digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 halvledarminnen, inledning 7:1.1

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.1

Halvledarminnen:

Latchar, vippor 1 bitRegister (ett ord) 4, 8,16, 32,…bitNormala minnen kbit, Mbit, 1Gb (år 2000), 2Gb (2005)

Andra minnen:

MagnetiskaOptiska

Ett 2 Gb minneschip kan organiseras som 256M*8 bit = 256 MB

En sida i läroboken Digitala kretsar består av 42 rader*80 tecken. Om varje tecken lagras med 16 bitar så innebär det att texten till 68 läroböcker kan rymmas i en 256 MB minneskapsel.

(2Gb Samsung Semiconductor K4H2G0638A 512M*4bit)

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.2

Från www.icknowledge.com

…. a summary chart of DRAM technology over time.

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.3

Minnesmodell:

AdressbussDatabussStyrsignalerOrdlängdAntal ordAcesstid

Ett antal lika stora minnesceller som vardera rymmer ett binärt ordData överförs via dataledningarna Dm … D1 D0

Minnescellerna väljs, adresseras, med adressledningarna An … A1 A0

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.4

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.5

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.6

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.7

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.8

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.9

Läsminne princip

8 ord med 2 bitar

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.10

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.11

Expansion till ett minne med flera kapslar

Princip för expansion med fler kapslar

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.12

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.13

PROM Programmable Read Only Memory

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.14

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.15

Figur 7.15Modell för ett minneschip

Radval

Kolumnval

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.16

EPROM Erasable Programmable Read Only Memory

Figur 7.16 MOS-transistor med flytande styre

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.17

Figur 7.17Programmering av MOS-transistor medflytande styre

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.18

Figur 7.19

Intels första och sista EPROM, 1971-1992

1702 (256 byte)27040 (512 kbyte)

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.19

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.20

USB minne 2 GB

Inköpt hösten 2007, 199 kr

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.21

Från www.intel.com

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.22

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.23

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.24

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.25

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.26

Från http://en.wikipedia.org/

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.27

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.28

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.29

In 2005, Toshiba and SanDisk developed a NAND flash chip capable of storing 1 GB of data using Multi-level Cell (MLC) technology, capable of storing 2 bits of data per cell. In September 2005, Samsung Electronics announced that it had developed the world’s first 2 GB chip.[7]

In March 2006, Samsung announced flash hard drives with a capacity of 4 GB, essentially the same order of magnitude as smaller laptop hard drives, and in September of 2006, Samsung announced an 8 GB chip produced using a 40 nm manufacturing process.[8]

Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.30