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ICS 31.200L 56

中华人民共和国国家标准

GB/T 9245-20XX 代替 GB/T 9245-1988

半导体器件 集成电路

第 3-1部分：模拟集成电路

半导体集成运算放大器空白详细规范

(报批稿，供审查用)

Semiconductor devices integrated circuits

Part 3-1：Analogue integrated circuits

Blank detail specification for semiconductor integrated operational amplifier

(IEC 60748-3-1：1991，Semiconductor devices Integrated circuits

Part3:Analogue integrated circuits Section one - Blank detail specification for operational amplifier，MOD)

20XX-XX-XX发布 20XX-XX-XX实施

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GB/T 9245-20XX/IEC 60748-3-1：1991

前 言

系列国家标准《半导体器件 集成电路》中的模拟集成电路部分已经或计划发布以下部分：

——GB/T 16464-1996 半导体器件集成电路第 1 部分：总则（idt IEC 60748-1：1984） ——GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第 2 部分：数字集成电路（idt IEC 60748-2：1985）——GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第 3 部分：模拟集成电路（idt IEC 60748-3：1986） ——GB/T 20515-2006 半导体器件集成电路第 5 部分：半定制集成电路（idt IEC 60748-5：1997）——GB/T 12750-2006 半导体器件集成电路第 11 部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电

路）（idt IEC 60748-11：1990）本部分为《半导体器件 集成电路》的第 3-1 部分。

本部分按照 GB/T 1.1-2009 给出的规则起草。

本部分代替 GB/T 9245-1988《半导体集成电路运算放大器空白详细规范》。与 GB/T 9245-1988 相比，

主要变化如下：

——增加了引言。

——将 GB/T 9245-1988 中“1 机械说明；2 简要说明；3 质量评定类别”的序号删除，增加了“1 标志和订货资料；2 应用说明；3 功能的详细说明”。

——4 极限值表中，删除了“引线耐焊接温度、调零端到负电源端间压差”参数，增加了“短路输出

电流”参数。

——将“5 电工作条件和电特性，6 标志，7 订货资料，8 试验条件和检验要求，9 D 组——鉴定

批准，10 附加资料， 11 型号说明”更改为“5 工作条件，6 电特性，7 编程，8 机械和环境

的额定值、特性和数据，9 附加资料，10 筛选，11 质量评定程序，12 结构相似程序，13 试

验条件和检验要求，14 附加测量方法 ”。——6 电特性中，删除了“功耗、输入电容、失调电压调整范围、瞬态响应、电压转换速率、通道

分离度、建立时间、等效输入噪声电压、等效输入噪声电流”参数，增加了“对于满输出电压摆

幅的上极限频率、输出噪声电压、输出电压的平均变化率、串扰衰减、响应时间”参数。

——C 组检验中增加了 C2 分组、C5 分组和 C12 分组检验，并对 C 组检验中“CRRL 分组”要求进

行了更改。

——将“D 组——鉴定批准”更改为“D 组——认证试验”，且增加了 D2 分组“电源电流”。为使用方便，本部分做了如下修改：

——根据 GB/T 1.1 的规定，将标准名称由 IEC 的“半导体器件 集成电路 第 3 部分：模拟集成电

路 第一篇 半导体集成运算放大器空白详细规范”更改为“半导体器件 集成电路 第 3-1 部分：

模拟集成电路 半导体集成运算放大器空白详细规范”。

——本标准引用的 IEC 文件编号改为五位。

本部分采用翻译法，修改采用IEC 60748-3-1:1991(QC 790110)《半导体器件 集成电路第3部分：

模拟集成电路 第1篇 运算放大器空白详细规范》(英文版)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

I

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GB/T 9245-20XX/IEC 60748-3-1：1991

本规范按照GB/T 1.1-2009的要求编制国家标准，只对IEC原文作编辑性修改：

——将标准名称由IEC的《半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路 第1篇运算放大器空白详

细规范》更改为《半导体器件 集成电路 第3-1部分：模拟集成电路 运算放大器空白详细规范》。

——删除IEC原文中的前言。

——IEC 原文中的表Ⅰ、表Ⅱ、表Ⅲ和表Ⅳ修改为表 1、表 2、表 3 和表 4。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC 78）归口。 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第二十四研究所。 本标准主要起草人：王世腾、黄文刚、刘锐。 本部分于 1988年 4月首次发布，本次为第一次修订。

