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1000W MOSFET LEYENDA etapa Maestro MK2

Tenemos 1000Watt MOSFETLEGEND etapa Maestro MK2 es un muy bueno y potente amplificador. No es en el saln de clases HiEnd seguro, pero la unidad desonido muy respetable con una gran cantidad de poder. No fue diseado con un interior de casa como el objetivo primario antes, tal poder utilizarse slo enraras ocasiones en la casa y de interior, salvo tal vez en algunas discotecas ms grandes. Francamente, debido a un alto rendimiento, podra AF ligera prefiereir de clase, pero otras especificaciones y de gran calidad a travs de los estndares y necesidades PA Mi nica sugerencia adicional para que pienses en l largoy tendido, de prcticas Maestro como Maestro MK2. Maestro Internship 500 ... 1000 W, pero es aa poco ms fcil (y ms barato) para construir. "PCB mostrartanto como below1000W PCB1000W MOSFET MOSFET PCB

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500 vatios amplificador de energa audio500 vatios amplificador de energa audio Qu se puede hacer para aumentar el amplificador de potencia de audio disponibles? La respuesta es bien disminuirla impedancia de carga o incrementar la tensin de alimentacin.Cuanto menor sea la impedancia, ms actual que se necesita, por lo que la construccin delas etapas de salida de baja impedancia ms difcil (hay algunas otras limitaciones prcticas), as que vamos a aumentar la tensin de alimentacin!

Componentes / lista de piezas:

R1, R1147K

R2, R3 33K

1K5 R4

R5, R7 2K2

R6, R8 100R

R9, R10 56R

R12 820R

R13 10R/5W 220nF C1 C2, C3, C4 100uF/100V C5, C6 100pF C7 100nF / 100VD1, D2 IN4002 TR1, TR2 D438 TR3, TR4 B560 TR5, TR8 A958 TR6, TR7 C2168TR9,

C2922 TR10 TR11, TR12 A1216

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Amplificador de potencia MOSFET 360 W

Propongo aqu una versin ms potente del Wrms 8 ohms proyecto amplificador de potencia clase AB 200. Que comparte el mismo concepto que el modelomenos poweful: ensamblado utilizando compoments comunes (no muy caro), basado en diagramas tradicionales: una etapa de entrada diferencial simtrica,un conductor etapa cascode y una salida MOSFET placa de circuito impreso stage.The es muy compacto, y se componen de dos subconjuntos: la etapa demando y las resistencias stage.All de salida son un cuarto vatios pelcula metlica 1% (excepto si se indica lo contrario) fuentes de corriente constante de + / -1 mA se forman alrededor de T5 y T6.. Los diodos D1 a D6 permiten el uso de transistores de bajo ruido y t ipo BC550C BC560C, los transistores T7 a T10 fo rmael controlador de fase. El potencimetro P1 permite el ajuste de la corriente de reposo de 100 mA por salida transistor.The alimentacin simtrica se confa aun gran transformador de 750 VA, 2 * 60 voltios + puente rectificador y 8 condensadores de depsito de 4.700 mF, lo que da una salida tensin de + y - 85voltios por ferrocarril. Un transformador de 1.000 VA es necesario que la potencia de salida continua mxima a las 4 de potencia de salida es de 360 ohms.TheWrms de 8 ohmios o 550 WRMS de 4 ohms. La distorsin es inferior a 0,02%, el factor de amortiguamiento es mayor que 400, la relacin seal -ruido es de 112dB (A equilibrada a plena potencia), la sensibilidad de entrada es de 1,2 voltios (360 W de 8 ohmios).

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Transistores T9 y T10 se deben montar en un disipador comn con 5 C / W Resistencia trmica o en la etapa de salida del disipador de calor.

Propuesta de la etapa de salida del PCB:

Los puntos marcados como A, B y C tienen que estar conectados entre los dos PCBs.The suelo (tierra) puntos de PCB y de altavoz de tierra (tierra)

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obligatoriamente deben estar conectados en estrella con los 0 voltios de los transistores de potencia debe ser PSU.The montado en un disipador de calor conuna resistencia termal menos de 0,5 C / W. Tambin deben estar aislados elctricamente del disipador de calor mediante el uso de un aislante de mica +conductora de calor compuesto o un aislante de silicona.

