(cic) h10-86a 審查會議時間表t18-105c-a0019...

T18-105C梯次下線晶片資料請注意：

1.此資料包含下線晶片資料與不下線晶片資料。

2.下線晶片資料按 10%部分負擔、新進教師晶片、預核計畫晶片、優良晶片、教育性晶片排列。

3.申請編號中，大寫英文字母代表：A:10%部分負擔，N:新進教師晶片，I:優良晶片，E:教育性晶片；

尾端小寫英文字母代表：a:使用 Cell-based Design Kit，m: 使用 CIC MEMS後製程。

4.可否下線準則依序：有無回覆委員建議(未回覆完整視同未回覆，不予下線)、審查結果評等、Paper

Credit、是否為國科會計畫所需、可擺放的剩餘面積等。

5. 若委員建議修改佈局，依規定不可比原佈局增加長寬邊的長度，違者則不予採用已修改之佈局檔案。

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一、下線晶片資料(申請編號/專題名稱(課程名稱)/包裝形式/晶片面積)：

T18-105C-A0002

專題名稱(中文)：具有寬負載之高效率電流模式直流對直流降壓轉換器

專題名稱(英文)：Design and Implementation of Current Mode DC-to-DC Buck Converter with

High-Efficient and a Wide-Load Range

包裝形式：Package:40 S/B:8Pcs+DieSort:10EA

晶片面積：1.368*1.093ｍ㎡

T18-105C-A0003

專題名稱(中文)：一個應用於心電訊號處理之五階巴特沃夫多端輸出差動輸入轉導電容低通濾波器

專題名稱(英文)：A 5th Order Butterworth OTA-C LPF by Using MODI OTA for ECG Applications


晶片面積：0.933*0.898ｍ㎡

T18-105C-A0004a

專題名稱(中文)：應用於超音波波束成像器之全數位延遲鎖定迴路

專題名稱(英文)：All-Digital Delay-locked Loop for Ultrasound Transmit Beamformer


晶片面積：1.348*1.348ｍ㎡

T18-105C-A0005

專題名稱(中文)：應用於心電訊號感測之低功率高動態範圍三角積分調變器

專題名稱(英文)：Low-Power and Wide-Dynamic-Range Sigma–Delta Modulator for an ECG Acquisition

System


晶片面積：1.726*1.093ｍ㎡

T18-105C-A0006

專題名稱(中文)：應用於連續時間波形都普勒效應之超音波接收端

專題名稱(英文)：Ultrasonic Receiver for Continuous Wave Doppler Application

包裝形式：Package:N/A+DieSort:18EA

晶片面積：1.200*3.000ｍ㎡

T18-105C-A0007

專題名稱(中文)：整合溫度計之兩階段觸覺感測器

專題名稱(英文)：A two-stage CMOS-MEMS tactile-sensor integrated with a temperature sensor


晶片面積：1.331*1.452ｍ㎡

T18-105C-A0008

專題名稱(中文)：高頻率固定導通時間電感型切換式降壓直流對直流轉換器

專題名稱(英文)：Inductor-based high switching frequency constant on-time mode step-down dc-dc power converter


晶片面積：0.965*0.612ｍ㎡

T18-105C-A0012

專題名稱(中文)：具高效率之混合漣波適應性導通時間控制升壓轉換器之設計

專題名稱(英文)：Design of a High-efficiency Boost Converter with Mixed-ripple Adaptive on-time Control


晶片面積：0.878*1.002ｍ㎡

T18-105C-A0013

專題名稱(中文)：應用於WAT之高動態範圍 12位元雙斜率電流輸入類比數位轉換電路

專題名稱(英文)：A 12-bit dual slope current input ADC with a wide dynamic range for WAT


晶片面積：1.148*1.040ｍ㎡

T18-105C-A0015

專題名稱(中文)：新型電感式高靈敏度觸覺感測器設計與實現

專題名稱(英文)：Implantation of a novel inductive type tactile sensor with high sensitivity


晶片面積：2.200*2.054ｍ㎡

T18-105C-A0016

專題名稱(中文)：應用於偵測生醫訊號之低耗能逐漸趨近式類比數位轉換器

專題名稱(英文)：A Design of Low-Power Successive-Approximation ADC for Biomedical Applications


晶片面積：1.258*0.948ｍ㎡

T18-105C-A0017

專題名稱(中文)：應用於植入式生醫訊號監測系統之類比前端電路與自動頻率校正迴路

專題名稱(英文)：Design of Analog Front-End Circuit for Implantable Biomedical Signal Monitoring

System and an Automatic Frequency Tuning Loop


晶片面積：1.733*1.228ｍ㎡

T18-105C-A0018

專題名稱(中文)：高增益範圍低功耗之可變增益放大器

專題名稱(英文)：A Low Power Wide Gain Range Variable Gain Amplifier


晶片面積：0.880*0.880ｍ㎡

T18-105C-A0019

專題名稱(中文)：使用反相器基底之定導通時間控制效率改善熱電獵能系統

專題名稱(英文)：Efficiency-Improved boost converter with inverter-based constant-on time control for

