placas circuito impresso e outras dicas [modo de

Centro Federal de Educação Tecnológica de Santa CatarinaDepartamento Acadêmico de Eletrônica

CST em Sistemas Eletrônicos

Placas de Circuito ImpressoPlacas de Circuito ImpressoPlacas de Circuito Impresso Placas de Circuito Impresso e e

O t Di I t tO t Di I t tOutras Dicas ImportantesOutras Dicas ImportantesProjeto Integrador IProjeto Integrador I

Prof. Clóvis Antônio Petry.

Florianópolis, junho de 2008.Florianópolis, junho de 2008.

Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI

1º Passo:Impressão do layout.

3º Passo:2º Passo:Limpeza da placa.

3 Passo:Transferência do layout.

http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf

Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI

ProcessoProcesso térmicotérmico::

4º Passo:Colocação da placa emágua.

6º Passo:Retirada completa do

5º Passo:Retirada do papel.

papel.

http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf

Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI

7º Passo:Retoque nas falhas dastrilhas.

9º Passo:Retirada e limpeza.

8º Passo:Corrosão da placa.

http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf

Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI

ProcessoProcesso térmicotérmico::

10º Passo:Placa corroída e limpa.

12º Passo:Aplicação da máscara

11º Passo:Furação da placa.

de componentes.

http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf

Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI

ProcessoProcesso dede corrosãocorrosão químicaquímica::

Integrantes:• Água;• Ácido muriático;• Água oxigenadaÁgua oxigenada.

http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf

Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI

ProcessoProcesso dede corrosãocorrosão químicaquímica::

Integrantes:• Percloreto de ferro.

Cuidado: produto corrosivo.

http://www.overdance.com.br/audio_list/Fazendo%20suas%20placas%20de%20circuito%20impresso.pdf

Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI

ProcessoProcesso dede corrosãocorrosão químicaquímica::

Integrantes:• Percloreto de ferro;• Cortador de placa;• Placa de fenolite;

http://www.sabermarketing.com.br• Placa de fenolite;• Caneta;• Perfurador de placa;• Vasilhame;• Suporte para placa;• Estojo de madeira.

Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI

ProcessoProcesso fotográficofotográfico::

Limpe aLimpe a Geração da máscaraGeração da máscara

Aplicação do PRPAplicação do PRP(tinta (tinta fotosensívelfotosensível))

LimpezaLimpeza Geração da máscaraGeração da máscara

SecagemSecagem

www.pcifacil.com.brwww.pcifacil.com.br

SecagemSecagemSensibilizaçãoSensibilizaçãoRevelaçãoRevelação

Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI

ProcessoProcesso serigráficoserigráfico (silkscreen)(silkscreen)::

Partes do processo:• Serigrafia;• Tela;• Quadro;Quadro;• Preparação da matriz;• Gravação da tela;• Impressão;• Outras.

http://esslee.home.sapo.pt/10-E%20-%202000/Pagina6.htm

Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI

FresagemFresagem::

1º Passo:Desenho da PCI.

3º Passo:f C

2º Passo:Preparação da PCI

Arquivo em formato CAM.

para fresagem.

http://www.ivobarbi.com/download/GuiaTango_Fresa.pdf

Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI

FresagemFresagem::

4º Passo:Preparação da fresadora.

5º Passo:Fresagem da PCI. 6º Passo:

Furação da placa.

http://www.ivobarbi.com/download/GuiaTango_Fresa.pdf

Dimensões reais dos componentesDimensões reais dos componentes

TabelaTabela dede conversãoconversão::

