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BSIM3/4を用いた
RF-MOSFETモデリング技術(中級)
第221回群馬大学アナログ集積回路研究会
2013年6月26日
青木 均
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アウトライン
• 高確度デバイスモデリングの考え方
• RFモデリングで重要なポイント
• RFアプリケーションでのデバイスモデリングフロー
• Sパラメータによる効果的な解析
• マルチフィンガーMOSFETのBSIM3モデリングフロー
• マルチフィンガーMOSFETのスケーラブルモデル
• BSIM4の主な新機能(BSIM3からの改良内容)
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高確度デバイスモデリングの考え方
• 繊細なモデリング用TEG
• モデリングに最適な測定
• プロセスに対応したパラメータ抽出アルゴリズム
• できればモデルの限界まで精度を追求
• 1次効果パラメータの物理的な意味を考慮
• 理論に基づくパラメータ抽出
• 収束性の良いパラメータのコンビーネーション
• 再現性の良いモデリング
• 大信号特性での検証
• 歪特性での検証
• モデリング精度を回路レベルでの検証
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RFモデリングで重要なポイント
• 直流特性での着目点
• ゲート抵抗
• NQS (Non-Quasi-Static)効果
• Extrinsic容量
• 基板ネットワーク
• 寄生インダクタンス
• 自己発熱効果
• RFノイズ
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直流特性での着目点
1. モデル基本物理式の理解とモデル選択
2. コンダクタンス特性
3. ドレイン電流の高次微分特性
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1.モデル基本物理式の理解とモデル選択
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Pao&Sahのチャージシート近似モデル
Δx
I(x) W反転層
Δψs
Ψs (x + Δx) Ψs (x)
基板
“反転層は限りなく薄く,チャネルの厚さによって電位は変化しない”
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ドリフト電流と拡散電流(1)
( ) ( ) ( )drift diffI x I x I x= +
( ) ( ) ( )s s sx x x xψ ψ ψΔ = + Δ −
( ) ( ) ( )'drift I x
WI x Q xx
μ ψ= − ΔΔ
( ) ( )' sdrift I
dI x W Qdxψμ= −
( )'I
diff tdQI x Wdx
μ φ=
( )'
' s IDS I t
d dQI W Q Wdx dxψμ μ φ= − +
xとx + Dx間の電位差は,
この表面電位差と,表面移動度 (μ),反転電荷 (Q’I),チャネル幅 (W)を使って
Idriftを表すと,
Δx→0
(φtは熱電圧)
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ドリフト電流と拡散電流(2)
ここでチャネルのソース端 (x = 0)における表面電位をψs0そこでのQ’IをQ’
I0とおく.同様にドレイン端(x = L)における表面電位をψsLそこでのQ’
IをQ’ILとおく.IDS
をx = 0からx = Lまで積分すると以下のようになる.
( )'
'0 0
' '
0
sL IL
s I
QL
DS I s t IQ
I dx W Q d W dQψ
ψ
μ ψ φ μ= − +∫ ∫ ∫
( )'
'0 0
' 'sL IL
s I
Q
DS I s t IQ
WI Q d dQL
ψ
ψ
μ ψ φ μ⎡ ⎤
= ⎢ − + ⎥⎢ ⎥⎣ ⎦∫ ∫
1 2DS DS DSI I I= +
( )0
'1
sL
s
DS I sWI Q dL
ψ
ψ
μ ψ= −∫
( )' '2 0LDS t IL I
WI Q Qμφ= −
キャリアの移動度がチャネル内のすべてにおいて一定とする
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逐次チャネル近似
IDS1とIDS2を解析するために,Q’Iをψsの関数として求める必要がある.逐次
チャネル近似 (Gradual Channel Approximation)を思い出して,UCB MOSFETレベル2の導出を応用すると
'' '
'B
I ox GB FB sox
QQ C V VC
ψ⎛ ⎞
= − − − +⎜ ⎟⎝ ⎠
C’oxは酸化膜容量,VGBはゲート・基盤電圧,VFBはフラットバンド電圧,Q’
Bは基盤電荷で,
'B B AQ q d N= − ⋅ ⋅
ここでdBは空乏層の厚み, NAはアクセプタの濃度を表す.