thermoelectric energy harvesting


晶片面積：0.744*0.552ｍ㎡

T18-105C-A0021

專題名稱(中文)：低功耗位元能量提升開關位移鍵發射機

專題名稱(英文)：A Low-Power OOK Transmitter with Energy-per-bit-improved Technique


晶片面積：0.963*0.869ｍ㎡

T18-105C-A0022

專題名稱(中文)：無線充電模組之阻抗量測標籤應用

專題名稱(英文)：Wireless power transfer system for impedance measurement wireless tag


晶片面積：0.600*0.600ｍ㎡

T18-105C-A0023a

專題名稱(中文)：無濾波器數位式 D類音頻放大器

專題名稱(英文)：A FILTERLESS DIGITAL CLASS-D AUDIO AMPLIFIER


晶片面積：1.135*1.123ｍ㎡

T18-105C-A0024

專題名稱(中文)：低電壓全電子啟動式直流升壓電路

專題名稱(英文)：Fully Electrical Low Voltage Startup DC-DC Boost Converter


晶片面積：1.680*1.380ｍ㎡

T18-105C-A0025

專題名稱(中文)：電阻觸發 SCR元件靜電放電防護設計之研究

專題名稱(英文)：Study of ESD protection design with resistance-triggered SCR device


晶片面積：1.757*2.194ｍ㎡

T18-105C-A0026

專題名稱(中文)：應用於太赫茲成像系統之系統級封裝整合 340-GHz功率檢測器設計

專題名稱(英文)：A 340-GHz Power Detector by SoP Integration for THz Imaging Applications


晶片面積：2.548*1.000ｍ㎡

T18-105C-A0027a

專題名稱(中文)：低複雜度跳耀式離散傅立葉轉換

專題名稱(英文)：A Low-Complexity Recursive Algorithm and Compact Hardware Design for Hopping

Discrete Fourier Transform

包裝形式：Package:100 CQFP:8Pcs+DieSort:10EA

晶片面積：1.268*1.252ｍ㎡

T18-105C-A0028

專題名稱(中文)：3.4GHz 源極退化四相位電壓控制振盪器

專題名稱(英文)：A 3.4GHz Source Resistive Degeneration Quadrature Voltage Control Oscillator


晶片面積：1.338*1.194ｍ㎡

T18-105C-A0029

專題名稱(中文)：3.2GHz 背對背串聯可變電容四相位電壓控制振盪器

專題名稱(英文)：A 3.2GHz Back-to-back Series Configuration Quadrature Voltage Control Oscillator


晶片面積：1.604*0.984ｍ㎡

T18-105C-A0030

專題名稱(中文)：應用於 2.4GHz無線收發機之高線性混頻器

專題名稱(英文)：High linearity mixers for wireless transceiver apply for 2.4GHz


晶片面積：1.385*1.256ｍ㎡

T18-105C-A0031

專題名稱(中文)：用於超寬頻頻段之低雜訊放大器

專題名稱(英文)：Design of a low noise amplifier for UWB applications


晶片面積：1.064*0.911ｍ㎡

T18-105C-A0032a

專題名稱(中文)：適應大幅度與小幅度動作範圍之手勢手指互動技術與晶片設計

專題名稱(英文)：Chip Design of Gesture and Finger Interactive System under Big and Small Motion

Ranges


晶片面積：1.130*1.121ｍ㎡

T18-105C-A0033

專題名稱(中文)：高靈敏度電容式高度計與溫度計之整合與設計

專題名稱(英文)：Integration of high sensitivity capacitive altimeter and thermometer using CMOS-MEMS

process


晶片面積：1.559*1.352ｍ㎡

T18-105C-A0036

專題名稱(中文)：變壓器耦合電流再利用技術之四相位壓控振盪器

專題名稱(英文)：Transformer-based Current-reused Quadrature Voltage Controlled Oscillator


晶片面積：1.210*0.690ｍ㎡

T18-105C-A0037a

專題名稱(中文)：高精確深度之手勢手指遠近變化互動技術與晶片設計

專題名稱(英文)：Chip Design of Gesture and Finger Interactive System with High Accurate Depth Range

Variation

包裝形式：Package:84 CLCC:8Pcs+DieSort:10EA

晶片面積：1.268*1.256ｍ㎡

T18-105C-A0038

專題名稱(中文)：應用於智慧型標籤之無線收發機暨能量擷取器

專題名稱(英文)：The wireless transmitter/receiver with an energy harvester for the smart badges


晶片面積：2.825*3.225ｍ㎡

T18-105C-A0039

專題名稱(中文)：儲能式單電感雙升壓轉換器

專題名稱(英文)：Design of A Single-Inductor-Dual-Boost DC-DC Converter with Storing Elements


晶片面積：0.958*0.852ｍ㎡

T18-105C-A0040

專題名稱(中文)：整合 FM0碼、曼徹斯特碼及米勒碼之解碼電路

專題名稱(英文)：Circuit integration for FM0 code, Manchester code and the Miller code decoding


晶片面積：0.628*0.628ｍ㎡

T18-105C-A0041

專題名稱(中文)：900MHz低功耗無電桿混頻器

專題名稱(英文)：900MHz Low power inductorless Mixer


晶片面積：0.734*0.736ｍ㎡

T18-105C-A0042a

專題名稱(中文)：環境適應性之三維互動系統與晶片設計

專題名稱(英文)：Chip Design of Three-Dimensional Interactive System Based on Adaptive Environment