II

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半导体器件 集成电路

第 3-1部分：模拟集成电路

半导体集成运算放大器

空白详细规范

引言

IEC 电子元器件质量评定体系遵循 IEC 章程，并在 IEC 授权下进行工作。这个体系的目的是确定

质量评定程序，使得由一个成员国根据相应规范要求认为合格而放行的电子元器件，在所有其他成员国

内不需要再进行检验就能同样地承认其合格。 本部分是与半导体器件有关的系列空白详细规范之一，并且与下列标准一起使用。 GB/T 4589.1-2006 半导体器件第 10 部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T12750-2006 半导体器件 集成电路 第 11 部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路)

要求的资料

本页和后面括号内的数字与下列各项要求的资料相对应，这些资料应填入本规范相应的栏中。

详细规范的识别

[1] 授权发布详细规范的国家标准化机构名称。 [2] 详细规范的 IECQ 编号。 [3] 总规范、分规范的编号及版本号。 [4] 详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的其他资料。

器件的识别

[5] 主要功能和符号，例如微处理机集成电路 68000。 [6] 典型结构（材料、主要工艺）和外壳。如果器件具有若干种派生品种，则应指出其差别，例如

用对照表列出特性。 如果器件属静电敏感型，应在详细规范中注明注意事项。

[7] 外形图、引出端识别、标志和/或有关外形的参考文件。 [8] 按总规范 2.6 的质量评定类别。 [9] 参考数据。 [本部分下面方括号内所要求的内容构成了详细规范的首页，这些内容仅供指导详细规范的编写，而

不应纳入详细规范中。] [当任一条款编写可能引起混淆时，应在扩号内说明。]

1

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[国家代表机构（NAI）（可以提供 [1]

规范的团体）的名称（地址）]

[详细规范的 IECQ 编号、版本号和/或日期] [2]

QC 790202

评定器件质量的依据 [3]

总规范：

GB/T 4589.1-2006

分规范：

GB/T 12750-2006

[及编号不同时的国家标准号]

[详细规范的国家编号] [4]

[若国家编号与 IECQ 编号一致，本栏可不填]

半导体集成运算放大器空白详细规范 [5]

[有关器件的型号]

订货资料：见 1.2

机械说明 [7]

外形依据：

[应给出 IEC 标准（如有，则需遵循）和/或国家标准]

外形图：

[可以移入本规范第 8 章或在那里给出更详细的资料]

引出端识别：

[画出引出端排列图，包括图形符号]

标志：[字母和图形，或者色码]

[详细规范应规定器件标志]

[见 GB/T 4589.1-2006 中 2.5 和/或本部分 1.1]

简要说明 [6]

应用：见第 6 章

功能：见第 3 章

半导体材料：[Si，单片，双极，MOS]

封装：[空封或非空封]

[对不同产品性能的比较表]

注意：静电敏感器件

质量评定类别 [8]

[按 GB/T 4589.1-2006 中 2.6。]

参考数据 [9]

[能在各型号间比较的最重要性能的参考数据。]

按本部分鉴定合格的器件，其有关制造厂的资料，可在现行合格产品目录中查到。

1 标志和订货资料

1.1 标志

[见 GB/T 4589.1-2006 中 2.5。 详细规范应规定给的相关类型的信息，比如文字符号，图和/或代码。 当标志包含的资料比 GB/T 4589.1-2006 中 2.5 更详细时，例如：制造厂内部使用的规范，这些规范

应加以区别。 如果所有的信息已在本标准第[7]栏给出，则本章可简要地说明。]

1.2 订货资料

[除另有规定外，订购器件至少需要下列资料： ——准确的型号（必要时，标称电压值）； ——适用时，详细规范的 IECQ 编号、版本号和/或日期； ——GB/T 12750-2006 第 9 章规定的质量评定类别，以及如果需要时，GB/T 12750-2006 第 8 章规定的

筛选程序； ——包装材料； ——任何其他特殊的资料。]

2

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2 应用说明

[在设备或电路的应用和已给出的与器件有关的资料中，其内容依赖于功能描述。]

3 功能的详细说明

[需要时，应给出功能框图或集成电路的等效电路图。]

4 极限值（绝对最大额定值体系）

除另有规定外，这些极限值适用于整个工作温度范围。 [当与标题的条款重复时，任何增加的值可在适当处给出，但编号条款除外。] [最好在第 9 章给出曲线。]

