semiconductor physics & devices
Post on 31-Dec-2015
597 Views
Preview:
DESCRIPTION
TRANSCRIPT
參考書籍: S.M.Sze ( 施敏 ) ……………… 教科書 SEMICONDUCTOR DEVICES Physics and Technology 2nd Edition Donald A. Neamen SEMICONDUCTOR PHYSICS & DEVICES BASIC PRINC
IPLES 2nd Edition
Hong Xiao Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology 莊達人編著 VLSI 製造技術 (五版修訂)
課程大綱第一章 簡介第二章 熱平衡時的能帶及載子濃度第三章 載子傳輸現象第四章 正 – 負接面第六章 金氧半場效電晶體及其相關元件第七章 金半場效電晶體及其相關元件第十章 晶體成長及磊晶第十一章 薄膜形成第十二章 微影與蝕刻第十三章 雜質摻雜第十四章 積體元件
金屬半導體界面 - 整流型接觸、歐姆接觸(最早, 1874 年) 應用: MESFET( 金屬半導體電晶體 ) 閘極—整流型接觸 汲極及源極 --- 歐姆接觸
pn 接面 (半導體元件物理的基礎)
兩個 pn接面可形成雙載子電晶體( BJT )三個 pn 接面可形成閘流體( thyristor)(一種切換元件 switching device)
異質半導體界面
可製作高速元件及光電元件例: GaAs 和 AlAs 可形成異質接面
金氧半結構—即金屬氧化層界面 + 氧化層半導體界面
應用:金氧半結構形成閘極兩個 pn接面形成汲極與源極
形成 MOSFET
Figure 1.8. Exponential increase of dynamic random access memory density versus year based on the Semiconductor Industry Association (SIA) roadmap.49
top related