Technology


晶片面積：1.684*1.674ｍ㎡

T18-105C-A0043

專題名稱(中文)：陣列式之 CMOS-MEMS電容式濕度感測器

專題名稱(英文)：Array-type CMOS-MEMS Capacitive Humidity Sensor


晶片面積：1.331*1.419ｍ㎡

T18-105C-A0044

專題名稱(中文)：應用於 LoRa 900MHz 低功耗無電感低雜訊放大器

專題名稱(英文)：Low power through body biasing to realize a 3.9-mW CMOS inductorless LNA for LoRa

application


晶片面積：0.671*0.657ｍ㎡

T18-105C-A0045a

專題名稱(中文)：應用於 SAR ADC之低複雜度矩陣分析校正技術

專題名稱(英文)：Low-complexity calibration algorithm based on a matrix-form analysis for a SAR ADC


晶片面積：2.445*1.206ｍ㎡

T18-105C-A0046

專題名稱(中文)：無線感測具高量規因子力量感測器研發與製作

專題名稱(英文)：Design and fabrication of a wireless force sensor with high gauge factor


晶片面積：2.076*1.976ｍ㎡

T18-105C-A0047a

專題名稱(中文)：5.5-GHz 快速鎖定全數位式鎖相迴路設計

專題名稱(英文)：5.5-GHz Fast Lock ALL Digital PLL Design


晶片面積：1.442*1.363ｍ㎡

T18-105C-A0049

專題名稱(中文)：5GHz F-1模態瓦特等級輸出功率之高效率 CMOS功率放大器

專題名稱(英文)：A Watt-Level 5GHz Inverse Class-F Output Power High Efficiency CMOS Power

Amplifier


晶片面積：1.710*1.358ｍ㎡

T18-105C-A0050

專題名稱(中文)：應用於太陽能光採集電池輔助系統之自適應導通時間寬輸入電壓單電感雙輸入雙輸

出數位升降壓電源轉換電路

專題名稱(英文)：Wide Input Range Digital Single-Inductor Dual-Input Dual-Output (SIDIDO) Buck-Boost

Converter with Adaptive-On-Time (AOT) for Light-Harvesting Battery-Assisted Application


晶片面積：1.952*1.230ｍ㎡

T18-105C-A0051

專題名稱(中文)：一個具校正機制之十二位元逐漸趨近式類比數位轉換器

專題名稱(英文)：A 12bit SAR- ADC With Digital Calibration


晶片面積：1.386*1.549ｍ㎡

T18-105C-A0052

專題名稱(中文)：製程電壓溫度低敏感度電流源設計

專題名稱(英文)：PVT Insensitive Current Generator


晶片面積：1.293*0.990ｍ㎡

T18-105C-A0053

專題名稱(中文)：使用並聯回授電阻之超寬頻低雜訊放大器

專題名稱(英文)：Ultra-WideBand Low Noise Amplifier with Parallel Feedback


晶片面積：1.470*0.993ｍ㎡

T18-105C-A0054

專題名稱(中文)：應用時間放大器與最大位元偵測器具多級延遲切換機制之時間數位轉換器之全數位鎖相迴路

專題名稱(英文)：An All-Digital Phase-Locked Loop with A Multi-Delay-Switching TDC Using Time

Amplifier and MSB Detector


晶片面積：0.842*0.829ｍ㎡

T18-105C-A0055

專題名稱(中文)：應用於 LTE頻段高增益單端轉雙端低雜訊放大器使用 GM-boost 技術

專題名稱(英文)：A high gain single-ended to differential low noise amplifier using gm-boost technique for LTE systems


晶片面積：0.944*0.999ｍ㎡

T18-105C-A0056

專題名稱(中文)：小面積無除頻快速鎖定全數位鎖相迴路

專題名稱(英文)：A Small-Area Dividerless Fast-Locking All-Digital PLL


晶片面積：1.325*1.004ｍ㎡

T18-105C-A0057

專題名稱(中文)：低相位誤差低相位雜訊之四相位壓控振盪器於 X頻帶雷達系統

專題名稱(英文)：A Low Phase Error Low Phase Noise QVCO Using X-Band Radar System


晶片面積：0.945*0.867ｍ㎡

T18-105C-A0061

專題名稱(中文)：具電壓變異補償之延遲元件設計

專題名稱(英文)：Delay Element Design with Power Supply Variation Compensation


晶片面積：1.027*0.927ｍ㎡

T18-105C-A0062

專題名稱(中文)：具抑止電磁干擾之新型電感結構與其應用於射頻微波壓控振盪器

專題名稱(英文)：A novel EMI suppression inductor and its application to integrated voltage-controlled oscillator


晶片面積：2.301*2.109ｍ㎡

T18-105C-A0063

專題名稱(中文)：5.3 GHz高增益高功率放大器設計

專題名稱(英文)：5.3 GHz high gain and high power amplifier design


晶片面積：2.260*1.310ｍ㎡

T18-105C-A0064

專題名稱(中文)：使用注入鎖定及反射通訊之無線電化學感測系統

專題名稱(英文)：Wireless-powered Electrochemical System using Injection Locking and Backscatter

Communication Techniques


晶片面積：1.000*0.987ｍ㎡

T18-105C-A0065

專題名稱(中文)：用於覆晶整合之 Ku頻段壓控振盪器

專題名稱(英文)：A Ku-band voltage-controlled oscillator for flip-chip integration


晶片面積：0.839*1.000ｍ㎡

T18-105C-A0066a

專題名稱(中文)：三維手勢手指互動技術之浮空文字辨識與晶片設計

專題名稱(英文)：Chip Design of Three Dimensional Gesture and Finger Interaction for Floating

Handwriting Recognition


晶片面積：1.735*1.725ｍ㎡

T18-105C-A0068

專題名稱(中文)：使用順向基極自偏壓間技術設計之 3到 12GHz的電流再使用低雜訊放大器

專題名稱(英文)：A 3-12 GHz current-reuse low noise amplifier using self-feedforward body bias technique


