НАНОЭЛЕКТРОНИКА

I. Молекулярный дизайн. Препарирование молекул и синтез новых молекул в сильно неоднородных электромагнитных поля;

II. Наноматериаловедение. Создание «бездефектных» высокопрочных материалов, материалов с высокой проводимостью;

III. Наноприборостроение. Создание сканирующих туннельных микроскопов, атомно-силовых микроскопов, магнитных силовых микроскопов, многоострийных систем для молекулярного дизайна, миниатюрных сверхчувствительных датчиков, нанороботов;

IV. Наноэлектроника. Конструирование нанометровой элементной базы для ЭВМ следующего поколения, нанопроводов, полевых транзисторов, выпрямителей, дисплеев, акустических систем;

* Направления нанотехнологии

V. Нанооптика. Создание нанолазеров, синтез многоострийных систем с нанолазерами;

VI. Нанокатализ. Разработка катализаторов с наноструктурами для классов реакций селективного катализа;

VII. Наномедицина. Проектирование наноинструментария для уничтожения вирусов, локального .ремонта. органов, высокоточной доставки доз лекарств в определенные места живого организма;

VIII. Нанотрибология. Определение связи наноструктуры материалов и сил трения и использование этих знаний для изготовления перспективных пар трения;

IX. Управляемые ядерные реакции. Наноускорители частиц, не статистические ядерные реакции.

-Что такое наноэлектроника?

Наноэлектроника — область электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 нанометров.

* Наноэлектроника

*Термин «наноэлектроника» логически связан с термином «микроэлектроника» и отражает переход современной полупроводниковой электроники от элементов с характерным размером в микронной и субмикронной области к элементам с размером в нанометровой области. Этот процесс развития технологии отражает эмпирический закон Мура, который гласит, что количество транзисторов на кристалле удваивается каждые полтора-два года.

*Наноэлектроника в России.*В России ситуация с развитием

наноэлектроники является неоднозначной. Микроэлектроника по сравнению с передним мировым фронтом в России развита достаточно слабо. В наноэлектронике Россия сохранила преимущества, которые были у Советского Союза. Это касается таких областей, как СВЧ-техника, инфракрасная техника, излучательные приборы на основе полупроводников. Россия является родиной одного из наиболее значимых электронных приборов — полупроводникового лазера, за который получил Нобелевскую премию академик Жорес Алфёров

*Жорес Алфёров*Жоре-с Ива-нович Алфёров (белор. Жарэс Iванавiч

Алфёраȳ; род. 15 марта 1930, Витебск, Белорусска ССР, СССР) — советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов, академик РАН, почётный член Национальной Академии наук Азербайджана (с 2004 года), иностранный член Национальной академии наук Беларусии, почётный член Национальной Академии наук Армении (с 2011 года). Его исследования сыграли большую роль в развитии информатики.

*Разработки россии.*Во многих областях наноэлектроники

стартовые позиции у России достаточно неплохие. На полупроводниковы наногетероструктурах с двумерным электронным газом основывается, например, сотовая связь. Здесь Россия не в лидерах, но сделанные ранее разработки в областях СВЧ, фотоприёмников, излучательных структур, солнечных батарей, силовой электроники и сейчас на очень хорошем уровне.

* Будущее нанотехнологии.

*Нанотехнологии заключаются в том, что с их помощью человек сможет перестраивать структуры клеток либо создавать новые клетки, манипулируя атомами. Это позволит создавать любые организмы и вещества с невероятными свойствами!

*нанороботов создадут и будут использовать уже через 15 – 20 лет! Они позволят разрешить конфликт между природой и современным человеком. С помощью нанотехнологий можно создать искусственные источники энергии и перестать терзать недра Земли

*Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники ТУСУР

* Комплексы на платформе НАНОФАБ

100 позволяют работать с пластинами 100 мм, т.е.

теоретически такой комплекс можно

использовать для изготовления небольших партий наноэлектронных

компонентов

НАНОФАБ 25 – практически исследовательская платформа – дает возможность работать с пластинами еще меньшего диаметра – 25 мм. 

*СЗМ НАНОЭДЬЮКАТОР

*К настоящему времени (начало 2010 г.) классами НАНОЭДЬЮКАТОР оборудованы около 50 образовательных исследовательских институтов за рубежом, и почти 130 научно-образовательных центров на территории России и СНГ.

ДАВАЙТЕ ОТДЫХАЕМ !