年 四技二專 - ymsh.hcc.edu.t...
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【105】四技二專統一入學測驗 105~1
四技二專
統一入學測驗
電機與電子群專業科目(一)(二) 電子學、電子學實習
(本試題答案係統一入學測驗中心公布之標準答案)
試題分析
一、命題焦點:
●電機類、資電類專業科目(一)─電子學:
命題平均分配於所有章節,其中以電晶體放大電路、場效電晶體、運算放
大器及基本振盪電路為主。命題包含綜合觀念與理論計算,其中第 9、12 題計
算過程繁雜,學生需要花多一些時間,整體而言,難度適中。
●電機類專業科目(二)─電子學實習:
命題平均分配於所有章節,其中以截波及箝位電路實驗、電晶體直流偏壓電路實
驗、電晶體放大電路實驗、運算放大器應用電路實驗與基本振盪電路實驗為主。命題
包含綜合觀念與理論計算,唯第 23 題應注意輸出電壓極性,整體而言,難度適中。
●資電類專業科目(二)─電子學實習:
命題平均分配於所有章節,其中以二極體之特性及應用電路實驗及運算放大器應
用電路實驗等章節比例較高。命題以綜合觀念為主,計算部分較少,實際實習內容考
題僅 2 題,整體而言,難度偏易。
二、配分比例表: 電機類、資電類
專業科目(一)電子學 題數
電機類專業科目(二) 電子學實習
題數
資電類專業科目(二) 電子學實習
題數
概論 1 工場安全及衛生 0 工場安全及衛生 0
二極體 2 二極體之特性及應用電路實驗 1 二極體之特性及應用電路實驗 2
二極體之應用電路 2 截波及箝位電路實驗 2 截波及箝位電路實驗 1
雙極性接面電晶體 1 雙極性接面電晶體之特性實驗 1 雙極性接面電晶體之特性實驗 1
電晶體直流偏壓電路 2 電晶體直流偏壓電路實驗 2 電晶體直流偏壓電路實驗 1
電晶體放大電路 4 電晶體放大電路實驗 2 電晶體放大電路實驗 0
串級放大電路 2 串級放大電路實驗 1 串級放大電路實驗 1
場效電晶體 3 場效電晶體之特性實驗 1 場效電晶體之特性實驗 1
場效電晶體放大電路 2 場效電晶體放大器電路實驗 1 場效電晶體放大器電路實驗 1
運算放大器 3 運算放大器應用電路實驗 2 運算放大器應用電路實驗 2
基本振盪電路 3 基本振盪電路實驗 2 基本振盪電路實驗 1
電子儀表 1
合計 25 合計 15 合計 12
105 年
X3
51
0﹝
I﹞夾入
35
10、
35
84
105~2 【105】四技二專統一入學測驗
電機類、資電類專業科目(一)─電子學:(第 1 至 25 題) _____ 1. 一週期性脈波信號其正峰值電壓為+10V,負峰值電壓為-2V。若此
信號的平均值為+5.2V,則工作週期(duty cycle)約為下列何值?
(A)70% (B)60% (C)50% (D)40%。 概論
_____ 2. 二極體在正常工作下逐漸增加順向電壓時,下列敘述何者正確?
(A)擴散電容變小 (B)多數載子流向接面 (C)空乏區寬度變大
(D)障壁電壓提高。 二極體
_____ 3. 如圖(一)所示電路,假設二極體的順向導通電壓為 0.7V,若不考慮順向
電阻,則 ID2為多少mA? (A)1.0 (B)2.1 (C)2.7 (D)3.0。 二極體
_____ 4. 如圖(二)所示電路,輸入電壓為 Vi=10sin(377t)V,其中稽納二極體
(Zener diode)Z1、Z2特性相同,順向電壓為 0.6V,稽納崩潰電壓為 6V。
此電路在正常工作時,下列敘述何者正確?
(A)此電路為箝位電路 (B)此電路為整流電路
(C)Vo最大值為+6.6V (D)Vo最小值為-5.4V。 二極體之應用電路
_____ 5. 如圖(三)所示電路,若二極體具理想特性,輸入電壓 Vi 為工作週期
50%的脈波,最大電壓+10V,最低電壓+2V。若 RC 時間常數使輸
出脈波不失真,輸出電壓的平均值為 8V,則 VREF為多少伏特?