晶片面積：0.867*0.677ｍ㎡

T18-105C-A0069

專題名稱(中文)：利用雜訊可調變電晶體設計仿生動作電位電路

專題名稱(英文)：Spike neuron network circuit with noise –adaptable transistors


晶片面積：1.133*1.128ｍ㎡

T18-105C-A0071

專題名稱(中文)：用於神經訊號記錄的二位元自動倍率調變放大器

專題名稱(英文)：a binary auto-gain control amplifier for neural recording


晶片面積：1.174*1.059ｍ㎡

T18-105C-A0074

專題名稱(中文)：高線性度 24GHz CMOS分佈式衍生疊加架構之降頻混頻器

專題名稱(英文)：High Linearity 24 GHz CMOS Down-conversion Mixer Using Distributed DS Technique


晶片面積：0.950*0.850ｍ㎡

T18-105C-A0075

專題名稱(中文)：整合 12位元 SAR類比數位轉換器之低功率、高共模互斥比前端電路設計

專題名稱(英文)：A low-power and high CMRR front-end circuit design integrated with a 12-bit SAR ADC


晶片面積：1.599*1.146ｍ㎡

T18-105C-A0076a

專題名稱(中文)：應用於動物研究神經疾病之免電池植入式神經記錄與刺激微系統設計

專題名稱(英文)：A Batteryless, Implantable Neural Recording and Stimulation Microsystem for Studying

Neural Diseases on Freely-moving Animals


晶片面積：3.230*4.108ｍ㎡

T18-105C-A0077a

專題名稱(中文)：採用動態能量截取技術之高效率感測射頻辨識標籤

專題名稱(英文)：High efficiency wireless electrochemical RFID tag with dynamic power management

technique


晶片面積：2.064*2.082ｍ㎡

T18-105C-A0078

專題名稱(中文)：利用 CMOS製程積體化 2.4GHz、4.9~5.8GHz直接正交耦合器

專題名稱(英文)：Integrated of 2.4GHz、4.9~5.8GHz Directional Quadrature Hybrid Coupler in CMOS

Process


晶片面積：0.846*1.360ｍ㎡

T18-105C-A0079m

專題名稱(中文)：利用微機電系統實現 2.4GHz低雜訊放大器

專題名稱(英文)：Design 2.4GHz Low-Noise Amplfier Using MEMS System


晶片面積：0.658*0.894ｍ㎡

T18-105C-A0081

專題名稱(中文)：應用於 SATAIII之 6Ghz 展頻時脈產生器

專題名稱(英文)：A 6Ghz SSCG for SATA-III


晶片面積：1.093*0.921ｍ㎡

T18-105C-A0084

專題名稱(中文)：5.3 GHz高增益高功率放大器設計使用線性化技術

專題名稱(英文)：5.3 GHz high gain and high power amplifier design using linearization technique


晶片面積：2.260*1.310ｍ㎡

T18-105C-A0085

專題名稱(中文)：6位元防混疊電流切換式數位類比轉換器

專題名稱(英文)：6-bit Anti-aliasing Nyquist current steering D/A Converter


晶片面積：0.692*0.638ｍ㎡

T18-105C-A0086

專題名稱(中文)：應用於生物電訊號擷取系統之 10-Bit 40KS/s連續逼近式類比數位電壓轉換器

專題名稱(英文)：A 10-Bit 40KS/s SAR-ADC for body Signal Acquisition System


晶片面積：1.071*1.058ｍ㎡

T18-105C-A0088

專題名稱(中文)：應用於光學尺/磁性尺細分割解碼器之前端類比電路設計與實現

專題名稱(英文)：A front-end analog circuit design for optical/magnetic interpolation encoder IC


晶片面積：1.148*1.168ｍ㎡

T18-105C-A0089

專題名稱(中文)：低功耗低複雜度頻率鍵移解調變接收端系統

專題名稱(英文)：Low power, low complexity FSK demodulator system


晶片面積：1.489*1.409ｍ㎡

T18-105C-A0090

專題名稱(中文)：多位元解析逐漸接近式類比數位轉換器

專題名稱(英文)：multiple bits SAR ADC


晶片面積：1.148*1.155ｍ㎡

T18-105C-A0091

專題名稱(中文)：基於三角積分調變器之 D類功率放大器

專題名稱(英文)：A Delta-Sigma Modulator-Based Class-D Amplifier


晶片面積：2.135*1.932ｍ㎡

T18-105C-I0003

專題名稱(中文)：全差動式 CMOS-MEMS振盪器

專題名稱(英文)：A fully differential CMOS-MEMS Oscillators


晶片面積：1.568*2.657ｍ㎡

T18-105C-I0005

專題名稱(中文)：使用單比較器及自動校正技術之高效率整流器

專題名稱(英文)：High Efficiency Rectifiers Using One Comparator With Auto-Calibration


晶片面積：0.985*0.934ｍ㎡

T18-105C-I0006m

專題名稱(中文)：最佳化熱電集能器

專題名稱(英文)：Optimal Thermoelectric Energy Harvester


晶片面積：1.440*1.454ｍ㎡

T18-105C-I0007a

專題名稱(中文)：具電流平衡與適應性電壓位置機制之數位多相降壓轉換器

專題名稱(英文)：A Digital Multiphase Buck Converter with Current Balancing and Adaptive Voltage Positioning Mechanisms