2 sB s
A
dqNε ψ=
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ドリフト電流と拡散電流(3)
' 2B s A sQ q Nε ψ= −
'
2 s A
ox
q NCε
γ = ' 'B ox sQ Cγ ψ= −
( )' 'I ox GB FB s sQ C V V ψ γ ψ= − − − −
前頁より
前頁のQI’は
( )( ) ( ) ( )3 3' 2 2 2 21 0 0 0
1 22 3DS ox GB FB sL s sL s sL s
WI C V VLμ ψ ψ ψ ψ γ ψ ψ⎡ ⎤= − − − − − −⎢ ⎥⎣ ⎦
( ) ( )1 1' 2 22 0 0DS ox t sL s t sL s
WI CLμ φ ψ ψ φ γ ψ ψ⎡ ⎤= − + −⎢ ⎥⎣ ⎦
以上を代入すると,
ドレイン・ソースのドリフト電流は,
ドレイン・ソースの拡散電流は,
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表面電位と電荷基準モデル
収束性を向上させコンパクトモデルとして実用的にするために,このチャージシートモデルを改良,様々な微細デバイスプロセスによる物理現象を取り入れてできたのが,表面電位(Surface Potential)モデル
ソース,ドレインにおける反転電荷に注目し,面積密度関数として表していくのが電荷基準(Charge Based)モデル
HiSIM2, PSP Modelなど
BSIM3/4/6 Modelなど
前頁のψs0,ψsLはコンピュータを用いた繰り返し最適化によって求めるため収束問題の可能性有
前頁の簡略化した表面電位から,しきい値電圧に置き換えている.物理ベースの解析モデルなので近似的モデル式が多く存在する
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2.コンダクタンス特性
• 伝達コンダクタンス(gm)と出力コンダクタンス(gds)を正確にモデリング
• ACのSパラメータ特性を無理に測定データと
合わせようとすると,直流特性がずれてしまう?????
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3.ドレイン電流の高次微分特性
• HiSIM2• BSIM4• BSIM6
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HiSIM2
vg [E+0]
id.
s [E
-6]
0.0 0.5 1.0 1.5 2.00
5
10
15
20
vg [E+0]
gm
.s [
E-6
]
0.0 0.5 1.0 1.5 2.00
5
10
15
20
vg [E+0]
gm
2.s
[E-6
]
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0-20
0
20
40
60
80
vg [E+0]
gm
3.s
[E-6
]
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0-400
-200
0
200
400
600
vg [E+0]
gm
4.s
[E-3
]
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
1次0次 2次
4次3次RFアナログでは,少なくとも3次まで連続が望ましい
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16/56
BSIM4short
vg [E+0]
id
.s
[E-3
]
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.00.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
short
vg [E+0] g
m.s
[E
-3]
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.00.0
0.5
1.0
1.5
2.0
short
vg [E+0]
gm
2.s
[E-3
]
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0-5
0
5
10
15
short
vg [E+0]
gm
3.s
[E-3
]
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0-150
-100
-50
-0
50
100
short
vg [E+0]
gm
4.s
[E
+0]
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1次
0次
2次
4次
3次RFアナログでは,少なくとも3次まで連続が望ましい
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17/56
BSIM6
vg [E+0]
id.
s [E
-6]
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.00
50
100
150
200
250
vg [E+0]
gm
.s [
E-6
] 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.00
100
200
300
400
vg [E+0]
gm
2.s
[E-3
]
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
vg [E+0]
gm
3.s
[E-3
]
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0-15
-10
-5
0
5
10
15
vg [E+0]
gm
4.s
[E-3
]
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0-300
-200
-100
-0
100
200
RFアナログでは,少なくとも3次まで連続が望ましい
1次0次 2次
4次3次
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ゲート抵抗
L
Wf
シングルフィンガー マルチフィンガー
cont
contsh
f
f
NR
RNL
WRG +
⋅=
Nf : フィンガー数Rsh : シート抵抗Rcont : コンタクト抵抗Ncont : コンタクト数
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NQS(Non-Quasi-Static)効果
Elmore NQSモデル
QSモデル
QS(Quasi-Static)モデルはトランジットタイム(τ)を表現していない
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Extrinsic容量
フリンジング容量オーバーラップ容量
(CGSO, CGDO)
接合容量オーバーラップ容量
(CGBO)Masanori Shimasue, Yasuo Kawahara, Takeshi Sano, and Hitoshi Aoki, "An Accurate Measurement and Extraction Method of Gate to Substrate Overlap Capacitance," Proc. IEEE 2004 Int. Conference on Microelectronic Test Structures, pp. 293-296, March 2004.
