apoyo proporcionado a este proyecto.

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SIMPOSIO DE POLÍMEROS. Polymers POL P01 Efectos del disolvente en la síntesis del poli (3-hidroxibutirato-g-acetato de vinilo) obtenido por copolimerización radio-inducida. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2 1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México * mikegcu@gmail.com En este trabajo se estudió el efecto de diferentes disolventes en la copolimerización por injerto radio-inducido del acetato de vinilo en el poli (3-hidroxibutirato). La estructura de los copolímeros obtenidos se determinó por las técnicas de Análisis Termo gravimétrico (ATG) y Calorimetría Diferencial de Barrido (DSC). De los resultados del análisis térmico se encontró que el disolvente más adecuado para la síntesis de copolimerización por injerto radio-inducido es el hexano. Sin embargo, el mayor grado de injerto corresponde a la reacción en masa. Por otro lado, se encontraron variaciones los parámetros termodinámicos obtenidos. Tanto la temperatura de cristalización como la entalpía de fusión de los copolímeros decrecieron con el incremento del grado de injerto. Estas variaciones implican cambios en el comportamiento de la cristalización y decremento en la cristalinidad del material. [1] Mitomo, H. and Enjôji, T., Watanabe Y., Yoshii F., Makuuchi K., Saito T., J. M. S.- Pure Appl. Chem., 1995 A32(3): 429-442 [2] Bahari, K., Mitomo, H., Enjoji, T., Hasegawa, S., Yoshii, F., Makuuchi, K., Die Angewandte Makromolekulare Chemie 1997; 250(4352): 31-44 [3] Mitomo, H., Watanabe, Y., Yoshif, F. and Makuuchf, K., Radiat. Phys. Chem., 1995. 46(2): 233-238

[4] Jiang, T., Hu, P., Polymer Journal ,2001. 33(9): 647-653 [5] - Grøndahl L., Chandler-Temple A. and Trau M. Biomacromolecules. 2005. 2197-2203 [6]- Yuki Wada, Hiroshi Mitomo et al. 2006. J Appl Polym Sci., 101: 3856–3861 [7]- Yuki Wada et al. 2007. Radiation Physics and Chemistry, 76: 1075-1083. Agradecimientos: Los autores agradecen la colaboración la Mtra. Silvia Solís, Blanka Huerta y Guadalupe Méndez y demás colaboradores del Centro de Química Aplicada (CIQA), así como al técnico en vidrio Joaquín Iglesias del Centro de Biomateriales-UH. POL P02 Síntesis y caracterización físico-química del poli (3-hidroxibutirato-g-acrilamida) obtenido por copolimerización de injerto radio-inducida. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2 1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México * mikegcu@gmail.com En este trabajo se realizó la síntesis del copolímero por injerto poli (3-hidroxibutirato-g-acrilamida) P (HB-g-AAm) por copolimerización de injerto radio-inducido del monómero acrilamida en el PHB. El estudio se llevó a cabo por el método de la irradiación simultánea. La estructura del copolímero se identificó por espectroscopia Infrarrojo por Transformada de Fourier (FTIR). Además se realizó el estudio térmico del compuesto obtenido por análisis termo-gravimétrico (ATG) y calorimetría diferencial de barrido (DSC). De los resultados se encontraron señales (vibraciones de valencia -N-H) por FTIR que constituyen una importante evidencia de la reacción de injerto. El grado de injerto determinado por ATG fue de 10% y se detectaron cambios en los parámetros termodinámicos estudiados por DSC, que muestran una disminución de la cristalinidad y un aumento de la temperatura de transición

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vítrea. Los resultados demostraron la formación del copolímero por injerto inducido por radiaciones gamma. [1] Mitomo, H. and Enjôji, T., Watanabe Y., Yoshii F., Makuuchi K., Saito T., J. M. S.- Pure Appl. Chem., 1995 A32(3): 429-442 [2] Bahari, K., Mitomo, H., Enjoji, T., Hasegawa, S., Yoshii, F., Makuuchi, K., Die Angewandte Makromolekulare Chemie 1997; 250(4352): 31-44 [3] Mitomo, H., Watanabe, Y., Yoshif, F. and Makuuchf, K., Radiat. Phys. Chem., 1995. 46(2): 233-238 [4] Jiang, T., Hu, P., Polymer Journal 2001. 33(9): 647-653 [5] - Grøndahl L., Chandler-Temple A. and Trau M.,. Biomacromolecules. 2005. 2197-2203 [6]- Yuki Wada, Hiroshi Mitomo et al. 2006. J Appl Polym Sci., 101: 3856–3861 [7]- Yuki Wada et al. 2007. Radiation Physics and Chemistry, 76: 1075-1083. Agradecimientos: Los autores agradecen la colaboración la Mtra. Silvia Solís, Blanka Huerta y Guadalupe Méndez y demás colaboradores del Centro de Química Aplicada (CIQA), así como al técnico en vidrio Joaquín Iglesias del Centro de Biomateriales-UH. POL P03 Síntesis y caracterización físico-química del poli (3-hidroxibutirato-g-metacrilato de butilo) obtenido por copolimerización radio-inducida. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2 1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México * mikegcu@gmail.com En el presente trabajo se realizó la síntesis del copolímero por injerto poli (3-hidroxibutirato-g-metacrilato de butilo) P (HB-g-MBu) por copolimerización de injerto radio-inducido del monómero metacrilato de butilo en el PHB para mejorar sus propiedades hidrofílicas. Se estudió

el efecto de diferentes disolventes en la reacción de copolimerización. El estudio se llevó a cabo por el método de la irradiación simultánea. La estructura del copolímero P (HB-g-MBu) se identificó por espectroscopia Infrarrojo por Transformada de Fourier (FTIR). Adicionalmente, se realizó el estudio térmico del material obtenido por análisis termo-gravimétrico (ATG) y calorimetría diferencial de barrido (DSC). Los resultados obtenidos indican que no hay diferencias significativas en el análisis FTIR. Sin embargo, se obtuvieron puntos de fusión desdoblados, decremento en la cristalinidad del material y desviaciones en el comportamiento de la cristalización, lo cual es consistente con la formación de un copolímero por injerto. Los estudios de hinchamiento del material indican que se incrementó la absorción de agua. Esto indica que la reacción de injerto mejoró las características hidrofílicas del PHB. [1] Mitomo, H. and Enjôji, T., Watanabe Y., Yoshii F., Makuuchi K., Saito T., J. M. S.- Pure Appl. Chem., 1995 A32(3): 429-442 [2] Bahari, K., Mitomo, H., Enjoji, T., Hasegawa, S., Yoshii, F., Makuuchi, K., Die Angewandte Makromolekulare Chemie 1997; 250(4352): 31-44 [3] Mitomo, H., Watanabe, Y., Yoshif, F. and Makuuchf, K., Radiat. Phys. Chem., 1995. 46(2): 233-238 [4] Jiang, T., Hu, P., Polymer Journal 2001. 33(9): 647-653 [5] - Grøndahl L., Chandler-Temple A. and Trau M. Biomacromolecules. 2005. 2197-2203 Agradecimientos: Los autores agradecen la colaboración la Mtra. Silvia Solís, Blanka Huerta y Guadalupe Méndez y demás colaboradores del Centro de Química Aplicada (CIQA), así como al técnico en vidrio Joaquín Iglesias del Centro de Biomateriales-UH. POL P04 Síntesis y caracterización físico-química del poli (3-hidroxibutirato-g-ácido metacrílico) obtenido por copolimerización radio-inducida. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2

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1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México * mikegcu@gmail.com El poli (3-hidroxibutirato) PHB es un poliéster termoplástico obtenido microbiológicamente. Este polímero es biocompatible y biodegradable. Sin embargo es un material moderadamente hidrofóbico, lo que podría ser una limitante para su aplicación. En el presente trabajo se realizó la síntesis del copolímero por injerto poli (3-hidroxibutirato-g-ácido metacrílico) P (HB-g-MA) por copolimerización de injerto radio-inducido del monómero ácido metacrílico en el PHB para mejorar sus propiedades hidrofílicas. Se estudió el efecto de diferentes disolventes en la reacción. El estudio se llevó a cabo por el método de la irradiación simultánea. La estructura del copolímero se identificó por espectroscopia Infrarrojo por Transformada de Fourier (FTIR). Además se realizó el estudio térmico del compuesto obtenido por análisis termo-gravimétrico (ATG) y calorimetría diferencial de barrido (DSC). Los resultados obtenidos son consistentes con la obtención de un copolímero por injerto. Los estudios de hinchamiento del material indican que se incrementó la absorción de agua. Por tanto, la reacción de injerto mejoró las características hidrofílicas del material de partida. [1] Mitomo, H. and Enjôji, T., Watanabe Y., Yoshii F., Makuuchi K., Saito T., J. M. S.- Pure Appl. Chem., 1995 A32(3): 429-442 [2] Bahari, K., Mitomo, H., Enjoji, T., Hasegawa, S., Yoshii, F., Makuuchi, K., Die Angewandte Makromolekulare Chemie 1997; 250(4352): 31-44 [3] Mitomo, H., Watanabe, Y., Yoshif, F. and Makuuchf, K., Radiat. Phys. Chem., 1995. 46(2): 233-238 [4] Jiang, T., Hu, P., Polymer Journal 2001. 33(9): 647-653 [5] - Grøndahl L., Chandler-Temple A. and Trau M. Biomacromolecules. 2005. 2197-2203 [6]- Yuki Wada, Hiroshi Mitomo et al. 2006. J Appl Polym Sci., 101: 3856–3861 [7]- Yuki Wada et al. 2007. Radiation Physics and Chemistry, 76: 1075-1083.

Agradecimientos: Los autores agradecen la colaboración la Mtra. Silvia Solís, Blanka Huerta y Guadalupe Méndez y demás colaboradores del Centro de Química Aplicada (CIQA), así como al técnico en vidrio Joaquín Iglesias del Centro de Biomateriales-UH. POL P05 Síntesis y caracterización físico-química del poli (3-hidroxibutirato-g-alcohol vinílico) obtenido por copolimerización radio-inducida. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2 1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México * mikegcu@gmail.com En este trabajo se realizó la síntesis del copolímero por injerto poli (3-hidroxibutirato)-g- alcohol polivinílico [P (HB-g-VOH)] por copolimerización de injerto radio-inducido del monómero acetato de vinilo en el PHB y su posterior hidrólisis. El estudio se llevó a cabo por el método de la irradiación simultánea. La estructura del copolímero se identificó por espectroscopia Infrarrojo por Transformada de Fourier (FTIR). Además, se realizó el estudio térmico del compuesto obtenido por Calorimetría Diferencial de Barrido (DSC). De los resultados obtenidos se encontraron señales (vibraciones de valencia -OH) por FTIR que constituyen una importante evidencia de la formación del copolímero. Se detectaron cambios en los parámetros termodinámicos estudiados por DSC, que muestran una disminución de la cristalinidad el material. El material obtenido tiene un gran potencial para ser utilizado en la bioingeniería en la nano-encapsulación y en la inmovilización de proteínas. [1] Mitomo, H. and Enjôji, T., Watanabe Y., Yoshii F., Makuuchi K., Saito T., J. M. S.- Pure Appl. Chem., 1995 A32(3): 429-442 [2] Bahari, K., Mitomo, H., Enjoji, T., Hasegawa, S., Yoshii, F., Makuuchi, K., Die Angewandte

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Makromolekulare Chemie 1997; 250(4352): 31-44 [3] Mitomo, H., Watanabe, Y., Yoshif, F. and Makuuchf, K., Radiat. Phys. Chem., 1995. 46(2): 233-238 [4] Jiang, T., Hu, P., Polymer Journal 2001. 33(9): 647-653 [5] - Grøndahl L., Chandler-Temple A. and Trau M. Biomacromolecules. 2005. 2197-2203 [6]- Yuki Wada, Hiroshi Mitomo et al. 2006. J Appl Polym Sci., 101: 3856–3861 [7]- Yuki Wada et al. 2007. Radiation Physics and Chemistry, 76: 1075-1083. Agradecimientos: Los autores agradecen la colaboración la Mtra. Silvia Solís, Blanka Huerta y Guadalupe Méndez y demás colaboradores del Centro de Química Aplicada (CIQA), así como al técnico en vidrio Joaquín Iglesias del Centro de Biomateriales-UH. POL 06 Copolimerización por injerto radio-inducida de monómeros hidrofílicos en los polihidroxialcanoatos. M. González-Torres1,*, A. Perez-González1, M. González-Perez1, A.H. Heredia Jiménez1, S.G. Solís Rosales2, Blanka Huerta2, Guadalupe Mendez2 1 Universidad Popular Autónoma de Puebla.21Sur 1103 Colonia Santiago C.P 72160, Puebla, Pue. México 2 Centro de Investigación en Química Aplicada. Blvd Enrique Reyna, Hermosillo #140, Saltillo, Coahuila, México * mikegcu@gmail.com Los polihidroxialcanoatos son una familia de polímeros verdes. El polihidroxibutirato (PHB) es el primer miembro de esta familia. Es un poliéster, termoplástico, biodegradable, obtenido microbiológicamente. Es valorado como material estratégico por ser de origen de fuente renovable, e importante para usar en el campo de la bioingeniería. Este material es moderadamente hidrofóbico, esto puede ser un inconveniente en sus aplicaciones, por lo que se hace necesario estudiar su modificación. Una contribución a la solución de este problema significaría un aporte científico novedoso de utilidad práctica. Por lo expuesto anteriormente es que en este trabajo se realizó la síntesis de

una familia de materiales poliméricos a partir de la reacción de copolimerización por injerto radio-inducida de monómeros hidrofílicos en el PHB por el método de la irradiación simultánea. Se escogieron monómeros típicos: acetato de vinilo, acrilamida, ácido metacrílico y metacrilato de butilo. El estudio se llevó a cabo por el método de la irradiación simultánea. Los materiales obtenidos fueron caracterizados por diferentes técnicas espectroscópicas y otras técnicas como análisis termo-gravimétrico (ATG) y calorimetría diferencial de barrido (DSC). Los resultados obtenidos demuestran que se obtuvieron copolímeros de injerto novedosos que podrían ser utilizados en la nanotecnología. [1] Mitomo, H. and Enjôji, T., Watanabe Y., Yoshii F., Makuuchi K., Saito T., J. M. S.- Pure Appl. Chem., 1995 A32(3): 429-442 [2] Bahari, K., Mitomo, H., Enjoji, T., Hasegawa, S., Yoshii, F., Makuuchi, K., Die Angewandte Makromolekulare Chemie 1997; 250(4352): 31-44 [3] Mitomo, H., Watanabe, Y., Yoshif, F. and Makuuchf, K., Radiat. Phys. Chem., 1995. 46(2): 233-238 [4] Jiang, T., Hu, P., Polymer Journal 2001. 33(9): 647-653 [5] - Grøndahl L., Chandler-Temple A. and Trau M. Biomacromolecules. 2005. 2197-2203 [6]- Yuki Wada, Hiroshi Mitomo et al. 2006. J Appl Polym Sci., 101: 3856–3861 [7]- Yuki Wada et al. 2007. Radiation Physics and Chemistry, 76: 1075-1083. POL P07 Efecto de la modificación química del SiO 2 y

de fibras y microfibrilas de celulosa en las propiedades de compósitos de PVC J.F San Juan-Araiza1, M.A. Cortes-Ayala2, M. Mondragón2,* 1ESIQIE-IPN, Edificio 7, U. P. Adolfo López Mateos, 07730, México D.F., México. 2ESIME- IPN Unidad Azcapotzalco, Av de las Granjas 682, Col. Sta. Catarina, 02250 México, D.F., México. * mmondragon@ipn.mx Se prepararon compósitos de PVC con fibras y microfibrilas de celulosa extraídas de las hojas de la mazorca de maíz, así como también con partículas de SiO2. Las fibras y microfibrilas de celulosa se trataron con un agente de

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acoplamiento del tipo silano y las partículas de SiO2 con isocianatos. La modificación de las cargas se confirmó por espectroscopía de infrarrojo con transformadas de Fourier (FTIR). Las propiedades mecánicas de los compósitos de PVC se evaluaron en pruebas de tensión y la morfología de la superficie fallada en estas probetas se examinó con microscopía electrónica de barrido (SEM). Los resultados indican que la incorporación de ninguna de estas cargas modificadas disminuye ligeramente la resistencia del PVC sin embargo, su rigidez y elongación disminuyen notablemente. Las imágenes por SEM evidencian que no hay buena adhesión entre las cargas modificadas y la matriz de PVC excepto, con las microfibrilas de celulosa tratadas. Se agradece el apoyo económico de la Secretaría de Investigación y Posgrado (SIP) del IPN y la asistencia técnica de M.E. Sánchéz-Espíndola (ENCB-IPN). POL P08 Thermal and rheological characterization of pectinic polymers from Crataegus pubescens (Tejocote) as gelling elements J. A. Linares-García, E. G. Ramos-Ramírez, M. P. Méndez-Castrejón, J. A. Salazar-Montoya*. Departamento de Biotecnología y Bioingeniería del CINVESTAV-IPN, Av. IPN 2508 col. San Pedro Zacatenco, C.P. 07360 México D.F. * jsalazar@cinvestav.mx Pectin is a vegetal biopolymer strongly used in food industry as gelling, thickening and stabilizing agent. The functional properties as gelling agent of this biopolymer depends on its specie and the extraction method because pectin is affected by changes in temperature or pH used Crataegus pubescens fruits have a high pectinic content and could be important in the food industry since its functional properties [1]. Main goal of this work was the characterization of thermal and rheological properties of Crataegus pubescens pectin harvested in Teoloyucan, México, to investigate its potential as a gelling agent. Ripe fruits of Crataegus p. were collected in the morning and pulp was extracted from fruits to obtain pectin. A characterization of galacturonic acid and methoxyl group contents was made. Gels of

pectin from citric and Crataegus p. fruits were made and both were studied in a low stress rheometer (Paar Physica LS100) with a plate-plate geometry, Formulation of gels includes sucrose and citric acid (J.T. Baker, México) and citric pectin (Sigma Chemical, Co. USA). Although thermal properties of pectins were analyzed using a Differential Scanning Calorimeter (DSC 2010, TA Instruments, USA). Crataegus p. pectin could be classified as high methoxyl pectin, with esterification degree > 80 % and with a purity of 72 % like galacturonic acid content. In addition, comparative analysis of the rheological oscillatory measurements of pectin gels established that Crataegus p. gels had greater resistance against stress, which makes to suppose that it was formed a more stable structure. Thermograms established that both pectins have an exothermic peak between 230 and 240ºC, even though Crataegus p. pectin, required almost fifty percent more heat to reach that temperature. Both thermal and rheological analysis make to suppose that molecular structure of the pectinic polymers of Crataegus p. can establish more links points and those points give more stability to the gels, this effect can be caused by a greater homogeneity in homogalacturonic chains, making easier formation of gels and avoiding interferences caused by ramifications in the molecule. [1] Higareda, R. A., Salazar, M. J. A., Ramos, R. E. G. Revista Chapingo, Horticultura. 4 (1995) 161-163. [2] Blumenkrantz, N. and Asboe-Hansen, G. Anal Biochem. 54 (1973) 484-489. Acknowledgement: The authors acknowledge the scholarship support of CONACYT to JALG. POL P09 Flow behavior of binary mixtures of gellan R. E. González-Cuello1, E. G. Ramos-Ramírez 1, A. Cruz-Orea2, A. Totosaus Sánchez3. J. A. Salazar-Montoya1*. 1 Departamento de Biotecnología y Bioingeniería, CINVESTAV-IPN, Av. IPN 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360 México, D.F. 2 Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, Av. IPN 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360 México, D.F.

