uhv-taugliche pumpen

UHV-taugliche Pumpen

UHV-taugliche Pumpen

UHV-taugliche Pumpen

3D: Kristallstruktur

3D: Miller-Indices

2D: ideale Oberfläche, 5 Bravais Netze

p:

c:

2D: ideale Oberfläche, 5 Bravais Netze

2D: ideale Oberfläche, 5 Bravais Netze

Beschreibung idealen Oberfläche

fcc Kristall (z.B. Cu, Ni, Ag, Pt)

oberste Lage

zweite Lage

Beschreibung idealen Oberfläche

fcc Kristall (z.B. Cu, Ni, Ag, Pt)

Exemplarische Typen von Grenzflächen

Abweichung von der idealen Oberfläche

Abweichung von der idealen Oberfläche

(Oberflächeneinheitszelle geändert)

(Oberflächeneinheitszelle unverändert)

Relaxation von Oberflächen

Adsorptionsplätze

Abweichung von der idealen Oberfläche

• Modify coupling by intermediate layer of atomic oxygen

• Preparation via surfactant growth:

– dosing O2 (1200 L) at annealed Cu(100) (600K)

adsorption of 0.5 ML of atomic oxygen

– surfactant assisted film growth: O floats to top of Ni or Co film

O O

Tailoring the magnetic coupling

Cu(100)

clean Cu (√22√2) R45° O/Cu(100) missing row

c(22) O/Co/Cu(100)

Co on O/Cu(100)

• C. Sorg et al., Phys. Rev. B 73, 064409 (2006) • R. Nünthel et al., Surf. Sci. 531, 53-67 (2003) • J. Lindner et al., Surf. Sci. Lett. 523, L65-L69 (2003)

Adsorbate und Überstrukturen

Adsorbate und Überstrukturen

Halbleiter: dangling bonds entscheidend

Rekonstruktion