包裝形式：Package:68 CLCC:8Pcs+DieSort:10EA

晶片面積：2.075*2.102ｍ㎡

T18-105C-I0008a

專題名稱(中文)：應用全數位鎖相迴路之數位控制直流-直流轉換器

專題名稱(英文)：ALL-Digital PLL-Based Digitally Controlled DC-DC converter


晶片面積：2.058*2.242ｍ㎡

T18-105C-I0009a

專題名稱(中文)：使用數位三角積分脈波寬度調變控制器實現應用於鋰電池之直流-直流降壓型轉換器

專題名稱(英文)：DC-DC buck converter using Sigma-Delta DPWM controller for Li-battery application


晶片面積：2.058*2.142ｍ㎡

T18-105C-I0010

專題名稱(中文)：應用於電池式無線電力傳輸的 13.56MHz 電磁共振式倍壓整流系統

專題名稱(英文)：A 13.56 MHz Resonant Regulating Doubler with Battery Charger for Wireless Power

Transfer System


晶片面積：0.844*0.784ｍ㎡

T18-105C-I0012

專題名稱(中文)：低濃度丙酮氣體感測器

專題名稱(英文)：Low Concentration Acetone Sensors


晶片面積：2.000*0.600ｍ㎡

T18-105C-E0001

課程名稱：碩士論文

專題名稱：多供應電壓之可重組切換電容式直流降壓穩壓器(A multiple-supply reconfigurable

switched-capacitor DC-DC step- down regulator)


晶片面積：1.176*1.184ｍ㎡

T18-105C-E0002

課程名稱：積體電路設計專題研究(二)

專題名稱：使用正向基底偏壓之 5.8 GHz自振式混頻器設計(Design of 5.8 GHz Self-Oscillating Mixer

with forward body bias)


晶片面積：0.994*1.200ｍ㎡

T18-105C-E0003

課程名稱：類比積體電路設計

專題名稱：使用無差拍控制與動態斜率補償技術之四相位直流-直流降壓式轉換器(A Four-Phase

DC-DC Buck Converter using Dead-Beat Control with Dynamic Ramp Compensation)


晶片面積：1.148*1.187ｍ㎡

T18-105C-E0004

課程名稱：射頻通訊積體電路

專題名稱：應用於 5-GHz 之電流重覆利用壓控振盪器之低功耗鎖相迴路(A 5-GHz Low Power

Phase-Locked Loop With Current-Reused VCO in 0.18-um CMOS)


晶片面積：1.000*1.000ｍ㎡

T18-105C-E0005

課程名稱：專題研究

專題名稱：具寄生電容補償電路之十位元連續漸進式類比數位轉換器(A 10-BIT Successive

Approximation Register ADC with a Parasitic Capacitance Compensation Circuit)


晶片面積：1.063*0.930ｍ㎡

T18-105C-E0006a

課程名稱：高階硬體描述語言與積體電路設計

專題名稱：應用於影像縮放技術之內插電路(Interpolator for Image Scaling)


晶片面積：1.169*1.165ｍ㎡

T18-105C-E0007

課程名稱：射頻通訊積體電路

專題名稱：應用於 5-GHz之低電壓鎖相迴路(A 5-GHz Low Voltage Phase-Locked Loop in 0.18- um

CMOS)


晶片面積：1.100*1.100ｍ㎡

T18-105C-E0008a

課程名稱：VLSI信號處理設計(VLSI Digital Signal Processing Design)

專題名稱：上提式離散小波之生醫訊號濾波器(Biomedical signals, with lifting Discrete Wavelet filter)


晶片面積：0.874*0.859ｍ㎡

T18-105C-E0009

課程名稱：數位 IC設計

專題名稱：應用於 RFID系統之四合一編碼器電路設計(Circuit Integration for NRZ, FM0, Miller, and

Manchester Encoding)


晶片面積：0.628*0.628ｍ㎡

T18-105C-E0011a

課程名稱：VLSI信號處理設計(VLSI Digital Signal Processing Design)

專題名稱：上提式離散小波去雜訊電路(Lifting-base discrete wavelet transform noise removal circuit)


晶片面積：0.828*0.813ｍ㎡

T18-105C-E0012a

課程名稱：專題演講(二)(Special Seminars(II))

專題名稱：以移位暫存器為基底之飛加器頻率合成器(Flying-Adder frequency synthesizer based on shift

register)


晶片面積：0.701*0.687ｍ㎡

T18-105C-E0013

課程名稱：類比與數位訊號轉換器設計

專題名稱：應用於穿戴式裝置之低功耗升壓型穩壓電路設計(Design of a Low Power Boost Converter for

Wearable Applications)


晶片面積：0.960*1.200ｍ㎡

T18-105C-E0014

課程名稱：無線通訊電路與系統實作

專題名稱：2.4 GHz雙注入埠式四相位輸出壓控振盪器(2.4 GHz Quadrature VCO With Two Injection

Port)


晶片面積：1.167*1.196ｍ㎡

T18-105C-E0016

課程名稱：電腦與通訊專題討論(二)

專題名稱：3.5 GHz 低功耗正交壓控振盪器(3.5 GHz Low Power Quadrature voltage controlled oscillator)


晶片面積：0.736*1.200ｍ㎡

T18-105C-E0017

課程名稱：電腦與通訊專題討論(二)

專題名稱：應用於 3.6GHz WiMAX之頻率合成器(Frequency Synthesizer For WiMAX)