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3Laboratorio de Alimentos, Tecnológico de Estudios Superiores de Ecatepec (TESE). Av. Tecnológico esq. Av. Central s/n, Ecatepec C.P. 55210, Estado de México. * jsalazar@cinvestav.mx The gellan gum is a lineal, anionic polysaccharide secreted by Sphingomonas elodea, is a tetrasaccharide composed repeating unit of β-1,3-D-Glucose, β-1,4-D glucuronic acid, β-1,3-D-Glucose, α-1,4-L-rhamnose and two group acyl; acetate and glycerate, this native gellan also called high acyl. The commercial gellan of low acyl is obtained by removal of the acyl groups, with a strong alkali treatment [1]. In a general way the gellan of high acyl (HA) forms soft and elastic gels while that of low acyl gellan (LA) forms firm and brittle gels. The mixtures of gellan HA/LA can produce a wide range of textures [2] that can have industrial applications. In this study was determined the flow behavior of gellan of HA and LA to 0,2% and its relationships 25/75 HA/LA, 50/50 HA/LA, 75/25 HA/LA. Each one of these proportions was treated: with heating (90ºC), without heating, with calcium (0.0125%) and without calcium. The determinations were carried out in a rheometer of low stress LS 100 (Paar Physica, Germany) with of concentric cylinders DG-1. The studied mixtures showed a non-Newtonian behavior, shear thinning type, in which the viscosity decreased when the shear rate increased; contrasting with the samples of low acyl gellan that presented a behavior shear thickening type, being observed an increase of the viscosity with the increment of the shear rate. The Ostwald of Waele model was used to obtain the rheological parameters, obtaining correlation coefficients (R2) between 0,9903 and 1.0 indicating an adequate match. The individual samples of high acyl gellan with heating (13,8 Pas) and with heating more calcium (21,2 Pas) exhibited the biggest viscosities, while the dispersions of low acyl gellan with calcium (0,00418 Pas) and without calcium (0,00428 Pas) showed the smallest viscosities. In the binary mixtures 75/25 HA/LA a marked influence of the thermal treatment was presented on the viscosity and the consistency coefficient (K) of the samples with calcium and without calcium, with regard to those that were not treated thermally. The values of K were directly proportional to viscosity, finding the biggest coefficients by the samples of high acyl gellan with heating more calcium (22,2071Pasn).

[1] Huang, Y., Tang, J., Swanson, B., Rasco, B. Carbohydrate Polymers, 54 (2003) 517-522. [2] Mao, R., Tang, J., Swanson, B. Carbohydrate Polymers, 41(2000) 331-338. Acknowledgment: The authors wish to thank the CONACYT for the scholarship Nº 296286 to REGC and Márquez Robles M for the technical support. POL P10 Concentration effect in the flow behavior of potato starches J. P. Gómez-Ocampo, E. G. Ramos-Ramírez, M. Márquez-Robles, J. A. Salazar-Montoya*. Departamento de Biotecnología y Bioingeniería, CINVESTAV-IPN Av. IPN 2508 Col. San Pedro Zacatenco C.P. 07360, México D.F., México. * jsalazar@cinvestav.mx The early harvest potato has about 80% water and approximately 20% of dry matter. Between 60 and 80% of dry matter is starch [1]. The potato starches present diverse uses mainly food and pharmaceutical industries [2]. In this study two commercial potato starches were studied, in which flow behavior were determined them at different concentrations. The viscosity depends on concentration, whereas the increase of concentration of dispersion makes the increase of viscosity. The aim of this study was to determine the rheological behavior of starches potato in function of concentration. The flow behavior of two starches was determinate: PP® UM (unmodified pregelatinized potato starch), PB® 1020 (modified potato starch) [3]. The rheometer used was Paar-Physica model LS100, with concentric cylinder arrangement (DG1). Samples of 100 mL were prepared for each concentration (1, 2, y 4%). Dispersions presented different viscosities; the dispersion corresponds to PB® 1020 have less opaque aspect with regard to PP® UM dispersion, moreover had incipient gel formation on this last dispersion. The flow behavior determinate was non-Newtonian, of type shear-thinning where apparent viscosity decrease when increase shear rate. The reason of this behavior is because when the velocity upgrade it’s deform and reorganize particles in the flow, starting a less flow resistance [4]. Models used to describe rheological behavior of shear-thinning, Ostwald-De Waele was used, also well know as

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Power Law, in regard to correlation coefficients obtained. The apparent viscosity of dispersion increase until 30 times in dispersion PB® 1020 when concentration varies of 1 to 4% and around 6 times for each dispersion of PP® UM. The flow behavior of PP® UM and PB® 1020 was non-Newtonian of type shear-thinning, which are characterized because their apparent viscosity decrease when gradient of shear rate raise. Flow behavior index (n) reduce when concentration raise, meanwhile consistency coefficient (K) increase when concentration increase. [1]www.potato2008.org/es/lapapa/utilizacion.html (2008) [2] www.almidones.org (2008) [3] Penford Food, Ingredients (2008). [4] Gösta Bylund (trad.) López Gómez. Manual de industrias lácteas. Publicado por Mundi-Prensa Libros (2003). Acknowledgement: Authors appreciate to CONACyT for grant # 219418 for realization of postgrade studies of JPGO. POL P11 Detección de disolventes orgánicos con compuestos poliméricos base negro de carbono Delfino Reyes-Contreras2*, Susana Hernández-López1, Enrique Vigueras-Santiago1 dreyes.fc@gmail.com, hernandez@uaemex.mx, eviguerass@uaemex.mx, 1 Laboratorio de Investigación y Desarrollo de Materiales Avanzados (LIDMA) Facultad de Química, Paseo Colón Esquina con Paseo Tollocan s/n, C.P. 50000, Toluca Estado de México, México 2 Facultad de Ciencias Universidad Autónoma del Estado de México, Av. Instituto Literario 100 Ote. C. P. 50000, Toluca, Estado de México, México En éste trabajo se discute la sensibilidad a la detección de disolventes orgánicos de tres diferentes compuestos poliméricos con negro de carbono (NC) (poliestireno+NC, polibutadieno +NC y polivinilpirrolidona+NC). Con cada compuesto polimérico se obtuvieron capas de ∼100µm de espesor sobre sustratos de vidrio, utilizando un sistema de depósito por giro. Cada compuesto polimérico fue expuesto a cuatro disolventes diferentes: tertrahidrofurano,

hexano, acetona y metanol. La exposición al disolvente consistió en introducir una película delgada de cada compuesto, por separado, en una corriente de aire seco, el cual se contamina con el disolvente al inyectar éste en la corriente. El tiempo transcurrido entre una inyección y otra fue de 10 minutos. La cantidad de disolvente aplicado se incrementó en 0.1 ml en cada inyección hasta aplicar 2 ml. La variación de la resistencia eléctrica del compuesto fue monitoreada en todo momento en térmicos de la cantidad de disolvente, con un multímetro acoplado a una computadora. Los resultados reflejan que el incremento de la resistencia eléctrica los compuestos depende de la naturaleza de la matriz polimérica usada y el disolvente al cual se expone. Así mismo se observa una dependencia del incremento de la resistencia con el volumen de disolvente expuesto. Se discuten los resultados en términos del hinchamiento de la matriz polimérica por efecto de la absorción del disolvente, lo que ocasiona la desconexión entre partículas de negro de carbono. El proceso de desorción del disolvente es muy similar para todos los compuestos; sin embargo, el tiempo de desorción es diferente para cada compuesto que puede ser de unos cuantos minutos hasta varias horas.

[1] Marquez, A., J. Uribe y R. Cruz, Journal of Applied Polymer Science, 66 (1997) 2221. [2] Enrique Vigueras Santiago, Susana Hernández López, Joel Mercado Posadas, Tópicos en Materiales, Capitulo 3, UAEM, 2009.

Agradecimientos: Este trabajo fue financiado a través del proyecto UAEM 2215/2006 y el programa “Fortalecimiento de Actividades de Tutoría y Asesoría a Estudiantes de Nivel Licenciatura” CONACyT 104534. POL P12 Evaluación y detección de Hexano con compuestos poliméricos de polibutadieno con negro de carbono Rosa Alejandra Sánchez 1, Delfino Reyes-Contreras2*, Susana Hernández-López1, Enrique Vigueras-Santiago1

1 Laboratorio de Investigación y Desarrollo de Materiales Avanzados (LIDMA) Facultad de Química, Paseo Colón Esquina con Paseo

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Tollocan s/n, C.P. 50000, Toluca Estado de México, México 2 Facultad de Ciencias Universidad Autónoma del Estado de México, Av. Instituto Literario 100 Ote. C. P. 50000, Toluca, Estado de México, México rosa.sanchez@solara.com.mx, dreyes.fc@gmail.com, shernandez@uaemex.mx, eviguerass@uaemex.mx, En este trabajo presentamos resultados sobre la formación de capas (50 µm) de compuestos poliméricos de polibutadieno (PB) con negro de carbono (NC) y su aplicación en la detección de hexano. Se compara la capacidad de detección en capas de 20 y 25 % de composición en peso de CB y también en términos espesor de las mismas, estimado éste por el número de capas depositadas. Los experimentos de sensado consistieron en contaminar aire seco con diferentes cantidades de hexano. Se observa que hay una dependencia lineal en el cambio de resistencia eléctrica respecto al volumen de hexano en el intervalo de 0.1 a 1ml. Las películas se sometieron repetidas veces a una misma cantidad de disolvente y se observa una muy buena reproducibilidad de los cambios en la resistencia eléctrica a mayor cantidad de disolvente. [1] Marquez, A., J. Uribe y R. Cruz, Journal of Applied Polymer Science, 66 (1997) 2221. [2] Enrique Vigueras Santiago, Susana Hernández López, Joel Mercado Posadas, Tópicos en Materiales, Capitulo 3, UAEM, 2009.

Agradecimientos: Este trabajo fue financiado a través de los proyectos UAEM 2215/2006 y CONACyT 25496 POL P13 Thermal treatment of isopropanol and doped isopropanol plasma polymerized films J. O. Martínez-Gutiérrez*, G. Romero-Paredes, R. Peña-Sierra, A. Ávila-García, G. Juárez-Díaz. CINVESTAV-IPN. Departamento de Ingeniera Eléctrica Sección de Electrónica del Estado Sólido. Av. IPN #2508, San Pedro Zacatenco, 07360 México D.F. *jomartinez@cinvestav.mx. Polymerized organic thin films were synthesized by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique using

Isopropanol as liquid precursors. Hydrogen peroxide, ammonium hydroxide, iodine dissolved in isopropanol and chlorobenzene were used as the precursor’s dopants. Vapors of the precursor were introduced into the vacuum chamber via its own vapor pressure. After the growth a thermal treatment at 250ºC in vacuum was performed at the polymerized films. The as-grown and thermal treatment polymeric films were characterized by variable angle ellipsometry, Fourier Transform Infrared spectroscopy, ultraviolet-visible transmission spectroscopy and photoluminescence. The electrical film behavior was explored by the four points probe method. The films thickness, optical bandgap, chemical structure, photoluminescence response and resistivity were affected by the thermal treatment. POL P14 Encapsulación de nanopartículas de Ag mediante polimerización en emulsión R. Betancourt-Galindo1, C. Cabrera-Miranda1, B. Puente Urbina1, O. Rodríguez Fernández1

1Centro de Investigación en Química Aplicada, Blvd. Enrique Reyna No. 140 Saltillo 400. Saltillo, Coah., México. *ccabrera1603@gmail.com Nanopartículas de Ag modificadas superficialmente con un tamaño menor a los 20 nm fueron encapsuladas en una matriz de Poliestireno (PS) usando Persulfato de Potasio (KPS) como iniciador a partir de la técnica de polimerización en emulsión. Las nanopartículas de Ag modificadas fueron caracterizadas por FTIR, los resultados obtenidos revelan que la superficie de estas fue recubierta por un compuesto del tipo organosilano (APTMS), el cual facilito la incorporación de las nanopartículas en la matriz de PS. Estos resultados fueron corroborados mediante la caracterización del material encapsulado a partir de la microscopía electrónica de transmisión (HRTEM), espectroscopía de infrarrojo (FTIR) y análisis termogravimétrico (TGA), el material encapsulado presentó una morfología y distribución de tamaño de partícula uniforme.

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POL P15 Study of temperature dependence of dark and photoconductivity in organic polymer-based semiconductor K. Alemán-Ayala1*, S. Mansurova1, A. Kosarev1, A. Medel Mejía2, P. Rodríguez Montero1

1 Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica Luís Enrique Erro No. 1, Santa Maria Tonantzintla, Puebla, C.P. 72840, Cd. Puebla, México. 2Universidad Autónoma de Puebla, Facultad de Físico Matemáticas. Av. San Claudio Col. San Manuel, C.P. 72570 Puebla, Puebla. México. *kaleman@zarzamora.com.mx Since the discovery of electro-luminescence in conjugated polymers, this class of materials has been used to build efficient light emitting diodes, field effect transistors [1], optically-pumped lasers [2] and photovoltaic devices. The advantages of organic polymer-based materials when compared to their inorganic counterparts are low production costs and possibility to produce large area thin flexible devices which can be fabricated using high throughput low temperature approaches employing well established printing tecniques in a roll-to-roll process. Unfortunately, the physics of main processes that define the performance of these materials such as generation, transport and recombination of mobile carriers is still far from being well understood. In this work, new results of study of temperature dependencies of dark and photoconductivity in organic composite materials based on PF6 (poly-hexyle-triophene) polymer matrix doped with small molecule sensitizer PCBM (phenyl-C61-butyric acid methyl ester) at different sensitizer concentrations are presented. The material consists of a mixture of the hole-conducting polymer PF6 sensitized with the highly soluble C60 derivative PCBM. In addition, the composite was doped with two azo-dyes 2,5-dimethyl-(4-p-nitrophenylazo)-anisole (DMNPAA) and 3-methoxy-(4-p-nitrophenylazo)-anisole (MNPAA). Photoconductive composite film (≈ 8 m thickness) was sandwiched between two glasses plates covered by transparent ITO electrodes. For photoconductivity measurements a cw HeNe laser ( = 633nm) was used as a

light source. For the temperature dependent measurements liquid nitrogen vacuum cryostat has been used with the samples placed on top of a copper plate. Temperature was varied in the range 300 – 360 K. In addition dark and photo conductivity measurements were accomplished using a programmable Keithley 617 digital electrometer / voltage source interfaced to a computer. The activation energies for dark and photo-conductivity of the polymer composite were calculated from the measurements. The activation energy dependence on the sensitatizer concentration was studied. [1] H. Sirringhaus, N. Tessler and R.H. Friend, Science 280, 1741 (1998). [2] N. Tessler, G. J. Denton and R. H. Friend ”Lasing from conjugated polymer microcavities.” Nature 382, 695 (1996). POL P16 Compósito silicón/BaTiO 3 usado como atenuador de campos eléctricos en aislantes de alto voltaje

M. Paredes-Olguín1, F.P. Espino-Cortés2, C. Gómez-Yáñez1*

1 Departamento de Metalurgia y Materiales, ESIQIE, Instituto Politécnico Nacional 2 Sección de estudios de posgrado e investigación, ESIME, Instituto Politécnico Nacional U. P. Adolfo López Mateos, Zacatenco, D.F.,07738, México *cgomez@ipn.mx Con el objeto de reducir el peso, así como abatir costos, se han tratado de reemplazar los tradicionales aislantes de alta tensión de cerámico por otros fabricados con polímeros. Esta nueva aplicación presenta algunos problemas entre los cuales se incluyen, la degradación que sufre el polímero en las regiones cercanas a los electrodos debido a las altas intensidades de campo eléctrico que ahí se ubican. Otro problema es la degradación debida a la exposición al medio ambiente y, en particular, la humedad presente en la atmósfera, la cual promueve descargas eléctricas degradando más aún el material. Las soluciones que aborda el presente trabajo es el de utilizar un material polimérico hidrofóbico (hule de

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silicón) relleno con partículas de titanato de bario de tal manera que la constante dieléctrica pueda ser ajustada para permitir una distribución más homogénea del campo eléctrico a lo largo del cuerpo del aislante. Se han realizado simulaciones por computadora, utilizando el método de elemento finito, para observar la dependencia de las líneas de campo eléctrico con respecto a la conductividad y constante dieléctrica de la pieza aislante. Estas simulaciones se han contrastado con mediciones de constante dieléctrica de piezas aislantes de silicón fabricadas con diversas cantidades de BaTiO3. POL P17 Estudio experimental del proceso de preparación de compuestos conductores de polietileno de baja densidad con negro de carbono J.M. Ayala Ibarrola, S. Hernández López y E. Vigueras Santiago* Laboratorio de Investigación y Desarrollo de Materiales Avanzados Facultad de Química, Universidad Autónoma del Estado de México Paseo Colón esq. Paseo Tollocan, 50120 Toluca, México. *eviguerass@uaemex.mx Este trabajo forma parte del estudio de compuestos poliméricos que presentan anisotropía eléctrica a escala macroscópica bajo condiciones de deformación mecánica por tensión; donde se pretende desarrollar materiales formados con partículas conductoras de negro de carbono (CB) dispersadas en un polímero semi-cristalino como matriz de soporte, tal como el polietileno de baja densidad (LDPE). Con estos materiales se busca evaluar cuantitativamente el grado de orientación de las cadenas de la matriz polimérica con respecto al porcentaje de la deformación uniaxial y su relación con el grado de anisotropía eléctrica, evaluada a través de la resistividad volumétrica del material. En esta clase de compuestos, las propiedades eléctricas dependen de forma significativa de la cantidad del elemento conductor agregado y la regularidad con la que este se distribuye en la matriz polimérica receptora. El compuesto LDPE/CB se prepara por mezclado mecánico, proceso en el que intervienen factores como la temperatura, el

tiempo y la velocidad de mezclado, cuya variación afecta de manera determinante las propiedades finales del compuesto y por lo que resulta importante tener estos parámetros bajo control. Se presentan aquí los resultados obtenidos en el proceso de optimización de los parámetros de preparación del compuesto LDPE/CB con el objeto de establecer el procedimiento que permita obtener un material con una regularidad en la distribución del elemento conductor en la matriz polimérica y la consecuente disminución en el valor de resistividad volumétrica del compuesto. [1] E. Vigueras-Santiago, S. Hernández-López, M.A. Camacho-López and O. Lara-Sanjuan. Electric anisotropy in high density polyethylene + carbon black composites induced by mechanical deformation. Journal of Physics: Conference Series 167 (2009) 012039, 1-4. [2] J.M. Ayala Ibarrola, S. Hernández López and E. Vigueras Santiago. Experimental study of the preparation process of conductive carbon black filled low density polyethylene composites. En preparación. Agradecimientos: Trabajo apoyado a través del proyecto CONACyT 25496. POL P18 Inmovilización de glucosa oxidasa en silicio poroso para el desarrollo de sensores biológicos. L. Prunedaa, E. Pérezb, G. Palestinoa*

aFacultad de Ciencias Químicas-CIEP, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, bInstituto de Física, Universidad Autónoma de San Luis Potosí Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, CP 78210, San Luis Potosí, México *palestinogabriela@fcq.uaslp.mx

La inmovilización de moléculas funcionales sobre soportes sólidos constituye un área importante de investigación en la ciencia de los materiales que en la actualidad ha generado gran interés. Esto ha impulsado el desarrollo de nuevas tecnologías aplicadas a la fabricación de sensores químicos y biológicos altamente específicos y sensibles. El silicio poroso (SiP) se ha revelado como un candidato ideal de estas aplicaciones por su gran área superficial, gran reactividad y propiedades ópticas

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excepcionales. En este trabajo de investigación se llevo a cabo la síntesis de materiales nanoestructurados de SiP con diferentes configuraciones (monocapas y microcavidades) con el objetivo de explorar la posibilidad de desarrollar dispositivos de detección fluorescentes. Para ello se biofuncionalizaron diferentes estructuras de SiP con Glucosa Oxidasa (GOX), enzima que presenta emisión fluorescente en la región visible. Las propiedades fotoluminiscentes de las estructuras biofuncionalizadas fueron evaluadas por diversas técnicas de microscopia de fluorescencia. Los resultados obtenidos mostraron que la emisión fluorescente de la enzima se ve amplificada con el uso de estructuras de microcavidades, este fenómeno óptico fue más importante cuando la longitud de onda de excitación de la biomolécula fluorescente coincidió con la banda resonante de la estructura de SiP. Se encontró que la intensidad de fluorescencia del dispositivo modificado PSi-enzima guarda una relación lineal con la concentración de glucosa oxidasa inmovilizada. La propiedad óptica intrínseca que se utilizó para realizar la detección óptica se basó en los cambios en el índice de refracción efectivo de las capas de SiP. Esta dependencia fue estudiada utilizando la técnica de elipsometría de ángulo nulo. Los resultados obtenidos con estructuras de SiP de diversos espesores mostraron que el índice de refracción efectivo (η) disminuye drásticamente cuando el material pasa de silicio cristalino a silicio poroso y se observó que el valor de η del SiP guarda una relación directa con el incremento en el espesor de las estructuras, confirmamos además que el valor de η se incrementa cuando se infiltra material orgánico dentro de los poros. Agradecimientos: Proyectos ECOS M06P01 y CO8-FAI 049-10-18.54 UASLP. POL P19 Stability and Compatibility of Titanium Dioxide Particles (TiO 2) in Suspensions and Films by Plasma Polymerization Araceli Solís(1), Marco A. Sánchez (2),Elías Pérez(1)

(1) Instituto de Física "Manuel Sandoval Vallarta", UASLP.