(A)2 (B)4 (C)6 (D)8。 二極體之應用電路
_____ 6. 關於提高 NPN 雙極性接面電晶體(BJT)電流放大率的方法,下列敘述
何者正確? (A)射極雜質濃度減少,基極寬度變寬 (B)射極雜質濃
度增加,基極寬度變寬 (C)射極雜質濃度減少,基極寬度變窄
(D)射極雜質濃度增加,基極寬度變窄。 雙極性接面電晶體
_____ 7. 關於雙極性接面電晶體(BJT)共基極放大電路,下列敘述何者正確?
(A)輸出電流為射極電流 IE (B)輸入電流為集極電流 IC (C)輸入阻
抗小 (D)輸入與輸出電壓反相。 電晶體放大電路
_____ 8. 如圖(四)所示放大器直流偏壓電路,電晶體=99,VBE=0.7V。若 IB
=50A,VCE=5V,則 RE 為多少 Ω? (A)500 (B)600 (C)800
(D)920。 電晶體直流偏壓電路
1.(B) 2.(B) 3.(A) 4.(C) 5.(B) 6.(D) 7.(C) 8.(A)
圖(二)
圖(一)
圖(三)
【105】四技二專統一入學測驗 105~3
_____ 9. 如圖(五)所示放大器直流偏壓電路,電晶體=99,VBE=0.7V。若 IB
=40A,RE為多少 Ω? (A)413 (B)502 (C)612 (D)705。
電晶體直流偏壓電路
_____ 10. 如圖(六)所示電路,電晶體工作
於作用區,=99,VBE=0.7V,
熱 電 壓 (thermal voltage)VT =
26mV,則此放大電路之電流增
益 =o
i
i
IA
I約為何值? (A)30
(B)28 (C)25 (D)22。電晶體放大電路
_____ 11. 雙極性接面電晶體(BJT)小訊號模型中,VT 為熱電壓,re 為射極交流
電阻,ΔiC為集極電流微小變動量、ΔvBE為基射極電壓微小變動量,
ic 為集極小訊號電流,vbe 為基射極小訊號電壓,Q 為工作點,ICQ為
工作點集極直流偏壓電流。若不考慮歐力效應(Early effect),則下列
有關轉移電導 gm的敘述,何者錯誤?
(A)
點
=C
m
BE Q
ig
v (B) =
CQm
T
Ig
V (C) =
cm
be
ig
v (D) m
e
gr
= 。
電晶體放大電路
_____ 12. 如圖(七)所示電路,電晶體工作於
作用區,=99,射極交流電阻 re
=20Ω。若此放大電路之電壓增益
200o
V
i
VA
V= = ,則 RC 約為何值?
(A)2.2kΩ (B)4.1kΩ (C)6.8kΩ (D)13.6kΩ。 電晶體放大電路
_____ 13. 下列哪兩種電容較會影響串級放大器之低頻響應? (A)電晶體極際
電容、旁路電容 (B)耦合電容、變壓器雜散電容 (C)電晶體極際電
容、變壓器雜散電容 (D)耦合電容、旁路電容。 串級放大電路
9.(D) 10.(D) 11.(D) 12.(C) 13.(D)
圖(四)
圖(五)
圖(六)
圖(七)
105~4 【105】四技二專統一入學測驗
_____ 14. 有 4 支相同的喇叭並聯後,接於耦合變壓器二次側,每支喇叭電阻值
為 80Ω,一次側看入之有效負載總電阻值為 72kΩ,求所使用耦合變
壓器之一次側與二次側匝數比為下列何者? (A)36:1 (B)60:1
(C)72:1 (D)90:1。 串級放大電路
_____ 15. 下列各元件之符號名稱,何者正確? (A)P 通道 JFET
(B)N 通道增強型 MOSFET (C)P 通道空乏型 MOSFET
(D)NPN BJT 。 場效電晶體
_____ 16. 如圖 (八 )所示電路,其中 MOSFET 的參數 K=
0.5mA/V2、臨界電壓(threshold voltage)Vth=2V。若其
汲極電流 ID=0.5mA,則電阻 RS 值應為多少?