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基板ネットワーク
(a) (b) (c)
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寄生インダクタンス
S D
G
Sub
ポート1 ポート2
ゲート基準面ゲートリング
シールドグランド シールドグランドM1 M1
M2 ドレイン基準面
寄生インダクタンス
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自己発熱の影響
• STI構造によるチャネルのBOX化• チャネル幅増加によるドレイン電流増加
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自己発熱効果
Id [mA]
Vd [V]
ddth VIRTT ⋅⋅=− 0
自己発熱無し自己発熱あり
T : 自己発熱後のデバイス温度T0 : 環境温度Rth : 熱抵抗(℃/W)
デバイスのパワーPtot
温度上昇分Tdelt
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( )th
thth RVC
dtVdI Δ
+Δ
=
温度上昇分Tdelt
デバイスのパワーPtot
VΔ
thI
Ith Rth Cth
V
大きな回路では収束困難!!
自己発熱マクロモデル
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RFノイズモデル
Correlation
Channel Noise
Induced Gate Noise
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27/56RFノイズ特性
Induced Gate Noise 特性
Channel Noise 特性 Noise Correlation 特性
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28/56
RFアプリケーションでのデバイスモデリングフロー
モデリング用TEG設計
モデリング用TEG測定、評価
DC, CV測定モデリング
Sパラメータ測定De-embedding
小信号ACモデリング
大信号測定、評価
NGDC, CV, ACモデリング
OK
終了
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Sパラメータによる効果的な解析
デバイス測定De-embedding用
TEG測定
De-embedding処理
デバイスのみのSパラメータ
マトリクス変換
•トランジスタ動作時の高周波容量•順方向拡散容量•トランジットタイム•相互コンダクタンス•入力インピーダンス•出力インピーダンス•寄生抵抗•基板抵抗•自己発熱効果など
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高周波容量成分解析例( Vg=0-1V, Vd=2V)
CGS
CDS
CGD
周波数:100MHz(L = 0.18μm、Wtot = 200μm)
出力コンダクタンス解析例( Vd=0-2V, Vg=0.6V)
相互コンダクタンス解析例( Vd=0-1V, Vd=0.1V)
Sパラメータによる効果的な解析例(1)
![Page 31: BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術...BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術 (中級) 第221回群馬大学アナログ集積回路研究会 2013年6月26日](https://reader031.vdocuments.site/reader031/viewer/2022011915/5fc71e6e51035f3c5f745126/html5/thumbnails/31.jpg)
31/56
( )( )WR
eff
SbseffSgsteffDS
W
VPRWBVPRWGRDSWR
⋅
−−+⋅+⋅=
610
1 φφ
DSR
gsteffV1
( )( )WR
eff
SbseffSgsteff
DSW
VPRWBVPRWG
RDSWRDSWMINIR
⋅
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−−+
⋅+⋅+
=610
11 φφ
BSIM3
BSIM4rdsMod=0
Vgsteffに比例関係
Vgsteffに反比例関係
DSR
gsteffV
Sパラメータによる効果的な解析例(2)
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32/56
SPコンダクタンスI-V法
DC I-V測定
128フィンガー
64フィンガー
16フィンガー
Vg = 1.3 VVd = 0 ~ 1.8 V
自己発熱効果解析例
自己発熱効果解析例
H.Aoki and M. Shimasue, “Self-Heating Characterization of Multi-Finger MOSFETS used for RF-CMOS Applications,” ICISCE 2012 Institution of Engineering and Technology, Dec. 2012.