(2) Facultad de Ciencias Químicas, UASLP Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, 78000, San Luis Potosí, S.L.P., México.

In this project we propose a new methodology to control the surface properties of titanium dioxide particles (TiO2), which is based on a dry plasma polymerization method and is applied to nanoscopic TiO2 particles. The main interest is to improve stability and dispersion of TiO2 in polymeric films. Final particle distribution in the films may define optical, photo-catalytic and chemical properties.

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SIMPOSIO DE SEMICONDUCTORES. Semiconductors SEM P01 Fotoluminiscencia de partículas de CdTe depositadas por ablación láser en una matriz de silicio poroso A.C. Medina-Torres1,2,3, J. R. Aguilar-Hernández, G.S. Contreras-Puente, M. Becerril4 1 Becario CONACyT 2Escuela Superior de Física y Matemáticas - Instituto Politécnico Nacional Edificio No. 9 U.P.A.L.M. Lindavista 07738, México D.F. 3 E.S.I.M.E. – Zacatenco – I.P.N. Edificio No. 4 U.P.A.L.M. Lindavista 07738, México D.F. 4 Dpto. de Física – CINVESTAV, Zacatenco 07000 México D.F. En este trabajo se presentan resultados en relación a la caracterización óptica: Fotoluminiscencia (FL) , Infrarrojo (IR) y Raman; así como estructural: Microscopía Electrónica de barrido ( MEB) y Microscopía fuerza atómica (MFA), de partículas de teluro de cadmio (CdTe) depositadas por ablación láser en una matriz de silicio poroso (p-Si). Los resultados de FL muestran emisión a temperatura ambiente presentándose dos bandas anchas centradas en 1.45 y en 1.70 eV. Los espectros de IR y Raman indican la presencia de Cd,Te, O , N y compuestos entre estos en el p-Si. Por MEB y MFA se observaron una gran cantidad de aglomerados en forma de cúmulos de diferentes tamaños del orden de micras hasta decenas de nanometros. Los espectros Raman indican la presencia de fases cristalinas o amorfas tanto de Si como de CdTe. SEM P02

Síntesis y caracterización de películas delgadas de CdS:F *

K.E. Nieto-Zepeda1, M. Meléndez-Lira1, F. de Moure-Flores1, José G. Quiñónes-Galván1, A. Hernández-Hernández, E. Mota-Pineda1, A. García-Sotelo, S. Cerón-Gutiérrez2, M. de la L. Olvera2.

1Departamento de Física, Cinvestav-IPN 2 SEES departamento de Ingeniería Eléctrica Cinvestav-IPN

Se depositaron películas delgadas de CdS dopadas con Flúor mediante la técnica de baño químico [1] sobre sustratos de vidrio, agregando distintos volúmenes de Fluoruro de Amonio (NH4F), con una concentración de 0.02M. Se propone la adición de flúor para aumentar el dopaje tipo n [2] y con esto mejorar las características eléctricas. Se analizan las propiedades químicas y estructurales de las distintas películas obtenidas mediante difracción de Rayos X, Microscopia Electrónica de Barrido (SEM), Microscopia de Fuerza Atómica (AFM) y las correspondientes a espectroscopia UV. Las propiedades ópticas y eléctricas se analizan antes y después de tratamientos térmicos en atmósferas de N2 y CdCl2. *Proyecto apoyado parcialmente por CONACYT 1. C. D. Gutiérrez Lazos, E. Rosendo, H. Juárez, G. García Salgado, T. Díaz, M. Rubín Falfán, A. I. Oliva, P. Quintana, D. H. Aguilar, W. Cauich, M. Ortega, and Y. Matsumoto. Journal of The Electrochemical Society, 155 _2_ D158-D162 _2008_ 2. A. Maldonado, S. Tirado-Guerra, M. Meléndez-Lira, M. de la L. Olvera, Solar Energy Materials & Solar Cells 90 (2006) 742–752 SEM P03 Efecto Hall con portadores fuera de equilibrio S. Molina-Valdovinos1,*, Y.G. Gurevich1. 1 Centro de Investigaciones y de Estudios Avanzados del IPN, Departamento de Física, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco, CP 0736, México, D.F., México. * sergiov6@gmail.com El efecto Hall se ha utilizado durante mucho tiempo en la investigación de mecanismos de conducción, tales como el coeficiente de Hall R y la concentración de portadores libres, así como en sensores de campo magnético. En este trabajo presentamos una nueva teoría en el caso de semiconductores bipolares, en la cual se toma en cuenta portadores fuera de equilibrio, procesos de generación asistidos por trampas (modelo de Shockley-Read). Se

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obtienen expresiones para la conductividad, campo de Hall y potencial de Hall. La dependencia de estas expresiones de la distribución de portadores a lo largo de la dirección del campo Hall, en el caso de semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Agradecimientos: Al conacyt por el apoyo recibido en la realización de este trabajo. SEM P04 Síntesis de fotocatalizadores de titania dopados con fierro B. Zermeño-Resendiz1*, E. Moctezuma2, R. García-Alamilla1, R. Barbosa3. 1 División de Estudios de Posgrado, Instituto Tecnológico de Ciudad Madero, Juventino Rosas esquina con Jesús Urueta s/n, Col. Los Mangos, 89440, Cd. Madero, Tamps. México. 2 Centro de Investigación y Estudios de Posgrado, Facultad de Ciencias Químicas, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, 78290, San Luis Potosí S.L.P., México. 3 Instituto de Geología, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Av. Dr. Manuel Nava No. 4, Zona Universitaria, 78290, San Luis Potosí S.L.P., México. * bbzr05@hotmail.com La fotocatálisis heterogénea ofrece una alternativa adecuada para la degradación total de muchos compuestos orgánicos. Los huecos de carga positiva (h+) y los electrones libres (e-) generados al irradiar un catalizador del tipo semiconductor oxidan o reducen a las especies químicas presentes en el sistema. La presencia de heteroátomos en la matriz del semiconductor modifica la velocidad y los mecanismos de las reacciones fotocatalíticas [1]. Por lo que se han sintetizado catalizadores de Fe/TiO2 mediante el método de molienda FeTiO3 con TiO2 y por el método sol-gel a partir de un alcóxido de titanio y una sal de fierro. Cabe mencionar que La mayoría de los estudios que existen en la literatrura sobre la ilmenita (FeTiO3) se enfocan a su estructura, síntesis y combinación con otros compuestos [2, 3]. Pero pocos son los trabajos que reportan actividad catalítica de este material. Dichos catalizadores se caracterizaron mediante espectroscopia UV-vis DR, difracción de rayos X

y se determino la actividad catalítica mediante la degradación de fenol que es un compuesto orgánico modelo. Los resultados de la difracción de rayos X indican que se pueden formar las fases anatasa y rutila mediante el proceso sol-gel. Pero no se puede detectar la presencia de óxidos de fierro. Los resultados de espectroscopía de UV-vis indican que la energía de banda prohibida se reduce ligeramente. Las pruebas de degradación indican que la presencia de pequeñas cantidades fierro en el catalizador favorece la degradación de fenol mediante la formación de ácidos carboxílicos. [1] Araña J., González O., Saracho M., Rodriguez D., Appl. Catal. B: Environ., 3113, (2002), 124. [2] Mona J., Kale S., Gaikwad A., Murugan Vadidel A., Ravi V., Mater. Lett. 60, (2006), 1425-1427. [3] Welham N., J. Alloys Compd., 270, (1998), 228-236. Agradecimientos: Beca 052007033-FPC- DGEST, Proyecto UASLP-C06-FAI-11-2663. Departamento de Ecomateriales y Energía. Facultad de Ingeniería Civil. Universidad Autónoma de Nuevo Leon. Dra. Leticia Torres Martínez, M.C. Elvira Zarazua. SEM P05 Síntesis de catalizadores de plata soportados en TiO 2 y ZnO para su aplicación en la degradación de contaminantes orgánicos. R. Galindo1,*, E. Moctezuma1. 1 Centro de Investigación y Estudios de Posgrado, Facultad de Ciencias Químicas, UASLP, Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, C.P. 78210, San Luis Potosí, S.L.P., México * chayitogalindo@yahoo.com.mx Hoy en día, gran parte de la investigación científica se ocupa en proponer alternativas de solución en áreas como: el cuidado del medio ambiente, que se refleja en la continua búsqueda de tecnologías para la generación de energías alternas, el desarrollo de materiales reciclables y no tóxicos, o bien, proponiendo técnicas que permitan la purificación de aire y agua. Una de las técnicas que ha resultado útil en la remoción de contaminantes orgánicos

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comúnmente disueltos en el agua, tales como, alcanos, alquenos, fenoles, aromáticos, surfactantes, pesticidas, entre otros, es la llamada fotocatálisis heterogénea [1]. La degradación por medios fotocatalíticos, ocurre debido a la absorción directa o indirecta de luz visible o ultravioleta por un sólido semiconductor de banda ancha, que es considerado como fotocatalizador, entre los cuales destacan el TiO2, el ZnO y el ZrO2, que además son materiales económicos y no tóxicos. Sin embargo, durante este proceso, simultáneamente se produce una recombinación de electrones, con lo que la degradación es menos eficiente, para contrarrestar esta problemática, se lleva a cabo un dopaje del semiconductor, con metales preciosos, en el caso particular se empleó la plata como metal dopante. Al modificar el área superficial del semiconductor con partículas de plata se disminuye el valor de la banda prohibida de energía y además se evita la recombinación de los electrones y huecos generados en el semiconductor, favoreciendo la actividad fotocatalítica, logrando mayor degradación de contaminantes orgánicos en solución acuosa. Los materiales mixtos Ag/ TiO2 y Ag/ZnO, se sintetizaron mediante la técnica de fotodeposición durante seis horas [2]. Para la caracterización se empleó, espectroscopia UV-visible con Reflectancia Difusa; Difracción de Rayos X; Espectroscopia de Absorción Atómica, para estimar la cantidad de plata soportada en el óxido metálico; microscopia electrónica de barrido (SEM) para determinar la dispersión y tamaño de partícula. Finalmente para evaluar la actividad de estos materiales en reacciones fotocatalíticas se emplearon 250 mL de una solución de fenol a concentración de 100 ppm. Los experimentos se realizaron en un reactor de lote, de vidrio, empleando 0.2 g de catalizador/ 100 mL de solución, en presencia de O2 como gas oxidante, y lámparas de λmáx= 365 nm. Dando excelentes resultados en la degradacion y mineralización total del fenol en un tiempo máximo de 6 horas. Las muestras de reacción se analizaron mediante Cromatografía de Líquidos de Alta Resolución (HPLC) y Carbón Orgánico Total (TOC). [1] De Lasa H., Serrano B., Salaices M.,

Photocatalytic reaction engineering, Springer 2005.

[2] ZhangH. F., Guan N., Li Y., Zang X.,Chen J., Zeng , Langmuir ACS, vol. 19, 2003, 8230-8234.

Agradecimientos: Apoyo económico de la beca CONACYT numero 209003 y de la Universidad Autónoma de San Luis Potosí a través del Fondo de Apoyo a la Investigación (FAI) convenio C08-FAI-04-6.10 SEM P06 CdS, CdSe and PbS prepared by Chemical Bath J. I. Contreras Rascona*, O. Portillo Morenob, R. Lozada Moralesc, J. Martínez Juáreza, O. Zelaya Ángeld, G. Juarez Diaze. a Posgrado CIDS-ICUAP Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, México. b Laboratorio de Ciencias de Materiales, Facultad de Ciencias Químicas BUAP. cFac. Ciencias Fisicomatemáticas Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, México.. d Departamento de Física Centro de Investigación y de Estudios de Estudios Avanzados del IPN, 07360, México D. F. México. e Ing. Eléctrica SEES Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, 07360, México D. F. México. ∗Corresponding autor: E-mail: jcontre@siu.buap.mx Films of CdS, CdSe and PbS, were prepared on glass-substrates by mean Chemical Bath CB) following the next interval temperature of deposit Td: 0, 10, 20, 30,…, 80º ± 2ºC. This film is investigated by X-ray diffraction (XRD) and Electronic Microscopy Scanning (EMS). The thermodynamic model was proposed for investigating the spontaneity reactions. CdS was analyzed by X-ray diffraction (XRD), using this difractograms was calculated the critical temperature to transition CdS → CdCO3 in approximately 55 ºC, and size grain (SG) which was of 24-32nm. By Electronic Microscopy Scanning (EMS) was calculated atomic percentage: Cd = 49.10, S = 51.90. This data were used for determine CdCO3. In the other hand, X-ray diffraction (XRD) from CdSe show gradual transition of crystal phase Hexagonal → Cubic/Traces hexagonal, furthermore it is observed gradual transition of crystal phase: Hexagonal → Cubic/Traces hexagonal, with

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increasing significant grain size (GS) 9-27nm, in deposited interval. In deposited temperature, Td = 50ºC, there are mixture of phases: cubic/hexagonal, but when Td ≤ 40ºC there are only hexagonal phase. The Electronic Microscopy Scanning (EMS) show that atomic percentages remain with a little change, and 6% as maximum for Cadmium respect to Selenium. X-ray diffraction (XRD) from PbS show that cubic phase is maintained when Td = 60ºC,. There is preferential orientation on the plane [111] with (TG) of 19–26nm. By Thermodynamic Analysis, using cell potential (εo), was obtained variations on Gibbs (∆Gº) free energy, and investigated the reactions spontaneity, polarity and electronic affinity of ions. SEM P07 Thin films Chemical-Bath deposited of CdS, Ni2+, Hg2+ y Zn2+. O. Portillo Morenoa∗, J. I. Contreras Rascónb, J. Martínez Juárezb, G. Juarez Dàze, R. Lozada Moralesd, O. Zelaya Ángele. a Laboratorio de Ciencias de Materiales, Facultad de Ciencias Químicas BUAP. b Posgrado CIDS-ICUAP Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, Pue. México. c Ing. Eléctrica SEES Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, 07360, México D. F. México. d Facultad de Ciencias Fisicomatemática Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, Pue. México. eDepartamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, 07360, México D. F. México. ∗Corresponding autor: E-mail: jcontre@siu.buap.mx

By Chemicals bath were prepared films of ternary: Cd1-xZnxS, Cd1-xNixS, Cd1-xHgxS a T = 80 ± 2ºC. The films are obtained using the next solutions prepared with deionised water of resistivity 18.2 MΩ, and concentrations prepared with normal conditions of temperature and pressure: KOH 0.5M, CdCl2 0.02M, NH4NO3 1.5M y SC(NH2)2 0.2. Dopant used are Zn(NO3)3•3H2O, Hg(NO3)3•3 H2O, Ni(NO3)3•3H2O with concentration 0.03M. This films was investigated by thermodynamic model in that is applied the Nernst equation to evaluate the change of Gibbs free energy and to find the

reactions spontaneity in the growth phase. The Nernst equation relates the change of Gibbs free energy with cell potential in agreement to: ∆Go = nτεo, where τ is Faraday (96500V/equiv), n is equivalent number and εo the cell potential. Using Microscopy Electronic Scanning (MES) are investigated stequiometric and superficial morphology of this films and quantifies the atoms percentage in dopant as function their volume of each films and it is compared with superficial morphology as result of the incorporation of the dopant as well as determine grain approximated size in this samples set. SEM P08 Characterization of Zinc Oxide films grown on silicon substrates by dc reactive magnetron sputtering J. Díaz-Reyes1,*, M. Galván-Arellano2, A. Balderas-López3 1 CIBA-IPN. Ex-Hacienda de San Juan Molino Km. 1.5. Tepetitla, Tlaxcala. 90700. México 2 Depto. de Ing. Eléctrica, SEES. CINVESTAV-IPN. A. Postal 14-740. México, D. F. 07000. México 3 UPIBI-IPN, Av. Acueducto S/N, Col. Barrio la Laguna, Del. Gustavo A. Madero, C. P. 07340, México, D. F. México * jdiazr2001@yahoo.com Thin polycrystalline ZnO films were grown on silicon substrates by dc reactive magnetron sputtering using zinc oxide targets. The quality of the ZnO layers was verified by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), Raman scattering, and photoluminescence (PL) measurements. The XRD studies and Raman studies revealed the ZnO films crystallize in the wurtzite structure. Room temperature photoluminescence spectra consisted of a narrow near band edge ultraviolet (UV) band and a broad defect-related green band with peak positions at 380 and 516 nm, respectively. The main objective of the work was to define the growth conditions to prepare zinc oxide films with adequately properties to be used in electroluminescent devices. For a 40:1 argon/oxygen flow rate, a total pressure of 1.5 x10-3 mbar and a substrate temperature of 230°C, the films exhibited the best surface appearance. Therefore the ZnO layers were deposited at 230°C and then annealed in a dry air environment at 800°C for an hour. The

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structural and the luminescence properties improved noticeably with the thermal annealing processes at 800°C. SEM P09 Formación de fases en películas de CdTe:Cu crecidas por CSVT-FE M. Zapata-Torres1*, L. García-Pérez2, F. Chale-Lara2, M. Meléndez-Lira3. 1 CICATA –IPN. Unidad Legaria, Legaria 694 Col. Irrigación Del. Miguel Hidalgo, C.P. 11500 México D.F

2 CICATA –IPN. Unidad Altamira, Km. 14.5 carretera Tampico-puerto Altamira, Altamira, Tamaulipas, C.P. 89600 3 Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, AP 14-740, 07000 México, DF. * mzapatat@ipn.mx En el presente trabajo se reporta el crecimiento películas de CdTe:Cu, en sustratos de vidrio, utilizando la técnica de transporte de vapor en espacio cerrado combinado con evaporación libre (CSVT-FE, por su siglas en ingles), a partir de la coevaporación CdTe y Cu. La evaporación del Cu se realizó a partir de una fuente de Tantalio; con el objetivo de lograr diferentes concentraciones de cobre se varió la corriente suministrada a ésta, manteniendo fijas las temperaturas de la fuente de CdTe y la del substrato. Las películas fueron caracterizadas utilizando difracción de rayos-X, Análisis de la Energía Dispersiva de los Rayos-X (EDS, por su siglas en ingles), Transmisión óptica y Espectroscopia Raman. Las mediciones realizadas con EDS muestran un aumento en el contenido de Cu a medida que se incrementa la temperatura de la fuente de evaporación del Cu. Las muestras presentan una estructura cristalina dependiente de la concentración de Cu; para una concentración hasta de 5 % at. de Cu se mantiene la estructura cúbica, y para concentraciones mayores se presenta una mezcla de fases cúbica y hexagonal. El ancho de banda de energía prohibida (Eg) se ve disminuido conforme se incrementa la concentración de cobre. Los modos vibracionales obtenidos están relacionados con el Cu2Te. Agradecimientos: Este trabajo fue financiado por CONACYT y SIP-IPN.

