有机发光二极管 (oled) 专利态势
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有机发光二极管 (OLED) 专利态势. 电学发明审查部 2011.12. 专利文献数据. 全球专利发展态势. 中国专利发展态势. 主要申请人分析. 重点技术分析. 产业发展状况. 专利运用管理分析. 主 要 内 容. 产业发展状况. 研发始于欧美;显示产业化集中在韩国、日本、中国大陆和台湾 。. 大陆主要集中在长三角、珠三角以及京津地区。. 《 国家中长期科技发展规划纲要 》 《 鼓励进口技术和产品目录( 2011 版) 》 《 产业结构调整指导目录( 2011 年本) 》. “ 863 计划 ” 中 “ 高清晰度平板显示专项 ” - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
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有机发光二极管 (OLED)专利态势
有机发光二极管 (OLED)专利态势
电学发明审查部2011.12
电学发明审查部2011.12
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2
主 要 内 容主 要 内 容
专利运用管理分析
专利文献数据全球专利发展态势中国专利发展态势
主要申请人分析重点技术分析
产业发展状况
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3
研发始于欧美;显示产业化集中在韩国、日本、中国大陆和台湾。
“863计划”中“高清晰度平板显示专项”《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》
产业发展状况产业发展状况
大陆主要集中在长三角、珠三角以及京津地区。
《国家中长期科技发展规划纲要》《鼓励进口技术和产品目录( 2011版)》《产业结构调整指导目录( 2011年本)》
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5 个 19 个 40 个 10 个
技术分解项目技术分解项目
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中国总量: 10153 件 全球总量:70423 项
专利文献数据量专利文献数据量
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6
区域分析.
技术构成分析
总量趋势分析
二
一
三
四 申请人分析
全球专利态势全球专利态势
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7
全球专利态势全球专利态势
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8
全球专利态势全球专利态势
专利年申请量总体呈快速增长态势,日本和美国前期专利布局较多,韩国增长最快
全球申请 99 %在中国、日本、韩国、美国和欧洲
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9
专利申请流向图
全球专利态势全球专利态势
美国市场最受全球申请人重视
美国和日本最重视中国市场
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10
申请目的地申请量发展趋势全球专利态势全球专利态势
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11
全球 OLED 各技术分支发展趋势全球专利态势全球专利态势
专利申请逐渐由上游专利向下游专利转移
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12
全球 OLED 主要申请人排名全球专利态势全球专利态势
大型跨国企业申请量大,集中趋势明显
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13
申请人 多边申请量 国别 起始
年度07 年比例
08 年比例
09 年比例 分支 主要流向国家
三星 3912 韩国 1996
12.1%
12.2%
10.5%
结构、封装、应用、工艺和设备 美国、日本、中国
半导体能源 2085 日本 1995
7.2% 6.7% 6.5% 结构、材料 美国、中国、韩国
精工爱普生 1849 日本 1996
9.9%11.7%
10.2%
结构、封装、应用、工艺和设备 美国、中国
LG 1184 韩国 1997
14.3%
12.2%
12.0%
封装、应用、工艺和设备 美国、中国、日本
索尼 897 日本 1995
17.3%
19.4%
10.8%
结构、封装 美国、中国、韩国
富士 701 日本 1995
10.1%
13.9%
12.3%
材料、应用 美国、中国、韩国
伊斯曼柯达 669 美国 1980
10.7%
4.8% 0.5% 材料、结构、应用 日本、中国、韩国
飞利浦 633 欧洲 1994
10.3%
9.4%11.2%
应用 中国、美国、日本
佳能 630 日本 1996
18.8%
16.1%
13.4%
结构、材料 美国、中国、韩国
出光兴产 507 日本 1988
15.8%
9.1% 6.5% 材料 美国、中国、韩国、欧洲
先锋 496 日本 1991
6.8% 4.4% 3.8% 材料、结构 美国、中国
友达光电 481 中国 1998
6.8% 3.6% 5.8% 结构 美国
夏普 465 日本 1991
10.8%
12.7%
15.8%
结构 美国、中国、韩国
松下 343 日本 1993
7.6%11.6%
18.6%
材料、 美国、中国
西门子(欧司朗) 306 欧洲 199
614.8%
14.2%
7.4% 应用 美国、日本、中国
松下、夏普、索尼、佳能等申请人保持高度活跃
全球专利态势全球专利态势
综合技术实力居前企业有三星、精工爱普生和 LG
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14
技术构成分析.