晶片面積：1.070*1.073ｍ㎡

T18-105C-E0019


專題名稱：應用雙可重疊責任週期調整電路於低功率晶片的可測試設計與驗證(Design-for-Test

Technique for Low-Power Chip by Dual-Phase Overlap Duty-Cycle Adjustment Circuit)


晶片面積：1.093*1.087ｍ㎡

T18-105C-E0020


專題名稱：28GHz 使用閘極源極連接型二極體次諧波混頻器(28GHz Subharmocially Pumped Mixer

using gate-source diode)


晶片面積：0.800*0.612ｍ㎡

T18-105C-E0021

課程名稱：類比積體電路分析與設計

專題名稱：二階參考電壓設計(Second-order Reference Voltage Design)


晶片面積：0.628*0.628ｍ㎡

T18-105C-E0022

課程名稱：類比積體電路分析與設計

專題名稱：二階參考電壓設計(Second-order Reference Voltage Design)


晶片面積：0.628*0.628ｍ㎡

T18-105C-E0024

課程名稱：無線通訊積體電路

專題名稱：Ka-band 三倍頻器(Ka-band Tripler)


晶片面積：1.148*1.164ｍ㎡

T18-105C-E0025


專題名稱：Ku band 功率檢測電路(Ku band power detector)


晶片面積：0.890*0.890ｍ㎡

T18-105C-E0027


專題名稱：應用在 Ku-band之 CMOS功率放大器設計(Ku-band CMOS power amplifier design)


晶片面積：1.133*0.905ｍ㎡

T18-105C-E0028

課程名稱：碩士論文(碩士論文)

專題名稱：混合訊號突發模式時脈資料回復電路(Mixed Signal Burst-Mode Clock and Data Recovery

Circuit)


晶片面積：1.133*1.033ｍ㎡

T18-105C-E0032a

課程名稱：專題研究(Monographic study)

專題名稱：串列訊號傳輸 LED掃描控制器(Serial Signal Transmission LED Scanning Controller)


晶片面積：1.018*1.018ｍ㎡

T18-105C-E0034

課程名稱：微波電路專題實驗

專題名稱：以主動式電感研製 1.8GHz 壓控可調式相移器(A 1.8GHz voltage control inductorless phase

shifte)


晶片面積：0.614*0.776ｍ㎡

T18-105C-E0037

課程名稱：微波電路分析及設計

專題名稱：八字形變壓器耦合之四相位壓控振盪器(Eight-shaped Transformer-based Quadrature Voltage

Controlled Oscillator)


晶片面積：1.050*0.710ｍ㎡

T18-105C-E0038a

課程名稱：專題演講(二)(Special Seminars (Ⅱ))

專題名稱：高倍數開迴路倍頻器(High Multiplication and Open Loop Frequency Multiplier)


晶片面積：0.712*0.702ｍ㎡

T18-105C-E0039

課程名稱：射頻積體電路

專題名稱：穩壓疊接輸入級電路設計(Circuit design of regulated cascade (RGC) input stage)


晶片面積：0.861*1.130ｍ㎡

T18-105C-E0040

課程名稱：微波電路分析及設計(Analysis and Design of Microwave Circuits)

專題名稱：應用於氮化鎵高功率電源轉化器的閘極 class E反向驅動器(A class E inverter of gate driver

for GaN power converter)


晶片面積：1.000*1.000ｍ㎡

T18-105C-E0041

課程名稱：專題製作 2(senior project2)

專題名稱：6-Gbit/s 展頻時脈產生器(A 6-Gbit/s Spread Spectrum Clock Generator)


晶片面積：1.068*0.862ｍ㎡

T18-105C-E0042

課程名稱：類比與數位訊號轉換器設計(Analog and Digital Signal Converter Design)

專題名稱：能隙參考電路及低壓降線性穩壓器研究與實現(A study and implementation of bandgap

reference circuit and low drop-out linear regulator)


晶片面積：0.690*0.450ｍ㎡

T18-105C-E0043a

課程名稱：VLSI設計與佈局實作

專題名稱：應用於精緻農業之葉綠素含量讀出系統(Readout System of Chlorophyll Contents for Quality

Agriculture Application)


晶片面積：0.610*0.610ｍ㎡

T18-105C-E0044

課程名稱：超大型積體電路設計導論

專題名稱：Sub-1V 低電壓帶隙參考電路(Sub-1V Bandgap Reference )


晶片面積：0.198*0.210ｍ㎡

T18-105C-E0045


專題名稱：具有溫度曲率補償電路之 Sub-1V 低電壓帶隙參考電路(Sub-1V Bandgap Reference with an

Adjusted-Temperature-Curvature Compensation Circuit)


晶片面積：0.198*0.210ｍ㎡

T18-105C-E0046


專題名稱：加入偏壓電路之 Sub-1V 低電壓帶隙參考電路(Sub-1V Bandgap Reference with a Bias

Circuit)


晶片面積：0.198*0.210ｍ㎡

T18-105C-E0048

課程名稱：實務專題(一)

專題名稱：功耗改善之 Sub-1V 低電壓帶隙參考電路(Power improvement Sub-1V Bandgap Reference)


晶片面積：0.198*0.217ｍ㎡

T18-105C-E0049


專題名稱：低功耗之 Sub-1V 低電壓帶隙參考電路(Low-Power Sub-1V Bandgap Reference)