(A)500Ω (B)1kΩ (C)2kΩ (D)3kΩ。 場效電晶體
_____ 17. 某 N 通道 JFET 之夾止電壓(pinch-off voltage)VP=-4V、IDSS=
16mA,當其閘極電壓 VG=-6V、源極電壓 VS=0V、汲極電壓 VD
=5V 時,則汲極電流 ID 為何? (A)0mA (B)4mA (C)8mA
(D)16mA。 場效電晶體
_____ 18. 如圖(九)所示電路,其中 JFET 之夾止
電壓 VP=-4V。已知此 JFET 放大電
路的工作點為 VDS=3V、ID=1mA,
汲極電阻 rd忽略不計,則此電路之小
訊號電壓增益 Vo/Vi為何? (A)-1.1
(B)-1.6 (C)-3.2 (D)-12。
場效電晶體放大電路
_____ 19. 如圖(十)所示電路,若 MOSFET 電晶
體之轉移電導 gm=2mA/V,汲極電阻
rd=50kΩ,則此電路之小訊號電壓增
益 Vo/Vi約為何值?
(A)0.79 (B)0.91 (C)1.09
(D)1.58。 場效電晶體放大電路
_____ 20. 如圖(十一)所示之運算放大器電路工
作在未飽和情形下,請問電壓增益
Vo/Vi為何?
(A)-10 (B)-5 (C)5 (D)10。運算放大器
14.(B) 15.(B) 16.(C) 17.(A) 18.(B) 19.(A) 20.(A)
圖(八)
圖(九)
圖(十)
圖(十一)
【105】四技二專統一入學測驗 105~5
_____ 21. 如圖(十二)所示之運算放大器電路,稽納二極體(Zener diode)的稽納
崩潰電壓為 VZ=6.2V,求在正常工作下的輸出電壓 Vo為多少?
(A)3.1V (B)6.2V (C)12.4V (D)15V。 運算放大器
_____ 22. 如圖(十三)所示之兩級運算放大器電路皆工作在未飽和情形下,其中
電阻 R1=10kΩ、R2=20kΩ、R3=R4=30kΩ、Rf1=Rf2=30kΩ,當輸
入電壓 V1=1V、V2=2V、V3=3V,請問輸出電壓 Vo為多少? (A)9V
(B)6V (C)-6V (D)-9V。 運算放大器
圖(十二) 圖(十三)
_____ 23. 有關多諧振盪器的敘述,下列何者錯誤? (A)多諧振盪器之輸出波
形為非正弦波 (B)無穩態多諧振盪器有一個輸入觸發信號 (C)單穩態
多諧振盪器的輸出狀態包括一種穩定狀態和一種暫時狀態
(D)雙穩態多諧振盪器之工作情形有如數位電路的正反器。基本振盪電路
_____ 24. 有一施密特(Schmitt)觸發電路如圖(十四)所
示,其中+VCC 和-VCC 為電源電壓,Vr 為參
考電壓,若輸出之正飽和電壓為+Vsat,負飽
和電壓為-Vsat,則其遲滯電壓 VH 為下列何
者? (A)(2VsatR1)/R2 (B)(2VsatR2)/R1
(C)(2VsatR1)/(R1+R2) (D)(2VsatR2)/(R1+R2)。
基本振盪電路
_____ 25. 三角波信號產生電路可以應用施密特(Schmitt)觸發電路與下列何種
電路來組成? (A)微分器電路 (B)比較器電路 (C)隨耦器電路
(D)積分器電路。 基本振盪電路
電機類專業科目(二)─電子學實習:(第 26 至 40 題) _____ 26. 如圖(一)所示之電路,稽納二極體之 VZ=5V,最大額定功率為 200mW,
且其逆向最小工作電流(膝點電流)IZK=0A。若 vo要維持在 5V,則負
載電阻 RL 值之範圍為何? (A)10Ω~50Ω (B)50Ω~100Ω (C)100Ω
~500Ω (D)500Ω~900Ω。 二極體之特性及應用電路實驗
21.(C) 22.(A) 23.(B) 24.(C) 25.(D) 26.(C)
圖(十四)