自己発熱効果解析例
Sパラメータによる効果的な解析例(3)
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マルチフィンガーMOSFETのBSIM3モデリングフロー
CMOS用1フィンガーBSIM3モデリング
マルチフィンガースケーリング処理
マルチフィンガー用マクロモデルによる
最適化処理
•マクロモデルでは
トランジスタの並列ネットリスト以外にゲート抵抗などRF特性
に必要な素子を含む
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マルチフィンガーMOSFETの構造
M1:シールドGND
M2:ゲートリング
SGDGSGDGS
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マルチフィンガーMOSFETのチャネル長
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マルチフィンガーMOSFETの等価回路
RF NMOS
LD
P1
P2BIAS T
BIAS T
LGCGD
CGS
RG CDSRDS
LS RSUB
BSIM3 モデル
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C12モデリング結果(128フィンガー)
周波数特性劣化
Vg = 1.5 VVd = 0.2 ~ 1.5 V
MeasuredModeled
高精度等価回路 一般的な等価回路
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マルチフィンガーMOSFETのスケーラブルモデル
.SUBCKT multi 11=D 22=GRG 21 2 (-100.0m / finger^2) + (441.4 / finger) + (5.108)RDS 31 3 ((49.23K / finger^2) + (7.692K / finger) + (115.5)) * 0.2e-6 / 0.18e-6RSUB 4 0 1E-3CGD 22 11 ( 1.00001E-019 * finger^2) + ( 1.091f * finger) + ( 1.00000E-019)CGS 22 3 ((-2.544a * finger^2) + ( 1.251f * finger) + (-1.102f)) * 0.2e-6 / 0.18e-6CDS 1 31 ((-5.053a * finger^2) + ( 3.172f * finger) + (-10.00f)) * 0.18e-6 / 0.2e-6LG 22 21 1E-012LS 0 3 1E-13LD 11 1 (-1.9291E-014 * finger) + (3.90408E-011)
M0 1 2 3 4 FingerDependency L=0.2e-6 W=2.5E-006 AD=1E-012 AS=2E-012 PD=3.3E-006 PS=6.6E-006M1 1 2 3 4 FingerDependency L=0.2e-6 W=2.5E-006 AD=1E-012 AS=1E-012 PD=3.3E-006 PS=3.3E-006M2 1 2 3 4 FingerDependency L=0.2e-6 W=2.5E-006 AD=1E-012 AS=1E-012 PD=3.3E-006 PS=3.3E-006M3 1 2 3 4 FingerDependency L=0.2e-6 W=2.5E-006 AD=1E-012 AS=1E-012 PD=3.3E-006 PS=3.3E-006M4 1 2 3 4 FingerDependency L=0.2e-6 W=2.5E-006 AD=1E-012 AS=1E-012 PD=3.3E-006 PS=3.3E-006M5 1 2 3 4 FingerDependency L=0.2e-6 W=2.5E-006 AD=1E-012 AS=1E-012 PD=3.3E-006 PS=3.3E-006M6 1 2 3 4 FingerDependency L=0.2e-6 W=2.5E-006 AD=1E-012 AS=1E-012 PD=3.3E-006 PS=3.3E-006M7 1 2 3 4 FingerDependency L=0.2e-6 W=2.5E-006 AD=1E-012 AS=2E-012 PD=3.3E-006 PS=6.6E-006.ENDS
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MeasuredModeled
RDSRG
マルチフィンガーMOSFETの寄生抵抗スケーリング
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CGD
MeasuredModeled
CDS
CGS
マルチフィンガーMOSFETの寄生容量スケーリング
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出力抵抗R22モデリング結果
64フィンガー
32フィンガー
8フィンガー
Vg = 1.5 VVd = 0.2 ~ 1.5 V
MeasuredModeled
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S21モデリング結果
Vd = 1 VVg = 0.6 ~ 1.4 V
32フィンガー
64フィンガー
8フィンガー
![Page 43: BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術...BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術 (中級) 第221回群馬大学アナログ集積回路研究会 2013年6月26日](https://reader031.vdocuments.site/reader031/viewer/2022011915/5fc71e6e51035f3c5f745126/html5/thumbnails/43.jpg)
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GAmaxモデリング結果
64フィンガーVg = 1.5 VVd = 0.2 ~ 1.5 V
32フィンガー
8フィンガー
MeasuredModeled
S12位相測定誤差
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H21モデリング結果
Vd = 1 VVg = 0.6 ~ 1.4 V
32フィンガー
64フィンガー
MeasuredModeled
8フィンガー
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8フィンガーSパラメータモデリング結果
S11S12
S21 S22
MeasuredModeled
Vd = 1 VVg = 0.6 ~ 1.4 V
![Page 46: BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術...BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術 (中級) 第221回群馬大学アナログ集積回路研究会 2013年6月26日](https://reader031.vdocuments.site/reader031/viewer/2022011915/5fc71e6e51035f3c5f745126/html5/thumbnails/46.jpg)