条款号 参数 符号 极限值

单位 最小 最大

4.1 电源电压 a VCC × × V

VEE × × V

4.2 差分输入电压 a VID × × V

4.3 共模输入电压 a VIC × × V

4.4 功耗 Ptot × W

4.5 工作温度 TA × × ℃

4.6 贮存温度 Tstg × × ℃

4.7 输出电流 IO × mA

4.8 短路输出电流 IOS × mA

短路持续时间

（适用时） tOS × s

a 需定义参考电压。

5 工作条件（适用于整个工作温度范围）

在相关测试方法中应规定工作条件。 对于检查必要条件见 13.2。

5.1 电源电压

无内容。

5.2 输入电压

无内容。

5.3 输出电流

无内容。

3

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5.4 在其他端的电压和/或电流

无内容。

5.5 外部元件（适用时）

无内容。

5.6 工作温度范围

无内容。

6 电特性

基于集成运算放大器这些特性是必要的。 [当同一详细规范规定了几种器件时，相应的值应连续列出，以避免相同值的重复。] [详细规范的第 9 章中应给出曲线。] 除另有规定外，下表所列特性适用于全工作环境温度范围。 各类电路的规定参数应覆盖整个工作环境温度范围，并应规定其特性在 TA=25℃和极限工作温度范

围下的极限值。

6.1 静态特性

条款号 静态特性 符号 极限值

单位 最小 典型 a 最大

6.1.1 输入失调电压 VIO × × mV

6.1.2 输入失调电流 IIO （×） × mA

6.1.3 输入偏置电流 IIB （×） × mA

6.1.4 开环电压增益 AVO × （×） × dB

6.1.5 输出电压摆幅 VOPP × （×） V

6.1.6 电源电流 IS （×） × mA

6.1.7 共模抑制比 KCMR(+) × （×） dB

6.1.8

电源电压抑制比

或

电源电压灵敏度

KSVR(+)

KSVR(-)

或

KSVS(+)

KSVS(-)

×

×

×

（×）

（×）

（×）

（×）

×

V/μV或 dB

6.1.9 短路输出电流 IOS(+)

IOS(-)b

×

（×）

（×）

×

mA

6.1.10 共模输入电压 VIC(+)

VIC(-)

×

（×）

（×）

× V

6.1.11 输入失调电压温漂 αVIO ×c %/K 或%/℃

6.1.12 输入失调电流温漂 αIIO ×c %/K 或%/℃

6.1.13 小信号输入阻抗(差模) ZId （×）c kΩ

6.1.14 输出阻抗(信号端) ZOS （×）c Ω

4

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a 典型值的插入是任意的。对于运算放大器，典型值被推荐。 b 必要时，详细规范中的 IOS(-)值可以是特殊要求的。 c 详细规范规定时。

6.2 动态特性

需要时，详细规范与 GB/T 17940-2000 一致。

条款号 动态特性 符号 极限值

单位 最小 典型 最大

6.2.1 单位增益频率

或单位增益带宽

f1

或 GWR × Hz

6.2.2 对于满输出电压摆幅的

上极限频率 fW × Hz

6.2.3 输出噪声电压 VNO × a

6.2.4 输出电压的平均变化率 b SVOAV × V/μs

6.2.5 串扰衰减（适用时） aX × dB

6.2.6 响应时间 ttot × μs a 详细规范中应给出单位。 b 适用时，要求正负压摆率。

7 编程

不适用。

8 机械和环境的额定值、特性和数据

[有要求时，任何特殊的机械和环境的额定值应与 GB/T 16464-1996 中第Ⅵ篇的 10.8 一致（也见 GB/T 17573-1998 中第Ⅵ篇第 7 章）。]

9 附加资料

该资料不用于审查。 下列资料给出最少设计数据：

9.1 框图

[对于集成电路，必须给出一个框图或等效电路图。]

9.2 输出负载电容

[必须给出输出电容负载。]

9.3 温度和输入和/或输出负载的影响

[对输入失调电压、输入失调电流和输入偏置电流随温度的影响必须给出，适用时，关于输入和/或输出负载也需给出。]

5

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9.4 操作警示

[应包含任何的机械和环境的极限条件，例如：FET 输入运算放大器的操作。]

10 筛选

[必要时，技术要求必须增补进空白详细规范，参考 GB/T 12750-2006 第 8 章。]