105~6 【105】四技二專統一入學測驗
_____ 27. 如圖(二)所示之理想二極體電路,若 vi為±12V、頻率為 100Hz 之對
稱方波,則 vo之平均值約為何? (A)-3V (B)-1.5V (C)1.2V
(D)2.5V。 截波及箝位電路實驗
_____ 28. 如圖(三)所示之理想二極體電路,若 vi=10sin(377t)V 且 VE=3V,則下
列敘述何者正確? (A)若 vi>VE,則二極體導通且 vo=-vi (B)若 vi
<VE,則二極體導通且 vo=-VE (C)若 vi>VE,則二極體導通且 vo=
VE (D)若 vi<VE,則二極體不導通且 vo=vi。 截波及箝位電路實驗
_____ 29. 以指針型三用電表歐姆檔判別 BJT 接腳,若①號接腳分別對②號與
③號接腳測試時皆呈現導通狀態,則①號接腳為下列何者? (A)基
極 (B)源極 (C)集極 (D)射極。 雙極性接面電晶體之特性實驗
_____ 30. 如圖(四)所示之電路,BJT 之=120,VBE=0.7V,若 BJT 工作在主
動區且 IB=0.03mA,則 RB 值約為何? (A)95.5kΩ (B)110.5kΩ
(C)212.7kΩ (D)255.2kΩ。 電晶體直流偏壓電路實驗
_____ 31. 如圖(五)所示之電路,BJT 之=100,VBE=0.7V,則 VCE 約為何?
(A)9.2V (B)8.2V (C)7.6V (D)6.6V。 電晶體直流偏壓電路實驗
_____ 32. 如圖(六)所示之電路,BJT 之=100 且工作於順向主動區,基極交流
電阻 r=1kΩ,則輸入阻抗 Zi 約為何? (A)818Ω (B)2246Ω
(C)3125Ω (D)4500Ω。 電晶體放大電路實驗
_____ 33. 若 BJT 共射極放大器電路之電壓增益大小為 100,當輸入電壓訊號
vi(t)=20sin(t)mV 時,則其輸出電壓訊號為何? (A)-2cos(t)V
(B)2cos(t)V (C)-2sin(t)V (D)2sin(t)V。 電晶體放大電路實驗
27.(D) 28.(C) 29.(A) 30.(B) 31.(D) 32.(A) 33.(C)
圖(一)
圖(二)
圖(三)
圖(四)
圖(五)
圖(六)
【105】四技二專統一入學測驗 105~7
_____ 34. 下列有關 BJT 串級放大電路之敘述,何者正確? (A)RC 耦合串級放
大器之前後級阻抗匹配容易 (B)直接耦合串級放大器之低頻響應佳
(C)變壓器耦合串級放大器沒有直流隔離作用 (D)RC 耦合串級放大
器之前後級直流工作點會相互影響。 串級放大電路實驗
_____ 35. 某工作於飽和區之增強型 N 通道 MOSFET,其臨界電壓 VT=4V,當
閘-源極間電壓 VGS=6V 時,汲極電流 ID=2mA;則當 ID=8mA 時,
其 VGS應為何? (A)9V (B)8V (C)7V (D)5V。
場效電晶體之特性實驗
_____ 36. 下列有關圖(七)所示放大器電路之敘述,何者正確? (A)輸入阻抗
Zi為 RGRS /(RG+RS) (B)輸出阻抗 Zo為 RD (C)vo和 vi同相位
(D)輸入阻抗 Zi無窮大。 場效電晶體放大器電路實驗
_____ 37. 如圖(八)所示之理想運算放大器電路,vo值應為何? (A)0V (B)4V
(C)8V (D)12V。 運算放大器應用電路實驗
_____ 38. 如圖(九)所示之理想運算放大器電路,若 vo=8V,則 vi應為何?
(A)-4V (B)-3V (C)1V (D)2V。 運算放大器應用電路實驗
_____ 39. 下列有關圖(十)所示多諧振盪器
電路之敘述,何者正確?
(A)為單穩態多諧振盪器電路
(B)C2之功用為降低雜訊干擾
(C)正常工作下,C1之電壓 vc最
高值為+VCC
(D)vo之波形為三角波。
基本振盪電路實驗
34.(B) 35.(B) 36.(B) 37.(C) 38.(B) 39.(B)
圖(七)
圖(八)
圖(九)
圖(十)
105~8 【105】四技二專統一入學測驗
_____ 40. 如圖(十一)所示之電路,若 vi為 1V 之直
流電壓,則下列敘述何者正確?