SEM P10 Structural characterization of epitaxial GaN/AlN growth on Si(111) by MBE.

S.Gallardo1, M. Ramírez2, R. Contreras2, I. Martínez2, J.S. Rojas2, J. Hernández2, M. López-López2, V. M. Sánchez R1.Yu.Kudriavtsev1. A.Escobosa1. 1Electrical Engineer Department- SEES, 2Physics Department, Cinvestav-IPN. Av.IPN # 2508, México, D.F. e-mail: sgh1977@hotmail.com GaN/AlN heterostructures were grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) on Si(111) substrates employing a RF plasma source to produce Nitrogen atoms. High-resolution x-ray diffraction (HRXRD) was employed for the characterization. Reciprocal space maps can be used to correlate the crystalline quality with the deposition parameters1. The layers proved to be monocrystalline, with mosaic spread, as expected for highly-mismatch heteroepitaxial growth. We found that the under appropriate growth conditions mosaic spread can be reduced to similar values as those measured on conventional GaN on sapphire epitaxial layers. In addition Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS) characterization was performed in a low energy regimen to obtain depth resolution of the GaN/AlN interface. As the results, a figure of merit for the planarity of the interface was correlated to the information obtained by reciprocal space analysis. [1] J. Appl. Phys. 101 063516 (2007).

SEM P11 Effect of iron doping on titanium dioxide nanoparticles D. González-Sánchez1, C.R. Michel-Uribe2, G.G. Toriz3, M.A. Camacho-López4, M. Meléndez-Lira5, A. Pérez-Centeno2, M.A. Santana-Aranda2,*. 1 Departamento de Matemáticas, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco.

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2 Departamento de Física, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco. 3 Centro de Investigación en Biomateriales, DMCyP, CUCEI, Universidad de Guadalajara, Carr. Guadalajara-Nogales Km 15.5, Las Agujas, Zapopan, Jalisco. 4 Facultad de Química, Universidad Autónoma del Estado de México, Paseo Colón esq. Paseo Tollocan, Toluca, 50120, Edo. de México. 5 Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN #2508, Col. San Pedro Zacatenco México, 07360, D.F., México. * miguelangelsantana@gmail.com Iron doped titanium dioxide nanoparticles were synthesized using the Sol-Gel method. Solution was prepared in propanol, diluting Tween 80 surfactant (as pore directing agent), acetic acid and finally titanium tetrapropoxide (TTP); constantly stirred with a motor driven Teflon palette. Doping iron was introduced by dissolving iron trichloride in propanol and adding the required amount to the solution; in order to obtain 0.25; 0.5; 0.75; 1.0; 1.25 and 1.5 mol% iron with respect to titanium. Employed proportions of Tween80/PrOH/acetic acid/TTP were defined mostly following the values reported by Dionysiou´s group on pure TiO2 [1]. We obtained nanoparticles with sizes around 9 nm; being larger for lower iron content and smaller for higher iron content, as observed by electron microscopy and calculated from the full width at half maximum (FWHM) of X ray diffraction peaks; using Scherrer’s formula. Raman spectroscopy and X ray diffraction measurements showed an increasing presence of brookite phase TiO2 into an almost pure anatase powder, along with the iron content. [1] H. Choi, E. Stathatos, D.D. Dionysiou, Thin Solid Films 510 (2006) 107. Agradecimientos: Authors want to thank the technical assistance of Alejandra García Sotelo, Ana B. Soto, Marcela Guerrero and Gabriel Ramos Romo; Prof. Guillermo Toriz González for BET measurements; and the financial support from UdeG (under program proSNI) and PROMEP (under project 103.5/07/2636).

SEM P12 Deposition of zinc sulfide films by the chemical bath method A. Martínez-Benítez1,*, A. Chávez-Chávez1, J.L. González-Solis2, V. Altuzar3, A. Pérez-Centeno1, M.A. Santana-Aranda1. 1 Departamento de Física, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco. 2 Departamento de Ciencias Exactas y Tecnológicas, CU-Lagos, Universidad de Guadalajara, Av. E. Díaz de León 1144, Lagos de Moreno, Jalisco, Mexico. 3 Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines # 294, Boca del Rio, 94294, Veracruz, México. * alejandro_mabe@hotmail.com Zinc sulfide thin films were deposited on glass substrates by the chemical bath method. Aqueous solutions were prepared, employing zinc chloride as source of Zn+2 ions, and either thiourea or thioacetamida as source of sulfur ions, [S]/[Zn] molar ratio was kept constant at a value of 5. Prior to the mixture of zinc and sulfur ions source solutions, Zn+2 were complexed with nitrilotriacetic acid (NTA) or sodium citrate (SC); these complexing agents were used with various concentrations. Precipitation powders were also separated for study. Crystalline structure of the obtained films was characterized by X ray diffraction and Raman scattering spectroscopy. Microstructure and composition of the obtained films and powders were characterized by scanning electron microscopy and energy dispersive spectroscopy. Aknowledgements: Authors want to thank technical assistance of Hugo Sánchez from MICRONA-UV, as well as financial support from UdeG (under program proSNI) and PROMEP (under projects 103.5/07/2636 and 103.5/08/2919).

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SEM P13 Chemical bath deposition of mercury sulfide thin films J.D. Arriaga-Galindo1, A. Chávez-Chávez1, J.L. González-Solis2, V. Altuzar3, A. Pérez-Centeno1, M.A. Santana-Aranda1,*. 1 Departamento de Física, CUCEI, Universidad de Guadalajara. Blvd. M. García Barragán 1421, Guadalajara, 44430, Jalisco, Mexíco. 2 Departamento de Ciencias Exactas y Tecnológicas, CU-Lagos, Universidad de Guadalajara, Av. E. Díaz de León 1144, Lagos de Moreno, Jalisco, Mexico. 3 Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Av. Ruiz Cortines # 294, Boca del Rio, 94294, Veracruz, México. * miguelangelsantana@gmail.com We deposited mercury sulfide thin films on glass substrates by the chemical bath method. Aqueous solutions were prepared, employing mercury chloride as source of Hg+2 ions, and either thiourea or thioacetamida as source of sulfur ions, [S]/[ Hg] molar ratio was kept constant at a value of 5. Prior to the mixture of mercury and sulfur ions source solutions, Hg+2 were complexed with nitrilotriacetic acid (NTA) or sodium citrate (SC); these complexing agents were used at various concentrations. Precipitation powders were also separated for study. Crystalline structure of the obtained films was characterized by X ray diffraction and Raman scattering spectroscopy. Microstructure and composition of the obtained films and powders were characterized by scanning electron microscopy and energy dispersive spectroscopy. Agradecimientos: Authors want to thank technical assistance of Hugo Sánchez from MICRONA-UV, as well as financial support from UdeG (under program proSNI) and PROMEP (under projects 103.5/07/2636 and 103.5/08/2919). SEM P14

Study of the transport mechanisms in porous silicon layers M. A. Vásquez-A*, G. Romero-Paredes y R. Peña-Sierra.

Departamento de Ingeniería Eléctrica, SEES del CINVESTAV-IPN Apartado Postal 14-740, 07000 México D. F. *e-mail: mava_vasquez@yahoo.com The transport mechanisms in silicon porous layer (PSL) [1] were identified by Current-Voltage (I-V) measurements. The PSL was made by anodic etching of p-type c-Si wafers with orientation (100) and resistivity of 1-5 Ω-cm. The electric resistivity measured of the PSL was of 5.7 x 107 Ω-cm. We found that the current flow in the PSL is limited by the space-charge (SCL), due to the charge trapped in the different defect states [2]. The mechanism was defined by cycling the polarization mode of the structure, to control the charge-discharge of the defect states located of the PSL [3, 4]. Furthermore, it was found that depending on the bias way and the magnitude of the potential applied to the structure, one has the participation of located deep defect centers what causes the change in the density of traps Nt. [1] L. T. Canham, Appl. Phys. Lett., 57, (1990), pp. 1046-1048. [2] Murria A. Lampert, Meter Mark, Current Injection in Solids, New York and London: Academia Press (1970). [3] Takahiro M., Hidenori M., Nobuyoshi K., Yasuaki M., J. Appl. Phys. 84, (1998), pp. 6157 – 6161. [4] D. G. Yarkin, L. A. Balagurov, S. C. Bayliss and I. P. Zvyagin, Semicond. Sci. Technol. 19, (2004), pp. 100-105. Acknowledgment: The technical support of M. C. Miguel Galván Arellano, Benito Napomuceno and Enriqueta Aguilar is acknowledged. SEM P 15 Synthesis and characterization of SnO 2 microstructures grown by precipitation chemical route C. E. Marín-Pineda1, E. H. Castro-Ocampo1, C. E. Rivera-Enríquez1, M. A. Santana-Aranda2, A. Chávez-Chávez2, J. C. Ibarra-Torres2, O. Contreras-López3, A. Pérez-Centeno2,*. 1 Departamento de Química, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingeniería, Universidad de Guadalajara, Blvd. Marcelino

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García Barragán # 1421, Col. Olímpica, C.P. 44430, Guadalajara, Jal., México. 2 Departamento de Física, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingeniería, Universidad de Guadalajara, Blvd. Marcelino García Barragán # 1421, Col. Olímpica, C.P. 44430, Guadalajara, Jal., México. 3 Departamento de Nanoestructuras, Centro de Nanociencia y Nanotecnología, Universidad Nacional Autónoma de México, Carretera Tijuana-Ensenada Km. 107, C.P. 22800, Ensenada, B. C, México * armando.centeno@cucei.udg.mx The metallic oxides are semiconductors with a wide variety of applications, because they have outstanding mechanic, optical, electrical and chemical properties. Nowadays, several efforts have been applied to synthesize nanostructure in order to observe new phenomena and characteristics. In particular, for the last decade, many works have been dedicated to synthesize tin dioxide (SnO2) nanostructure [1]. For that, chemical routes are widely used because they are easier and cheaper than physical methods. Nevertheless, most of them utilize sophisticated and laborious equipments, which is a disadvantage for commercial purposes. In this sense, precipitation is one of the most simple and cheap chemical method for synthesizing materials; however, it is usually employed as a first step of other more complex method. In this work, we present the results on the synthesis of SnO2 microstructures grown by precipitation chemical route. The characterization is carried out by electron microscopy in order to observe their morphology. X-ray diffraction was applied to analyze the internal crystalline structure. Finally, Optical properties were studied through UV-Vis measurements. The obtained SnO2 microstructures look like fibers, bundles, belts, needles and spikes. The chemical reagent used in this reaction were just water as solvent, SnCl4•5H20 as Sn precursor, NaOH as agent to change the pH of the solution, and ethanol to clean the sample. [1] S. A. Papargyri, D. N. Tsipas, D. A. Papargyris, A. I. Botis and A. D. Papargyris, Solid State Phenomena, 106 (2005) 57-62. Acknowledgments: Authors want to thank Israel Gradilla for him technical help in the SEM characterization. This work was partially supported by PROMEP (under project

103.5/07/2636 and 103.5/08/2919) and PROSNI program from the Universidad de Guadalajara.

SEM P16 Caracterización por Fotorreflectancia de Aleaciones Semiconductoras Cuaternarias de GaInAsSb impurificadas con Telurio. S. Arias-Ceron1, Y.E. Bravo-Garcia1, J.L. Herrera-Perez1, P. Rodríguez-Fragoso2,F. Sánchez-Sinencio2,3, J.G. Mendoza-Alvarez2 1 CICATA-IPN. Unidad Legaria. Legaria 694, Col. Irrigación. México DF 11500. México 2 Departamento de Física. Cinvestav-IPN. A.P. 14-740. México DF 07000. México 3 Centro Latinoamericano de Física. Río de Janeiro, RJ. Brasil Se crecieron películas epitaxiales del compuesto semiconductor Ga0.82In0.18As0.13Sb0.87 por la tecnica de Epitaxia en Fase Liquida a una temperatura de 525 C. Agregando pequeñas cantidades Sb2Te3 conseguimos impurificar las películas con una concentración de electrones en el rango de de 3x10-17 a 6 x10-18 cm-3. Las películas fueron caracterizadas por Fotorreflectancia en Infrarrojo (FRIR) en función de la temperatura. Los espectros de FRIR muestran que la alta impurificacion con Te hay un corrimiento de la energía de la banda prohibida a valores mayores. Del ajuste al modelo de tercera derivadas de Aspnes encontramos que la energía de banda prohibida a 20K varía de 639 meV para bajas concentraciones hasta 683 meV para altas concentraciones de electrones. Se discuten los resultados como un efecto Moss-Burstein

SEM P17 Índice de refracción del compuesto semiconductor Cu 2GeSe3 M. Álvarez Soto y J.L. Herrera-Pérez Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN Unidad Legaría. Av. Legaría 694.Col. Irrigación. México DF11500 * jherrerap@ipn.mx Un parámetro importante para la caracterización óptica de películas es el índice de refracción de los materiales tanto sólidos como películas, en

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el trabajo mostramos un sistema de reflectancia diferencial propio. Este sistema nos permite medir el índice de refracción, con la peculiaridad que las resultados son independiente del espesor de las películas. A partir del ajuste de de las formas de línea de la reflectancia diferencial y los mínimos de refracción encontramos el índice de refracción complejo de películas semiconductoras Cu2GeSe3 en las diferentes composiciones, desarrollamos también un algoritmo para mejorar las señales usando dos tipos de filtros y mostramos los resultados obteniendo una mejor respuesta de la curva de la medición realizada.

SEM P18 Thermo-electronic and structural studies of Silicon doped GaAs growth by MBE using PCR

J. A. Villada, M. López-López, S. Jiménez-Sandoval, M. E. Rodríguez-García

CINVESTAV-Querétaro, Libr. Norponiente No. 2000, Fracc. Real de Juriquilla, CP 76230 Querétaro, Qro., México.

Departamento de Nanotecnología, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, UNAM Apartado Postal 1-1010 76000 Querétaro, Qro., México.

This work presents a detailed study of the thermo-electronical and structural properties of silicon doped GaAs. The study was made on a set of eight samples grown by Molecular Beam Epitaxy. The temperature of the Silicon effusion cell was varied from 1120 to 1330ºC in order to obtain GaAs layers with different Silicon concentrations. Parameters such as: substrate temperature, Gallium effusion cell temperature and growing time remained constant. The final Si-doping level was obtained by Hall measurements at room temperature; it is evident that electrical deactivation occurs for higher temperatures than 1240ºC; this phenomenon can be associated to an auto-compensation process. The signal of Photo Carrier Radiometry (PCR) was related with the carrier concentration measured by Hall Effect. Additionally, PCR images were obtained for the whole surface for each sample in order to establish the uniformity of the carrier incorporation into the sample. On the other hand, the structural properties were

studied by X-ray rocking curves. It is presents for the first time how the preferential incorporation of the silicon into the GaAs can be observed in the X-ray pattern comparing the peaks correspond to (400) and (200) directions. Making a correlation between Hall measures, PCR intensity and X-ray pattern is possible to determinate that the auto-compensation is not the only mechanism to explain the electrical deactivation. SEM P19 Formación de mini-bandas en superredes infinitas de perfil Gaussiano I. E. Orozco, A. Enciso, S. J. Vlaev, D. A. Contreras-Solorio, I. Rodríguez-Vargas* Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad Esquina Con Paseo La Bufa S/N, 98060 Zacatecas, ZAC., México * isaac@fisica.uaz.edu.mx En el presente trabajo se hace un estudio detallado y sistemático de las mini-bandas de conducción y de valencia en superredes infinitas AlGaAs/GaAs. Consideramos superredes de gap directo e indirecto, así como las condiciones de transición de un tipo de superred a otro en el espacio real en la dirección de crecimiento (001). Los resultados obtenidos son la base de la interpretación de datos experimentales y el diseño de diferentes heteroestructuras de perfil Gaussaino. La metodología empleada en los cálculos numéricos incluye el formalismo de funciones de Green y el modelo semi-empírico de enlace fuerte. SEM P20 Synthesized ZnO micro-rods present strong exciton emission (390 nm) and imperceptible visible emission, at room temperature, under UV-photon excitation. F Ramos-Brito1 , M García-Hipólito2, C Alejo-Armenta1, E Camarillo3, J Hernández A3, C Falcony4 and H Murrieta S3. 1Laboratorio de Materiales Optoelectrónicos, DIDe, Centro de Ciencias de Sinaloa, Av. de las Américas 2771 Nte. Col. Villa Universidad, Culiacán, Sinaloa C.P. 80010, México.

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2Departamento de Materiales Metálicos y Cerámicos, Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autónoma de México, AP 70-360, Coyoacán 04510, DF, México. 3Instituto de Física, Universidad Nacional Autónoma de México, AP 20-364, Alvaro Obregón 01000, DF, México. 4Departamento de Física, CINVESTAV-IPN, AP 14-740, 07000, DF, México. rbrito@correo.ccs.net.mx,castulo@correo.ccs.n

et.mx

Employing a simple chemical synthesis method, hexagonal-shaped zinc oxide microrods were deposited on aluminum and pyrex-glass substrate. Both kinds of deposits showed zincite crystalline phase with lattice parameters: a = 3.2498 and c = 5.2066 Å. Microrods deposited on glass substrate resulted with enhanced optical properties as compared with deposited on aluminum substrate. The principal physical and optical characteristics for microrods deposited on glass were: a) very uniform wide and large sizes of around 1 and 10 µm, respectively, b) preferred crystalline growth in [1010] and [0001] directions, c) strong exciton photoluminescent emission centered at 390 nm with a FWHM of 70 meV at room temperature, d) an energy band gap of 3.32 eV, e) imperceptible photoluminescent emission in the visible region of the electromagnetic spectrum associated with poor existence of structural defects, f) good emission efficiency supported by the not required high energy densities to obtain strong exciton emission and g) good ZnO stoichiometry endorsed by photoluminescent and chemical composition results. These characteristics make of these microrods good for potential photonic applications. SEM P21 Caracterización térmica del silicio poroso elaborado mediante a taque electroquímico A. Florido Cuellar1, A. Calderón1. 1 Centro de Investigaciones de ciencias aplicadas y tecnología avanzada CICATA-IPN unidad legaría * aflorido@ipn.mx

En este trabajo Se reporta la caracterización térmica del silicio poroso tipo n elaborado por ataque electroquímico mediante la técnica fotoacústica en configuración de transmisión de calor y de una metodología que no requiere la separación del material poroso del sustrato del silicio cristalino. Determinando así su difusividad térmica, conductividad térmica, efusividad térmica, y capacidad calorífica por unidad de volumen. Dando así una caracterización térmica de un material columnar.

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SIMPOSIO DE SOL GEL. Sol Gel SGE P01 Silica films doped with nematic liquid crystal and azo dye methyl red that exhibit nonlinear optical properties V. Marañon-Ruiz1, R. Chiu-Zarate1*, M. Mora-González1, JH. Garcia-Lopez1, E. Villafaña-Rauda1 and MC. Rizo-delaTorre1

1Centro Universitario de los Lagos, Universidad de Guadalajara, Enrique Díaz de León 1144 Lagos de Moreno, Jalisco, 47460, México. *rchiu@culagos.udg.mx

Sol-Gel chemistry is an alternative

method to develop the so-called hybrid materials with unique properties. By mixing organic and inorganic fragments at molecular levels, it is possible to synthesize organopolysilsesquioxanes with a well-defined three-dimensional network owing to the presence of covalent bonds [1, 2]. The methyl red (MR) is a photosensitive dye [3], which has been used as a dopant agent in the polymeric materials preparation. MR has been seen to confer nonlinear optical properties to the polymeric materials [4-5].