11 质量评定程序

空白详细规范对于是鉴定批准程序还是能力批准程序都是适用的。

11.1 鉴定批准程序

见 GB/T 4589.1-2006 第 3 章和 GB/T 12750-2006 中 5.1。

11.2 能力批准程序

见 GB/T 4589.1-2006。

12 结构相似程序

见 GB/T 12750-2006 第 6 章。

13 试验条件和检验要求

空白详细规范是用于保证详细规范中试验要求的一致性。

13.1 抽样方案和检验批的构成

抽样方案见 GB/T 12750-2006 第 9 章和 GB/T 4589.1-2006 中 3.7。 对于 A 组，详细规范中可规定 AQL 和 LTPD 两种抽样方案的其中一种。 对于检验批的构成，见 GB/T 12750-2006 中 5.1.1 和程序规则 12.2（IEC 发布 QC 001002）。 如果应用结构相似器件的程序，见GB/T 12750-2006第6章和程序规则8.5.3（IEC 发布 QC 001002）。 当 11.3.1（IEC 发布 QC 001002）程序规则方法 a）用于鉴定批准程序时，详细规范中应给出抽样

方案。（见 GB/T 12750-2006 第 9 章。）

13.2 检验能力

[测试的顺序在以下表格中给出。其中参数值、和检查测试的条件和/或数值应该加以给定作为某指

定型号的要求、并作为相关标准的相关测试的要求。] [两者选一的试验或试验方法，在编写详细规范时应规定一种。] [当同一详细规范中包括几种器件时，相应的条件和/或数值应依次连续给出，可能的话，避免重复

相同的条件和/或数值。]

6

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A组——逐批检验

检查或试验 符号 引用标准

条件

除另有规定外，TA=25℃

（见 GB/T4589.1-2006 第 4 章）

极限值

最小 最大

A1 分组

外部目检

GB/T4589.1-2006，

4.3.1.1

A2 分组

开环电压增益

AVO

6.1.4

按规定[当规定时，T=TAMAX、TAMINa]

×

A3 分组

输入失调电压

输入失调电流

输入偏置电流

输出电压摆幅

电源电流

输入失调电压温漂

输入失调电流温漂

共模抑制比

电源电压抑制比

或

电源电压灵敏度

共模输入电压 DC

范围

短路输出电流

VIO

IIO

IIB

VOPP

IS

αVIO

αIIO

kCMR(+)

kSVR(+)

kSVR(-)

kSVS(+)

kSVS(-)

VIC(+)

VIC(-)

IOS(+)

IOS(-)

6.1.1

6.1.2

6.1.3

6.1.5

6.1.6

6.1.11

6.1.12

6.1.7

6.1.8

6.1.10

6.1.9

按规定

按规定

按规定

按规定

按规定

按详细规范规定

按详细规范规定

按规定

按规定

按规定

按规定

×

×

×

×

×

×

×

×

×

×

×

×

×

×

A3a 分组

（同 A3）

T= TAMAX、TAMIN[依据 4.5]

A4 分组

单位增益频率

或

满功率带宽

对应全输出电压摆

幅的上极限频率

输出噪声电压

输出电压的平均变

化率

串扰衰减（适用时）

响应时间

f1

GWR

fWw

VNO

SVOAV

aX

ttot

6.2.1

6.2.2

6.2.3

6.2.4

6.2.5

6.2.6

按规定

按规定

按规定

按规定

按规定

按规定

×

×

×

×

×

×

注：所有试验为非破坏性（见 GB/ 4589.1-2006 中 3.6.6）。 aTAMAX 为器件最高额定工作温度，TAMIN 为器件最低额定工作温度。

7

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GB/T 9245-20XX/IEC 60748-3-1：1991