申请人分析
总体趋势分析
二
一
三
四 区域分析
中国专利态势中国专利态势
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15
国内外申请人发明申请量发展趋势
中国专利态势中国专利态势
总体申请发展迅速,中国申请发展稳定
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16
OLED 专利申请量构成
类 型国内 国外 合计
申请 授权 有效 申请 授权 有效 申请 授权 有效发明专利量 2758 1228 1088 7061 3394 3303 9819 4622 4391
发明构成 28.1% 26.6% 24.8% 71.9%73.4%
75.2%
实用新型专利量 322 322 244 12 12 2 334 334 246
实用新型构成 96.4% 96.4% 99.2% 3.6% 3.6% 0.8%
专利总量 3080 1550 1332 7073 3406 3305 10153 4956 4637
专利构成 30.3% 31.3% 28.7% 69.7%68.7%
71.3%
中国专利态势中国专利态势
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17
各国在中国申请量发展趋势
中国专利态势中国专利态势
日韩申请人重视在中国的专利布局
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18
各技术分支申请量发展趋势
中国专利态势中国专利态势
各技术分支总体稳定
中国材料技术分支申请近期发展较快
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19
材料技术点申请量发展趋势
中国专利态势中国专利态势
发光层材料属于技术热点之一
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结构( 2629 )
基板结构( 955 )
光学辅助层结构( 697 )
增强色纯结构 ( 185 )
增强亮度结构( 229 )
增强对比度结构 ( 58 )
黑矩阵(58)
偏振结构 (40)
颜色转化层 ( 6
8 )滤光层 ( 128 )
精工爱普生;三洋;
三星
出光兴产富士电机铼宝科技
三星;松下;精工
爱普生
半导体能源;三星;
LG
三星;友达光电;
LG
索尼;三星;精工
爱普生
光散射层 ( 30 )
光增强层 ( 130)
……
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2011年度专利分析普及推广项目 21
中国大陆申请量集中区域图
济南北京天津
合肥
福州
江苏
南宁
贵阳
昆明
武汉重庆
兰州
银川
呼和浩特
西宁
上海
乌鲁木齐
太原
北京
沈阳吉林
广东
四川
陕西
申请量排名北京上海广东江苏吉林四川陕西
中国专利态势中国专利态势
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22
中国专利申请 OLED 主要申请人中国专利态势中国专利态势
大型跨国企业在中国具有量、质优势
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23
中国专利申请中国内申请人排名
中国专利态势中国专利态势
中国台湾地区企业具有产业优势
国内科研机构具有相当技术实力
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24
战略研究 --- 韩国三星.
布局研究 --- 日本出光兴产
申请人主体是企业,是技术发展的主要推动力量。
研究主要申请人,学习其发展规律和成功经验。
主要申请人主要申请人
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25
韩国三星 -- 全球专利申请
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009
工艺设备
应用
封装
结构
材料
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009
总趋势
全球布局各领域均衡发展
主要市场以美国、中国、日本为重点区域
技术面广,产业链齐全 1999年2000年2001年2002年2003年2004年2005年2006年2007年2008年2009年2010年
中国
日本
韩国
美国
欧洲
主要申请人主要申请人
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26
韩国三星 -- 中国专利申请中国布局量大面广 技术方面以材料和结构为重
2001年 2002年 2003年 2004年 2005年 2006年 2007年 2008年 2009年 2010年
发光层材料
有机辅助层材料小分子荧光材料高分子荧光材料磷光材料
2001年2002年2003年2004年2005年2006年2007年2008年2009年2010年
基板结构电极结构发光层结构有机辅助层结构光学辅助层结构
主要申请人主要申请人
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27
主要申请人主要申请人——韩国三星韩国三星
现有产业转移
进行全球合作
全领域开发生产
战略布局完善
发展竞争战略发展竞争战略
主要申请人主要申请人
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28
日本出光兴产 -- 全球专利申请
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1989
1990
1991
1992
1993
1994
1995
1996
1997
1998
1999
2000
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
总趋势
0
50
100
150
200
材料 结构 封装 应用 工艺设备
全球布局:合作优先
本土为重,主要市场美国、中国、日本、欧洲均衡布局
技术优势主要在材料技术
1994年 1995年 1996年 1997年 1998年 1999年 2000年 2001年 2002年 2003年 2004年 2005年 2006年 2007年 2008年 2009年 2010年
中国
日本
韩国
美国
欧洲
主要申请人主要申请人
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29
日本出光兴产 -- 中国专利申请
中国布局总量不大
近五年数量逐年下降
技术布局主要为材料技术,近年材料比例增大 1998年1999年2000年2001年2002年2003年2004年2005年2006年2007年2008年2009年2010年
电极材料
发光层材料
有机辅助层材料
小分子荧光材料
高分子荧光材料
磷光材料
0
10
20
30
40
50
60
70
1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011
工艺和设备
应用
封装
结构
材料
主要申请人主要申请人
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30
主要申请人主要申请人——日本出光兴产日本出光兴产
索尼 (2005年 )
东芝 (2008年 )
松下 (2011年 )
UDC(2006年 )
GOT(2011年 )
出光兴产 LG(2009年 )
主要申请人主要申请人
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31
关键技术研究内容.