(A)其上臨限電壓為 2V
(B)其下臨限電壓為-2V
(C)為反相施密特觸發器
(D)vo=12V。
基本振盪電路實驗
資電類專業科目(二)─電子學實習:(第 41 至 52 題)
_____ 41. 小林上電子學實習課時,想要設計一個穩定電壓的全波整流輸出電路
供給手機充電,其輸出的直流平均電壓 VDC=3.7V,則其輸入的交流
正弦波的峰對峰值電壓約為多少? (A)4V (B)8V (C)10V
(D)12V。 二極體之特性及應用電路實驗
_____ 42. 小林上電子學實習課時,為了能準確量測其實驗電路,首先需校正他
使用的雙軌跡示波器,示波器面板上有一個標示為 CAL 的小孔,則
其輸出信號最有可能是哪一種波形? (A)1kHz 方波 (B)1kHz 三角
波 (C)0.5kHz 鋸齒波 (D)0.5kHz 三角波。 電子儀表
_____ 43. 小林上電子學實習課時,想要設計一個穩定電壓的橋式整流輸出電路
供給手機充電,他先量測其輸出的直流脈動電壓,得到漣波電壓的峰
對峰值 Vr(p-p)為 2V,其輸出電壓的峰值 Vp或 Vm為 10V,則其漣波百
分率 r(%)約為多少? (A)4% (B)8% (C)10% (D)12%。
二極體之特性及應用電路實驗
_____ 44. 有一二極體電路如圖(十四)所示,若施
加一正弦波信號於輸入端點 vi,則下列
敘述何者錯誤?
(A)該電路為偏壓型截波電路(Clipping Circuit)
(B)截波電路可用來將輸入的交流電壓信號之
部份波形截除
(C)該電路中電阻 R 值之大小會影響輸出波形失真
(D)箝位電路(Clamping Circuit)可用來將輸入的交流電壓信號定位到
所要的直流電壓準位上。 截波及箝位電路實驗
40.(D) 41.(D) 42.(A) 43.(B) 44.(A)
圖(十一)
圖(十四)
【105】四技二專統一入學測驗 105~9
_____ 45. 實作圖(十五)之電路以繪製輸出特性曲線,A、B、C、D 為量測儀表,
繪製成如圖(十六)所示的 3 條曲線,請選出錯誤的描述。
(A)若曲線 1、2、3 各自對應的是在工作溫度 T1, T2, T3所量得的結果,
則 T1<T2<T3
(B)儀表 A 與 D 可以是電流表
(C)儀表 B 與 C 可以是示波器或電壓表
(D)此電路架構為共射極組態。 雙極性接面電晶體之特性實驗
圖(十五) 圖(十六)
_____ 46. 有關圖(十七)的電路設計,下列敘述何者正確?
(A)屬於射極回授偏壓的設計
(B)電容 CE 對交流信號是短路,因此
屬於共基極的設計
(C)電容 CC 對交流信號是短路,因此
屬於集極回授偏壓的設計
(D)屬於共集極的設計。電晶體直流偏壓電路實驗
_____ 47. 下列有關達靈頓(Darlington)電路的敘述何者錯誤?
(A)達靈頓電路可由 1 個 PNP 電晶體與 1 個 NPN 電晶體構成 (B)達
靈頓電路可由 2 個 PNP 電晶體構成 (C)達靈頓電路為直接耦合串級
放大電路 (D)達靈頓電路特點是輸入阻抗很小。 串級放大電路實驗
_____ 48. 台灣的積體電路製造公司每年貢獻政府非常多的稅收與就業機會,關
於其製造的 MOSFET 電晶體特性,下列敘述何者正確?
(A)MOSFET 電晶體是以電壓控制的元件
(B)MOSFET 電晶體是以電流控制的元件
(C)MOSFET 電晶體的閘極電流 IG大於汲極電流 ID是正常現象
(D)N 通道 MOSFET 電晶體是以電洞作為主要傳輸載子。
場效電晶體之特性實驗
45.(A) 46.(A) 47.(D) 48.(A)
圖(十七)