晶片面積：0.308*0.211ｍ㎡

T18-105C-E0050


專題名稱：加入新型偏壓電路之 Sub-1V 低電壓帶隙參考電路(Sub-1V Bandgap Reference with Novel

Bias Circuit)


晶片面積：0.198*0.210ｍ㎡

T18-105C-E0051

課程名稱：光通訊積體電路設計

專題名稱：具內建時脈之偽隨機位元序列產生器(Pseudo-Random Bit Sequence Generator with Built-In

Clock)


晶片面積：0.566*0.582ｍ㎡

T18-105C-E0052


專題名稱：應用於升壓轉換器之零電流感測電路(Zero Current Detector for Boost Converter)


晶片面積：0.310*0.310ｍ㎡

T18-105C-E0053


專題名稱：應用於升壓轉換器之電流感測電路(Zero Current Sensor for Boost Converter)


晶片面積：1.068*0.670ｍ㎡

T18-105C-E0054

課程名稱：電子學實驗(二)

專題名稱：具線性器之 5.3GHz兩路直接並聯式功率放大器設計(A 5.35GHz Two-way Direct Combine

Power Amplifier With Linearizer)


晶片面積：1.140*0.640ｍ㎡

T18-105C-E0055

課程名稱：電磁學




晶片面積：1.140*0.640ｍ㎡

T18-105C-E0056




包裝形式： Package:N/A+DieSort:18EA

晶片面積：1.140*0.640ｍ㎡

T18-105C-E0057

課程名稱：VLSI設計實務(Introduction to VLSI Design)

專題名稱：一個具低電容負載特性的十位元每秒取樣一百萬次逐漸趨近式類比數位轉換器(A 10-bit

1-MS/s Successvie –Approximation Analog-to-Digital Converter with Low Capacitance Loading)


晶片面積：0.953*0.953ｍ㎡

T18-105C-E0058

課程名稱：實務專題

專題名稱：低功耗高解析可調式旁通介面比較器之逐漸逼近式 ADC 與立體電容陣列(Reconfigurable

Bypass window Comparator, Low-Power High Resolution Successive-Approximation-Register

Analog-to-Digital Converter with solid Capacitor Array dummy)


晶片面積：1.018*1.021ｍ㎡

T18-105C-E0059


專題名稱：低功耗高解析可調式旁通介面比較器之逐漸逼近式 ADC 與三維電容陣列(Reconfigurable

Bypass window Comparator, Low-Power High Resolution Successive-Approximation-Register

Analog-to-Digital Converter with three-dimension Capacitor Array dummy)


晶片面積：1.018*1.021ｍ㎡

T18-105C-E0060

課程名稱：積體電路設計專題研究(一)

專題名稱：三頻段雙並聯右手共振腔之除三注入式鎖定除頻器(Dual Parallel Right Hand Resonators

Triple Band Divide-By-3 Injection Lock Frequency Divider)


晶片面積：1.162*1.185ｍ㎡

T18-105C-E0061

課程名稱：碩士論文(master's dissertation)

專題名稱：一個十位元每秒取樣一千萬次的多個 LSB選擇的摺疊式電阻串數位類比轉換器(A 10-Bbit

10MSample/s Folded Multi-LSB Decided Resistor String Digital to Analog Converter)


晶片面積：0.953*0.953ｍ㎡

T18-105C-E0063

課程名稱：碩士論文

專題名稱：使用開/閉迴路控制機制之可程式化時序產生器設計(Design of Programmable Timing

Generator using Open/Closed-Loop Control Schemes )


晶片面積：1.195*1.158ｍ㎡

T18-105C-E0064

課程名稱：類比積體電路設計

專題名稱：以偏壓電流可調之疊接MOSFET實現溫度感測器(Tempearure sensor using cascoded

MOSFETs with adjustable biasing current)


晶片面積：1.200*1.200ｍ㎡

T18-105C-E0065

課程名稱：積體電路設計專題研究(三)

專題名稱：低功率 3D電感寬頻注入鎖定除 5除頻器(A Low Power and Wide Locking Range

Injection-Locked Frequency Divider-By-5 with 3D Transformer-Coupled)


晶片面積：0.954*0.974ｍ㎡

T18-105C-E0068

課程名稱：射頻電晶體與放大器:分析與設計

專題名稱：低功耗寬頻注入鎖定除 4除頻器(Low Power Wide Locking Range Divide-By-4 Injection Lock

Frequency Divider)


晶片面積：0.633*0.993ｍ㎡

T18-105C-E0069

課程名稱：教學實務 (II)

專題名稱：以MOS-BJT-NDR電路設計多重臨限-臨限邏輯閘電路(Design of Multi-threshold Threshold

Logic Gate Circuit by MOS-BJT-NDR Circuit)


晶片面積：0.873*0.873ｍ㎡

T18-105C-E0070


專題名稱：5.2GHz兩路直接並聯式功率放大器設計(A 5.2GHz Two-way Direct Combine Power

Amplifier)


晶片面積：1.090*1.160ｍ㎡

T18-105C-E0071

課程名稱：微波電路

專題名稱：微波電路(Microwave circut)


晶片面積：0.641*0.721ｍ㎡

T18-105C-E0072


專題名稱：壓控震盪器使用 PMOS交互耦合疊接 Gm-boosting差動 Colpitts壓控震盪器(VCO Using

pMOS Cross-coupled VCO Stacked on a Gm-boosting differential Colpitts VCO)


晶片面積：0.686*1.008ｍ㎡

T18-105C-E0073


專題名稱：低面積之 Sub-1V 低電壓帶隙參考電路(Low-Area Sub-1V Bandgap Reference)