Ancho de banda:Ancho de banda es limitado desde 5 Hz a 53 kHz (a - 3 dB) por el mdulo de entrada (C1, R1, C2, R2). Puede ser modificada de acuerdo con la aplicacin

deseada. Es intil para aumentar el ancho de banda a la Botton (bajo) debido a la poca seal til est presente en la parte inferior d el espectro. En los

sistemas de sonido de megafona el ancho de banda es a menudo limitada entre 20 y 35 Hz. Los altavoces estn as protegidos contra seales demasiado altas

extrema-bajo y un poco ms de energa disponible para el resto del espectro.

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He aqu un amplificador Leach basado en 2SA1943 2SC5200 y transistores de potencia de salida que pueden proporcionar hasta 700 vatios de potencia. El

diseo mecnico es relativamente simple, los transistores se colocan en los dos perfiles de refrigeracin con una altura de 66 mm, 44 mm de ancho, 260 mm de

longitud total. Estn se enfrentaron entre s Por lo tanto, desde el tnel de enfriamiento. Enfriadores estn otorgando el respaldo de nylon que permite que el

conjunto de transistores sin arandelas, y por lo tanto una mejor transferencia de calor. Amplificador de DPS es en la parte superior del tnel y los transistores

estn soldados a partir de la parte inferior de la PCB.

700W Leach AmplifierAdjust el poder amplificador de 700W Parece fcil, pero no hay que olvidar que el cambio en los transistores obligando, toda nueva

contratacin de desplazamiento de frecuencia. Es necesario modificar la pliza de seguro actual que sirve para proteger los transistores finales. Su tendencia

que se le permitiera mantener a los transistores en las caractersticas de SOAR. Primero fue necesario calcular todas las resistencias necesarias y luego

medidos para verificar la exactitud de los clculos, que se maneja con los cambios results.Peripheral satisfactorios necesarios para que sea capaz de

consistentemente amplificador para suministrar energa -. Primero tendr que reemplazar el resistencias 2k2 en serie con los LEDs en resistencias Zenerovmi

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con mayor potencia. Resistencias 1/2W suficiente, la prdida de potencia en 80V 1W-basado + -. Luego fue traspasado resistencia 1k2 de la resistencia de

realimentacin a 620 ohmios. Cul es la ganancia original ha duplicado, por lo que ahora es el amplificador de ganancia general 40 y la excitacin mxima es

suficiente para 1V rms -. Pedbudii transistores fueron reemplazados por fuertes MJE15032/33 porque KF467/470 se permiten colector-20mA en la salida de

corriente de excitacin etapas se usan los mismos como transistores de la etapa de salida -. nmero de terminales de los transistores se ha aumentado a ocho

pares-Tena que ocurrir para compensar el nivel de excitacin mediante la adicin de un condensador de 10 pF a 47 pF + 22K miembro. Esto llev a un ligero

amplificadores "lentos", pero esto no afect a los parmetros resultantes. Esta capacidad se ajusta con precisin para este tipo de transistores terminales

2SA1943/2SC5200. Con que es un valor mnimo en el que el amplificador funciona de forma estable sin sobreimpulso en los flancos de subida y la cada de la

plaza -. El ltimo ajuste, el terminal de corriente de transistor de proteccin de ajuste. Las caractersticas del transistor SOAR muestra que la corriente decolector mxima permitida cuando la tensin de 1,5 A es ideal para la refrigeracin, por lo que es en realidad menos. Por lo tanto, la proteccin actual se

establece, de un solo brazo 12A. Esta proteccin contra copia SOAR caractersticas del transistor. Corriente de cortocircuito es de aproximadamente 6 A, que

est a punto 075A por transistor. Esto es muy por debajo de la characteristics.The diseo mecnico SOAR es relativamente simple, los transistores se colocan

en los dos perfiles de refrigeracin con una altura de 66 mm, 44 mm de ancho, 260 mm de longitud total. Estn se enfrentaron entre s Por lo tanto, desde el

tnel de enfriamiento. Coolers estn otorgando el respaldo de nylon que permite que el conjunto de transistores sin arandelas, y por lo tanto mejor

amplificador tepla.DPS transferencia es en la parte superior del tnel y los transistores se sueldan a la parte inferior del PCB.