105~10 【105】四技二專統一入學測驗
_____ 49. 下列有關場效電晶體放大器之敘述何者錯誤?
(A)共源極(CS)放大器輸入阻抗大,適合輸入電壓訊號
(B)共閘極(CG)放大器輸入阻抗小,適合輸入電流訊號
(C)共汲極(CD)放大器輸出與輸入電壓訊號同相,適合作電壓放大器
(D)共汲極(CD)放大器輸入阻抗大,適合輸入電壓訊號。
場效電晶體放大器電路實驗
_____ 50. 關於運算放大器(OPA)應用電路的實現,下列何者為正確?
(A)利用運算放大器(OPA)實現非零電位檢測器時,OPA 需使用負回
授電路架構
(B)利用運算放大器(OPA)實現減法器時,OPA 之非反相輸入端電壓會
追隨反相輸入端電壓
(C)利用運算放大器(OPA)實現反相放大器時,此反相放大器之輸入阻
抗為無限大
(D)利用運算放大器(OPA)實現積分器時,OPA 會工作於線性區。
運算放大器應用電路實驗
_____ 51. 小明上電子學實習課時,詳細聽老師講解運算放大器的理想特性與應
用後,終於知道理想的運算放大器有幾項特點。由此,當選擇運算放
大器來設計反相放大器時,下列何者錯誤?
(A)運算放大器的輸入阻抗愈大愈好
(B)運算放大器的共模拒斥比(CMRR),愈大愈能抑制雜訊效應
(C)運算放大器的差模增益 Ad愈小愈好
(D)運算放大器的共模增益 Ac愈小愈好。運算放大器應用電路實驗
_____ 52. 下列有關振盪器的敘述何者錯誤?
(A)石英晶體振盪電路振盪頻率穩定性差
(B)方波產生電路又稱為多諧振盪器
(C)輸入一觸發脈衝信號可產出一特定的矩形波信號之電路稱為單穩
態多諧振盪器
(D)韋恩(Wien)電橋振盪器可產生正弦波電壓波形。
基本振盪電路實驗
49.(C) 50.(D) 51.(C) 52.(A)
【105】四技二專統一入學測驗 105~11
休息一下!看我一眼,茅塞頓開 析
電機類、資電類專業科目(一)─電子學
1. 1 2
1 2
10V t ( 2V) t
t t
+-
+
× ×=5.2V,
1
2
t 72
t 48=
工作週期=1
1 2
t
t t+×100%=
72
120×100%=60%
2. (A)∵二極體順向電壓 VD 增加,則順向電流 ID 也增加擴散電容 CD=D
T
I
V
∴ID增加,擴散電容 CD增加 (C)二極體順向電壓 VD增加,空乏區寬度變
小 (D)二極體順向電壓 VD增加,障壁電壓不變。
3. 15.1 V 0.7
1kΩ
- -=
1V
1kΩ+
1V 0.7
1kΩ
- 1V 1.7V=
ID2=1V 0.7
1kΩ
-=1mA
4. (A)(B)此電路為雙截波電路,-6.6V ≤ Vo ≤ 6.6V
(D)Vo最小值為-6.6V
5. (1) 當 Vi=2V 時,二極體導通,此時 VC=VREF-2V,Vo1=VREF
(2) 當 Vi=10V 時,二極體截止,此時 Vo2=10V+VC=10V+VREF-2V
(3) Vo平均值=o1 o2V V
2
+=8V
REF REFV 10V V 2V
2
+ + -=8V VREF=4V
6. 提高雙極性接面電晶體(BJT)的電流放大率的方法是:
(1) 射極雜質濃度增加→IE↑
(2) 基極寬度變窄→IB↓ =C E B
B B
I I I
I I
-= , 會上升
7. 共基極放大電路:
(A)輸出電流為集極電流 IC (B)輸入電流為射極電流 IE (D)輸入與輸出電
壓同相。
8. IE=(1+)IB=100×50A=5mA
VCC=VCE+(500Ω+RE)IE 10V=5V+5mA×(500Ω+RE)
RE=500Ω
解
105~12 【105】四技二專統一入學測驗
9. VTH=10V×20k
20k 30k
+=4V,RTH=20kΩ//30kΩ=12kΩ
VTH=RTH×IB+VBE+(1+)IBRE
4V=12kΩ×40A+0.7V+100×40A×RE
RE=3.3V 12k 40 A
100 40 A
- ×
×=705Ω
10. 此電路為 CC,
Z1 =200k//200k// [ r+(1+)(RE//RL)]
≒200k//200k// [100×(6k//3k)]≒200k//200k// 200k≒66.7kΩ
