scr (silicon controlled rectifier)
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Mecanismos como se puede iniciar conducción:
a) Con Vak >0 e Ig adecuada
b) Con Vak>>0
c) Con dVak/dt >>0
d) Con luz si el semiconductor esta expuesto para recibir luz
e) Sobrecalentamiento
A
K
G
E1B1
C1
E2
C2
B2Ig
Vc
+
-
Vs
R L
R G
Se inicia conducción con Vak >0 e Ig adecuada.
Ig se convierte en Ib2 que inicia conducción de transistor 2. Su corriente de colector Ic2 extrae corriente de la base del transistor 1 Ib1 e inicia conducción de transistor 1. Al conducir el transistor 1 se incrementa la corriente Ib2 y así los dos transistores se mantienen mutuamente en conducción y se puede quitar Ig.
A
K
G
E1B1
C1
E2
C2
B2
Vc
+
-
Vs
R L
R iIri
Se inicia conducción con Vak >>0.
Con Vak grande Iri es suficientemente grande para que reemplace a Ig y se convierta en Ib2 que inicia conducción de transistor 2. La corriente de colector Ic2 extrae corriente de la base del transistor 1 Ib1 e inicia conducción de transistor 1. Al conducir el transistor 1 se incrementa la corriente Ib2 y así los dos transistores se mantienen mutuamente en conducción
RiVak
Iri
A
K
G
E1B1
C1
E2
C2
B2
Vc
+
-
Vs
R L
C iIci
Se inicia conducción con dVak/dt >>0.
Con dVak/dt grande Ici es suficientemente grande para que reemplace a Ig y se convierta en Ib2 que inicia conducción de transistor 2. La corriente de colector Ic2 extrae corriente de la base del transistor 1 Ib1 e inicia conducción de transistor 1. Al conducir el transistor 1 se incrementa la corriente Ib2 y así los dos transistores se mantienen mutuamente en conducción
dtdVak
Ici iC
A
K
G
E1
B1
C1
E2
C2
B2Ig
Vc
+
-
Vs
R L
R G
C i
Ici
R iIri
Los tres mecanismos descritos anteriormente se pueden combinar para juntos o en combinaciones provocar el inicio de la conducción si Ig+Iri+Ici suman una corriente adecuada.
Símbolo Parámetro
VDRM Voltaje directo pico repetitivo
de no conducción
IDRM Corriente de fuga pico con voltaje directo
VRRM Voltaje inverso pico repetitivo de no conducción
IRRM Corriente de fuga pico con voltaje inverso
VTM Voltaje pico de conducción
IH Corriente de sostenimiento
Vp Vs = Vm Sin wt
+ -
--
+
+
VoVak
Is
SCR
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
0 30 60 90 120 150 180
Io
Serie1
dtdi
Con 90
Vp Vs = Vm Sin wt
+ -
--
+
+
VoVak
Is
SCR
L
Rs Cs
PROTECCION CONTRA DI/DT Y DV/DTL
VmRscr
dtdVscr
dtdIscr
Rscrdt
dVscr
IscrRscrVscr
Generalmente se escoge Rs = 10 a 15 ohms y se modifica L para cumplir con el limite de dv/dt
Cs se escoge para que en estado estable su corriente sea del orden de la corriente de fuga: Cs = Idrm/(w Vm)
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