In this work we present the synthesis of hybrid materials using the Sol-Gel method by condensation of tetraethoxysilane, azo-dye methyl red, liquid crystal 4`-n-pentil-4-cyanobiphenyl and surfactant Triton X-100. The composite materials were used to prepare silica films into the sandwich glass-cell. Nonlinear refraction index changes were observed when these films were exposed to an intensity distribution illumination. A 5 mW He-Ne laser at 633 nm was used to illuminate the samples. The ability of these films to act as nonlinear phase contrast filter is demonstrated experimentally. Detailed description of inner changes of silylated matrix and analysis of UV-vis and IR spectra are presented. [1] Shea K.J, Loy DA, Webster OW. J Am Chem Soc 1992; 114:6700-10. [2] Bied C, Gauthier D, Moreau JJE, Man

MWC. J Sol-Gel Sci Tech 2001; 20:313-20.

[3] Tiana Y, Wanga G, Li F, Evansa DG, Mat Lett 2007; 61:1662-66.

[4] Kajikawa K, Yamaguchi T, Anzai T, Takezoe H, Fukuda A, Okada S, et al. Langmuir 1992; 8:2764-70.

[5] Tu Y, Zhang Q, Ågren H. J Phys Chem B 2007; 111:3591-98.

SGE P02 Preparación de polvos nanoestructurados de TiO2 por solgel: evolución estructural ββββ-monoclínica-anatasa-rutilo L.D. Gómez1*, J.A. Montes de Oca2, A. García1, H.J. Dorantes-Rosales3, N. Cayetano4, R. López5, R. Gomez5

1 CICATA-IPN Unidad Altamira, Km. 14.5 Carret. Tampico-Pto. Industrial Altamira, C.P. 89600 Altamira, Tamps. MEXICO 2CICATA-IPN Unidad Querétaro,Cerro Blanco 141 Col. Colinas del Cimatario, C.P. 76148 Querétaro, Qro. MEXICO 3 Departmento de Ingenieria. Metalurgica, ESIQIE-IPN, Av. IPN s/n UPALM, 07340 D.F., MEXICO 4 Instituto Mexicano del Petroleo, D.F., MEXICO 5 Departamento de Química, ECOCATAL, UAM-Iztapalapa, D.F., MEXICO * scorpion_gold7@hotmail.com El dióxido de titanio (TiO2) o titania ha sido investigado extensamente por sus aplicaciones prometedoras en diferentes campos: como material eléctrico y optoeléctrico, sensor de gas, catalizador y fotocatalizador, etc. Particularmente, la fotocatálisis es un método muy prometedor para encarar la mayor parte de los problemas asociados con el aumento de la contaminación ambiental [1]. El TiO2 presenta diferentes fases cristalinas: brookita, anatasa y rutilo, y una fase menos reportada β-monoclínica. Aunque estas fases tienen la misma composición química, poseen diferentes propiedades, las cuales influyen de manera preponderante en las aplicaciones finales. Por sus características intrínsecas, la fase anatasa exhibe una excelente actividad fotocatalítica, mientras que la fase rutilo presenta un buen desempeño para el reflejo de la luz, lo cual ha sido asociado a su nivel de Fermi. Aunque la transformación de fase anatasa-rutilo y/o brookita-rutilo ha sido bastante estudiada, existen muy pocos estudios que reporten la presencia de la fase de baja temperatura β-monoclínica [2]. En el presente trabajo, polvos

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nanoestructurados de TiO2 han sido preparados por el método de sol-gel con diferentes temperaturas de tratamiento (250-700 ºC) y tiempos de calcinación, evaluando la influencia de estos parámetros sobre la estructura cristalina, porcentaje de fase y tamaño de cristal. Para la preparación de los polvos de TiO2 se utilizó tetraisopropóxido de titanio como precursor, e isopropanol, ácido acético, y metanol como solventes. La estructura cristalina, fases presentes y tamaño de cristal fueron determinadas por DRX y MET, y a través de un refinamiento de la estructura por el método Rietveld. La morfología de los diferentes polvos obtenidos fue evaluada por MEB de alta resolución. El área superficial, tamaño y volumen de poro de las muestras fueron determinados por un equipo de adsorción de nitrógeno del tipo Brunauer-Emmett-Teller (BET). [1] F. Chen, J. Zhao, Catal. Lett. 58 (1999) 254. [2] K.-N.P. Kumar y col., Scripta Materialia 57 (2007) 771-774 [2] J.A. Montes de Oca y col., Rev. Latinoam. Metalurgia y Mater. En revisión (2009). Agradecimientos: Este trabajo esta siendo apoyado por el CONACYT a través del proyecto SEP-CONACYT No. 83104. Los autores agradecen el apoyo otorgado por la SIP-IPN a través del proyecto SIP 2008-0801 y 2009-0637 y la COFAA-IPN. SGE P03 Estudio de la caracterización del ZrO 2 modificado con H 3PW12O40

J.M. Hernández-Enríquez1,*, L.A. García-Serrano1, R. García-Alamilla2, A. Cueto-Hernández3 1 Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Ingeniería Textil, Av. Instituto Politécnico Nacional s/n, Edificio #8, Col. Linda Vista, Delegación Gustavo A. Madero, 07738 México D.F., México. 2 Instituto Tecnológico de Cd. Madero (D.E.P.I.) 3 Universidad Autónoma Metropolitana-Azcapotzalco * jmanuelher@hotmail.com El ácido tungstofosfórico (H3PW12O40) es el compuesto más representativo de la familia de los heteropoliácidos y su estructura es tipo

Keggin. Los heteropoliácidos son eficientes polioxometales que muestran alta actividad catalítica en reacciones ácido-base así como en reacciones de óxido reducción, sin embrago, estos compuestos presentan la necesidad de ser agregados a un segundo componente para mejorar sus propiedades fisicoquímicas tales como baja área específica (1-10 m2/g) y pobre estabilidad térmica. Los heteropoliácidos comúnmente son soportados en materiales porosos como SiO2, Al2O3, MgO y/o carbón activado, sin embargo, soportes catalíticos como Al2O3 y MgO favorecen la descomposición del heteropoliácido debido a su carácter básico, disminuyendo así su actividad catalítica [1]. Por lo anteriormente expuesto, en este trabajo se propone que la incorporación de un heteropoliácido en la superficie de un ZrO2 podría mejorar la interacción entre ambos componentes en respuesta a las propiedades ácidas que presenta el soporte receptor. La preparación del Zr(OH)4 se realizó vía sol-gel disolviendo n-butóxido de zirconio en 1-butanol, realizando la hidrólisis y condensación del mismo mediante la adición por goteo lento de una solución agua/1-butanol y manteniendo un pH 8 durante la síntesis. Posteriormente, el gel se dejó en añejamiento 72 h y se secó a 120ºC por 24 h. La impregnación del Zr(OH)4 con el H3PW12O40 se llevó a cabo mediante la técnica de humedad incipiente, adicionando las cantidades necesarias de una solución alcohólica que contenía al heteropoliácido para obtener un 15% en peso del agente ácido presente en el soporte. Los hidróxidos puro y modificado, se secaron a 120ºC por 24 h y posteriormente fueron calcinados en atmósfera dinámica de aire a 600ºC durante 3 h. Los análisis térmicos reflejaron que el material ZrO2-H3PW12O40 es térmicamente estable hasta los 900ºC en lo que concierne al heteropoliácido, dado que este material solo presenta cambios atribuidos al ZrO2. Los resultados de difracción de rayos X indicaron que la presencia del heteropoliácido retarda la cristalización del ZrO2 y estabiliza la fase tetragonal. Los estudios de adsorción-desorción de nitrógeno revelaron que el material ZrO2-H3PW12O40 es un soporte catalítico mesoporoso con un área específica de 115 m2/g. La espectroscopía de infrarrojo confirmo que el ácido tungstofosfórico mantiene su estructura tipo Keggin al interactuar con el ZrO2. Técnicas tales como titulación potenciométrica con n-butilamina, TPD-NH3 y deshidratación del 2-

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propanol mostraron que la cantidad total de sitios ácidos del ZrO2 se incrementó al depositar el heteropoliácido en su superficie. La actividad catalítica del material Pt/ ZrO2-H3PW12O40 se evaluó en la isomerización de n-pentano, mostrando una conversión estable del 40% y una selectividad hacia el isopentano del 95%. La cantidad de coque formado durante la reacción fue insignificante. [1] J. Haber, K. Pamin, L. Matachowski, D. Mucha, Appl.Catal. A, 256 (2003) 141-152 SGE P04 Caracterización óptica y estructural de películas delgadas de ZnO crecidas mediante la técnica Sol-Gel utilizando dos soluciones precursoras novedosas J. G. Quiñones-Galván1, F. de Moure-Flores1, A. Hernández-Hernández1, M. Meléndez-Lira1, S. Cerón-Gutiérrez2, I. M. Sandoval-Jiménez3, H. Tototzintle-Huitle3, J.J. Araiza3 and F. Puch3. 1Departamento de Física, Cinvestav-IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F. 2 SEES Departamento de Ingeniería Eléctrica, Cinvestav-IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, 07360 México, D.F. 3 Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad esq. con Paseo de la Bufa S/N, C.P. 98060, Zacatecas, Zac., México * jquiones@fis.cinvestav.mx El óxido de zinc es un material semiconductor versátil que ha atraído la atención por su amplia gama de aplicaciones, tales como celdas solares, dispositivos eléctricos y acústicos, sensores químicos, dispositivos optoelectrónicos para la región UV, fotocatalizadores, transductores piezoeléctricos, electrodos transparentes, dispositivos electroluminiscentes, diodos láser en la región UV, fotodetectores, diodos emisores de luz, etc. En este trabajo se presenta la caracterización de películas delgadas de ZnO depositadas mediante la técnica de sol-gel, se utilizaron dos soluciones precursoras, una se obtuvo disolviendo acetato de zinc en metanol en agitación magnética a temperatura ambiente y la segunda solución se obtuvo disolviendo acetilacetonato de zinc en una mezcla de agua

deionizada y propanol a 50º C en agitación magnética. Las películas obtenidas fueron tratadas térmicamente a 300° C y 500° C. Las muestras fueron caracterizadas con las técnicas XRD, UV-Vis, Raman, espectroscopía IR, AFM, EDS, y SEM. SGE P05 Al 2O3-MgO mixed oxides stabilized with Li 2O for catalytic applications Solís-Casados D.,1,* Klimova T.2,*

1 Centro de Investigación en Química Sustentable, Facultad de Química, UAEM, Km 14.5 Carretera Toluca-Atlacomulco, Toluca Estado de México. 2 Facultad de Química, Departamento de Ingeniería Química, UNAM, Ciudad Universitaria, México D.F., 04510, México 1,*dasolisc@uaemex.mx, 2,* klimova@servidor.unam.mx Over the last few years, supports and catalysts with low acidity acquired great importance. Among them, MgO was one of the most studied because of its large surface area and low acidity, which makes it interesting as a support for different catalytic applications. However, the use of pure MgO was limited in some cases because it was observed that its periclase phase transforms easily into the brucite phase of Mg(OH)2 upon exposition to environmental conditions or during aqueous impregnation of catalytically active phases [1]. To avoid this drawback, MgO was combined with the stable Al2O3 by the sol-gel technique, to obtain Al2O3-MgO mixed oxides with low acidity and increased stability in comparison with pure MgO. However, it was not possible to avoid completely the transformation of periclase MgO into brucite Mg(OH)2 phase upon aqueous impregnation [2]. In continuation of our previous studies, in the present work we explore the possibility of preparation of stable and low acid catalytic formulations on the basis of Al2O3-MgO modified by the addition of one of the alkaline metal oxides, namely the Li2O. Lithium oxide was introduced by two methods, 1) during the sol-gel preparation of the Al2O3-MgO formulation (Al2O3-MgO-Li2O) and 2) by deposition on the previously prepared Al2O3-MgO support (Li2O/Al2O3-MgO). Results from the characterization of the acid properties of the obtained formulations indicate

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that Li2O addition into Al2O3-MgO resulted in an expected decrease in both the acid strength and the total number of acid sites. Textural properties of Al2O3-MgO mixed oxide were maintained almost intact after Li2O addition. X-ray diffraction patterns showed the presence of only crystalline γ-Al2O3 and MgO periclase phases in Li2O-containing samples, whereas the signals of Mg(OH)2 were not detected. The above results point out that Li2O addition provides textural and structural stability to the low acid Al2O3-MgO formulations prepared by the sol-gel method, making these solids promising as catalytic supports. The effect of Li2O addition on the stability of MgO can be attributed to the interaction of the Li and Mg oxides, however, further studies should be done to confirm this interaction. [1] Klimova T., Solis-Casados D., Ramirez J. Catalysis Today 43(1998) 135-146. [2] Solís D., Klimova T., Ramirez J., Cortez T. Catalysis Today 98 (2004) 99-108. SGE P06 SINTESIS Y aplicación de nanoparticulas de oro soportadas en TiO 2 en la degradacion fotocatalítica de 4-clorofenol Socorro Oros Ruiz*, Elías Pérez López, Edgar Moctezuma Velázquez Facultad de Ciencias Químicas, UASLP, Av. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, CP 78290, San Luis Potosí, S.L.P., México Doctorado Institucional en Ingeniería y Ciencia de Materiales En los años recientes, el uso y el estudio de las aplicaciones de nanopartículas de oro han sido numerosos [1-5], especialmente para propósitos catalíticos, ya que este metal presenta una excelente actividad a temperatura ambiente. En este trabajo presentamos el estudio del efecto de las nanopartículas de oro en la degradación fotocatalítica del 4 Clorofenol, al modificar la superficie del TiO2 con este metal. El método de síntesis y deposición de estas partículas conduce a diferentes tamaños y estructuras de contacto entre la partícula metálica y el soporte [6], aquí se presentan 3 tipos de síntesis para evaluar su fotoactividad basada en el tamaño de la partícula y en su estructura. La fotocatálisis es una alternativa económica para remover contaminantes orgánicos de mantos acuíferos,

en este proceso el semiconductor absorbe luz y genera especies activas que promueven la oxidación de los compuestos orgánicos. El TiO2 es ampliamente usado por su estabilidad física y química, bajo costo, disponibilidad, sin embargo, es activado solamente por energía ultravioleta (λ< 388nm), lo que es su principal limitante para su uso con energía solar. Los semiconductores modificados con nanopartículas de metales nobles han sido de gran importancia para mejorar la eficiencia de este proceso fotocatalítico, ya que pueden presentar varios efectos: reducir la recombinación del hueco-electrón atrapando los electrones generados en la superficie del semiconductor, pueden desplazar la absorción de luz de la región ultravioleta a la visible, y también pueden modificar las propiedades de la superficie del fotocatalizador [7]. Estos materiales fueron caracterizados por DRX, area BET, Reflectancia Difusa de sólidos UV-Vis, Absorción atómica, Desorción a temperatura Programada (TPD), Microscopía electrónica de transmisión (TEM). Los materiales que contienen partículas con tamaño promedio de 6 nm mejora la actividad fotocatalítica del TiO2 en un 80%, y cuando el tamaño de estas partículas aumenta hasta 12nm la actividad decrece y el efecto de éstas deteriora la actividad del TiO2.

Agradecimientos: Los autores agradecen al Dr. José Ricardo Gómez Romero del Laboratorio de Catálisis en el Departamento de Química de la Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa por el apoyo para la caracterización y pruebas de fotoactividad de estos materiales 1. M. Haruta, T. Kobayashi, H. Sano, N. Yamada, Chem Lett. (1989), 405-406 2. M. Haruta, Catal. Today (1997), 36, 153-166. 3. A. Ueda, T. Oshima, M. Haruta, Appl. Catal. B (1997), 12, 81-93. 4. D. Andreeva, T. Tabakova, , P. Cristov, R. Giovanoli, Appl. Catal. A (1998), 169, 9-14. 5. H. Sakurai, M. Haruta, Catal. Today. (1996), 29, 361-365. 6. N. Sobana, M. Muruganadham, M. Swaminathan, Journal of Molecular Catalysis A 258, (2006) 124-132. 7. M. Haruta, G. Bamwenda, Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry (1995), 89, 177-189.

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SGE P07 Efecto de la temperatura de calcinación sobre la evolución de la estructura de polvos compósito de TiO 2-Al 2O3 obtenidos por sol-gel M.G. Lopez Granada1,*, J.A. Montes de Oca-Valero1, A. Perales Martínez1, J.J. Cruz-Rivera2 1 Centro de Investigaciones en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, Cerro Blanco No. 141, Col. Colinas del Cimatario, C.P. 76090 Querétaro, Qro. México. 2Facultad de Ingeniería-Instituto de Metalurgia, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Dr. Manuel Nava # 8 C.P. 78290, San Luis Potosí, S.L.P., México * mlopezg0805@ipn.mx La eficiencia fotocatalítica del TiO2 ha sido mejorada modificando la estructura cristalina, las fases presentes, el área superficial, el tamaño de partícula y mediante la adición de iones dopantes. Los materiales compósitos a menudo presentan una mayor eficiencia fotocatalítica que las sustancias puras, debido a la generación de nuevos sitios activos. La técnica de sol-gel ha sido utilizada para la obtención de polvos cerámicos de alta pureza, con un excelente control de la estequiometría y tamaño de cristal [1-2]. Así, en el presente trabajo se reporta la síntesis de polvos compósito de TiO2-Al2O3 (75-25 % peso) por medio de sol-gel, usando tetraisopropóxido de titanio y acetilacetonato de aluminio como precursores, alcohol isopropílico y metanol como solventes y ácido acético glacial como agente estabilizador. El xerogel previamente molido fue calcinado a 400, 500, 600 y 700 ºC durante 1 h. La influencia de la temperatura y tiempo de tratamiento fue evaluada sobre la estructura cristalina, porcentaje de fase y tamaño de cristal mediante XRD y TEM. La morfología y composición química de los polvos fue evaluada por HR-SEM y EDS. Finalmente, el área superficial, tamaño y volumen de poro de las muestras fueron determinados por un equipo de adsorción de nitrógeno del tipo Brunauer-Emmett-Teller (BET). [1] S. Sakthivela, M.V. Shankarb, M.

Palanichamyb, B. Arabindoob, D.W. Bahnemanna, V. Murugesan, Water Res., 38 (2004) 3001–3008

[2] D. Crisan, N. Dragan, M. Crisan, M. Raileanu, A. Braileanu, M. Anastasescu, A. Ianculescu, D. Mardare, D. Luca, V. Marinescu, A. Moldovan, J.Phys. Chem. Sol., 69 (2008) 2548-2554.