1 polegada = 2,54 centímetros1 in = 2,54 cm

2,54 cm = 25,4 mm

1 mil = 0,025 mm10 mil = 0 25 mm10 mil = 0,25 mm20 mil = 0,50 mm30 mil = 0,75 mm40 mil = 1,0 mm50 mil = 1,25 mm

http://www.cirvale.com.br

Dimensões reais dos componentesDimensões reais dos componentes

Terminais radiais

K i Mit

Terminais axiais

http://www.cirvale.com.br/pdf/Dicas%20para%20clientes.pdf

Kraig Mitzner

Correntes e tensões no circuitoCorrentes e tensões no circuito

l

L d t ilhLargura das trilhas:0,75 mm30 mils

http://www.cirvale.com.br/

Correntes e tensões no circuitoCorrentes e tensões no circuito

http://www.alternatezone.com/

Número de camadas da PCINúmero de camadas da PCI

Múltiplas camadas

Duas camadas

Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes

Kraig Mitzner

Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes

http://www.alternatezone.com/

Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes

http://www.alternatezone.com/

Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes

http://www.alternatezone.com/

Uso de polígonosUso de polígonos

htt // i l b /

http://www.alternatezone.com/

http://www.cirvale.com.br/

Isolação entre trilhasIsolação entre trilhas

http://www.alternatezone.com/

Isolação entre trilhasIsolação entre trilhas

CuidadosCuidados comcom trilhastrilhas próximaspróximas::

Problemas durante a transferência ou corrosão!Problemas durante a transferência ou corrosão!

http://www.alternatezone.com/

Roteamento bom x ruimRoteamento bom x ruim

Roteamento bom

Roteamento ruim

http://www.alternatezone.com/

Finalização de ilhas e curvasFinalização de ilhas e curvas

Furo simples Furo metalizado

K i Mit

http://www.alternatezone.com/

Kraig Mitzner

Finalização de ilhas e curvasFinalização de ilhas e curvas

Dimensões dos furos:2 mm x 2 mm2 mm x 2 mm80 mils x 80 mils

Furos: a) correto e b) errado. Dimensões dos furos:1,3 mm x 1,3 mm50 mils x 50 mils

Kraig Mitzner

50 mils x 50 mils

Finalização de ilhas e curvasFinalização de ilhas e curvas

PassagemPassagempelo terminal

do componente

PassagemPassagemusando uma via

especifica

Kraig Mitzner

Distâncias importantesDistâncias importantes

http://www.cirvale.com.br/

Distâncias importantesDistâncias importantes

http://www.cirvale.com.br/

Planos de alimentação e terraPlanos de alimentação e terra

Kraig Mitzner

Planos de alimentação e terraPlanos de alimentação e terra

Kraig Mitzner

Planos de alimentação e terraPlanos de alimentação e terra

Diminuindo distância entre trilhasDiminuindo distância entre trilhas

Cuidado com cabos soltosCuidado com cabos soltos

Uso de capacitores próximo a circuitos integradosUso de capacitores próximo a circuitos integrados

+15V

C1

100nF

ErradoErrado

2 1

8 5

U1ErradoErrado

3

4

7

6

LM311

C2

100nF

-15V CorretoCorreto

Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)

SituaçãoSituação idealideal:: SemSem parasitasparasitas

2SD669 >>> ZTX1055

2SB649 >>> FZT9582SK1058 >>> IRFP240

R27+VDC

55V

2SB649 >>> FZT955Equivalências de transistores:

Q3Q2N5401

R1120C4

220uF

0

R7

1k

Q4Q2N5401

R810k

R910k

2SB649 >>> FZT958

R171k

C547uF

ZTX1055A/ZTX

Q11

R14100

R27100

R1515

R32

470

R16

100

R31

470

R2315k

PARAMETERS:Fin = 1k

55V

D2D1N4148

0

Q13

Q15

IRFP9240

Q16

IRFP9240

C120.1uF

0

R33

FZT955/ZTXQ8

R27100

R31Q16

Q1Q2N5401

R370.22

Q2Q2N5401

R2100

R3100 R38

0.22

R42

10

0

P11K

SET = 0.50

R18220

R24150

FZT955/ZTXQ12

R4110

C2

22uF

C1

22uF

Vin

R25150

C100.1uF

R410k 0

C847uF

1 2L1

1uH

Vo

R34

270

R390.22

R400.22

V1

FREQ = {Fin}VAMPL = 1.4VOFF = 0

ZTX1055A/ZTX

Q7

Carga8

0

R431Meg

0

R2810

para entrada aDistorção na saída

partir de 1.57 V

R2910

R19

0

D3D1N4148

Q13

Q2N5551

Q14Q2N5401

R11

330

R10

10k

R12330

C6

15pF

Para 120 W na saídaa entrada deve serde 1.4 V

C7220uF

0

W

W

VV

D1D1N4148

R33

270

R32

470

470

Q15

IRFP9240

IRFP9240

Q18

IRFP240C3220uF

0 Q10

Q2N5551

Q9

Q2N5551

R533

R633

C13

100pF

R131k

Q19

Q2N5551

C9

500pF

ZTX1055A/ZTX

Q6

R20

1k

R30100

ZTX1055A/ZTX

Q5

R211k

R2247

470

1k

-VDC55V

100

0

R2615k

R36

4700

C110.1uF

0

Q17

IRFP240

Title

Size Document Number Rev

Date: Sheet of

<Doc> <Rev Code>

<Title>

Custom

1 1Thursday , April 17, 2008

Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)

SituaçãoSituação idealideal:: TensãoTensão drenodreno--sourcesource

SS b t ãb t ãSemSem sobretensãosobretensão

Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)

SituaçãoSituação realreal:: ComCom indutânciasindutâncias parasitasparasitas

2SD669 >>> ZTX1055

2SB649 >>> FZT9582SK1058 >>> IRFP240

R27+VDC

55V

2SB649 >>> FZT955Equivalências de transistores:

C12

2

L210uH

Q3Q2N5401

R1120C4

220uF

0

R7

1k

Q4Q2N5401

R810k

R910k

2SB649 >>> FZT958

R171k

C547uF

ZTX1055A/ZTX

Q11

R14100

R27100

R1515

R32

470

R16

100

R31

470

R2315k

PARAMETERS:Fin = 1k

55V

D2D1N4148

0

Q13

Q15

IRFP9240

Q16

IRFP9240

C120.1uF

0

R33

FZT955/ZTXQ8 R31

470

Q15

IRFP9240

Q16

IRFP9240

C120.1uF

0

1

R32

470

Q1Q2N5401

R370.22

Q2Q2N5401

R2100

R3100 R38

0.22

R42

10

0

P11K

SET = 0.50

R18220

R24150

FZT955/ZTXQ12

R4110

C2

22uF

C1

22uF

Vin

R25150

C100.1uF

R410k 0

C847uF

1 2L1

1uH

Vo

R34

270

R390.22

R400.22

V1

FREQ = {Fin}VAMPL = 1.4VOFF = 0

ZTX1055A/ZTX

Q7

Carga8

0

R431Meg

0

R2810

para entrada aDistorção na saída

partir de 1.57 V

R2910

R19

0

D3D1N4148

Q13

Q2N5551

Q14Q2N5401

R11

330

R10

10k

R12330

C6

15pF

Para 120 W na saídaa entrada deve serde 1.4 V

C7220uF

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W

W

VV

D1D1N4148

R33

270IRFP9240

Q18

IRFP240C3220uF

0 Q10

Q2N5551

Q9

Q2N5551

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R131k

Q19

Q2N5551

C9

500pF

ZTX1055A/ZTX

Q6

R20

1k

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ZTX1055A/ZTX

Q5

R211k

R2247

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1k

-VDC55V

100

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R2615k

R36

4700

C110.1uF

0

Q17

IRFP240

Title

Size Document Number Rev

Date: Sheet of

<Doc> <Rev Code>

<Title>

Custom

1 1Thursday , April 17, 2008

Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)

SituaçãoSituação realreal:: TensãoTensão drenodreno--sourcesource

CC b t ãb t ãComCom sobretensãosobretensão

Proteção do gatilho de Proteção do gatilho de MOSFETsMOSFETs

PosicionarPosicionar oo maismais próximopróximo possívelpossível dodo MOSFETMOSFET::

ParaPara circuitocircuito comcom tensãotensão dede gatilhogatilho apenasapenas positivapositiva..

Proteção do gatilho de Proteção do gatilho de MOSFETsMOSFETs

PosicionarPosicionar oo maismais próximopróximo possívelpossível dodo MOSFETMOSFET::

ParaPara circuitocircuito comcom tensãotensão dede gatilhogatilho positivapositiva ee negativanegativa..