AV=E L
E L
(1 )(R // R )
r (1 )(R // R )
+
+≒1
Ai
o
o iLV
ii L
i
v
i ZRA
vi R
Z
= = = × ≒1×66.7k
3k
≒22
11. (D)CQ BQ
mTT T
BQ
I Ig
VV V r
I
×= = = =
12. 此電路為 CB,C L
V
e
R // RA
r= ≒
C L
e
R // R
r 200=
CR // 10k
20
RC//10kΩ=4kΩ C
C
R 10k
R 10k
×
+=4kΩ ∴RC=6.7kΩ 6.8kΩ
13. 影響低頻響應的是耦合電容與旁路電容
(1)因為耦合電容在低頻時,電容抗很大,所以使下一級輸入信號電壓降低,
使總電壓增益降低。(2)射極旁路電容,在低頻時,其電容抗很大,無法使
RE電阻短路,因此電壓增益降低。
14. R2=80Ω//80Ω//80Ω//80Ω=20Ω
R1=72kΩ 1 1 2
2 2
R N
R N=( )
1 1
2 2
N R 72k 3600 60
N R 20 1 1
= = = =
15. (A)為 N 通道 JFET
(C)為 N 通道空乏型 MOSFET
(D)為 PNP BJT
16. ID=K(VGS-Vth)2 0.5mA=0.5mA/V
2 (VGS-2V)
2 VGS=3V
【105】四技二專統一入學測驗 105~13
又VGS=VG-VS=10V×2M
3M 2M+-IDRS 3V=4V-0.5mA×RSRS=2kΩ
17. VGS=VG-VS=-6V-0=-6V
∵ VP=-4V ∴ VGS<VP ∴ JFET 截止 ID=0mA
18. VGS=VG-VS=-2V-1mA×1k=-2-1=-3V
又 ID=IDSS(1-GS
P
V
V)2 1mA=IDSS(1-
3
4
-
-)2 IDSS=16mA
DSS GSm
P P
2I Vg (1 )
V V= -
2 16mA 3
4 4
× -= (1- )=
- -2ms
m D LV
m S
g (R // R ) 2m (6k // 4k)A
1 g R 1 2m 1k
- ×=- =
+ + ×=-1.6
19. AV=m d S L
m d S L
g (r // R // R )
1 g (r // R // R )+=
2m (50k //6k // 3k)
1 2m (50k //6k // 3k)
×
+ ×≒0.79
20. AV=-10k
1k
=-10
21. Vo=6.2V×(1+5k
5k)=12.4V
22.
Vo1 =1V×(-30k
10k)+2V×(-
30k
20k)+3V×(-
30k
30k)
=-3V-3V-3V=-9V
Vo =-9V×(-30k
30k)=9V
23. (B)無穩態多諧振盪器無輸入觸發信號。
24. 此電路為反相輸入型樞密特觸發電路,VU=Vr2
1 2
R
R R++Vsat
1
1 2
R
R R+
VL=Vr2
1 2
R
R R+-Vsat
1
1 2
R
R R+ VH=VU-VL=Vsat
1
1 2
2R
R R+
25. 三角波信號產生電路可以應用樞密特觸發電路與積分器電路組成。
105~14 【105】四技二專統一入學測驗
電機類專業科目(二)─電子學實習
26. 10V×L
L
R5V
100 R
+ LR 100Ω
PZ=VZ×IZM,200mW=5V×IZM IZM=40mA
I1=IZM+IL(min)
L(max)
L(max)
10 5V 5V40mA R 500
100 R
-= + = ∴RL為 100Ω~500Ω
27. 此電路為雙截波器
vo為 8V 以下以及-3V 以上有輸出
∴ o(av)
8 ( 3)v
2
+-= =2.5V
28. (A)當 vi> E(3V)
V D ONvo=VE=+3 (B)當-3V<vi< E(3V)
V D ON vo=
VE=3V (C)當 vi> E(3V)
V D ON vo=VE=+3V (D)當-10V<vi<
- E( 3V)
V-
D OFF vo=vi 故(A)(B)(D)錯。
29.
