• 　照射機能では任意の照射源を設定可能

• 　電界に応じたe-/h+の生成消滅率および生成消滅レート

• 　デバイス構造内部の光電流の流れ

• 　二酸化ケイ素中の電子輸送とトラップ

• 　Athenaプロセス・シミュレータとのインタフェースにより、プロセス依存の欠陥分布を モデリングおよび光電流を評価

• 　光電流密度とLET(Linear Energy Transfer)の関数として電荷を生成

• 　絶縁層の電荷生成とデバイス方程式のセルフコンシステントな解

• 　フレキシブルなCインタプリタ・ルーチンにより、カスタム・モデルの光生成、再結合および 電荷トラップをプロトタイプ

• 　変位ダメージ・モデル

REM(Radiation Effect Module)放射線効果モジュールにより、Atlas2次元/3次元デバイス・シミュ

レータやVictory3次元シミュレータは絶縁材料中の欠陥状態や固定電荷、電荷輸送を生成し、半導

体の総線量、線量率、ならびにSEU効果のモデル化を実現します。

REM

放射線効果モジュール

• 先進の物理ベース・モデルを使用したSEU解析

• 任意の角度の複数のSEU軌道を同時にシミュレーション

• MixedModeシミュレーションにより、トランジスタ・ レベルおよび回路レベルのSEU効果の両方を共にモデル 化可能

• マクロ・モデルの過渡電流源の開発

• Verilog-Aはコンパクト・デバイス・モデルの開発に対応 し、SmartSpice回路シミュレーション・ファミリで コンパイル可能

シングルイベント効果(SEE)

シフト・レジスタで使用されるECL D型フリップフロップの回路図 5 . 3 7 n s に お い て 、 ス イ ッ チ ン グ 電 流 0 . 6 m A を と も な うLET=40MeV-cm2/mgに対応するD型フリップフロップ回路の出力波形

SEU衝突シミュレーションで使用したフル3次元構造の 2次元断面のサンプル

LET値20、40、60、80MeV-cm2/mgにおける粒子衝突のコレクタ電流の規格化

SEU衝突の定義には、粒子の進入ポイントからの距離や、時間、粒子軌道中心からの距離に応じた電子正孔対の生成が含まれます。進入ポイントと退出ポイントは任意であり、複数の粒子衝突に対応しています。

• 線量率光電流のデバイスのTCADモデルからSPICEモデルまでフローを定義

• 生成した線量率の光電流のプロセス･パラメータとバイアスとなる変化を調査可能

• 移動度モデルと再結合モデルを選択可能

• デバイス内で均一または不均一な電荷生成を実現

線量率

5E9 rad(Si)/sec 25 nsパルスに対するOPアンプの線量率応答SOI演算増幅器の回路図

Verilog-Aで記述されたコンパクト･デバイス･モデルを含むNMOS-SOIデバイスのDCスイープ回路

総線量100K、500K、 1 Meg-Rad(Si)におけるNMOSデバイスの応答

• 放射線タイプと線量率による電荷生成率のユーザ定義モデル

• 電子正孔対再結合(対再結合および柱状再結合対応)のユーザ定義モデル

• 絶縁体の電荷(電子と正孔)および陽子輸送

• 絶縁体の電荷トラップとデトラップ

• 電荷速度、電荷濃度、電流密度および電界に応じた、電荷トラップ率のユーザ定義モデル

• マルチトラップとデトラップを使用した分散輸送をサポート

総線量

• 流量依存の欠陥モデル変位損傷

Rev.052416_11

• REMにより、様々な放射線の影響(総線量、線量率、SEE)をトランジスタ・レベルでモデル化

• コンパクト・モデル開発環境において、ユーザは測定データやREMのシミュレーション結果に基づき、 物理ベースのSPICEビヘイビア・モデルをVerilog-Aで作成可能

• SmartSpice RadHardにより、回路レベルの放射線効果のシミュレーションを行い、8万個以上の アクティブ・トランジスタの組み込みが可能

• Gatewayスケマティック・エディタはSmartSpiceおよびVerilog-Aと強力に連携し、放射データの回路 記述への移行が可能

• Expertレイアウト・エディタは、階層環境において最大規模のアナログ/ミックスド・シグナル、 およびデジタル設計を内蔵の機能(全角度描画、ガードリング、その他)で処理し、デザインによる 放射線強化(RHBD)に対応

• Guardian DRC/ERC/LVSは、Expertのレイアウトの物理的チェックによりファウンドリ指定の デザイン・ルールへの適合を確認し、追加のユーザ定義の放射線ルールにも対応

• Clever寄生素子抽出は重大寄生素子データを提供して3次元フィールド・ソルバによる寄生素子解析を 行い、抽出した寄生素子をデザイン・クロージャとしてSmartSpiceにバックアノテート

• このマルチレベル・モデリング手法により、トランジスタ・レベル、回路レベル、システム・レベルに おける放射線解析を実現

• シルバコ・ツールはすべて、業界標準インタフェースと互換性があり、その他の商用ツール・フローと 相互運用可能(EDIF™、HSpice™、PSpice™、GSDII™、Dracula™、Diva™、Calibre™)

統合フロー

横浜本社〒 220-8136神奈川県横浜市西区みなとみらい 2-2-1横浜ランドマークタワー 36FTEL：045-640-6188 FAX：045-640-6181

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京都オフィス

株式会社 シルバコ・ジャパン お問い合わせ : jpsales@silvaco.comwww.silvaco.co.jp

PARASITIC EXTRACTION MATERIALS

Clever

寄生素子抽出 材料

Athena

プロセス・モデリング

Atlas

デバイス・モデリング

Verilog-A

コンパクト・モデル生成

Gateway

スケマティック・キャプチャSPICEシミュレーション

Verilog-A

ビヘイビア・モデリング

Expert

ICレイアウト

Guardian DRC/LVS

物理検証DRC/LVS

放射線強化設計のための統合環境

Atlasへ欠陥入力

SmartSpice