晶片面積：0.198*0.210ｍ㎡

T18-105C-E0074


專題名稱：Sub-1V 低電壓帶隙參考電路(Sub-1V Bandgap Reference)


晶片面積：0.198*0.213ｍ㎡

T18-105C-E0075

課程名稱：雙極互補金氧半混合訊號積體電路

專題名稱：低雜訊考畢茲震盪器採用高 Q中央抽頭式電桿(low noise colpitts VCO with high Q center

tape inductor)


晶片面積：0.585*0.933ｍ㎡

T18-105C-E0077

課程名稱：VLSI設計與佈局實作

專題名稱：溶氧量讀出電路設計(Dissolved_Oxygen Readout Circuit Design)


晶片面積：1.178*1.138ｍ㎡

T18-105C-E0078

課程名稱：高頻電路設計進階

專題名稱：應用於 0.9GHz之 triple-cascode迴授線性功率放大器(A linearity triple-cascode feedback

Power Amplifier for 0.9GHz)


晶片面積：1.196*1.183ｍ㎡

T18-105C-E0079


專題名稱：堆疊式互感壓控振盪器( A Stacked-Mutual-transformer Class-C VCO)


晶片面積：0.597*0.763ｍ㎡

T18-105C-E0080

課程名稱：電磁學

專題名稱：Ka頻帶五位元相移器設計(Design of Ka-band 5bits phase shifter)


晶片面積：0.965*1.055ｍ㎡

T18-105C-E0081

課程名稱：微感測器原理及應用(Introduction to Microsensors: Principles and Applications)

專題名稱：壓阻式水膠酸檢感測器(PZR Type Hydrogel pH Sensor)


晶片面積：1.160*1.160ｍ㎡

T18-105C-E0082


專題名稱：新型注入除五鎖定除頻器(New Injection Lock Frequency Divider by 5)


晶片面積：0.841*1.073ｍ㎡

T18-105C-E0083

課程名稱：應用電子專題(一)

專題名稱：應用於 5.25GHz微波感測器之低雜訊放大器(Apply to microwave sensor LNA in 5.25GHz)


晶片面積：0.940*0.650ｍ㎡

T18-105C-E0084a

課程名稱：微感測器原理及應用

專題名稱：計數器(counter)


晶片面積：0.702*0.682ｍ㎡

T18-105C-E0085

課程名稱：雙極互補金氧半混合訊號積體電路

專題名稱：2.4G應用之次諧波注入鎖定鎖相迴路(A Sub-Harmonic Injection-Locked PLL For 2.4GHz

Application)


晶片面積：0.695*0.531ｍ㎡

T18-105C-E0086

課程名稱：射頻被動電路設計

專題名稱：一個 12 GHz 0.18 μm CMOS 接收前端電路(A 12-GHz 0.18 μm CMOS Receiver Front End)


晶片面積：1.195*0.960ｍ㎡

T18-105C-E0087


專題名稱：5G行動通訊低雜訊功率放大器電路開發(Develop of LNA for 5G mobile communications )


晶片面積：0.580*0.565ｍ㎡

T18-105C-E0088

課程名稱：數位通訊系統

專題名稱：脈波延遲電路產生器(pulse Delay generator circuit)


晶片面積：1.090*1.080ｍ㎡

T18-105C-E0089

課程名稱：專題討論(D)

專題名稱：四相位無差拍控制暨動態斜率補償之降壓轉換器(A Four-phase Buck Converter with

Dead-Beat Control and Dynamic Ramp Compensation)


晶片面積：1.200*1.200ｍ㎡

T18-105C-E0090

課程名稱：積體電路設計專題研究(三)

專題名稱：低雜訊考畢茲震盪器採用高 Q電桿(low noise colpitts VCO with high Q inductor)


晶片面積：0.577*0.813ｍ㎡

T18-105C-E0091m

課程名稱：微感測器原理及應用

專題名稱：電感性感測器(Inductive pressure sensor)


晶片面積：1.088*0.546ｍ㎡

T18-105C-E0092


專題名稱：可調式旁通介面比較器之低功耗高解析逐漸逼近式 ADC 與立體結構電容陣列

(Reconfigurable Bypass window Comparator, High Resolution Successive-Approximation-Register

Analog-to-Digital Converter with stereoscopic Capacitor Array)


晶片面積：1.018*1.021ｍ㎡

T18-105C-E0093

課程名稱：射頻被動電路設計

專題名稱：一個應用於智慧停車系統的 12-GHz發射機(A 12-GHz Transmitter for Smart Parking System)


晶片面積：1.130*0.960ｍ㎡

T18-105C-E0094

課程名稱：可編程類比電路與系統技術導論

專題名稱：低功耗高解析逐漸逼近式 ADC與使用三明治電容的立體電容陣列(High Resolution

Successive-Approximation-Register Analog-to-Digital Converter with sandwich Capacitor Array)


晶片面積：1.018*1.021ｍ㎡

T18-105C-E0096

課程名稱：微處理機

專題名稱：切換式電感之雙頻帶低雜訊放大器(Switching-inductor dual-band low-noise amplifier)


晶片面積：1.200*1.126ｍ㎡

T18-105C-E0097





晶片面積：1.090*1.160ｍ㎡

二、不下線晶片資料：

申請編號不下線原因

N/A

以下無資料

(cic) h10-86a 審查會議時間表t18-105c-a0019...

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