B组——逐批检验

检验或试验 引用标准

条件

除另有规定外，TA=25℃

（见 GB/T4589.1-2006 第 4 章）

极限值

最小 最大

B1 分组

尺寸

GB/T4589.1-2006，4.3.2

和附录 B 见详细规范

B4 分组

可焊性 IEC 60749-21:2004，2.1 按规定 浸润良好

B5 分组（D）

快速温度变化

a）空封器件

温度快速变化：

·密封，细检漏

·密封，粗检漏

·电测试

b）非空封和环氧封

空封器件

温度快速变化：

·外部目检

·稳态湿热

·电测试

GB/T 4937.11

GB/T 4937.8

GB/T 2423.23-1995，Qc 检验

按详细规范

GB/T 4937.11

GB/T4589.1-2006 中 4.3.1.1

GB/T 4937.5

按详细规范

10 次循环

按规定

按规定

从 A2 和 A3 分组选择

10 次循环

严酷度 1（85℃，85%RH），24h

从 A2 和 A3 分组选择

B8 分组

电耐久性（168h）

最终电测试

（见相关条款） 按 GB/T 12750-2006中 12.3及 12.4

（适用时）

CRRL 分组 就 B4、B5 和 B8 分组提供计数检查结果。

注 1：有（D）标记的是破坏性试验（见 GB/ 4589.1-2006 中 3.6.6）。

注 2：I 类器件见 GB/T 4589.1-2006 中 2.6。

C组——周期检验

检验或试验 引用标准

条件

除另有规定外，TA=25℃（见

GB/T4589.1-2006 第 4 章）

极限值

最小 最大

C1 分组

尺寸

GB/T4589.1-2006，4.3.2

和附录 B

C2b 分组

最高和最低工作温度

下的功能验证

同 A2 分组

C2c 分组

共模输入电压 DC 范

围的验证

TAMAX 和 TAMIN 下，同 A3a 分组

8

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C组(续)

检验或试验 引用标准 条件

除另有规定外，TA=25℃（见

GB/T4589.1-2006 第 4 章）

极限值

最小 最大

C3 分组（D） 引出端强度

GB/T 4937.14 GB/T 12750-2006

[按封装规定，例如，拉力或力矩。]

C4 分组（D） 耐焊接热 最终电测试

GB/T 4937.15

按规定 从 A2 和 A3 分组选择

C5 分组（D）

温度快速变化

a）空封器件

温度快速变化：

·密封，细检漏

·密封，粗检漏

·电测试

b）非空封和环氧封

空封器件

温度快速变化：

·外部目检

·稳态湿热

·电测试

GB/T 4937.11

GB/T 4937.8

GB/T 2423.23-1995, Qc 检验

GB/T 4937.11

GB/T4589.1-2006，4.3.1.1

GB/T 4937.5

10 次循环

按规定

按规定

从 A2 和 A3 分组选择

10 次循环

严酷度 1（85℃，85%RH），24h

从 A2 和 A3 分组选择

C6 分组（D） 稳态加速度

（适用于空封器件） 最终电测试

GB/T 4937.5

按规定 从 A2 和 A3 分组选择

C7 分组（D） 稳态湿热 a）空封器件

b）非空封和环氧封

空封器件 电测试

GB/T 4937.5

GB/T 4937.5

严酷度：[II 类和 III 类为 56d，I 类为

21d] 严酷度 1 偏置：[按详细规范规定] 时间：[II 类和 III 类为 1000h，I 类为

500 h] 从 A2 和 A3 分组选择

C8 分组（D） 电耐久性

1000h（规定温度）

C9 分组（D） 高温贮存

1000h（规定温度）

C11 分组 标志耐久性

按规定

C12 分组 瞬态能量

研究中

在详细规范中规定测试电压

9

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CRRL 分组 就 C3、C4、C6、C7、C8、C9 和 C11 分组提供计数检查结果。 注：有（D）标记的是破坏性试验（见 GB/ 4589.1-2006 中 3.6.6）。

D组——鉴定批准试验

检验或试验 符号 引用标准

条件

除另有规定外，TA=25℃

（见 GB/T4589.1-2006 第 4 章）

极限值

最小 最大

D2 分组 电源电流

IS

6.1.6

按规定 ×

D8 分组（D） 电耐久性

（GB/T 12750-2006 中 12.3）

II 类：2000h

III 类：4000ha

条件：b

a 电耐久性表示为对于 C 组和 D 组耐久性的累积时间。 b电耐久性试验条件中的功耗、工作温度和供电电压的选择应按以下顺序决定：

a)在电路中每个功能性可取的部分，平均功耗应该是详细规范的最大允许值；

b)环境或参考点温度应该是详细规范在 a)的功耗（条件）下的最大允许值；

c)供电电压应该与在参数特性 5A 和 5B 中规定的相同。

13.3 延期交货

[除另有规定外，见 GB/T 4589.1-2006 中 3.6.7。]

14 附加测量方法

不适用。

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