Agradecimientos. Este trabajo se esta realizando con apoyo CONACYT a través del proyecto SEP-CONACYT 83104. Así mismo se agradece el apoyo otorgado por la SIP-IPN a través del proyecto SIP 2009-0637, y por COFAA-IPN. SGE P08 Influencia del alcóxido precursor del TiO 2

Sol-Gel; utilizado en la degradación fotocatalítica de Naranja de Metilo. T.J. Del Ángel-Sánchez1,* R. García-Alamilla1*, G. Sandoval-Robles 1, R. Silva-Rodrigo1, E. Moctezuma-Velázquez 2, F. Paraguay-Delgado3. 1 Depto. de Ingeniería Química. Instituto Tecnológico de Cd. Madero. J. Rosas y J.Urueta. Col. Los Mangos, Cd. Madero Tamaulipas, México. Tel.01 (833) 2 15 85 44. 2 Centro de Investigación y Estudios de Posgrado/FCQ, UASLP. Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, San Luis Potosí, SLP, México. 3 Centro de Investigación en Materiales Avanzados, CIMAV. Av. Miguel Cervantes 120 corredor Industrial, Chihuahua, México. *E-mail: rgalamilla@aol.com, tere_delangel@hotmail.com El Dióxido de Titanio (TiO2) es el catalizador más usado en el tratamiento de aguas, mediante fotocatálisis heterogénea, en este trabajo se preparó TiO2 por el método Sol-Gel utilizando como precursores Butóxido e Isopropóxido de Titanio a fin de analizar su influencia sobre las propiedades de los materiales así como sobre la actividad en la degradación del colorante naranja de metilo. Los materiales fueron calcinados a 450°C y se caracterizaron por TGA, DRX, BET, Espectroscopia UV-Vis con Reflectancia Difusa y Espectroscopía de Infrarrojo (FTIR). En ambos materiales hubo predomino de la fase anatasa [1] y tamaño de cristal alrededor de 14 nm, el valor de energía de banda prohibida (Eg) fue de 2.8-3.1 eV. El área específica del material fue de 99 m2/g. La actividad catalítica se llevó a cabo e

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un reactor de tipo semicontinuo, el cual soporta en su interior una lámpara de luz uV de 125 W. En todas las pruebas se utilizó una solución de 20 ppm del colorante naranja de metilo y 0.5 gr/l de catalizador. Las muestras fueron analizadas por espectroscopia UV en un equipo uV-Vis Spectronic 21 D Milton Roy. Se obtuvo el 100% de decoloración del naranja de metilo con ambos materiales, sin embargo con el catalizador sintetizado con Isopropóxido de titanio se obtuvo el 100 % de conversión en 90 min de reacción mientras que con el catalizador preparado con Butóxido de titanio se el mismo porcentaje de decoloración a los 120 min de transcurrida la reacción. [1] T. López, y col.; “FTIR and UV-Vis (diffuse reflectance) spectroscopic characterization of TiO2 sol-gel” Materials Chemistry and Physics, 32 (1992) p.142. Agradecimientos: Al proyecto DGEST No. 615.07-P por el apoyo económico para la realización de este trabajo. SGE P09 TiO2/SiO2 composite synthesized characterized by different analytical techniques M. Chávez Martínez1*, M. Ávila Jiménez1, L. Hernández Martínez1, H. Goñi Cedeño1, M. Cecilia Salcedo Luna2, M. Meijueiro Morosini3. 1Area de Química, Universidad Autónoma Metropolitana Azcapotzalco, Av. San Pablo No. 180, Col. Reynosa Tamaulipas, C. P. 02200, D. F., México. 2Unidad de Servicio y Apoyo a la Investigación, Facultad de Química, Universidad Nacional Autónoma de México, C. P. 04510, Coyoacán, D. F. México, 3Departamento de Química Inorgánica y Nuclear, Facultad de Química, Universidad Nacional Autónoma de México, C. P. 04510, Coyoacán, D. F. México. *cmm@correo.azc.uam.mx A series of TiO2/SiO2 composite with different Ti/Si ratios were prepared by sol–gel technique. The samples were characterized by different analytical techniques such as XRD, FT-IR, BET and XPS. Grain size of Anatase TiO2 calculated using Scherrer's formula was found to be in the

range of 2.1–8.7 nm, and the content of Anatase phase in TiO2 ranges from 42% to 46.2%. The photocatalytic properties on methyl orange (MO) solution was also studied. The degradation rate of the composite is much higher than that of the pure TiO2 in the same conditions. Especially, the SiO2/TiO2 nanocomposites are more efficient photocatalysts than pure TiO2. The addition of silica in Titania enhances the thermal stability for the phase transformation of Titania particles from anatase to rutile. Also, silica acts as the carrier of Titania, which can help to obtain a large surface area. In this study, we report the addition of silica into Titania can effectively suppress the transformation of Titania from Anatase phase to Rutile phase and prevent the growth of Titania grains during the heat-treatment process. The addition of silica into Titania can increase the surface area of Titania particles and promote the formation of Ti–O–Si cross-linking bonds. All these effects contribute to the higher photocatalytic properties of The TiO2/SiO2 composite. However, excessive addition of silica can decrease the content of Titania in the composite, which is bad to the photocatalytic properties. The optimum material for higher photocatalytic properties is TiO2/SiO2 composite with Ti/Si ratio of 3:1 heat-treated at 600 °C with the grain size of 7.2 nm and 43% Anatase phase in TiO2. K.Y. Jung and S.B. Park, Anatase-phase Titania: preparation by imbedding silica, J. Photochem. Photobiol. A: Chem. 127, (1999) 117–122 ICDD Powder Diffraction File, International Centre for Diffraction Data, 12 Campus Boulevard, Newton Square, (2004), PA 19073-37720. SGE P10 Reducción de Cromo, utilizando como fotocatalizador TiO 2 preparado por el método Sol-Gel M. Malibrán-Domínguez1*, G. Sandoval-Robles1*, R. García-Alamilla1*, E. Moctezuma-Velázquez2, E. Ramírez-Meneses3. 1 Departamento de Ingeniería Química. Instituto Tecnológico de Ciudad Madero. J. Rosas y J. Urueta Col. Los Mangos, Cd. Madero Tamaulipas, México. Tel.018332158549 2 Centro de Investigación y Estudios de Posgrado/FCQ, UASLP, Ave. Dr. Manuel Nava

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No.6, Zona Universitaria, San Luis Potosí, SLP, México 3 Km 14.5 Carretera Tampico Puerto Industrial Altamira S/N Col Santo Tomas Altamira Tamaulipas. C.P. 89600 E-mail melymalibran@hotmail.com, rgalamilla@aol.com, guillermosadov@gmail.com El empleo de la fotocatálisis heterogénea aplicada a la reducción de cromo ha llamado la atención en los últimos tiempos, en el presente trabajo se prepararon materiales de TiO2 por el método Sol-Gel utilizado como precursores Isopróxido de Titanio IV (Aldrich 97%) y 2 –propanol (J.B. Baker 99%), en atmosfera inerte de N2 y con hidrólisis controlada, una vez terminada la hidrólisis se deja agitar por una hora y posteriormente se detiene la reacción, obteniendo un sol que se dejó secar y se calcino a temperaturas de 400, 430, 480 y 530°C [1] . Los materiales obtenidos se emplearon en la reducción de cromo hexavalente utilizando como agente orgánico de sacrificio el ácido cítrico, las reacciones se llevaron a cabo en un sistema tipo Batch con un volumen de muestra de 300 ml y 0.3 g/L de catalizador, en el cual se introdujo una lámpara de luz Uv de 15 W. Se tomaron 5ml de muestra cada 30 min por 4 horas, las cuales fueron analizadas por un espectrofotómetro Uv-visible utilizando el método 1,5-difenilcarbazida en medio ácido para dar cromo trivalente y 1,5-difenilcarbazona de color violeta que se lee espectrofotométricamente a 540 nm. Los resultados indicaron que el material tratado térmicamente a 480°C obtuvo un 69 % de reducción de cromo 6 a cromo 3 mientras que catalizador calcinado a 530°C mostró un 50% de reducción de cromo respectivamente. Posteriormente se vario el pH de la solución (pH: 2,5,7) utilizando el catalizador que presento la mayor actividad en la reducción de cromo, observando que la reducción es mayor cuando se trabaja a pH ácidos. [1] Ki Hyun Yoon, Jung Sok Noh, Chul Han Kwon, Mamoun Muhammed, Material Chemistry and Physics, 95 (2006) 79-83.

SGE P11 Síntesis de dióxido de titanio preparado por el método sol-gel e hidrotérmico. Evaluados en la fotodegradación de naranja de metilo H. Esteban- Benito1*, T. del Ángel- Sánchez1, R. García- Alamilla1, G. Sandoval-Robles1, E. Moctezuma-V.2, B. B. Zermeño- Resendiz2., F. Paraguay Delgado 3. (1) Instituto Tecnológico de Ciudad Madero División de Estudios de Posgrado e Investigación J. Rosas y J. Urueta s/n Col. Los Mangos, 89440 Cd. Madero, Tamaulipas, México. (2) Centro de Investigación y Estudios de Posgrado/ FCQ, UASLP. Av. Dr. Manuel Nava No. 6, Zona Universitaria, San Luis Potosí, SLP, México. (3) Centro de investigación en Materiales Avanzados, CIMAV. Av. Miguel Cervantes 120 corredor industrial, Chihuahua, México. *H_esteban08@hotmail.com; rgalamilla@aol.com Los procesos fotocatalíticos están siendo aplicados con éxito en la remoción de contaminantes difíciles de degradar por tecnologías convencionales, el uso de dióxido de titanio (TiO2) como catalizador, atrae mucho la atención debido a sus propiedades fotoconductores, texturales y estructurales, desafortunadamente su eficiencia se ve limitada por diversas variables como el método de preparación, temperatura, agitación, precursor, relación solvente/precursor, tiempo de añejamiento, etc. [1] En el presente trabajo se estudió el efecto del método de síntesis del TiO2, los materiales obtenidos por ambos métodos se calcinaron a 400 °C, la evaluación se llevó a cabo al degradar 0.061 mmol de naranja de metilo a pH neutro en un reactor semi-continuo, en presencia de luz UV. Se utilizó 0.5 g/L de TiO2 preparado por el método sol-gel usando butóxido de titanio como precursor [3], la degradación fue del 95 % en 120 min de reacción, con la misma masa de TiO2 preparado por el método hidrotérmico usando como precursor tetracloruro de titanio (TiCl4, 3 M) e hidroxipropilcelulosa como agente dispersante [3] se obtuvo una degradación del 77 % en 120 min, ambos materiales se compararon con el TiO2 degussa P25 a las mismas condiciones con

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el cual se obtuvo una degradación del 97 % a este mismo tiempo de reacción. La fisisorción de nitrógeno realizada al TiO2 obtenido por el método hidrotérmico y calcinado a 400 °C mostró un área específica de 62 m 2/g, muy similar al área específica de TiO2 Degussa P25. La reflectancia difusa UV-vis mostró un umbral de absorción de 395 nm y 406 nm lo que corresponde a una energía de banda prohibida de 3.13 eV y 3.05 eV para las muestras preparadas por el método sol-gel e hidrotérmico respectivamente. [1] M. Addamos, V. Augugliaro, A. Di Paola, E.

García López, V. Loddo, G. Marcí, L. Palmisano, Colloids and Surfaces A: 265 (2005) 23-31.

[2] T. Lopez, E. Sanchez, P. Bosch, Y. Meas, R. Gomez. Materials Chemistry and Physics: 32 (1992) 141-152

[3] K. H. Yoon, J. S. Noh, C. H. Kwon, M. Muhammed, Material Chemistry and Physics: 95(2006) 79-83 Agradecimientos: A la DGEST por el apoyo al proyecto No. 615.07 P y a CONACYT por la beca otorgada No. 8396. SGE P12 Decoloración fotocatalítica de naranja de metilo usando TiO 2 sol gel sulfatada. Optimización por metodología de superficie de respuesta. E. Cabrera-Culebro1, T. J. del Angel Sánchez2, C. A. Aguilar-López1, P. García-Alamilla3,*, R. García-Alamilla2, E. Moctezuma-Velazquez4. 1División Académica de Ciencias Agropecuarias (DACA). Universidad Juárez Autónoma de Tabasco (UJAT). Carretera Villahermosa-Teapa Km. 25 Col. La Huasteca. Villahermosa, Tabasco, México. 2 Instituto Tecnológico de Cd. Madero (ITCM) Cd. Madero, Tamaulipas 3Instituto Tecnológico de Villahermosa (ITVH).Carretera Villahermosa-Frontera Km 3.5 Col Indeco. Villahermosa, Tabasco, México. 4 Facultad de Ciencias Químicas, UASLP, Av. Manuel Nava 6, San Luis Potosí, S.L.P., México * shish_kko@hotmail.com La fotocatálisis heterogénea en los últimos años ha demostrado que es una tecnología viable para la remoción de contaminantes en aguas y aire. El dióxido de titanio degussa P25 en forma

de polvo se ha estudiado extensamente para la degradación de diversos compuestos orgánicos dispersos en agua debido a su alta actividad y bajo costo, sin embargo su recuperación después de reacción es compleja. Por lo anterior se ha sintetizado dióxido de titanio por diversos métodos para solventar este problema siendo el método sol-gel uno de los más interesantes debido a la facilidad de preparación y las características físico-químicas resultantes. En este trabajo se reporta la preparación por el método sol-gel de dióxido de titanio sulfatado y se aplica la metodología de superficie de respuesta (MSR) para la optimización de la degradación foto-catalítica de naranja de metilo (NM) con UV/TiO2 sulfatada al 7%. La MSR se utilizo para modelar y optimizar la decoloración de NM con TiO2 sol-gel sulfatada al 7%. Las variables de estudio fueron el pH de la solución (3-11), concentración de catalizador (0.1-1 g L-1) y colorante NM (10-30 ppm) y se evaluó su efecto a través de un polinomio de segundo orden con un diseño factorial central ortogonal. Los resultados indican que la fase predominante en el dióxido de titanio fue la estructura anatasa, fase cristalina reportada como sumamente activa, la energía de banda prohibida para el TiO2 sulfatado fue de 3.12 eV. El análisis de varianza (ANOVA) del modelo cuadrático mostro alta significación a un valor de significancia de 5 % [1]. Merabet, S., Robert, D., Weber, J.V., Bouhelassa, M., y Benkhanouche, S. Photocatalytic degradation of indole in UV/TiO2: optimization and modelling using the response surface methodology (RSM). Environ Chem Lett 7, 2009,45–49. [2] Guzmán Palacio, Ana M., Alejandra M. Fernández Solarte, Rodríguez Páez J. E., Vera López E. “Efecto de fotodegradación producido por recubrimiento de TiO2-SiO2 y TiO2 obtenidos por sol-gel”. Scientia Et Technica (Pereira, Colombia), Septiembre 2007, número 36, pp. 401-405. SGE P13 Propiedades catalíticas mejoradas de compositos TiO 2-Ag preparados por la vía sol-gel P. C. Hernández-del Castillo1, G. A. Martínez-Castañón2, N. Niño-Martínez3, G. Ortega-Zarzosa3 y Facundo Ruiz3.

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1 Instituto de Metalurgia, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Sierra Leona 550, C. P. 78290, San Luis Potosí, S. L. P., México. 2 Maestría en Ciencias Odontológicas, Facultad de Estomatología, UASLP, Av. Manuel Nava 2, Zona Universitaria, C. P. 78210, San Luis Potosí, S. L. P., México 3 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Álvaro Obregón 64, Col. Centro, C. P. 78000, San Luis Potosí, S. L. P., Mexico. * mtzcastanon@fciencias.uaslp.mx Uno de los fotocatalizadores más utilizados es el TiO2, en los últimos años la investigación se ha dedicado a producir materiales que nos proporcionen mayor eficiencia y que trabajen a menores longitudes de onda (cercanas o dentro del rango visible del espectro electromagnético). Una de los formas de lograr lo anterior es crear compositos del tipo TiO2-Ag donde la inclusión de plata en la superficie del TiO2 alarga sus tiempos de recombinación y podría recorrer la longitud de onda de activación hacia el visible. En este trabajo se prepararon polvos de TiO2-Ag por la ruta sol-gel y se caracterizaron utilizando técnicas de difracción de rayos X (DRX), microscopía electrónica de transmisión (MET), espectroscopia uv-vis (UV-Vis) y análisis termogravimétrico (ATG). Se evaluó la eficiencia fotocatalítica de los materiales obtenidos mediante pruebas de degradación de naranja de metilo relacionándola con el tamaño de partícula y estructura cristalina y se comparó con otras muestras de compositos TiO2-Ag obtenidas a partir de TiO2 comercial (Dupont y Degussa). Los resultados muestran que los materiales obtenidos son una mezcla de las fases anatasa y rutilo con mayoría de anatasa, la presencia de Ag sólo se detectó por medio de TEM y el tamaño de crsital se encuentra por debajo de los 50 nm. La eficiencia fotocatalítica fue mayor para los compositos preparados a partir de la ruta sol-gel y se encontró que el tamaño de partícula y la mezcla de fases en el material son críticos. Agradecimientos: Los autores agradecen el apoyo del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACYT), Programa de Mejoramiento del Profesorado (PROMEP) y al Fondo de Apoyo a la Investigación (FAI) de la Universidad Autónoma de San Luis Potosí (UASLP).

SGE P14 Enhanced luminescence of Er-Eu co-doped Silica Glasses produced by sol-gel. H. Arizpe-Chávez(1,*), M. Yáñez-Limón(2), R. Ramírez-Bon(2), M. Flores-Acosta(1). (1) Departamento de Investigación en Física. University of Sonora, Mexico. (2) Laboratorio de Investigación de Materiales. CINVESTAV Querétaro, México. harizpe@cajeme.cifus.uson.mx The sol gel-gel method of producing pure monolith silica glasses from alkoxides has generated widespread interest due to the inherent advantages of the low temperature processing, and high control on the purity and homogeneity. Rare earth ions diluted in semiconductors and insulators emit light by intra-f shell transitions at wavelenghts which are fairly independent of the host lattice. The vast majority of rare earth doped amplifiers and lasers use lanthanides elements as gain medium. In particular, Er3+-doped glasses and compositionally-disordered crystals are potential materials for active elements of up-converted visible lasers with light emitting diodes (LEDs) pumping in the 800–980 nm spectral range [1]. On the other hand, use of Er ions embedded in silica glasses prepared by sol-gel, results in a quenching effect on the luminescence, produced by OH groups present in the hydrolysis processes, which largely reduces the efficiency of emission. An additional problem stems from crystallization of rare earth oxides at high concentrations due to the agglomeration of rare earth ions. This luminescence has to be improved by methods that could include a controlled addition of oxygen into the matrix [2], isolation of the Er3+ ions from the local environment [3], or by some “enhancement” produced by another impurity ions [4]. In this paper, we present the results of luminescence for Erbium-doped Silica glasses prepared by Sol-Gel, and co-doped with Eu ions, which show a notorious enhancement effect for the emission in the visible range. Some different combination volumes of Er/Eu, ranging from 0 to 40 % atm were studied, and our results show a particular volume combination that enlarges luminescence in the blue and orange emission peaks. This effect is explained in terms of UV–VIS–IR absorption and Raman spectra measurements.

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[1] S. Taccheo, P. Laporta, S. Longhi, O. Svelto, C. Svelto, Appl. Phys. B 63 (1996) 425. [2] A. Reitinger, J. Stimmer, G. Abstreiter Appl. Phys. Lett. 710, 2431-2433 (1997) [3] Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, Y. J. Mii, J. Appl. Phys. 70, 3223-3228 (1991) [4] C. Strohhfer, A. Polman. Appl. Phys. Lett. 81 (8) Agosto 2002 SGE P15 Sintesis y caracterización de particulas compuestas SILICA:PLATA Ruiz-Torres L. A. 2 Morales-Sánchez J.E.1,2,3, Guajardo-Pacheco J.Ma.1,2,3, González Hernández J.3., Ruiz Facundo2,* 1Depto. Físico Matemáticas UASLP, 2Facultad de Ciencias UASLP, 3 Centro de Investigación en Materiales Avanzados (CIMAV) *facundo@fciencias.uaslp.mx En este trabajo se reportan la fabricación de nanopartículas dióxido de silicio (SiO2) recubiertas con nanopartículas (NPs) de plata (Ag). Las nanopartículas de dióxido de silicio fueron producidas con una variación del método de Stöber. Para la síntesis de plata se usaron nitrato de plata (AgNO3) y boro hidruro de sodio (NaBH4), como precursor de plata y agente reductor respectivamente. Las nanopartículas de plata fueron sintetizadas dentro de la solución que contenía las partículas de SiO2. Para facilitar la deposición de la NP´s de plata sobre las superficie de las partículas de silica, un conjunto de muestras de partículas de SiO2 fue sometida a tratamiento ultrasónico, previo a la síntesis de NPs de plata para modificar el potencial Z y otro conjunto de estas muestras no se sometió al tratamiento ultrasónico. Las muestras obtenidas fueron caracterizadas mediante espectroscopía de absorción UV-Vis, Dispersión Dinámica de Luz y Microscopía de transmisión de electrones. Se muestran y discuten los resultados obtenidos. Agradecimientos. Este trabajo se esta realizando con apoyo CONACYT a través de los proyecto CONACYT ref:AINAT 01-30.30 y ref: 61257

SGE P16 Antibacterial effect of TiO 2 films deposited over silicon dioxide glass: Selection of operational conditions. N.S. Rojas-Higuera1, A.M. Sanchez-Garibello1, Carrascal-Camacho1, A. Matíz-Villamil1, J.C. Salcedo3 A.B. Soto-Guzmán2 C. Falcony-Guajardo2, Pedroza-Rodríguez, A.M1*. 1 Environmental and Industrial Biotechnology Group. University Javeriana. Carrera 7 No. 43-82, Bogotá, Colombia. 2 Physics Department. Center for Research and Advanced Studies of I.P.N (CINVESTAV-IPN). Politécnico Nacional Avenue 2508. México D.F. México. 3 Thin Films Group. Physics Department. University Javeriana. Carrera 7 No. 43-82, Bogotá, Colombia. *aurapedroza@yahoo.com o apedroza@javeriana.edu.co The use of TiO2 as a photocatalyst for the inactivation of microbial organisms including viruses, bacteria, fungus and cancer cells has been reported, as well as its potential use in sterilization of medical devices, food preparation surfaces, air-conditioning filters, and sanitary ware surfaces. We report the inactivación of the enteric bacteria Escherichia coli present in domestic wastewater using TiO2 chemically deposited as films onto silicon dioxide glass (2 mm thickness). The films were done by dipping them in the TiO2 solution for 60 min. Thereafter, the films were dried and annealed at 50, 350, 450, 550 y 650ºC for 1 h. The methodology was repeated twice. For the photocatalytic testing of the obtained TiO2 films, a sample (25 mm x 20 mm) was put in a petri dishes and 10 mL of effluent were added. Before illumination was turned on, the effluent and TiO2 films was aerated for 30 min in a dark condition. The sample was then illuminated with a UV lamp of 15 W. Samples were taken after 6 hours of irradiation and the measurement was repeated three times. The cellular inactivation was measured according to Doyle, 2001. The best temperatures were 450 and 550 oC; for these films the cellular inactivation percentages were 70 and 72%. The X-ray diffractograms showed the presence of the phases rutile (110), (101) and anatase (101), (200), (211) and (004).