Parmetros tcnicos:

Salida: 680W/2R, 450W/4R, 260W/8R

impedancia mnima de los altavoces: 2R

Ancho de banda: 10-180 000Hz/-3dB

Tensin mxima admisible: mximo + /-80Vamplificador final de fusin: 15A 2x / F

Late conexin: aprox 1,5 seg

Sensibilidad de entrada para el mximo de excitacin: 1.1 V

Velocidad de giro: 35V/us

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High 300W Amplificador de PotenciaPara muchas aplicaciones que no hay sustituto para altavoces pura potencia de baja eficiencia, sistemas de sonido al aire libre, o tal vez te gusta el sabor delrango dinmico de un amplificador de alta potencia. Sea cual sea su-este requisito mdulo superpotencia debe ajustarse a la ley. Cmo funciona: Elamplificador se puede dividir en tres partes separadas. Estos son: la etapa de entrada, que consiste en Q1-Q9, una alta ganancia, controlador de bajapotencia; la salida de energa de la etapa o-bruja slo tiene una ganancia de voltaje de ganancia de cuatro, pero enorme poder, y la fuente dealimentacin. La etapa de entrada es una red complementaria-diferencial, cada lado'''' con su propia fuente de corriente. Cada transistor en esta etapa serealiza a una grosella colector de aproximadamente 0,7 mA. Resistencias de emisor se emplean para estabilizar la ganancia y mejorar la linealidad. La salidaQ1-Q5 Q7 y Q9 impulsa. Estos ltimos son prcticamente dos fuentes de corriente constante se ejecutan sobre la corriente de colector 7 mA. Con una seal de

entrada estas fuentes'''' actuales son modulados fuera de fase - la corriente de uno disminuye mientras que el otro aumenta colector. Esta configuracin ofrecetoda una cantidad de ganancia. En entre las bases de estos dos transistores Q8 es, el transistor de deteccin trmica-sesgo. El voltaje a travs de Q8 se puedeajustar por TR1, estableciendo as la corriente para la etapa de salida de polarizacin de reposo. La etapa de salida, Q10-Q11, Q13, Q14 y Q16-17, tiene unaganancia de alrededor de cinco aos, establecido por R44 y R28 R29 plus. Diodos D4 y D6 evitar polarizacin inversa de Q10 y Q11 (de lo contrario el resultadosera limitado). Proteccin de los transistores de salida es proporcionada por Q12 y Q15 que controlan tanto la corriente y la tensin en los transistores desalida y eludir la corriente de base, si se sobrepasa el lmite. Estabilizacin de la frecuencia proporcionada por condensadores C6, C11, C12 y las redes RCR31/C10 ms R46/C15. Respuesta en frecuencia del amplificador se ajusta C1 y C7 (lmite inferior), C6 establece el lmite superior de frecuencia. Si deseautilizar el DC Proteccin y Balance / circuitos Bridge. Todos los transistores que estn dentro de la lnea interrumpida se colocan en una esquina de aluminio yse atornillan en un disipador adecuado. Los transistores Q7, Q10, Q11, Q8, Q9, Q13, Q14, Q16 y Q17 colocados en esta esquina de aluminio, con aislamientoadecuado de esta. [ETI 4/80]

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Amplificador MJ15003/MJ15004 c200