重点技术 - 多晶硅 TFT
前沿技术 - 氧化物 TFT
关键技术突破是技术进步、行业发展的必经之路。
研究关键技术,有助于业内企业明晰技术发展方向。
关键技术关键技术
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关键技术关键技术
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33
技术的专利现状
TFT 技术申请量分布
关键技术关键技术
TFT 申请量构成
0
50
100
150
200
250
300
350
2000年
2001年
2002年
2003年
2004年
2005年
2006年
2007年
2008年
2009年
年份
专利申请量(
项)
氧化物
OTFT
P- Si
a- Si
TFT 技术中日本申请量和质均居领先地位。
多晶硅技术为量产热点技术,氧化物技术为前沿技术。
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34
四种 TFT 主要申请人分布
序号a-Si P-Si OTFT 氧化物
申请人 国别 申请人 国别 申请人 国别 申请人 国别
1 三星 韩国 三星 韩国 三星 韩国 半导体能源 日本
2 夏普 日本 精工爱普生 日本 柯尼卡 日本 三星 韩国
3 LG 韩国 夏普 日本 理光 日本 精工爱普生 日本
4 精工爱普生 日本 索尼 日本 精工爱普生 日本 夏普 日本
5 索尼 日本 日立显示器 日本 住友化学 日本 LG 韩国
关键技术关键技术
主要 TFT 技术申请量日韩企业占领先地位
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35
热点技术 -- 多晶硅 TFT 技术主要涉及方向
多晶硅的形成方法
与有源层配套的部
件结构
多晶硅有源层性能
的改进
关键技术关键技术
中国专利申请集中于多晶硅有源层的形成工艺和方法。
国外专利申请广泛,涉及多晶硅形成方法、性能的改善以及适用结构。
如 CN102082098A ;KR100721957B1 ;
US7524728B2 等
如 CN102082098A ;KR100721957B1 ;
US7524728B2 等
如 JP3894441B2;CN1941298A;
CN101131964A 等
如 JP3894441B2;CN1941298A;
CN101131964A 等
例如US7297980B2;
KR20110053041A;EP1939933A3 等
例如US7297980B2;
KR20110053041A;EP1939933A3 等
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36
前沿技术 -- 氧化物 TFT 技术主要涉及方向
关键技术关键技术
国内外研发方向一致:氧化物有源层材料的开发或形成有源层的方法。
有源层材料
有源层配套的部件
氧化物形成方法
如 CN101615582A ;US7804231B2 等如 CN101615582A ;US7804231B2 等
如 CN102064109A;JP2010278412A 等如 CN102064109A;JP2010278412A 等
如 CN101488459A;US8017513B 等如 CN101488459A;
US8017513B 等
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从多晶硅 TFT 专利技术来看,国外的申请人研发方向具有前瞻性。
从氧化物 TFT 专利技术来看,国外的产学研结合较为紧密。
关键技术关键技术
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专利运用管理分析专利运用管理分析
专利引进 交叉许可 专利诉讼
丰田、昭和电工、摩托
罗拉等
三洋电机、 Tohoku Device 、富士、日本精机、 Rohm、 Denso、 OPTEX 、
Emagin、 LiteArray 、永信、奇美、联宗光电、东元激光、光磊、统宝、信利国际、
精电国际等
爱普生、大日本印刷、住友化学、翰立光电、陶氏化学、西门子、 Bayer、 Covion 、 Eastgate Technology、Micormissive Display 等
合作生产
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专利合作 交叉许可
专利引进
合作生产
专利运用管理分析专利运用管理分析
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