則 腳為基極
30. 此電路為集極回授偏壓電路
BI ≒CC BE
B C
V V
R (1 )R
-
+ + 0.03mA≒
B
12 0.7
R 121 2.2k
-
+ × ∴ RB≒110.5kΩ
31. th
85kV 12V 6.8V
65k 85k= × =
+
Rth=65kΩ//85kΩ=65k 85k
65k 85k
×
+≒36.8kΩ
th BEB
th E
V V 6.8 0.7I
R (1 )R 36.8k 101 3k
- -= =
+ + + ×≒18A
IC=IB=100×18A=1.8mA
VCE=VCC-IERE≒VCC-ICRE≒12V-1.8mA×3k≒6.6V
32. Zi=RB1//RB2//r=45kΩ//5kΩ//1kΩ=4.5kΩ//1kΩ=0.818kΩ=818Ω
33. vo(P) =AV×vi(P)=100×20mV=2V 又 CE 之 vo與 vi為反相
∴ vo(t)=2sin(t+)=-2sin(t)V
【105】四技二專統一入學測驗 105~15
34. (A)RC 耦合串級放大器之前後級阻抗匹配不易 (C)變壓器耦合串級放大器
有直流隔離作用 (D)RC 耦合串級放大器之前後級直流工作點不會相互影
響,因為電容器可以阻離直流。
35. ID=K(VGS-Vt)2 2mA=K(6-4V)
2 K=
1
2mA/V
2
又 8mA=1
2mA/V
2(VGS-4)
2 VGS=8V
36. 此電路為共源極放大器,(A)Zi=RG (B)Zo=RD (C)vo與 vi反相 (D)Zi=RG。
37. vi=16V×6k
6k 6k+=8V
又 vo=V-=V+=vi=8V
38. 此電路為減法器 vo=(v2-vi)×40k
10k
∴ vo=(-1-vi)×40k
10k 8V=(-1-vi)×4
∴ vi=-3V
39. (A)為無穩態多諧振盪器
(B)C2之功用為降低雜訊干擾
(C)正常工作下,C1之電壓 vC最高值為2
3VCC (D)vo之波形脈波
40. (A)VU =Vref×1 2
2
R R
R
++Vsat×
1
2
R
R=(-2)×
10k 100k
100k
++12×
10k
100k=-1V
(B)VL =Vref×1 2
2
R R
R
+-Vsat×
1
2
R
R
=(-2)×10k 100k
100k
+-12×
10k
100k=-3.4V
(C)此電路為非反相樞密特電路
(D)當 vi=1V 時,vi>VU 1V>-1V vo=+Vsat≒+12V
資電機類專業科目(二)─電子學實習
41. DCV = P
2V
=0.636 PV 3.7= P0.636 V× PV ≒5.8V
∴ P PV =5.8 2× =11.6V≒12V
42. 示波器面板上 CAL 是 1KHz 的方波。
105~16 【105】四技二專統一入學測驗
43. r(rms)V =2V
2 2=0.707V, dcV = mV - r(P)V =10V-1V=9V
r(%)=r(rms)
dc
V
V×100%=
0.707V
9V×100%=8%
44. 該電路為偏壓型箝位電路。
45. (A)矽電晶體的 VBE 約為 0.7V,溫度每升高
1C,VBE下降 2.5mV(P-2.5mV/C),故 3 條
曲線中,T1>T2>T3。
46. (B)電容器 CE對交流信號是短路,所以是共射極放大器 (C)電容器 CC對交
流信號是短路,屬於射極回授偏壓電路 (D)屬於共射極的設計。
47. (D)達靈頓電路特點是輸入阻抗很大。
48. (B)MOSFET 電晶體是以電壓控制的元件 (C)MOSFET 的閘極電流 IG=0,
故 IG<ID (D)N 通道 MOSFET 電晶體是以自由電子為主要傳輸載子。
49. 共汲極(CD)放大器 vo與 vi同相,且 AV<1,不適合作電壓放大器。
50. (A)運算放大器(OPA)實現非零電位檢測器,需利用 OPA 開迴路增益無限
大的特性,故不需外加任何回授元件 (B)運算放大器(OPA)實現減法器,
非反相輸入端(V+)電壓不會追隨反相輸入端(V-)的電壓 (C)運算放大
器(OPA)實現反相放大器,輸入阻抗 Zi=R1。
51. (C)運算放大器差模增益 Ad愈大愈好。
52. (A)石英晶體振盪器振盪頻率穩定性佳。