El C200 es el resultado de la solicitud de numerosos bricolaje "de un amplificador de potencia discreta bsica. Como tal, este amplificador est especialmentediseado para cumplir con lo siguiente: salida bastante alto poder. fcil de construir. utilizar componentes comunes. no hay oscilaciones. tener proteccinlmite de corriente. por encima de desempeo promedio hifi. puenteable para HT subs. lo suficientemente resistente para el uso del partido. Salida depotencia de salida del c200 en 8 ohmios antes clip es de 125 Watts. Cuando se carga a 4 ohmios, la salida se incrementa a 200 vatios. Con 2 canales que operanen modo puente, la potencia de salida es de unos respetables 400 vatios a 8 ohms. Transistores de salida Para una fcil obtencin, transistores muy comuneshan sido elegidos para el c200. Los transistores de potencia comprenden de 4 piezas de MJ15003 y MJ15004.Aunque "lento" (fT = 2 MHz) para los estndares dehoy en da, estos transistores estn fcilmente disponibles, precio razonable, tiene suficiente potencia y el SOA es necesario para el audio. Para aquellos queprefieren usar 2N3055 y MJ2955, el modelo C70, con 70 Watts RMS / salida est disponible.Vas y controladores de TIP29C/30C se utilizan para estasetapas. Aunque igual de lento (fT = 3 MHz), que son elegidos en base a la disponibilidad y el costo.Entrada diferencial 2N5551 se utiliza para la entrada. Unavez ms, se trata de un nmero de pieza comn con propiedades adecuadas para el audio.

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400W Stereo Amplificador Marshall Leach

Amplificador de Audio Estreo 400W basa en el original Leach participacin Marshall, pero ha hecho algunas mejoras. En cuanto a la tensin de la fuente dealimentacin a la +-75V. VC comparar el rendimiento de la modificacin Leach 700W/2R en una placa comn de ambos canales, as como circuitos deproteccin y control de los ventiladores. En comparacin con la versin 700W un poco diferente en el cableado. Debido a que algunas cosas en la versin de700W est completamente apretados a la perfeccin.

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275W Amplificador Leach

El diseo de amplificador incluye no slo la etapa final de la fuente (rectificador, filtro) y la proteccin contra el amplificador de salida de tensin continua yconexiones de los altavoces con retraso. Como ya se ha mencionado, el amplificador est diseado como un solo mdulo. Esto significa que, por un rectificadorcomn de planchar, condensadores de filtro, la proteccin y definitivamente amplifier.Regarding los componentes de la solucin externa, la solucin basadaen el original el Sr. Marshall Leach. La propuesta se adapta a la propuesta. en el amplificador se utilizan para los diodos de deteccin de temperatura sesustituyen con un solo transistor de deteccin montado en el extremo del condensador principal y Tranda campo. Este transistor proporciona unaretroalimentacin trmica y por tanto de un establo altavoces amplifiers.Privacy corriente de reposo se alimenta directamente desde el amplificador detensin. En cuanto a diseo mecnico, es probablemente el ms complicado de todo el amplificador. La refrigeracin se realiza por los bloques de Al que seadjuntan con el perfil de refrigeracin principal. Se utiliza ZH6465 perfil. Los transistores de un terminal a calor se libera a travs de tiras de Al con un grosorde 6 mm en las vigas laterales y que pasa en el refrigerador. ms fotos.

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MOSFET Amplificador de audio de 200 W

Aqu se propone un amplificador de potencia clase AB ofan del proyecto, en su forma ms simple, montado con compoments comunes (no muy caro), basado

en diagramas tradicionales: una etapa de entrada symmetricaldifferential, un conductor etapa cascode y una etapa de salida MOSFET.

La placa de circuito impreso isvery compacta, y se compone de dos subgrupos: la etapa de comandos y la etapa theoutput. Todas las resistencias son de 1/4

watt pelcula metlica 1% (excepto si otherwisestated).

Fuentes de corriente constante de + / - 1 mA se llevan a cabo alrededor de T5 y T6. Los diodos D1 a D6 permiten el uso oflow ruido de transistores de

tipo BC550C BC560C y los transistores T7 a T10 controlador etapa formthe.El potencimetro P1 permite el ajuste de la quiescientcurrent a 100 mA por

transistor de salida.

El poder simtrica supplyis confiada a un gran transformador de 625 VA, 2 * 51 voltios + puente rectifierand 6 condensadores depsito de 4.700 mF, lo

que da una tensin de salida de + y -70 voltios por ferrocarril.

La potencia de salida es de 200 Wrmsunder 8 ohmios o 350 WRMS de 4 ohms. La distorsin es menor que 0,02%, dampingfactor es mejor que 300, la

relacin seal-ruido es de 112 dB (A equilibrada en Fullpower), la sensibilidad de entrada es de 1,2 voltios (200 W de 8 ohmios).

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