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The optimization process was done by 22 factorial experimental design. The factors evaluated were: (X1) Irradiation source (UV lamps and white lamps) and (X2) the material of reactor (quartz glass and pyrex glass). The independent variables were cellular inactivation in percentage, and mass of TiO2 deposited over silicon dioxide glass. According to statistical results, the best conditions to inactive E. coli were; use UV lamp (256 nm) and quartz reactor (p<0.0001).Under these conditions the results were: 86 % and 70 µg TiO2 for µg of the substrate. [1] A.M. Pedroza, R. Mosqueda, N. Vante, R. Rodríguez, Chemosphere, 67 (2007), 801.

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Acevedo Contla, Pedro: 8 Acevedo-Amaya, G. F.: 19 Aceves, Mariano: 16 Acosta-Osorio, A.A.: 34 Agarwal, V.: 5, 22 Agarwal, Vivechana. 38 Aguilar Hernández, J.: 11 Aguilar Márquez, A.: 16 Aguilar-Alejo, M.: 21 Aguilar-Frutis M.: 26, 48 Aguilar-Hernández J. R.: 54 Aguilar-López C. A.: 60 Aguirre Tostado, Servando: 4 Aguirre-Méndez, A.: 7 Alanís N., A.: 14,35 Alarcón Oseguera, F.: 18 Alarcón, P.: 35 Alarcon-Flores G.: 48 Alarcón-P, P.: 35 Alcántara-Iniesta, S.: 13 Alejo-Armenta C: 57 Alemán-Ayala K.: 27,53 Alfaro Cruz, M. R.: 45 Altamirano-Juárez, D. C.: 11 Altuzar, V.: 21, 21, 26, 39, 55, 56 Alvarado Estrada, K. N.: 5 Alvarado-Gil, J. J.: 11,11,32 Alvarado-Leyva, P.G.: 38 Álvarez L., J.M.: 14 Álvarez Soto M.: 56 Alvarez, G.: 9,9,23 Álvarez, J. M.: 35 Alvarez-Chavez, J.A.: 13,14,14 Ambrosio, R.: 13 Aquino-García, E.: 11 Aragón Piña, A.: 39 Araiza J.J.: 58 Aranda García, Rubén Jonatan: 19 Araujo-Andrade, C: 11 Arciniaga, G: 22 Ardila Vargas, A.M.: 19 Arenas, Concepción: 13 Ares Muzio, Oscar: 1,10 Arias-Ceron S.:56 Ariza Ortega, José Alberto.28,28,32 Arizpe-Chávez H.: 60 Armendáriz Herrera, H.: 39 Arriaga-Galindo J.D.: 16,38,56 Arzate, N.: 8 Asomoza, R: 19

Avendaño, M: 19 Ávila Jiménez M.: 27,59 Ávila-García A.: 53 Axotla García, J. C.: 16 Ayala Ibarrola J.M.: 53 Balderas Altamirano, M. A.: 18 Balderas-López A.: 12,32,33,33,34,55 Balderas-Navarro, R.E.: 37 Balderas-Valadez, R. F.: 5,22 Balderas-Xicohténcatl R.: 48,49 Bañuelos-Muñetón, J.: 37 Baquero, R.: 37 Barba-Pingarrón, A.: 5 Barbosa R.: 54 Barocio, S. R.: 45 Barrera – Calva E., 31 Barrón-Lopez, J. F.: 9,27 Bartolo-Pérez, P.: 19 Bautista Hernández, A.: 25 Becerril M.: 19,54 Béjar, L.: 26 Beltrán Conde, Hiram I.: 17 Benitez, J.L.: 45 Benítez-Lara: 13 Berman-Mendoza, D.: 45 Bernal, J. L.: 26 Betancourt-Galindo R.: 53 Blanco, I. G.: 20,20 Blanka Huerta: 51 Bolarín-Miró, A.: 23 Bon, R. R.: 45 Bravo Sanchez, M.: 15 Bravo-Garcia Y.E.:19, 56 Bustos C. S.: 35 Cabrera, Cesar: 39 Cabrera-Culebro E.: 60 Cabrera-Llanos, A. I.: 27,27 Cabrera-Miranda C.: 53 Cajero Vázquez, Pablo: 6 Calderón A. : 33,57 Calderón-Piñar, Francisco: 24 Caldiño, U.: 40 Calleja A., W.: 14, 35, 35, 35, 36 Calzada-López, G.: 8,9 Camacho García, J. H.: 25 Camacho López, Miguel Ángel: 6 Camacho-López M.A.: 43,45,55 Camacho-López, M: 39 Camacho-López, Marco A.: 46 Camacho-López, S.: 45,46 Camarillo E: 57 Campa-Castilla, A.: 44

Campos Terán, José: 17 Camps, E.: 15,16,17,43,45,50,50 Camps, I.: 16,50 Candelas-Ramírez, J.: 44 Cano-Lara, M.: 45 Carbajal-De la Torre G: 47 Cárdenas, M. G.: 5,39 Carlos R., N.: 14,35,36 Carmona-Rodríguez, J.: 8,9,9,9,10,42,42 Carmona-Tellez S.: 48 Carrascal-Camacho: 60 Castaño, Victor M.: 13 Castellanos, M. A.: 23 Castillo Martín: 47 Castillo Ojeda, R.: 42 Castillo Rivera, José Juan Francisco: 40 Castillo, S. Jesús: 45 Castillón, F. F.: 30 Castrejón-Sánchez V.H.: 50 Castro y de Fernández del C. L.: 36 Castro, L.: 35 Castro-Ocampo E. H.: 40,56 Castro-Rodríguez, R.. 10,10 Cayetano N.: 58 Ceballos Sánchez, Óscar: 30,42,42 Ceja, A.: 7 Cerón-Gutiérrez, S.: 10,10,10,38,43,44,48,54,58 Cervantes Contreras, Mario: 32 Cervantes-Jáuregui Jorge: 50 Cervantes-Rincón, N. A.: 5 Chacón-Roa, C.: 40 Chalé-Lara, F.: 16,55 Chapela, Víctor: 17 Chávez Chávez, L: 35 Chávez Martínez, M.: 27,59 Chávez-Chávez A.: 55,56,56 Chigo Anota, E.: 25 Chiu-Zarate, R: 26,42,58 Cisneros-de la Rosa, A.: 30 Cocoletzi, Gregorio H.: 7 Collins-Martínez, V.: 29 Compean Garcia, D.: 41 Conde-Gallardo, A.: 43,44 Contreras Puente, G.: 19 Contreras R.: 55 Contreras Rascon J. I.: 54,55 Contreras, Juan Antonio: 8 Contreras-Guerrero, M.: 15,15,40,41,41 Contreras-López, O.: 40,56

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Contreras-Puente, G.: 11,54 Contreras-Solorio, D. A.: 25,57 Corea, M: 17 Corona Ibarra, A.: 27 Corrales-Mendoza, I.: 44 Cortes C., A.: 14 Cortes-Ayala M.A.: 52 Cortés-Ibarra, M. L.: 6 ,28 Coyopol, A.: 46 Cruz, Daniel: 24 Cruz, M. P.: 6 Cruz-Barba L.E.: 50 Cruz-González, N.. 28 Cruz-Hernández, E.: 15, 41 Cruz-Orea, A: 11,19,29,32,33,33,33,33,34,52 Cruz-Rivera J.J.: 59 Cueto-Hernández A.: 58 D. Cornejo1, de la Cruz Mendoza, J. A,: 45 De La Cruz, W.: 30,30 De la Hidalga W., F.J.: 14,35,35,36 de la L. Olvera, M.: 21,43,44,48,54 De la Luz Merino, S.: 44 de la Piedad-Beneítez, A.: 45 de la Rosa Cruz, Elder: 40 De Las Heras E.: 49 de Moure-Flores, F. : 10,10,10,27,38,43,44,48,54,58 del Ángel- Sánchez T.: 20,59,60 del Angel Vicente, P.: 20 del Angel, P.: 15 Del Ángel-Sánchez T.J.: 59 del Real, Alicia: 34 Del Rio de Santiago, A.: 25 Delgado Macuil, R. J.: 28,28 Díaz A., D.: 14 Díaz Becerril, T.: 44 Díaz Carvajal, M. Gustavo: 43 Díaz de León-Zapata, R.: 37 Díaz Reyes, J.: 28,28 Díaz Reyes, Joel: 32 Diaz, D.: 35 Díaz, J. A.: 30,46 Díaz, T.: 44,46 Díaz-Guillén, J. C.: 44 Díaz-Reyes, J.. 31,34,55 Domínguez López, I. : 27 Domínguez-Domínguez, R.: 26 Domínguez-Pacheco, A.: 29,32 Dorantes-Rosales H.J.: 58 Driver, S.: 7

Dueñas Tinoco, Alejandro: 28 Duque Echeverri, Carlos Alberto: 1,4 Durán Ledesma, Ángel: 43 Durán, A.: 6 Durruthy-Rodriguez, M. D.: 24,24 Elguera Gómez, Beatriz: 28 Encinas, A.: 6,57 Encinas-Oropeza, A.: 20 Enriquez J.: 5 Escalante, G.: 44 Escobar A., M.: 14 Escobar Aguilar, M.: 36 Escobar Galindo, Ramón: 3 Escóbar, M.: 35 Escobar-A., M.: 35 Escobar-Alarcon, L.: 16,17,43,45,46,50,50 Escobedo-Bretado, M. A.: 29,38 Escobosa, A.: 19,55 Esparza-García, A.: 9,22,37,45 Espericueta González, D.E.: 19 Espino-Cortés F.P.: 53 Espinosa Arbeláez, Diego Germán: 34 Espinosa Domínguez, Sergio: 17 Espinoza Beltran, F. J.: 18 Espinoza, A.: 25 Espinoza-Beltrán, F. J.: 43,46 Esquivel, K.: 43 Esteban- Benito H.: 59 Estevez, J. O.: 38 Estevez, M.: 42 Evans, Rodger: 46 Facundo Ruiz: 60 Falcony, C.: 26,40,48,49,57 Falcony-Guajardo, C.: 22,48,60 Farías, M.H.: 16,30 Fernández del C: 35 Fernández Muñoz, J. L.: 8,26 Fernández, M.: 43 Fernández-Bertrán, J. F.: 30 Fernando Vargas-Peraza J.: 48 Ferrer Toledo, H.: 35 Filio-Hernández, R. S: 21 Flores M.: 49 Flores, José A.: 46 Flores-Acosta M.: 60 Flores-Méndez, J.: 29 Flores-Santos, L.: 38 Florido Cuellar A.: 57 Franco-Ayala, M.F.: 14 Fripiat, J.J.: 39 Fuentes, J: 23

Fuentes-Romero, E.: 21 Galindo R.: 54 Galindo-Mentle, M: 36 Gallardo S.: 48,55 Gallardo-Hernández, S.: 15,15,40,41,41,47 Gallo, M.: 7 Galván Ruiz, M.: 34 Galván S.R.: 47 Galván-Arellano M.: 55 Gálvez Coyt, Gonzalo: 33 Gama Goicochea, A.: 18 Gama Goicochea, A.: 18 Gama Goicochea, Armando: 2 Garcés-Rodríguez, A. R.: 37 García A.: 58 García- Alamilla, R.: 20,59 García- Bórquez, A.: 41 García García, A. L.: 27 García González, L.: 29 García León, O.: 16 García Ramírez, P. J.: 29 García Salgado, G.: 44,46 García T.: 50 Garcia, Jose A.: 2 García, M.: 40,35 García, R.: 39 García-Alamilla P.: 60 García-Alamilla R.: 54,58,59,59,60 García-Banda, K. M.: 21 García-Cerda, L. A.: 45 García-Cervantes, Gabriela: 24,39 García-Cruz, M. de la L.: 20 García-Hipólito, M.: 26,48,57 García-Liñan, G.: 41 Garcia-Lopez, JH: 26,42,58 García-Pacheco, C.: 11 García-Pérez L.: 55 García-Pérez, F.J.: 46 García-Sánchez, E.: 38 García-Serrano L.A.: 58 García-Sotelo, A.: 10,43,44,48,54 García-Torija, J. O.: 20 Garduño, A.: 27 Garduño-Mejía, J.: 12 Garibay Sánchez, Rigoberto: 28 Garibay-Febles, V.: 21 Garza-Gómez, A.: 44 Gayol-Merida, G.: 14 Giménez Gómez, A.J.: 14 Giraldo, Jairo: 34 Gómez L.D.: 58

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Gomez R.: 58 Gómez-Guzmán, O.: 24 Gomez-Herrera, M.L.: 19 Gómez-Lizárraga, K.: 5 Gómez-Ocampo J. P.: 52 Gómez-Rosas, G.: 40 Gómez-Yáñez C.: 18,53 González González, Ma. de Lourdes: 40 González Hernández J.: 60 González Hernández, Ismael: 22 González Hueto, G.: 43 González, Francisco Javier: 34 González, L. A.: 45 González-B., E.: 35 González-Cuello R. E.: 52 González-Díaz, O.: 13 González-Fernández, J. V.: 37 González-Galván, X.: 6 González-Hernández, J.: 20 González-Lozano, M. A.: 29,38 González-Martínez, H.: 43 Gonzalez-Mosqueda, L.: 10 González-Perez M.: 17,51,51, 51, 51, 51, 52 González-Reyes, J.G.: 45 González-Sánchez D.: 55 González-Solis J.L.: 55,56 González-Torres M.: 17,51, 51, 51,51, 51,52 González-Vellano, P.: 5,25 González-Zavala P.: 47 Goñi Cedeño, H.: 27,59 Gordillo-Delgado, F.: 32,32 Gracia y Jiménez, J. M.: 44 Gradilla, I.: 30 Granados, F.: 24 Granda-Gutiérrez, E. E.: 44 Guadalupe Mendez: 51,51 Guajardo-Pacheco J.Ma.: 60 Guarneros, C.: 18 Guerrero Serrano, A. L.: 6,6,23 Guillén Bonilla, H.: 37,37 Guillén Cervantes, A.: 27,40 Guillén-Rodríguez J.: 47 Gurevich Y.G.: 54 Gutiérrez-Lazo, C. D.: 31 Gutiérrez Franco, A.: 29 Gutiérrez, Adriana: 34 Gutiérrez-Córdova M.G.: 50 Guzmán Castillo, Ma. de L.: 39 Guzmán Mendoza, José: 14,43 Guzmán, J.: 40 Guzmán-Mendoza, J.: 26,43

Haase Hernández, Joshua Ismael: 33 Handy, B.: 39,39 Heiras, J.: 6,23,23 Heredia –J, A. H.: 17,35,35,36,51,51,51,51,51,52 Hernández A J: 57 Hernández Aguilar, C.: 32 Hernández Cocoletzi, H.: 25 Hernández Grande, M. A.: 27 Hernández J.: 55 Hernández L., M.E.: 14 Hernández López S.: 53 Hernández Martínez, L.: 27,59 Hernández Quiroz, T.: 29 Hernández Rosas, J. J.: 25 Hernández Torres, J.: 29 Hernandez, L.: 33 Hernández, M. P.: 30 Hernández-Aguilar, C.: 29 Hernández-Barriga, J. J.: 11 Hernández-del Castillo P. C.: 60 Hernández-Enríquez J.M.: 58 Hernández-Guerrero, Maribel: 17 Hernández-Hernández, A.: 10,10,10,38,43,44,48,54,58 Hernández-Landaverde, M.A.: 9,10,42,42 Hernández-Lara, J.M.: 21 Hernández-López, Susana: 18,52,52 Hernández-M, : 35 Hernández-Martínez, S. E.: 22 Hernández–Pérez, María de los Ángeles: 18 Hernández-Rodríguez, E.: 44 Hernández-Rojas, J.: 15 Hernández-Rosas, J.: 15,41 Hernández-Salinas A. E.: 5 Hernández-Simón, L. M.: 29 Herrera Alberto: 50 Herrera Gómez, Alberto: 30,42,42 Herrera- Morales, A: 34 Herrera-Gomez, A.: 16,18,30,30 Herrera-Perez J.L.: 19,56,56 Homero-Galván, D.: 25 Huang, Ying-Sheng: 1,4 Huerta Blanka: 17,51,51,51,51,52 Huerta-Escamilla, C.: 16 Hughes, Greg: 1 Ibarra-Bracamontes L.A.: 47 Ibarra-Torres J. C.: 56

Ipaz L.: 48 Itzmoyotl T., A.: 14,35 Ivanov, R: 11 Izundegui-Lázaro, K.I.: 26 Jasso-Montoya, J.: 6 Jiménez-García F. N.: 48 Jiménez-Pérez, J.L.: 33,33 Jiménez-Sandoval, S.: 8,9,9,10,10,12,12,20,42,42,56 Juárez Díaz G.: 8,9,20,5354,55 Juárez G M.: 46 Juárez R., I.: 14 Juárez Santiesteban, H.: 44 Juárez, F.: 46 Juárez, H.: 44,46 Juárez, I.: 35 Juárez-R, I.: 35 Karakastani, S.: 7 King, D.A.: 7 Klimova T.: 58 Kolosovas Machuca, Eleazar Samuel: 12 Kolosovas, Samuel: 34 Kosarev, A.: 27,43,53 Koudriavtseva, O.: 19 Kudriatsev, Y.: 15,40,41 Kudriavtsev, Yu.: 19,55 Landa V., M.: 35.36 Landa Vazquez, M.: 36 Landa, M.: 14,35 Landa-V, .M.: 35 Lara- Bernal: 33 Lara-Velázquez, I.: 37 Lastras-Martínez, A.: 37 León Lugo, N.: 5 León Martínez, Mireille: 33 León Rodríguez, F. M.: 16 Lewis, Jay: 2 Leyva Ramos, J.: 29 Leyva, Karim M.: 16 Leyva-Hernández, V.: 43 Lima Lima H.: 47 Linares A., M.: 14 Linares-Aranda, M.: 13 Linares-García J. A.:52 Lira-Negrete Oscar: 50 Llanito Urbano, H. A.: 27 Loa, Erika: 13 López Cervantes, A.: 27 López Gil, J.W.: 35 Lopez Granada M.G.: 59 López León, C.M.: 39 Lopez Mercado, G. J.: 19 López R.: 58 López W.: 50