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16フィンガーSパラメータモデリング結果
S12
S22
S11
S21
MeasuredModeled
Vd = 1 VVg = 0.6 ~ 1.4 V
![Page 47: BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術...BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術 (中級) 第221回群馬大学アナログ集積回路研究会 2013年6月26日](https://reader031.vdocuments.site/reader031/viewer/2022011915/5fc71e6e51035f3c5f745126/html5/thumbnails/47.jpg)
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32フィンガーSパラメータモデリング結果
MeasuredModeled
S12
S22
Vd = 1 VVg = 0.6 ~ 1.4 V
S11
S21
![Page 48: BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術...BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術 (中級) 第221回群馬大学アナログ集積回路研究会 2013年6月26日](https://reader031.vdocuments.site/reader031/viewer/2022011915/5fc71e6e51035f3c5f745126/html5/thumbnails/48.jpg)
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64フィンガーSパラメータモデリング結果
MeasuredModeled
S12
S22
Vd = 1 VVg = 0.6 ~ 1.4 V
S11
S21
![Page 49: BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術...BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術 (中級) 第221回群馬大学アナログ集積回路研究会 2013年6月26日](https://reader031.vdocuments.site/reader031/viewer/2022011915/5fc71e6e51035f3c5f745126/html5/thumbnails/49.jpg)
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128フィンガーSパラメータモデリング結果
MeasuredModeled
S12
S22
Vd = 1 VVg = 0.6 ~ 1.4 V
S11
S21
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BSIM4の主な新機能(BSIM3からの改良内容)
• 改良型NQS(Non Quasi Static)モデルの追加
• IIR(Intrinsic Input Resistance)モデルの追加
• 基板抵抗ネットワークモデル追加
• ストレスモデル追加
• マルチフィンガー構造に対応
• 酸化膜厚(<3nm)以下のゲート・トンネル電流モデルを追加
• Gate Induced D/S Leak(GIDL/GISL)電流モデルの追加
• HaloドープまたはポケットインプラントによるDITS(Drain Induced Threshold Shift)モデルを追加
• 高誘電体ゲート絶縁膜構造に対応
• 新モビリティモデルの追加
• D/S非対称抵抗モデルの追加
• D/S非対称接合ダイオード・モデルの追加
• チャネル熱雑音モデルの改良
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BSIM4 NQSモデル
•Elmore NQSモデル
BSIM3 v3.2 NQS Model改良版
NQSMOD
•IIRモデル
BSIM4で新しく追加
RGATEMOD (0~3)
TRNQSMOD (ON,OFF)
ACNQSMOD (ON, OFF)
どちらもNQS効果を表現するため同時には使えない
マルチフィンガー対応
( ) ( )ωτjtQ
tQ qsnqs +
=1
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BSIM4 IIRモデル(1)
ゲート抵抗無し
(RGATEMOD:OFF)
ジオメトリ依存型
ゲート抵抗モデル
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BSIM4 IIRモデル(2)
ジオメトリ、バイアス依存型
ゲート抵抗モデル
ジオメトリ、バイアス依存
ノード分離型
ゲート抵抗モデル
![Page 54: BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術...BSIM3/4を用いた RF-MOSFETモデリング技術 (中級) 第221回群馬大学アナログ集積回路研究会 2013年6月26日](https://reader031.vdocuments.site/reader031/viewer/2022011915/5fc71e6e51035f3c5f745126/html5/thumbnails/54.jpg)
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BSIM4 基板ネットワークモデル
RBODYMOD=0 (OFF)
RBODYMOD=1 (ON)
フィンガー依存無し
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BSIM4 D/S抵抗モデル
Rs(V) Rd(V)
Rds(V)
RDSMOD=0 (Internal Rdsモード)
RDSMOD=1 (External Rd, Rsモード)
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BSIM4 接合ダイオードモデル
CV, IVモデル共、個別にパラメータ定義可能
•CVモデル
マルチフィンガー対応以外はBSIM3と同じ
•IVモデル
ブレークダウンモデルが追加
DIOMOD=1(BSIM3と同じ、収束性が良い)
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BSIM4 チャネル雑音モデル
TNOIMOD=0
BSIM3と近似
TNOIMOD=1
Holistic Model
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まとめ
• 高確度デバイスモデリングの考え方
• RFモデリングで重要なポイント
• RFアプリケーションでのデバイスモデリングフロー
• Sパラメータによる効果的な解析
• マルチフィンガーMOSFETのBSIM3モデリングフロー
• マルチフィンガーMOSFETのスケーラブルモデル
• BSIM4の主な新機能(BSIM3からの改良内容)