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López-Aldrete A.: 5 López-Buisan Natta, M. G.: 28 López-Callejas, R.: 45 López-Chipres, E.: 29,38 López-Huerta, F.: 13 López-López M.: 2,12,15,15,37,40,41,4147,55,56 López-Muñoz, G.A.. 33 López-Ortiz, A.: 29 Loyola-Rodríguez, J. P.: 22 Lozada Morales R. 8,9,9,10,20,42,47,54,55 Lozano López, Erika Yuliana: 37 Lozano-Mandujano, D.: 23 Loza-Quitanar, M.C.: 38 Luna, Elizabeth: 24 Luna-Bárcenas, J. Gabriel: 17 Lysaght, Patrick: 2 M. Sánchez R V.: 55 Madrigal Melchor, J.: 25 Maldonado Rosas, M. A.: 27 Maldonado, R. D.: 45 Maldonado-Mejía, J. L.: 29 Malibrán-Domínguez M: 59 Mani-Gonzalez, P.G.: 16,30,30,42,42 Mansurova, S.: 27,53 Marañon-Ruiz V.: 26,42,58 Marín, E: 11,32,33 Marín-Pineda C. E.: 56 Márquez-Marín, J.: 9,10,42 Márquez-Robles M.: 52 Marroquín Gutiérrez, F.: 42 Martínez Cruz, M.: 29 Martínez –Gómez V.J.: 50 Martínez Gordillo, J.: 35 Martínez I.: 55 Martínez Juárez F. J.: 47 Martínez Juárez J.: 54,55 Martínez López, Itzel Shantal: 33 Martínez Ortiz, E.: 32 Martínez Pérez, L.: 8,44 Martinez, Dennis: 3 Martinez, G.: 19 Martínez, J.R.: 19 Martínez, L.: 22 Martínez, San Martín: 14 Martínez, A. Cedillo, N.R.: 22 Martínez. Mendoza, J. R.: 20 Martínez-Benítez A.: 55 Martínez-Castañón, G.: 20,22,60 Martínez-Gómez A. de J.: 50 Martínez-Guerra, Edgar: 7,46

Martínez-Gutiérrez J. O.: 53 Martínez-Juárez, J.: 8,9,20 Martínez-Martínez, R.: 40 Martínez-Mendoza, J.R.: 20 Martínez-Orozco, J. C.: 25,25 Martínez-Ortíz, E.: 29 Martínez-Pérez, L.: 33 Martinez-Piñon, F.: 13,14,14 Martinez-Rivera, F. M.: 38 Martínez-Salgado, M.M.: 22 Martínez-Torres, P.: 32 Martínez-Velis, I.: 15,40,41,41,47 Marulanda, D.M.: 15 Mascorro, R: 17 Mata Mendez, Oscar: 26 Mata-Zamora, M. E.: 9,9,27,27,37 Matíz-Villamil A.: 60 Matutes-Aquino, J.A.: 6,6,20,29 Maya, F.: 40 May-Crespo, J.: 11,32 Medel Mejía, A.: 27,53 Medellín Rodríguez, F.:22 Medina Rosas, Axayacatl: 32 Medina, A.: 26 Medina-Torres A.C.: 54 Meijueiro Morosini, M.: 27 Mejía, J.E.: 8 Mejía-Morales, C.: 32 Mejía-Rosales, Sergio: 7 Melchor Robles, J. A.: 27 Meléndez Lira, M.: 6,10,10,10,15,21,27,38,42,43,44,48,54,55,55,58 Melendrez, M.: 35 Méndez Blas, A.: 16,38,44,45 Méndez –Gonzalez, M.: 33,33 Mendez Guadalupe: 17,51,51,51,52 Mendez, G.: 33,33 Méndez-Castrejón M. P.: 52 Méndez-García, V.H.: 30,37,41,41,42 Méndez-González, M.: 28 Méndez-Méndez, R.: 44 Méndez-Ramos, M. G.: 28,28 Mendivil-Reynoso, T.: 45 Mendoza-Alvarez J.G.: 15,19,56 Mendoza-Barrera, C.: 21,21,26,39 Mendoza-Bello, S.: 38 Mendoza-López, María Luisa: 34 Mendoza-Pérez, R.: 11

Mercado-Cabrera, A.: 45 Meza Arredondo, Daniel: 21 Michel-Uribe, C. R.: 40,55 Mirabal-García, M.: 6,6,23 Miranda, S.P.: 22 Mireles Jr. García, J.: 35 Mireles, J.: 13 Moctezuma E.: 54,54 Moctezuma Velázquez Edgar: 58 Moctezuma-V. E.: 59 Moctezuma-Velázquez E.: 20,59,59,60 Molina Reyes, J.: 36 Molina, J.: 14 Molina-Valdovinos S.: 54 Mondragón M.: 52 Mondragón, G.: 27,27 Mondragón-Herrera, J. A.: 6,28 Montes de Oca J.A.: 58,59 Montiel, H. : 9,9,27,27 Montiel-González, Z.: 17 Mora-González M.: 26,42,58 Morales de la Garza, L.: 7 Morales, U.: 39 Morales-Corona Juan: 50 Morales-Fonseca, D.: 22 Morales-Hernández, J.: 43 Morales-Hernandez, Jorge: 24 Morales-Sánchez J.E.: 60 Morán Lázaro, J. P.: 37,37 Mora-Ramos, M. E.: 25 Moreno, I: 11 Moreno-Coria, L.A.: 31 Moreno-Villarreal, M.: 35 Morosini M. Meijueiro: 59 Moroyoqui-Estrella, G: 32 Mota-Morales, Josué D.: 17 Mota-Pineda, E.: 15,54 Muhl S. : 16,16,17,17,39,40,45,47,50,50 Muñoz Aguirre, N.: 8,44 Muñoz Rosas, A. L.: 36 Muñoz Saldaña, J.: 24 Muñoz-Aguirre, S.: 21 Muñoz-Castro, A. E.: 45 Muñoz-Salas, J.A.: 30,43 Muñoz-Saldaña, J.: 23,23 Murrieta S H: 57 Mustri-Trejo D.: 50 N, Carlos.: 35 Narambuena, Claudio F.: 18 Narváez, L.: 6,23 Nava-Terríquez, I. M.: 30

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Nieto-Zepeda K.E.: 10,38,43,44,48,54 Nikishin, S: 19 Niño de Rivera, Luis: 14 Niño-Martínez N.: 60 Olaya, J.J.: 15 Olea-Mejía, Oscar: 46 Oliva, A. I.: 45 Olmos-Lopez, O.: 6,38 Olvera, M. de la L: 10 Olvera, R.: 38 Olvera-Amador, M de la L.: 10,10 Orchynska,T. V.: 41 Ordonez-Miranda, J.: 11,11,32 Oros Ruiz Socorro: 58 Orozco I. E.: 57 Ortega Martínez, Roberto: 2 Ortega, G.: 19 Ortega-Gallegos, J.: 37 Ortega-López M.: 31 Ortega-Martínez, R.: 12 Ortega-Zarzosa, G.: 20,60,45 Ortiz López, M. G.: 29 Ortiz Siqueiros, G.G.: 24 Osorio-Fuente, Jorge E.: 18 Osorio-Zarate, Viridiana: 24 Pacheco Espejel, Jesús Vicente: 19 Pacheco Jesús J.: 47 Pacheco y Alcalá, U.S.: 41 Pacio, M.: 44 Palacio C.: 48 Palestino G.: 53 Palestino-Escobedo A. G.: 5,5,22 Palomares-Sánchez, S. A.: 6,6,23,29 Palomino-Merino, R.: 20,36 Palomino-Ovando, M.: 5,39 Palomino-Rojas, L. A.: 7 Pan Morán, Xitlaly Araceli: 28 Paraguay Delgado F.: 59,59 Paredes-Olguín M.: 53 Patiño-Marín, N.: 21 Pazos L.: 49 Pedroza, Ruth: 14 Pedroza-Islas, R.: 21,21 Pedroza-Rodríguez, A.M.: 22,60 Peláez-Rodríguez, A.: 26 Peña O.: 40,50 Peña Sierra, R.: 42 Peña, J. A.: 23 Peña, J.L.: 10 Peña-Eguiluz, R.: 45

Peña-Orea, A.: 27,27 Peña-Rodriguez O.Y.: 47 Peña-Sierra R.: 53,56 Perales Martínez A.: 59 Percino, Judith: 17 Perdomo Trejo, V.I.: 35 Pérez Albarrán, Y. C.: 8 Pérez E.: 53 Pérez Elías: 18,53 Perez Felio A.: 48 Pérez J.A.: 48 Pérez Juache, T. : 6,23 Perez Lara, Miguel: 34 Pérez López Elías: 40,58 Pérez Pérez, E.: 42 Pérez Serapio, J.: 27 Pérez, E.: 5,18 Pérez, F.: 6 Pérez, K.: 16 Pérez-Aguilar, S. I.: 44 Pérez-Arrieta L.: 48,49 Pérez-Centeno A.:15,40,55,55,56,56 Pérez-Delgadillo, B.: 39 Perez-González A.: 17,51,51,51,51,51,52 Pérez-Luna, J.G.: 31 Pérez-Rodríguez, F.: 25,29 Perez-Salas, R.: 32 Perez-Tijerina, E: 7,35,46 Pineda Becerril, M. de N.: 16 Piña-Barba, M. C.: 5,5,21,22 Piña-Carrillo, J.G.: 46 Piratoba, U.: 15 Ponce-Cazares, I.: 30 Ponce-Peña, P.: 29,38 Pondigo de los A., E.: 35 Portellez-Rodríguez, Jorge: 23,24 Portillo Moreno O.: 8,9,9,47,54,55 Pozas Zepeda, D.: 37 Prokhorov, E.: 43 Pruneda L.: 53 Puch F.: 58 Puente Urbina B.: 53 Pulido-Barragán, Eder: 39 Pulzara-Mora, A.: 15 Quintana, P.: 11,32 Quintero Méndez, Hiram Sinué: 29 Quintero Torres, Rafael: 37 Quiñones N., F.: 14,35 Quiñones-Galván J. G.: 10,10,10,38,43,44,48,54,58

Quiñones-Urióstegui, I.: 13 R. Michel, Carlos: 37,37 Rábago-Bernal F.: 47 Ramírez Bon, R.: 18,60 Ramírez M.: 55 Ramírez, G.: 17,45 Ramírez-González J.G.: 47 Ramírez-Lopez M.: 41,41,47 Ramírez-López, L. M.: 24, Ramírez-Márquez, N. T.: 19 Ramírez-Meneses E.: 59 Ramirez-Sotelo, M. G.: 27,27 Ramos-Brito F: 57 Ramos-Cassellis, M. E.: 28 Ramos-Galván, C.E.: 20 Ramos-Ramírez E. G.: 52,52,52 Rangel, Domingo: 13 Rangel, R.: 19,35 Raymond, O.: 6,23 Reguera-Ruíz, E.: 40 Rendon, R: 18 Reyes B ,C.: 14,35,36 Reyes Gómez, J.: 37 Reyes González, Alma Gabriela: 29 Reyes-Barranca, A.: 14 Reyes-Contreras Delfino: 18,52,52 Reyes-Macías, J. F.: 22 Reyes-Serrato, A.: 46 Reyna-García, G.: 41 Riascos H.: 48 Riech, I.: 19 Rincon-Jara, R.I.: 13 Rios-Flores, A.: 10 Rivas Esquivel, Flor María: 37 Rivas Silva, J. F.. 25 Rivera López, J. E.. 8 Rivera Z.: 40,48 Rivera, T.: 7 Rivera-Alvarez, Z.: 40 Rivera-Enríquez C. E.: 40,56 Rivera-Rodríguez, C.: 46 Rivera-Ruedas, G. :,23,139 Rivero, D: 23 Riveros, H. G.: 45 Rizo-delaTorre MC.: 26,42,58 Robles Camarillo, Daniel: 14 Robles de la Torre, R. R.: 28,28 Robles-Andrade, S.: 20 Robles-Arce, R.: 27,27 Rockett, Angus: 1,4 Rodil, S. E.: 16,16,17,17,39,45 Rodríguez E.: 49 Rodríguez Fernández O.: 53

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Rodríguez Jiménez, R. A.: 35 Rodríguez M, C. E.: 36 Rodríguez Montero P.: 53 Rodríguez, A.: 39 Rodríguez, A.G.: 42 Rodriguez, E.: 23 Rodríguez, J. A.: 7 Rodríguez, R.: 42 Rodriguez.-Mijangos, R: 32 Rodríguez-Fernández L.: ,17,50 Rodríguez-Fragoso P.: 19,56 Rodríguez-Fuentes, N.: 5 Rodríguez-García M. E.: 10,12,12,34,56 Rodríguez-García, Mario E.: 34 Rodríguez-Gattorno, G.: 40 Rodríguez-López, José Luis: 8 Rodriguez-Lopez, M.: 40 Rodríguez-Melgarejo, F.: 8,9,9,9,10,20,42,42 Rodríguez-Santoyo, H. H.: 5 Rodríguez-Vargas I.: 25,57 Rodríguez-Vázquez, R.: 22 Rodríguez-Villanueva, A.L.: 22 Rojas Blanco, L.: 18 Rojas J.S.: 55 Rojas, J. G.: 25 Rojas, P-N.: 16 Rojas-Higuera N.S.: 60 Rojas-Ramírez J.S.: 15,15,40,41,41,47 Rojas-Rodriguez, I.: 12 Román de Alba, J.: 20 Romero S.: 43,50 Romero-Paredes G.: 53,56 Ronquillo de Jesús, E.: 14 Rosales Q., P.: 35,35,36 Rosano, G: 17 Rosas Mendoza, M. E.: 8,26 Rosas, C.R.: 31 Rosendo Andrés, E.: 44 Rosendo Francisco, P.: 38 Rosendo, E.: 46 Rubio-Rosas, E.: 20 Rueda- Morales, G.: 41 Ruiz Facundo: 22,60 Ruiz-Tovar, K.: 22 Ruvalcaba-Sil J. L.: 50 Salamanca-Riba, L.: 6 Salazar Villanueva, M.: 25 Salazar-Montoya J. A.: 52,52,52 Salcedo J.C.: 60 Salcedo Luna M Cecilia.: 27,59 Saldaña, X. I.: 7,25,25

Saldívar-Guerra, Enrique: 17 Samano, E.C.: 46 Sampedro, M. P.: 5,7,25 San Juan-Araiza J.F:52 San Martín Martínez, E.: 43 Sánchez de Jesús, F.: 23 Sánchez Domínguez, Israel: 8 Sánchez Marco A.: 53 Sánchez Martínez, Araceli. 30,42,42 Sanchez –R.,V.M: 19 Sánchez Rosa Alejandra: 52 Sánchez, J. L.: 39 Sánchez, V.: 18 Sánchez-Aké C.: 50 Sánchez-Castillo M.A. : 50 Sanchez-Garibello A.M. : 60 Sánchez-Mendoza, A.E.: 21 Sánchez-Ramírez, J.F.: 33,33 Sánchez-Sinencio F.: 19,56 Sandoval-Robles G.: 20,59,59,59 Sandoval-Zarate, Y.: 5 Saniger- Blesa, J. M.: 27 Saniger-Blesa, J.: 37 Santamaria, L.: 33 Santana-Aranda M. A.: 15,39,40,55,55,56,56 Sastre-Hernández, J.: 11 Sato Berrú, R. :27,37 Serrano Serrano, L.: 45 Serrato, L.E.: 7 Silva González, R. N.: 45 Silva-Rodrigo R.: 20,59 Simmons, T.J.: 15 Siqueiros, J. M.: 6,23 Sitarek, Piotr: 1 Solís Araceli: 53 Solís Mora, Irina S.: 39 Solís Rosales S.G.: 17,51,51,51,51,51,52 Solis Trobamala, E. Gonzales G.F.: 31 Solís-Casados D.: 58 Solís-Oba, M. M.: 34 Sosa-Hernández, E.M.: 38 Soto, G.: 46 Soto-Cruz, B.S.: 13,31 Soto-Guzmán A.B.: 22,60 Soubervielle-Montalvo, C.: 37,42 Springborg, Michael: 8 Sumaya-Martinez, J.: 6,38 T. Grant, John: 2,4 Takeuchi, N.: 7,7

Tamayo Meza, P.: 8,44 Tan, Noboru Takeuchi: 7 Tecuapetla-Q., L.: 35 Tepale, N.: 24 Terán-Figueroa, Y.: 5 Terrones, M.: 15 Tiznado, H.: 46 Tlahuice-Flores, A.:7, 25 Tomás, S A-:20, 34 Toriz G.G.: 50,55 Torres J., A.: 14,35,36,36,43 Torres, R.: 37 Torres-Torres, R.: 13 Torres-Villaseñor, G.: 5 Totosaus Sánchez A.: 52 Tototzintle-Huitle H.: 58 Trejo Arroyo, D. L.: 24 Turcio-Ortega, D.: 17 Urbina-Alvarez, E.: 9,9,19,42,42 Valencia-Alvarado, R.: 45 Valencia-Martínez, H. Y.: 19 Valera-Orozco, B.: 27 Vargas Garcia, J.R.: 5 Vargas, S.: 42 Vargas-Peraza J. Fernando:49 Vargas-Ugalde, M.E.: 21,21 Vásquez-A M. A.: 56 Vázquez-Cortés, D.: 37,42 Vázquez-Hernández, F.: 21 Vázquez-Lepe, M.: 30 Vázquez-Nava, R.A.: 8 Vela-Peña, E.: 13 Velásquez Salazar, J.: 18 Velazquez-Hernandez, R.: 12,34 Vera D., H.: 46 Vidal Borbolla, M.A.: 15 Vigil-Galán, O.: 19 Vigueras Santiago E.: 18,52,52,53 Vilca-Quispe, L.: 11,32 Villada J. A.:10,12, 56 Villada-Villalobos, A: 42 Villafaña-Rauda E.: 26,42,58 Villafuerte Castrejón, M. Elena: 7 Villa-Gómez, K.: 32 Villagómez-Zavala, D. L.: 21,21 Villagrán-Muniz M.: 50 Villegas-Gasca Antonio: 50 Vite Jaime: 47 Vite Manuel: 47 Vlaev S. J.: 25,57 Wu, Shijie: 2 Xiao, M.: 16

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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y Fernández del Campo, L. C.: 35 Yáñez –Fernández, J.: 34 Yáñez Limón, J.M.: 14,23,24,24,60 Yescas-Hernández, J. A.: 28 Yescas-Hernández, J. A.: 6 Yu, Zhenrui: 16 Yubero-Valencia, F.: 30 Zalaya-Angel, O.: 44 Zamorano, R.:9, 23 Zamorano-Ulloa, R.: 23 Zamora-Peredo, L.: 29,30,37,41 Zapata-Navarro A.: 28,44,47 Zapata-Torres M.:10,15, 55 Zárate Medina, J.: 24 Zarate, J.: 7 Zárate, L.J.: 31 Zárate-Medina: 23 Zarate-Rincón, F.: 32 Zarco, H.: 40 Zayas, Ma. E.: 8,9 Zelaya Ángel O.: 8,9,19,43,44,47,54,55 Zepeda Bautista, R.: 29,32 Zermeño- Resendiz B. B.: 54,59 Zisa Pages, Jean-Marc: 4 Zubia, David: 19 Zúñiga I., C.. 14,35,35,3636 Zúñiga-Romero, C.I.: 9,9,42

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales IIIInternational nternational nternational nternational Conference Conference Conference Conference on on on on SurfacesSurfacesSurfacesSurfaces,,,, Materials and Materials and Materials and Materials and Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 200Vacuum 2009999

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